JPH08330427A - 半導体素子の配線形成方法 - Google Patents
半導体素子の配線形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、低温流動性工程を生かしながら配線
のエレクトロマイグレーション耐性を向上させた半導体
素子の配線形成方法を提供しようとするものである。 【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を蒸着してコンタク
トホールを形成し、該コンタクトホールを包含して絶縁
膜上に障壁層を形成して、該障壁層上に第１アルミニウ
ム合金層及び第２アルミニウム合金層を形成し、それら
第１、第２アルミニウム合金層の形成された基板を熱処
理しアルミニウム合金配線を形成する半導体素子の配線
形成方法を提供する。
のエレクトロマイグレーション耐性を向上させた半導体
素子の配線形成方法を提供しようとするものである。 【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を蒸着してコンタク
トホールを形成し、該コンタクトホールを包含して絶縁
膜上に障壁層を形成して、該障壁層上に第１アルミニウ
ム合金層及び第２アルミニウム合金層を形成し、それら
第１、第２アルミニウム合金層の形成された基板を熱処
理しアルミニウム合金配線を形成する半導体素子の配線
形成方法を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の配線
形成方法に係り、特に、コンタクトホールの横縦比（as
pect ratio）が大きいためアルミニウムフローイング
（flowing）工程を適用すべきであるＵＬＳＩ級半導体
素子の配線形成方法に関するものである。
形成方法に係り、特に、コンタクトホールの横縦比（as
pect ratio）が大きいためアルミニウムフローイング
（flowing）工程を適用すべきであるＵＬＳＩ級半導体
素子の配線形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体素子の配線形成方法において
は、先ず、図３（Ａ）に示すように、半導体基板として
例えば、シリコン基板１上に絶縁膜の酸化膜３を蒸着し
た後、信号伝達用の配線金属（例えばアルミニウム）を
形成するため該絶縁膜を食刻してコンタクトホールを形
成する。
は、先ず、図３（Ａ）に示すように、半導体基板として
例えば、シリコン基板１上に絶縁膜の酸化膜３を蒸着し
た後、信号伝達用の配線金属（例えばアルミニウム）を
形成するため該絶縁膜を食刻してコンタクトホールを形
成する。
【０００３】次いで、シリコン基板１と配線金属用アル
ミニウム間の接合（junction）の破壊現象を防止するた
め、図３（Ｂ）に示すように、前記絶縁膜３及びシリコ
ン基板１上にＷ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、及びＴｉＳｉ2 のよ
うな金属からなる障壁層５を形成する。このとき、該障
壁層５の特性強化叉はコンタクトホールの抵抗減少のた
め熱処理（anneal）を施すこともできる。次いで、図３
（Ｃ）に示すように、熱処理された前記障壁層５上に配
線用アルミニウム膜７を蒸着し、該アルミニウムにより
コンタクトホール内が埋められるようにアルミニウムフ
ローイング工程を実施する。
ミニウム間の接合（junction）の破壊現象を防止するた
め、図３（Ｂ）に示すように、前記絶縁膜３及びシリコ
ン基板１上にＷ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、及びＴｉＳｉ2 のよ
うな金属からなる障壁層５を形成する。このとき、該障
壁層５の特性強化叉はコンタクトホールの抵抗減少のた
め熱処理（anneal）を施すこともできる。次いで、図３
（Ｃ）に示すように、熱処理された前記障壁層５上に配
線用アルミニウム膜７を蒸着し、該アルミニウムにより
コンタクトホール内が埋められるようにアルミニウムフ
ローイング工程を実施する。
【０００４】該アルミニウムフローイング工程は大別し
て二つの方法に実施され、その一つは、１５０℃以下の
低温にアルミニウムを蒸着し高温のチャンバー内で熱処
理を施した、前記アルミニウム膜７がコンタクトホール
に流れ込むようにする方法であり、他の一つは、１５０
℃以下の低温で配線として蒸着すべきアルミニウムの総
厚さの１／３を先ず蒸着し、高温の状態で残りの２／３
のアルミニウムを蒸着する方法である。
て二つの方法に実施され、その一つは、１５０℃以下の
低温にアルミニウムを蒸着し高温のチャンバー内で熱処
理を施した、前記アルミニウム膜７がコンタクトホール
に流れ込むようにする方法であり、他の一つは、１５０
℃以下の低温で配線として蒸着すべきアルミニウムの総
厚さの１／３を先ず蒸着し、高温の状態で残りの２／３
のアルミニウムを蒸着する方法である。
【０００５】その結果、図３（Ｄ）に示すように、アル
ミニウム７’がコンタクトホールを埋めた形態の配線が
完成される。
ミニウム７’がコンタクトホールを埋めた形態の配線が
完成される。
【０００６】この場合、前記アルミニウムフローイング
工程において、アルミニウム配線の材料として常用のＡ
ｌ−Ｃｕ叉はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを使用する場合は、高温
の条件としてウェーハの温度を４５０℃以上の温度に維
持すべきであるが、アルミニウムに１ー７ａｔ／０のゲ
ルマニウムの包含されたＡｌ−Ｇｅ合金を使用する場合
は、前記高温の条件の温度が３００℃まで低くなって、
アルミニウム配線とシリコン間の拡散防止用の障壁層５
の厚さを薄く形成することができる。
工程において、アルミニウム配線の材料として常用のＡ
ｌ−Ｃｕ叉はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを使用する場合は、高温
の条件としてウェーハの温度を４５０℃以上の温度に維
持すべきであるが、アルミニウムに１ー７ａｔ／０のゲ
ルマニウムの包含されたＡｌ−Ｇｅ合金を使用する場合
は、前記高温の条件の温度が３００℃まで低くなって、
アルミニウム配線とシリコン間の拡散防止用の障壁層５
の厚さを薄く形成することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来半導体素子の配線形成方法においては、前記Ａｌ−Ｇ
ｅ合金を使用する場合、配線のエレクトロマイグレーシ
ョン（electromigration）耐性が大いに低下され、純粋
アルミニウムの配線を使用する程度に素子の信頼度が低
下するという問題点があった。且つ、最近、このような
問題点を補完するためＡｌ−Ｇｅ合金にＣｕの添加され
たＡｌ−Ｃｕ−Ｇｅを配線材料として使用する傾向があ
るが、この場合にも、アルミニウムフローイング工程中
必要なウェーハの温度が余り高くなって、Ａｌ−Ｇｅ合
金の頂点である低温工程特性を生かし得ないという問題
点があった。
来半導体素子の配線形成方法においては、前記Ａｌ−Ｇ
ｅ合金を使用する場合、配線のエレクトロマイグレーシ
ョン（electromigration）耐性が大いに低下され、純粋
アルミニウムの配線を使用する程度に素子の信頼度が低
下するという問題点があった。且つ、最近、このような
問題点を補完するためＡｌ−Ｇｅ合金にＣｕの添加され
たＡｌ−Ｃｕ−Ｇｅを配線材料として使用する傾向があ
るが、この場合にも、アルミニウムフローイング工程中
必要なウェーハの温度が余り高くなって、Ａｌ−Ｇｅ合
金の頂点である低温工程特性を生かし得ないという問題
点があった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、低温工程特性を
生かしながら、配線のエレクトロマイグレーション耐性
を向上させる半導体素子の配線形成方法を提供しようと
するものである。
生かしながら、配線のエレクトロマイグレーション耐性
を向上させる半導体素子の配線形成方法を提供しようと
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため本発明に係る半導体素子の配線形成方法において
は、半導体基板上に絶縁膜を蒸着し選択食刻を施してコ
ンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホー
ルを包含して絶縁膜上に障壁層を形成する工程と、該障
壁層上に第１アルミニウム合金層を形成する工程と、前
記第１アルミニウム合金上にＧｅの含有された第２アル
ミニウム合金層を形成する工程と、それら第１、第２ア
ルミニウム合金層の形成された基板を熱処理しアルミニ
ウム合金配線を形成する工程と、を行うようになってい
る。
るため本発明に係る半導体素子の配線形成方法において
は、半導体基板上に絶縁膜を蒸着し選択食刻を施してコ
ンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホー
ルを包含して絶縁膜上に障壁層を形成する工程と、該障
壁層上に第１アルミニウム合金層を形成する工程と、前
記第１アルミニウム合金上にＧｅの含有された第２アル
ミニウム合金層を形成する工程と、それら第１、第２ア
ルミニウム合金層の形成された基板を熱処理しアルミニ
ウム合金配線を形成する工程と、を行うようになってい
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明に係る半導体素子の配
線形成方法の実施形態に対し図面を用いて説明する。
線形成方法の実施形態に対し図面を用いて説明する。
【００１１】先ず、第１実施形態の半導体素子の配線形
成方法においては、図１（Ａ）に示すように、半導体基
板としてのシリコン基板１００に絶縁膜１０２を蒸着し
た後、信号伝達用の配線金属線を形成するため該絶縁膜
の所定部位を食刻してコンタクトホールを形成する。次
いで、該コンタクトホールに配線用アルミニウムを蒸着
し、該アルミニウム配線物質とシリコン基板１００間の
接合部位の破壊現象を防止するため、図１（Ｂ）に示す
ように、前記絶縁膜１０２及び基板１００上にＴｉＮ、
ＴｉＷ、Ｗ、ＴｉＳｉ2 のような耐火性金属叉はそれら
の窒化物若しくはそれらのシリサイドからなる障壁層１
０４を形成する。このとき、必要に応じて該障壁層１０
４を急速熱処理装置（ＲＴＰ）叉は反応炉（ｆｕｒｎａ
ｎｃｅ）で熱処理することもできる。
成方法においては、図１（Ａ）に示すように、半導体基
板としてのシリコン基板１００に絶縁膜１０２を蒸着し
た後、信号伝達用の配線金属線を形成するため該絶縁膜
の所定部位を食刻してコンタクトホールを形成する。次
いで、該コンタクトホールに配線用アルミニウムを蒸着
し、該アルミニウム配線物質とシリコン基板１００間の
接合部位の破壊現象を防止するため、図１（Ｂ）に示す
ように、前記絶縁膜１０２及び基板１００上にＴｉＮ、
ＴｉＷ、Ｗ、ＴｉＳｉ2 のような耐火性金属叉はそれら
の窒化物若しくはそれらのシリサイドからなる障壁層１
０４を形成する。このとき、必要に応じて該障壁層１０
４を急速熱処理装置（ＲＴＰ）叉は反応炉（ｆｕｒｎａ
ｎｃｅ）で熱処理することもできる。
【００１２】次いで、図１（Ｃ）ー（Ｅ）に示すよう
に、アルミニウムフローイング工程を実施するが、該工
程中、先ずアルミニウム配線として次の二つの物質が使
用される。その一つは第１アルミニウム合金層１０６形
成用材としてアルミニウムにＳｃ、Ｖ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｔ
ｉ、Ｓｃのような元素を一つ以上含有した物質であり、
他の一つは低温流動特性の優秀な第２アルミニウム合金
層１０８形成用材としてアルミニウムにゲルマニウムの
含有された物質である。ここでは、その一例として第１
アルミニウム合金層１０６としてエレクトロマイグレー
ション特性の優秀なＡｌ−Ｃｕの物質を蒸着した場合に
対して説明する。
に、アルミニウムフローイング工程を実施するが、該工
程中、先ずアルミニウム配線として次の二つの物質が使
用される。その一つは第１アルミニウム合金層１０６形
成用材としてアルミニウムにＳｃ、Ｖ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｔ
ｉ、Ｓｃのような元素を一つ以上含有した物質であり、
他の一つは低温流動特性の優秀な第２アルミニウム合金
層１０８形成用材としてアルミニウムにゲルマニウムの
含有された物質である。ここでは、その一例として第１
アルミニウム合金層１０６としてエレクトロマイグレー
ション特性の優秀なＡｌ−Ｃｕの物質を蒸着した場合に
対して説明する。
【００１３】即ち、図１（Ｃ）に示すように、前記障壁
層１０４上に第１アルミニウム合金層１０６のＡｌ−Ｃ
ｕを１５０℃以下の温度で全てのアルミニウム配線の厚
さの１／４−２／３を蒸着し、その後、１５０℃以下の
温度で残りの３／４−１／３厚さに第２アルミニウム配
線層１０８のＡｌ−Ｇｅを蒸着して、図１（Ｄ）に示し
たようなパターンを形成する。
層１０４上に第１アルミニウム合金層１０６のＡｌ−Ｃ
ｕを１５０℃以下の温度で全てのアルミニウム配線の厚
さの１／４−２／３を蒸着し、その後、１５０℃以下の
温度で残りの３／４−１／３厚さに第２アルミニウム配
線層１０８のＡｌ−Ｇｅを蒸着して、図１（Ｄ）に示し
たようなパターンを形成する。
【００１４】次いで、第１、第２アルミニウム合金層の
Ａｌ−Ｃｕ及びＡｌ−Ｇｅの蒸着された基板１００を３
００℃以上の温度に熱処理し前記Ａｌ−Ｇｅをコンタク
トホールに充填させ、前記基板が高温を維持する間、下
部層のＡｌ−ＣｕからＣｕが拡散してそれら第１、第２
アルミニウム合金層内にＣｕが均一に分布され、図１
（Ｅ）に示すように、最終的に配線のエレクトロマイグ
レーションの特性の向上されたＡｌ−Ｃｕ−Ｇｅのアル
ミニウム合金配線１１０が形成される。このとき、前記
Ａｌ−Ｇｅに包含されたＧｅの量は前記アルミニウム合
金配線の１−１０ａｔ／０になるようにする。
Ａｌ−Ｃｕ及びＡｌ−Ｇｅの蒸着された基板１００を３
００℃以上の温度に熱処理し前記Ａｌ−Ｇｅをコンタク
トホールに充填させ、前記基板が高温を維持する間、下
部層のＡｌ−ＣｕからＣｕが拡散してそれら第１、第２
アルミニウム合金層内にＣｕが均一に分布され、図１
（Ｅ）に示すように、最終的に配線のエレクトロマイグ
レーションの特性の向上されたＡｌ−Ｃｕ−Ｇｅのアル
ミニウム合金配線１１０が形成される。このとき、前記
Ａｌ−Ｇｅに包含されたＧｅの量は前記アルミニウム合
金配線の１−１０ａｔ／０になるようにする。
【００１５】一方、本発明の半導体素子の配線形成方法
の第２実施形態においては、前記アルミニウムフローイ
ング工程によりコンタクトホールを充填する方法だけ異
なり、その他は第１実施形態と同様であるため、該コン
タクトホールのフィーリング工程に対して説明する。
の第２実施形態においては、前記アルミニウムフローイ
ング工程によりコンタクトホールを充填する方法だけ異
なり、その他は第１実施形態と同様であるため、該コン
タクトホールのフィーリング工程に対して説明する。
【００１６】即ち、第１実施形態と同様な方法にて絶縁
膜１０２上に障壁層１０４を形成し、該障壁層１０４上
に第１アルミニウム合金層１０６のＡｌ−Ｃｕを形成し
た後、前記基板１００を３００℃以上の温度に加熱し、
該高温の状態で第２アルミニウム合金層１０８のＡｌ−
Ｇｅを蒸着する。すると、第１実施形態と同様に高温に
維持される間、下部層から拡散されたＣｕがアルミニウ
ム合金配線内に均一に分布され、最終的に図２（Ｄ）に
示すようなＡｌ−Ｃｕ−Ｇｅからなる配線のエレクトロ
マイグレーション特性の向上されたアルミニウム合金配
線１１０が形成される。このとき、第２アルミニウム合
金層１０８のＡｌ−Ｇｅに包含されたＧｅの量は前記ア
ルミニウム合金配線の１ー１０ａｔ／０になるようにす
る。
膜１０２上に障壁層１０４を形成し、該障壁層１０４上
に第１アルミニウム合金層１０６のＡｌ−Ｃｕを形成し
た後、前記基板１００を３００℃以上の温度に加熱し、
該高温の状態で第２アルミニウム合金層１０８のＡｌ−
Ｇｅを蒸着する。すると、第１実施形態と同様に高温に
維持される間、下部層から拡散されたＣｕがアルミニウ
ム合金配線内に均一に分布され、最終的に図２（Ｄ）に
示すようなＡｌ−Ｃｕ−Ｇｅからなる配線のエレクトロ
マイグレーション特性の向上されたアルミニウム合金配
線１１０が形成される。このとき、第２アルミニウム合
金層１０８のＡｌ−Ｇｅに包含されたＧｅの量は前記ア
ルミニウム合金配線の１ー１０ａｔ／０になるようにす
る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した本発明に係る半導体素子の
配線形成方法においては、第１アルミニウム合金層のＡ
ｌ−Ｃｕ及び第２アルミニウム合金層のＡｌ−Ｇｅを用
いてアルミニウムフローイング工程を実施し、最終的に
アルミニウム合金のＡｌ−Ｃｕ−Ｇｅ配線を形成するよ
うになっているため、Ａｌ−Ｇｅの特性である低温流動
性を生かしながら配線のエレクトロマイグレーション特
性を改善させた半導体素子の配線を形成し得るという効
果がある。
配線形成方法においては、第１アルミニウム合金層のＡ
ｌ−Ｃｕ及び第２アルミニウム合金層のＡｌ−Ｇｅを用
いてアルミニウムフローイング工程を実施し、最終的に
アルミニウム合金のＡｌ−Ｃｕ−Ｇｅ配線を形成するよ
うになっているため、Ａｌ−Ｇｅの特性である低温流動
性を生かしながら配線のエレクトロマイグレーション特
性を改善させた半導体素子の配線を形成し得るという効
果がある。
【図１】（Ａ）ー（Ｅ）；本発明の第１実施形態に係る
半導体素子の配線形成方法を示した工程図である。
半導体素子の配線形成方法を示した工程図である。
【図２】（Ａ）−（Ｄ）：本発明の第２実施形態に係る
半導体素子の配線形成方法を示した工程図である。
半導体素子の配線形成方法を示した工程図である。
【図３】（Ａ）−（Ｄ）：従来半導体素子の配線形成方
法を示した工程図である。
法を示した工程図である。
１００：半導体基板 １０２：絶縁膜 １０４：障壁層 １０６：第１アルミニウム合金層 １０８：第２アルミニウム合金層 １１０：アルミニウム合金配線
Claims (11)
- 【請求項１】半導体素子の配線形成方法であって、 半導体基板上に絶縁膜を蒸着し該絶縁膜を選択的食刻し
てコンタクトホールを形成する工程と、 前記コンタクトホールを包含して絶縁膜上に障壁層を形
成する工程と、 該障壁層上に第１アルミニウム合金層を形成する工程
と、 該第１アルミニウム合金層上にＧｅの含有された第２ア
ルミニウム合金層を形成する工程と、 それら第１、第２アルミニウム合金層の形成された基板
を熱処理しアルミニウム合金配線を形成する工程と、を
順次行う半導体素子の配線形成方法。 - 【請求項２】前記第１アルミニウム合金層は、アルミニ
ウムにＶ、Ｐｄ、Ｓｃ、Ｃｕ、及びＴｉの元素中何れ一
つ以上を包含して形成される請求項１記載の半導体素子
の配線形成方法。 - 【請求項３】前記第１、第２アルミニウム合金層は、１
５０℃以下の温度で形成される請求項１記載の半導体素
子の配線形成方法。 - 【請求項４】前記第２アルミニウム合金層に含有された
Ｇｅの量は、前記アルミニウム合金配線の１ー１０ａｔ
／０になるように形成する請求項１記載の半導体素子の
配線形成方法。 - 【請求項５】前記熱処理工程は、３００℃以上の温度で
施行される請求項１記載の半導体素子の配線形成方法。 - 【請求項６】前記アルミニウム合金配線は、Ａｌ−Ｃｕ
−Ｇｅから形成される請求項１記載の半導体素子の配線
形成方法。 - 【請求項７】半導体基板上に絶縁膜を蒸着し該絶縁膜を
選択的食刻してコンタクトホールを形成する工程と、 前記コンタクトホールを包含して絶縁膜上に障壁層を形
成する工程と、 該障壁層上に第１アルミニウム合金層を形成する工程
と、 該第１アルミニウム合金層の形成された基板を加熱して
高温に維持させ、該高温下でＧｅの含有された第２アル
ミニウム合金層を形成してアルミニウム合金配線を形成
する工程と、を順次行う半導体素子の配線形成方法。 - 【請求項８】前記第１アルミニウム合金層は、１５０℃
以下の温度で形成される請求項７記載の半導体素子の配
線形成方法。 - 【請求項９】前記基板は、３００℃以上の温度を維持す
るように加熱される請求項７記載の半導体素子の配線形
成方法。 - 【請求項１０】前記第１アルミニウム合金層は、アルミ
ニウムにＶ，Ｐｄ，Ｓｃ，Ｃｕ，及びＴｉの元素中何れ
一つ以上を包含して形成される請求項７記載の半導体素
子の配線形成方法。 - 【請求項１１】前記第２アルミニウム合金層に含有され
たＧｅの量は、前記アルミニウム合金配線の１ー１０ａ
ｔ／０になるように形成する請求項７記載の半導体素子
の配線形成方法。
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