JPH08250533A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法Info
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- JPH08250533A JPH08250533A JP5093295A JP5093295A JPH08250533A JP H08250533 A JPH08250533 A JP H08250533A JP 5093295 A JP5093295 A JP 5093295A JP 5093295 A JP5093295 A JP 5093295A JP H08250533 A JPH08250533 A JP H08250533A
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- films
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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Landscapes
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対のフィルムを用いて半導体パッケージ
を製造する際に、半導体装置のワイヤーボンド部がフィ
ルムに接触することによって生じる同ボンド部の変形や
断線を防止する。 【構成】 半導体装置１３の回路面に対向位置するこ
ととなる金型キャビティ面１ａ側に、一端がキャビティ
３内に通じ且つ他端が金型１外の吸引源に接続される吸
引孔１ｂをあらかじめ設けておき、まず、一対の金型
１、２のキャビティ１ａ、２ａ面側にそれぞれ対応する
フィルム２１、２２をセットした状態で、吸引孔１ｂを
介して金型１外からキャビティ３内を吸引することによ
り、半導体装置１３の回路面側となるフィルム２１をそ
の対応する金型キャビティ面１ａ側に吸着させる。次
に、両フィルム２１、２２間に半導体装置１３および封
止材料１４をセットした後、金型１、２を閉じ、その状
態で封止材料１４を加圧してキャビティ３内に注入す
る。
を製造する際に、半導体装置のワイヤーボンド部がフィ
ルムに接触することによって生じる同ボンド部の変形や
断線を防止する。 【構成】 半導体装置１３の回路面に対向位置するこ
ととなる金型キャビティ面１ａ側に、一端がキャビティ
３内に通じ且つ他端が金型１外の吸引源に接続される吸
引孔１ｂをあらかじめ設けておき、まず、一対の金型
１、２のキャビティ１ａ、２ａ面側にそれぞれ対応する
フィルム２１、２２をセットした状態で、吸引孔１ｂを
介して金型１外からキャビティ３内を吸引することによ
り、半導体装置１３の回路面側となるフィルム２１をそ
の対応する金型キャビティ面１ａ側に吸着させる。次
に、両フィルム２１、２２間に半導体装置１３および封
止材料１４をセットした後、金型１、２を閉じ、その状
態で封止材料１４を加圧してキャビティ３内に注入す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を樹脂封止
してなる半導体パッケージの製造方法に関する。
してなる半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばチップ状のＬＳＩ等の半導体装置
を樹脂で封止してパッケージ化する方法として、トラン
スファ−成形による方法がある。これは、粉末状または
タブレット状の樹脂を加熱・加圧して溶融させたのち金
型に注入して固化させることによりパッケージ化するも
ので、これによれば、金型への樹脂注入を低速で行うこ
とで、一定品質の半導体パッケージを比較的低コストで
大量に生産することができる。このため、半導体装置の
樹脂封止方法として、従来は、上記トランスファ−成形
による方法が最も多く用いられてきた。
を樹脂で封止してパッケージ化する方法として、トラン
スファ−成形による方法がある。これは、粉末状または
タブレット状の樹脂を加熱・加圧して溶融させたのち金
型に注入して固化させることによりパッケージ化するも
ので、これによれば、金型への樹脂注入を低速で行うこ
とで、一定品質の半導体パッケージを比較的低コストで
大量に生産することができる。このため、半導体装置の
樹脂封止方法として、従来は、上記トランスファ−成形
による方法が最も多く用いられてきた。
【０００３】しかしながら、近年における半導体装置の
低価格化の要求に伴い、上述のような半導体装置の樹脂
封止の分野においても生産性の大幅な向上が必要となっ
てきた。その場合に、従来のトランスファ−成形方法に
おいては、封止材料である樹脂の付着等により汚れた金
型を頻繁にクリーニングする必要があること、また成形
後に金型からエジェクトピンを突き出して半導体パッケ
ージを離型させる際に半導体装置に対してダメージを与
えるおそれがあること、さらには金型にそのようなエジ
ェクトピンの突き出し機構を設けなければならならい分
だけ金型コストが高くつくこと等の問題があったことか
ら、本願発明者らは、これらの問題を解消して生産性を
大幅に向上させうる技術として、次のような半導体パッ
ケージの製造方法を提案している。
低価格化の要求に伴い、上述のような半導体装置の樹脂
封止の分野においても生産性の大幅な向上が必要となっ
てきた。その場合に、従来のトランスファ−成形方法に
おいては、封止材料である樹脂の付着等により汚れた金
型を頻繁にクリーニングする必要があること、また成形
後に金型からエジェクトピンを突き出して半導体パッケ
ージを離型させる際に半導体装置に対してダメージを与
えるおそれがあること、さらには金型にそのようなエジ
ェクトピンの突き出し機構を設けなければならならい分
だけ金型コストが高くつくこと等の問題があったことか
ら、本願発明者らは、これらの問題を解消して生産性を
大幅に向上させうる技術として、次のような半導体パッ
ケージの製造方法を提案している。
【０００４】すなわち、半導体装置を樹脂封止してなる
半導体パッケージを製造するに際し、半導体パッケージ
成形用金型上に半導体装置および封止材料を上下一対の
フィルム間に挿入した状態でセットしたのち、金型を閉
じ、次いで同フィルム間の封止材料を加圧および加熱し
て金型キャビティ内に注入することにより、上記半導体
装置を封止するというものである。これによれば、金型
キャビティ面に封止材料である樹脂を直接接触させるこ
となく半導体パッケージを成形することができるから金
型が汚れず、また成形後はフィルム間に保持された半導
体パッケージを同フィルムごと金型から簡単に分離させ
ることができるからエジェクトピンがなくても済むこと
となる。したがって、金型のクリーニング回数の削減に
よる連続成形性の大幅な向上と、エジェクトピンの不要
化による金型コストの削減、ひいては生産性の大幅な向
上を図ることができる。
半導体パッケージを製造するに際し、半導体パッケージ
成形用金型上に半導体装置および封止材料を上下一対の
フィルム間に挿入した状態でセットしたのち、金型を閉
じ、次いで同フィルム間の封止材料を加圧および加熱し
て金型キャビティ内に注入することにより、上記半導体
装置を封止するというものである。これによれば、金型
キャビティ面に封止材料である樹脂を直接接触させるこ
となく半導体パッケージを成形することができるから金
型が汚れず、また成形後はフィルム間に保持された半導
体パッケージを同フィルムごと金型から簡単に分離させ
ることができるからエジェクトピンがなくても済むこと
となる。したがって、金型のクリーニング回数の削減に
よる連続成形性の大幅な向上と、エジェクトピンの不要
化による金型コストの削減、ひいては生産性の大幅な向
上を図ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な方法においては、あらかじめ細い接続線（通常は金
線）を介してリードフレームに電気的に接続された、い
わゆるワイヤーボンディング済みの半導体装置を用いる
が、この種の半導体装置を上記方法により封止するに当
たっては、次のような不具合を生じる場合があることが
分かった。すなわち、金型上に一方のフィルムを介して
半導体装置および封止樹脂をセットした後、その上に他
方のフィルムを被せる際に、半導体装置の回路とリード
フレームとを接続している接続線が、半導体装置の回路
面に対向位置するフィルムと接触して、変形したり断線
したりする場合があることが判明した。
な方法においては、あらかじめ細い接続線（通常は金
線）を介してリードフレームに電気的に接続された、い
わゆるワイヤーボンディング済みの半導体装置を用いる
が、この種の半導体装置を上記方法により封止するに当
たっては、次のような不具合を生じる場合があることが
分かった。すなわち、金型上に一方のフィルムを介して
半導体装置および封止樹脂をセットした後、その上に他
方のフィルムを被せる際に、半導体装置の回路とリード
フレームとを接続している接続線が、半導体装置の回路
面に対向位置するフィルムと接触して、変形したり断線
したりする場合があることが判明した。
【０００６】本発明は、このような問題に対処するもの
で、一対のフィルムを用いて半導体パッケージを製造す
る場合に、半導体装置とその回路面側にセットされるフ
ィルムとの接触を防止して接続線の変形や断線を回避
し、ひいては上記半導体パッケージの製造工程における
信頼性を向上させることを目的とする。
で、一対のフィルムを用いて半導体パッケージを製造す
る場合に、半導体装置とその回路面側にセットされるフ
ィルムとの接触を防止して接続線の変形や断線を回避
し、ひいては上記半導体パッケージの製造工程における
信頼性を向上させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本
発明は、半導体装置を樹脂封止してなる半導体パッケー
ジを製造するに際し、半導体パッケージ成形用金型上
に、半導体装置および封止材料を一対のフィルムの間に
挿入した状態でセットしたのち、金型を閉じ、次いでそ
の両フィルム間の封止材料を加圧および加熱して金型キ
ャビティ内に注入することにより、半導体装置を封止す
る半導体パッケージの製造方法において、次のように構
成したことを特徴とする。
発明は、半導体装置を樹脂封止してなる半導体パッケー
ジを製造するに際し、半導体パッケージ成形用金型上
に、半導体装置および封止材料を一対のフィルムの間に
挿入した状態でセットしたのち、金型を閉じ、次いでそ
の両フィルム間の封止材料を加圧および加熱して金型キ
ャビティ内に注入することにより、半導体装置を封止す
る半導体パッケージの製造方法において、次のように構
成したことを特徴とする。
【０００８】すなわち、半導体装置の回路面に対向位置
することとなる金型キャビティ面側に、一端がそのキャ
ビティ内に通じ且つ他端が金型外の吸引源に接続される
吸引孔をあらかじめ設けておき、上記一対のフィルム間
への半導体装置の挿入に先立って、上記吸引孔を介して
金型外からキャビティ内を吸引することにより、半導体
装置の回路面側にセットすべきフィルムをその対応する
上記金型キャビティ面側に吸着させ、その状態で一対の
フィルム間に半導体装置および封止材料をセットした後
に金型を閉じる。
することとなる金型キャビティ面側に、一端がそのキャ
ビティ内に通じ且つ他端が金型外の吸引源に接続される
吸引孔をあらかじめ設けておき、上記一対のフィルム間
への半導体装置の挿入に先立って、上記吸引孔を介して
金型外からキャビティ内を吸引することにより、半導体
装置の回路面側にセットすべきフィルムをその対応する
上記金型キャビティ面側に吸着させ、その状態で一対の
フィルム間に半導体装置および封止材料をセットした後
に金型を閉じる。
【０００９】ここで、金型キャビティ面側に吸着させた
フィルムがパッケージ成形時に加えられる圧力により上
記吸引孔に押し付けられて破断することを防止する手段
として、そのフィルムの半導体装置側に位置する面（吸
引孔と接する面に対して反対側に位置する面）に、パッ
ケージ成形時の温度に耐えうる耐熱性と所定の強度とを
有する耐熱材料層を設けてもよい。
フィルムがパッケージ成形時に加えられる圧力により上
記吸引孔に押し付けられて破断することを防止する手段
として、そのフィルムの半導体装置側に位置する面（吸
引孔と接する面に対して反対側に位置する面）に、パッ
ケージ成形時の温度に耐えうる耐熱性と所定の強度とを
有する耐熱材料層を設けてもよい。
【００１０】本発明に用いられるフィルムとしては、封
止工程における高温時（１７５°Ｃ）の引張強さが０．
５〜１５．０ｋｇｆ／ｍｍ2 であり、かつ、その高温時
の伸び率が押出方向および直角方向のいずれにおいても
２００％以上であるようなフィルムがよい。この場合の
１７５°Ｃにおける引張強さおよび伸び率は、ＪＩＳＣ
２３１８に準拠して測定した値である。このようなフィ
ルムを推奨するのは次のような理由による。すなわち、
キャビティ内への封止材料の注入・充填時には、その圧
力を受けて一対のフィルムが金型内面の凹凸、すなわち
ランナ部、ゲート部およびキャビティの凹凸に沿おうと
して、それらのフィルムに金型内面の凹凸形状および封
止材料の注入圧に応じた引張力が作用するため、フィル
ムが当該引張力に応じて伸びないと、上記凹凸に沿うこ
とができずに破断してしまうおそれがあるが、上述の引
張強さおよび伸び率を有するフィルムであれば、その引
張力に応じて破断することなく伸びてキャビティ面に所
定の状態に沿うようになるからである。
止工程における高温時（１７５°Ｃ）の引張強さが０．
５〜１５．０ｋｇｆ／ｍｍ2 であり、かつ、その高温時
の伸び率が押出方向および直角方向のいずれにおいても
２００％以上であるようなフィルムがよい。この場合の
１７５°Ｃにおける引張強さおよび伸び率は、ＪＩＳＣ
２３１８に準拠して測定した値である。このようなフィ
ルムを推奨するのは次のような理由による。すなわち、
キャビティ内への封止材料の注入・充填時には、その圧
力を受けて一対のフィルムが金型内面の凹凸、すなわち
ランナ部、ゲート部およびキャビティの凹凸に沿おうと
して、それらのフィルムに金型内面の凹凸形状および封
止材料の注入圧に応じた引張力が作用するため、フィル
ムが当該引張力に応じて伸びないと、上記凹凸に沿うこ
とができずに破断してしまうおそれがあるが、上述の引
張強さおよび伸び率を有するフィルムであれば、その引
張力に応じて破断することなく伸びてキャビティ面に所
定の状態に沿うようになるからである。
【００１１】また、本発明で用いるフィルムの材料とし
ては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリス
チレン（ＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、ナイロン等をあげることができる。また、上述し
た性能を有するフィルムであれば、その厚みは任意であ
るが、一般的には、６μｍ〜１ｍｍ厚のものが使用でき
る。なお、封止材料との離型性を向上させるため、フィ
ルム表面に離型処理を施してもよい。
ては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリス
チレン（ＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、ナイロン等をあげることができる。また、上述し
た性能を有するフィルムであれば、その厚みは任意であ
るが、一般的には、６μｍ〜１ｍｍ厚のものが使用でき
る。なお、封止材料との離型性を向上させるため、フィ
ルム表面に離型処理を施してもよい。
【００１２】また、上述の耐熱材料層を構成する材料
は、成形温度（通常１５０〜２００°Ｃ）において耐熱
性および強度（好ましくは１７５°Ｃでの引張強さが２
０ｋｇｆ／ｍｍ2 以上：ＪＩＳ Ｃ２３１８に準拠して
測定した値）を有するものであれば任意である。具体的
には、ポリイミドフィルムやアルミ箔などを挙げること
ができる。この種の耐熱材料の厚みは通常、６〜１００
μｍが好ましい。このような耐熱材料は、耐熱性を有す
る粘着剤あるいは接着剤により、半導体装置の回路面側
にセットされるフィルムの所定位置、つまりフィルムを
セットした時に金型キャビティ面側に設けられている吸
引孔の一端を被覆する位置に設けられる。この場合、耐
熱材料は、フィルムのキャビティ面側または半導体装置
側のいずれに設けてもよいが、半導体装置側の面に設け
れば、この耐熱材料を、半導体パッケージの成形時にそ
のパッケージ表面に転写される成形時転写材料（パッケ
ージ被覆材料）として兼用することが可能となり、この
耐熱材料の被覆によりパッケージ性能を向上させること
ができるので好ましい。
は、成形温度（通常１５０〜２００°Ｃ）において耐熱
性および強度（好ましくは１７５°Ｃでの引張強さが２
０ｋｇｆ／ｍｍ2 以上：ＪＩＳ Ｃ２３１８に準拠して
測定した値）を有するものであれば任意である。具体的
には、ポリイミドフィルムやアルミ箔などを挙げること
ができる。この種の耐熱材料の厚みは通常、６〜１００
μｍが好ましい。このような耐熱材料は、耐熱性を有す
る粘着剤あるいは接着剤により、半導体装置の回路面側
にセットされるフィルムの所定位置、つまりフィルムを
セットした時に金型キャビティ面側に設けられている吸
引孔の一端を被覆する位置に設けられる。この場合、耐
熱材料は、フィルムのキャビティ面側または半導体装置
側のいずれに設けてもよいが、半導体装置側の面に設け
れば、この耐熱材料を、半導体パッケージの成形時にそ
のパッケージ表面に転写される成形時転写材料（パッケ
ージ被覆材料）として兼用することが可能となり、この
耐熱材料の被覆によりパッケージ性能を向上させること
ができるので好ましい。
【００１３】
【作用】上記の構成によれば、金型上への半導体装置の
セットに先立って、半導体装置の回路面に対向位置する
こととなる金型キャビティ面側の吸引孔を介して金型外
からキャビティ内が吸引されることにより、半導体装置
の回路面側にセットされるべきフィルムが吸引孔側のキ
ャビティ面に吸着される。その結果、その吸着されたフ
ィルム部分が当該キャビティ面の形状に沿うように変形
して、同フィルムには当該キャビティ面の形状に応じた
凹部ができる。したがって、この凹部側に半導体装置の
回路面側が位置するように、金型上の一対のフィルム間
に半導体装置および封止材料をセットすることにより、
半導体装置の回路とリードフレームとを接続している接
続線のフィルムに対する接触を回避することできる。こ
れにより、フィルムとの接触による接続線の変形や断線
を防止することができる。
セットに先立って、半導体装置の回路面に対向位置する
こととなる金型キャビティ面側の吸引孔を介して金型外
からキャビティ内が吸引されることにより、半導体装置
の回路面側にセットされるべきフィルムが吸引孔側のキ
ャビティ面に吸着される。その結果、その吸着されたフ
ィルム部分が当該キャビティ面の形状に沿うように変形
して、同フィルムには当該キャビティ面の形状に応じた
凹部ができる。したがって、この凹部側に半導体装置の
回路面側が位置するように、金型上の一対のフィルム間
に半導体装置および封止材料をセットすることにより、
半導体装置の回路とリードフレームとを接続している接
続線のフィルムに対する接触を回避することできる。こ
れにより、フィルムとの接触による接続線の変形や断線
を防止することができる。
【００１４】このようにして金型上において半導体装置
および封止材料が一対のフィルム間に挿入された状態で
セットされた後は、金型が閉じられ、その状態で両フィ
ルム間の封止材料が加圧および加熱されて金型キャビテ
ィ内に注入されることにより、半導体パッケージが成形
される。その場合、上記キャビティ面側の吸引孔の一端
に対応位置するフィルム部分が成形時の圧力により同孔
側に押されて破断するおそれが生じる。しかし、半導体
装置の回路側に位置するフィルムの所定位置に、所定の
耐熱性および強度を有する耐熱材料層を上記吸引孔の一
端を覆いうるよにあらかじめ設けておけば、その耐熱材
料層によって吸引孔周辺の当該フィルム部分が補強され
るとともに、成形時の圧力が直接的にはその耐熱材料層
によって受けられることとなる。これにより、半導体装
置の回路側のフィルムにおいて吸引孔に対応位置する部
分が成形時に加えられる圧力により破断することを未然
に防止することができる。
および封止材料が一対のフィルム間に挿入された状態で
セットされた後は、金型が閉じられ、その状態で両フィ
ルム間の封止材料が加圧および加熱されて金型キャビテ
ィ内に注入されることにより、半導体パッケージが成形
される。その場合、上記キャビティ面側の吸引孔の一端
に対応位置するフィルム部分が成形時の圧力により同孔
側に押されて破断するおそれが生じる。しかし、半導体
装置の回路側に位置するフィルムの所定位置に、所定の
耐熱性および強度を有する耐熱材料層を上記吸引孔の一
端を覆いうるよにあらかじめ設けておけば、その耐熱材
料層によって吸引孔周辺の当該フィルム部分が補強され
るとともに、成形時の圧力が直接的にはその耐熱材料層
によって受けられることとなる。これにより、半導体装
置の回路側のフィルムにおいて吸引孔に対応位置する部
分が成形時に加えられる圧力により破断することを未然
に防止することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。ま
ず、この実施例で使用する半導体パッケージ製造装置に
ついて簡単に説明する。
ず、この実施例で使用する半導体パッケージ製造装置に
ついて簡単に説明する。
【００１６】図１に示すように、この半導体パッケージ
製造装置は、トランスファ成型機（図示せず）に取り付
けられる開閉可能な上下一対の金型１、２を有する。こ
れらの金型１、２には、半導体パッケージ成形用の複数
のキャビティ３・・・３と、これに連通し且つ後述する
封止材料（樹脂）がセットされる円形凹部状のポット部
４とが形成されているとともに、成形時に各金型１、２
を所定温度まで加熱するヒータ（図示せず）がそれぞれ
備えられている。ここで、下金型２のポット部４内に
は、封止材料加圧用のプランジャー５が上下動可能に備
えられている。
製造装置は、トランスファ成型機（図示せず）に取り付
けられる開閉可能な上下一対の金型１、２を有する。こ
れらの金型１、２には、半導体パッケージ成形用の複数
のキャビティ３・・・３と、これに連通し且つ後述する
封止材料（樹脂）がセットされる円形凹部状のポット部
４とが形成されているとともに、成形時に各金型１、２
を所定温度まで加熱するヒータ（図示せず）がそれぞれ
備えられている。ここで、下金型２のポット部４内に
は、封止材料加圧用のプランジャー５が上下動可能に備
えられている。
【００１７】また、上金型１には、後述する半導体装置
の回路面に対向位置することとなる各キャビティ面１ａ
側に複数の吸引孔１ｂ・・・１ｂが設けられている。こ
れらの吸引孔１ｂ・・・１ｂは、図示の例では、上金型
１のキャビティ面１ａから上面１ｃに向かって同金型１
を貫通する構成とされている。そして、その上金型上面
１ｃ側の吸引孔端部が図示しない外部の吸引源（例えば
吸引ポンプ）に接続されており、その外部の吸引源側か
ら各吸引孔１ｂを介してキャビティ３側を吸引すること
により、上金型１の各キャビティ面１ａに後述する第１
フィルム２１を吸着させることができるようになってい
る。
の回路面に対向位置することとなる各キャビティ面１ａ
側に複数の吸引孔１ｂ・・・１ｂが設けられている。こ
れらの吸引孔１ｂ・・・１ｂは、図示の例では、上金型
１のキャビティ面１ａから上面１ｃに向かって同金型１
を貫通する構成とされている。そして、その上金型上面
１ｃ側の吸引孔端部が図示しない外部の吸引源（例えば
吸引ポンプ）に接続されており、その外部の吸引源側か
ら各吸引孔１ｂを介してキャビティ３側を吸引すること
により、上金型１の各キャビティ面１ａに後述する第１
フィルム２１を吸着させることができるようになってい
る。
【００１８】次に、このような装置を用いて行う本実施
例方法について説明する。まず、図１に示すように、上
下の金型１、２を開いた状態で、それらのキャビティ面
１ａ、２ａ側に、各金型１、２に対応する第１および第
２のフィルム（この例では厚み４０μｍのＰＴＦＥ製フ
ィルム）２１、２２をそれぞれ所定の状態にセットす
る。この場合において、第１フィルム２１には、後述す
る半導体装置の回路面に対向することとなる所定位置
に、成形温度（通常１５０〜２００°Ｃ）に耐えうる耐
熱性接着剤層（この例では厚み１０μｍのエポキシ樹脂
層）２３を介して同じく成形温度に耐えうる所定強度の
耐熱材料層（この例では厚み１５μｍのアルミ箔）２４
をあらかじめ設けておく。
例方法について説明する。まず、図１に示すように、上
下の金型１、２を開いた状態で、それらのキャビティ面
１ａ、２ａ側に、各金型１、２に対応する第１および第
２のフィルム（この例では厚み４０μｍのＰＴＦＥ製フ
ィルム）２１、２２をそれぞれ所定の状態にセットす
る。この場合において、第１フィルム２１には、後述す
る半導体装置の回路面に対向することとなる所定位置
に、成形温度（通常１５０〜２００°Ｃ）に耐えうる耐
熱性接着剤層（この例では厚み１０μｍのエポキシ樹脂
層）２３を介して同じく成形温度に耐えうる所定強度の
耐熱材料層（この例では厚み１５μｍのアルミ箔）２４
をあらかじめ設けておく。
【００１９】次に、図２に示すように、上金型１の各キ
ャビティ面１ａ側に設けられた吸引孔１ｂを介して外部
の吸引源からキャビティ３側を吸引する。このようにす
ると、第１フィルム２１においては上金型１のキャビテ
ィ面１ａに対応するフィルム部分が同キャビティ面１ａ
に吸着されて、そのフィルム部分に同キャビティ面１ａ
の形状に応じた凹部１ａ’ができる。そこで、この状態
で、下金型２上の第２フィルム２２の上に、リードフレ
ーム１１に金線からなるワイヤーボンド部（接続線）１
２を介して接続・固定された半導体装置１３と、封止材
料１４とをそれぞれセットする。このとき、半導体装置
１３についてはその回路面（図示の状態で上面）が上記
凹部１ａ’内の耐熱材料層２４に対向するような状態に
セットし、封止材料１４については下金型２のポット部
４の上方に位置するようにセットする。
ャビティ面１ａ側に設けられた吸引孔１ｂを介して外部
の吸引源からキャビティ３側を吸引する。このようにす
ると、第１フィルム２１においては上金型１のキャビテ
ィ面１ａに対応するフィルム部分が同キャビティ面１ａ
に吸着されて、そのフィルム部分に同キャビティ面１ａ
の形状に応じた凹部１ａ’ができる。そこで、この状態
で、下金型２上の第２フィルム２２の上に、リードフレ
ーム１１に金線からなるワイヤーボンド部（接続線）１
２を介して接続・固定された半導体装置１３と、封止材
料１４とをそれぞれセットする。このとき、半導体装置
１３についてはその回路面（図示の状態で上面）が上記
凹部１ａ’内の耐熱材料層２４に対向するような状態に
セットし、封止材料１４については下金型２のポット部
４の上方に位置するようにセットする。
【００２０】次いで、図３に示すように、上下の金型
１、２を閉じる。こうして金型１、２を閉じると、封止
材料１４は両フィルム２１、２２間に挟まれた状態でポ
ット部４内に位置することとなるが、第２フィルム２２
上の半導体装置１３はその回路面側が第１フィルム２１
側の耐熱材料層２４との間に一定の空間を有する状態で
対向位置することとなる。
１、２を閉じる。こうして金型１、２を閉じると、封止
材料１４は両フィルム２１、２２間に挟まれた状態でポ
ット部４内に位置することとなるが、第２フィルム２２
上の半導体装置１３はその回路面側が第１フィルム２１
側の耐熱材料層２４との間に一定の空間を有する状態で
対向位置することとなる。
【００２１】次に、この状態から、プランジャー５を押
し上げてポット部４内の封止材料１４を加圧することに
より、図４に示すように、その封止材料１４を可塑化さ
せたうえで両フィルム２１、２２間を通じて各キャビテ
ィ３内に充填する。
し上げてポット部４内の封止材料１４を加圧することに
より、図４に示すように、その封止材料１４を可塑化さ
せたうえで両フィルム２１、２２間を通じて各キャビテ
ィ３内に充填する。
【００２２】こうしてキャビティ３内に封止材料１４を
充填した後は、同材料が硬化するのを待って、図５に示
すように金型１、２を開き、その金型内からパッケージ
ングされた半導体装置１３つまり半導体パッケージ１５
を両フィルム２１、２２ごと取り出したうえで、そのパ
ッケージ表面から両フィルム２１、２２を剥離させ、さ
らに図６に示すように不要な成形部分１６をカットす
る。これにより、同図に示すように、封止材料１４によ
り形成された樹脂１４’で半導体装置１３が封止され且
つ表面に耐熱材料層２４が転写されてなる半導体パッケ
ージ１５を得る。
充填した後は、同材料が硬化するのを待って、図５に示
すように金型１、２を開き、その金型内からパッケージ
ングされた半導体装置１３つまり半導体パッケージ１５
を両フィルム２１、２２ごと取り出したうえで、そのパ
ッケージ表面から両フィルム２１、２２を剥離させ、さ
らに図６に示すように不要な成形部分１６をカットす
る。これにより、同図に示すように、封止材料１４によ
り形成された樹脂１４’で半導体装置１３が封止され且
つ表面に耐熱材料層２４が転写されてなる半導体パッケ
ージ１５を得る。
【００２３】このような方法によれば、下金型２上の所
定位置に第２フィルム２２を介して半導体装置１３をセ
ットする際、これに先立って図２に示すように上金型１
側に位置する第１フィルム２１の所定部分が上金型１に
おける各吸引孔１ｂを介して外部から吸引されて同金型
１のキャビティ面１ａに吸着されることにより、その第
１フィルム２１の所定部分にはキャビティ面１ａの形状
に応じた凹部１ａ’が形成される。したがって、両フィ
ルム２１、２２間に半導体装置１３をセットする際に、
その凹部１ａ’に半導体装置１３の回路面側、つまりワ
イヤーボンド部１２側を対向位置させることで、下金型
２上への半導体装置１３のセット時およびその後の型閉
じ時において、ワイヤーボンド部１２に第１フィルム２
１が接触することを回避することができる。これによ
り、半導体パッケージ製造時におけるワイヤーボンド部
１２の変形や断線が防止されることとなる。
定位置に第２フィルム２２を介して半導体装置１３をセ
ットする際、これに先立って図２に示すように上金型１
側に位置する第１フィルム２１の所定部分が上金型１に
おける各吸引孔１ｂを介して外部から吸引されて同金型
１のキャビティ面１ａに吸着されることにより、その第
１フィルム２１の所定部分にはキャビティ面１ａの形状
に応じた凹部１ａ’が形成される。したがって、両フィ
ルム２１、２２間に半導体装置１３をセットする際に、
その凹部１ａ’に半導体装置１３の回路面側、つまりワ
イヤーボンド部１２側を対向位置させることで、下金型
２上への半導体装置１３のセット時およびその後の型閉
じ時において、ワイヤーボンド部１２に第１フィルム２
１が接触することを回避することができる。これによ
り、半導体パッケージ製造時におけるワイヤーボンド部
１２の変形や断線が防止されることとなる。
【００２４】ところで、上述のようにして上金型１のキ
ャビティ面１ａ側に設けられた各吸引孔１ｂを介して第
１フィルム２１を同キャビティ面１ａに吸着させると、
成形時にプランジャー５を介してポット部４内の封止材
料１４に加えられる圧力により、その各吸引孔１ｂのキ
ャビティ３側の開口端近傍のフィルム部分が破断するお
それが生じる。しかし、この実施例においては、キャビ
ティ面１ａに吸着される第１フィルム２１の所定部分に
は、半導体装置１３の回路面に対向する側の面に所定の
耐熱性および強度を有する耐熱材料層２４があらかじめ
接着されているから、成形時の圧力が作用しても、その
耐熱材料層２４によって上記のような吸引孔近傍のフィ
ルム部分の破断を確実に予防することができる。しか
も、キャビティ３内への封止材料１４の注入によって半
導体パッケージ１５を成形した際には、そのパッケージ
表面に上述の耐熱材料層２４が転写されるので、この種
の耐熱材料層２４の被覆により半導体パッケージ１５の
耐熱性等を向上させることが可能となる。
ャビティ面１ａ側に設けられた各吸引孔１ｂを介して第
１フィルム２１を同キャビティ面１ａに吸着させると、
成形時にプランジャー５を介してポット部４内の封止材
料１４に加えられる圧力により、その各吸引孔１ｂのキ
ャビティ３側の開口端近傍のフィルム部分が破断するお
それが生じる。しかし、この実施例においては、キャビ
ティ面１ａに吸着される第１フィルム２１の所定部分に
は、半導体装置１３の回路面に対向する側の面に所定の
耐熱性および強度を有する耐熱材料層２４があらかじめ
接着されているから、成形時の圧力が作用しても、その
耐熱材料層２４によって上記のような吸引孔近傍のフィ
ルム部分の破断を確実に予防することができる。しか
も、キャビティ３内への封止材料１４の注入によって半
導体パッケージ１５を成形した際には、そのパッケージ
表面に上述の耐熱材料層２４が転写されるので、この種
の耐熱材料層２４の被覆により半導体パッケージ１５の
耐熱性等を向上させることが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、一対の
フィルム間に半導体装置および封止材料を挿入した状態
で半導体パッケージを製造する方法において、パッケー
ジ成形用金型上に半導体装置をセットする前に、その回
路面に対向位置することとなるフィルムをその対応する
金型キャビティ面に吸着させることにより、半導体装置
とリードフレームとを接続している接続線つまりワイヤ
ーボンド部が同フィルムに接触することを回避すること
ができる。これにより、ワイヤーボンド部の変形や断線
が確実に防止され、この種の半導体パッケージ製造方法
における信頼性が向上されることとなる。
フィルム間に半導体装置および封止材料を挿入した状態
で半導体パッケージを製造する方法において、パッケー
ジ成形用金型上に半導体装置をセットする前に、その回
路面に対向位置することとなるフィルムをその対応する
金型キャビティ面に吸着させることにより、半導体装置
とリードフレームとを接続している接続線つまりワイヤ
ーボンド部が同フィルムに接触することを回避すること
ができる。これにより、ワイヤーボンド部の変形や断線
が確実に防止され、この種の半導体パッケージ製造方法
における信頼性が向上されることとなる。
【図１】本発明実施例方法における一工程を示すもの
で、金型を開いた状態で一対のフィルムをその対応する
金型面にセットした示す断面図
で、金型を開いた状態で一対のフィルムをその対応する
金型面にセットした示す断面図
【図２】半導体装置の回路面に対向位置することとなる
一方のフィルムをその対応する金型キャビティ面に吸着
させた後、他方のフィルム上に半導体装置および封止材
料をセットした状態を示す断面図
一方のフィルムをその対応する金型キャビティ面に吸着
させた後、他方のフィルム上に半導体装置および封止材
料をセットした状態を示す断面図
【図３】そのセット後に金型を閉じた状態を示す断面図
【図４】その後に封止材料を加圧してキャビティ内に充
填した状態を示す断面図
填した状態を示す断面図
【図５】成形後に金型外に取り出された半導体パッケー
ジの表面から各フィルムを剥離させた状態を示す断面図
ジの表面から各フィルムを剥離させた状態を示す断面図
【図６】最終的に得られた半導体パッケージを示す断面
図
図
１、２・・・半導体パッケージ成形用金型（１・・・上
金型、２・・・下金型） １ａ・・・金型キャビティ面 １ｂ・・・吸引孔 ３・・・キャビティ １３・・・半導体装置 １４・・・封止材料 ２１、２２・・・一対のフィルム（２１・・・第１フィ
ルム、２２・・・第２フィルム） ２４・・・耐熱材料層
金型、２・・・下金型） １ａ・・・金型キャビティ面 １ｂ・・・吸引孔 ３・・・キャビティ １３・・・半導体装置 １４・・・封止材料 ２１、２２・・・一対のフィルム（２１・・・第１フィ
ルム、２２・・・第２フィルム） ２４・・・耐熱材料層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置を樹脂封止してなる半導体パ
ッケージを製造するに際し、半導体パッケージ成形用金
型上に、半導体装置および封止材料を一対のフィルムの
間に挿入した状態でセットしたのち、金型を閉じ、次い
でその両フィルム間の封止材料を加圧および加熱して金
型キャビティ内に注入することにより、半導体装置を封
止する半導体パッケージの製造方法において、半導体装
置の回路面に対向位置することとなる金型キャビティ面
側に、一端がそのキャビティ内に通じ且つ他端が金型外
の吸引源に接続される吸引孔をあらかじめ設けておき、
上記一対のフィルム間への半導体装置の挿入に先立っ
て、上記吸引孔を介して金型外からキャビティ内を吸引
することにより、半導体装置の回路面側にセットすべき
フィルムをその対応する上記金型キャビティ面側に吸着
させ、その状態で一対のフィルム間に半導体装置および
封止材料をセットした後に金型を閉じることを特徴とす
る半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 金型キャビティ面に吸着されるフィルム
には、半導体装置の回路面に対向位置することとなる面
に耐熱材料層が設けられていることを特徴とする請求項
１に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項３】 耐熱材料層は、半導体装置を封止材料で
封止して半導体パッケージを製造する際に同パッケージ
の表面に転写される成形時転写材料であることをことを
特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5093295A JPH08250533A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5093295A JPH08250533A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250533A true JPH08250533A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12872600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5093295A Pending JPH08250533A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08250533A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1110654A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-19 | Apic Yamada Kk | 樹脂封止装置 |
| JP2016201573A (ja) * | 2012-06-08 | 2016-12-01 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2020010837A1 (zh) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 江苏长电科技股份有限公司 | 单体双金属板封装结构及封装方法 |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP5093295A patent/JPH08250533A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1110654A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-19 | Apic Yamada Kk | 樹脂封止装置 |
| JP2016201573A (ja) * | 2012-06-08 | 2016-12-01 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US10629457B2 (en) | 2012-06-08 | 2020-04-21 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2020010837A1 (zh) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 江苏长电科技股份有限公司 | 单体双金属板封装结构及封装方法 |
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