JPH08307009A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH08307009A JPH08307009A JP8145796A JP8145796A JPH08307009A JP H08307009 A JPH08307009 A JP H08307009A JP 8145796 A JP8145796 A JP 8145796A JP 8145796 A JP8145796 A JP 8145796A JP H08307009 A JPH08307009 A JP H08307009A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 射端面の光吸収による温度上昇を防ぐことが
でき、高出力状態においても高い信頼性を有する半導体
レーザ素子が得られる。 【解決手段】 端面部のチャネル幅を広げる。
でき、高出力状態においても高い信頼性を有する半導体
レーザ素子が得られる。 【解決手段】 端面部のチャネル幅を広げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光ディス
クなどの情報映像分野における光源等として利用される
もので、高出力で安定な半導体レーザ素子の新しい構造
に関するものである。
クなどの情報映像分野における光源等として利用される
もので、高出力で安定な半導体レーザ素子の新しい構造
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置等の光源として半導体レ
ーザは幅広く使用されてきているが、書き込みの可能な
追記型ディスクや消去も可能な書き換え可能型光ディス
クの光源として用いるためには２０〜４０ｍＷという高
い光出力が必要とされる。現在比較的高出力の半導体レ
ーザが実用化されているが半導体レーザの信頼性を同一
構造の素子で比較した場合光出力の４乗に反比例するこ
とが報告されており、高出力化は極めて難しいと考えら
れる。
ーザは幅広く使用されてきているが、書き込みの可能な
追記型ディスクや消去も可能な書き換え可能型光ディス
クの光源として用いるためには２０〜４０ｍＷという高
い光出力が必要とされる。現在比較的高出力の半導体レ
ーザが実用化されているが半導体レーザの信頼性を同一
構造の素子で比較した場合光出力の４乗に反比例するこ
とが報告されており、高出力化は極めて難しいと考えら
れる。
【０００３】高出力半導体レーザの劣化の要因の１つに
光出射端面の劣化があることはよく知られている。図９
に従来の半導体レーザの構造図の一例を示す。
光出射端面の劣化があることはよく知られている。図９
に従来の半導体レーザの構造図の一例を示す。
【０００４】この構造はＶＳＩＳ（V-channeled Substr
ate Inner Stripe）レーザと呼ばれるものである。
ate Inner Stripe）レーザと呼ばれるものである。
【０００５】この従来の構造では、ｐ−ＧａＡｓ基板１
１上に電流を遮断するためのｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキ
ング層１２が堆積された後、ＧａＡｓ基板に到達するＶ
型溝が形成される。その上にｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層１３、ＧａＡｓ又はＧａＡｌＡｓ活性層１４、ｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層１５、ｎ−ＧａＡｓキャップ層１
６が順次堆積されている。この場合レーザ発振のための
電流はｎ−ＧａＡｓ層１２によって閉じ込められ幅Ｗ1
のチャネル部のみに流れる。活性層１４は平坦に形成さ
れているが、チャネル両側でのｎ−ＧａＡｓ層１２への
光吸収により実効屈折率が下がるため光導波路が形成さ
れ、基本横モード発振が安定して得られている。即ち、
損失導波機構の要素を有している。
１上に電流を遮断するためのｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキ
ング層１２が堆積された後、ＧａＡｓ基板に到達するＶ
型溝が形成される。その上にｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層１３、ＧａＡｓ又はＧａＡｌＡｓ活性層１４、ｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層１５、ｎ−ＧａＡｓキャップ層１
６が順次堆積されている。この場合レーザ発振のための
電流はｎ−ＧａＡｓ層１２によって閉じ込められ幅Ｗ1
のチャネル部のみに流れる。活性層１４は平坦に形成さ
れているが、チャネル両側でのｎ−ＧａＡｓ層１２への
光吸収により実効屈折率が下がるため光導波路が形成さ
れ、基本横モード発振が安定して得られている。即ち、
損失導波機構の要素を有している。
【０００６】上記ＶＳＩＳレーザは、安定した基本横モ
ード発振が得られ低光出力レベルでは高い信頼性を有す
るが高出力レベルになると信頼性は大きく低下し長時間
の使用に耐えないという欠点があった。
ード発振が得られ低光出力レベルでは高い信頼性を有す
るが高出力レベルになると信頼性は大きく低下し長時間
の使用に耐えないという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の劣化原因を詳し
く調べてみると、素子の劣化は端面Ｖ溝肩部の劣化に起
因しており、Ｖ溝肩部のｎ−ＧａＡｓ層１２の光吸収に
よる発熱が大きな原因であることが明らかになった。
く調べてみると、素子の劣化は端面Ｖ溝肩部の劣化に起
因しており、Ｖ溝肩部のｎ−ＧａＡｓ層１２の光吸収に
よる発熱が大きな原因であることが明らかになった。
【０００８】即ち、従来の損失導波機構の要素を有する
半導体レーザ素子においては、特に共振器端面部近傍の
チャネル両側での光吸収によりレーザ端面部の温度が上
昇し高出力状態では、この温度上昇が端面劣化を引き起
こすことになり、高出力状態での信頼性を低下させてい
た。
半導体レーザ素子においては、特に共振器端面部近傍の
チャネル両側での光吸収によりレーザ端面部の温度が上
昇し高出力状態では、この温度上昇が端面劣化を引き起
こすことになり、高出力状態での信頼性を低下させてい
た。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板上方に積層された、均一な厚さを有する平板状
の活性層と、ストライプ状の貫通溝を有する光吸収層
と、を有し、該光吸収層による光吸収により該活性層に
実効屈折率差に基づくストライプ状の光導波路が形成さ
れるように該貫通溝の溝幅が設定され、かつ、該溝幅が
共振器の少なくとも一方の端面近傍部分で拡大されてい
ることを特徴とするものである。
は、基板上方に積層された、均一な厚さを有する平板状
の活性層と、ストライプ状の貫通溝を有する光吸収層
と、を有し、該光吸収層による光吸収により該活性層に
実効屈折率差に基づくストライプ状の光導波路が形成さ
れるように該貫通溝の溝幅が設定され、かつ、該溝幅が
共振器の少なくとも一方の端面近傍部分で拡大されてい
ることを特徴とするものである。
【００１０】以上の本発明の半導体素子は、少なくとも
一方のレーザ共振器端面部近傍において、チャネル幅を
中央に比べて広く形成することにより、端面での光の吸
収を抑え、発熱を可及的に抑制させるように構成されて
いる。それゆえに、本発明の主たる目的は半導体レーザ
端面での劣化を抑え、高出力状態でも安定に動作する半
導体レーザ素子を提供することにある。
一方のレーザ共振器端面部近傍において、チャネル幅を
中央に比べて広く形成することにより、端面での光の吸
収を抑え、発熱を可及的に抑制させるように構成されて
いる。それゆえに、本発明の主たる目的は半導体レーザ
端面での劣化を抑え、高出力状態でも安定に動作する半
導体レーザ素子を提供することにある。
【００１１】本発明に係る半導体レーザ素子はレーザの
共振器端面部の構造を従来のものと変えることによって
端面部の温度上昇が小さくなり、そのため劣化が抑制さ
れ、高出力状態でも高い信頼性を有し、かつ安定な基本
横モード発振が得られる。
共振器端面部の構造を従来のものと変えることによって
端面部の温度上昇が小さくなり、そのため劣化が抑制さ
れ、高出力状態でも高い信頼性を有し、かつ安定な基本
横モード発振が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の１実施例を示す半
導体レーザ素子を模式的に分解して示す斜視図であり、
共振方向に沿って配置される端面部Ａ，Ｃと中央部Ｂか
ら構成されている。
導体レーザ素子を模式的に分解して示す斜視図であり、
共振方向に沿って配置される端面部Ａ，Ｃと中央部Ｂか
ら構成されている。
【００１３】図２は本実施例のチャネル形成状態を模式
的に示したものである。
的に示したものである。
【００１４】以下、本実施例の作製手順について詳細に
延べる。
延べる。
【００１５】まず、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に液相エピ
タキシャル成長法によりｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング
層１２を約０．７μｍ厚に堆積させた後、通常のホトリ
ソグラフィー技術とエッチング技術により図１に示すよ
うな端面近傍で幅Ｗ2＝１０μｍ共振器中央部で幅Ｗ1＝
４μｍ、深さ１μｍの溝を形成する。ｎ−ＧａＡｓ電流
ブロッキング層１２の成長方法としては他に気相成長法
等を用いてもよい。
タキシャル成長法によりｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング
層１２を約０．７μｍ厚に堆積させた後、通常のホトリ
ソグラフィー技術とエッチング技術により図１に示すよ
うな端面近傍で幅Ｗ2＝１０μｍ共振器中央部で幅Ｗ1＝
４μｍ、深さ１μｍの溝を形成する。ｎ−ＧａＡｓ電流
ブロッキング層１２の成長方法としては他に気相成長法
等を用いてもよい。
【００１６】その後、液相エピタキシャル成長法を用い
て、図１に示すようなｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッ
ド層１３を溝外側部で０．１５μｍ厚にｐまたはｎ−Ａ
ｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層１４を０．０８μｍ厚に、さ
らにｎ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層１５を０．８
μｍ厚にｎ−ＧａＡｓ−コンタクト層１６を１．５μｍ
厚にそれぞれ成長させる。液相エピタキシャル成長法に
おいては陥没部を平坦化するように成長が行われるため
ｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層１３の成長後は成
長表面は平坦であり続いて成長されるＡｌ0.14Ｇａ0.86
Ａｓ活性層１４も全面で平坦かつ均一な厚さに成長させ
ることができる。
て、図１に示すようなｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッ
ド層１３を溝外側部で０．１５μｍ厚にｐまたはｎ−Ａ
ｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層１４を０．０８μｍ厚に、さ
らにｎ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層１５を０．８
μｍ厚にｎ−ＧａＡｓ−コンタクト層１６を１．５μｍ
厚にそれぞれ成長させる。液相エピタキシャル成長法に
おいては陥没部を平坦化するように成長が行われるため
ｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層１３の成長後は成
長表面は平坦であり続いて成長されるＡｌ0.14Ｇａ0.86
Ａｓ活性層１４も全面で平坦かつ均一な厚さに成長させ
ることができる。
【００１７】その後、ウェハの両面に抵抗性全面電極を
つけ、合金化処理を行った後、ストライプ幅が広い領域
で劈開を行い共振器を形成する。本実施例においてはレ
ーザ共振器長は２５０μｍ、ストライプ幅が広い領域は
両端面に各々１０μｍとしている。
つけ、合金化処理を行った後、ストライプ幅が広い領域
で劈開を行い共振器を形成する。本実施例においてはレ
ーザ共振器長は２５０μｍ、ストライプ幅が広い領域は
両端面に各々１０μｍとしている。
【００１８】従って、半導体レーザの両端面のｎ−Ｇａ
Ａｓ電流ブロッキング層１２による光吸収がなく、端面
の温度上昇が抑えられ、高い信頼性を示し、出射側端面
４％裏面側９７％の反射率のコーティングを施したとこ
ろ８０ｍＷの高光出力状態でも殆ど無劣化の特性を示し
た。
Ａｓ電流ブロッキング層１２による光吸収がなく、端面
の温度上昇が抑えられ、高い信頼性を示し、出射側端面
４％裏面側９７％の反射率のコーティングを施したとこ
ろ８０ｍＷの高光出力状態でも殆ど無劣化の特性を示し
た。
【００１９】本実施例においては幅広チャネル部の長さ
を両端に１０μｍとしたが、この長さが３０μｍ以内で
あると、共振器中央部で導波されてきた光は幅広チャネ
ル部で完全にはモード変形されず、安定な横モード特性
を示す。また幅広チャネル部を出射側端面部のみに形成
した場合でも効果は発揮される。
を両端に１０μｍとしたが、この長さが３０μｍ以内で
あると、共振器中央部で導波されてきた光は幅広チャネ
ル部で完全にはモード変形されず、安定な横モード特性
を示す。また幅広チャネル部を出射側端面部のみに形成
した場合でも効果は発揮される。
【００２０】図３は、本発明の他の実施例を示す半導体
レーザ素子を模式的に分解した斜視図である。本実施例
共振器端面近傍のチャネル幅が基板の側壁面まで広げた
１実施例である。
レーザ素子を模式的に分解した斜視図である。本実施例
共振器端面近傍のチャネル幅が基板の側壁面まで広げた
１実施例である。
【００２１】以下にこの実施例の作製手順について図４
に沿って説明する。
に沿って説明する。
【００２２】まず、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−Ｇａ
Ａｓ電流ブロッキング層１２を図４（ａ）のように約
０．７μｍ厚に堆積させる。その後、スパッタ法により
０．３μｍ厚のＳｉＯ2膜３１を形成し、それをマスク
としてレーザ共振器の両端面となる部分の長さを１０μ
ｍにわたり０．８μｍの深さの溝を形成する。これが図
４（ｂ）の状態である。その後、前記ＳｉＯ2膜をその
ままマスクとして用いて有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ
法）を用いてｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ層３２を０．８
μｍ厚に、さらに後の成長を円滑にするためのアンドー
プＧａＡｓエッチバック層３３を０．０５μｍ厚に堆積
させる（図４（ｃ））。この状態でｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロッキング層１２とｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ層３２の
表面の高さは整って一致している。次にＳｉＯ2膜３１
をエッチングにより除去した後、図４（ｅ）に示すよう
なｐ−ＧａＡｓ基板１１に達するＶ型溝を幅Ｗ1＝４μ
ｍ、深さ１μｍに形成する。その後、従来のＶＳＩＳレ
ーザの成長方法と同じように液相成長を用いてｐ−Ａｌ
0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層１３を溝外側部で０．１５
μｍ厚に、ｐ又はｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層１４
を０．０８μｍ厚に、ｎ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッ
ド層１５を０．８μｍ厚に、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層
１６を１．５μｍ厚にそれぞれ成長させる。液相エピタ
キシャル成長法においては陥没部を平坦化するように成
長が行われるため、ｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド
層１３の成長後は成長表面は平坦であり、続いて成長さ
れるＡｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層１４も全面で平坦かつ
均一に成長させることができる。
Ａｓ電流ブロッキング層１２を図４（ａ）のように約
０．７μｍ厚に堆積させる。その後、スパッタ法により
０．３μｍ厚のＳｉＯ2膜３１を形成し、それをマスク
としてレーザ共振器の両端面となる部分の長さを１０μ
ｍにわたり０．８μｍの深さの溝を形成する。これが図
４（ｂ）の状態である。その後、前記ＳｉＯ2膜をその
ままマスクとして用いて有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ
法）を用いてｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ層３２を０．８
μｍ厚に、さらに後の成長を円滑にするためのアンドー
プＧａＡｓエッチバック層３３を０．０５μｍ厚に堆積
させる（図４（ｃ））。この状態でｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロッキング層１２とｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ層３２の
表面の高さは整って一致している。次にＳｉＯ2膜３１
をエッチングにより除去した後、図４（ｅ）に示すよう
なｐ−ＧａＡｓ基板１１に達するＶ型溝を幅Ｗ1＝４μ
ｍ、深さ１μｍに形成する。その後、従来のＶＳＩＳレ
ーザの成長方法と同じように液相成長を用いてｐ−Ａｌ
0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層１３を溝外側部で０．１５
μｍ厚に、ｐ又はｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層１４
を０．０８μｍ厚に、ｎ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッ
ド層１５を０．８μｍ厚に、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層
１６を１．５μｍ厚にそれぞれ成長させる。液相エピタ
キシャル成長法においては陥没部を平坦化するように成
長が行われるため、ｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド
層１３の成長後は成長表面は平坦であり、続いて成長さ
れるＡｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層１４も全面で平坦かつ
均一に成長させることができる。
【００２３】また、アンドープＧａＡｓエッチバック層
３３はｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ層３２の酸化を有効に
防ぎ、液相成長時にはエッチバックにより消失するため
共振器端面部はｐ−クラッド層が０．９５μｍ厚に一様
に形成されたことになり、この部分での光の吸収は存在
しない。その後ウェハの両面に抵抗性全面電極をつけ、
合金化処理を行った後、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング
層１２の存在しない部分で劈開を行い共振器を形成す
る。
３３はｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ層３２の酸化を有効に
防ぎ、液相成長時にはエッチバックにより消失するため
共振器端面部はｐ−クラッド層が０．９５μｍ厚に一様
に形成されたことになり、この部分での光の吸収は存在
しない。その後ウェハの両面に抵抗性全面電極をつけ、
合金化処理を行った後、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング
層１２の存在しない部分で劈開を行い共振器を形成す
る。
【００２４】このレーザは両端面部での光吸収がなく端
面の温度上昇が抑えられ高い信頼性を示し出射側端面４
％裏面側９７％の反射率のコーティングを施したところ
８０ｍＷの高出力状態でも殆ど無劣化の特性を示した。
面の温度上昇が抑えられ高い信頼性を示し出射側端面４
％裏面側９７％の反射率のコーティングを施したところ
８０ｍＷの高出力状態でも殆ど無劣化の特性を示した。
【００２５】本実施例では端面のｎ−ＧａＡｓ電流ブロ
ッキング層１２の存在しない部分の長さを共振器両端に
１０μｍずつとしたが、この長さが３０μｍ以内であれ
ば共振器中央部で導波されてきた光は端面部においても
モード変形されず、安定な横モード特性を示す。また、
このｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング層１２の存在しない
部分を出射側端面部のみに形成した場合でも効果は発揮
される。
ッキング層１２の存在しない部分の長さを共振器両端に
１０μｍずつとしたが、この長さが３０μｍ以内であれ
ば共振器中央部で導波されてきた光は端面部においても
モード変形されず、安定な横モード特性を示す。また、
このｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング層１２の存在しない
部分を出射側端面部のみに形成した場合でも効果は発揮
される。
【００２６】上記実施例においてはＶＳＩＳ型の半導体
レーザに適用した場合を示したが、次に他の構造に適用
した場合について示す。他の構造の一つにＣＰＳレーザ
（Transverse Mode Stabilized AlxGa1-xAs Injection
Lasers with Channeled-Planar Structure;IEEE JOURNA
L OF QUANTUM ELECTRONICS,vol,QE-14,No.2,February19
87,p89）がある。図５は本発明をＣＳＰレーザに適用し
た実施例を示している。本実施例ではｎ−ＧａＡｓ基板
１１にチャネルを形成するが、その際、中央部のチャネ
ル幅Ｗ1より端面部のチャネル幅Ｗ2が大きくなるように
する。その後、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層４２、
ＧａＡｓ活性層４３、ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層
４４、ｎ−ＧａＡｓ層４５を形成した後Ｚｎの拡散領域
４８を形成して電流通路を作成する。この場合も、チャ
ネルの外部では、ｎ−ＧａＡｓ基板の光吸収があり、チ
ャネル肩部の発熱がおこるが端面でチャネル幅を広げる
ことによりこの発熱は緩和され、信頼性が向上する。こ
の場合も端面部で全面にわたりチャネルと同じ深さに基
板をエッチングしてもよいし、このような構造を片方の
端面のみに形成しても両側に形成しても効果は発揮され
る。
レーザに適用した場合を示したが、次に他の構造に適用
した場合について示す。他の構造の一つにＣＰＳレーザ
（Transverse Mode Stabilized AlxGa1-xAs Injection
Lasers with Channeled-Planar Structure;IEEE JOURNA
L OF QUANTUM ELECTRONICS,vol,QE-14,No.2,February19
87,p89）がある。図５は本発明をＣＳＰレーザに適用し
た実施例を示している。本実施例ではｎ−ＧａＡｓ基板
１１にチャネルを形成するが、その際、中央部のチャネ
ル幅Ｗ1より端面部のチャネル幅Ｗ2が大きくなるように
する。その後、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層４２、
ＧａＡｓ活性層４３、ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層
４４、ｎ−ＧａＡｓ層４５を形成した後Ｚｎの拡散領域
４８を形成して電流通路を作成する。この場合も、チャ
ネルの外部では、ｎ−ＧａＡｓ基板の光吸収があり、チ
ャネル肩部の発熱がおこるが端面でチャネル幅を広げる
ことによりこの発熱は緩和され、信頼性が向上する。こ
の場合も端面部で全面にわたりチャネルと同じ深さに基
板をエッチングしてもよいし、このような構造を片方の
端面のみに形成しても両側に形成しても効果は発揮され
る。
【００２７】また、上記実施例においてはダブルヘテロ
接合構造の半導体レーザについて説明したが他の構造、
たとえばＬＯＣ（Large Optical Cavity）構造、ＳＣＨ
（Separate Confinement Heterostructure）構造量子井
戸構造等他の構造を用いた場合についても適用可能であ
る。
接合構造の半導体レーザについて説明したが他の構造、
たとえばＬＯＣ（Large Optical Cavity）構造、ＳＣＨ
（Separate Confinement Heterostructure）構造量子井
戸構造等他の構造を用いた場合についても適用可能であ
る。
【００２８】例えば、図６は本発明をＬＯＣ構造に適用
したもので、活性層１４に隣接して光導波層１８が積層
されているが、上記実施例と同様の効果が認められる。
また、図７は量子井戸構造に本発明を適用した場合の１
実施例であるＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＳＱＷ（Graded Index
-Separate Confinement Hetetostructure-Single Quant
um Well）構造を示す構成図であり、上記実施例と同様
の効果が認められる。図８には図７の実施例の活性層の
混晶比の分布を示している。
したもので、活性層１４に隣接して光導波層１８が積層
されているが、上記実施例と同様の効果が認められる。
また、図７は量子井戸構造に本発明を適用した場合の１
実施例であるＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＳＱＷ（Graded Index
-Separate Confinement Hetetostructure-Single Quant
um Well）構造を示す構成図であり、上記実施例と同様
の効果が認められる。図８には図７の実施例の活性層の
混晶比の分布を示している。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば端面部のチャネル幅を広
げることにより出射端面の光吸収による温度上昇を防ぐ
ことができ、高出力状態においても高い信頼性を有する
半導体レーザ素子が得られる。
げることにより出射端面の光吸収による温度上昇を防ぐ
ことができ、高出力状態においても高い信頼性を有する
半導体レーザ素子が得られる。
【図１】本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の分
解構成図である。
解構成図である。
【図２】チャネル形成後の構造斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す半導体レーザ素子の
分解構成図である。
分解構成図である。
【図４】素子の作製工程を模式的に示した断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の他の実施例を示す半導体レーザ素子の
分解構成図である。
分解構成図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す半導体レーザ素子の
分解構成図である。
分解構成図である。
【図７】本発明の他の実施例を示す半導体レーザ素子の
分解構成図である。
分解構成図である。
【図８】図７に示す半導体レーザ素子の活性層の構造を
模式的に示した説明図である。
模式的に示した説明図である。
【図９】従来の半導体レーザ素子の構造図である。
１１ ｐ−ＧａＡｓ基板 １２ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング層 １３ ｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層 １４ ｐまたはｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層 １５ ｎ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層 １６ ｎ−ＧａＡｓコンタクト層 １７ ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層 １８ ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓガイド層 １９ ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓクラッド層 ２１、２２ 抵抗性電極 ３１ ＳｉＯ2膜 ３２ ｐ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ層 ３３ アンドープＧａＡｓエッチバック層 ４１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ４２ ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層 ４３ ＧａＡｓ活性層 ４４ ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層 ４５ ｎ−ＧａＡｓ層 ４６、４７ 抵抗性電極 ４８ Ｚｎ拡散領域 ５１ ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓクラッド層 ５２ ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＳＱＷ活性層 ５３ ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓクラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兼岩 進治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 山口 雅広 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上方に積層された、均一な厚さを有
する平板状の活性層と、ストライプ状の貫通溝を有する
光吸収層と、を有し、 該光吸収層による光吸収により該活性層に実効屈折率差
に基づくストライプ状の光導波路が形成されるように該
貫通溝の溝幅が設定され、かつ、該溝幅が共振器の少な
くとも一方の端面近傍部分で拡大されていることを特徴
とする半導体レーザ素子。
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|---|---|---|---|
| JP08081457A JP3075512B2 (ja) | 1987-08-04 | 1996-04-03 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (3)
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| JP19572287 | 1987-08-04 | ||
| JP08081457A JP3075512B2 (ja) | 1987-08-04 | 1996-04-03 | 半導体レーザ素子 |
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| JP62333967A Division JPH0671122B2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-12-29 | 半導体レーザ素子 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10223966A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Sharp Corp | 利得結合分布帰還型半導体レーザ装置 |
| CN100375349C (zh) * | 2000-06-08 | 2008-03-12 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体激光元件及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-04-03 JP JP08081457A patent/JP3075512B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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