JPH0834001B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0834001B2 JPH0834001B2 JP2197325A JP19732590A JPH0834001B2 JP H0834001 B2 JPH0834001 B2 JP H0834001B2 JP 2197325 A JP2197325 A JP 2197325A JP 19732590 A JP19732590 A JP 19732590A JP H0834001 B2 JPH0834001 B2 JP H0834001B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic layer
- magnetic
- film
- recording medium
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 37
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 229910020647 Co-O Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910020704 Co—O Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/674—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having differing macroscopic or microscopic structures, e.g. differing crystalline lattices, varying atomic structures or differing roughnesses
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、複数層で構成される磁性膜を高分子材料よ
りなる長尺の基板上に真空蒸着法によって連続的に形成
する磁気記録媒体の製造方法に関する。
りなる長尺の基板上に真空蒸着法によって連続的に形成
する磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術 現在、磁気記録媒体は高密度化の傾向にあり、従来の
塗布型の磁気記録媒体の高密度化の限界を越えるものと
して金属薄膜型の磁気記録媒体が注目されている。金属
薄膜型の磁気記録媒体を製造する方法には、メッキ法，
スパッタリング法，真空蒸着法等があるが、量産性を考
慮すると真空蒸着法が最も優れている。真空蒸着法によ
って生産性が良くかつ安定に金属薄膜型の磁気記録媒体
を形成するには、円筒状ローラの周側面に沿わせて高分
子材料よりなる基板を移動させつつ磁性層の蒸着を行な
えばよい。
塗布型の磁気記録媒体の高密度化の限界を越えるものと
して金属薄膜型の磁気記録媒体が注目されている。金属
薄膜型の磁気記録媒体を製造する方法には、メッキ法，
スパッタリング法，真空蒸着法等があるが、量産性を考
慮すると真空蒸着法が最も優れている。真空蒸着法によ
って生産性が良くかつ安定に金属薄膜型の磁気記録媒体
を形成するには、円筒状ローラの周側面に沿わせて高分
子材料よりなる基板を移動させつつ磁性層の蒸着を行な
えばよい。
近年、この金属薄膜型の磁気記録媒体を多層化するこ
とにより記録再生特性を向上させようとする試みが盛ん
になされている。これに関しては、Co−Ni−Ｏを主成分
とする金属薄膜型の磁気記録媒体を多層化することによ
り記録再生特性の向上がはかられることが報告されてい
る（Yoshida and Shinohara,Proceedings of PMRC'89,P
139,1989）ほか、次世代の高密度記録媒体として期待さ
れるCo−Cr、Co−Ｏ等を主成分とする垂直磁気記録媒体
においても二層構造を取り入れることによって、高再生
出力化や孤立再生波形の改善，記録周波数特性の改善が
はかられる（例えば、特願平１−223562号参照）ことが
解っている。
とにより記録再生特性を向上させようとする試みが盛ん
になされている。これに関しては、Co−Ni−Ｏを主成分
とする金属薄膜型の磁気記録媒体を多層化することによ
り記録再生特性の向上がはかられることが報告されてい
る（Yoshida and Shinohara,Proceedings of PMRC'89,P
139,1989）ほか、次世代の高密度記録媒体として期待さ
れるCo−Cr、Co−Ｏ等を主成分とする垂直磁気記録媒体
においても二層構造を取り入れることによって、高再生
出力化や孤立再生波形の改善，記録周波数特性の改善が
はかられる（例えば、特願平１−223562号参照）ことが
解っている。
発明が解決しようとする課題 上記のような多層構造を有する磁気記録媒体の記録再
生特性は各磁性層（以下、形成過程の順を示すために第
１の磁性層，第２の磁性層と称する。）間の界面状態の
良否に大きく影響されるが、一般に長尺の高分子基板上
に多層膜を形成する際には、その工程の複雑さ故に各層
間の界面状態を良好に保つことは非常に難しい。各層間
の界面状態を劣化させる要因としては、例えば第２の磁
性層形成前に第１の磁性層表面に形成される酸化層や高
分子基板がチャンバー内を走行中に第１の磁性層表面に
付着する有機物などの不純物の存在があげられる。これ
ら酸化層や不純物の存在は記録再生時の第１の磁性層に
対してはスペーシングとして働くほか、両磁性層間の有
効な界面効果を低減させる原因にもなる。このうち前者
の表面酸化層の発生については、第１の磁性層および第
２の磁性層各々の形成過程間に磁性層を大気にさらすこ
となく両磁性層を同一チャンバー内において連続的に形
成するようにすればかなり低減することができる。しか
しながら、生産性を考慮して大規模な装置を用いた際に
は十分なチャンバー内真空度が得られないことが多く、
特に高温工程を必要とする系では、上記の表面酸化層の
発生を完全に防ぐことはできない。また円筒状ローラ系
を用いて両磁性層を連続的に蒸着するためには２つの円
筒状ローラを同時に使用することになり、両円筒状ロー
ラ上での高分子基板の搬送速度を同じに保たなければな
らないため、両円筒状ローラの回転数や成膜速度などの
制御が困難を極める。したがって両磁性層の形成過程を
別々に設定した方がかえって生産性が上がる場合も多
く、現在のところ両磁性層間の形成過程間で磁性層を大
気にさらしている例もある。また、上記の手法において
も、高分子基板を搬送するためのガイドローラ等、製造
装置の部材を介して第１の磁性層表面に付着する不純物
を完全に防ぐことは困難である。
生特性は各磁性層（以下、形成過程の順を示すために第
１の磁性層，第２の磁性層と称する。）間の界面状態の
良否に大きく影響されるが、一般に長尺の高分子基板上
に多層膜を形成する際には、その工程の複雑さ故に各層
間の界面状態を良好に保つことは非常に難しい。各層間
の界面状態を劣化させる要因としては、例えば第２の磁
性層形成前に第１の磁性層表面に形成される酸化層や高
分子基板がチャンバー内を走行中に第１の磁性層表面に
付着する有機物などの不純物の存在があげられる。これ
ら酸化層や不純物の存在は記録再生時の第１の磁性層に
対してはスペーシングとして働くほか、両磁性層間の有
効な界面効果を低減させる原因にもなる。このうち前者
の表面酸化層の発生については、第１の磁性層および第
２の磁性層各々の形成過程間に磁性層を大気にさらすこ
となく両磁性層を同一チャンバー内において連続的に形
成するようにすればかなり低減することができる。しか
しながら、生産性を考慮して大規模な装置を用いた際に
は十分なチャンバー内真空度が得られないことが多く、
特に高温工程を必要とする系では、上記の表面酸化層の
発生を完全に防ぐことはできない。また円筒状ローラ系
を用いて両磁性層を連続的に蒸着するためには２つの円
筒状ローラを同時に使用することになり、両円筒状ロー
ラ上での高分子基板の搬送速度を同じに保たなければな
らないため、両円筒状ローラの回転数や成膜速度などの
制御が困難を極める。したがって両磁性層の形成過程を
別々に設定した方がかえって生産性が上がる場合も多
く、現在のところ両磁性層間の形成過程間で磁性層を大
気にさらしている例もある。また、上記の手法において
も、高分子基板を搬送するためのガイドローラ等、製造
装置の部材を介して第１の磁性層表面に付着する不純物
を完全に防ぐことは困難である。
本発明は上記の課題を解決し、第１と第２の磁性層間
の界面状態を改善することにより記録再生特性の向上を
実現する磁気記録媒体の製造方法を提供するものであ
る。
の界面状態を改善することにより記録再生特性の向上を
実現する磁気記録媒体の製造方法を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段 上記の目的を達成するために本発明は、移動する長尺
の高分子基板上に直接にまたは下地層を介して第１の磁
性層およびその磁性層の上に第２の磁性層を真空蒸着法
によって形成する磁気記録媒体の製造方法において、第
１の磁性層を形成した後、その磁性層の表面に加速され
た不活性ガスイオンもしくは窒素イオンを照射して処理
を行い、その後にイオン照射を行なった第１の磁性層の
表面を製造装置内の部材に接触させることなく直ちに第
２の磁性層を形成するものである。
の高分子基板上に直接にまたは下地層を介して第１の磁
性層およびその磁性層の上に第２の磁性層を真空蒸着法
によって形成する磁気記録媒体の製造方法において、第
１の磁性層を形成した後、その磁性層の表面に加速され
た不活性ガスイオンもしくは窒素イオンを照射して処理
を行い、その後にイオン照射を行なった第１の磁性層の
表面を製造装置内の部材に接触させることなく直ちに第
２の磁性層を形成するものである。
作用 上記の構成により本発明は、第１の磁性層の表面に加
速されたイオンを照射することによりイオンエッチング
作用が生じる。すなわちイオンエッチングによって第１
の磁性層の表面酸化層や有機物等の不純物が除去され、
続いて形成される第２の磁性層との間に良好な界面状態
が達成されるのである。この作用を十分に得るために
は、第１の磁性層の表面のイオン処理直後に連続して第
２の磁性層の形成を行なうことが望ましい。なぜならば
イオン処理後、第１の磁性層の表面に再度表面酸化層が
形成される可能性があるからである。またこの間、第１
の磁性層表面を、ガイドローラ等の部材に接触させない
ことも重要である。さもないと、これらの部材を介し
て、有機物等の不純物が再付着するからである。例えば
後に述べる実施例１においては、第２の磁性層の形成時
に走行する高分子基板が円筒状ローラに入る前後で第１
の磁性層の表面をイオン処理し、その後高分子基板が円
筒状ローラの下部を通過する際に第２の磁性層を形成す
るように設定している。
速されたイオンを照射することによりイオンエッチング
作用が生じる。すなわちイオンエッチングによって第１
の磁性層の表面酸化層や有機物等の不純物が除去され、
続いて形成される第２の磁性層との間に良好な界面状態
が達成されるのである。この作用を十分に得るために
は、第１の磁性層の表面のイオン処理直後に連続して第
２の磁性層の形成を行なうことが望ましい。なぜならば
イオン処理後、第１の磁性層の表面に再度表面酸化層が
形成される可能性があるからである。またこの間、第１
の磁性層表面を、ガイドローラ等の部材に接触させない
ことも重要である。さもないと、これらの部材を介し
て、有機物等の不純物が再付着するからである。例えば
後に述べる実施例１においては、第２の磁性層の形成時
に走行する高分子基板が円筒状ローラに入る前後で第１
の磁性層の表面をイオン処理し、その後高分子基板が円
筒状ローラの下部を通過する際に第２の磁性層を形成す
るように設定している。
イオンの発生には、例えばカウフマン型のイオンガン
のようなイオンソースを用いればよい。この際イオンに
は、アルゴンなどの希ガスの他、窒素など磁性層に対し
て不活性な気体をイオン化したものであれば使用するこ
とができる。また第１の磁性層の表面のイオン処理後、
第２の磁性層の形成時に酸素などのガスを導入して反応
蒸着を行なう場合にもイオン処理の機能には特に問題な
く、本発明の効果を十分に得ることができる。
のようなイオンソースを用いればよい。この際イオンに
は、アルゴンなどの希ガスの他、窒素など磁性層に対し
て不活性な気体をイオン化したものであれば使用するこ
とができる。また第１の磁性層の表面のイオン処理後、
第２の磁性層の形成時に酸素などのガスを導入して反応
蒸着を行なう場合にもイオン処理の機能には特に問題な
く、本発明の効果を十分に得ることができる。
実施例 以下に、第１の磁性層および第２の磁性層としてそれ
ぞれCo−Cr膜,Co−Ｏ膜を形成する場合について２つの
実施例を示す。このCo−Cr膜,Co−Ｏ膜の二層構造を有
する磁気記録媒体は各磁性層の異方性の軸を基板面の法
線に対して傾斜するように形成することによって、孤立
再生波形の改善，記録周波数特性の改善がはかられる
（例えば、特願平１−223562号参照）ことが知られてい
る。
ぞれCo−Cr膜,Co−Ｏ膜を形成する場合について２つの
実施例を示す。このCo−Cr膜,Co−Ｏ膜の二層構造を有
する磁気記録媒体は各磁性層の異方性の軸を基板面の法
線に対して傾斜するように形成することによって、孤立
再生波形の改善，記録周波数特性の改善がはかられる
（例えば、特願平１−223562号参照）ことが知られてい
る。
実施例１ 第１図に示す連続蒸着装置を用いて上記の磁気記録媒
体を作製した。第１図において、１は供給ロール２から
供給され、円筒状ローラ３を通って巻取ロール４に巻取
られる高分子基板、５はガイドローラ、６は蒸発源、７
は蒸発原子、８はシールド材、９はガス導入パイプ、1
0,11は本発明の特徴であるイオン源とイオンである。ま
ず第１の磁性層として高分子基板１上に直接Co−Cr膜を
作製し、一旦チャンバー内を大気圧にして蒸発源６を入
れ換えるなどの作業を行なったのちに、再びチャンバー
を真空引きして第２の磁性層としてのCo−Ｏ膜を作製し
た。Co−Ｏ膜は、蒸発源６近傍にガス導入パイプ９を配
し、これより酸素を導入して反応蒸着法によって形成し
た。第１の磁性層であるCo−Cr膜表面へのイオン11の照
射は、高分子基板１が他のものに接しないで中空状態に
ある円筒状ローラ３に入る直前の部分において行なっ
た。イオン源10としてはカウフマン型のイオンガンを用
いた。イオン11はアルゴンイオンとした。イオン11の加
速電圧は500V、また第１の磁性層であるCo−Cr膜表面に
照射されるイオン電流密度は、約600μA/cm2とした。な
お比較例１として、第１の磁性層の表面にイオン照射に
よる処理を行なわない磁気記録媒体も作製した。比較例
１の磁気記録媒体の作製条件は、第１の磁性層の表面に
イオン照射による処理を行なわないこと以外は全て本実
施例１で作製したものと同じにした。
体を作製した。第１図において、１は供給ロール２から
供給され、円筒状ローラ３を通って巻取ロール４に巻取
られる高分子基板、５はガイドローラ、６は蒸発源、７
は蒸発原子、８はシールド材、９はガス導入パイプ、1
0,11は本発明の特徴であるイオン源とイオンである。ま
ず第１の磁性層として高分子基板１上に直接Co−Cr膜を
作製し、一旦チャンバー内を大気圧にして蒸発源６を入
れ換えるなどの作業を行なったのちに、再びチャンバー
を真空引きして第２の磁性層としてのCo−Ｏ膜を作製し
た。Co−Ｏ膜は、蒸発源６近傍にガス導入パイプ９を配
し、これより酸素を導入して反応蒸着法によって形成し
た。第１の磁性層であるCo−Cr膜表面へのイオン11の照
射は、高分子基板１が他のものに接しないで中空状態に
ある円筒状ローラ３に入る直前の部分において行なっ
た。イオン源10としてはカウフマン型のイオンガンを用
いた。イオン11はアルゴンイオンとした。イオン11の加
速電圧は500V、また第１の磁性層であるCo−Cr膜表面に
照射されるイオン電流密度は、約600μA/cm2とした。な
お比較例１として、第１の磁性層の表面にイオン照射に
よる処理を行なわない磁気記録媒体も作製した。比較例
１の磁気記録媒体の作製条件は、第１の磁性層の表面に
イオン照射による処理を行なわないこと以外は全て本実
施例１で作製したものと同じにした。
実施例２ 第２図に示す連続蒸着装置を用いて前述のCo−Cr膜、
Co−Ｏ膜の二層構造を有する磁気記録媒体を作製した。
この第２図に示す蒸着装置は、第１の磁性層および第２
の磁性層各々の形成過程間に磁性層を大気にさらすこと
なく両磁性層を同一チャンバー内において連続的に形成
する方法を、円筒状ローラ３を１つだけ用いて実現した
ものである。まず蒸発源６はCoとCrの合金であり、第１
の磁性層としてのCo−Cr膜は円筒状ローラ３上で形成さ
れる。その後円筒状ローラ３を出た高分子基板１は２つ
のガイドローラ５の間の中空状態になった部分において
第１の磁性層であるCo−Cr膜表面にイオン11の照射を受
ける。次に蒸発源６′はCoであり、第２の磁性層として
のCo−Ｏ膜は２つのガイドローラ５の間の高分子基板１
が他のものに接しないで中空状態になった部分において
形成される。CoO膜は、実施例１と同様に蒸発源６′近
傍にガス導入パイプ９を配し、これより酸素を導入して
反応蒸着法によって形成した。この装置によれば、２つ
の円筒状ローラ３を同時に使用する場合のように高分子
基板１の搬送や成膜速度などの制御が困難を極めること
もない。しかしながら第２の磁性層の形成時には蒸発原
子７′のもつエネルギーを受けて高分子基板１が熱損傷
を被る可能性があるため高分子基板１のガラス転移点、
成膜速度などの諸条件に制約が生じる。すなわち円筒状
ローラ３上で磁性層が形成される場合には、高分子基板
１が蒸発原子７から受ける熱は速やかに円筒状ローラ３
表面に吸収されるために上記のような熱損傷は起こらな
いが、高分子基板１が他のものに接しないで中空状態に
なった部分において形成される場合には、高分子基板１
の受けた熱の逃げ場がないのである。本実施例の場合、
Co−Ｏ膜の成膜速度はCo−Cr膜の1/4以下であり、高分
子基板１としてガラス転移点が300℃以上のものを用い
たところ、この蒸着装置を用いて高分子基板１の熱損傷
のない安定な蒸着が可能であった。イオン源10としては
カウフマン型のイオンガンを用いた。本実施例における
イオン11はアルゴンイオンとしたが、他の不活性ガスイ
オンもしくは窒素イオンを用いた場合でも、後述する本
発明の効果が同様に確認されている。イオンの加速電圧
は500V、また第１の磁性層であるCo−Cr膜表面に照射さ
れるイオン電流密度は、約600μA/cm2とした。また比較
例２として、第１の磁性層の表面にイオン照射による処
理を行なわない磁気記録媒体も作製した。比較例２の磁
気記録媒体の作製条件は、第１の磁性層の表面にイオン
照射による処理を行なわないこと以外は全て本実施例２
で作製したものと同じにした。
Co−Ｏ膜の二層構造を有する磁気記録媒体を作製した。
この第２図に示す蒸着装置は、第１の磁性層および第２
の磁性層各々の形成過程間に磁性層を大気にさらすこと
なく両磁性層を同一チャンバー内において連続的に形成
する方法を、円筒状ローラ３を１つだけ用いて実現した
ものである。まず蒸発源６はCoとCrの合金であり、第１
の磁性層としてのCo−Cr膜は円筒状ローラ３上で形成さ
れる。その後円筒状ローラ３を出た高分子基板１は２つ
のガイドローラ５の間の中空状態になった部分において
第１の磁性層であるCo−Cr膜表面にイオン11の照射を受
ける。次に蒸発源６′はCoであり、第２の磁性層として
のCo−Ｏ膜は２つのガイドローラ５の間の高分子基板１
が他のものに接しないで中空状態になった部分において
形成される。CoO膜は、実施例１と同様に蒸発源６′近
傍にガス導入パイプ９を配し、これより酸素を導入して
反応蒸着法によって形成した。この装置によれば、２つ
の円筒状ローラ３を同時に使用する場合のように高分子
基板１の搬送や成膜速度などの制御が困難を極めること
もない。しかしながら第２の磁性層の形成時には蒸発原
子７′のもつエネルギーを受けて高分子基板１が熱損傷
を被る可能性があるため高分子基板１のガラス転移点、
成膜速度などの諸条件に制約が生じる。すなわち円筒状
ローラ３上で磁性層が形成される場合には、高分子基板
１が蒸発原子７から受ける熱は速やかに円筒状ローラ３
表面に吸収されるために上記のような熱損傷は起こらな
いが、高分子基板１が他のものに接しないで中空状態に
なった部分において形成される場合には、高分子基板１
の受けた熱の逃げ場がないのである。本実施例の場合、
Co−Ｏ膜の成膜速度はCo−Cr膜の1/4以下であり、高分
子基板１としてガラス転移点が300℃以上のものを用い
たところ、この蒸着装置を用いて高分子基板１の熱損傷
のない安定な蒸着が可能であった。イオン源10としては
カウフマン型のイオンガンを用いた。本実施例における
イオン11はアルゴンイオンとしたが、他の不活性ガスイ
オンもしくは窒素イオンを用いた場合でも、後述する本
発明の効果が同様に確認されている。イオンの加速電圧
は500V、また第１の磁性層であるCo−Cr膜表面に照射さ
れるイオン電流密度は、約600μA/cm2とした。また比較
例２として、第１の磁性層の表面にイオン照射による処
理を行なわない磁気記録媒体も作製した。比較例２の磁
気記録媒体の作製条件は、第１の磁性層の表面にイオン
照射による処理を行なわないこと以外は全て本実施例２
で作製したものと同じにした。
実施例１および２において作製された磁気記録媒体を
テープ状にスリットし、リング型磁気ヘッドを用いて記
録再生を行なった際の再生出力の一例をそれぞれ第３
図，第４図に示す。実施例1,2に対して第１の磁性層の
表面にイオン照射による処理を行なわないで作製した各
々の比較例1,2の再生出力も同時に示してある。両図よ
り実施例1,2ともに各々の比較例よりも高い再生出力を
有しており、本発明の製造方法が記録再生特性の向上に
寄与していることが解る。実施例２における本発明の効
果が実施例１ほど顕著でないのは、実施例２においては
第１の磁性層および第２の磁性層各々の形成過程間に磁
性層を大気にさらすことなく両磁性層を同一チャンバー
内において連続的に形成するようにしたため、イオン処
理前の第１の磁性層の表面酸化層が元々かなり薄かった
ためであると考えられる。また両実施例ともに高記録周
波数領域ほど本発明の効果が顕著になっている。これは
第１の磁性層の表面酸化層の除去によって記録再生時の
第１の磁性層に対するスペーシングロスが低減されるこ
とによると考えられる。
テープ状にスリットし、リング型磁気ヘッドを用いて記
録再生を行なった際の再生出力の一例をそれぞれ第３
図，第４図に示す。実施例1,2に対して第１の磁性層の
表面にイオン照射による処理を行なわないで作製した各
々の比較例1,2の再生出力も同時に示してある。両図よ
り実施例1,2ともに各々の比較例よりも高い再生出力を
有しており、本発明の製造方法が記録再生特性の向上に
寄与していることが解る。実施例２における本発明の効
果が実施例１ほど顕著でないのは、実施例２においては
第１の磁性層および第２の磁性層各々の形成過程間に磁
性層を大気にさらすことなく両磁性層を同一チャンバー
内において連続的に形成するようにしたため、イオン処
理前の第１の磁性層の表面酸化層が元々かなり薄かった
ためであると考えられる。また両実施例ともに高記録周
波数領域ほど本発明の効果が顕著になっている。これは
第１の磁性層の表面酸化層の除去によって記録再生時の
第１の磁性層に対するスペーシングロスが低減されるこ
とによると考えられる。
上述の実施例以外に、第１の磁性層及び第２の磁性層
としてCo−Ｏ膜、Co−Ni−Ｏ膜、Co−Cr膜、Co−Ni−Cr
膜、Co−Ｖ膜等の各種のCo基磁性膜を組み合わせた場合
についても検討したところ、上記の実施例と同様の結果
が得られた。
としてCo−Ｏ膜、Co−Ni−Ｏ膜、Co−Cr膜、Co−Ni−Cr
膜、Co−Ｖ膜等の各種のCo基磁性膜を組み合わせた場合
についても検討したところ、上記の実施例と同様の結果
が得られた。
また、第１の磁性層としてNi−Fe膜などの軟磁性層を
形成した後、第２の磁性層としてCo基の磁性層を形成し
た場合についても検討したところやはり上記と同様の結
果が得られた。
形成した後、第２の磁性層としてCo基の磁性層を形成し
た場合についても検討したところやはり上記と同様の結
果が得られた。
また、基板上の磁性層が３層以上の多層膜から構成さ
れる場合についても検討したところ、２層目以上の任意
の磁性層形成時に本発明の効果が得られることが確認さ
れた。
れる場合についても検討したところ、２層目以上の任意
の磁性層形成時に本発明の効果が得られることが確認さ
れた。
なお、高分子基板上に、Ti膜、Ge膜などの種々の下地
層を介して第１の磁性層及びその上に第２の磁性層を形
成する過程においても検討したところ、上記の実施例と
同様に本発明の効果が十分に得られた。
層を介して第１の磁性層及びその上に第２の磁性層を形
成する過程においても検討したところ、上記の実施例と
同様に本発明の効果が十分に得られた。
発明の効果 以上の結果に示されるように本発明による製造方法に
よれば、複数層で構成される磁性膜が高分子材料よりな
る長尺の基板上に真空蒸着法によって連続的に形成され
た磁気記録媒体において、各磁性層間の良好な界面状態
を実現することにより記録再生特性の向上を図ることが
できる。すなわち本発明の方法は、今後ますます盛んに
なる多層膜磁気記録媒体の開発に対し、非常に有効な製
造方法を提供することができるものである。
よれば、複数層で構成される磁性膜が高分子材料よりな
る長尺の基板上に真空蒸着法によって連続的に形成され
た磁気記録媒体において、各磁性層間の良好な界面状態
を実現することにより記録再生特性の向上を図ることが
できる。すなわち本発明の方法は、今後ますます盛んに
なる多層膜磁気記録媒体の開発に対し、非常に有効な製
造方法を提供することができるものである。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の実施例１において用いた連続蒸着装置
の概略断面正面図、第２図は本発明の実施例２において
用いた連続蒸着装置の概略断面正面図、第３図および第
４図は本発明の実施例1,2において作製された磁気記録
媒体の再生出力の一例を示す特性図である。 １……高分子基板、３……円筒状ローラ、６……蒸発
源、７……蒸発原子、10……イオン源、11……イオン。
の概略断面正面図、第２図は本発明の実施例２において
用いた連続蒸着装置の概略断面正面図、第３図および第
４図は本発明の実施例1,2において作製された磁気記録
媒体の再生出力の一例を示す特性図である。 １……高分子基板、３……円筒状ローラ、６……蒸発
源、７……蒸発原子、10……イオン源、11……イオン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 和義 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 川分 康博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 後藤 良樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−12424（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−24025（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−53346（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−107429（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】移動する長尺の高分子基板上に直接にまた
は下地層を介して第１の磁性層およびその磁性層の上に
第２の磁性層を真空蒸着法によって形成する磁気記録媒
体の製造方法において、第１の磁性層を形成した後、そ
の磁性層の表面に加速された不活性ガスイオンもしくは
窒素イオンを照射して処理を行い、その後に前記イオン
照射を行なった第１の磁性層の表面を製造装置内の部材
に接触させることなく直ちに第２の磁性層を形成するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197325A JPH0834001B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| EP91112452A EP0468488B1 (en) | 1990-07-25 | 1991-07-24 | Method for making a magnetic recording medium |
| DE69123299T DE69123299T2 (de) | 1990-07-25 | 1991-07-24 | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers |
| KR1019910012767A KR960013372B1 (ko) | 1990-07-25 | 1991-07-25 | 자기기록매체의 제조방법 |
| US07/892,478 US5202149A (en) | 1990-07-25 | 1992-06-02 | Method for making a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197325A JPH0834001B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0489627A JPH0489627A (ja) | 1992-03-23 |
| JPH0834001B2 true JPH0834001B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16372588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197325A Expired - Fee Related JPH0834001B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0468488B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0834001B2 (ja) |
| KR (1) | KR960013372B1 (ja) |
| DE (1) | DE69123299T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05342553A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH0853763A (ja) * | 1994-06-06 | 1996-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
| JP3173549B2 (ja) * | 1994-06-17 | 2001-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5731068A (en) * | 1995-02-24 | 1998-03-24 | Kao Corporation | Magnetic recording medium |
| MY143286A (en) | 1996-05-21 | 2011-04-15 | Panasonic Corp | Thin film, method and apparatus for forming the same, and electronic component incorporating the same |
| US20050092253A1 (en) | 2003-11-04 | 2005-05-05 | Venkat Selvamanickam | Tape-manufacturing system having extended operational capabilites |
| WO2011122274A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | ウシオ電機株式会社 | 高圧放電ランプ点灯装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712424A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Toshiba Corp | Production of magnetic recorder |
| JPS59107429A (ja) * | 1982-12-09 | 1984-06-21 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPS60117413A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6124025A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6453346A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP2197325A patent/JPH0834001B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-24 EP EP91112452A patent/EP0468488B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-24 DE DE69123299T patent/DE69123299T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-25 KR KR1019910012767A patent/KR960013372B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0489627A (ja) | 1992-03-23 |
| DE69123299D1 (de) | 1997-01-09 |
| EP0468488A1 (en) | 1992-01-29 |
| KR960013372B1 (ko) | 1996-10-04 |
| DE69123299T2 (de) | 1997-06-19 |
| KR920003267A (ko) | 1992-02-29 |
| EP0468488B1 (en) | 1996-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0834001B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2563425B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0532807B2 (ja) | ||
| JPS62185246A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0479065B2 (ja) | ||
| JP2987406B2 (ja) | 被膜形成方法及び形成装置 | |
| JP2946748B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0352135B2 (ja) | ||
| JPH04147435A (ja) | 真空蒸着方法 | |
| JPS6297133A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01243234A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06124439A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02240831A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02240829A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0528487A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06333225A (ja) | 薄膜磁気記録媒体 | |
| JPH01211241A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05109064A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60237626A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH07114731A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS62234239A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0416854B2 (ja) | ||
| JPH0578822A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPH07121872A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01107319A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |