JPH08287515A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents

光学的情報記録媒体

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JPH08287515A
JPH08287515A JP8018015A JP1801596A JPH08287515A JP H08287515 A JPH08287515 A JP H08287515A JP 8018015 A JP8018015 A JP 8018015A JP 1801596 A JP1801596 A JP 1801596A JP H08287515 A JPH08287515 A JP H08287515A
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JP
Japan
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optical information
recording medium
dielectric layer
information recording
layer
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JP8018015A
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English (en)
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Hideki Kitaura
英樹 北浦
Tetsuya Akiyama
哲也 秋山
Takeo Ota
威夫 太田
Kenichi Osada
憲一 長田
Katsumi Kawahara
克巳 河原
Noboru Yamada
昇 山田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高線速・高密度のオーバーライトにおいてジッ
タの増大しない良好な記録消去特性を有し、繰り返し特
性の良好な光学的情報記録媒体を提供する。 【解決手段】基板(1)上に少なくともレーザー光の照射
により光学的特性の異なる結晶相とアモルファス相との
間を可逆的に変化する記録層(3)、記録層の上下に第１
の誘電体層(2)及び第２の誘電体層(4)、第１または第２
の誘電体層の記録層と反対の側に第３の誘電体層(5)を
積層し、第３の誘電体層として第１、第２の誘電体層よ
り熱膨張係数の小さい材料を用いる。これにより第１及
び第２の誘電体層の熱変形を小さくし、記録薄膜の物質
移動を抑制し、繰り返し特性を向上させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶相・アモルフ
ァス相との間で光学的特性が異なる記録層を用いた記録
媒体に関し、とくに基板上に形成された相変化材料薄膜
に、たとえばレーザービーム等の高エネルギービームを
照射することにより、信号品質の高い情報信号をオーバ
ーライトすることのできる書換可能な光学的情報記録媒
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に形成したカルコゲン材料等の薄
膜にレーザー光線を照射して局所的な加熱を行い、照射
条件の違いにより光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）の
異なるアモルファス相と結晶相との間で可逆的に相変化
させることが可能であり、特定の波長の光に対する反射
光量あるいは透過光量の差を信号として検出する高速・
高密度情報記録を行う方法の一つとして応用開発が行わ
れてきた。
【０００３】相変化記録においては単一のレーザービー
ムのみを使い、レーザー出力を記録レベルと消去レベル
の２レベル間で情報信号に応じて変調し情報トラック上
に照射すると、既存の信号を消去しつつ新しい信号を記
録することが可能である（特開昭５６−１４５５３０号
公報）。この方法は光磁気記録のように磁気回路部品が
不要なことからヘッドが簡素化できる点、消去と記録が
同時に行えるため書換時間を短縮できる点が情報の記録
に有利であると考えられる。
【０００４】前記のような光学的情報記録媒体において
は、繰り返し使用する際の記録層の蒸発等を防止する目
的でＺｎＳ、ＳｉＯ2 等の耐熱性に優れた誘電体層を記
録層の上下に設け、更に、基板と反対側の誘電体層の上
に入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させてアモル
ファス化しやすくする目的で金属材料等の反射層を設け
るのが一般的である。
【０００５】ところが、単一ビームによるオーバーライ
トの場合、アモルファス部と結晶部とで光吸収率が異な
り、結晶部では融解潜熱が必要であるため両者の間に光
吸収感度の差が生じ、オーバーライト時に新旧の記録マ
ークの重なり具合によってマークの形状が微妙に歪んで
しまう。これにより再生信号の時間軸方向の誤差（ジッ
タ）の増大や消去率の低下が起こり、記録の高線速・高
密度化、とりわけマークエッジ記録方式の導入に際して
大きな課題となる。
【０００６】この課題を解決するには、結晶部とアモル
ファス部の光吸収感度を等しくする必要がある。そのた
めには、波長λのレーザー光線の照射における結晶部の
吸収率及び反射率をそれぞれＡcry及びＲcry、アモルフ
ァス部のそれらをそれぞれＡamo及びＲamoとして、吸収
率差ΔＡ＝Ａcry−Ａamoが結晶部の融解潜熱分をキャン
セルする意味で５％以上であることが必要である。加え
て、十分なＣ／Ｎ比を得るために反射率差ΔＲ＝Ｒcry
−Ｒamoが１５％以上であるのが望ましい（特開平５−
２９８７４７号公報及び特開平５−２９８７４８号公
報）。
【０００７】ところが、反射層の反射率が高いか、記録
層が厚すぎて入射光が基板と反対の側へほとんど透過し
ない場合、ΔＡとΔＲの和がほぼ０になってしまい前記
の条件を満たさなくなる。従って、適度に光を透過する
材料及び構成が必要となり、記録層及びその上下の第
１、第２の誘電体層からなり、反射層を有さない３層構
成（特開平３−１１３８４４号公報及び特開平５−２９
８７４８号公報）、反射率の低い材料を用いた反射層、
あるいは膜厚が十分薄い反射層を有する４層構成（特開
平４−１０２２４３号公報及び特開平５−２９８７４７
号公報）が開示されている。なかでも、特開平５−２９
８７４７号公報及び特開平５−２９８７４８号公報にお
いてはΔＡ≧５％及びΔＲ≧１５％を同時に満足する構
成が開示されている。他に反射層を用いた一般的な例と
しては、米国特許第5,395,669号等が提案されている。
【０００８】図５は前記従来から一般的である反射層を
用いた光学的情報記録媒体の断面図である。透明なポリ
カーボネート樹脂基板の表面に、厚さ約１６０ｎｍのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１の誘電体層、厚さ約２５ｎ
ｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる記録層３、厚さ約３
０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２の誘電体層４、
厚さ約１００ｎｍのアルミニウム等の金属反射層７がこ
の順序に積層されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記従来例のうち繰り
返し特性に関する開示のあるものとして、例えば特開平
３−１１３８４４号公報が挙げられる。この場合には繰
り返し特性向上の要因としてジッタの増大を抑制するこ
とが挙げられているだけで、ビットエラーレートが線速
７．５ｍ／ｓでパルス幅９０ｎｓの３．７０ＭＨｚ及び
１．３９ＭＨｚの信号を交互に１万回繰り返し記録した
場合において劣化が見られないというものであった。繰
り返し特性の劣化については、レーザー光の照射による
急速な加熱により誘電体層が熱変形し、ディスクの回転
方向への記録薄膜の物質移動を生じることが主な原因と
考えられており、光吸収率差を補正してジッタの増大を
抑制しただけではこの問題は解決されない。
【００１０】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、高線速・高密度のオーバーライトにおいてジッタの
増大しない良好な記録消去特性を有し、なおかつ繰り返
し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の光学的情報記録媒体は、基板上に、光ビー
ムの照射により光学的に検出可能な２状態間で可逆的に
変化する記録層と、前記記録層の両面側にそれぞれ第１
の誘電体層及び第２の誘電体層を備えた光学的情報記録
媒体であって、前記第１の誘電体層及び第２の誘電体層
から選ばれる少なくとも一方の層の外側に第３の誘電体
層を備え、前記第３の誘電体層が前記第１、第２の誘電
体層より熱膨張係数が小さい材料であり、かつ金属反射
層を設けないことを特徴とする。
【００１２】前記光学的情報記録媒体においては、第３
の誘電体層の熱膨張係数が、２．０×１０-6Ｋ-1以下の
材料であることが好ましい。また前記光学的情報記録媒
体においては、第３の誘電体層が、ＳｉＯ2 、Ｔａ
2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも一つの無機酸化
物を主成分とすることが好ましい。ここで主成分とは、
７０〜１００モル％程度が好ましい。副成分としては、
Ｎ，Ｓ，Ｃ，Ｆ，Ｈ等を適宜添加してもよい。ここで副
成分とは、０〜３０モル％程度が好ましい。
【００１３】また前記光学的情報記録媒体においては、
第３の誘電体層の無機酸化物主成分が７０〜１００モル
％であり、かつ副成分はＮ，Ｓ，Ｃ，Ｆ，Ｈから選ばれ
る少なくとも一つの元素が０〜３０モル％の範囲添加さ
れていることが好ましい。
【００１４】また前記光学的情報記録媒体においては、
第３の誘電体層の厚さが、１０〜４００ｎｍの範囲であ
ることが好ましい。また前記光学的情報記録媒体におい
ては、記録層、第１の誘電体層及び第２の誘電体層のそ
れぞれの厚さが、２〜３００ｎｍの範囲であることが好
ましい。
【００１５】また前記光学的情報記録媒体においては、
第１及び第２の誘電体層の熱膨張係数が、１．０×１０
-6Ｋ-1〜３０．０×１０-6Ｋ-1の範囲であることが好ま
しい。
【００１６】また前記光学的情報記録媒体においては、
第１及び第２の誘電体層が、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2，Ｔｉ
Ｏ2、ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＴｉＮ，ＳｉＣ，ＺｎＳ，Ｐ
ｂＳ，ＺｎＳｅ，ＣａＦ2、から選ばれる少なくとも一
つの無機物を主成分とすることが好ましい。
【００１７】また前記光学的情報記録媒体においては、
第１及び第２の誘電体層に、副成分としてＳｉＯ2 、Ｔ
ａ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも一つの無機酸
化物を３０モル％以下含ませてもよい。
【００１８】また前記光学的情報記録媒体においては、
第１及び第２の誘電体層が、７０〜１００モル％のＺｎ
Ｓと３０〜０モル％のＳｉＯ2 の混合物であることが好
ましい。
【００１９】また前記光学的情報記録媒体においては、
記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐ
ｄ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓ
ｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ
ｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ−Ｓｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ−Ａ
ｕ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ及びＩｎ−Ｓｅから選ばれる各カルコゲン化合
物、またはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭素、フッ素、
水素から選ばれる少なくとも一つの元素を添加したこと
が好ましい。
【００２０】また前記光学的情報記録媒体においては、
記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系のカルコゲン化合物、ま
たはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭素、フッ素、水素か
ら選ばれる少なくとも一つの元素を添加したことが好ま
しい。
【００２１】また前記光学的情報記録媒体においては、
基板が、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレ
ート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ガラスから選ばれる少
なくとも一つの材料であることが好ましい。
【００２２】また前記光学的情報記録媒体においては、
前記光ビームの内で前記記録媒体に反射される比率（反
射率）、及び前記記録層に吸収される比率（吸収率）を
前記記録層が結晶相である場合にはＲcry及びＡcry、ア
モルファス相である場合にはＲamo及びＡamoとしたと
き、反射率差ΔＲ＝Ｒcry−Ｒamoが１５％以上であり、
吸収率ΔＡ＝Ａcry−Ａamoが５％以上であることが好ま
しい。
【００２３】また前記光学的情報記録媒体においては、
第３の誘電体層が、第１及び第２の誘電体層より屈折率
が小さい材料であることが好ましい。また前記光学的情
報記録媒体においては、第３の誘電体層の屈折率ｎが、
１．２以上１．８以下の範囲の材料であることが好まし
い。
【００２４】また前記光学的情報記録媒体においては、
基板側から測定される反射率が、情報を記録する前及び
後ともに５０％未満であることが好ましい。また前記光
学的情報記録媒体においては、基板側から測定される反
射率が、情報を記録する前及び後ともに３０％未満であ
ることが好ましい。
【００２５】前記第１〜３の誘電体層及び記録層は、真
空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition）、ＭＢＥ
法（Molecular Beam Epitaxy）などによって形成するこ
とができる。
【００２６】本発明によれば、記録層の上下の第１、第
２の誘電体層の少なくとも一方の外側に、熱膨張係数が
小さい誘電体材料の層（第３の誘電体層）を設け、金属
反射層を設けないことにより、第１及び第２の誘電体層
の熱変形を小さくし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰
り返し特性を向上させることができる。また、第３の誘
電体層として屈折率が小さいものを選ぶことにより、こ
の層を導入しても従来の３層構成の良好な光学特性をほ
とんど変えることなく繰り返し特性の良好な光学的情報
記録媒体を提供することができる。
【００２７】また本発明によれば、基板上に少なくとも
レーザー光の照射により光学的特性の異なる結晶相とア
モルファス相との間を可逆的に変化する記録層、記録層
の上下に第１の誘電体層及び第２の誘電体層、第１また
は第２の誘電体層の記録層と反対の側に第３の誘電体層
を積層し、第３の誘電体層として第１、第２の誘電体層
より熱膨張係数の小さい材料を用いる。そして金属反射
層は形成しない。これにより第１及び第２の誘電体層の
熱変形を小さくし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰り
返し特性を向上させることができ、また第３の誘電体層
として屈折率が小さいものを選ぶことにより、この層を
導入しても従来の３層構成の良好な光学特性をほとんど
変えることなく繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒
体を提供することができる。
【００２８】また本発明により、オーバーライトにおい
てジッタの増大しない良好な記録消去特性を有し、なお
かつ繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供で
きる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態を図面を用
いて説明する。図１において、１は透明なディスク基
板、２は第１の誘電体層で、たとえばＺｎＳ−ＳｉＯ2
の混合材料、３は記録層で、たとえばＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ
からなる合金薄膜、４は第２の誘電体層で、たとえば第
１の誘電体層と同じ材料、５は第３の誘電体層で、たと
えばＳｉＯ2 で形成されている。これらはスパッタリン
グ法で形成できる。図２に示すディスク構成は、第３の
誘電体層５として、図１の構成の第３の誘電体層を基板
と第１の誘電体層２との間に積層したものである。図３
に示すディスク構成は、第３の誘電体層５を第２の誘電
体層４の外側に形成し、第３の誘電体層と同じ材料を第
４の誘電体層６として基板と第１の誘電体層２との間に
積層したものである。
【００３０】次に本発明で使用する誘電体層材料の熱膨
張係数を下記表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】なお、透明基板の厚さはとくに限定されな
いが、０．６〜１．２ｍｍ程度のものを使用できる。
【００３３】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。以下の実施例において、Ｃ／Ｎ比、消去
比は、周波数ｆ１の単一パターン信号を記録した際の同
周波数成分のＣ／Ｎ比と、その上に周波数ｆ２の単一パ
ターン信号をオーバーライトした際の消去比（ｆ１成分
の信号強度の減衰比）を測定して求めた。
【００３４】また、ジッタ（jitter）とは、記録の原信
号と再生信号との時間軸上のズレをいい、本発明ではウ
ィンドウ幅に対する最大ジッタの比を「ジッタ」と記載
しているが、これは通常「ジッタの割合」または「ウィ
ンドウ占有率」などとも呼ばれる。
【００３５】（実施例１）図１において、１はディスク
基板であり厚さ１．２ｍｍのポリカーボネイト樹脂から
なっている。２は第１の誘電体層でＺｎＳ−ＳｉＯ2 の
混合材料（ＺｎＳ：ＳｉＯ2 は約８０：２０モル％）か
らなっており、膜厚は約１６０ｎｍである。３は記録層
でＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる合金薄膜（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔ
ｅは約２１：２５：５４atom％）であり、膜厚は約２５
ｎｍであった。４は第２の誘電体層で第１の誘電体層と
同じ材質からなっており膜厚は約１６０ｎｍである。５
は第３の誘電体層でＳｉＯ2 からなっており膜厚は約４
０ｎｍである。これら薄膜の形成法としてはスパッタリ
ング法を使用した。
【００３６】このディスクは当業者に良く用いられてい
る公知のホットメルトタイプの接着剤で貼り合わせて両
面ディスクとするか、紫外線硬化樹脂等でオーバーコー
トして単板ディスクとしても使える。本実施例では、成
膜された基板とダミー基板の溝を有する面どうしを紫外
線硬化樹脂で貼り合わせたものを使用した。
【００３７】第１及び第２の誘電体層（ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 ）の熱膨張係数は７．４×１０-6Ｋ-1、第３の誘電体
層（ＳｉＯ2 ）の熱膨張係数は０．５×１０-6Ｋ-1であ
った。さらに、レーザー光の照射における前記記録層の
吸収率を、前記記録層が結晶相である場合にはＡcry、
アモルファス相である場合にはＡamo、前記記録層の反
射率を結晶相である場合にはＲcry、アモルファス相で
ある場合にはＲamoとして、２相間の吸収率差ΔＡを求
めたところ、ΔＡ＝Ａcry−Ａamoは８％であった。ま
た、Ｒcry＝４１％、Ｒamo＝２１％、ΔＲ＝２０％、Ａ
cry＝４５％、Ａamo＝３７％であった。
【００３８】本実施例のディスクをレーザー波長８３０
ｎｍ、レンズ開口数０．５、線速度１１ｍ／ｓｅｃでｆ
１＝６．９ＭＨｚ及びｆ２＝２．６ＭＨｚの信号をオー
バーライトし、記録・消去特性を測定した。その結果、
記録信号のＣ／Ｎ比は５４ｄＢ以上、消去比は３０ｄＢ
以上が得られた。オーバーライトの繰り返し特性として
は２−７変調のランダム信号のオーバーライトにおける
ジッタを測定した。この結果、図４に示すように６０万
回以上の繰り返しにわたって８０％以内であった。これ
は、図６に示す従来の３層構成のディスク、すなわち記
録層３とその上下の第１の誘電体層２及び第２の誘電体
層４からなり、各層の膜厚が本実施例のものとそれぞれ
等しいディスクが同じ測定条件で１５万回程度の繰り返
しでジッタが８０％を超えてしまうのに比べて格段に繰
り返し特性が向上した。
【００３９】（実施例２）図２に示すディスク構成は、
図１の構成の第３の誘電体層５を基板と第１の誘電体層
との間に積層したものである。ディスク基板１は厚さ
１．２ｍｍのポリカーボネイト樹脂であり、その上に厚
さ約４０ｎｍのＳｉＯ2からなる第３の誘電体層５と、
厚さ約１６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合材料（Ｚｎ
Ｓ：ＳｉＯ2は約８０：２０モル％）からなる第１の誘
電体層２と、厚さ約２５ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの合金
薄膜（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅは約２１：２５：５４atom％）
からなる記録層３と、厚さ約１６０ｎｍのＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2の混合材料（ＺｎＳ：ＳｉＯ2は約８０：２０atom
％）からなる第２の誘電体層４をこの順番に形成したも
のである。得られた光学的情報記録媒体の光学特性は、
Ｒcry＝４１％、Ｒamo＝２１％、ΔＲ＝２０％、Ａcry
＝４６％、Ａamo＝３８％、ΔＡ＝８％であった。
【００４０】本実施例のディスクを、実施例１と同じ条
件でオーバーライト特性及びその繰り返し特性を測定し
た。その結果、記録信号のＣ／Ｎ比は５４ｄＢ以上、消
去比は３０ｄＢ以上が得られ、２−７変調のランダム信
号のオーバーライトにおいてジッタは４０万回以上の繰
り返しにわたって８０％以内であった。従って、この構
成でも実施例１同様に良好なオーバーライト特性及びそ
の繰り返し特性が実現できた。
【００４１】（実施例３）図３に示すディスク構成は、
ディスク基板１は厚さ１．２ｍｍのポリカーボネイト樹
脂であり、その上に厚さ約４０ｎｍのＳｉＯ2からなる
第４の誘電体層６と、厚さ約１６０ｎｍのＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2の混合材料（ＺｎＳ：ＳｉＯ2は約８０：２０モル
％）からなる第１の誘電体層２と、厚さ約２５ｎｍのＧ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅの合金薄膜（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅは約２
１：２５：５４atom％）からなる記録層３と、厚さ約１
６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合材料（ＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ2は約８０：２０モル％）からなる第２の誘電体層４
と、厚さ約４０ｎｍのＳｉＯ2からなる第３の誘電体層
５をこの順番に形成したものである。得られた光学的情
報記録媒体の光学特性は、Ｒcry＝４０％、Ｒamo＝１９
％、ΔＲ＝２１％、Ａcry＝４６％、Ａamo＝３８％、Δ
Ａ＝８％であった。
【００４２】本実施例のディスクを、実施例１と同じ条
件でオーバーライト特性及びその繰り返し特性を測定し
た。その結果、記録信号のＣ／Ｎ比は５５ｄＢ以上、消
去比は３０ｄＢ以上が得られ、２−７変調のランダム信
号のオーバーライトにおいてジッタは４０万回以上の繰
り返しにわたって８０％以内であった。従って、この構
成でも実施例１同様に良好なオーバーライト特性及びそ
の繰り返し特性が実現できた。
【００４３】以上の実施例では、第３の誘電体層として
ＳｉＯ2 を用いたが、このかわりにＴａ2Ｏ5またはＮｂ
2Ｏ5を用いても同様な効果が得られる。さらに、副成分
としてＮ，Ｓ，Ｃ，Ｆ，Ｈ等の元素を添加しても良い。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
基板上に少なくともレーザー光の照射により光学的特性
の異なる結晶相とアモルファス相との間を可逆的に変化
する記録層、記録層の上下に第１の誘電体層及び第２の
誘電体層、第１または第２の誘電体層の記録層と反対の
側に第３の誘電体層を積層し、第３の誘電体層として第
１、第２の誘電体層より熱膨張係数の小さい材料を用い
る。これにより第１及び第２の誘電体層の熱変形を小さ
くし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰り返し特性を向
上させることができ、また第３の誘電体層として屈折率
が小さいものを選ぶことにより、この層を導入しても従
来の３層構成の良好な光学特性をほとんど変えることな
く繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供する
ことができる。
【００４５】また本発明により、オーバーライトにおい
てジッタの増大しない良好な記録消去特性を有し、なお
かつ繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１のディスクの構成断面図。
【図２】 本発明の実施例２のディスクの構成断面図。
【図３】 本発明の実施例３のディスクの構成断面図。
【図４】 本発明の実施例１，２及び従来例の各ディス
クのオーバーライトの繰り返しによるジッタの変化を示
す図。
【図５】 従来の反射層を用いた光学的情報記録媒体の
断面図。
【図６】 従来の３層構成の光学的情報記録媒体の断面
図。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 第１の誘電体層 ３ 記録層 ４ 第２の誘電体層 ５ 第３の誘電体層 ６ 第４の誘電体層 ７ 金属反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長田 憲一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 河原 克巳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、光ビームの照射により光学的
    に検出可能な２状態間で可逆的に変化する記録層と、前
    記記録層の両面側にそれぞれ第１の誘電体層及び第２の
    誘電体層を備えた光学的情報記録媒体であって、前記第
    １の誘電体層及び第２の誘電体層から選ばれる少なくと
    も一方の層の外側に第３の誘電体層を備え、前記第３の
    誘電体層が前記第１、第２の誘電体層より熱膨張係数が
    小さい材料であり、かつ金属反射層を設けないことを特
    徴とする光学的情報記録媒体。
  2. 【請求項２】 第３の誘電体層の熱膨張係数が、２．０
    ×１０-6Ｋ-1以下の材料である請求項１に記載の光学的
    情報記録媒体。
  3. 【請求項３】 第３の誘電体層が、ＳｉＯ2 、Ｔａ
    2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも一つの無機酸化
    物を主成分とする請求項１に記載の光学的情報記録媒
    体。
  4. 【請求項４】 第３の誘電体層の無機酸化物主成分が７
    ０〜１００モル％であり、かつ副成分はＮ，Ｓ，Ｃ，
    Ｆ，Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素が０〜３０モ
    ル％の範囲添加されている請求項３に記載の光学的情報
    記録媒体。
  5. 【請求項５】 第３の誘電体層の厚さが、１０〜４００
    ｎｍの範囲である請求項１に記載の光学的情報記録媒
    体。
  6. 【請求項６】 記録層、第１の誘電体層及び第２の誘電
    体層のそれぞれの厚さが、２〜３００ｎｍの範囲である
    請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  7. 【請求項７】 第１及び第２の誘電体層の熱膨張係数
    が、１．０×１０-6Ｋ-1〜３０．０×１０-6Ｋ-1の範囲
    である請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  8. 【請求項８】 第１及び第２の誘電体層が、Ａｌ2Ｏ3、
    ＺｒＯ2，ＴｉＯ2、ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＴｉＮ，Ｓｉ
    Ｃ，ＺｎＳ，ＰｂＳ，ＺｎＳｅ，ＣａＦ2、から選ばれ
    る少なくとも一つの無機物を主成分とする請求項１に記
    載の光学的情報記録媒体。
  9. 【請求項９】 第１及び第２の誘電体層に、副成分とし
    てＳｉＯ2 、Ｔａ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくと
    も一つの無機酸化物を３０モル％以下含む請求項１に記
    載の光学的情報記録媒体。
  10. 【請求項１０】 第１及び第２の誘電体層が、７０〜１
    ００モル％のＺｎＳと３０〜０モル％のＳｉＯ2 の混合
    物である請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  11. 【請求項１１】 記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−
    Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ，Ｇｅ−Ｓ
    ｂ−Ｔｅ−Ｓｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ，Ｇｅ
    −Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ−Ｓｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−
    Ｓｎ−Ａｕ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉ
    ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ及びＩｎ−Ｓｅから選ばれる各カルコゲ
    ン化合物、またはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭素、フ
    ッ素、水素から選ばれる少なくとも一つの元素を添加し
    た請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  12. 【請求項１２】 記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の各カ
    ルコゲン化合物、またはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭
    素、フッ素、水素から選ばれる少なくとも一つの元素を
    添加した請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  13. 【請求項１３】 基板が、ポリカーボネート樹脂、ポリ
    メチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ガラ
    スから選ばれる少なくとも一つの材料である請求項１に
    記載の光学的情報記録媒体。
  14. 【請求項１４】 前記光ビームの内で前記記録媒体に反
    射される比率（以下反射率という）、及び前記記録層に
    吸収される比率（以下吸収率という）を前記記録層が結
    晶相である場合にはＲcry及びＡcry、アモルファス相で
    ある場合にはＲamo及びＡamoとしたとき、反射率差ΔＲ
    ＝Ｒcry−Ｒamoが１５％以上であり、吸収率差ΔＡ＝Ａ
    cry−Ａamoが５％以上である請求項１に記載の光学的情
    報記録媒体。
  15. 【請求項１５】 第３の誘電体層が、第１及び第２の誘
    電体層より屈折率が小さい材料である請求項１に記載の
    光学的情報記録媒体。
  16. 【請求項１６】 第３の誘電体層の屈折率ｎが、１．２
    以上１．８以下の範囲の材料である請求項１に記載の光
    学的情報記録媒体。
  17. 【請求項１７】 基板側から測定される反射率が、情報
    を記録する前及び後ともに５０％未満である請求項１に
    記載の光学的情報記録媒体。
  18. 【請求項１８】 基板側から測定される反射率が、情報
    を記録する前及び後ともに３０％未満である請求項１７
    に記載の光学的情報記録媒体。
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