JP2000137928A - 光記録媒体および光記録方法 - Google Patents
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】相変化型で書換え可能な光記録媒体において、
１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速度の範囲内で光
記録可能な光記録媒体と、上記記録を可能ならしめる光
記録方法を実現する。 【構成】基板１上に、少なくとも、第１保護層２、記録
層３、第２保護層４を有し、第１保護層２は厚さ：６５
〜１３０ｎｍ、第２保護層４は厚さ：１５〜４５ｎｍで
あり、これら第１および第２保護層に挾まれる記録層３
は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを、ａｔ％による組成比：
α，β，γ，δが、０＜α≦６，３≦β≦１５，５０≦
γ≦６５，２０≦δ≦３５、α＋β＋γ＋δ＝１００で
あるように構成されて厚さ：１５〜３５ｎｍを有し、相
変化型で、１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速度範
囲内で、光による記録・再生・書換えが可能である。
１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速度の範囲内で光
記録可能な光記録媒体と、上記記録を可能ならしめる光
記録方法を実現する。 【構成】基板１上に、少なくとも、第１保護層２、記録
層３、第２保護層４を有し、第１保護層２は厚さ：６５
〜１３０ｎｍ、第２保護層４は厚さ：１５〜４５ｎｍで
あり、これら第１および第２保護層に挾まれる記録層３
は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを、ａｔ％による組成比：
α，β，γ，δが、０＜α≦６，３≦β≦１５，５０≦
γ≦６５，２０≦δ≦３５、α＋β＋γ＋δ＝１００で
あるように構成されて厚さ：１５〜３５ｎｍを有し、相
変化型で、１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速度範
囲内で、光による記録・再生・書換えが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光記録媒体およ
び光記録方法に関する。
び光記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトディスク（ＣＤ）に代表され
る光記録媒体で、光により情報の書換えを可能にするも
のとして、相変化型の光記録媒体の実用化が意図されて
いる。相変化型の光記録媒体は、記録層の状態を結晶状
態とアモルファス状態との間で変化させることにより記
録を行う。即ち、全体を結晶状態とされた記録層に、局
所的に光照射を行い、光エネルギにより記録層を融点以
上に加熱したのち急冷することにより、光照射された記
録層部分をアモルファス状態に相変化させる。光情報を
記録する光記録方式としては、アモルファスマーク（ア
モルファス化された部分、記録マークともいう）の長さ
として信号を記録するＰＷＭ記録方式が知られている。
書換え可能なコンパクトディスクに対する規格は、所謂
「オレンジブックパートＩＩＩ」に規定されているが、
それによると「記録線速度」は２．４〜２．８ｍ／ｓｅ
ｃである。この記録線速度は単位記録線速度の２倍であ
り、高速とは言い難い。単位記録線速度から、その２
倍，４倍，６倍，８倍といった高速の記録まで、広い記
録線速度範囲で記録・書換えの可能な光記録媒体、光記
録方法が望まれている。
る光記録媒体で、光により情報の書換えを可能にするも
のとして、相変化型の光記録媒体の実用化が意図されて
いる。相変化型の光記録媒体は、記録層の状態を結晶状
態とアモルファス状態との間で変化させることにより記
録を行う。即ち、全体を結晶状態とされた記録層に、局
所的に光照射を行い、光エネルギにより記録層を融点以
上に加熱したのち急冷することにより、光照射された記
録層部分をアモルファス状態に相変化させる。光情報を
記録する光記録方式としては、アモルファスマーク（ア
モルファス化された部分、記録マークともいう）の長さ
として信号を記録するＰＷＭ記録方式が知られている。
書換え可能なコンパクトディスクに対する規格は、所謂
「オレンジブックパートＩＩＩ」に規定されているが、
それによると「記録線速度」は２．４〜２．８ｍ／ｓｅ
ｃである。この記録線速度は単位記録線速度の２倍であ
り、高速とは言い難い。単位記録線速度から、その２
倍，４倍，６倍，８倍といった高速の記録まで、広い記
録線速度範囲で記録・書換えの可能な光記録媒体、光記
録方法が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、相変化型
で書換え可能な光記録媒体において、１．２〜１１．２
ｍ／ｓｅｃの記録線速度範囲で記録・書換えの可能な光
記録媒体と、上記記録を可能ならしめる光記録方法の実
現とを課題とする。
で書換え可能な光記録媒体において、１．２〜１１．２
ｍ／ｓｅｃの記録線速度範囲で記録・書換えの可能な光
記録媒体と、上記記録を可能ならしめる光記録方法の実
現とを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明の光記録媒体は
「相変化型で、１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速
度範囲で、光による記録・再生・書換えが可能な光記録
媒体」であり、基板上に、少なくとも、第１保護層、記
録層、第２保護層を有する。「第１保護層」は厚さ：６
５〜１３０ｎｍの層である。「第２保護層」は厚さ：１
５〜４５ｎｍの層である。「記録層」は、第１および第
２保護層に挾まれるように設けられる。この記録層は、
Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを、原子％（以下、ａｔ％と表
記する）による組成比：α，β，γ，δが、０＜α≦
６，３≦β≦１５，５０≦γ≦６５，２０≦δ≦３５、
α＋β＋γ＋δ＝１００であるように構成され、厚さ：
１５〜３５ｎｍを有する（請求項１）。この請求項１記
載の光記録媒体において、記録層は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅとともに、Ｎおよび／またはＯを有することが
できる。この場合、Ｎおよび／またはＯのａｔ％による
組成比をεとするとき、α，β，γ，δ，εは、０＜α
≦６，３≦β≦１５，５０≦γ≦６５，２０≦δ≦３
５，０＜ε≦５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である
（請求項２）。記録層における上記組成比は、記録層を
「発光分析法」により測定して得られる値である。上記
請求項１または２記載の光記録媒体は、第２保護層上
に、反射放熱層と、オーバコート層を有することができ
る（請求項３）。「反射放熱層」は、金属もしくは金属
酸化物により厚さ：７０〜１８０ｎｍに形成される。
「オーバコート層」は、反射放熱層の酸化防止層であ
り、紫外線硬化樹脂により７〜１５μｍに形成される。
上記請求項１〜３の任意の１に記載の光記録媒体におけ
る基板の形態は「光記録媒体の２次元的な形態」を決定
するが、この基板形態としてカード状やシート状が可能
である。しかし、この発明の光記録媒体の最も一般的な
形態は「基板が円板形状で書換え可能なコンパクトディ
スクとして構成」されたものである（請求項４）。この
発明の光記録媒体は勿論、記録された情報の「光による
消去」が可能である。
「相変化型で、１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速
度範囲で、光による記録・再生・書換えが可能な光記録
媒体」であり、基板上に、少なくとも、第１保護層、記
録層、第２保護層を有する。「第１保護層」は厚さ：６
５〜１３０ｎｍの層である。「第２保護層」は厚さ：１
５〜４５ｎｍの層である。「記録層」は、第１および第
２保護層に挾まれるように設けられる。この記録層は、
Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを、原子％（以下、ａｔ％と表
記する）による組成比：α，β，γ，δが、０＜α≦
６，３≦β≦１５，５０≦γ≦６５，２０≦δ≦３５、
α＋β＋γ＋δ＝１００であるように構成され、厚さ：
１５〜３５ｎｍを有する（請求項１）。この請求項１記
載の光記録媒体において、記録層は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅとともに、Ｎおよび／またはＯを有することが
できる。この場合、Ｎおよび／またはＯのａｔ％による
組成比をεとするとき、α，β，γ，δ，εは、０＜α
≦６，３≦β≦１５，５０≦γ≦６５，２０≦δ≦３
５，０＜ε≦５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である
（請求項２）。記録層における上記組成比は、記録層を
「発光分析法」により測定して得られる値である。上記
請求項１または２記載の光記録媒体は、第２保護層上
に、反射放熱層と、オーバコート層を有することができ
る（請求項３）。「反射放熱層」は、金属もしくは金属
酸化物により厚さ：７０〜１８０ｎｍに形成される。
「オーバコート層」は、反射放熱層の酸化防止層であ
り、紫外線硬化樹脂により７〜１５μｍに形成される。
上記請求項１〜３の任意の１に記載の光記録媒体におけ
る基板の形態は「光記録媒体の２次元的な形態」を決定
するが、この基板形態としてカード状やシート状が可能
である。しかし、この発明の光記録媒体の最も一般的な
形態は「基板が円板形状で書換え可能なコンパクトディ
スクとして構成」されたものである（請求項４）。この
発明の光記録媒体は勿論、記録された情報の「光による
消去」が可能である。
【０００５】この発明の光記録方法は、上記請求項１〜
４の任意の１に記載の光記録媒体に「ＰＷＭ記録方式に
より、所定の信号幅を有する信号の記録もしくは書換え
を行う方法」である。請求項５記載の光記録方法は、以
下の点を特徴とする。光信号のパワーとして、３種のパ
ワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を
設定し、パワーレベル：Ｐｅを消去レベルとする。記録
もしくは書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｂの
低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｗの高レベルパルス
とが、所定のデューティ比：Ｚで交互に所定回数連続す
る「マルチパルス部」を含む。単位記録線速度：Ｖmin
を１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃとするとき、Ｖmin，２Ｖm
in，４Ｖmin，６Ｖmin，８Ｖminの各記録線速度に対
し、デューティ比：Ｚが、０．０５〜０．４，０．１〜
０．６，０．２〜０．８，０．２５〜１．０，０．３〜
１．０の範囲に設定される。必要に応じ、上記パワーレ
ベル：Ｐｂも、記録線速度に応じて変化させられる。上
記デューティ比：Ｚは、低レベルパルスの時間幅を「ｔ
off」 、高レベルパルスの時間幅を「ｔon」とすると
き、「ｔon/（ｔoff＋ｔon）」で定義される。
４の任意の１に記載の光記録媒体に「ＰＷＭ記録方式に
より、所定の信号幅を有する信号の記録もしくは書換え
を行う方法」である。請求項５記載の光記録方法は、以
下の点を特徴とする。光信号のパワーとして、３種のパ
ワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を
設定し、パワーレベル：Ｐｅを消去レベルとする。記録
もしくは書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｂの
低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｗの高レベルパルス
とが、所定のデューティ比：Ｚで交互に所定回数連続す
る「マルチパルス部」を含む。単位記録線速度：Ｖmin
を１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃとするとき、Ｖmin，２Ｖm
in，４Ｖmin，６Ｖmin，８Ｖminの各記録線速度に対
し、デューティ比：Ｚが、０．０５〜０．４，０．１〜
０．６，０．２〜０．８，０．２５〜１．０，０．３〜
１．０の範囲に設定される。必要に応じ、上記パワーレ
ベル：Ｐｂも、記録線速度に応じて変化させられる。上
記デューティ比：Ｚは、低レベルパルスの時間幅を「ｔ
off」 、高レベルパルスの時間幅を「ｔon」とすると
き、「ｔon/（ｔoff＋ｔon）」で定義される。
【０００６】請求項６記載の光記録方法は「クロック時
間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：１
（２値信号：０，１における「１」を表す信号）」の記
録もしくは書換えを行う方法であって、以下の点を特徴
とする。光信号のパワーとして、３種のパワーレベル：
Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設定し、パワ
ーレベル：Ｐｅを消去レベルとする。
間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：１
（２値信号：０，１における「１」を表す信号）」の記
録もしくは書換えを行う方法であって、以下の点を特徴
とする。光信号のパワーとして、３種のパワーレベル：
Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設定し、パワ
ーレベル：Ｐｅを消去レベルとする。
【０００７】記録もしくは書換えを行う光信号は、パワ
ーレベル：Ｐｂの低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｗ
の高レベルパルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交互
に、（２ｎ−ｎ’）回連続するマルチパルス部を含み、
上記低レベルパルスと高レベルパルスの組合せ時間が少
なくともＴである。デューティ比：Ｚは、０．０５≦Ｚ
≦０．２５の範囲に設定され、ｎ’はｎ’≦ｎの整数に
設定される。デューティ比：Ｚは上に定義されたもので
あり、「低レベルパルスと高レベルパルスの組合せ時
間」は、上述の時間幅：ｔoffとｔonの和：ｔoff＋ｔon
で定義される。
ーレベル：Ｐｂの低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｗ
の高レベルパルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交互
に、（２ｎ−ｎ’）回連続するマルチパルス部を含み、
上記低レベルパルスと高レベルパルスの組合せ時間が少
なくともＴである。デューティ比：Ｚは、０．０５≦Ｚ
≦０．２５の範囲に設定され、ｎ’はｎ’≦ｎの整数に
設定される。デューティ比：Ｚは上に定義されたもので
あり、「低レベルパルスと高レベルパルスの組合せ時
間」は、上述の時間幅：ｔoffとｔonの和：ｔoff＋ｔon
で定義される。
【０００８】請求項７記載の光記録方法は、クロック時
間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：０
（２値信号：０，１における「０」を表す信号）」の記
録もしくは書換えを行う方法であって、以下の点を特徴
とする。光信号のパワーとして、３種のパワーレベル：
Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設定し、パワ
ーレベル：Ｐｅを消去レベルとする。記録もしくは書換
えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパル
スとパワーレベル：Ｐｅのパルスとが、所定のデューテ
ィ比：Ｙで交互にｎ−ｎ’回連続するマルチパルス部を
含み、低レベルパルスとパルスの組合せ時間が少なくと
もＴである。デューティ比：Ｙは、０．４≦Ｙ≦０．６
の範囲に設定され、ｎ’は、ｎ’≦ｎの整数に設定され
る。パワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅも記録線速度に応じて変
化させられる。この場合において、パワーレベル：Ｐｅ
のパルスの時間幅をｔｅ、低レベルパルスの時間幅をｔ
offとすると、デューティ比：Ｙは、ｔe/(ｔe＋ｔoff）
で定義され、「ｔe＋ｔoff」が、低レベルパルスとパル
スの組合せ時間である。請求項８記載の光記録方法は、
クロック時間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの信号幅を有す
る信号：１の記録もしくは書換えを行う方法であって、
以下の点を特徴とする。光信号のパワーとして、パワー
レベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ，Ｐｂ’（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐ
ｂ，Ｐｂ’，Ｐｂ≠Ｐｂ’）を設定し、パワーレベル：
Ｐｅを消去レベルとする。記録もしくは書換えを行う光
信号は、パワーレベル：ＰｂもしくはＰｂ’の低レベル
パルスとパワーレベル：Ｐｗの高レベルパルスとが、所
定のデューティ比：Ｚで、交互に（ｎ−ｎ’）回連続す
るマルチパルス部を含み、低レベルパルスと高レベルパ
ルスの組合せ時間が少なくともＴである。
間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：０
（２値信号：０，１における「０」を表す信号）」の記
録もしくは書換えを行う方法であって、以下の点を特徴
とする。光信号のパワーとして、３種のパワーレベル：
Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設定し、パワ
ーレベル：Ｐｅを消去レベルとする。記録もしくは書換
えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパル
スとパワーレベル：Ｐｅのパルスとが、所定のデューテ
ィ比：Ｙで交互にｎ−ｎ’回連続するマルチパルス部を
含み、低レベルパルスとパルスの組合せ時間が少なくと
もＴである。デューティ比：Ｙは、０．４≦Ｙ≦０．６
の範囲に設定され、ｎ’は、ｎ’≦ｎの整数に設定され
る。パワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅも記録線速度に応じて変
化させられる。この場合において、パワーレベル：Ｐｅ
のパルスの時間幅をｔｅ、低レベルパルスの時間幅をｔ
offとすると、デューティ比：Ｙは、ｔe/(ｔe＋ｔoff）
で定義され、「ｔe＋ｔoff」が、低レベルパルスとパル
スの組合せ時間である。請求項８記載の光記録方法は、
クロック時間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの信号幅を有す
る信号：１の記録もしくは書換えを行う方法であって、
以下の点を特徴とする。光信号のパワーとして、パワー
レベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ，Ｐｂ’（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐ
ｂ，Ｐｂ’，Ｐｂ≠Ｐｂ’）を設定し、パワーレベル：
Ｐｅを消去レベルとする。記録もしくは書換えを行う光
信号は、パワーレベル：ＰｂもしくはＰｂ’の低レベル
パルスとパワーレベル：Ｐｗの高レベルパルスとが、所
定のデューティ比：Ｚで、交互に（ｎ−ｎ’）回連続す
るマルチパルス部を含み、低レベルパルスと高レベルパ
ルスの組合せ時間が少なくともＴである。
【０００９】記録線速度が７．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃ
のとき、パワーレベル：ＰｂはＰｗ≧Ｐｂ≧０に設定さ
れ、上記ｎ’はｎ’≦ｎの整数に設定される。また、マ
ルチパルス部に、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパルス
および／またはパワーレベル：Ｐｂ’の低レベルパルス
が１以上含ませられる。パワーレベル：ＰｂもしくはＰ
ｂ’の低レベルパルスの時間幅をｔoffもしくはｔoff'
とすると、上記デューティ比：Ｚは、「ｔon/（ｔoff＋
ｔon）」もしくは「ｔon/（ｔoff'＋ｔon）」であり、
低レベルパルスと高レベルパルスの組合せ時間は「ｔof
f＋ｔon」もしくは「ｔoff'＋ｔon」である。勿論、ｔo
ff＝ｔoff'としてもよい。
のとき、パワーレベル：ＰｂはＰｗ≧Ｐｂ≧０に設定さ
れ、上記ｎ’はｎ’≦ｎの整数に設定される。また、マ
ルチパルス部に、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパルス
および／またはパワーレベル：Ｐｂ’の低レベルパルス
が１以上含ませられる。パワーレベル：ＰｂもしくはＰ
ｂ’の低レベルパルスの時間幅をｔoffもしくはｔoff'
とすると、上記デューティ比：Ｚは、「ｔon/（ｔoff＋
ｔon）」もしくは「ｔon/（ｔoff'＋ｔon）」であり、
低レベルパルスと高レベルパルスの組合せ時間は「ｔof
f＋ｔon」もしくは「ｔoff'＋ｔon」である。勿論、ｔo
ff＝ｔoff'としてもよい。
【００１０】請求項９記載の光記録方法は、クロック時
間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：１
の記録もしくは書換えを行う方法であって、以下の点を
特徴とする。光信号のパワーとして、３種のパワーレベ
ル：Ｐｆ，Ｐｗ，Ｐｅ（Ｐｆ＞Ｐｗ＞Ｐｅ）を設定し、
パワーレベル：Ｐｅを消去レベルとする。記録もしくは
書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｆで時間幅：
Ｔｆを持つ先頭パルス部：Ｐ１と、パワーレベル：Ｐｗ
で時間幅：α（ｎ−ｎ’）Ｔを持つパルス部Ｐ２で構成
される。時間幅：Ｔｆは、０≦Ｔｆ≦１．５Ｔの範囲
に、また「α」は、０．７５≦α≦１．２５の範囲に設
定され、ｎ’はｎ’≦ｎの整数の設定される。この請求
項９記載の記録方法において、記録もしくは書換えを行
う光信号が、パルス部：Ｐ２に続いてパルス部：Ｐ３を
有することができる（請求項１０）。この場合、パルス
部：Ｐ３は、パワーレベル：Ｐｇ（０≦Ｐｇ≦Ｐｅ）
と、時間幅：Ｔ３（０．２Ｔ≦Ｔ３≦１．０Ｔ）を有す
る。上記の請求項８または９または１０記載の光記録方
法において、記録もしくは書換えを行う光信号の先頭部
分に、パワーレベル：Ｐｈ（０≦Ｐｈ≦Ｐｅ）と時間
幅：Ｔ４（２Ｔ≦Ｔ４≦１．０Ｔ）をもつパルス部Ｐ４
を有することができる（請求項１１）。
間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：１
の記録もしくは書換えを行う方法であって、以下の点を
特徴とする。光信号のパワーとして、３種のパワーレベ
ル：Ｐｆ，Ｐｗ，Ｐｅ（Ｐｆ＞Ｐｗ＞Ｐｅ）を設定し、
パワーレベル：Ｐｅを消去レベルとする。記録もしくは
書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｆで時間幅：
Ｔｆを持つ先頭パルス部：Ｐ１と、パワーレベル：Ｐｗ
で時間幅：α（ｎ−ｎ’）Ｔを持つパルス部Ｐ２で構成
される。時間幅：Ｔｆは、０≦Ｔｆ≦１．５Ｔの範囲
に、また「α」は、０．７５≦α≦１．２５の範囲に設
定され、ｎ’はｎ’≦ｎの整数の設定される。この請求
項９記載の記録方法において、記録もしくは書換えを行
う光信号が、パルス部：Ｐ２に続いてパルス部：Ｐ３を
有することができる（請求項１０）。この場合、パルス
部：Ｐ３は、パワーレベル：Ｐｇ（０≦Ｐｇ≦Ｐｅ）
と、時間幅：Ｔ３（０．２Ｔ≦Ｔ３≦１．０Ｔ）を有す
る。上記の請求項８または９または１０記載の光記録方
法において、記録もしくは書換えを行う光信号の先頭部
分に、パワーレベル：Ｐｈ（０≦Ｐｈ≦Ｐｅ）と時間
幅：Ｔ４（２Ｔ≦Ｔ４≦１．０Ｔ）をもつパルス部Ｐ４
を有することができる（請求項１１）。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の光記録媒体の
実施の１形態を説明するための図である。光記録媒体１
０は、基板１上に第１保護層２、記録層３、第２保護層
４、反射放熱層５、オーバコート層６、印刷層７を図の
如く積層して構成されている。基板１の材料としては、
ガラス、セラミックス、樹脂等を用いることができる
が、これらのうちで樹脂は、成形が容易でコストが安い
点で好適である。基板の材料に適した樹脂としては、ポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコ
ーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂
等を挙げることができるが、成形性や光学特性に優れ、
コストの面でも安価なポリカーボネート樹脂、アクリル
系樹脂が好ましい。基板１の形態は前述したように、カ
ード状、シート状とすることも可能であるが、基板１の
形態を円板形状とし、光記録媒体を「書換え可能なコン
パクトディスク」として構成することができる。光記録
媒体を書換え可能なコンパクトディスクとして構成する
場合、基板１は、幅：０．２５〜０．６５μｍ、好適に
は０．３０〜０．５５μｍで、深さ２００〜６５０Å、
好適には２５０〜５５０Åのグルーブ（案内溝）を有す
るものである。第１保護層２および第２保護層４は、記
録層３を挾むように形成され、記録層３を保護する。第
１保護層２、第２保護層４の材料としては、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ
3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2等の「金属酸化物」、Ｓｉ3Ｎ4，Ａ
ｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の「窒化物」、ＺｎＳ，
Ｉｎ2Ｓ3，ＴａＳ4等の「硫化物」や、ＳｉＣ，Ｔａ
Ｃ，Ｂ4Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣ等の「炭化物」を挙
げることができる。これらの材料を、単体で用いること
もできるし、混合して用いることもでき、必要に応じて
不純物を含ませることもできる。第１および第２保護層
は、必要に応じ「多層的な構造」とすることもできる。
勿論、第１および第２の保護層は「記録層よりも高い融
点」を持たねばならない。第１および第２保護層は、各
種「気相成長法」例えば、真空蒸着、スパッタリング、
プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、イオンプレーティング、電
子ビーム蒸着等で形成することができるが、膜質および
量産性の面でスパッタリングが好適である。
実施の１形態を説明するための図である。光記録媒体１
０は、基板１上に第１保護層２、記録層３、第２保護層
４、反射放熱層５、オーバコート層６、印刷層７を図の
如く積層して構成されている。基板１の材料としては、
ガラス、セラミックス、樹脂等を用いることができる
が、これらのうちで樹脂は、成形が容易でコストが安い
点で好適である。基板の材料に適した樹脂としては、ポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコ
ーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂
等を挙げることができるが、成形性や光学特性に優れ、
コストの面でも安価なポリカーボネート樹脂、アクリル
系樹脂が好ましい。基板１の形態は前述したように、カ
ード状、シート状とすることも可能であるが、基板１の
形態を円板形状とし、光記録媒体を「書換え可能なコン
パクトディスク」として構成することができる。光記録
媒体を書換え可能なコンパクトディスクとして構成する
場合、基板１は、幅：０．２５〜０．６５μｍ、好適に
は０．３０〜０．５５μｍで、深さ２００〜６５０Å、
好適には２５０〜５５０Åのグルーブ（案内溝）を有す
るものである。第１保護層２および第２保護層４は、記
録層３を挾むように形成され、記録層３を保護する。第
１保護層２、第２保護層４の材料としては、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ
3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2等の「金属酸化物」、Ｓｉ3Ｎ4，Ａ
ｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の「窒化物」、ＺｎＳ，
Ｉｎ2Ｓ3，ＴａＳ4等の「硫化物」や、ＳｉＣ，Ｔａ
Ｃ，Ｂ4Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣ等の「炭化物」を挙
げることができる。これらの材料を、単体で用いること
もできるし、混合して用いることもでき、必要に応じて
不純物を含ませることもできる。第１および第２保護層
は、必要に応じ「多層的な構造」とすることもできる。
勿論、第１および第２の保護層は「記録層よりも高い融
点」を持たねばならない。第１および第２保護層は、各
種「気相成長法」例えば、真空蒸着、スパッタリング、
プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、イオンプレーティング、電
子ビーム蒸着等で形成することができるが、膜質および
量産性の面でスパッタリングが好適である。
【００１２】光記録媒体をＣＤおよびＤＶＤに共用する
場合、第１保護層２の層厚は、ＤＶＤの再生波長である
６５０ｎｍの光の反射率に大きく影響する。例えば、記
録層３の層厚を２５ｎｍ、屈折率：２．０の第２保護層
の層厚を３０ｎｍ、反射放熱層５の層厚を１４０ｎｍと
したとき、波長：７８０ｎｍ（ＣＤの再生波長）の光
と、波長：６５０ｎｍ（ＤＶＤの際正波長）の光に対す
る反射率は、屈折率：２．０の第１保護層２の厚さの変
化に対し、図２に示す如くに変化する。図２において、
曲線２−１は波長：７８０ｎｍに対するものであり、曲
線２−２は波長：６５０ｎｍに対するものである。図２
から、光記録媒体を、７８０ｎｍと６５０ｎｍの光に対
し、書換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）の
規格反射率：０．１５〜０．２５を満足するためには、
第１保護層２の層厚を６５〜１３０ｎｍとすべきことが
分かる。さらに、波長：６５０ｎｍの光に対しても、１
８％程度以上の十分な反射率を得るためには、第１保護
層２の厚さの範囲は、８０〜１１０ｎｍの範囲が好適で
ある。第２保護層４の厚さは、１５〜４５ｎｍの範囲が
良い。第２保護層４の厚さが１５ｎｍより薄くなると、
耐熱性保護層としての機能を果たすことができない。ま
た４５ｎｍよりも厚くなると、１．２〜５．６ｍ／ｓｅ
ｃの低記録線速度での光記録を行った場合に、界面剥離
を生じ易くなり、繰返し記録性能も低下する。
場合、第１保護層２の層厚は、ＤＶＤの再生波長である
６５０ｎｍの光の反射率に大きく影響する。例えば、記
録層３の層厚を２５ｎｍ、屈折率：２．０の第２保護層
の層厚を３０ｎｍ、反射放熱層５の層厚を１４０ｎｍと
したとき、波長：７８０ｎｍ（ＣＤの再生波長）の光
と、波長：６５０ｎｍ（ＤＶＤの際正波長）の光に対す
る反射率は、屈折率：２．０の第１保護層２の厚さの変
化に対し、図２に示す如くに変化する。図２において、
曲線２−１は波長：７８０ｎｍに対するものであり、曲
線２−２は波長：６５０ｎｍに対するものである。図２
から、光記録媒体を、７８０ｎｍと６５０ｎｍの光に対
し、書換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）の
規格反射率：０．１５〜０．２５を満足するためには、
第１保護層２の層厚を６５〜１３０ｎｍとすべきことが
分かる。さらに、波長：６５０ｎｍの光に対しても、１
８％程度以上の十分な反射率を得るためには、第１保護
層２の厚さの範囲は、８０〜１１０ｎｍの範囲が好適で
ある。第２保護層４の厚さは、１５〜４５ｎｍの範囲が
良い。第２保護層４の厚さが１５ｎｍより薄くなると、
耐熱性保護層としての機能を果たすことができない。ま
た４５ｎｍよりも厚くなると、１．２〜５．６ｍ／ｓｅ
ｃの低記録線速度での光記録を行った場合に、界面剥離
を生じ易くなり、繰返し記録性能も低下する。
【００１３】記録層３は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを主
成分とする。記録層３は、これらのほかに、Ｎおよび／
またはＯを含むことができる。記録層３は、これら材料
をスパッタリングすることで形成できる。Ａｇ，Ｉｎ，
Ｓｂ，Ｔｅを主成分とする記録層は、記録（アモルファ
ス化）感度・記録速度、消去（結晶化）感度・消去速
度、消去比が極めて良好であるが、１．２〜１１．２ｍ
／ｓｅｃの記録線速度範囲内で、光による記録・再生・
書換えを良好に実現できるためには、上記各成分の組成
比を調整する必要がある。先ず、Ｔｅの組成比について
説明すると、アモルファス状態と結晶状態との間の転移
線速は、Ｔｅ組成比に応じて、図３の如くに変化する。
図３は、ポリカーボネート樹脂による厚さ：１．２ｍｍ
の基板、ＳｉＯによる厚さ：１００ｎｍの第１保護層、
厚さ：２５μｍの記録層、ＳｉＯによる厚さ：３０ｎｍ
の第２保護層、Ａｌによる厚さ：１４０ｎｍの反射放熱
層、紫外線硬化樹脂による厚さ：１０μｍのオーバコー
ト層により構成される「コンパクトディスク仕様の光記
録媒体」において、記録層におけるＴｅの組成比を変化
させて得られたものである。情報の記録は、光源として
発振波長：７８０ｎｍの半導体レーザを用いる光ピック
アップによる「ＥＦＭ変調記録」で行った。記録パルス
ストラテージは、オレンジブックパートＩＩＩに準拠
し、光源の半導体レーザにおける記録・消去・バイアス
の各パワーは、それぞれ１２ｍＷ，６ｍＷ，１ｍＷとし
た。
成分とする。記録層３は、これらのほかに、Ｎおよび／
またはＯを含むことができる。記録層３は、これら材料
をスパッタリングすることで形成できる。Ａｇ，Ｉｎ，
Ｓｂ，Ｔｅを主成分とする記録層は、記録（アモルファ
ス化）感度・記録速度、消去（結晶化）感度・消去速
度、消去比が極めて良好であるが、１．２〜１１．２ｍ
／ｓｅｃの記録線速度範囲内で、光による記録・再生・
書換えを良好に実現できるためには、上記各成分の組成
比を調整する必要がある。先ず、Ｔｅの組成比について
説明すると、アモルファス状態と結晶状態との間の転移
線速は、Ｔｅ組成比に応じて、図３の如くに変化する。
図３は、ポリカーボネート樹脂による厚さ：１．２ｍｍ
の基板、ＳｉＯによる厚さ：１００ｎｍの第１保護層、
厚さ：２５μｍの記録層、ＳｉＯによる厚さ：３０ｎｍ
の第２保護層、Ａｌによる厚さ：１４０ｎｍの反射放熱
層、紫外線硬化樹脂による厚さ：１０μｍのオーバコー
ト層により構成される「コンパクトディスク仕様の光記
録媒体」において、記録層におけるＴｅの組成比を変化
させて得られたものである。情報の記録は、光源として
発振波長：７８０ｎｍの半導体レーザを用いる光ピック
アップによる「ＥＦＭ変調記録」で行った。記録パルス
ストラテージは、オレンジブックパートＩＩＩに準拠
し、光源の半導体レーザにおける記録・消去・バイアス
の各パワーは、それぞれ１２ｍＷ，６ｍＷ，１ｍＷとし
た。
【００１４】図３に示されたように、最適記録線速度
は、Ｔｅの組成比の増加とともに直線的に減少する。ド
ットで示すデータと直線との相関係数：Ｒ2 は０．９５
６２で相関は極めて高い。図３と実験精度±１％を考慮
すると、記録線速度がどんなに遅くても、Ｔｅ組成比は
３５ａｔ％以下であることが知れる。コンパクトディス
クに対する単位記録線速度：Ｖminを１．２〜１．４ｍ
／ｓｅｃに対し、Ｖmin，２Ｖmin（２．４〜２．８ｍ／
Ｓｓｅｃ），４Ｖmin（４．８〜５．６ｍ／ｓｅｃ），
８Ｖmin（９．６〜１１．２ｍ／ｓｅｃ）の各記録線速
度に対応するＴｅ組成比は、３３，３０，２７，２０ａ
ｔ％程度であることになる。従って、記録層３における
Ｔｅ組成比：δは「２０≦δ≦３５ａｔ％」の範囲が良
い。次に、Ａｇの組成比について見ると、Ａｇの組成比
が６ａｔ％を超えると、オーバライトシェルフの劣化が
顕著になる。即ち、光記録媒体製造後、数年経って光記
録を行ったとき、十分な信号記録ができない。従って、
Ａｇの組成比：αは「０＜α≦６ａｔ％」の範囲が良
い。次に、Ｉｎの組成比：βは、１５ａｔ％を超えると
「アーカイバルの劣化」が顕著になり、３ａｔ％より小
さくなると「記録感度が低下」する。従って、Ｉｎ組成
比：βは「３≦β≦１５ａｔ％」の範囲が良い。また、
Ｓｂの組成比：γは、大きいほど、オーバライトの繰返
し特性は向上する。しかし、γが６５ａｔ％より大きく
なるとアーカイバル劣化をもたらし、γが５０ａｔ％よ
り小さいと、オーバライトの繰返し特性が十分でなくな
る。従って、Ｓｂの組成比：γは「５０≦γ≦６５ａｔ
％」の範囲がよい。記録層３は、１０ｎｍ以下の厚さで
は光吸収能が著しく低下し、光記録層としての機能を果
たし得ない。また、１００ｎｍ以上の厚さでは、記録線
速度が大きくなったとき、均一な相変化が起こりにく
い。従って、記録層３の厚さは１０〜１００ｎｍが実用
的な範囲であるが、ジッタ等の初期特性やオーバライト
特性、量産効率を考慮すると、厚さ：１５〜３５ｎｍの
範囲が適当である。
は、Ｔｅの組成比の増加とともに直線的に減少する。ド
ットで示すデータと直線との相関係数：Ｒ2 は０．９５
６２で相関は極めて高い。図３と実験精度±１％を考慮
すると、記録線速度がどんなに遅くても、Ｔｅ組成比は
３５ａｔ％以下であることが知れる。コンパクトディス
クに対する単位記録線速度：Ｖminを１．２〜１．４ｍ
／ｓｅｃに対し、Ｖmin，２Ｖmin（２．４〜２．８ｍ／
Ｓｓｅｃ），４Ｖmin（４．８〜５．６ｍ／ｓｅｃ），
８Ｖmin（９．６〜１１．２ｍ／ｓｅｃ）の各記録線速
度に対応するＴｅ組成比は、３３，３０，２７，２０ａ
ｔ％程度であることになる。従って、記録層３における
Ｔｅ組成比：δは「２０≦δ≦３５ａｔ％」の範囲が良
い。次に、Ａｇの組成比について見ると、Ａｇの組成比
が６ａｔ％を超えると、オーバライトシェルフの劣化が
顕著になる。即ち、光記録媒体製造後、数年経って光記
録を行ったとき、十分な信号記録ができない。従って、
Ａｇの組成比：αは「０＜α≦６ａｔ％」の範囲が良
い。次に、Ｉｎの組成比：βは、１５ａｔ％を超えると
「アーカイバルの劣化」が顕著になり、３ａｔ％より小
さくなると「記録感度が低下」する。従って、Ｉｎ組成
比：βは「３≦β≦１５ａｔ％」の範囲が良い。また、
Ｓｂの組成比：γは、大きいほど、オーバライトの繰返
し特性は向上する。しかし、γが６５ａｔ％より大きく
なるとアーカイバル劣化をもたらし、γが５０ａｔ％よ
り小さいと、オーバライトの繰返し特性が十分でなくな
る。従って、Ｓｂの組成比：γは「５０≦γ≦６５ａｔ
％」の範囲がよい。記録層３は、１０ｎｍ以下の厚さで
は光吸収能が著しく低下し、光記録層としての機能を果
たし得ない。また、１００ｎｍ以上の厚さでは、記録線
速度が大きくなったとき、均一な相変化が起こりにく
い。従って、記録層３の厚さは１０〜１００ｎｍが実用
的な範囲であるが、ジッタ等の初期特性やオーバライト
特性、量産効率を考慮すると、厚さ：１５〜３５ｎｍの
範囲が適当である。
【００１５】前記アーカイバル劣化の低減には、Ｎおよ
び／またはＯの記録層への添加が効果的である。即ち、
Ｎおよび／またはＯを添加することにより、アモルファ
スマークが安定化する。添加されたＮおよび／またはＯ
は、Ｔｅおよび／またはＳｂと結合する。Ｎおよび／ま
たはＯを添加する場合の、Ｎおよび／またはＯの組成
比：εは５ａｔ％以下である。εが５ａｔ％を超えて大
きくなると、記録層の窒化および／または酸化が進みす
ぎて結晶化が困難となり、初期化不足や消去比の低減を
招来してしまう。記録層３が、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ
と共にＮおよび／またはＯを有し、これらの組成比：
α，β，γ，δ，εが、０＜α≦６，３≦β≦１５，５
０≦γ≦６５，２０≦δ≦３５，０＜ε≦５、α＋β＋
γ＋δ＋ε＝１００であるとき（請求項２）、オーバラ
イト回数・変調度やアモルファスマーク保存寿命の向上
を図ることができる。Ｎおよび／またはＯを添加すると
記録層の層密度が減少し、微小欠陥の増加等により、記
録層の構造が「疎」の方向に変化する。この結果、記録
層の構造的な秩序性が緩和され、アモルファス状態から
結晶状態への転移が抑制される傾向になる。このためア
モルファスマークの安定性が増し、保存寿命が向上する
ものと考えられる。Ｎおよび／またはＯの添加は、転移
線速の制御法としても有効である。即ち、Ｎおよび／ま
たはＯの添加により、転移線速を低線速側へ変化させる
ことができる。Ｎおよび／またはＯの、記録層中におけ
る化学結合状態としては、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの何
れか１以上と結合していることが望ましいが、特にＴｅ
と結合した状態、例えば、Ｔｅ−Ｎ，Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎ等
の化学結合が存在するとき、オーバライトの繰返し特性
をより向上させることができる。上記の如き化学結合状
態の分析手段としては、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の電子分
光分析が有効である。例えば、ＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ−
Ｎによる吸収帯は５００〜６００ｃｍ~1付近にピークを
持ち、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎによる吸収帯は６００〜６５０ｃ
ｍ~1付近にピークが出現する。例えばＮを記録層１中に
添加する場合、スパッタリングで記録層を形成する際
に、アルゴンガスに窒素ガスを１０ｍｏｌ％以下に混合
したガス（予め混合したものを用いてもよいし、チャン
バ内に導入する際の流量調整で混合比を調整してもよ
い）を用いることにより、Ｎの量に応じ、光記録の記録
線速度、層構成等、光記録媒体の使用条件に最も適した
記録層を得ることができる。このような混合ガスを用い
ると「繰返し記録消去の耐久性」も向上する。記録層中
には、性能をより向上させたり信頼性を高める目的で、
上記以外に、例えば、Ｂ，Ｃ．Ｐ，Ｓｉや、Ｓ，Ｓｅ，
Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇ
ａ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ｐｙ，Ａｕ等を添加してもよ
い。
び／またはＯの記録層への添加が効果的である。即ち、
Ｎおよび／またはＯを添加することにより、アモルファ
スマークが安定化する。添加されたＮおよび／またはＯ
は、Ｔｅおよび／またはＳｂと結合する。Ｎおよび／ま
たはＯを添加する場合の、Ｎおよび／またはＯの組成
比：εは５ａｔ％以下である。εが５ａｔ％を超えて大
きくなると、記録層の窒化および／または酸化が進みす
ぎて結晶化が困難となり、初期化不足や消去比の低減を
招来してしまう。記録層３が、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ
と共にＮおよび／またはＯを有し、これらの組成比：
α，β，γ，δ，εが、０＜α≦６，３≦β≦１５，５
０≦γ≦６５，２０≦δ≦３５，０＜ε≦５、α＋β＋
γ＋δ＋ε＝１００であるとき（請求項２）、オーバラ
イト回数・変調度やアモルファスマーク保存寿命の向上
を図ることができる。Ｎおよび／またはＯを添加すると
記録層の層密度が減少し、微小欠陥の増加等により、記
録層の構造が「疎」の方向に変化する。この結果、記録
層の構造的な秩序性が緩和され、アモルファス状態から
結晶状態への転移が抑制される傾向になる。このためア
モルファスマークの安定性が増し、保存寿命が向上する
ものと考えられる。Ｎおよび／またはＯの添加は、転移
線速の制御法としても有効である。即ち、Ｎおよび／ま
たはＯの添加により、転移線速を低線速側へ変化させる
ことができる。Ｎおよび／またはＯの、記録層中におけ
る化学結合状態としては、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの何
れか１以上と結合していることが望ましいが、特にＴｅ
と結合した状態、例えば、Ｔｅ−Ｎ，Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎ等
の化学結合が存在するとき、オーバライトの繰返し特性
をより向上させることができる。上記の如き化学結合状
態の分析手段としては、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の電子分
光分析が有効である。例えば、ＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ−
Ｎによる吸収帯は５００〜６００ｃｍ~1付近にピークを
持ち、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎによる吸収帯は６００〜６５０ｃ
ｍ~1付近にピークが出現する。例えばＮを記録層１中に
添加する場合、スパッタリングで記録層を形成する際
に、アルゴンガスに窒素ガスを１０ｍｏｌ％以下に混合
したガス（予め混合したものを用いてもよいし、チャン
バ内に導入する際の流量調整で混合比を調整してもよ
い）を用いることにより、Ｎの量に応じ、光記録の記録
線速度、層構成等、光記録媒体の使用条件に最も適した
記録層を得ることができる。このような混合ガスを用い
ると「繰返し記録消去の耐久性」も向上する。記録層中
には、性能をより向上させたり信頼性を高める目的で、
上記以外に、例えば、Ｂ，Ｃ．Ｐ，Ｓｉや、Ｓ，Ｓｅ，
Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇ
ａ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ｐｙ，Ａｕ等を添加してもよ
い。
【００１６】次に、反射放熱層５とオーバコート層６に
付き説明する。反射放熱層５とオーバコート層６とは必
ずしも必要ではないが、過剰な熱を放出し、光記録媒体
の熱負担を軽減するためには、反射放熱層５を設けるこ
とが好ましく、その場合、反射防止層の酸化防止のため
にオーバコート層６を設けることが好ましい（請求項
３）。反射放熱層５は、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の金
属あるいはこれらの合金、金属酸化物を用いることによ
り構成できる。反射放熱層は、各種の気相成長法、例え
ば、スパッタリング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ、光Ｃ
ＶＤ、イオンプレーテイング、電子ビーム蒸着等で形成
でき、その厚さは放熱効率や強度を考慮して７０〜１８
０ｎｍが適当であり、より好適には１００〜１６０ｎｍ
の範囲の厚さが良い。オーバコート層６は紫外線硬化樹
脂により「スピンコート」で形性されるが、厚さは７〜
１５μｍが適当である。オーバコート層６は厚さ：１５
μｍより厚いと内部応力が大きくなり、光記録媒体の機
械的な特性に悪影響を与える。また、厚さが７μｍより
小さいと、オーバコート層６上に印刷層７を設ける場
合、Ｃ１エラーが増大してしまう。上に説明した光記録
媒体の初期化・記録・再生・消去・書換えは「光」によ
り行われるが、使用される光としては「レーザ光や可視
光」が適しており、光源としてはコンパクトな「半導体
レーザ」が好適である。
付き説明する。反射放熱層５とオーバコート層６とは必
ずしも必要ではないが、過剰な熱を放出し、光記録媒体
の熱負担を軽減するためには、反射放熱層５を設けるこ
とが好ましく、その場合、反射防止層の酸化防止のため
にオーバコート層６を設けることが好ましい（請求項
３）。反射放熱層５は、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の金
属あるいはこれらの合金、金属酸化物を用いることによ
り構成できる。反射放熱層は、各種の気相成長法、例え
ば、スパッタリング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ、光Ｃ
ＶＤ、イオンプレーテイング、電子ビーム蒸着等で形成
でき、その厚さは放熱効率や強度を考慮して７０〜１８
０ｎｍが適当であり、より好適には１００〜１６０ｎｍ
の範囲の厚さが良い。オーバコート層６は紫外線硬化樹
脂により「スピンコート」で形性されるが、厚さは７〜
１５μｍが適当である。オーバコート層６は厚さ：１５
μｍより厚いと内部応力が大きくなり、光記録媒体の機
械的な特性に悪影響を与える。また、厚さが７μｍより
小さいと、オーバコート層６上に印刷層７を設ける場
合、Ｃ１エラーが増大してしまう。上に説明した光記録
媒体の初期化・記録・再生・消去・書換えは「光」によ
り行われるが、使用される光としては「レーザ光や可視
光」が適しており、光源としてはコンパクトな「半導体
レーザ」が好適である。
【００１７】以下、請求項５以下の光記録方法の実施の
形態を説明する。光記録媒体としては、図１に示した形
態の「書換え可能なコンパクトディスク」を想定する。
図４に、上に説明した光記録媒体に、ＰＷＭ記録方式に
より「信号：１」を記録もしくは書換えする場合の光信
号を示す。図４（ａ）は、記録もしくは書換えを行おう
とする信号：１であり、クロック時間：Ｔの３倍の時間
幅を持つ「３Ｔ信号」である。図４（ｂ）は、この３Ｔ
信号をパルス状に変調した「光信号」を示している。光
信号は、３Ｔ信号と同じく「クロック時間：Ｔの３倍の
時間」を有し、３種のパルス部ｆｐ，ｍｐ，ｏｐを有
し、所定の記録線速度で光記録媒体に照射される。先頭
にあるパルス部ｆｐは、記録層を融点以上に昇温させ、
記録マークである「アモルファスマークの先頭部分」を
形成するための部分である。パルス部ｍｐは「マルチパ
ルス部」であってパルスの連続で形成され、記録層を昇
温させて「アモルファスマークの中間部」を形成する。
またパルス部ｏｐは、記録層を急冷却させて「アモルフ
ァスマークの後端部」を形成させる。図４（ｂ）に示す
光信号は、３種のパワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐ
ｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を有する。パワーレベル：Ｐｅは消去
レベルであり、パワーレベル：Ｐｅの光信号の照射によ
り「記録層に記録された情報を消去」できる。図４
（ｂ）に示す「記録もしくは書換えを行う光信号」は、
パワーレベル：Ｐｂの「低レベルパルス」とパワーレベ
ル：Ｐｗの「高レベルパルス」とが、所定のデューティ
比：Ｚで交互に所定回数連続するマルチパルス部ｍｐを
含む。この例では、低レベルパルスと高レベルパルスの
連続回数（低・高レベルパルスの対の連続回数）は１回
である。図に示すように、低レベルパルスの時間幅を
「ｔoff」 、高レベルパルスの時間幅を「ｔon」とする
と、デューティ比：Ｚは「ｔon/（ｔoff＋ｔon）」で定
義される。光記録における単位記録線速度：Ｖminを
１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃとすると、請求項５記載の光
記録方法では、記録線速度：Ｖmin，２Ｖmin，４Ｖmi
n，６Ｖmin，８Ｖmin の各記録線速度に対し、デューテ
ィ比：Ｚを、０．０５〜０．４，０．１〜０．６，０．
２〜０．８，０．２５〜１．０，０．３〜１．０の範囲
に設定する。マルチパルス部ｍｐは、高レベルパルスと
低レベルパルスを交互に連続させることにより記録層の
「過剰な昇温」を防ぎ、低レベルパルス部での急冷によ
りアモルファス状態の固定を確実に行うと共に、記録層
における「熱の伝導」を小さく抑えるために設けられて
いる。記録線速度が小さいときは、高レベルパルスによ
り記録層の「記録トラックの単位長さ」に与えられる光
エネルギが高くなりがちであるので、デューティ比：Ｚ
を小さく設定することによりマルチパルス部ｍｐでの発
熱量を抑え、記録線速度が大きくなると共にデューティ
比：Ｚを大きくすることにより、記録トラックの単位長
さあたりに与えるべき光エネルギを確保する。記録線速
度の増大とともに、記録トラックの単位長さあたりに与
えるべき光エネルギが不足ぎみになるような場合は、パ
ワーレベル：Ｐｂを、記録線速度の増大にともなって高
く設定するようにすればよい。
形態を説明する。光記録媒体としては、図１に示した形
態の「書換え可能なコンパクトディスク」を想定する。
図４に、上に説明した光記録媒体に、ＰＷＭ記録方式に
より「信号：１」を記録もしくは書換えする場合の光信
号を示す。図４（ａ）は、記録もしくは書換えを行おう
とする信号：１であり、クロック時間：Ｔの３倍の時間
幅を持つ「３Ｔ信号」である。図４（ｂ）は、この３Ｔ
信号をパルス状に変調した「光信号」を示している。光
信号は、３Ｔ信号と同じく「クロック時間：Ｔの３倍の
時間」を有し、３種のパルス部ｆｐ，ｍｐ，ｏｐを有
し、所定の記録線速度で光記録媒体に照射される。先頭
にあるパルス部ｆｐは、記録層を融点以上に昇温させ、
記録マークである「アモルファスマークの先頭部分」を
形成するための部分である。パルス部ｍｐは「マルチパ
ルス部」であってパルスの連続で形成され、記録層を昇
温させて「アモルファスマークの中間部」を形成する。
またパルス部ｏｐは、記録層を急冷却させて「アモルフ
ァスマークの後端部」を形成させる。図４（ｂ）に示す
光信号は、３種のパワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐ
ｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を有する。パワーレベル：Ｐｅは消去
レベルであり、パワーレベル：Ｐｅの光信号の照射によ
り「記録層に記録された情報を消去」できる。図４
（ｂ）に示す「記録もしくは書換えを行う光信号」は、
パワーレベル：Ｐｂの「低レベルパルス」とパワーレベ
ル：Ｐｗの「高レベルパルス」とが、所定のデューティ
比：Ｚで交互に所定回数連続するマルチパルス部ｍｐを
含む。この例では、低レベルパルスと高レベルパルスの
連続回数（低・高レベルパルスの対の連続回数）は１回
である。図に示すように、低レベルパルスの時間幅を
「ｔoff」 、高レベルパルスの時間幅を「ｔon」とする
と、デューティ比：Ｚは「ｔon/（ｔoff＋ｔon）」で定
義される。光記録における単位記録線速度：Ｖminを
１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃとすると、請求項５記載の光
記録方法では、記録線速度：Ｖmin，２Ｖmin，４Ｖmi
n，６Ｖmin，８Ｖmin の各記録線速度に対し、デューテ
ィ比：Ｚを、０．０５〜０．４，０．１〜０．６，０．
２〜０．８，０．２５〜１．０，０．３〜１．０の範囲
に設定する。マルチパルス部ｍｐは、高レベルパルスと
低レベルパルスを交互に連続させることにより記録層の
「過剰な昇温」を防ぎ、低レベルパルス部での急冷によ
りアモルファス状態の固定を確実に行うと共に、記録層
における「熱の伝導」を小さく抑えるために設けられて
いる。記録線速度が小さいときは、高レベルパルスによ
り記録層の「記録トラックの単位長さ」に与えられる光
エネルギが高くなりがちであるので、デューティ比：Ｚ
を小さく設定することによりマルチパルス部ｍｐでの発
熱量を抑え、記録線速度が大きくなると共にデューティ
比：Ｚを大きくすることにより、記録トラックの単位長
さあたりに与えるべき光エネルギを確保する。記録線速
度の増大とともに、記録トラックの単位長さあたりに与
えるべき光エネルギが不足ぎみになるような場合は、パ
ワーレベル：Ｐｂを、記録線速度の増大にともなって高
く設定するようにすればよい。
【００１８】図４（ｃ）は、前記「３Ｔ信号」を光信号
に変換した「光信号」の別例を示している。光信号は光
の強度がパルス状に変調され、「クロック時間：Ｔの３
倍の時間」を有し、図４（ｂ）の光信号と同じく３種の
パルス部ｆｐ，ｍｐ，ｏｐを有し、所定の記録線速度で
光記録媒体に照射される。図４（ｃ）に示す光信号も、
３種のパワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞
Ｐｂ）を有し、パワーレベル：Ｐｅは消去レベルであ
る。「記録もしくは書換えを行う光信号」は、パワーレ
ベル：Ｐｂの低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｗの高
レベルパルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交互に所
定回数連続するマルチパルス部ｍｐを含む。この例で
は、低レベルパルスと高レベルパルスの連続回数（低レ
ベルパルスと高レベルパルスの対の連続回数）は２回で
ある。請求項６記載の光記録方法では、記録もしくは書
換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパ
ルスとパワーレベル：Ｐｗの高レベルパルスとが、所定
のデューティ比：Ｚで交互に（２ｎ−ｎ’）回連続する
マルチパルス部ｍｐを含み、低レベルパルスと高レベル
パルスの組合せ時間：ｔ（「ｔoff＋ｔon」で定義され
る）が少なくともＴ（即ちｔ≧Ｔ）である。上記デュー
ティ比：Ｚは０．０５≦Ｚ≦２．５の範囲に設定され、
ｎ’はｎ’≦ｎの整数に調整設定される。例えば「３Ｔ
信号」の場合は、ｎ＝３となるので、ｎ’≦３である。
図４（ｃ）の光信号では、マルチパルス部ｍｐにおける
低レベルパルスと高レベルパルスの連続する回数は２回
であるから、２ｎ−ｎ’＝２であり、ｎ＝３であるので
ｎ’＝４である。請求項６記載の発明において用いられ
る光信号は、ｎ’の設定に応じて、光信号におけるマル
チパルス部における「低レベルパルスと高レベルパルス
の連続回数」を適宜に設定でき、このように設定される
連続回数と、デューティ比：Ｚの上記範囲内における設
定に応じて、記録線速度に適した光信号を構成できる。
に変換した「光信号」の別例を示している。光信号は光
の強度がパルス状に変調され、「クロック時間：Ｔの３
倍の時間」を有し、図４（ｂ）の光信号と同じく３種の
パルス部ｆｐ，ｍｐ，ｏｐを有し、所定の記録線速度で
光記録媒体に照射される。図４（ｃ）に示す光信号も、
３種のパワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞
Ｐｂ）を有し、パワーレベル：Ｐｅは消去レベルであ
る。「記録もしくは書換えを行う光信号」は、パワーレ
ベル：Ｐｂの低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｗの高
レベルパルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交互に所
定回数連続するマルチパルス部ｍｐを含む。この例で
は、低レベルパルスと高レベルパルスの連続回数（低レ
ベルパルスと高レベルパルスの対の連続回数）は２回で
ある。請求項６記載の光記録方法では、記録もしくは書
換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパ
ルスとパワーレベル：Ｐｗの高レベルパルスとが、所定
のデューティ比：Ｚで交互に（２ｎ−ｎ’）回連続する
マルチパルス部ｍｐを含み、低レベルパルスと高レベル
パルスの組合せ時間：ｔ（「ｔoff＋ｔon」で定義され
る）が少なくともＴ（即ちｔ≧Ｔ）である。上記デュー
ティ比：Ｚは０．０５≦Ｚ≦２．５の範囲に設定され、
ｎ’はｎ’≦ｎの整数に調整設定される。例えば「３Ｔ
信号」の場合は、ｎ＝３となるので、ｎ’≦３である。
図４（ｃ）の光信号では、マルチパルス部ｍｐにおける
低レベルパルスと高レベルパルスの連続する回数は２回
であるから、２ｎ−ｎ’＝２であり、ｎ＝３であるので
ｎ’＝４である。請求項６記載の発明において用いられ
る光信号は、ｎ’の設定に応じて、光信号におけるマル
チパルス部における「低レベルパルスと高レベルパルス
の連続回数」を適宜に設定でき、このように設定される
連続回数と、デューティ比：Ｚの上記範囲内における設
定に応じて、記録線速度に適した光信号を構成できる。
【００１９】図５には、上に説明した光記録媒体に、Ｐ
ＷＭ記録方式により「信号：０」を記録もしくは書換え
する場合の光信号を示す。図５（ａ）に示すのは、記録
もしくは書換えを行おうとする信号：０で、クロック時
間：Ｔの３倍の時間幅を持つ「３Ｔ信号」である。図５
（ｂ）に示すのは、光記録媒体に、ＰＷＭ記録方式によ
りクロック時間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴ（ｎ＝３の場
合が示されている）の信号幅を有する信号：０の記録も
しくは書換えを行う光信号であり、パルス状に変調され
ている。図５（ｂ）における「時間幅３Ｔの部分」が、
信号：０を記録もしくは書き換える光信号であり、その
前後に描かれた部分は、信号：１の記録もしくは書換え
を行う光信号の一部である。信号：０記録もしくは書換
えを行う光信号は、光信号のパワーとして、３種のパワ
ーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設
定され、パワーレベル：Ｐｅが消去レベルとされる。記
録もしくは書換えを行う光信号は「パワーレベル：Ｐｂ
の低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｅのパルスとが、
所定のデューティ比：Ｙで交互に（ｎ−ｎ’）回連続す
るマルチパルス部ｍｐ」を含み、上記低レベルパルスと
パルスの組合せ時間（ｔon＋ｔoff）が少なくともＴで
ある。デューティ比：Ｙは０．４≦Ｙ≦０．６の範囲内
に設定され、ｎ’はｎ’≦ｎの整数に設定される。図５
の場合、ｎ＝３で、（ｎ−ｎ’）＝３であるからｎ’＝
０である。
ＷＭ記録方式により「信号：０」を記録もしくは書換え
する場合の光信号を示す。図５（ａ）に示すのは、記録
もしくは書換えを行おうとする信号：０で、クロック時
間：Ｔの３倍の時間幅を持つ「３Ｔ信号」である。図５
（ｂ）に示すのは、光記録媒体に、ＰＷＭ記録方式によ
りクロック時間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴ（ｎ＝３の場
合が示されている）の信号幅を有する信号：０の記録も
しくは書換えを行う光信号であり、パルス状に変調され
ている。図５（ｂ）における「時間幅３Ｔの部分」が、
信号：０を記録もしくは書き換える光信号であり、その
前後に描かれた部分は、信号：１の記録もしくは書換え
を行う光信号の一部である。信号：０記録もしくは書換
えを行う光信号は、光信号のパワーとして、３種のパワ
ーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設
定され、パワーレベル：Ｐｅが消去レベルとされる。記
録もしくは書換えを行う光信号は「パワーレベル：Ｐｂ
の低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｅのパルスとが、
所定のデューティ比：Ｙで交互に（ｎ−ｎ’）回連続す
るマルチパルス部ｍｐ」を含み、上記低レベルパルスと
パルスの組合せ時間（ｔon＋ｔoff）が少なくともＴで
ある。デューティ比：Ｙは０．４≦Ｙ≦０．６の範囲内
に設定され、ｎ’はｎ’≦ｎの整数に設定される。図５
の場合、ｎ＝３で、（ｎ−ｎ’）＝３であるからｎ’＝
０である。
【００２０】図６には、上記光記録媒体に、ＰＷＭ記録
方式により、クロック時間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの
信号幅を有する「信号：１」の記録もしくは書換えを、
請求項８記載の光記録方法で行う光信号を２種示してい
る。信号：１は、ここでも時間幅：３Ｔを有している。
図６に示す光信号は、光信号のパワーとして、パワーレ
ベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ，Ｐｂ’（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ，
Ｐｂ’，Ｐｂ≠Ｐｂ’）を有する。パワーレベル：Ｐｅ
は消去レベルである。記録もしくは書換えを行う光信号
は、アモルファスマークの先頭部と後端部をそれぞれ形
成するパルス部ｆｐ，ｏｐに挟まれてマルチパルス部ｍ
ｐを有する。マルチパルス部ｍｐは、パワーレベル：Ｐ
ｂもしくはＰｂ’の低レベルパルスとパワーレベル：Ｐ
ｗの高レベルパルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交
互にｎ−ｎ’回連続する部分であり、低レベルパルスと
高レベルパルスの組合せ時間：ｔが少なくともＴであ
る。図６（ａ）の例では「Ｐｂ’＞Ｐｂ」、（ｂ）の例
では「Ｐｂ＞Ｐｂ’」である。また（ｎ−ｎ’）即ち、
低レベルパルスと高レベルパルスとの連続回数（高低レ
ベルパルスの対の繰り返し回数）は、（ａ）では１回、
（ｂ）では２回である。ｎ＝３であるから、ｎ’は
（ａ）では２、（ｂ）では１に設定されている。図６の
光信号は、７．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速度
で、記録もしくは書換えを行うときに用いられる光信号
であり、パワーレベル：ＰｂがＰｗ≧Ｐｂ≧０に設定さ
れ、ｎ’がｎ’≦ｎの整数に設定される。そして、マル
チパルス部ｍｐは、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパル
スおよび／またはパワーレベル：Ｐｂ’の低レベルパル
スを１以上含む。図６（ａ）の例は、パワーレベル：Ｐ
ｂ’の低レベルパルスを１回含む。また、（ｂ）の例
は、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパルスおよびパワー
レベル：Ｐｂ’の低レベルパルスを１回ずつ含む。請求
項８記載の光記録方法のように、記録線速度が７．２〜
１１．２ｍ／ｓｅｃと大きい場合には、記録トラックの
単位長さあたりに与えられる光エネルギが相対的に小さ
くなるので、低レベルパルスのパワーレベルをＰｂとＰ
ｂ’とに分け、「これらのうちの低い方で急冷却を確
保」するとともに、「高い方で過剰の冷却を防止」し、
記録もしくは書換えに必要なエネルギを確保する。
方式により、クロック時間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの
信号幅を有する「信号：１」の記録もしくは書換えを、
請求項８記載の光記録方法で行う光信号を２種示してい
る。信号：１は、ここでも時間幅：３Ｔを有している。
図６に示す光信号は、光信号のパワーとして、パワーレ
ベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ，Ｐｂ’（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ，
Ｐｂ’，Ｐｂ≠Ｐｂ’）を有する。パワーレベル：Ｐｅ
は消去レベルである。記録もしくは書換えを行う光信号
は、アモルファスマークの先頭部と後端部をそれぞれ形
成するパルス部ｆｐ，ｏｐに挟まれてマルチパルス部ｍ
ｐを有する。マルチパルス部ｍｐは、パワーレベル：Ｐ
ｂもしくはＰｂ’の低レベルパルスとパワーレベル：Ｐ
ｗの高レベルパルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交
互にｎ−ｎ’回連続する部分であり、低レベルパルスと
高レベルパルスの組合せ時間：ｔが少なくともＴであ
る。図６（ａ）の例では「Ｐｂ’＞Ｐｂ」、（ｂ）の例
では「Ｐｂ＞Ｐｂ’」である。また（ｎ−ｎ’）即ち、
低レベルパルスと高レベルパルスとの連続回数（高低レ
ベルパルスの対の繰り返し回数）は、（ａ）では１回、
（ｂ）では２回である。ｎ＝３であるから、ｎ’は
（ａ）では２、（ｂ）では１に設定されている。図６の
光信号は、７．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速度
で、記録もしくは書換えを行うときに用いられる光信号
であり、パワーレベル：ＰｂがＰｗ≧Ｐｂ≧０に設定さ
れ、ｎ’がｎ’≦ｎの整数に設定される。そして、マル
チパルス部ｍｐは、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパル
スおよび／またはパワーレベル：Ｐｂ’の低レベルパル
スを１以上含む。図６（ａ）の例は、パワーレベル：Ｐ
ｂ’の低レベルパルスを１回含む。また、（ｂ）の例
は、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパルスおよびパワー
レベル：Ｐｂ’の低レベルパルスを１回ずつ含む。請求
項８記載の光記録方法のように、記録線速度が７．２〜
１１．２ｍ／ｓｅｃと大きい場合には、記録トラックの
単位長さあたりに与えられる光エネルギが相対的に小さ
くなるので、低レベルパルスのパワーレベルをＰｂとＰ
ｂ’とに分け、「これらのうちの低い方で急冷却を確
保」するとともに、「高い方で過剰の冷却を防止」し、
記録もしくは書換えに必要なエネルギを確保する。
【００２１】図７には、上記光記録媒体に、ＰＷＭ記録
方式により、クロック時間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの
信号幅を有する「信号：１」の記録もしくは書換えを、
請求項９記載の光記録方法で行う光信号を示している。
この光信号は、光信号のパワーとして３種のパワーレベ
ル：Ｐｆ，Ｐｗ，Ｐｅ（Ｐｆ＞Ｐｗ＞Ｐｅ）を有する。
パワーレベル：Ｐｅは消去レベルである。記録もしくは
書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｆで時間幅：
Ｔｆを持つ先頭パルス部：Ｐ１と、パワーレベル：Ｐｗ
で時間幅：α（ｎ−ｎ’）Ｔを持つパルス部Ｐ２で構成
され、時間幅：Ｔｆは、０≦Ｔｆ≦１．５Ｔの範囲に設
定され、上記「α」は、０．７５≦α≦１．２５の範囲
に設定される。また、ｎ’はｎ’≦ｎの整数に設定され
る。即ち、この光信号では、光信号の先頭部分に高いパ
ワーレベルの先頭パルス部Ｐ１を設けて十分な光エネル
ギを供給すると共に、これに続くパルス部分Ｐ２では光
エネルギの供給を抑えて、記録層における過剰な熱の発
生を抑えている。先頭パルス部Ｐ１の時間幅：Ｔｆを上
記範囲内で調整し、パルス部分Ｐ２の時間幅を、αと
ｎ’の設定により調整することにより良好な光信号を構
成できる。
方式により、クロック時間：Ｔの整数倍の長さ：ｎＴの
信号幅を有する「信号：１」の記録もしくは書換えを、
請求項９記載の光記録方法で行う光信号を示している。
この光信号は、光信号のパワーとして３種のパワーレベ
ル：Ｐｆ，Ｐｗ，Ｐｅ（Ｐｆ＞Ｐｗ＞Ｐｅ）を有する。
パワーレベル：Ｐｅは消去レベルである。記録もしくは
書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐｆで時間幅：
Ｔｆを持つ先頭パルス部：Ｐ１と、パワーレベル：Ｐｗ
で時間幅：α（ｎ−ｎ’）Ｔを持つパルス部Ｐ２で構成
され、時間幅：Ｔｆは、０≦Ｔｆ≦１．５Ｔの範囲に設
定され、上記「α」は、０．７５≦α≦１．２５の範囲
に設定される。また、ｎ’はｎ’≦ｎの整数に設定され
る。即ち、この光信号では、光信号の先頭部分に高いパ
ワーレベルの先頭パルス部Ｐ１を設けて十分な光エネル
ギを供給すると共に、これに続くパルス部分Ｐ２では光
エネルギの供給を抑えて、記録層における過剰な熱の発
生を抑えている。先頭パルス部Ｐ１の時間幅：Ｔｆを上
記範囲内で調整し、パルス部分Ｐ２の時間幅を、αと
ｎ’の設定により調整することにより良好な光信号を構
成できる。
【００２２】図８には、請求項１０，１１記載の光記録
方法に用いる光信号を示す。図８（ａ）に示す光信号
は、請求項１０記載の光記録方法に用いる光信号で、図
７に示した光信号のパルス部分Ｐ２に続いて、パルス
部：Ｐ３を有する。パルス部：Ｐ３は、パワーレベル：
Ｐｇ（０≦Ｐｇ≦Ｐｅ）と、時間幅：Ｔ３（０．２Ｔ≦
Ｔ３≦１．０Ｔ）を有する。このようなパルス部Ｐ３を
設けることにより、アモルファスマークの後端部での急
冷を確実ならしめ、アモルファスマーク後端部の境界を
明確化できる。図８（ｂ）に示す光信号は、請求項１１
記載の光記録方法に用いる光信号で、図７に示した光信
号の先頭パルス部分Ｐ１の「前の部分」に、パワーレベ
ル：Ｐｈ（０≦Ｐｈ≦Ｐｅ）と時間幅：Ｔ４（２Ｔ≦Ｔ
４≦１．０Ｔ）をもつパルス部Ｐ４を有する。このよう
なパルス部Ｐｈを設けることにより、アモルファスマー
ク先頭部の境界を明確化できる。図７に示す光信号の前
後に、上記パルス部分Ｐ３，Ｐ４を設けて良いことは言
うまでもない。なお、記録線速度を一定の範囲内で可変
とし、記録トラックの単位長さあたりに与える光エネル
ギを記録線速度で調整することができ、このような記録
線速度の調整を上記光信号と併用することにより光記録
を最適化することができる。
方法に用いる光信号を示す。図８（ａ）に示す光信号
は、請求項１０記載の光記録方法に用いる光信号で、図
７に示した光信号のパルス部分Ｐ２に続いて、パルス
部：Ｐ３を有する。パルス部：Ｐ３は、パワーレベル：
Ｐｇ（０≦Ｐｇ≦Ｐｅ）と、時間幅：Ｔ３（０．２Ｔ≦
Ｔ３≦１．０Ｔ）を有する。このようなパルス部Ｐ３を
設けることにより、アモルファスマークの後端部での急
冷を確実ならしめ、アモルファスマーク後端部の境界を
明確化できる。図８（ｂ）に示す光信号は、請求項１１
記載の光記録方法に用いる光信号で、図７に示した光信
号の先頭パルス部分Ｐ１の「前の部分」に、パワーレベ
ル：Ｐｈ（０≦Ｐｈ≦Ｐｅ）と時間幅：Ｔ４（２Ｔ≦Ｔ
４≦１．０Ｔ）をもつパルス部Ｐ４を有する。このよう
なパルス部Ｐｈを設けることにより、アモルファスマー
ク先頭部の境界を明確化できる。図７に示す光信号の前
後に、上記パルス部分Ｐ３，Ｐ４を設けて良いことは言
うまでもない。なお、記録線速度を一定の範囲内で可変
とし、記録トラックの単位長さあたりに与える光エネル
ギを記録線速度で調整することができ、このような記録
線速度の調整を上記光信号と併用することにより光記録
を最適化することができる。
【００２３】
【実施例】以下、具体的な実施例を説明する。
【００２４】実施例１ 光記録媒体を「書換え可能なコンパクトディスク」とし
て、以下のごとく構成した。即ち、厚さ：１．２ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に、第１保護層としてＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ2層を厚さ：１００ｎｍに形成し、その上
に、Ａｇ：６ａｔ％、Ｉｎ：９ａｔ％、Ｓｂ：６３ａｔ
％、Ｔｅ：２２ａｔ％の組成比を持つ記録層を厚さ：２
０ｎｍに形成し、さらに第２保護層としてＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2層を厚さ：２５ｎｍに形成し、その上に反射放熱層
としてＡｌ合金層を厚さ：１６０ｎｍに形成し、紫外線
硬化樹脂によるオーバコート層を厚さ：１０μｍに形成
して上記コンパクトディスクとした。
て、以下のごとく構成した。即ち、厚さ：１．２ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に、第１保護層としてＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ2層を厚さ：１００ｎｍに形成し、その上
に、Ａｇ：６ａｔ％、Ｉｎ：９ａｔ％、Ｓｂ：６３ａｔ
％、Ｔｅ：２２ａｔ％の組成比を持つ記録層を厚さ：２
０ｎｍに形成し、さらに第２保護層としてＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2層を厚さ：２５ｎｍに形成し、その上に反射放熱層
としてＡｌ合金層を厚さ：１６０ｎｍに形成し、紫外線
硬化樹脂によるオーバコート層を厚さ：１０μｍに形成
して上記コンパクトディスクとした。
【００２５】このコンパクトディスクを１．２〜９．６
ｍ／ｓｅｃの線速で回転させ、光ピックアップによる記
録・書換えを行った。クロック周波数は８．６４ＭＨｚ
を基本周波数として回転線速に対応させ、最高８×８．
６４＝６９．１２ＭＨｚのＥＦＭ変調信号をＰＷＭ記録
方式により記録・書換えを行った。光ピックアップの光
源は発振波長：７８０ｎｍの半導体レーザで、対物レン
ズとしてＮ．Ａ．＝０．５のものを用いた。
ｍ／ｓｅｃの線速で回転させ、光ピックアップによる記
録・書換えを行った。クロック周波数は８．６４ＭＨｚ
を基本周波数として回転線速に対応させ、最高８×８．
６４＝６９．１２ＭＨｚのＥＦＭ変調信号をＰＷＭ記録
方式により記録・書換えを行った。光ピックアップの光
源は発振波長：７８０ｎｍの半導体レーザで、対物レン
ズとしてＮ．Ａ．＝０．５のものを用いた。
【００２６】時間幅：ｎＴの信号：１を「記録し・書き
換える光信号」として、図４（ｂ）に即して説明した如
きものを用い、記録線速度：１．２，２．４，４．８，
７．２，９，６ｍ／ｓｅｃのそれぞれに対し、デューテ
ィ比：Ｚを０．１，０．２，０．３，０．４，０．５に
設定した。この光信号の、マルチパルス部のパルス繰り
返し数（低レベルパルスと高レベルパルスの対の繰り返
し数）は「ｎ−２」回とし、低レベルパルスのパワーレ
ベル：Ｐｂを、記録線速：１．２〜４．８ｍ／ｓｅｃに
対してＰｂ＝０．５ｍＷ（半導体レーザの駆動パワー）
とし、記録線速：７．２ｍ／ｓｅｃに対してＰｂ＝４ｍ
Ｗ、記録線速：９．６ｍ／ｓｅｃに対してＰｂ＝６ｍＷ
とした。時間幅：ｎＴの信号：０を記録・書換える光信
号としては、図５（ｂ）に即して説明した光信号を用
い、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とし、デューティ比：Ｙを０．
５とした。このとき、初期特性としての「３Ｔランドジ
ッターのパワーレベル：Ｐｗに対する依存性」は、図９
に示す如きものとなった。この図から明らかなように、
初期特性は極めて良好であり、オーバライトを１０００
回行った後の特性も良好であった。
換える光信号」として、図４（ｂ）に即して説明した如
きものを用い、記録線速度：１．２，２．４，４．８，
７．２，９，６ｍ／ｓｅｃのそれぞれに対し、デューテ
ィ比：Ｚを０．１，０．２，０．３，０．４，０．５に
設定した。この光信号の、マルチパルス部のパルス繰り
返し数（低レベルパルスと高レベルパルスの対の繰り返
し数）は「ｎ−２」回とし、低レベルパルスのパワーレ
ベル：Ｐｂを、記録線速：１．２〜４．８ｍ／ｓｅｃに
対してＰｂ＝０．５ｍＷ（半導体レーザの駆動パワー）
とし、記録線速：７．２ｍ／ｓｅｃに対してＰｂ＝４ｍ
Ｗ、記録線速：９．６ｍ／ｓｅｃに対してＰｂ＝６ｍＷ
とした。時間幅：ｎＴの信号：０を記録・書換える光信
号としては、図５（ｂ）に即して説明した光信号を用
い、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とし、デューティ比：Ｙを０．
５とした。このとき、初期特性としての「３Ｔランドジ
ッターのパワーレベル：Ｐｗに対する依存性」は、図９
に示す如きものとなった。この図から明らかなように、
初期特性は極めて良好であり、オーバライトを１０００
回行った後の特性も良好であった。
【００２７】実施例２ 光記録媒体を「書換え可能なコンパクトディスク」とし
て、以下のごとく構成した。厚さ：１．２ｍｍのポリカ
ーボネート樹脂基板上に、第１保護層としてＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2層を厚さ：９０ｎｍに形成し、その上に、Ａｇ：
５ａｔ％、Ｉｎ：７ａｔ％、Ｓｂ：６３ａｔ％、Ｔｅ：
２５ａｔ％の組成比を持つ記録層を厚さ：２１ｎｍに形
成し、第２保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2層を厚さ：２
５ｎｍに形成し、その上に反射放熱層としてＡｌ合金層
を厚さ：１５０ｎｍに形成し、さらに紫外線硬化樹脂に
よるオーバコート層を厚さ：１０μｍに形成してコンパ
クトディスクとした。
て、以下のごとく構成した。厚さ：１．２ｍｍのポリカ
ーボネート樹脂基板上に、第１保護層としてＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2層を厚さ：９０ｎｍに形成し、その上に、Ａｇ：
５ａｔ％、Ｉｎ：７ａｔ％、Ｓｂ：６３ａｔ％、Ｔｅ：
２５ａｔ％の組成比を持つ記録層を厚さ：２１ｎｍに形
成し、第２保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2層を厚さ：２
５ｎｍに形成し、その上に反射放熱層としてＡｌ合金層
を厚さ：１５０ｎｍに形成し、さらに紫外線硬化樹脂に
よるオーバコート層を厚さ：１０μｍに形成してコンパ
クトディスクとした。
【００２８】このコンパクトディスクを１．２〜９．６
ｍ／ｓｅｃの線速で回転させ、光ピックアップによる記
録・書換えを行った。クロック周波数は８．６４ＭＨｚ
を基本周波数として回転線速に対応させ、最高８×８．
６４＝６９．１２ＭＨｚのＥＦＭ変調信号をＰＷＭ記録
方式により記録・書換えを行った。光ピックアップの光
源は発振波長：７８０ｎｍの半導体レーザで、対物レン
ズとしてＮ．Ａ．＝０．５のものを用いた。
ｍ／ｓｅｃの線速で回転させ、光ピックアップによる記
録・書換えを行った。クロック周波数は８．６４ＭＨｚ
を基本周波数として回転線速に対応させ、最高８×８．
６４＝６９．１２ＭＨｚのＥＦＭ変調信号をＰＷＭ記録
方式により記録・書換えを行った。光ピックアップの光
源は発振波長：７８０ｎｍの半導体レーザで、対物レン
ズとしてＮ．Ａ．＝０．５のものを用いた。
【００２９】時間幅：ｎＴの信号：１を記録・書き換え
る光信号として、図４（ｂ）および（ｃ）に即して説明
した如きものを用い、記録線速度：１．２，２．４，
４．８，７．２，９，６ｍ／ｓｅｃのそれぞれに対し
て、デューティ比：Ｚを、０．１，０．２，０．３，
０．４，０．５に設定した。この光信号のマルチパルス
部の高レベルパルスと低レベルパルスの繰り返し数は、
記録線速度：１．２ｍ／ｓｅｃ〜２．４ｍ／ｓｅｃに対
して「２ｎ−３」回、記録線速度：４．８〜９．６に対
して「ｎ−２」回とし、低レベルパルスのパワーレベ
ル：Ｐｂは常に０．５ｍＷとした。
る光信号として、図４（ｂ）および（ｃ）に即して説明
した如きものを用い、記録線速度：１．２，２．４，
４．８，７．２，９，６ｍ／ｓｅｃのそれぞれに対し
て、デューティ比：Ｚを、０．１，０．２，０．３，
０．４，０．５に設定した。この光信号のマルチパルス
部の高レベルパルスと低レベルパルスの繰り返し数は、
記録線速度：１．２ｍ／ｓｅｃ〜２．４ｍ／ｓｅｃに対
して「２ｎ−３」回、記録線速度：４．８〜９．６に対
して「ｎ−２」回とし、低レベルパルスのパワーレベ
ル：Ｐｂは常に０．５ｍＷとした。
【００３０】時間幅：ｎＴの信号：０の記録・書換えに
は、図５（ｂ）に即して説明した光信号を用い、Ｐｅ／
Ｐｗ＝０．５とし、デューティ比：Ｙを０．５とした。
このとき、初期特性としての「３Ｔランドジッターのパ
ワーレベル：Ｐｗに対する依存性」は、図１１に示す如
きものとなった。この図から明らかなように、初期特性
は極めて良好であり、オーバライトを１０００回行った
後の特性も良好であった。
は、図５（ｂ）に即して説明した光信号を用い、Ｐｅ／
Ｐｗ＝０．５とし、デューティ比：Ｙを０．５とした。
このとき、初期特性としての「３Ｔランドジッターのパ
ワーレベル：Ｐｗに対する依存性」は、図１１に示す如
きものとなった。この図から明らかなように、初期特性
は極めて良好であり、オーバライトを１０００回行った
後の特性も良好であった。
【００３１】実施例３ 記録媒体として、実施例１において用いたのと同一の
「書換え可能なコンパクトディスク」を用い、１．２〜
９．６ｍ／ｓｅｃの線速で回転させ、実施例１の光ピッ
クアップにより記録・書換えを行った。クロック周波数
は６．６４ＭＨｚを基本周波数として回転線速に対応さ
せ、最高８×８．６４＝６９．１２ＭＨｚのＥＦＭ変調
信号をＰＷＭ記録方式により記録・書換えを行った。
「書換え可能なコンパクトディスク」を用い、１．２〜
９．６ｍ／ｓｅｃの線速で回転させ、実施例１の光ピッ
クアップにより記録・書換えを行った。クロック周波数
は６．６４ＭＨｚを基本周波数として回転線速に対応さ
せ、最高８×８．６４＝６９．１２ＭＨｚのＥＦＭ変調
信号をＰＷＭ記録方式により記録・書換えを行った。
【００３２】時間幅：ｎＴの信号：１を書込み・書き換
える光信号として、記録線速度：１．２，２．４，４．
８ｍ／ｓｅｃに対して、図４（ｂ）に即して説明した如
きものを用い、記録線速度：１．２，２．４，４．８ｍ
／ｓｅｃのそれぞれに対して、デューティ比：Ｚを、
０．１，０．２，０．３に設定した。この光信号のマル
チパルス部のパルス繰り返し数は「ｎ−２」回とし、低
レベルパルスのパワーレベル：Ｐｂは、記録線速：１．
２〜４．８ｍ／ｓｅｃに対してＰｂ＝０．５ｍＷとし
た。また、時間幅：ｎＴの信号：１を書込み・書き換え
る光信号として、記録線速度：７．２，９．６ｍ／ｓｅ
ｃに対しては、図８（ｂ）に示したような信号を用い、
パルス部分Ｐ４を時間幅：０．２５Ｔ、パワーレベルＰ
ｆ＝０．５、先頭パルス部分Ｐ１を時間幅：０．７５Ｔ
でパワーレベル：Ｐｆ＝１．２ｍＷ、パルス部分Ｐ２を
時間幅：０．９（ｎ−１）Ｔでパワーレベル：Ｐｗ＝
１．０ｍＷとした。
える光信号として、記録線速度：１．２，２．４，４．
８ｍ／ｓｅｃに対して、図４（ｂ）に即して説明した如
きものを用い、記録線速度：１．２，２．４，４．８ｍ
／ｓｅｃのそれぞれに対して、デューティ比：Ｚを、
０．１，０．２，０．３に設定した。この光信号のマル
チパルス部のパルス繰り返し数は「ｎ−２」回とし、低
レベルパルスのパワーレベル：Ｐｂは、記録線速：１．
２〜４．８ｍ／ｓｅｃに対してＰｂ＝０．５ｍＷとし
た。また、時間幅：ｎＴの信号：１を書込み・書き換え
る光信号として、記録線速度：７．２，９．６ｍ／ｓｅ
ｃに対しては、図８（ｂ）に示したような信号を用い、
パルス部分Ｐ４を時間幅：０．２５Ｔ、パワーレベルＰ
ｆ＝０．５、先頭パルス部分Ｐ１を時間幅：０．７５Ｔ
でパワーレベル：Ｐｆ＝１．２ｍＷ、パルス部分Ｐ２を
時間幅：０．９（ｎ−１）Ｔでパワーレベル：Ｐｗ＝
１．０ｍＷとした。
【００３３】時間幅：ｎＴの信号：０を記録・書換える
光信号としては、図５（ｂ）に即して説明した光信号を
用い、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とし、デューティ比：Ｙを
０．５とした。このとき、初期特性として「３Ｔランド
ジッターのパワーレベル：Ｐｗに対する依存性」は、図
１２に示す如きものとなった。この図から明らかなよう
に、初期特性は極めて良好であり、オーバライトを１０
００回行った後の特性も良好であった。
光信号としては、図５（ｂ）に即して説明した光信号を
用い、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とし、デューティ比：Ｙを
０．５とした。このとき、初期特性として「３Ｔランド
ジッターのパワーレベル：Ｐｗに対する依存性」は、図
１２に示す如きものとなった。この図から明らかなよう
に、初期特性は極めて良好であり、オーバライトを１０
００回行った後の特性も良好であった。
【００３４】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば新規な光記録媒体と光記録方法を実現できる。この発
明の光記録媒体は、この発明の光記録方法によって、
１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの広い記録線速度範囲にわ
たって、情報の良好な書込み・再生・書換え・消去を実
現できる。
ば新規な光記録媒体と光記録方法を実現できる。この発
明の光記録媒体は、この発明の光記録方法によって、
１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの広い記録線速度範囲にわ
たって、情報の良好な書込み・再生・書換え・消去を実
現できる。
【図１】この発明の光記録媒体の実施の形態を説明する
ための図である。
ための図である。
【図２】上記実施の形態の光記録媒体をコンパクトディ
スクとした場合の、グルーブ反射率の第１保護層の厚さ
に対する依存性を示す図である。
スクとした場合の、グルーブ反射率の第１保護層の厚さ
に対する依存性を示す図である。
【図３】記録層におけるＴｅの組成比と記録線速度との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図４】この発明の光記録方法に使用される光信号を説
明するための図である。
明するための図である。
【図５】この発明の光記録方法に使用される別の光信号
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６】この発明の光記録方法に使用される他の光信号
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】この発明の光記録方法に使用される他の光信号
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図８】この発明の光記録方法に使用される他の光信号
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図９】実施例１に関する３Ｔランドジッターのパワー
レベル：Ｐｗに対する依存性を示す図である。
レベル：Ｐｗに対する依存性を示す図である。
【図１０】実施例２に関する３Ｔランドジッターのパワ
ーレベル：Ｐｗに対する依存性を示す図である。
ーレベル：Ｐｗに対する依存性を示す図である。
【図１１】実施例２に関する３Ｔランドジッターのパワ
ーレベル：Ｐｗに対する依存性を示す図である。
ーレベル：Ｐｗに対する依存性を示す図である。
１ 基板 ２ 第１保護層 ３ 記録層 ４ 第２保護層 ５ 反射放熱層 ６ オーバコート層 １０ 光記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野田 英治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号・株式 会社リコー内 (72)発明者 小川 一平 東京都大田区中馬込１丁目３番６号・株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA33 FA01 FA12 FA14 FA18 FA23 FA30 FB09 FB12 FB17 FB21 FB24 FB25 FB30 5D029 JA01 JB16 JB35 LA02 LB01 LB07 MA13 MA27 5D090 AA01 BB05 CC06 CC14 DD02 FF11 FF21 KK03 KK05
Claims (11)
- 【請求項１】基板上に、少なくとも、第１保護層、記録
層、第２保護層を有し、 上記第１保護層は厚さ：６５〜１３０ｎｍ、上記第２保
護層は厚さ：１５〜４５ｎｍであり、これら第１および
第２保護層に挾まれる記録層は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔ
ｅを、原子％による組成比：α，β，γ，δが、 ０＜α≦６，３≦β≦１５，５０≦γ≦６５，２０≦δ
≦３５、α＋β＋γ＋δ＝１００であるように構成され
て厚さ：１５〜３５ｎｍを有し、 相変化型で、１．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃの記録線速度
範囲で、光による記録・再生・書換えが可能な光記録媒
体。 - 【請求項２】請求項１記載の光記録媒体において、 記録層が、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅとともに、Ｎおよび
／またはＯを有し、Ｎおよび／またはＯの原子％による
組成比をεとするとき、α，β，γ，δ，εが、 ０＜
α≦６，３≦β≦１５，５０≦γ≦６５，２０≦δ≦３
５，０＜ε≦５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００であるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】請求項１または２記載の光記録媒体におい
て、 第２保護層上に、反射放熱層と、この反射放熱層の酸化
防止層としてのオーバコート層を有し、 上記反射放熱層は金属もしくは金属酸化物により厚さ：
７０〜１８０ｎｍに形成され、上記オーバコート層は紫
外線硬化樹脂により７〜１５μｍに形成されていること
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項４】請求項１または２または３記載の光記録媒
体において、 基板が円板形状であり、書換え可能なコンパクトディス
クとして構成されたことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項５】請求項１〜４の任意の１に記載の光記録媒
体に、ＰＷＭ記録方式により、所定の信号幅を有する信
号の記録もしくは書換えを行う方法であって、 光信号のパワーとして、３種のパワーレベル：Ｐｗ，Ｐ
ｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設定し、上記パワーレ
ベル：Ｐｅを消去レベルとし、 記録もしくは書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐ
ｂの低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｗの高レベルパ
ルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交互に所定回数連
続するマルチパルス部を含み、 単位記録線速度：Ｖminを１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃと
するとき、Ｖmin，２Ｖmin，４Ｖmin，６Ｖmin，８Ｖmi
nの各記録線速度に対し、上記デューティ比：Ｚを、
０．０５〜０．４，０．１〜０．６，０．２〜０．８，
０．２５〜１．０，０．３〜１．０の範囲に設定するこ
とを特徴とする光記録方法。 - 【請求項６】請求項１〜４の任意の１に記載の光記録媒
体に、ＰＷＭ記録方式により、クロック時間：Ｔの整数
倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：１の記録もしく
は書換えを行う方法であって、 光信号のパワーとして、３種のパワーレベル：Ｐｗ，Ｐ
ｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設定し、上記パワーレ
ベル：Ｐｅを消去レベルとし、 記録もしくは書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐ
ｂの低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｗの高レベルパ
ルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交互に２ｎ−ｎ’
回連続するマルチパルス部を含み、上記低レベルパルス
と高レベルパルスの組合せ時間が少なくともＴであり、 上記デューティ比：Ｚを０．０５≦Ｚ≦０．２５の範囲
に設定するとともに、上記ｎ’をｎ’≦ｎの整数に設定
することを特徴とする光記録方法。 - 【請求項７】請求項１〜４の任意の１に記載の光記録媒
体に、ＰＷＭ記録方式により、クロック時間：Ｔの整数
倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：０の記録もしく
は書換えを行う方法であって、 光信号のパワーとして、３種のパワーレベル：Ｐｗ，Ｐ
ｅ，Ｐｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を設定し、上記パワーレ
ベル：Ｐｅを消去レベルとし、 記録もしくは書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐ
ｂの低レベルパルスとパワーレベル：Ｐｅのパルスと
が、所定のデューティ比：Ｙで交互にｎ−ｎ’回連続す
るマルチパルス部を含み、上記低レベルパルスとパルス
の組合せ時間が少なくともＴであり、 上記デューティ比：Ｙを０．４≦Ｙ≦０．６の範囲内に
設定するとともに、上記ｎ’をｎ’≦ｎの整数に設定す
ることを特徴とする光記録方法。 - 【請求項８】請求項１〜４の任意の１に記載の光記録媒
体に、ＰＷＭ記録方式により、クロック時間：Ｔの整数
倍の長さ：ｎＴの信号幅を有する信号：１の記録もしく
は書換えを行う方法であって、 光信号のパワーとして、パワーレベル：Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐ
ｂ，Ｐｂ’（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ，Ｐｂ’，Ｐｂ≠Ｐ
ｂ’）を設定し、上記パワーレベル：Ｐｅを消去レベル
とし、 記録もしくは書換えを行う光信号は、パワーレベル：Ｐ
ｂもしくはＰｂ’の低レベルパルスとパワーレベル：Ｐ
ｗの高レベルパルスとが、所定のデューティ比：Ｚで交
互にｎ−ｎ’回連続するマルチパルス部を含み、上記低
レベルパルスと高レベルパルスの組合せ時間が少なくと
もＴであり、 記録線速度が７．２〜１１．２ｍ／ｓｅｃのとき、上記
パワーレベル：ＰｂをＰｗ≧Ｐｂ≧０に設定するととも
に、上記ｎ’をｎ’≦ｎの整数に設定し、且つ上記マル
チパルス部が、パワーレベル：Ｐｂの低レベルパルスお
よび／またはパワーレベル：Ｐｂ’の低レベルパルス
を、１以上含むことを特徴とする光記録方法。 - 【請求項９】請求項１〜４の任意の１に記載の光記録媒
体に、ＰＷＭ記録方式により、クロック時間：Ｔの整数
倍の長さｎＴの信号幅を有する信号：１の記録もしくは
書換えを行う方法であって、 光信号のパワーとして、３種のパワーレベル：Ｐｆ，Ｐ
ｗ，Ｐｅ（Ｐｆ＞Ｐｗ＞Ｐｅ）を設定し、上記パワーレ
ベル：Ｐｅを消去レベルとし、 記録もしくは書換えを行う光信号が、パワーレベル：Ｐ
ｆで時間幅：Ｔｆを持つ先頭パルス部：Ｐ１と、パワー
レベル：Ｐｗで時間幅：α（ｎ−ｎ’）Ｔを持つパルス
部Ｐ２で構成され、 上記Ｔｆを、０≦Ｔｆ≦１．５Ｔの範囲に、また上記α
を、０．７５≦α≦１．２５の範囲に設定し、且つ、上
記ｎ’をｎ’≦ｎの整数に設定することを特徴とする光
記録方法。 - 【請求項１０】請求項９記載の記録方法において、 記録もしくは書換えを行う光信号が、パルス部：Ｐ２に
続いてパルス部：Ｐ３を有し、パルス部：Ｐ３は、パワ
ーレベル：Ｐｇ（０≦Ｐｇ≦Ｐｅ）と、時間幅：Ｔ３
（０．２Ｔ≦Ｔ３≦１．０Ｔ）を有することを特徴とす
る光記録方法。 - 【請求項１１】請求項８または９または１０記載の光記
録方法において、 記録もしくは書換えを行う光信号の先頭部分に、パワー
レベル：Ｐｈ（０≦Ｐｈ≦Ｐｅ）と時間幅：Ｔ４（２Ｔ
≦Ｔ４≦１．０Ｔ）をもつパルス部Ｐ４を有することを
特徴とする光記録方法。
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