JPH08330372A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
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- JPH08330372A JPH08330372A JP7301418A JP30141895A JPH08330372A JP H08330372 A JPH08330372 A JP H08330372A JP 7301418 A JP7301418 A JP 7301418A JP 30141895 A JP30141895 A JP 30141895A JP H08330372 A JPH08330372 A JP H08330372A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップに対してウェハ状態で一括して
高温の検査を行なう際に、半導体ウェハの周縁部におい
ても、コンタクタのプローブ端子が半導体ウェハの検査
用電極に確実に接触するような半導体装置の検査方法を
提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ10を伸縮性を有するダイ
シング用シート11に固定する。次に、半導体ウェハ1
0に対してダイシング用シート11が分離しないように
ダイシングを行なって、複数の半導体チップ10aを互
いに分離する。コンタクタ15と半導体ウェハ10とを
アライメントした後、半導体ウェハ10をコンタクタ1
5に固定する。この際、コンタクタ15に設けられてい
る突起体14を半導体チップ10a同士の間に挿入す
る。コンタクタ15の熱膨張に伴い周辺部側に拡がる突
起体14によって複数の半導体チップ10a同士の間隔
を拡げ、間隔が拡がった半導体チップ10aに対して一
括してバーンインを行なう。
高温の検査を行なう際に、半導体ウェハの周縁部におい
ても、コンタクタのプローブ端子が半導体ウェハの検査
用電極に確実に接触するような半導体装置の検査方法を
提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ10を伸縮性を有するダイ
シング用シート11に固定する。次に、半導体ウェハ1
0に対してダイシング用シート11が分離しないように
ダイシングを行なって、複数の半導体チップ10aを互
いに分離する。コンタクタ15と半導体ウェハ10とを
アライメントした後、半導体ウェハ10をコンタクタ1
5に固定する。この際、コンタクタ15に設けられてい
る突起体14を半導体チップ10a同士の間に挿入す
る。コンタクタ15の熱膨張に伴い周辺部側に拡がる突
起体14によって複数の半導体チップ10a同士の間隔
を拡げ、間隔が拡がった半導体チップ10aに対して一
括してバーンインを行なう。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上に
形成された複数の半導体チップの集積回路をウェハ状態
で一括して検査する半導体装置の検査方法に関する。
形成された複数の半導体チップの集積回路をウェハ状態
で一括して検査する半導体装置の検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置(以後、半導
体装置を称する。)を搭載した電子機器の小型化及び低
価格化の進歩は目ざましく、これに伴って、半導体装置
に対する小型化及び低価格化の要求が強くなっている。
体装置を称する。)を搭載した電子機器の小型化及び低
価格化の進歩は目ざましく、これに伴って、半導体装置
に対する小型化及び低価格化の要求が強くなっている。
【0003】通常、半導体装置は、半導体チップとリー
ドフレームとがボンディングワイヤによって電気的に接
続された後、半導体チップ及びリードフレームが樹脂又
はセラミクスにより封止された状態で供給され、プリン
ト基板に実装される。ところが、電子機器の小型化の要
求から、半導体装置を半導体ウエハから切り出したまま
の状態(以後、この状態の半導体装置をベアチップと称
する。)で回路基板に直接実装する方法が開発され、品
質が保証されたベアチップを低価格で供給することが望
まれている。
ドフレームとがボンディングワイヤによって電気的に接
続された後、半導体チップ及びリードフレームが樹脂又
はセラミクスにより封止された状態で供給され、プリン
ト基板に実装される。ところが、電子機器の小型化の要
求から、半導体装置を半導体ウエハから切り出したまま
の状態(以後、この状態の半導体装置をベアチップと称
する。)で回路基板に直接実装する方法が開発され、品
質が保証されたベアチップを低価格で供給することが望
まれている。
【0004】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体装置に対してウェハ状態でバーンイン等の
検査をする必要がある。ところが、半導体ウェハ上に形
成されている複数のベアチップに対して1個又は数個づ
つ何度にも分けて検査を行なうことは多くの時間を要す
るので、時間的にもコスト的にも現実的ではない。そこ
で、全てのベアチップに対してウェハ状態で一括してバ
ーンイン等の検査を行なうことが要求される。
には、半導体装置に対してウェハ状態でバーンイン等の
検査をする必要がある。ところが、半導体ウェハ上に形
成されている複数のベアチップに対して1個又は数個づ
つ何度にも分けて検査を行なうことは多くの時間を要す
るので、時間的にもコスト的にも現実的ではない。そこ
で、全てのベアチップに対してウェハ状態で一括してバ
ーンイン等の検査を行なうことが要求される。
【0005】ベアチップに対してウェハ状態で一括して
検査を行なうには、同一の半導体ウェハ上に形成された
複数の半導体チップの各検査用電極に電源電圧や信号を
同時に印加し、該複数の半導体チップを動作させる必要
がある。このためには、各検査用電極にそれぞれ接続さ
れる非常に多く(通常、数千個以上)のプローブ針を持
つプローブカードを用意する必要があるが、このように
するには、従来のニードル型プローブカードではピン数
の点からも価格の点からも対応できない。
検査を行なうには、同一の半導体ウェハ上に形成された
複数の半導体チップの各検査用電極に電源電圧や信号を
同時に印加し、該複数の半導体チップを動作させる必要
がある。このためには、各検査用電極にそれぞれ接続さ
れる非常に多く(通常、数千個以上)のプローブ針を持
つプローブカードを用意する必要があるが、このように
するには、従来のニードル型プローブカードではピン数
の点からも価格の点からも対応できない。
【0006】そこで、フレキシブル基板上にバンプが設
けられた薄膜型のプローブカードよりなるコンタクタが
提案されている(日東技報 Vol.28,No.2(Oct. 1990 PP.
57-62 を参照)。
けられた薄膜型のプローブカードよりなるコンタクタが
提案されている(日東技報 Vol.28,No.2(Oct. 1990 PP.
57-62 を参照)。
【0007】以下、前記のコンタクタを用いたバーンイ
ンについて説明する。
ンについて説明する。
【0008】図15(a),(b)はコンタクタを用い
たプロービングの状態を示す断面図である。図15
(a),(b)において、100はカード型のコンタク
タであって、該コンタクタ100は、ポリイミド基板1
01と、ポリイミド基板101上に形成された配線層1
02及びプローブ端子としてのバンプ103と、配線層
102とバンプ103とを接続するスルーホール配線1
04とを有している。
たプロービングの状態を示す断面図である。図15
(a),(b)において、100はカード型のコンタク
タであって、該コンタクタ100は、ポリイミド基板1
01と、ポリイミド基板101上に形成された配線層1
02及びプローブ端子としてのバンプ103と、配線層
102とバンプ103とを接続するスルーホール配線1
04とを有している。
【0009】図15(a)に示すように、コンタクタ1
00を被検査基板である半導体ウェハ110に押し付け
て、半導体ウェハ110上の検査用電極としてのパッド
111とコンタクタ100のバンプ103とを電気的に
接続する。室温状態での検査であれば、この状態で電圧
電源又は信号を配線層102を介してバンプ103に印
加することにより検査が可能となる。
00を被検査基板である半導体ウェハ110に押し付け
て、半導体ウェハ110上の検査用電極としてのパッド
111とコンタクタ100のバンプ103とを電気的に
接続する。室温状態での検査であれば、この状態で電圧
電源又は信号を配線層102を介してバンプ103に印
加することにより検査が可能となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バーン
イン等の高温状態の検査においては、温度加速を行なう
ため半導体ウェハ110を昇温する必要がある。図15
(b)は、室温25℃から125℃まで半導体ウェハ1
10を加熱した際の断面構造を示している。図15
(b)において、左側部分は半導体ウェハ110の中心
部の状態を、右側部分は半導体ウェハ110の周縁部の
状態をそれぞれ示している。
イン等の高温状態の検査においては、温度加速を行なう
ため半導体ウェハ110を昇温する必要がある。図15
(b)は、室温25℃から125℃まで半導体ウェハ1
10を加熱した際の断面構造を示している。図15
(b)において、左側部分は半導体ウェハ110の中心
部の状態を、右側部分は半導体ウェハ110の周縁部の
状態をそれぞれ示している。
【0011】ポリイミド基板101を構成するポリイミ
ドの熱膨張率が半導体ウェハ110を構成するシリコン
の熱膨張率に比べて大きいため(シリコンの熱膨張率が
3.5×10-6/℃であるのに対して、ポリイミドの熱
膨張率は16×10-6/℃である。)、半導体ウェハ1
10の周縁部においてはバンプ103とパッド111と
の間にズレが生じてしまう。つまり、常温において半導
体ウェハ110とコンタクタ100とをアライメントし
た後、これらを100℃に昇温すると、6インチの半導
体ウェハ110の場合、コンタクタ100が160μm
伸びるのに対して半導体ウェハ110は35μmしか伸
びないので、半導体ウェハ110の周縁部においては、
パッド111とバンプ103とがおよそ125μmずれ
る。このため、半導体ウェハ110の周縁部において
は、パッド111とバンプ103との電気的接続ができ
なくなる。
ドの熱膨張率が半導体ウェハ110を構成するシリコン
の熱膨張率に比べて大きいため(シリコンの熱膨張率が
3.5×10-6/℃であるのに対して、ポリイミドの熱
膨張率は16×10-6/℃である。)、半導体ウェハ1
10の周縁部においてはバンプ103とパッド111と
の間にズレが生じてしまう。つまり、常温において半導
体ウェハ110とコンタクタ100とをアライメントし
た後、これらを100℃に昇温すると、6インチの半導
体ウェハ110の場合、コンタクタ100が160μm
伸びるのに対して半導体ウェハ110は35μmしか伸
びないので、半導体ウェハ110の周縁部においては、
パッド111とバンプ103とがおよそ125μmずれ
る。このため、半導体ウェハ110の周縁部において
は、パッド111とバンプ103との電気的接続ができ
なくなる。
【0012】以上、説明したように、従来の半導体装置
の検査方法によると、半導体ウェハが高温状態におかれ
るため、半導体ウェハに接するコンタクタも高温とな
り、半導体ウェハとコンタクタとの熱膨張係数の差によ
り、半導体ウェハの周縁部においては、パッドとバンプ
とがずれてしまい、パッドとバンプとが電気的に接続さ
れないという問題がある。
の検査方法によると、半導体ウェハが高温状態におかれ
るため、半導体ウェハに接するコンタクタも高温とな
り、半導体ウェハとコンタクタとの熱膨張係数の差によ
り、半導体ウェハの周縁部においては、パッドとバンプ
とがずれてしまい、パッドとバンプとが電気的に接続さ
れないという問題がある。
【0013】前記に鑑み、本発明は、バーンイン等の高
温の検査をウェハ状態で一括して行なう際に、半導体ウ
ェハの周縁部においても、コンタクタのプローブ端子が
半導体ウェハの検査用電極に確実に接触するような半導
体装置の検査方法を提供することを目的とする。
温の検査をウェハ状態で一括して行なう際に、半導体ウ
ェハの周縁部においても、コンタクタのプローブ端子が
半導体ウェハの検査用電極に確実に接触するような半導
体装置の検査方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、請求項1の発明は、半導体ウェハを伸縮性を有する
シートに固定した状態で該半導体ウェハに対してダイシ
ングを行なって半導体チップ同士を分離し、半導体チッ
プ同士の間隔をコンタクタの熱膨張に応じて拡げること
により、半導体ウェハを疑似的に膨張させるものであ
る。
め、請求項1の発明は、半導体ウェハを伸縮性を有する
シートに固定した状態で該半導体ウェハに対してダイシ
ングを行なって半導体チップ同士を分離し、半導体チッ
プ同士の間隔をコンタクタの熱膨張に応じて拡げること
により、半導体ウェハを疑似的に膨張させるものであ
る。
【0015】請求項1の発明が講じた解決手段は、半導
体装置の検査方法を、検査用電極を有する複数の半導体
チップが形成された半導体ウェハを伸縮性を有するシー
トに固定する第1の工程と、前記シートに固定された前
記半導体ウェハに対して前記シートが分離しないように
ダイシングを行なって、前記複数の半導体チップを互い
に分離する第2の工程と、前記半導体チップの検査用電
極に電気信号を供給するコンタクタとダイシングされた
半導体ウェハとをアライメントした後、前記半導体ウェ
ハを前記コンタクタに固定する第3の工程と、前記コン
タクタに固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複
数の半導体チップ同士の間隔を前記コンタクタの熱膨張
に応じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導体チップ
に対して一括してバーンインを行なう第4の工程とを備
えている構成とするものである。
体装置の検査方法を、検査用電極を有する複数の半導体
チップが形成された半導体ウェハを伸縮性を有するシー
トに固定する第1の工程と、前記シートに固定された前
記半導体ウェハに対して前記シートが分離しないように
ダイシングを行なって、前記複数の半導体チップを互い
に分離する第2の工程と、前記半導体チップの検査用電
極に電気信号を供給するコンタクタとダイシングされた
半導体ウェハとをアライメントした後、前記半導体ウェ
ハを前記コンタクタに固定する第3の工程と、前記コン
タクタに固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複
数の半導体チップ同士の間隔を前記コンタクタの熱膨張
に応じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導体チップ
に対して一括してバーンインを行なう第4の工程とを備
えている構成とするものである。
【0016】請求項1の構成により、複数の半導体チッ
プが互いに分離されている半導体ウェハを加熱すると、
該半導体ウェハはコンタクタに固定されているため、該
コンタクタの熱膨張に応じて複数の半導体チップ同士の
間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に膨張するので、
バーンイン時に、半導体ウェハの周縁部においても半導
体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端子とが
位置ずれを起こすことはない。また、シートは伸縮性を
有しているのでコンタクタの熱膨張ひいては半導体チッ
プ同士の間隔の拡がりに応じて伸びる。
プが互いに分離されている半導体ウェハを加熱すると、
該半導体ウェハはコンタクタに固定されているため、該
コンタクタの熱膨張に応じて複数の半導体チップ同士の
間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に膨張するので、
バーンイン時に、半導体ウェハの周縁部においても半導
体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端子とが
位置ずれを起こすことはない。また、シートは伸縮性を
有しているのでコンタクタの熱膨張ひいては半導体チッ
プ同士の間隔の拡がりに応じて伸びる。
【0017】請求項2の発明は、請求項1の構成に、バ
ーンインが行なわれた前記複数の半導体チップに対して
出荷前の検査を行なう第5の工程をさらに備えている構
成を付加するものである。
ーンインが行なわれた前記複数の半導体チップに対して
出荷前の検査を行なう第5の工程をさらに備えている構
成を付加するものである。
【0018】請求項3の発明は、請求項1の構成に、前
記第2の工程と前記第3の工程との間に、前記半導体チ
ップの良否の判定を行ない、不良と判定された前記半導
体チップを前記シートから除去する工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
記第2の工程と前記第3の工程との間に、前記半導体チ
ップの良否の判定を行ない、不良と判定された前記半導
体チップを前記シートから除去する工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
【0019】請求項4の発明は、請求項1の構成に、前
記第1の工程よりも前に、前記シートを加熱して該シー
トを収縮させておく工程をさらに備えている構成を付加
するものである。
記第1の工程よりも前に、前記シートを加熱して該シー
トを収縮させておく工程をさらに備えている構成を付加
するものである。
【0020】請求項5の発明は、請求項1の構成に、前
記第1の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記コンタクタと略同じ熱膨張率を有する基板に
固定する工程を含む構成を付加するものである。
記第1の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記コンタクタと略同じ熱膨張率を有する基板に
固定する工程を含む構成を付加するものである。
【0021】請求項6の発明は、請求項1の構成に、前
記第1の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記基板に吸引力によって固定する工程を含む構
成を付加するものである。
記第1の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記基板に吸引力によって固定する工程を含む構
成を付加するものである。
【0022】請求項7の発明は、請求項1の構成に、前
記第1の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記基板に、該基板における前記半導体チップの
前記検査用電極が形成されていない部位と対応する部位
に形成された吸引孔からの吸引力によって固定する工程
を含む構成を付加するものである。
記第1の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記基板に、該基板における前記半導体チップの
前記検査用電極が形成されていない部位と対応する部位
に形成された吸引孔からの吸引力によって固定する工程
を含む構成を付加するものである。
【0023】請求項8の発明は、請求項1の構成に、前
記第1の工程よりも前に、前記コンタクタにおける前記
半導体ウェハのスクライブラインと対応する位置に突起
体を設ける工程をさらに備え、前記第3の工程は、前記
コンタクタの突起体を前記複数の半導体チップ同士の間
に挿入する工程を含み、前記第4の工程は、前記コンタ
クタの熱膨張に伴い周辺部側に拡がる前記突起体によっ
て前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程を含
む構成を付加するものである。
記第1の工程よりも前に、前記コンタクタにおける前記
半導体ウェハのスクライブラインと対応する位置に突起
体を設ける工程をさらに備え、前記第3の工程は、前記
コンタクタの突起体を前記複数の半導体チップ同士の間
に挿入する工程を含み、前記第4の工程は、前記コンタ
クタの熱膨張に伴い周辺部側に拡がる前記突起体によっ
て前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程を含
む構成を付加するものである。
【0024】請求項9の発明は、請求項1の構成に、前
記第1の工程よりも前に、前記コンタクタにおける前記
半導体チップの検査用電極と対応する位置に該検査用電
極と嵌合する形状のプローブ端子を設ける工程をさらに
備え、前記第3の工程は、前記コンタクタのプローブ端
子を前記半導体チップの検査用電極に嵌合する工程を含
み、前記第4の工程は、前記コンタクタの熱膨張に伴い
周辺部側に拡がる前記プローブ端子によって前記半導体
チップ同士の間隔を拡げる工程を含む構成を付加するも
のである。
記第1の工程よりも前に、前記コンタクタにおける前記
半導体チップの検査用電極と対応する位置に該検査用電
極と嵌合する形状のプローブ端子を設ける工程をさらに
備え、前記第3の工程は、前記コンタクタのプローブ端
子を前記半導体チップの検査用電極に嵌合する工程を含
み、前記第4の工程は、前記コンタクタの熱膨張に伴い
周辺部側に拡がる前記プローブ端子によって前記半導体
チップ同士の間隔を拡げる工程を含む構成を付加するも
のである。
【0025】前記の目的を達成するため、請求項10の
発明は、半導体ウェハをコンタクタの熱膨張率と略等し
い熱膨脹率を有する基板に固定した状態で該半導体ウェ
ハに対してダイシングを行なって半導体チップ同士を分
離し、半導体チップ同士の間隔をコンタクタの熱膨張に
応じて拡げることにより、半導体ウェハを疑似的に膨張
させるものである。
発明は、半導体ウェハをコンタクタの熱膨張率と略等し
い熱膨脹率を有する基板に固定した状態で該半導体ウェ
ハに対してダイシングを行なって半導体チップ同士を分
離し、半導体チップ同士の間隔をコンタクタの熱膨張に
応じて拡げることにより、半導体ウェハを疑似的に膨張
させるものである。
【0026】具体的に請求項10の発明が講じた解決手
段は、半導体装置の検査方法を、検査用電極を有する複
数の半導体チップが形成された半導体ウェハを、前記半
導体チップの検査用電極に電気信号を供給するプローブ
端子を有するコンタクタの熱膨張率と略等しい熱膨張率
を有する基板に固定する第1の工程と、前記基板に固定
された前記半導体ウェハに対して前記基板が分離しない
ようにダイシングを行なって、前記複数の半導体チップ
を互いに分離する第2の工程と、前記コンタクタとダイ
シングされた前記半導体ウェハとをアライメントした
後、前記半導体チップの検査用電極と前記コンタクタの
プローブ端子とを接触させる第3の工程と、前記基板に
固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複数の半導
体チップ同士の間隔を前記基板の熱膨張に応じて拡げ、
間隔が拡がった前記複数の半導体チップに対してバーン
インを行なう第4の工程とを備えている構成とするもの
である。
段は、半導体装置の検査方法を、検査用電極を有する複
数の半導体チップが形成された半導体ウェハを、前記半
導体チップの検査用電極に電気信号を供給するプローブ
端子を有するコンタクタの熱膨張率と略等しい熱膨張率
を有する基板に固定する第1の工程と、前記基板に固定
された前記半導体ウェハに対して前記基板が分離しない
ようにダイシングを行なって、前記複数の半導体チップ
を互いに分離する第2の工程と、前記コンタクタとダイ
シングされた前記半導体ウェハとをアライメントした
後、前記半導体チップの検査用電極と前記コンタクタの
プローブ端子とを接触させる第3の工程と、前記基板に
固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複数の半導
体チップ同士の間隔を前記基板の熱膨張に応じて拡げ、
間隔が拡がった前記複数の半導体チップに対してバーン
インを行なう第4の工程とを備えている構成とするもの
である。
【0027】請求項10の構成により、複数の半導体チ
ップが互いに分離されている半導体ウェハを加熱する
と、該半導体ウェハは熱膨張率がコンタクタと略等しい
基板に固定されているため、該基板の熱膨張に応じて複
数の半導体チップ同士の間隔が拡がるので、半導体ウェ
ハは疑似的に膨張する。
ップが互いに分離されている半導体ウェハを加熱する
と、該半導体ウェハは熱膨張率がコンタクタと略等しい
基板に固定されているため、該基板の熱膨張に応じて複
数の半導体チップ同士の間隔が拡がるので、半導体ウェ
ハは疑似的に膨張する。
【0028】請求項11の発明は、請求項10の構成
に、バーンインが行なわれた前記複数の半導体チップに
対して出荷前の検査を行なう第5の工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
に、バーンインが行なわれた前記複数の半導体チップに
対して出荷前の検査を行なう第5の工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
【0029】請求項12の発明は、請求項10の構成
に、前記第2の工程と前記第3の工程との間に、前記半
導体チップの良否の判定を行ない、不良と判定された前
記半導体チップを前記シートから除去する工程をさらに
備えている構成を付加するものである。
に、前記第2の工程と前記第3の工程との間に、前記半
導体チップの良否の判定を行ない、不良と判定された前
記半導体チップを前記シートから除去する工程をさらに
備えている構成を付加するものである。
【0030】請求項13の発明は、請求項10の構成
に、前記第1の工程は、前記半導体ウェハを前記基板に
粘着剤によって固定する工程を含む構成を付加するもの
である。
に、前記第1の工程は、前記半導体ウェハを前記基板に
粘着剤によって固定する工程を含む構成を付加するもの
である。
【0031】請求項14の発明は、請求項10の構成
に、前記第1の工程は、前記半導体ウェハを伸縮性を有
するシートを介して前記基板に固定する工程を含む構成
を付加するものである。
に、前記第1の工程は、前記半導体ウェハを伸縮性を有
するシートを介して前記基板に固定する工程を含む構成
を付加するものである。
【0032】請求項15の発明は、請求項10の構成
に、前記第1の工程は、前記半導体ウェハを前記基板に
吸引力によって固定する工程を含む構成を付加するもの
である。
に、前記第1の工程は、前記半導体ウェハを前記基板に
吸引力によって固定する工程を含む構成を付加するもの
である。
【0033】請求項16の発明は、請求項15の構成
に、前記第1の工程は、前記シートと前記基板との間に
多孔質シートを介在させる工程を含む構成を付加するも
のである。
に、前記第1の工程は、前記シートと前記基板との間に
多孔質シートを介在させる工程を含む構成を付加するも
のである。
【0034】請求項17の発明は、請求項15の構成
に、前記第1の工程は、前記半導体ウェハを前記基板
に、該基板における前記半導体チップの前記検査用電極
が形成されていない部位と対応する部位に形成された吸
引孔からの吸引力によって固定する工程を含む構成を付
加するものである。
に、前記第1の工程は、前記半導体ウェハを前記基板
に、該基板における前記半導体チップの前記検査用電極
が形成されていない部位と対応する部位に形成された吸
引孔からの吸引力によって固定する工程を含む構成を付
加するものである。
【0035】請求項18の発明は、請求項15の構成
に、前記第1の工程よりも前に、前記基板に多数の吸引
孔を設けておくと共に、前記複数の半導体チップと対応
する位置に貫通孔を有するシートを前記半導体ウェハと
前記基板との間に設ける工程をさらに備え、前記第1の
工程は、前記シートの貫通孔及び前記基板の吸引孔から
の吸引力によって前記半導体ウェハを前記基板に固定す
る工程を含む構成を付加するものである。
に、前記第1の工程よりも前に、前記基板に多数の吸引
孔を設けておくと共に、前記複数の半導体チップと対応
する位置に貫通孔を有するシートを前記半導体ウェハと
前記基板との間に設ける工程をさらに備え、前記第1の
工程は、前記シートの貫通孔及び前記基板の吸引孔から
の吸引力によって前記半導体ウェハを前記基板に固定す
る工程を含む構成を付加するものである。
【0036】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図3を参照しながら
本発明の第1実施形態に係る半導体装置の検査方法につ
いて説明する。
本発明の第1実施形態に係る半導体装置の検査方法につ
いて説明する。
【0037】まず、図1(a)に示すように、多数の半
導体チップ10aが形成された半導体ウェハ10を、予
め熱処理が施された伸縮性を有するダイシング用シート
11にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
する。ダイシング用シート11としては、例えばポリエ
ステル、ポリイミド、ポリオレフィン又は塩化ビニルよ
りなり厚さが50μm程度のものを用いることができ
る。
導体チップ10aが形成された半導体ウェハ10を、予
め熱処理が施された伸縮性を有するダイシング用シート
11にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
する。ダイシング用シート11としては、例えばポリエ
ステル、ポリイミド、ポリオレフィン又は塩化ビニルよ
りなり厚さが50μm程度のものを用いることができ
る。
【0038】ダイシング用シート11に施す熱処理条件
としては、ダイシング用シート11が予め収縮するよう
な条件とし、ポリエステルの場合には、例えば120℃
の温度下において10分程度である。この熱処理によ
り、ダイシング用シート11はMD方向(ロール加工時
の長手方向)において約0.4%収縮する一方、TD方
向(ロール加工時の幅方向)において約0.2%膨張す
る。これによって、ロール加工時にダイシング用シート
11に生じていた内部応力も解放される。
としては、ダイシング用シート11が予め収縮するよう
な条件とし、ポリエステルの場合には、例えば120℃
の温度下において10分程度である。この熱処理によ
り、ダイシング用シート11はMD方向(ロール加工時
の長手方向)において約0.4%収縮する一方、TD方
向(ロール加工時の幅方向)において約0.2%膨張す
る。これによって、ロール加工時にダイシング用シート
11に生じていた内部応力も解放される。
【0039】半導体ウェハ10の貼付条件としては、例
えば40〜60℃の温度下において2〜3分程度であ
る。ダイシング用シート11は厚さが薄いので剛性を持
たせるために、ダイシング用シートの周縁部を剛性リン
グ12に貼着する。以下の説明においては、半導体ウェ
ハ10がダイシング用11シートに固定され、ダイシン
グ用シート11の周縁部が剛性リング12に貼着された
状態のものを半導体ウェハ搭載シートと称する。
えば40〜60℃の温度下において2〜3分程度であ
る。ダイシング用シート11は厚さが薄いので剛性を持
たせるために、ダイシング用シートの周縁部を剛性リン
グ12に貼着する。以下の説明においては、半導体ウェ
ハ10がダイシング用11シートに固定され、ダイシン
グ用シート11の周縁部が剛性リング12に貼着された
状態のものを半導体ウェハ搭載シートと称する。
【0040】次に、図1(b)に示すように、半導体ウ
ェハ10をスクライブライン10bに沿ってダイシング
を行なって半導体チップ10a同士の間に例えば幅50
μm〜100μmの切溝10cを形成する。この場合、
ダイシング用シート11には例えば20μm程度の切込
みが入る程度にダイシングを行なう。
ェハ10をスクライブライン10bに沿ってダイシング
を行なって半導体チップ10a同士の間に例えば幅50
μm〜100μmの切溝10cを形成する。この場合、
ダイシング用シート11には例えば20μm程度の切込
みが入る程度にダイシングを行なう。
【0041】熱処理を施したダイシング用シートと熱処
理を施さないダイシング用シートとを用いて、ダイシン
グを行なう前と後において半導体チップ10a同志の相
対位置を比較した。熱処理を施したダイシング用シート
を用いた場合には、MD方向で95.4mm当たり4μ
m収縮する一方、TD方向で123.9mm当たり10
μm伸長した。また、熱処理を施さなかったダイシング
用シートを用いた場合には、TD方向で95.4mm当
たり26μm収縮する一方、MD方向で123.9mm
当たり55μm伸長した。これにより、予め熱処理を施
したダイシング用シートを用いる場合には、ダイシング
後の収縮が小さいことが確認できた。
理を施さないダイシング用シートとを用いて、ダイシン
グを行なう前と後において半導体チップ10a同志の相
対位置を比較した。熱処理を施したダイシング用シート
を用いた場合には、MD方向で95.4mm当たり4μ
m収縮する一方、TD方向で123.9mm当たり10
μm伸長した。また、熱処理を施さなかったダイシング
用シートを用いた場合には、TD方向で95.4mm当
たり26μm収縮する一方、MD方向で123.9mm
当たり55μm伸長した。これにより、予め熱処理を施
したダイシング用シートを用いる場合には、ダイシング
後の収縮が小さいことが確認できた。
【0042】次に、予め、半導体テスタ等により半導体
チップの良否の判定を行ない、判定の結果、不良と判断
された半導体チップ10aをダイシング用シート11か
ら除去する。この工程により、電源電流不良又はリーク
不良等が生じている半導体チップ10aが除去されるの
で、安定したバーンイン電圧を各半導体チップ10aに
印加することができる。
チップの良否の判定を行ない、判定の結果、不良と判断
された半導体チップ10aをダイシング用シート11か
ら除去する。この工程により、電源電流不良又はリーク
不良等が生じている半導体チップ10aが除去されるの
で、安定したバーンイン電圧を各半導体チップ10aに
印加することができる。
【0043】次に、図1(c)に示すように、半導体チ
ップ10aの検査用電極と対応する位置にプローブ端子
としてのバンプ13を有すると共に、スクライブライン
10bと対応する位置にバンプ13よりも突出量が多い
突起体14を有するコンタクタ15を準備する。また、
周端部にシール用のパッキング材16を有し、周縁部に
リング状の凹状溝17と該凹状溝17に連通するコンタ
クタ用吸引孔18とを有し、中央部に同心円状のウェハ
用吸引孔19を有するバーンイン用基板20を準備す
る。バーンイン用基板20の上にシリコンゴムよりなる
パッキング用シート21を介して半導体ウェハ10を載
置し、ウェハ用吸引孔19から例えば1/4気圧程度の
吸引力によって半導体ウェハ10をバーンイン用基板2
0に固定する。
ップ10aの検査用電極と対応する位置にプローブ端子
としてのバンプ13を有すると共に、スクライブライン
10bと対応する位置にバンプ13よりも突出量が多い
突起体14を有するコンタクタ15を準備する。また、
周端部にシール用のパッキング材16を有し、周縁部に
リング状の凹状溝17と該凹状溝17に連通するコンタ
クタ用吸引孔18とを有し、中央部に同心円状のウェハ
用吸引孔19を有するバーンイン用基板20を準備す
る。バーンイン用基板20の上にシリコンゴムよりなる
パッキング用シート21を介して半導体ウェハ10を載
置し、ウェハ用吸引孔19から例えば1/4気圧程度の
吸引力によって半導体ウェハ10をバーンイン用基板2
0に固定する。
【0044】次に、図2(a)に示すように、パッキン
グ材16の上にコンタクタ15を載置する。この場合、
半導体ウェハ10とコンタクタ15とをアライメントす
ると、図3(a)に示すように、半導体チップ10a同
士の間の切溝10cにコンタクタ15の突起体14が挿
入されると共に、コンタクタ15のバンプ13は半導体
チップ10aの検査用電極10dと距離をおいて対向す
る。その後、コンタクタ用吸引孔18から真空引きをし
て、コンタクタ15、バーンイン用基板20およびパッ
キング材16によって形成される空間を減圧すると、コ
ンタクタ15とバーンイン用基板20とが互いに接近す
るので、半導体ウェハ10はコンタクタ15に固定さ
れ、コンタクタ15のバンプ13は半導体チップ10a
の検査用電極10dと直接に接触し、電気的導通が図ら
れる。
グ材16の上にコンタクタ15を載置する。この場合、
半導体ウェハ10とコンタクタ15とをアライメントす
ると、図3(a)に示すように、半導体チップ10a同
士の間の切溝10cにコンタクタ15の突起体14が挿
入されると共に、コンタクタ15のバンプ13は半導体
チップ10aの検査用電極10dと距離をおいて対向す
る。その後、コンタクタ用吸引孔18から真空引きをし
て、コンタクタ15、バーンイン用基板20およびパッ
キング材16によって形成される空間を減圧すると、コ
ンタクタ15とバーンイン用基板20とが互いに接近す
るので、半導体ウェハ10はコンタクタ15に固定さ
れ、コンタクタ15のバンプ13は半導体チップ10a
の検査用電極10dと直接に接触し、電気的導通が図ら
れる。
【0045】次に、半導体ウェハ10、コンタクタ15
及びバーンイン用基板20をオーブンに入れるか、又は
バーンイン用基板20に設けられたヒーター(図示は省
略している。)に通電することによって、半導体ウェハ
10を例えば125℃に加熱する。このようにすると、
コンタクタ15も加熱されるので、コンタクタ15が熱
膨張して、突起体14は周辺部側に拡がる。これに伴っ
て、図3(b)に示すように、突起体14が切溝10c
に深く入り込むと共に、切溝10cの幅が拡がり半導体
チップ10a同士の間隔が拡がるので、半導体ウェハ1
0は疑似的に膨張する。この場合、ダイシング用シート
11は伸縮性を有しているので、半導体ウェハ10の膨
張に応じて伸びる。これにより、半導体ウェハ10の周
縁部においても、コンタクタ15のバンプ13と半導体
ウェハ10の検査用電極10dとは位置ずれしない。こ
の状態で、すべての半導体チップ10aに対して例えば
125℃の温度下において一括してバーンインを行な
う。
及びバーンイン用基板20をオーブンに入れるか、又は
バーンイン用基板20に設けられたヒーター(図示は省
略している。)に通電することによって、半導体ウェハ
10を例えば125℃に加熱する。このようにすると、
コンタクタ15も加熱されるので、コンタクタ15が熱
膨張して、突起体14は周辺部側に拡がる。これに伴っ
て、図3(b)に示すように、突起体14が切溝10c
に深く入り込むと共に、切溝10cの幅が拡がり半導体
チップ10a同士の間隔が拡がるので、半導体ウェハ1
0は疑似的に膨張する。この場合、ダイシング用シート
11は伸縮性を有しているので、半導体ウェハ10の膨
張に応じて伸びる。これにより、半導体ウェハ10の周
縁部においても、コンタクタ15のバンプ13と半導体
ウェハ10の検査用電極10dとは位置ずれしない。こ
の状態で、すべての半導体チップ10aに対して例えば
125℃の温度下において一括してバーンインを行な
う。
【0046】尚、突起体14の数については、特に限定
されないが、図3(c)に示すように、半導体チップ1
0aの各側辺に沿って複数個づつ設けると、コンタクタ
15の熱膨張に応じて半導体チップ10a同士の間隔が
確実に拡がると共に、コンタクタ15の収縮に伴って半
導体チップ10a同士の間隔が確実に狭くなり半導体ウ
ェハ10の大きさは元に戻る。
されないが、図3(c)に示すように、半導体チップ1
0aの各側辺に沿って複数個づつ設けると、コンタクタ
15の熱膨張に応じて半導体チップ10a同士の間隔が
確実に拡がると共に、コンタクタ15の収縮に伴って半
導体チップ10a同士の間隔が確実に狭くなり半導体ウ
ェハ10の大きさは元に戻る。
【0047】半導体チップ10aに対するバーンインが
完了すると、半導体ウェハ10を冷却して半導体ウェハ
10を元の大きさに戻した後、図2(b)に示すよう
に、半導体ウェハ10をバーンイン用基板20から離脱
させ、その後、半導体チップ10aに対して出荷前の検
査を行なう。
完了すると、半導体ウェハ10を冷却して半導体ウェハ
10を元の大きさに戻した後、図2(b)に示すよう
に、半導体ウェハ10をバーンイン用基板20から離脱
させ、その後、半導体チップ10aに対して出荷前の検
査を行なう。
【0048】次に、半導体ウェハ10を例えば160℃
の温度下において1分間程度保持するか、又は半導体ウ
ェハ10に対して紫外線等を照射することにより、半導
体ウェハ10とダイシング用シート11とを接着してい
る粘着剤の粘着力を除去した後、図2(c)に示すよう
に、突き上げピン21によって半導体チップ10aを突
き上げて半導体チップ10aをダイシング用シート11
から離脱させると共に、離脱した半導体チップ10aを
コレッタ22により所定の場所に移動して保管する。
の温度下において1分間程度保持するか、又は半導体ウ
ェハ10に対して紫外線等を照射することにより、半導
体ウェハ10とダイシング用シート11とを接着してい
る粘着剤の粘着力を除去した後、図2(c)に示すよう
に、突き上げピン21によって半導体チップ10aを突
き上げて半導体チップ10aをダイシング用シート11
から離脱させると共に、離脱した半導体チップ10aを
コレッタ22により所定の場所に移動して保管する。
【0049】以下、図4を参照しながら本発明の第2実
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
【0050】第2実施形態は、コンタクタ15の突起体
14に代えて、コンタクタ15のバンプ13により半導
体チップ10a同士の間隔を拡げる方法である。
14に代えて、コンタクタ15のバンプ13により半導
体チップ10a同士の間隔を拡げる方法である。
【0051】まず、図4(a)に示すように、バンプ1
3を円柱状又は角柱状に形成しておくと共に、検査用電
極10dをバンプ13と嵌合する形状、例えば断面L字
状の縁部が接触部の周囲に設けられた形状に形成してお
き、半導体ウェハ10とコンタクタ15とのアライメン
ト後に半導体ウェハ10をコンタクタ15に固定する際
に、バンプ13と検査用電極10dとを嵌合させる。
3を円柱状又は角柱状に形成しておくと共に、検査用電
極10dをバンプ13と嵌合する形状、例えば断面L字
状の縁部が接触部の周囲に設けられた形状に形成してお
き、半導体ウェハ10とコンタクタ15とのアライメン
ト後に半導体ウェハ10をコンタクタ15に固定する際
に、バンプ13と検査用電極10dとを嵌合させる。
【0052】この状態で、半導体ウェハ10を加熱する
と、バンプ13がコンタクタ15の熱膨張に伴って周辺
部側に拡がるので、図4(b)に示すように、半導体チ
ップ10a同士の間の切溝10cの幅が大きくなり、半
導体ウェハ10は疑似的に膨張する。
と、バンプ13がコンタクタ15の熱膨張に伴って周辺
部側に拡がるので、図4(b)に示すように、半導体チ
ップ10a同士の間の切溝10cの幅が大きくなり、半
導体ウェハ10は疑似的に膨張する。
【0053】図5は、コンタクタ15のバンプ13及び
半導体チップ10aの検査用電極10dの変形例を示し
ている。すなわち、(a)に示すように、バンプ13を
円柱状又は角柱状に形成すると共に、検査用電極10d
を有底の円筒状又は角筒状にしてもよいし、(b)に示
すように、バンプ13を有底の円筒状又は角筒状に形成
すると共に、検査用電極10dを円柱状又は角柱状にし
てもよい。
半導体チップ10aの検査用電極10dの変形例を示し
ている。すなわち、(a)に示すように、バンプ13を
円柱状又は角柱状に形成すると共に、検査用電極10d
を有底の円筒状又は角筒状にしてもよいし、(b)に示
すように、バンプ13を有底の円筒状又は角筒状に形成
すると共に、検査用電極10dを円柱状又は角柱状にし
てもよい。
【0054】以下、図6を参照しながら本発明の第3実
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
【0055】まず、図6(a)に示すように、第1実施
形態と同様に、半導体ウェハ10をダイシング用シート
11にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
すると共に、ダイシング用シート11の周縁部を剛性の
リング12に貼着する。
形態と同様に、半導体ウェハ10をダイシング用シート
11にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
すると共に、ダイシング用シート11の周縁部を剛性の
リング12に貼着する。
【0056】次に、図6(b)に示すように、第1実施
形態と同様に、半導体ウェハ10に対してダイシングを
行なうと共に、不良と判断された半導体チップ10aの
除去を行なう。
形態と同様に、半導体ウェハ10に対してダイシングを
行なうと共に、不良と判断された半導体チップ10aの
除去を行なう。
【0057】次に、図6(c)に示すような、半導体チ
ップ10aの検査用電極10dと対応する位置にプロー
ブ端子としてのバンプ13を有すると共に、半導体ウェ
ハ搭載シートを吸引するためのコンタクタ用吸引孔18
を有するコンタクタ15を準備する。また、コンタクタ
15又は半導体ウェハ搭載シートの剛性リング12にお
ける対向面に、コンタクタ15と半導体ウェハ搭載シー
トとの間の空間をシールするリング状のパッキング材1
6を設けておく。尚、第3実施形態においては、パッキ
ング材16は半導体ウェハ搭載シートにおける剛性リン
グ12と対応する位置に設けられている。
ップ10aの検査用電極10dと対応する位置にプロー
ブ端子としてのバンプ13を有すると共に、半導体ウェ
ハ搭載シートを吸引するためのコンタクタ用吸引孔18
を有するコンタクタ15を準備する。また、コンタクタ
15又は半導体ウェハ搭載シートの剛性リング12にお
ける対向面に、コンタクタ15と半導体ウェハ搭載シー
トとの間の空間をシールするリング状のパッキング材1
6を設けておく。尚、第3実施形態においては、パッキ
ング材16は半導体ウェハ搭載シートにおける剛性リン
グ12と対応する位置に設けられている。
【0058】次に、パッキング材16の上にコンタクタ
15を載置する。この場合、半導体ウェハ10とコンタ
クタ15とをアライメントすると、コンタクタ15のバ
ンプ13は半導体チップ10aの検査用電極10dと距
離をおいて対向する。尚、この状態の図面は省略してい
る。
15を載置する。この場合、半導体ウェハ10とコンタ
クタ15とをアライメントすると、コンタクタ15のバ
ンプ13は半導体チップ10aの検査用電極10dと距
離をおいて対向する。尚、この状態の図面は省略してい
る。
【0059】次に、コンタクタ用吸引孔18から真空引
きをして、コンタクタ15、半導体ウェハ搭載シート及
びパッキング材16によって形成される空間を減圧する
と、コンタクタ15と半導体ウェハ搭載シートとが互い
に接近するので、半導体ウェハ10はコンタクタ15に
固定される。
きをして、コンタクタ15、半導体ウェハ搭載シート及
びパッキング材16によって形成される空間を減圧する
と、コンタクタ15と半導体ウェハ搭載シートとが互い
に接近するので、半導体ウェハ10はコンタクタ15に
固定される。
【0060】以上説明したように、第3実施形態による
と、第1実施形態及び第2実施形態におけるバーンイン
用基板20を省略することができる。
と、第1実施形態及び第2実施形態におけるバーンイン
用基板20を省略することができる。
【0061】次に、第1実施形態と同様に、バーンイン
及び出荷前の検査を実施する。
及び出荷前の検査を実施する。
【0062】以下、図7を参照しながら本発明の第4実
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
【0063】まず、第1実施形態と同様に、半導体ウェ
ハ10をダイシング用シート11にアクリル系又はシリ
コン系の粘着剤によって固定すると共に、ダイシング用
シート11の周縁部を剛性のリング12に貼着する。そ
の後、半導体ウェハ10に対してダイシングを行なうと
共に、不良と判断された半導体チップ10aの除去を行
なう。
ハ10をダイシング用シート11にアクリル系又はシリ
コン系の粘着剤によって固定すると共に、ダイシング用
シート11の周縁部を剛性のリング12に貼着する。そ
の後、半導体ウェハ10に対してダイシングを行なうと
共に、不良と判断された半導体チップ10aの除去を行
なう。
【0064】次に、図7に示すような、半導体チップ1
0aの検査用電極10dと対応しない領域毎に吸引孔2
7を有すると共に、該吸引孔27同士を連通させる空間
部28を有するウェハ用固定基板30を準備する。ウェ
ハ用固定基板30の上に半導体ウェハ用シートを載置し
た後、空間部28を減圧して、吸引孔27からの吸引力
によって半導体ウェハ10をウェハ用固定基板30に固
定する。半導体ウェハ10をウェハ用固定基板30に固
定する理由は次の通りである。すなわち、第3実施形態
において、コンタクタ15、半導体ウェハ搭載シート及
びパッキング材16によって形成される空間を減圧する
と、半導体ウェハ10はコンタクタ15に固定される。
しかしながら、ダイシング用シート11が伸縮性を有し
ているため、図8(a)〜(d)に示すように、半導体
チップ10aの検査用電極10dと接触するコンタクタ
15のバンプ13が支点となるような状態で半導体チッ
プ10aに反りが生じてしまう場合がある。この半導体
チップ10aに生じる反りをなくすために、半導体ウェ
ハ10をウェハ用固定基板30に固定しておくのであ
る。
0aの検査用電極10dと対応しない領域毎に吸引孔2
7を有すると共に、該吸引孔27同士を連通させる空間
部28を有するウェハ用固定基板30を準備する。ウェ
ハ用固定基板30の上に半導体ウェハ用シートを載置し
た後、空間部28を減圧して、吸引孔27からの吸引力
によって半導体ウェハ10をウェハ用固定基板30に固
定する。半導体ウェハ10をウェハ用固定基板30に固
定する理由は次の通りである。すなわち、第3実施形態
において、コンタクタ15、半導体ウェハ搭載シート及
びパッキング材16によって形成される空間を減圧する
と、半導体ウェハ10はコンタクタ15に固定される。
しかしながら、ダイシング用シート11が伸縮性を有し
ているため、図8(a)〜(d)に示すように、半導体
チップ10aの検査用電極10dと接触するコンタクタ
15のバンプ13が支点となるような状態で半導体チッ
プ10aに反りが生じてしまう場合がある。この半導体
チップ10aに生じる反りをなくすために、半導体ウェ
ハ10をウェハ用固定基板30に固定しておくのであ
る。
【0065】次に、第3の実施形態と同様に、コンタク
タ15の上にパッキング材16を載置した後、半導体ウ
ェハ10とコンタクタ15とをアライメントし、その
後、コンタクタ15、半導体ウェハ搭載シート及びパッ
キング材16によって形成される空間を減圧する。この
ようにすると、コンタクタ15と半導体ウェハ搭載シー
トとが互いに接近するので、半導体ウェハ10はコンタ
クタ15に固定される。この場合、コンタクタ15のコ
ンタクタ用吸引孔18からの吸引力と、ウェハ用固定基
板30の吸引孔27からの吸引力とを略等しくしておく
と、半導体チップ10aに反りが生じることを防止でき
る。
タ15の上にパッキング材16を載置した後、半導体ウ
ェハ10とコンタクタ15とをアライメントし、その
後、コンタクタ15、半導体ウェハ搭載シート及びパッ
キング材16によって形成される空間を減圧する。この
ようにすると、コンタクタ15と半導体ウェハ搭載シー
トとが互いに接近するので、半導体ウェハ10はコンタ
クタ15に固定される。この場合、コンタクタ15のコ
ンタクタ用吸引孔18からの吸引力と、ウェハ用固定基
板30の吸引孔27からの吸引力とを略等しくしておく
と、半導体チップ10aに反りが生じることを防止でき
る。
【0066】次に、第1実施形態と同様に、バーンイン
及び出荷前の検査を実施する。
及び出荷前の検査を実施する。
【0067】以下、図9を参照しながら本発明の第5実
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
【0068】まず、図9(a)に示すように、第1実施
形態と同様に、半導体ウェハ10をダイシング用シート
11にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
すると共に、ダイシング用シート11の周縁部を剛性の
リング12に貼着する。
形態と同様に、半導体ウェハ10をダイシング用シート
11にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
すると共に、ダイシング用シート11の周縁部を剛性の
リング12に貼着する。
【0069】次に、図9(b)に示すように、ダイシン
グ用シート11における半導体ウェハ10が貼着されて
いない方の面に、前記のコンタクタと略同じ熱膨張率を
有する材料よりなる剛性基板25を貼着することによ
り、ダイシングシート11と剛性基板25とを固定す
る。尚、ダイシングシート11と剛性基板25とを貼着
する変わりに、第1の実施形態と同様に、剛性基板25
に吸引孔を設け、例えば1/4気圧程度の吸引力によっ
てダイシングシート11と剛性基板25とを固定しても
よい。
グ用シート11における半導体ウェハ10が貼着されて
いない方の面に、前記のコンタクタと略同じ熱膨張率を
有する材料よりなる剛性基板25を貼着することによ
り、ダイシングシート11と剛性基板25とを固定す
る。尚、ダイシングシート11と剛性基板25とを貼着
する変わりに、第1の実施形態と同様に、剛性基板25
に吸引孔を設け、例えば1/4気圧程度の吸引力によっ
てダイシングシート11と剛性基板25とを固定しても
よい。
【0070】次に、半導体ウェハ10をスクライブライ
ン10bに沿ってダイシングを行なって半導体チップ1
0a同士の間に切溝10cを形成する。この場合、ダイ
シング用シート11には例えば20μm程度の切込みが
入る程度にダイシングを行なう。このようにすると、ダ
イシング用の切断刃が剛性基板25に接触して破損する
事態を回避できる。
ン10bに沿ってダイシングを行なって半導体チップ1
0a同士の間に切溝10cを形成する。この場合、ダイ
シング用シート11には例えば20μm程度の切込みが
入る程度にダイシングを行なう。このようにすると、ダ
イシング用の切断刃が剛性基板25に接触して破損する
事態を回避できる。
【0071】この状態で、半導体ウェハ10及びコンタ
クタ15をオーブンに入れて、半導体ウェハ10を例え
ば125℃に加熱する。このようにすると、剛性基板2
5がコンタクタ15と同程度に膨張するので、図9
(c)に示すように、半導体ウェハ10の切溝10cの
幅が拡がり、半導体チップ10a同士の間隔も拡がるの
で、半導体ウェハ10は疑似的に膨張する。この場合、
ダイシング用シート11は伸縮性を有しているので、剛
性基板25の膨張に応じて伸びる。これによって、半導
体ウェハ10の周縁部においても、コンタクタ15のバ
ンプ13と半導体ウェハ10の検査用電極10dと位置
ずれしない。この状態で、すべての半導体チップ10a
に対して例えば125℃の温度下において一括してバー
ンインを行なう。
クタ15をオーブンに入れて、半導体ウェハ10を例え
ば125℃に加熱する。このようにすると、剛性基板2
5がコンタクタ15と同程度に膨張するので、図9
(c)に示すように、半導体ウェハ10の切溝10cの
幅が拡がり、半導体チップ10a同士の間隔も拡がるの
で、半導体ウェハ10は疑似的に膨張する。この場合、
ダイシング用シート11は伸縮性を有しているので、剛
性基板25の膨張に応じて伸びる。これによって、半導
体ウェハ10の周縁部においても、コンタクタ15のバ
ンプ13と半導体ウェハ10の検査用電極10dと位置
ずれしない。この状態で、すべての半導体チップ10a
に対して例えば125℃の温度下において一括してバー
ンインを行なう。
【0072】半導体チップ10aに対するバーンインが
完了すると、半導体ウェハ10を冷却して半導体ウェハ
10を元の大きさに戻した後、半導体チップ10aに対
して出荷前の検査を行なう。
完了すると、半導体ウェハ10を冷却して半導体ウェハ
10を元の大きさに戻した後、半導体チップ10aに対
して出荷前の検査を行なう。
【0073】尚、第5実施形態における剛性基板25の
形状は、板状であってもよいし、ダイシング用シート1
1の周縁部を保持するリング状であってもよい。
形状は、板状であってもよいし、ダイシング用シート1
1の周縁部を保持するリング状であってもよい。
【0074】以下、図10を参照しながら本発明の第6
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
【0075】まず、図10(a),(b)に示すよう
に、半導体ウェハ10を粘着性シート26を介して、前
記のコンタクタと略同じ熱膨張率を有する材料よりなる
剛性基板25に貼着する。すなわち、第5実施形態は、
第4実施形態におけるダイシング用シート11を省略す
る方法である。フレキシブルなダイシング用シート11
を用いないので、剛性のリング12は不要である。その
後、半導体ウェハ10をスクライブライン10bに沿っ
てダイシングを行なって半導体チップ10a同士の間に
切溝10cを形成する。この場合、粘着性シート26に
は例えば20μm程度の切込みが入る程度にダイシング
を行なう。このようにすると、ダイシング用の切断刃が
剛性基板25に接触して破損する事態を回避できる。
に、半導体ウェハ10を粘着性シート26を介して、前
記のコンタクタと略同じ熱膨張率を有する材料よりなる
剛性基板25に貼着する。すなわち、第5実施形態は、
第4実施形態におけるダイシング用シート11を省略す
る方法である。フレキシブルなダイシング用シート11
を用いないので、剛性のリング12は不要である。その
後、半導体ウェハ10をスクライブライン10bに沿っ
てダイシングを行なって半導体チップ10a同士の間に
切溝10cを形成する。この場合、粘着性シート26に
は例えば20μm程度の切込みが入る程度にダイシング
を行なう。このようにすると、ダイシング用の切断刃が
剛性基板25に接触して破損する事態を回避できる。
【0076】この状態で、半導体ウェハ10及びコンタ
クタ15をオーブンに入れて、半導体ウェハ10を例え
ば125℃に加熱する。このようにすると、剛性基板2
5がコンタクタ15と同程度に膨張するので、図10
(c)に示すように、半導体ウェハ10の切溝10cの
幅が拡がり、半導体チップ10a同士の間隔も拡がるの
で、半導体ウェハ10は疑似的に膨張する。これによっ
て、半導体ウェハ10の周縁部においても、コンタクタ
15のバンプ13と半導体ウェハ10の検査用電極10
dと位置ずれしない。この状態で、すべての半導体チッ
プ10aに対して例えば125℃の温度下において一括
してバーンインを行なう。
クタ15をオーブンに入れて、半導体ウェハ10を例え
ば125℃に加熱する。このようにすると、剛性基板2
5がコンタクタ15と同程度に膨張するので、図10
(c)に示すように、半導体ウェハ10の切溝10cの
幅が拡がり、半導体チップ10a同士の間隔も拡がるの
で、半導体ウェハ10は疑似的に膨張する。これによっ
て、半導体ウェハ10の周縁部においても、コンタクタ
15のバンプ13と半導体ウェハ10の検査用電極10
dと位置ずれしない。この状態で、すべての半導体チッ
プ10aに対して例えば125℃の温度下において一括
してバーンインを行なう。
【0077】半導体チップ10aに対するバーンインが
完了すると、半導体ウェハ10を冷却して半導体ウェハ
10を元の大きさに戻した後、半導体チップ10aに対
して出荷前の検査を行なう。
完了すると、半導体ウェハ10を冷却して半導体ウェハ
10を元の大きさに戻した後、半導体チップ10aに対
して出荷前の検査を行なう。
【0078】以下、図11及び図12を参照しながら本
発明の第7実施形態に係る半導体装置の検査方法につい
て説明する。
発明の第7実施形態に係る半導体装置の検査方法につい
て説明する。
【0079】まず、図11(a)及び図12に示すよう
に、前記のコンタクタと略同じ熱膨張率を有する材料よ
りなり、半導体ウェハ10よりも一回り大きい形状に形
成され、半導体チップ10aと対応する位置に吸引孔2
7を有すると共に内部に吸引孔27と連通する空間部2
8を有するウェハ固定用基板30を準備する。尚、ウェ
ハ固定用基板30の周縁部には空間部28と連通し、該
空間部28を減圧するための吸引口31が設けられてい
る。その後、ウェハ固定用基板30の上に伸縮性を有す
る通気性シート32を介して半導体ウェハ10を載置す
る。
に、前記のコンタクタと略同じ熱膨張率を有する材料よ
りなり、半導体ウェハ10よりも一回り大きい形状に形
成され、半導体チップ10aと対応する位置に吸引孔2
7を有すると共に内部に吸引孔27と連通する空間部2
8を有するウェハ固定用基板30を準備する。尚、ウェ
ハ固定用基板30の周縁部には空間部28と連通し、該
空間部28を減圧するための吸引口31が設けられてい
る。その後、ウェハ固定用基板30の上に伸縮性を有す
る通気性シート32を介して半導体ウェハ10を載置す
る。
【0080】次に、図11(b)に示すように、吸気口
31から空間部28を減圧して吸引孔27からの吸引力
によって半導体ウェハ10をウェハ固定用基板30に固
定する。その後、半導体ウェハ10をスクライブライン
10bに沿ってダイシングを行なって半導体チップ10
a同士の間に切溝10cを形成する。この場合、通気性
シート32には例えば20μm程度の切込みが入る程度
にダイシングを行なう。このようにすると、ダイシング
用の切断刃がウェハ固定用基板30に接触して破損する
事態を回避できる。
31から空間部28を減圧して吸引孔27からの吸引力
によって半導体ウェハ10をウェハ固定用基板30に固
定する。その後、半導体ウェハ10をスクライブライン
10bに沿ってダイシングを行なって半導体チップ10
a同士の間に切溝10cを形成する。この場合、通気性
シート32には例えば20μm程度の切込みが入る程度
にダイシングを行なう。このようにすると、ダイシング
用の切断刃がウェハ固定用基板30に接触して破損する
事態を回避できる。
【0081】この状態で、半導体ウェハ10及びウェハ
固定用基板30をオーブンに入れて、半導体ウェハ10
を例えば125℃に加熱する。このようにすると、ウェ
ハ固定用基板30がコンタクタ15と同程度に膨張する
ので、図11(c)に示すように、半導体ウェハ10の
切溝10cの幅が拡がり、半導体チップ10a同士の間
隔も拡がるので、半導体ウェハ10は疑似的に膨張す
る。この状態で、すべての半導体チップ10aに対して
例えば125℃の温度下において一括してバーンインを
行なう。
固定用基板30をオーブンに入れて、半導体ウェハ10
を例えば125℃に加熱する。このようにすると、ウェ
ハ固定用基板30がコンタクタ15と同程度に膨張する
ので、図11(c)に示すように、半導体ウェハ10の
切溝10cの幅が拡がり、半導体チップ10a同士の間
隔も拡がるので、半導体ウェハ10は疑似的に膨張す
る。この状態で、すべての半導体チップ10aに対して
例えば125℃の温度下において一括してバーンインを
行なう。
【0082】半導体チップ10aに対するバーンインが
完了すると、半導体ウェハ10を冷却して半導体ウェハ
10を元の大きさに戻した後、半導体チップ10aに対
して1個づつ出荷前の検査を行なう。
完了すると、半導体ウェハ10を冷却して半導体ウェハ
10を元の大きさに戻した後、半導体チップ10aに対
して1個づつ出荷前の検査を行なう。
【0083】以下、図13を参照しながら本発明の第8
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
【0084】第8実施形態が第7実施形態と異なるの
は、ウェハ固定用基板30に、半導体チップ10aの大
きさ及び位置とは無関係に碁盤の目状に多数の吸引孔2
7が設けられている点と、半導体ウェハ10とウェハ固
定用基板30との間に、半導体チップ10aと対応する
位置に比較的大きな径の貫通孔34を有する連通用シー
ト35を介在させた点とである。ウェハ固定用基板30
に多数の吸引孔27が設けられていると共に連通用シー
ト35に比較的大きな径の貫通孔34が設けられている
ので、貫通孔34はいずれかの吸引孔27と連通する。
これにより、半導体ウェハ10は、ウェハ固定用基板3
0の吸引孔27及び連通用シート35の貫通孔34から
の吸引力によってウェハ固定用基板30に固定される。
第8実施形態においては、半導体ウェハ10に対するバ
ーンインは第7実施形態と同様であるので、説明は省略
する。
は、ウェハ固定用基板30に、半導体チップ10aの大
きさ及び位置とは無関係に碁盤の目状に多数の吸引孔2
7が設けられている点と、半導体ウェハ10とウェハ固
定用基板30との間に、半導体チップ10aと対応する
位置に比較的大きな径の貫通孔34を有する連通用シー
ト35を介在させた点とである。ウェハ固定用基板30
に多数の吸引孔27が設けられていると共に連通用シー
ト35に比較的大きな径の貫通孔34が設けられている
ので、貫通孔34はいずれかの吸引孔27と連通する。
これにより、半導体ウェハ10は、ウェハ固定用基板3
0の吸引孔27及び連通用シート35の貫通孔34から
の吸引力によってウェハ固定用基板30に固定される。
第8実施形態においては、半導体ウェハ10に対するバ
ーンインは第7実施形態と同様であるので、説明は省略
する。
【0085】第8実施形態によると、連通用シート35
を半導体ウェハ10に対応して設けるだけでよく、ウェ
ハ固定用基板30に汎用性を持たせることができるの
で、コストの低減を図ることができる。
を半導体ウェハ10に対応して設けるだけでよく、ウェ
ハ固定用基板30に汎用性を持たせることができるの
で、コストの低減を図ることができる。
【0086】以下、図13を参照しながら本発明の第9
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
【0087】第9実施形態が第8実施形態と異なるの
は、連通用シート35とウェハ固定用基板30との間に
多孔性シート36が介在している点である。これによ
り、連通用シート35の連通孔34は対向する吸引孔2
7以外の他の吸引孔27とも多孔性シート36を介して
連通するので、ウェハ固定用基板30に対する吸引力が
大きくなるので、半導体ウェハ10aのウェハ固定用基
板30に対する固定が確実になる。第9実施形態におい
ても、半導体ウェハ10に対するバーンインは第7実施
形態と同様であるので、説明は省略する。
は、連通用シート35とウェハ固定用基板30との間に
多孔性シート36が介在している点である。これによ
り、連通用シート35の連通孔34は対向する吸引孔2
7以外の他の吸引孔27とも多孔性シート36を介して
連通するので、ウェハ固定用基板30に対する吸引力が
大きくなるので、半導体ウェハ10aのウェハ固定用基
板30に対する固定が確実になる。第9実施形態におい
ても、半導体ウェハ10に対するバーンインは第7実施
形態と同様であるので、説明は省略する。
【0088】
【発明の効果】請求項1の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、コンタクタの熱膨張に応じて複数の半導
体チップ同士の間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に
膨張するため、バーンイン時に、半導体ウェハの周縁部
においても半導体チップの検査用電極とコンタクタのプ
ローブ端子とが位置ずれを起こさないので、半導体ウェ
ハの周縁部においても半導体チップの検査用電極とコン
タクタのプローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウ
ェハ状態で一括してバーンインを行なうことができる。
方法によると、コンタクタの熱膨張に応じて複数の半導
体チップ同士の間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に
膨張するため、バーンイン時に、半導体ウェハの周縁部
においても半導体チップの検査用電極とコンタクタのプ
ローブ端子とが位置ずれを起こさないので、半導体ウェ
ハの周縁部においても半導体チップの検査用電極とコン
タクタのプローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウ
ェハ状態で一括してバーンインを行なうことができる。
【0089】また、従来はバーンイン後にダイシングを
行なっていたため、ダイシング工程において発生する静
電気によって不良の半導体チップが発生することがあ
り、ダイシング後にも検査を行なう必要があったが、本
発明によると、ダイシング後にバーンインを行なうた
め、ダイシング工程において発生した不良の半導体チッ
プはバーンインスクリーニング工程において除去される
ので、検査の回数を低減できる。
行なっていたため、ダイシング工程において発生する静
電気によって不良の半導体チップが発生することがあ
り、ダイシング後にも検査を行なう必要があったが、本
発明によると、ダイシング後にバーンインを行なうた
め、ダイシング工程において発生した不良の半導体チッ
プはバーンインスクリーニング工程において除去される
ので、検査の回数を低減できる。
【0090】また、ダイシングされた半導体ウェハをコ
ンタクタに固定するので、コンタクタのプローブ端子に
高低差があっても、各半導体チップがプローブ端子に馴
染むので、コンタクタのプローブ端子と半導体チップの
検査用電極との接触が確実になる。
ンタクタに固定するので、コンタクタのプローブ端子に
高低差があっても、各半導体チップがプローブ端子に馴
染むので、コンタクタのプローブ端子と半導体チップの
検査用電極との接触が確実になる。
【0091】また、バーンイン時の加熱によって半導体
ウェハを疑似的に膨張させることができるため、工程数
の増加を招くことがないと共に、高価なコンタクタに対
する制約が減少しコンタクタの設計の自由度が増すので
コスト低減を図ることができる。
ウェハを疑似的に膨張させることができるため、工程数
の増加を招くことがないと共に、高価なコンタクタに対
する制約が減少しコンタクタの設計の自由度が増すので
コスト低減を図ることができる。
【0092】請求項2の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、バーンインが行なわれた複数の半導体チッ
プに対して出荷前の検査を行なうので、検査が行なわれ
たベアチップを出荷することができる。
法によると、バーンインが行なわれた複数の半導体チッ
プに対して出荷前の検査を行なうので、検査が行なわれ
たベアチップを出荷することができる。
【0093】請求項3の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、不良と判定された半導体チップをシートか
ら除去した後に、半導体チップに対してバーンインを行
なうため、電源電流不良又はリーク不良等が生じている
と判定された半導体チップをシートから除去した後に、
良品と判定された複数の半導体チップに対してバーンイ
ン電圧を安定して印加できるので、複数の半導体チップ
に対して一括して行なうバーンイン工程を効率良く行な
うことができる。
法によると、不良と判定された半導体チップをシートか
ら除去した後に、半導体チップに対してバーンインを行
なうため、電源電流不良又はリーク不良等が生じている
と判定された半導体チップをシートから除去した後に、
良品と判定された複数の半導体チップに対してバーンイ
ン電圧を安定して印加できるので、複数の半導体チップ
に対して一括して行なうバーンイン工程を効率良く行な
うことができる。
【0094】請求項4の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、半導体ウェハが固定されるシートは予め収
縮しているので、半導体ウェハに対してダイシングを行
なっても、ダイシング後にシートが収縮し難いので、ダ
イシング後の半導体チップ同士の位置ずれを抑制するこ
とができる。
法によると、半導体ウェハが固定されるシートは予め収
縮しているので、半導体ウェハに対してダイシングを行
なっても、ダイシング後にシートが収縮し難いので、ダ
イシング後の半導体チップ同士の位置ずれを抑制するこ
とができる。
【0095】請求項5の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、コンタクタに固定された半導体ウェハを加
熱すると、半導体ウェハは伸縮性を有するシートを介し
てコンタクタと略同じ熱膨張率を有する基板に固定され
た状態で加熱されるため、半導体ウェハはコンタクトと
同程度に膨張するので、半導体チップの検査用電極とコ
ンタクタのプローブ端子との位置ずれを抑制することが
できる。
法によると、コンタクタに固定された半導体ウェハを加
熱すると、半導体ウェハは伸縮性を有するシートを介し
てコンタクタと略同じ熱膨張率を有する基板に固定され
た状態で加熱されるため、半導体ウェハはコンタクトと
同程度に膨張するので、半導体チップの検査用電極とコ
ンタクタのプローブ端子との位置ずれを抑制することが
できる。
【0096】請求項6の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、吸引力によって半導体ウェハを伸縮性を有
するシートを介して基板に確実に固定することができ
る。
法によると、吸引力によって半導体ウェハを伸縮性を有
するシートを介して基板に確実に固定することができ
る。
【0097】請求項7の構成により、半導体チップは検
査用電極が形成されていない部位において基板に吸引さ
れるため、半導体チップにおける検査用電極が形成され
ていない部位がコンタクタの方に湾曲する事態を防止で
きるので、半導体チップに反りを生じさせることなく、
バーンインを行なうことができる。
査用電極が形成されていない部位において基板に吸引さ
れるため、半導体チップにおける検査用電極が形成され
ていない部位がコンタクタの方に湾曲する事態を防止で
きるので、半導体チップに反りを生じさせることなく、
バーンインを行なうことができる。
【0098】請求項8の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、コンタクタにおける半導体ウェハのスクラ
イブラインと対応する位置に設けられた突起体を複数の
半導体チップ同士の間に挿入した状態で半導体ウェハを
加熱すると、コンタクタの熱膨張に応じて突起体が周辺
部側に拡がり、これに伴って、複数の半導体チップ同士
の間隔が拡がるので、半導体ウェハの周縁部における半
導体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端子と
の位置ずれを確実に防止できる。
法によると、コンタクタにおける半導体ウェハのスクラ
イブラインと対応する位置に設けられた突起体を複数の
半導体チップ同士の間に挿入した状態で半導体ウェハを
加熱すると、コンタクタの熱膨張に応じて突起体が周辺
部側に拡がり、これに伴って、複数の半導体チップ同士
の間隔が拡がるので、半導体ウェハの周縁部における半
導体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端子と
の位置ずれを確実に防止できる。
【0099】また、半導体ウェハに対する加熱が終了
し、コンタクタが冷却されると、コンタクタの突起体が
中心部側に戻るので、これに伴って、複数の半導体チッ
プ同士の間隔が縮まる。
し、コンタクタが冷却されると、コンタクタの突起体が
中心部側に戻るので、これに伴って、複数の半導体チッ
プ同士の間隔が縮まる。
【0100】請求項9の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、コンタクタにおける半導体チップの検査用
電極と対応する位置に設けられたプローブ端子を半導体
チップの検査用電極に嵌合した状態で半導体ウェハを加
熱すると、コンタクタの熱膨張に応じてプローブ端子が
周辺部側に拡がり、これに伴って、複数の半導体チップ
同士の間隔が拡がるので、半導体ウェハの周縁部におけ
る半導体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端
子との位置ずれを確実に防止できる。
法によると、コンタクタにおける半導体チップの検査用
電極と対応する位置に設けられたプローブ端子を半導体
チップの検査用電極に嵌合した状態で半導体ウェハを加
熱すると、コンタクタの熱膨張に応じてプローブ端子が
周辺部側に拡がり、これに伴って、複数の半導体チップ
同士の間隔が拡がるので、半導体ウェハの周縁部におけ
る半導体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端
子との位置ずれを確実に防止できる。
【0101】また、半導体ウェハに対する加熱を終了
し、コンタクタが冷却されると、コンタクタのプローブ
端子が中心部側に戻るので、これに伴って、複数の半導
体チップ同士の間隔が縮まる。
し、コンタクタが冷却されると、コンタクタのプローブ
端子が中心部側に戻るので、これに伴って、複数の半導
体チップ同士の間隔が縮まる。
【0102】請求項10の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、基板の熱膨張に応じて複数の半導体チッ
プ同士の間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に膨張す
るため、請求項1の発明と同様に、半導体ウェハの周縁
部においても半導体チップの検査用電極とコンタクタの
プローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウェハ状態
で一括してバーンインを行なうことができる。
方法によると、基板の熱膨張に応じて複数の半導体チッ
プ同士の間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に膨張す
るため、請求項1の発明と同様に、半導体ウェハの周縁
部においても半導体チップの検査用電極とコンタクタの
プローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウェハ状態
で一括してバーンインを行なうことができる。
【0103】また、請求項1の発明と同様、ダイシング
工程において発生した不良の半導体チップはバーンイン
スクリーニング工程において除去されるため、検査の回
数を低減できる。また、バーンイン時の加熱によって半
導体ウェハを疑似的に膨張させるため、工程数の増加を
招くことがないと共に、高価なコンタクタに対する制約
が減少しコンタクタの設計の自由度が増すので、コスト
低減を図ることができる。
工程において発生した不良の半導体チップはバーンイン
スクリーニング工程において除去されるため、検査の回
数を低減できる。また、バーンイン時の加熱によって半
導体ウェハを疑似的に膨張させるため、工程数の増加を
招くことがないと共に、高価なコンタクタに対する制約
が減少しコンタクタの設計の自由度が増すので、コスト
低減を図ることができる。
【0104】請求項11の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、バーンインが行なわれた複数の半導体チ
ップに対して出荷前の検査を行なうので、検査が行なわ
れたベアチップを出荷することができる。
方法によると、バーンインが行なわれた複数の半導体チ
ップに対して出荷前の検査を行なうので、検査が行なわ
れたベアチップを出荷することができる。
【0105】請求項12の構成により、不良と判定され
た半導体チップをシートから除去した後に、半導体チッ
プに対してバーンインを行なうため、電源電流不良又は
リーク不良等が生じていると判定された半導体チップを
シートから除去した後に、良品と判定された複数の半導
体チップに対してバーンイン電圧を安定して印加できる
ので、複数の半導体チップに対して一括して行なうバー
ンイン工程を効率良く行なうことができる。
た半導体チップをシートから除去した後に、半導体チッ
プに対してバーンインを行なうため、電源電流不良又は
リーク不良等が生じていると判定された半導体チップを
シートから除去した後に、良品と判定された複数の半導
体チップに対してバーンイン電圧を安定して印加できる
ので、複数の半導体チップに対して一括して行なうバー
ンイン工程を効率良く行なうことができる。
【0106】請求項13の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、半導体ウェハは基板に粘着剤によって固
定されているため、複数の半導体チップ同士の間隔が基
板の熱膨張に応じて確実に拡がるので、半導体ウェハの
周縁部において半導体チップの検査用電極とコンタクタ
のプローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウェハ状
態で一括してバーンインを行なうことができる。
方法によると、半導体ウェハは基板に粘着剤によって固
定されているため、複数の半導体チップ同士の間隔が基
板の熱膨張に応じて確実に拡がるので、半導体ウェハの
周縁部において半導体チップの検査用電極とコンタクタ
のプローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウェハ状
態で一括してバーンインを行なうことができる。
【0107】請求項14の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、半導体ウェハは伸縮性を有するシートを
介して基板に固定されているため、シートには切込みが
できるが基板には切込みができないように半導体ウェハ
に対するダイシングを行なうことができるので、ダイシ
ング用の切断刃の損傷を招くことなく、半導体チップ同
士を分離することができる。また、シートは伸縮性を有
しているおり、コンタクタの熱膨張に応じて伸びるの
で、半導体ウェハと基板との間にシートが介在していて
も、複数の半導体チップ同士の間隔は基板の熱膨張に応
じて確実に拡がるので、支障はない。
方法によると、半導体ウェハは伸縮性を有するシートを
介して基板に固定されているため、シートには切込みが
できるが基板には切込みができないように半導体ウェハ
に対するダイシングを行なうことができるので、ダイシ
ング用の切断刃の損傷を招くことなく、半導体チップ同
士を分離することができる。また、シートは伸縮性を有
しているおり、コンタクタの熱膨張に応じて伸びるの
で、半導体ウェハと基板との間にシートが介在していて
も、複数の半導体チップ同士の間隔は基板の熱膨張に応
じて確実に拡がるので、支障はない。
【0108】請求項15の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、半導体ウェハは基板に吸引力によって固
定されているため、複数の半導体チップ同士の間隔は基
板の熱膨張に応じて確実に拡がると共に、半導体ウェハ
に対する吸引を終了すると、半導体ウェハは基板から解
放されるので、スムーズに次工程に移行することができ
る。
方法によると、半導体ウェハは基板に吸引力によって固
定されているため、複数の半導体チップ同士の間隔は基
板の熱膨張に応じて確実に拡がると共に、半導体ウェハ
に対する吸引を終了すると、半導体ウェハは基板から解
放されるので、スムーズに次工程に移行することができ
る。
【0109】請求項16の発明に係る半導体装置の製造
方法によると、シートと基板との間に多孔質シートが介
在しているため、シートの貫通孔と基板の吸引孔とが多
孔質シートを介して連通するので、半導体チップをシー
トの貫通孔及び基板の吸引孔からの吸引力によって基板
に確実に固定することができる。
方法によると、シートと基板との間に多孔質シートが介
在しているため、シートの貫通孔と基板の吸引孔とが多
孔質シートを介して連通するので、半導体チップをシー
トの貫通孔及び基板の吸引孔からの吸引力によって基板
に確実に固定することができる。
【0110】請求項17の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、半導体チップは検査用電極が形成されて
いない部位において基板に吸引されるため、半導体チッ
プにおける検査用電極が形成されていない部位がコンタ
クタの方に湾曲する事態を防止できるので、半導体チッ
プに反りを生じさせることなく、バーンインを行なうこ
とができる。
方法によると、半導体チップは検査用電極が形成されて
いない部位において基板に吸引されるため、半導体チッ
プにおける検査用電極が形成されていない部位がコンタ
クタの方に湾曲する事態を防止できるので、半導体チッ
プに反りを生じさせることなく、バーンインを行なうこ
とができる。
【0111】請求項18の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、各半導体チップをシートの貫通孔及び基
板の吸引孔からの吸引力によって基板に固定できるの
で、コンタクタひいては基板の熱膨張に応じて複数の半
導体チップ同士の間隔を拡げることができる。また、貫
通孔を有するシートを半導体ウェハに対応して設ける一
方、基板に汎用性を持たせることができるので、検査の
コストを低減することができる。
方法によると、各半導体チップをシートの貫通孔及び基
板の吸引孔からの吸引力によって基板に固定できるの
で、コンタクタひいては基板の熱膨張に応じて複数の半
導体チップ同士の間隔を拡げることができる。また、貫
通孔を有するシートを半導体ウェハに対応して設ける一
方、基板に汎用性を持たせることができるので、検査の
コストを低減することができる。
【図1】(a)〜(c)は本発明の第1実施形態に係る
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図2】(a)〜(c)は前記第1実施形態に係る半導
体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図3】(a)〜(c)は前記第1実施形態に係る半導
体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図4】(a)及び(b)は本発明の第2実施形態に係
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図5】(a),(b)は前記第2実施形態に係る半導
体装置の検査方法におけるコンタクタのパッド及び半導
体チップの検査用電極の変形例を示す断面図である。
体装置の検査方法におけるコンタクタのパッド及び半導
体チップの検査用電極の変形例を示す断面図である。
【図6】(a)〜(c)は本発明の第3実施形態に係る
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図7】本発明の第4実施形態に係る半導体装置の検査
方法の工程を示す断面図である。
方法の工程を示す断面図である。
【図8】(a)〜(d)は前記第3の実施形態に係る半
導体装置の検査方法における問題点を説明する断面図で
ある。
導体装置の検査方法における問題点を説明する断面図で
ある。
【図9】(a)〜(c)は本発明の第5実施形態に係る
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図10】(a)〜(c)は本発明の第6実施形態に係
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図11】(a)〜(c)は本発明の第7実施形態に係
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図12】前記第7実施形態に係る半導体装置の検査方
法におけるウェハ固定用基板の平面図である。
法におけるウェハ固定用基板の平面図である。
【図13】本発明の第8実施形態に係る半導体装置の検
査方法の工程を示す断面図である。
査方法の工程を示す断面図である。
【図14】本発明の第9実施形態に係る半導体装置の検
査方法の工程を示す断面図である。
査方法の工程を示す断面図である。
【図15】(a),(b)は従来の半導体装置の検査方
法及びその問題点を説明する断面図である。
法及びその問題点を説明する断面図である。
10 半導体ウェハ 10a 半導体チップ 10b スクライブライン 10c 切溝 10d 検査用電極 11 ダイシング用シート 12 剛性のリング 13 バンプ 14 突起体 15 コンタクタ 16 パッキング材 17 凹状溝 18 コンタクタ用吸引孔 19 ウェハ用吸引孔 20 バーンイン用基板 21 突き上げ用ピン 22 コレッタ 25 剛性基板 26 粘着性シート 27 吸引孔 28 空間部 30 ウェハ固定用基板 32 通気性シート 34 貫通孔 35 連通用シート 36 多孔性シート
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G01R 31/28 G01R 31/28 V
Claims (18)
- 【請求項1】 検査用電極を有する複数の半導体チップ
が形成された半導体ウェハを伸縮性を有するシートに固
定する第1の工程と、 前記シートに固定された前記半導体ウェハに対して前記
シートが分離しないようにダイシングを行なって、前記
複数の半導体チップを互いに分離する第2の工程と、 前記半導体チップの検査用電極に電気信号を供給するコ
ンタクタとダイシングされた半導体ウェハとをアライメ
ントした後、前記半導体ウェハを前記コンタクタに固定
する第3の工程と、 前記コンタクタに固定された前記半導体ウェハを加熱し
て前記複数の半導体チップ同士の間隔を前記コンタクタ
の熱膨張に応じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導
体チップに対して一括してバーンインを行なう第4の工
程とを備えていることを特徴とする半導体装置の検査方
法。 - 【請求項2】 バーンインが行なわれた前記複数の半導
体チップに対して出荷前の検査を行なう第5の工程をさ
らに備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導
体装置の検査方法。 - 【請求項3】 前記第2の工程と前記第3の工程との間
に、前記半導体チップの良否の判定を行ない、不良と判
定された前記半導体チップを前記シートから除去する工
程をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載
の半導体装置の検査方法。 - 【請求項4】 前記第1の工程よりも前に、前記シート
を加熱して該シートを収縮させておく工程をさらに備え
ていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の
検査方法。 - 【請求項5】 前記第1の工程は、前記半導体ウェハが
固定された前記シートを前記コンタクタと略同じ熱膨張
率を有する基板に固定する工程を含むことを特徴とする
請求項1に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項6】 前記第1の工程は、前記半導体ウェハが
固定された前記シートを前記基板に吸引力によって固定
する工程を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導
体装置の検査方法。 - 【請求項7】 前記第1の工程は、前記半導体ウェハが
固定された前記シートを前記基板に、該基板における前
記半導体チップの前記検査用電極が形成されていない部
位と対応する部位に形成された吸引孔からの吸引力によ
って固定する工程を含むことを特徴とする請求項6に記
載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項8】 前記第1の工程よりも前に、前記コンタ
クタにおける前記半導体ウェハのスクライブラインと対
応する位置に突起体を設ける工程をさらに備え、 前記第3の工程は、前記コンタクタの突起体を前記複数
の半導体チップ同士の間に挿入する工程を含み、 前記第4の工程は、前記コンタクタの熱膨張に伴い周辺
部側に拡がる前記突起体によって前記複数の半導体チッ
プ同士の間隔を拡げる工程を含むことを特徴とする請求
項1に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項9】 前記第1の工程よりも前に、前記コンタ
クタにおける前記半導体チップの検査用電極と対応する
位置に該検査用電極と嵌合する形状のプローブ端子を設
ける工程をさらに備え、 前記第3の工程は、前記コンタクタのプローブ端子を前
記半導体チップの検査用電極に嵌合する工程を含み、 前記第4の工程は、前記コンタクタの熱膨張に伴い周辺
部側に拡がる前記プローブ端子によって前記半導体チッ
プ同士の間隔を拡げる工程を含むことを特徴とする請求
項1に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項10】 検査用電極を有する複数の半導体チッ
プが形成された半導体ウェハを、前記半導体チップの検
査用電極に電気信号を供給するプローブ端子を有するコ
ンタクタの熱膨張率と略等しい熱膨張率を有する基板に
固定する第1の工程と、 前記基板に固定された前記半導体ウェハに対して前記基
板が分離しないようにダイシングを行なって、前記複数
の半導体チップを互いに分離する第2の工程と、 前記コンタクタとダイシングされた前記半導体ウェハと
をアライメントした後、前記半導体チップの検査用電極
と前記コンタクタのプローブ端子とを接触させる第3の
工程と、 前記基板に固定された前記半導体ウェハを加熱して前記
複数の半導体チップ同士の間隔を前記基板の熱膨張に応
じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導体チップに対
してバーンインを行なう第4の工程とを備えていること
を特徴とする半導体装置の検査方法。 - 【請求項11】 バーンインが行なわれた前記複数の半
導体チップに対して出荷前の検査を行なう第5の工程を
さらに備えていることを特徴とする請求項10に記載の
半導体装置の検査方法。 - 【請求項12】 前記第2の工程と前記第3の工程との
間に、前記半導体チップの良否の判定を行ない、不良と
判定された前記半導体チップを前記シートから除去する
工程をさらに備えていることを特徴とする請求項10に
記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項13】 前記第1の工程は、前記半導体ウェハ
を前記基板に粘着剤によって固定する工程を含むことを
特徴とする請求項10に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項14】 前記第1の工程は、前記半導体ウェハ
を伸縮性を有するシートを介して前記基板に固定する工
程を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装
置の検査方法。 - 【請求項15】 前記第1の工程は、前記半導体ウェハ
を前記基板に吸引力によって固定する工程を含むことを
特徴とする請求項10に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項16】 前記第1の工程は、前記シートと前記
基板との間に多孔質シートを介在させる工程を含むこと
を特徴とする請求項15に記載の半導体装置の検査方
法。 - 【請求項17】 前記第1の工程は、前記半導体ウェハ
を前記基板に、該基板における前記半導体チップの前記
検査用電極が形成されていない部位と対応する部位に形
成された吸引孔からの吸引力によって固定する工程を含
むことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の検
査方法。 - 【請求項18】 前記第1の工程よりも前に、前記基板
に多数の吸引孔を設けておくと共に、前記複数の半導体
チップと対応する位置に貫通孔を有するシートを前記半
導体ウェハと前記基板との間に設ける工程をさらに備
え、 前記第1の工程は、前記シートの貫通孔及び前記基板の
吸引孔からの吸引力によって前記半導体ウェハを前記基
板に固定する工程を含むことを特徴とする請求項15に
記載の半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7301418A JP2837829B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-11-20 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7607195 | 1995-03-31 | ||
JP7-76071 | 1995-03-31 | ||
JP7301418A JP2837829B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-11-20 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08330372A true JPH08330372A (ja) | 1996-12-13 |
JP2837829B2 JP2837829B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=26417228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7301418A Expired - Fee Related JP2837829B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-11-20 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2837829B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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