JPH08250530A - 半導体装置の製造方法及びモールド金型 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びモールド金型Info
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- JPH08250530A JPH08250530A JP7050269A JP5026995A JPH08250530A JP H08250530 A JPH08250530 A JP H08250530A JP 7050269 A JP7050269 A JP 7050269A JP 5026995 A JP5026995 A JP 5026995A JP H08250530 A JPH08250530 A JP H08250530A
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- lead frame
- mold
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- molding die
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 モールド金型に関し、樹脂封止後のリードフ
レーム離型工程において樹脂パッケージに多大な応力が
加わることのないモールド金型を提供する。 【構成】 キャビティ3,4をそれぞれ有する上型1及
び下型2とからなり、樹脂注入口からランナー5を介し
て縦方向に連設されるキャビティ3,4に対して上型1
と下型2交互に設けられるゲート6,7,8により樹脂
を導入するように構成したモールド金型にリードフレー
ム11をセットする工程、モールド金型の樹脂注入口よ
り溶融する樹脂を注入することにより、ランナー5及び
ゲート6,7,8を介して複数のキャビティ3,4内に
樹脂を充填する工程、キャビティ3,4内の樹脂が硬化
した後、半導体素子14が樹脂封止されたリードフレー
ム11を取り出す工程、表面実装面を設けるための曲げ
加工を施す工程を順次行う。
レーム離型工程において樹脂パッケージに多大な応力が
加わることのないモールド金型を提供する。 【構成】 キャビティ3,4をそれぞれ有する上型1及
び下型2とからなり、樹脂注入口からランナー5を介し
て縦方向に連設されるキャビティ3,4に対して上型1
と下型2交互に設けられるゲート6,7,8により樹脂
を導入するように構成したモールド金型にリードフレー
ム11をセットする工程、モールド金型の樹脂注入口よ
り溶融する樹脂を注入することにより、ランナー5及び
ゲート6,7,8を介して複数のキャビティ3,4内に
樹脂を充填する工程、キャビティ3,4内の樹脂が硬化
した後、半導体素子14が樹脂封止されたリードフレー
ム11を取り出す工程、表面実装面を設けるための曲げ
加工を施す工程を順次行う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に多段多連のリードフレームを使用する半導体装
置の製造方法、及びこの製造工程に用いるモールド金型
に関する。近年、半導体装置はパッケージの小型化に伴
い、1枚のリードフレームを多数の半導体装置に対応で
きるように構成して、より生産効率を高めることが求め
られている。
法、特に多段多連のリードフレームを使用する半導体装
置の製造方法、及びこの製造工程に用いるモールド金型
に関する。近年、半導体装置はパッケージの小型化に伴
い、1枚のリードフレームを多数の半導体装置に対応で
きるように構成して、より生産効率を高めることが求め
られている。
【0002】そこで、横方向にのみ複数の半導体素子搭
載用ステージを有する多連リードフレームに加えて、横
方向及び縦方向に複数のステージを有することでより多
数の半導体装置に対応できる多段多連リードフレームが
使用されるようになってきている。
載用ステージを有する多連リードフレームに加えて、横
方向及び縦方向に複数のステージを有することでより多
数の半導体装置に対応できる多段多連リードフレームが
使用されるようになってきている。
【0003】
【従来の技術】一般的な半導体装置は、半導体素子搭載
用の複数のステージ及びリード端子を備えるように、金
属薄板よりエッチング或いはプレスによって形成される
リードフレームの各ステージ上に半導体素子を搭載した
後、ワイヤーボンディング及び樹脂封止を行い、更にリ
ードフレームの所定部を切断及び曲げ加工することによ
り完成させる。
用の複数のステージ及びリード端子を備えるように、金
属薄板よりエッチング或いはプレスによって形成される
リードフレームの各ステージ上に半導体素子を搭載した
後、ワイヤーボンディング及び樹脂封止を行い、更にリ
ードフレームの所定部を切断及び曲げ加工することによ
り完成させる。
【0004】図7に多段多連のリードフレームの平面図
を示している。基本的には半導体素子搭載用のステージ
32と、ステージ周辺部に外部接続用端子となるリード
端子33とを備えるもので、このステージ32が横方向
及び縦方向にそれぞれ複数個連結されマトリクス状に構
成されている。尚、本リードフレーム31においては、
縦方向を段(多段)、横方向を連(多連)と称すること
とする。
を示している。基本的には半導体素子搭載用のステージ
32と、ステージ周辺部に外部接続用端子となるリード
端子33とを備えるもので、このステージ32が横方向
及び縦方向にそれぞれ複数個連結されマトリクス状に構
成されている。尚、本リードフレーム31においては、
縦方向を段(多段)、横方向を連(多連)と称すること
とする。
【0005】このような多段多連リードフレーム31を
用いた半導体装置の製造方法では、その樹脂封止工程で
使用するモールド金型においても複数の素子に対応させ
るために図8に示すようなマトリクス状のキャビティを
有するものが必要となる。図8は、多段多連リードフレ
ーム31に対応する従来のモールド金型の斜視図であ
り、上型41及び下型42からなり、半導体素子が搭載
されるステージ32に対応する位置にそれぞれキャビテ
ィ43,44を有している。尚、上型41のキャビティ
43は隠れて見えない。
用いた半導体装置の製造方法では、その樹脂封止工程で
使用するモールド金型においても複数の素子に対応させ
るために図8に示すようなマトリクス状のキャビティを
有するものが必要となる。図8は、多段多連リードフレ
ーム31に対応する従来のモールド金型の斜視図であ
り、上型41及び下型42からなり、半導体素子が搭載
されるステージ32に対応する位置にそれぞれキャビテ
ィ43,44を有している。尚、上型41のキャビティ
43は隠れて見えない。
【0006】そして下型42においては、共通の樹脂通
路となるランナー45と、ランナー45とキャビティ、
及び多段方向におけるキャビティ間を連結するゲート
(第1〜3ゲート46,47,48)とを有している。
尚、図8から明らかなように、キャビティ44間を連結
するゲート46,47,48は樹脂の流れを均等にする
ため、多段方向において千鳥状に配置されている。
路となるランナー45と、ランナー45とキャビティ、
及び多段方向におけるキャビティ間を連結するゲート
(第1〜3ゲート46,47,48)とを有している。
尚、図8から明らかなように、キャビティ44間を連結
するゲート46,47,48は樹脂の流れを均等にする
ため、多段方向において千鳥状に配置されている。
【0007】図7に示すリードフレーム31における複
数のステージ32上に、それぞれ半導体素子を搭載した
後、半導体素子の電極部と所定のリード端子33とをワ
イヤーボンディングして電気的に接続することで、モー
ルド金型により樹脂封止を行う前の状態とする。このよ
うなリードフレームを、図8に示すモールド金型にセッ
トするが、これは上下の金型41,42を開いた状態
で、その間にリードフレーム31を介在させた後、型閉
めを行うことにより、上下の金型41,42でリードフ
レーム31を挟持する状態とする。
数のステージ32上に、それぞれ半導体素子を搭載した
後、半導体素子の電極部と所定のリード端子33とをワ
イヤーボンディングして電気的に接続することで、モー
ルド金型により樹脂封止を行う前の状態とする。このよ
うなリードフレームを、図8に示すモールド金型にセッ
トするが、これは上下の金型41,42を開いた状態
で、その間にリードフレーム31を介在させた後、型閉
めを行うことにより、上下の金型41,42でリードフ
レーム31を挟持する状態とする。
【0008】図9は、モールド金型に半導体素子50を
搭載したリードフレーム31をセットした状態を示す断
面図であり、モールド金型を千鳥状に配置されるゲート
部に沿って切断した断面を示している。図9の如くリー
ドフレーム31をモールド金型にセットした状態におい
て、図示しないがランナー45と連結するカルと呼ばれ
る樹脂注入口より溶融する樹脂を注入し、ランナー45
及び第1〜3ゲート46,46,47を介して各キャビ
ティ43,44に樹脂を充填していく。
搭載したリードフレーム31をセットした状態を示す断
面図であり、モールド金型を千鳥状に配置されるゲート
部に沿って切断した断面を示している。図9の如くリー
ドフレーム31をモールド金型にセットした状態におい
て、図示しないがランナー45と連結するカルと呼ばれ
る樹脂注入口より溶融する樹脂を注入し、ランナー45
及び第1〜3ゲート46,46,47を介して各キャビ
ティ43,44に樹脂を充填していく。
【0009】そして、全てのキャビティ43,44内に
樹脂が充填され、硬化してパッケージが形成されたとこ
ろで上下の金型41,42を分離する。上下の金型4
1,42を分離した時、リードフレーム31は下型42
に残っているため、これをエジェクタピンを動作させる
ことによって離型する。その後、リードフレーム31の
所定部を切断、及び曲げ加工することにより、半導体装
置を完成させる。
樹脂が充填され、硬化してパッケージが形成されたとこ
ろで上下の金型41,42を分離する。上下の金型4
1,42を分離した時、リードフレーム31は下型42
に残っているため、これをエジェクタピンを動作させる
ことによって離型する。その後、リードフレーム31の
所定部を切断、及び曲げ加工することにより、半導体装
置を完成させる。
【0010】
【発明が解決使しようとする課題】上記従来のモールド
金型を用いる半導体装置の製造方法によれば、ゲート部
の磨耗や特殊(高信頼性)樹脂の使用によって、樹脂封
止後のリードフレームが離型しにくくなった場合、樹脂
パッケージに多大な応力が加わり、パッケージクラック
が発生する恐れがある。
金型を用いる半導体装置の製造方法によれば、ゲート部
の磨耗や特殊(高信頼性)樹脂の使用によって、樹脂封
止後のリードフレームが離型しにくくなった場合、樹脂
パッケージに多大な応力が加わり、パッケージクラック
が発生する恐れがある。
【0011】図10は、本課題を具体的に説明するため
の断面図であり、上下の金型を分離した後、下型に残っ
た樹脂封止後のリードフレームをエジェクタピンにより
離型している状態を示している。従来のモールド金型
は、キャビティに樹脂を導入するためのゲートは下型4
2に形成されており、多段多連リードフレームに対応す
る図8及び図9に示すモールド金型においても、第1〜
3ゲート46〜48は全て下型42に設けられている。
の断面図であり、上下の金型を分離した後、下型に残っ
た樹脂封止後のリードフレームをエジェクタピンにより
離型している状態を示している。従来のモールド金型
は、キャビティに樹脂を導入するためのゲートは下型4
2に形成されており、多段多連リードフレームに対応す
る図8及び図9に示すモールド金型においても、第1〜
3ゲート46〜48は全て下型42に設けられている。
【0012】従って、ゲート内における樹脂52が樹脂
パッケージ51の両側のリード端子に付着した状態とな
り、ゲート部の磨耗等によって離型しにくくなっている
場合、エジェクタピン53によって樹脂パッケージ51
を上方に押し上げる際に、この樹脂パッケージ53に矢
印で示すような応力が加わることになる。この両側から
の応力によって、樹脂パッケージ51上面にクラック5
4が発生して、半導体素子にまで損傷をきたすという問
題が生じる。
パッケージ51の両側のリード端子に付着した状態とな
り、ゲート部の磨耗等によって離型しにくくなっている
場合、エジェクタピン53によって樹脂パッケージ51
を上方に押し上げる際に、この樹脂パッケージ53に矢
印で示すような応力が加わることになる。この両側から
の応力によって、樹脂パッケージ51上面にクラック5
4が発生して、半導体素子にまで損傷をきたすという問
題が生じる。
【0013】本発明は、上記課題を解決して、樹脂封止
後のリードフレームを下型から離型させる際に、樹脂パ
ッケージに多大な応力の加わることのない半導体装置の
製造方法及びモールド金型を提供することを目的として
いる。
後のリードフレームを下型から離型させる際に、樹脂パ
ッケージに多大な応力の加わることのない半導体装置の
製造方法及びモールド金型を提供することを目的として
いる。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、横方向及び縦方向にそれぞれ連設され、マ
トリクス状に配置される複数のステージ2と、該複数の
ステージ2周辺部に位置する多数本のリード端子3とを
備えるリードフレーム1の前記ステージ2上に、半導体
素子4を搭載した後、該半導体素子4の電極部とリード
端子3とを電気的に接続する工程、前記複数のステージ
2に対応するキャビティ8,9をそれぞれ有する上型6
及び下型7とからなり、樹脂注入口からランナー10を
介して縦方向に連設されるキャビティ8,9に対して上
型6と下型7交互に設けられるゲート11,12,13
により樹脂を導入するよう構成したモールド金型に、前
記半導体素子4を搭載したリードフレーム1をセットす
る工程、前記モールド金型の樹脂注入口より溶融する樹
脂を注入することにより、ランナー10及びゲート1
1,12,13を介して複数のキャビティ8,9内に樹
脂を充填する工程、前記キャビティ8,9内の樹脂が硬
化した後、上下のモールド金型6,7を開き、半導体素
子4が樹脂封止されたリードフレーム1を取り出す工
程、前記リードフレーム1の所定部を切断すると共に、
表面実装面を設けるための曲げ加工を施す工程を順次行
うことを特徴としている。
の本発明は、横方向及び縦方向にそれぞれ連設され、マ
トリクス状に配置される複数のステージ2と、該複数の
ステージ2周辺部に位置する多数本のリード端子3とを
備えるリードフレーム1の前記ステージ2上に、半導体
素子4を搭載した後、該半導体素子4の電極部とリード
端子3とを電気的に接続する工程、前記複数のステージ
2に対応するキャビティ8,9をそれぞれ有する上型6
及び下型7とからなり、樹脂注入口からランナー10を
介して縦方向に連設されるキャビティ8,9に対して上
型6と下型7交互に設けられるゲート11,12,13
により樹脂を導入するよう構成したモールド金型に、前
記半導体素子4を搭載したリードフレーム1をセットす
る工程、前記モールド金型の樹脂注入口より溶融する樹
脂を注入することにより、ランナー10及びゲート1
1,12,13を介して複数のキャビティ8,9内に樹
脂を充填する工程、前記キャビティ8,9内の樹脂が硬
化した後、上下のモールド金型6,7を開き、半導体素
子4が樹脂封止されたリードフレーム1を取り出す工
程、前記リードフレーム1の所定部を切断すると共に、
表面実装面を設けるための曲げ加工を施す工程を順次行
うことを特徴としている。
【0015】
【作用】上記本発明によれば、横方向と縦方向にそれぞ
れ複数連設されるマトリクス状のステージを有する多段
多連リードフレームを使用する半導体装置の製造方法に
おいて、横方向のキャビティを連結するゲートが下型と
上型交互に設けられることから、リードフレームを下型
から離型する際に、樹脂パッケージの片側のみにしかゲ
ートが存在しないため、樹脂パッケージに強い応力が加
わることなく、クラック等の損傷を防止することができ
る。
れ複数連設されるマトリクス状のステージを有する多段
多連リードフレームを使用する半導体装置の製造方法に
おいて、横方向のキャビティを連結するゲートが下型と
上型交互に設けられることから、リードフレームを下型
から離型する際に、樹脂パッケージの片側のみにしかゲ
ートが存在しないため、樹脂パッケージに強い応力が加
わることなく、クラック等の損傷を防止することができ
る。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。図1は本発明の一実施例を説明するた
めのモールド金型を示す斜視図である。本実施例のモー
ルド金型は、横方向及び縦方向にそれぞれ複数のキャビ
ティ3,4が形成される上型1と下型2により構成され
るものであり、下型2にはカルと呼ばれる樹脂注入口
(図示なし)よりキャビティ近傍に樹脂を導入するラン
ナー5が形成されている。
詳細に説明する。図1は本発明の一実施例を説明するた
めのモールド金型を示す斜視図である。本実施例のモー
ルド金型は、横方向及び縦方向にそれぞれ複数のキャビ
ティ3,4が形成される上型1と下型2により構成され
るものであり、下型2にはカルと呼ばれる樹脂注入口
(図示なし)よりキャビティ近傍に樹脂を導入するラン
ナー5が形成されている。
【0017】そして、ランナー5より縦方向のキャビテ
ィを連結して樹脂をキャビティ内に充填するためのゲー
トが設けられているが、ランナー5と1段目のキャビテ
ィを連結する第1ゲート6が下型2に、次の第2ゲート
7が上型1に、更に第3ゲート8が下型2にそれぞれ形
成されている。尚、図1において上型1が下型2に対し
て角度をもって開かれた状態を示しているが、これは上
型1の構成を容易に理解できるようにするものであり、
実際には上下の金型は平行状態を保持する。
ィを連結して樹脂をキャビティ内に充填するためのゲー
トが設けられているが、ランナー5と1段目のキャビテ
ィを連結する第1ゲート6が下型2に、次の第2ゲート
7が上型1に、更に第3ゲート8が下型2にそれぞれ形
成されている。尚、図1において上型1が下型2に対し
て角度をもって開かれた状態を示しているが、これは上
型1の構成を容易に理解できるようにするものであり、
実際には上下の金型は平行状態を保持する。
【0018】図2は、図1のモールド金型によって樹脂
封止される前のリードフレーム平面図を示すものであ
る。図2に示すように、本実施例のリードフレーム11
は、横方向及び縦方向にそれぞれ複数のステージ12を
有し、その周辺部に多数本のリード端子13を備える多
段多連の構成になっている。本実施例では縦方向には3
段のステージを備えている。
封止される前のリードフレーム平面図を示すものであ
る。図2に示すように、本実施例のリードフレーム11
は、横方向及び縦方向にそれぞれ複数のステージ12を
有し、その周辺部に多数本のリード端子13を備える多
段多連の構成になっている。本実施例では縦方向には3
段のステージを備えている。
【0019】このようなリードフレーム11は、エッチ
ング或いはプレス加工によって形成され、ステージ12
上に導電性接着剤である銀ペースト等を塗布した後、半
導体素子14を搭載する。その後、半導体素子14の電
極部と所定のリード端子13とをワイヤー15によって
電気的に接続させるためにワイヤーボンディングを行
う。
ング或いはプレス加工によって形成され、ステージ12
上に導電性接着剤である銀ペースト等を塗布した後、半
導体素子14を搭載する。その後、半導体素子14の電
極部と所定のリード端子13とをワイヤー15によって
電気的に接続させるためにワイヤーボンディングを行
う。
【0020】図2は、上記の如く半導体素子14を搭載
して、一部ワイヤーボンディングを施した状態を示して
いる。このようにして、全ての半導体素子14における
ワイヤーボンディング工程を終了したリードフレーム1
1を、図1に示すモールド金型における上下の金型1,
2間にセットする。これは、上下の金型1,2を開いた
状態として、その間にリードフレーム11を介在させた
後、型閉め行うことで、上下の金型1,2でリードフレ
ームを挟持する状態にする。
して、一部ワイヤーボンディングを施した状態を示して
いる。このようにして、全ての半導体素子14における
ワイヤーボンディング工程を終了したリードフレーム1
1を、図1に示すモールド金型における上下の金型1,
2間にセットする。これは、上下の金型1,2を開いた
状態として、その間にリードフレーム11を介在させた
後、型閉め行うことで、上下の金型1,2でリードフレ
ームを挟持する状態にする。
【0021】図3は、モールド金型にリードフレームを
セットした状態の断面図であり、モールド金型における
縦方向のゲート部分に沿って切断した状態を示してい
る。モールド金型においては、前述したようにランナー
5及び第1ゲート6、第3ゲート8が下型2に設けら
れ、第2ゲート7が上型1に設けられているが、図3の
断面図ではこの構成がより明瞭となっている。
セットした状態の断面図であり、モールド金型における
縦方向のゲート部分に沿って切断した状態を示してい
る。モールド金型においては、前述したようにランナー
5及び第1ゲート6、第3ゲート8が下型2に設けら
れ、第2ゲート7が上型1に設けられているが、図3の
断面図ではこの構成がより明瞭となっている。
【0022】図3の如くリードフレーム11をモールド
金型にセットした状態において、図示しないがランナー
5と連結するカルと呼ばれる樹脂注入口より溶融する樹
脂を注入し、ランナー5及び第1〜3ゲート6,7,8
を介して各キャビティ3,4に樹脂を充填していく。そ
して、全てのキャビティ内に樹脂が充填され、熱硬化し
てパッケージが形成されたところで上下の金型1,2を
分離する。
金型にセットした状態において、図示しないがランナー
5と連結するカルと呼ばれる樹脂注入口より溶融する樹
脂を注入し、ランナー5及び第1〜3ゲート6,7,8
を介して各キャビティ3,4に樹脂を充填していく。そ
して、全てのキャビティ内に樹脂が充填され、熱硬化し
てパッケージが形成されたところで上下の金型1,2を
分離する。
【0023】モールド金型の分離は、上型1を上方に引
上げることで行われるが、上型1の上昇と同時に上型1
に設けられるエジェクタピン(図示なし)がリードフレ
ーム11を下型2へ押し付ける。従って、上型1と下型
2とを分離した状態では、リードフレーム11は、下型
2に残留している。図4は、下型2に残留するリードフ
レーム11を離型している状態を示す断面図である。
上げることで行われるが、上型1の上昇と同時に上型1
に設けられるエジェクタピン(図示なし)がリードフレ
ーム11を下型2へ押し付ける。従って、上型1と下型
2とを分離した状態では、リードフレーム11は、下型
2に残留している。図4は、下型2に残留するリードフ
レーム11を離型している状態を示す断面図である。
【0024】前述した樹脂封止工程においては、モール
ド金型のキャビティ部分に対応する樹脂パッケージ14
が形成されると共に、そのゲート部にも当然樹脂が充填
されており、硬化した状態でゲート樹脂15として残存
する。尚、上型1におけるゲート樹脂は上型1の上昇時
に樹脂パッケージ14から分離している。
ド金型のキャビティ部分に対応する樹脂パッケージ14
が形成されると共に、そのゲート部にも当然樹脂が充填
されており、硬化した状態でゲート樹脂15として残存
する。尚、上型1におけるゲート樹脂は上型1の上昇時
に樹脂パッケージ14から分離している。
【0025】この状態より、下型2のエジェクタピン1
6によって、樹脂パッケージ14を下側から押し上げる
ことで、リードフレーム11を下型2より離型させる。
従来のモールド金型を用いる樹脂封止では、ゲートは全
て下型に設けられていたため、下型より離型する際、樹
脂パッケージの両側にゲート樹脂が残った状態となり、
このゲート樹脂に支持されて樹脂パッケージに多大な応
力が加わっていた。
6によって、樹脂パッケージ14を下側から押し上げる
ことで、リードフレーム11を下型2より離型させる。
従来のモールド金型を用いる樹脂封止では、ゲートは全
て下型に設けられていたため、下型より離型する際、樹
脂パッケージの両側にゲート樹脂が残った状態となり、
このゲート樹脂に支持されて樹脂パッケージに多大な応
力が加わっていた。
【0026】これに対して本実施例におけるモールド金
型では、キャビティ間を連結するゲート6,7,8が、
下型2と上型1に交互に設けられているため、下型2か
らの離型時にゲート樹脂15は、樹脂パッケージ14の
片側のみにしか存在せず、離型時の応力は従来と比較す
ると極めて小さいものとなる。従って、磨耗等によっ
て、離型しにくい状態となっている場合であっても、樹
脂パッケージ14に加わる応力は小さく、パッケージク
ラック等の発生を防止することが可能となる。
型では、キャビティ間を連結するゲート6,7,8が、
下型2と上型1に交互に設けられているため、下型2か
らの離型時にゲート樹脂15は、樹脂パッケージ14の
片側のみにしか存在せず、離型時の応力は従来と比較す
ると極めて小さいものとなる。従って、磨耗等によっ
て、離型しにくい状態となっている場合であっても、樹
脂パッケージ14に加わる応力は小さく、パッケージク
ラック等の発生を防止することが可能となる。
【0027】更に、エジェクタピン16をゲート樹脂1
5の近傍に配置して、樹脂パッケージ14を押し上げる
ことにより、容易に離型させることができ、クラック発
生の防止効果をより高めることができる。以上のよう
に、モールド金型より離型させたリードフレーム11の
平面図を図5に示している。
5の近傍に配置して、樹脂パッケージ14を押し上げる
ことにより、容易に離型させることができ、クラック発
生の防止効果をより高めることができる。以上のよう
に、モールド金型より離型させたリードフレーム11の
平面図を図5に示している。
【0028】図5に示すように、下型2から離型された
リードフレーム11は、リード端子13が導出され、複
数の半導体素子がそれぞれ個々に樹脂パッケージ14に
より封止された状態になっている。このように複数の樹
脂パッケージ14が形成されたリードフレーム11は、
その後、所定箇所の切断が行われると共に、表面実装が
可能になるように、リード端子13の曲げ加工が行わ
れ、半導体装置となる。
リードフレーム11は、リード端子13が導出され、複
数の半導体素子がそれぞれ個々に樹脂パッケージ14に
より封止された状態になっている。このように複数の樹
脂パッケージ14が形成されたリードフレーム11は、
その後、所定箇所の切断が行われると共に、表面実装が
可能になるように、リード端子13の曲げ加工が行わ
れ、半導体装置となる。
【0029】本実施例では、第1ゲート6が下型2に、
第2ゲート7が上型1に形成されているが、第1ゲート
を上型1に形成する場合においても第2ゲートは上型に
形成することが望ましい。即ち、上型に第1ゲートを形
成する場合であっても、このゲートに樹脂を送るランナ
ーは下型に存在するため、離型時に樹脂パッケージはラ
ンナーに残留する樹脂にて支持される。ランナーに残る
樹脂の量はゲートのそれよりも多いため、その支持力は
強いものとなる。従って、第2ゲートはランナーの存在
する下型に対して上型に設けることが必要となる。
第2ゲート7が上型1に形成されているが、第1ゲート
を上型1に形成する場合においても第2ゲートは上型に
形成することが望ましい。即ち、上型に第1ゲートを形
成する場合であっても、このゲートに樹脂を送るランナ
ーは下型に存在するため、離型時に樹脂パッケージはラ
ンナーに残留する樹脂にて支持される。ランナーに残る
樹脂の量はゲートのそれよりも多いため、その支持力は
強いものとなる。従って、第2ゲートはランナーの存在
する下型に対して上型に設けることが必要となる。
【0030】逆にランナーが上型に設けられている場合
には、第2ゲートは下型に形成することが望ましい。図
6は、本発明の他の実施例を説明するためのモールド金
型断面図を示している。本断面図はモールド金型のゲー
ト部に沿って切断した状態のものである。本実施例にお
いて、ランナー25及び第1ゲート26は、前実施例と
同様下型22に形成されているが、第2ゲート及び第3
ゲートがそれぞれ上型21、下型22に股がって形成さ
れている。
には、第2ゲートは下型に形成することが望ましい。図
6は、本発明の他の実施例を説明するためのモールド金
型断面図を示している。本断面図はモールド金型のゲー
ト部に沿って切断した状態のものである。本実施例にお
いて、ランナー25及び第1ゲート26は、前実施例と
同様下型22に形成されているが、第2ゲート及び第3
ゲートがそれぞれ上型21、下型22に股がって形成さ
れている。
【0031】即ち、1段目及び2段目のキャビティの出
口部分では第2ゲート27a及び第3ゲート28aとし
て上型21に形成されており、2段目及び3段目のキャ
ビティの入口部分では第2ゲート27b及び第3ゲート
28bとして下型22に形成されている。このようなゲ
ート構造にした場合、下型22よりリードフレームを離
型する際に、前実施例同様樹脂パッケージの両側がゲー
ト樹脂で支持されることがなく、強い応力によるパッケ
ージクラックの発生を抑えることができる。
口部分では第2ゲート27a及び第3ゲート28aとし
て上型21に形成されており、2段目及び3段目のキャ
ビティの入口部分では第2ゲート27b及び第3ゲート
28bとして下型22に形成されている。このようなゲ
ート構造にした場合、下型22よりリードフレームを離
型する際に、前実施例同様樹脂パッケージの両側がゲー
ト樹脂で支持されることがなく、強い応力によるパッケ
ージクラックの発生を抑えることができる。
【0032】また、本実施例によれば、ゲートが上下交
互に設けられていた前実施例と異なり、ゲートがキャビ
ティ入口では下型に、キャビティ出口では上型に形成さ
れているため、完成される全ての半導体装置の離型状態
が同じになり、品質向上につながる。但し、本実施例に
おいては、ゲートが途中で上型21から下型22に移行
しているため、図2に示すように、リードフレーム11
のゲートに対応する部分に上下方向への樹脂の通過が可
能となるスリット30を設けておく必要がある。
互に設けられていた前実施例と異なり、ゲートがキャビ
ティ入口では下型に、キャビティ出口では上型に形成さ
れているため、完成される全ての半導体装置の離型状態
が同じになり、品質向上につながる。但し、本実施例に
おいては、ゲートが途中で上型21から下型22に移行
しているため、図2に示すように、リードフレーム11
のゲートに対応する部分に上下方向への樹脂の通過が可
能となるスリット30を設けておく必要がある。
【0033】特に図示しないが、前述の実施例の構成に
加えて、各ゲートの幅を徐々に広げる、或いは各ゲート
の入口と出口の角度を異ならせる等の加工を施すことに
よって、離型時の応力を更に弱くすることが可能とな
る。
加えて、各ゲートの幅を徐々に広げる、或いは各ゲート
の入口と出口の角度を異ならせる等の加工を施すことに
よって、離型時の応力を更に弱くすることが可能とな
る。
【0034】
【効果】以上説明した本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、使用するモールド金型が多段方向におけるキャ
ビティを連結するゲートが樹脂パッケージの両側で同じ
位置に配置されることがないように構成されているた
め、離型時に樹脂パッケージの両側がゲート樹脂に支持
されることがなく、樹脂パッケージに加わる応力が極め
て小さくなる。
よれば、使用するモールド金型が多段方向におけるキャ
ビティを連結するゲートが樹脂パッケージの両側で同じ
位置に配置されることがないように構成されているた
め、離型時に樹脂パッケージの両側がゲート樹脂に支持
されることがなく、樹脂パッケージに加わる応力が極め
て小さくなる。
【0035】従って、離型時におけるパッケージクラッ
ク及び半導体素子の損傷を容易に防止することが可能と
なる。
ク及び半導体素子の損傷を容易に防止することが可能と
なる。
【図1】本発明の一実施例を説明するためのモールド金
型斜視図である。
型斜視図である。
【図2】半導体素子を搭載した多段多連のリードフレー
ム平面図である。
ム平面図である。
【図3】本発明におけるモールド金型にリードフレーム
をセットした状態の断面図である。
をセットした状態の断面図である。
【図4】本発明における離型状態を示す断面図である。
【図5】本発明にかかる樹脂封止後のリードフレーム平
面図である。
面図である。
【図6】本発明の他の実施例を説明するためのモールド
金型断面図である。
金型断面図である。
【図7】本発明で使用する多段多連リードフレーム平面
図である。
図である。
【図8】従来のモールド金型斜視図である。
【図9】従来のモールド金型にリードフレームをセット
した状態を示す断面図である。
した状態を示す断面図である。
【図10】従来の離型状態を示す断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 横方向及び縦方向にそれぞれ連設され、
マトリクス状に配置される複数のステージ(12)と、
該複数のステージ(12)周辺部に位置する多数本のリ
ード端子(13)とを備えるリードフレーム(11)の
前記ステージ(12)上に、半導体素子(14)を搭載
した後、該半導体素子(14)の電極部とリード端子
(13)とを電気的に接続する工程、 前記複数のステージ(12)に対応するキャビティ
(3,4)をそれぞれ有する上型(1)及び下型(2)
とからなり、樹脂注入口からランナー(5)を介して縦
方向に連設されるキャビティ(3,4)に対して上型
(1)と下型(2)交互に設けられるゲート(6,7,
8)により樹脂を導入するよう構成したモールド金型
に、前記半導体素子(14)を搭載したリードフレーム
(11)をセットする工程、 前記モールド金型の樹脂注入口より溶融する樹脂を注入
することにより、ランナー(5)及びゲート(6,7,
8)を介して複数のキャビティ(3,4)内に樹脂を充
填する工程、 前記キャビティ(3,4)内の樹脂が硬化した後、上下
のモールド金型(1,2)を開き、半導体素子(14)
が樹脂封止されたリードフレーム(11)を取り出す工
程、 前記リードフレーム(11)の所定部を切断すると共
に、表面実装面を設けるための曲げ加工を施す工程を順
次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記モールド金型に設けられるゲート
(26,27,28)は、キャビティ(23,24)の
入口部では下型(22)に、キャビティ(23,24)
の出口部では上型(21)に形成されていることを特徴
とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記リードフレーム(11)には、モー
ルド金型のゲートに対応する部分に樹脂通過用のスリッ
トを形成していることを特徴とする請求項2記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項4】 上型(6)と下型(7)とからなり、横
方向及び縦方向にそれぞれ連設され、マトリクス状に配
置される複数のキャビティ(8,9)を前記上下の金型
(6,7)にそれぞれ備え、 樹脂注入口から注入される樹脂を前記キャビティ(8,
9)近傍まで導入するランナー(10)が前記下型
(7)に設けられ、 前記ランナー(10)とキャビティ間、及びキャビティ
同士間を連結するゲート(11,12,13)が、下型
(7)と上型(6)交互に設けられていること特徴とす
るモールド金型。 - 【請求項5】 前記モールド金型に設けられるゲート
(26,27,28)は、キャビティ(23,24)の
入口部では下型(22)に、キャビティ(23,24)
の出口部では上型(21)に形成されていることを特徴
とする請求項4記載のモールド金型
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05026995A JP3433559B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体装置の製造方法及びモールド金型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05026995A JP3433559B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体装置の製造方法及びモールド金型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08250530A true JPH08250530A (ja) | 1996-09-27 |
JP3433559B2 JP3433559B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=12854246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05026995A Expired - Fee Related JP3433559B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体装置の製造方法及びモールド金型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3433559B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110544637A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-06 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 一种半导体器件模封方法及用于该模封方法的封装模具 |
WO2022259395A1 (ja) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP05026995A patent/JP3433559B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110544637A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-06 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 一种半导体器件模封方法及用于该模封方法的封装模具 |
CN110544637B (zh) * | 2019-08-28 | 2022-07-05 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 一种半导体器件模封方法及用于该模封方法的封装模具 |
WO2022259395A1 (ja) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
DE112021007793T5 (de) | 2021-06-09 | 2024-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiter-Herstellungseinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3433559B2 (ja) | 2003-08-04 |
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