JPH08321528A - 半導体装置の測定方法 - Google Patents
半導体装置の測定方法Info
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- JPH08321528A JPH08321528A JP12496395A JP12496395A JPH08321528A JP H08321528 A JPH08321528 A JP H08321528A JP 12496395 A JP12496395 A JP 12496395A JP 12496395 A JP12496395 A JP 12496395A JP H08321528 A JPH08321528 A JP H08321528A
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- test
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Abstract
(57)【要約】
【目的】被測定ウェーハの測定時間を短縮することので
きる半導体装置の試験方法を提供する。 【構成】テスト対象のウェーハ素子に対し規定個数nセ
ットが設定され(ステップ102)、前記ウェーハ素子
に対するフルテストが逐次に実行されて(ステップ10
3)、各ウェーハ素子について、当該フルテストをパス
したか否かがチェックされる(ステップ104)。フル
セットをパスしたものと判定される場合には、パスした
ウェーハ素子の良品数Xの計数が行われる(ステップ1
05)。またフルテストにパスしなかったウェーハ素子
の場合には計数は行われない。ウェーハ素子の良品数X
の計数値が規定個数のn個に到達したか否かが判定され
(ステップ106)、ウェーハ素子の良品数Xの計数値
が規定個数のn個に到達した時点において、ウェーハの
測定は終了する。
きる半導体装置の試験方法を提供する。 【構成】テスト対象のウェーハ素子に対し規定個数nセ
ットが設定され(ステップ102)、前記ウェーハ素子
に対するフルテストが逐次に実行されて(ステップ10
3)、各ウェーハ素子について、当該フルテストをパス
したか否かがチェックされる(ステップ104)。フル
セットをパスしたものと判定される場合には、パスした
ウェーハ素子の良品数Xの計数が行われる(ステップ1
05)。またフルテストにパスしなかったウェーハ素子
の場合には計数は行われない。ウェーハ素子の良品数X
の計数値が規定個数のn個に到達したか否かが判定され
(ステップ106)、ウェーハ素子の良品数Xの計数値
が規定個数のn個に到達した時点において、ウェーハの
測定は終了する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の測定方法に
関し、特にウェーハ上の半導体素子の電気的特性をテス
トするための半導体装置の測定方法に関する。
関し、特にウェーハ上の半導体素子の電気的特性をテス
トするための半導体装置の測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、複数の半導体素子が形成されてい
るウェーハに対応して、当該半導体素子の電気的特性
を、所定の複数項目についてテストする半導体装置の試
験方法においては、当該テストの実行時に、或る特定の
テストについては、当該テスト項目について、任意に設
定された良品数の良品率が、所定の任意の良品率以上で
ある場合には、以後の当該テスト項目についてのテスト
は省略することとし、これにより、半導体装置のウェー
ハ上の半導体素子の電気的特性をテストする測定時間の
短縮が図られている。この半導体装置の測定方法は一般
にスキップ方法と呼ばれている。
るウェーハに対応して、当該半導体素子の電気的特性
を、所定の複数項目についてテストする半導体装置の試
験方法においては、当該テストの実行時に、或る特定の
テストについては、当該テスト項目について、任意に設
定された良品数の良品率が、所定の任意の良品率以上で
ある場合には、以後の当該テスト項目についてのテスト
は省略することとし、これにより、半導体装置のウェー
ハ上の半導体素子の電気的特性をテストする測定時間の
短縮が図られている。この半導体装置の測定方法は一般
にスキップ方法と呼ばれている。
【0003】図2は、前記スキップ方法による半導体装
置の測定方法の手順の要点を示すフローチャートであ
る。一般に、スキップ方法による半導体装置の測定方法
は、大きく分けて2種類の測定手順により表わされる。
まず第1の測定手順は、各テスト項目についての良品の
統計を取る手順であり、次に第2の測定手順は、前記統
計結果を参照して、良品率の良いテスト項目については
テストを省略し、それ以外のテスト項目についてのみテ
ストを実行する手順である。以下、図2のフローチャー
トを参照して、従来例の測定手順について説明する。
置の測定方法の手順の要点を示すフローチャートであ
る。一般に、スキップ方法による半導体装置の測定方法
は、大きく分けて2種類の測定手順により表わされる。
まず第1の測定手順は、各テスト項目についての良品の
統計を取る手順であり、次に第2の測定手順は、前記統
計結果を参照して、良品率の良いテスト項目については
テストを省略し、それ以外のテスト項目についてのみテ
ストを実行する手順である。以下、図2のフローチャー
トを参照して、従来例の測定手順について説明する。
【0004】図2のフローチャートは、測定項目数がk
個ある場合のフローチャートを示しており、半導体装置
の測定開始(201)に対応して、まずステップ202
において、半導体素子の各テスト項目について、統計を
採取する半導体素子の個数nと、テストを省略する際の
判定基準となる数値Yが設定される。次いで、ステップ
203においては、第1のテスト項目について、前記第
1の測定手順に対応するTEST1(以下、第i番目の
テスト項目についてはTESTiと云う:i=1,2,
………,k)がn回実行され、ステップ204において
は、前記n回のTEST1の実行過程において、当該T
EST1にパスした半導体素子の個数m1 が抽出され、
TEST1における良品率a1 が次式により計算され
る。
個ある場合のフローチャートを示しており、半導体装置
の測定開始(201)に対応して、まずステップ202
において、半導体素子の各テスト項目について、統計を
採取する半導体素子の個数nと、テストを省略する際の
判定基準となる数値Yが設定される。次いで、ステップ
203においては、第1のテスト項目について、前記第
1の測定手順に対応するTEST1(以下、第i番目の
テスト項目についてはTESTiと云う:i=1,2,
………,k)がn回実行され、ステップ204において
は、前記n回のTEST1の実行過程において、当該T
EST1にパスした半導体素子の個数m1 が抽出され、
TEST1における良品率a1 が次式により計算され
る。
【0005】a1 =m1 /n×100(%) 次に、ステップ205においては、ステップ204にお
いて得られた半導体素子のTEST1における良品率a
1 が、前記ステップ202において設定された判定基準
Yと比較判定され、当該良品率a1 が前記判定基準Yよ
りも大きい場合には、残りのTEST1の実行は中止さ
れて、第2のテスト項目のテストに対応するステップ2
07に移行する。また、ステップ205において、良品
率a1 が前記判定基準Yよりも小さい場合には、ステッ
プ206において、TEST1は中止されることなく最
後まて実行され、その後にステップ207に移行する。
いて得られた半導体素子のTEST1における良品率a
1 が、前記ステップ202において設定された判定基準
Yと比較判定され、当該良品率a1 が前記判定基準Yよ
りも大きい場合には、残りのTEST1の実行は中止さ
れて、第2のテスト項目のテストに対応するステップ2
07に移行する。また、ステップ205において、良品
率a1 が前記判定基準Yよりも小さい場合には、ステッ
プ206において、TEST1は中止されることなく最
後まて実行され、その後にステップ207に移行する。
【0006】ステップ207においては、半導体素子の
第2のテスト項目について、第1のテスト項目の場合と
同様に、前記第1の測定手順に対応するTEST2がn
回実行され、ステップ208においては、前記n回のT
EST2の実行過程において、当該TEST2にパスし
た半導体素子の個数m2 が抽出され、TEST2におけ
る良品率a2 が次式により計算される。
第2のテスト項目について、第1のテスト項目の場合と
同様に、前記第1の測定手順に対応するTEST2がn
回実行され、ステップ208においては、前記n回のT
EST2の実行過程において、当該TEST2にパスし
た半導体素子の個数m2 が抽出され、TEST2におけ
る良品率a2 が次式により計算される。
【0007】a2 =m2 /n×100(%) 次に、ステップ209においては、ステップ208にお
いて得られた半導体素子のTEST2における良品率a
2 が、前記ステップ202において設定された判定基準
Yと比較判定され、当該良品率a2 が前記判定基準Yよ
りも大きい場合には、残りのTEST2の実行は中止さ
れて、第3のテスト項目のテストに対応するステップ
(図示されない)に移行する。また、ステップ209に
おいて、良品率a2 が前記判定基準Yよりも小さい場合
には、ステップ210において、TEST2は中止され
ることなく最後まて実行され、その後に、第3のテスト
項目のテストに対応するステップ(図示されない)に移
行する。
いて得られた半導体素子のTEST2における良品率a
2 が、前記ステップ202において設定された判定基準
Yと比較判定され、当該良品率a2 が前記判定基準Yよ
りも大きい場合には、残りのTEST2の実行は中止さ
れて、第3のテスト項目のテストに対応するステップ
(図示されない)に移行する。また、ステップ209に
おいて、良品率a2 が前記判定基準Yよりも小さい場合
には、ステップ210において、TEST2は中止され
ることなく最後まて実行され、その後に、第3のテスト
項目のテストに対応するステップ(図示されない)に移
行する。
【0008】以降、k個のテスト項目数の各テスト項目
について、上記と同様のテストが順次繰返して実行さ
れ、最後のk番目のテスト項目については、ステップ2
11において、前記第1の測定手順に対応するTEST
kがn回実行され、ステップ212においては、前記n
回のTESTkの実行過程において、当該TESTkに
パスした半導体素子の個数mk が抽出され、TESTk
における良品率ak が次式により計算される。
について、上記と同様のテストが順次繰返して実行さ
れ、最後のk番目のテスト項目については、ステップ2
11において、前記第1の測定手順に対応するTEST
kがn回実行され、ステップ212においては、前記n
回のTESTkの実行過程において、当該TESTkに
パスした半導体素子の個数mk が抽出され、TESTk
における良品率ak が次式により計算される。
【0009】ak =mk /n×100(%) 次に、ステップ213においては、ステップ212にお
いて得られたTESTkにおける良品率ak が、前記ス
テップ202において設定された判定基準Yと比較判定
され、当該良品率ak が前記判定基準Yよりも大きい場
合には、残りのTESTkの実行は中止されて半導体装
置のウェハーの測定は全て終了となる。またステップ2
13において、良品率ak が前記判定基準Yよりも小さ
い場合には、ステップ214において、TESTkは中
止されることなく最後まて実行されて、半導体装置のウ
ェハーの測定が終了する。
いて得られたTESTkにおける良品率ak が、前記ス
テップ202において設定された判定基準Yと比較判定
され、当該良品率ak が前記判定基準Yよりも大きい場
合には、残りのTESTkの実行は中止されて半導体装
置のウェハーの測定は全て終了となる。またステップ2
13において、良品率ak が前記判定基準Yよりも小さ
い場合には、ステップ214において、TESTkは中
止されることなく最後まて実行されて、半導体装置のウ
ェハーの測定が終了する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置の試験方法においては、当該半導体装置のウェ−ハ
素子は、殆どの場合、製造が行われる時点において、予
めその必要数が決められている。しかし、ウェ−ハ1枚
当たりの半導体素子数にはバラツキがあり、必ずしも同
一数ではない。一方、ウェーハを測定する際には全ウェ
ーハ素子についての測定が行われるため、ウェーハによ
っては、必要数以上の半導体素子について測定が行われ
ることになり、テスターにより無駄なテストが繰返して
行われるという欠点がある。
装置の試験方法においては、当該半導体装置のウェ−ハ
素子は、殆どの場合、製造が行われる時点において、予
めその必要数が決められている。しかし、ウェ−ハ1枚
当たりの半導体素子数にはバラツキがあり、必ずしも同
一数ではない。一方、ウェーハを測定する際には全ウェ
ーハ素子についての測定が行われるため、ウェーハによ
っては、必要数以上の半導体素子について測定が行われ
ることになり、テスターにより無駄なテストが繰返して
行われるという欠点がある。
【0011】また、エンジニア・サンプリングという製
品の場合には、半導体素子は開発用として供給されてい
るために、その製品納期が最重要課題となる。このエン
ジニア・サンプリングの場合には、当該納期の短縮のた
めに、半導体素子が動作するための必要最小限の拡散工
程しか行われておらず、当該半導体素子を保護するため
のカバーリング等の工程は省略されており、品質上の保
証は行われていない。そのために、開発用として供給さ
れない半導体素子については、良品であっても組立工程
に進む前に、そのまま廃棄処分となり、廃棄される当該
半導体素子についてのウェーハ測定時間には、結果的に
無駄が生じるという欠点がある。
品の場合には、半導体素子は開発用として供給されてい
るために、その製品納期が最重要課題となる。このエン
ジニア・サンプリングの場合には、当該納期の短縮のた
めに、半導体素子が動作するための必要最小限の拡散工
程しか行われておらず、当該半導体素子を保護するため
のカバーリング等の工程は省略されており、品質上の保
証は行われていない。そのために、開発用として供給さ
れない半導体素子については、良品であっても組立工程
に進む前に、そのまま廃棄処分となり、廃棄される当該
半導体素子についてのウェーハ測定時間には、結果的に
無駄が生じるという欠点がある。
【0012】しかも、従来例においては、不要のテスト
項目を省略することにより、ウェーハ上の全チップのテ
ストを如何に速やかに行うかをポイントとしており、ウ
ェーハ上の全チップをテスト対象としていることには変
わりなく、本来のテスト時間の短縮に対しては、何等の
解決策とはなっていないという欠点がある。
項目を省略することにより、ウェーハ上の全チップのテ
ストを如何に速やかに行うかをポイントとしており、ウ
ェーハ上の全チップをテスト対象としていることには変
わりなく、本来のテスト時間の短縮に対しては、何等の
解決策とはなっていないという欠点がある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の測
定方法は、ウェーハ上の半導体素子の電気的特性をテス
トする半導体装置の測定方法において、テスト対象のウ
ェーハ素子の必要個数を規定する規定個数nセットの値
を設定する第1のステップと、前記ウェーハ素子に対す
るフルテストを実行し、当該フルテストにおけるウェー
ハ素子の良品数が前記規定個数nの数値に達した時点に
おいて、当該ウェーハの測定を終了とする第2のステッ
プと、を少なくとも有することを特徴としている。
定方法は、ウェーハ上の半導体素子の電気的特性をテス
トする半導体装置の測定方法において、テスト対象のウ
ェーハ素子の必要個数を規定する規定個数nセットの値
を設定する第1のステップと、前記ウェーハ素子に対す
るフルテストを実行し、当該フルテストにおけるウェー
ハ素子の良品数が前記規定個数nの数値に達した時点に
おいて、当該ウェーハの測定を終了とする第2のステッ
プと、を少なくとも有することを特徴としている。
【0014】なお、前記第2のステップにおいては、前
記ウェーハ素子に対するフルテストを逐次実行する第3
のステップと、前記第3のステップにおけるフルテスト
の実行に伴い、各フェーハ素子について当該フルテスト
をパス(PASS)したか否かをチェックする第4のス
テップと、前記第4のステップにおいて、フルテストを
パスしたものと判定されたウェーハ素子に対応して、当
該フルテストをパスしたウェーハ素子の良品数Xの計数
を行う第5のステップと、前記第5のステップにおいて
計数された良品数Xの計数値が前記規定個数のn個に到
達したか否かを判定する第6のステップとを有し、前記
良品数Xの計数値が規定個数のn個に到達したものと判
定される場合には、良品数Xの計数値が規定個数のn個
に達した時点において、本ウェーハの測定を終了とする
とともに、前記第6のステップにおいて、良品数Xの計
数値が規定個数のn個に達しないと判定される場合に
は、前記第3のステップに戻り再度テストを行うように
してもよい。
記ウェーハ素子に対するフルテストを逐次実行する第3
のステップと、前記第3のステップにおけるフルテスト
の実行に伴い、各フェーハ素子について当該フルテスト
をパス(PASS)したか否かをチェックする第4のス
テップと、前記第4のステップにおいて、フルテストを
パスしたものと判定されたウェーハ素子に対応して、当
該フルテストをパスしたウェーハ素子の良品数Xの計数
を行う第5のステップと、前記第5のステップにおいて
計数された良品数Xの計数値が前記規定個数のn個に到
達したか否かを判定する第6のステップとを有し、前記
良品数Xの計数値が規定個数のn個に到達したものと判
定される場合には、良品数Xの計数値が規定個数のn個
に達した時点において、本ウェーハの測定を終了とする
とともに、前記第6のステップにおいて、良品数Xの計
数値が規定個数のn個に達しないと判定される場合に
は、前記第3のステップに戻り再度テストを行うように
してもよい。
【0015】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0016】図1は本発明の一実施例によるウェーハの
測定手順を示すフローチャートである。図1において、
半導体装置の測定開始(101)に対応して、まずステ
ップ102において、各テスト項目について、テスト対
象のウェーハ素子に対し、事前に良品期待数として規定
される規定個数nセットの値が設定される。次いで、ス
テップ103においては、前記ウェーハ素子に対するフ
ルテストが逐次に実行され、ステップ104において
は、各ウェーハ素子について、前記フルテストの結果当
該フルテストをパス(PASS)したか否かのチェック
が行われ、当該フルテストをパスしたものと判定された
ウェーハ素子に対応する場合には、ステップ105に移
行して、当該ステップ105において、フルテストをパ
スしたウェーハ素子の良品数Xの計数が逐次行われる。
またステップ104においてフルテストにパスしなかっ
たウェーハ素子に対応する場合には、ステップ105に
おいて計数が行われることなく、そのままステップ10
6に移行する。ステップ106においては、ウェーハ素
子の良品数Xの計数値がn個に到達したか否かが判定さ
れて、当該良品数Xの計数値がn個になったものと判定
される場合には、当該良品数Xの計数値がn個になった
時点において、本ウェーハの測定は終了する(10
7)。また、ステップ106において、良品数Xの計数
値がn個に達しないと判定される場合には、ステップ1
03に戻り、再度ステップ103以降の測定手順が繰返
して実行される。そして、ステップ106において、良
品数Xの計数値がn個になった時点において、本ウェー
ハの測定は終了する(107)。
測定手順を示すフローチャートである。図1において、
半導体装置の測定開始(101)に対応して、まずステ
ップ102において、各テスト項目について、テスト対
象のウェーハ素子に対し、事前に良品期待数として規定
される規定個数nセットの値が設定される。次いで、ス
テップ103においては、前記ウェーハ素子に対するフ
ルテストが逐次に実行され、ステップ104において
は、各ウェーハ素子について、前記フルテストの結果当
該フルテストをパス(PASS)したか否かのチェック
が行われ、当該フルテストをパスしたものと判定された
ウェーハ素子に対応する場合には、ステップ105に移
行して、当該ステップ105において、フルテストをパ
スしたウェーハ素子の良品数Xの計数が逐次行われる。
またステップ104においてフルテストにパスしなかっ
たウェーハ素子に対応する場合には、ステップ105に
おいて計数が行われることなく、そのままステップ10
6に移行する。ステップ106においては、ウェーハ素
子の良品数Xの計数値がn個に到達したか否かが判定さ
れて、当該良品数Xの計数値がn個になったものと判定
される場合には、当該良品数Xの計数値がn個になった
時点において、本ウェーハの測定は終了する(10
7)。また、ステップ106において、良品数Xの計数
値がn個に達しないと判定される場合には、ステップ1
03に戻り、再度ステップ103以降の測定手順が繰返
して実行される。そして、ステップ106において、良
品数Xの計数値がn個になった時点において、本ウェー
ハの測定は終了する(107)。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、事前に
所要のウェーハ素子の個数を設定しておき、過剰に造ら
れるウェーハ素子の必要個数以上の測定を省略すること
により、当該ウェーハ素子に対する無駄な測定工数を排
除し、ウェーハの測定に要する時間を短縮することがで
きるという効果がある。1例として、必要個数が30個
のエンジニア・サンプル製品において、1枚当り400
個の素子が存在するウェーハの場合には、1素子当り1
5秒程度の時間を要するテストとして、従来例による場
合には、1〜1.7時間を要するテストが、本発明によ
れば、規定数設定値を40個とした場合に、10分程度
の時間内において全測定を完了させることができる。
所要のウェーハ素子の個数を設定しておき、過剰に造ら
れるウェーハ素子の必要個数以上の測定を省略すること
により、当該ウェーハ素子に対する無駄な測定工数を排
除し、ウェーハの測定に要する時間を短縮することがで
きるという効果がある。1例として、必要個数が30個
のエンジニア・サンプル製品において、1枚当り400
個の素子が存在するウェーハの場合には、1素子当り1
5秒程度の時間を要するテストとして、従来例による場
合には、1〜1.7時間を要するテストが、本発明によ
れば、規定数設定値を40個とした場合に、10分程度
の時間内において全測定を完了させることができる。
【図1】本発明の一実施例における測定手順のフローチ
ャートを示す図である。
ャートを示す図である。
【図2】従来例における測定手順のフローチャートを示
す図である。
す図である。
101、201 START 102 規定回数 nセット 103 フルテスト実行 104 パス? 105 良品数X=X+1 106 n=X? 107、215 END 202 統計採取数n設定/テストスキップ判定基準
Y設定 203 TEST1をn回実行 204 良品率a1 を計算 205 a1 <Y 206 最後までTEST1実行 207 TEST2をn回実行 208 良品率a1 を計算 209 a2 <Y 210 最後までTEST2実行 211 TESTkをn回実行 212 良品率ak を計算 213 ak <Y 214 最後までTEST実行
Y設定 203 TEST1をn回実行 204 良品率a1 を計算 205 a1 <Y 206 最後までTEST1実行 207 TEST2をn回実行 208 良品率a1 を計算 209 a2 <Y 210 最後までTEST2実行 211 TESTkをn回実行 212 良品率ak を計算 213 ak <Y 214 最後までTEST実行
Claims (2)
- 【請求項1】 ウェーハ上の半導体素子の電気的特性を
テストする半導体装置の測定方法において、 テスト対象のウェーハ素子の必要個数を規定する規定個
数nセットの値を設定する第1のステップと、 前記ウェーハ素子に対するフルテストを実行し、当該フ
ルテストにおけるウェーハ素子の良品数が前記規定個数
nの数値に達した時点において、当該ウェーハの測定を
終了とする第2のステップと、 を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の測定
方法。 - 【請求項2】 前記第2のステップにおいて、 前記ウェーハ素子に対するフルテストを逐次実行する第
3のステップと、 前記第3のステップにおけるフルテストの実行に伴い、
各フェーハ素子について当該フルテストをパス(PAS
S)したか否かをチェックする第4のステップと、 前記第4のステップにおいて、フルテストをパスしたも
のと判定されたウェーハ素子に対応して、当該フルテス
トをパスしたウェーハ素子の良品数Xの計数を行う第5
のステップと、 前記第5のステップにおいて計数された良品数Xの計数
値が前記規定個数のn個に到達したか否かを判定する第
6のステップと、 を有し、前記良品数Xの計数値が規定個数のn個に到達
したものと判定される場合には、良品数Xの計数値が規
定個数のn個に達した時点において、本ウェーハの測定
を終了とするとともに、前記第6のステップにおいて、
良品数Xの計数値が規定個数のn個に達しないと判定さ
れる場合には、前記第3のステップに戻り再度テストを
行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の測定
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12496395A JPH08321528A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 半導体装置の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12496395A JPH08321528A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 半導体装置の測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08321528A true JPH08321528A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14898559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12496395A Pending JPH08321528A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 半導体装置の測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08321528A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04180642A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Yamagata Ltd | プロービング装置 |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12496395A patent/JPH08321528A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04180642A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Yamagata Ltd | プロービング装置 |
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