JPH08233848A - 半導体センサ - Google Patents

半導体センサ

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JPH08233848A
JPH08233848A JP7040199A JP4019995A JPH08233848A JP H08233848 A JPH08233848 A JP H08233848A JP 7040199 A JP7040199 A JP 7040199A JP 4019995 A JP4019995 A JP 4019995A JP H08233848 A JPH08233848 A JP H08233848A
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semiconductor
resin package
sensor
semiconductor sensor
substrate
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Hiroshi Otani
浩 大谷
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 製品のコストを下げる為、組み立ての容易な
半導体センサを得る。 【構成】 センサ素子１ａを搭載し端辺に外部電極１ｃ
を備えた平板状の回路基板１と、回路基板１を挿嵌する
溝２ａを有し回路基板を保護する樹脂製パッケージ２と
を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサ及び
半導体加速度センサ等の半導体センサの構造に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図２４は従来のキャンシールパッケージ
タイプの半導体加速度センサの断面図である。従来のハ
イブリッドＩＣ基板（以下ＨＩＣ基板）を内蔵するキャ
ンシールパッケージタイプの半導体加速度センサは、図
２０に示すように、回路基板であるＨＩＣ基板４上に台
座４ｂが設置され、台座４ｂ上にたわむことにより抵抗
値の変化するセンサ素子４ａが片持ちはり式に固着され
ている。センサ素子４ａとＨＩＣ基板４上の図示しない
配線とはワイヤボンディングされて電気的に接続されて
いる。ＨＩＣ基板４はベース５に接着剤６にて接着され
ている。ＨＩＣ基板４上には、図示しない配線や電子部
品が設けられている。ベース５には外部リード４ｃがベ
ース５を突き抜けてガラス封止されている。ＨＩＣ基板
４と外部リード４ｃとはワイヤ７により、ワイヤボンデ
ィングされて電気的に接続されている。またベース５上
にはＨＩＣ基板４を被うようにドーム状の金属製キャッ
プ８が配置され、周辺折り曲げ部８ａをベース５に溶接
されて取り付けられている。
【０００３】このような半導体加速度センサは、センサ
素子４ａのたわみによるピエゾ抵抗効果を利用し、微小
な加速度を電気信号に変換することができる。またＨＩ
Ｃ基板には増幅回路や温度補償回路が設けられていて加
速度変化を外部リード４ｃを介して外部に出力すること
ができる。
【０００４】このような従来のキャンシールパッケージ
タイプの半導体センサの組み立ては、まずベース５に外
部リード４ｃをガラス封止にて取り付け、別工程にてセ
ンサ素子４ａを基板上に搭載したＨＩＣ基板４をベース
５に接着し、その後ＨＩＣ基板４と外部リード４ａとを
ワイヤボンディングし、さらにベース５とキャップ８と
を溶接して組み立てられていた。そのため組み立て工程
において多くの工数を必要とし、製品のローコスト化が
困難であった。
【０００５】図２５は従来のＣＯＢ（Ｃｉｐ Ｏｎ Ｂ
ｏａｄ）タイプの半導体圧力センサの断面図である、従
来のＣＯＢタイプの半導体圧力センサは、図示しない配
線や抵抗が施され縁部にＳＩＬ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｉｎｌ
ｉｎｅ Ｌｅａｄ）タイプ外部リード９ｂを備えたＨＩ
Ｃ基板９上にセンサ素子９ａがダイボンディングされ、
また肉厚の厚い箱状の樹脂パッケージ１０がセンサ素子
９ａを被い、縁部１０ａを接着されてＨＩＣ基板９上に
取り付けられている。また樹脂パッケージ１０の頂部に
は穴１０ｂがあいている。このような従来の圧力の半導
体センサは、圧力によって歪むセンサ素子９ａのピエゾ
抵抗効果を利用して、圧力を電気変換する。
【０００６】このような従来のＣＯＢタイプの半導体圧
力センサの組み立ては、センサ素子９ａが搭載されたＨ
ＩＣ基板に樹脂パッケージ１０を接着することにより組
み立てられていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の半
導体加速度センサや半導体圧力センサである半導体セン
サは、組み立て工程において多くの工数を必要とし、製
品のローコスト化が困難であった。本発明は、製品のコ
ストを下げる為、組み立ての容易な半導体センサを得る
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体センサ
においては、センサ素子を搭載し端辺に外部電極を備え
た平板状の回路基板と、回路基板を挿嵌する溝を有し回
路基板を保護する樹脂製パッケージとを備えている。
【０００９】請求項２の半導体センサにおいては、樹脂
製パッケージに嵌合して被さる金属製キャップを備えて
いる。
【００１０】請求項３の半導体センサにおいては、金属
製キャップが樹脂製パッケージと係合する外れ止めを有
する。
【００１１】請求項４の半導体センサにおいては、樹脂
製パッケージが金属製キャップの縁部を包囲する封止溝
を有する。
【００１２】請求項５の半導体センサにおいては、樹脂
製パッケージが取り付け用突起を持つ。
【００１３】請求項６の半導体センサにおいては、金属
製キャップが取り付け用突起を持つ。
【００１４】請求項７の半導体センサにおいては、取り
付け用突起がねじ穴を持つ。
【００１５】請求項８の半導体センサにおいては、樹脂
パッケージに穴が設けられ、回路基板と樹脂製パッケー
ジとの間にシール構造を備えている。
【００１６】請求項９の半導体センサにおいては、シー
ル構造が弾性を有する環状の部材である。
【００１７】請求項１０の半導体センサにおいては、シ
ール構造が回路基板に印刷された樹脂である。
【００１８】請求項１１の半導体センサにおいては、基
板と、基板上に基板構成材料を積み重ねて形成された台
座と、台座に片側を固着されて片持ちばり状に支持され
たセンサ素子とを備えている。
【００１９】請求項１２の半導体センサにおいては、基
板構成材料がメッシュ形状である。
【００２０】
【作用】請求項１の半導体センサにおいては、回路基板
は樹脂製パッケージの溝に挿嵌されて支持される。
【００２１】請求項２の半導体センサにおいては、金属
製キャップは樹脂製パッケージに嵌合されて被さる。
【００２２】請求項３の半導体センサにおいては、金属
製キャップは外れ止めによって樹脂製パッケージと係合
している。
【００２３】請求項４の半導体センサにおいては、金属
製キャップは縁部を樹脂製パッケージの封止溝で包囲さ
れて内部を密閉する。
【００２４】請求項５の半導体センサにおいては、半導
体センサは、取り付け用突起を、基板その他の取り付け
部に設けられた穴に挿入することにより支持される。
【００２５】請求項６の半導体センサにおいては、半導
体センサは、金属製キャップに設けられた取り付け用突
起を、基板その他の取り付け部に設けられた穴に挿入
し、はんだ付けされて支持される。
【００２６】請求項７の半導体センサにおいては、半導
体センサは、システム基板にねじで止められる。
【００２７】請求項８の半導体センサにおいては、回路
基板と樹脂パッケージはシールされて、樹脂パッケージ
内外を遮断する。
【００２８】請求項９の半導体センサにおいては、回路
基板と樹脂パッケージは、弾性を有する環状の部材でシ
ールされる。
【００２９】請求項１０の半導体センサにおいては、シ
ール構造は回路基板に印刷された樹脂で構成される。
【００３０】請求項１１の半導体センサにおいては、セ
ンサ素子の台座は基板構成材料を積み重ねて形成される
ので、基板製作時に印刷を積み重ねて作製される。
【００３１】請求項１２の半導体センサにおいては、台
座を構成する基板構成材料を基板素地が露出する様にメ
ッシュ状に形成しているので、センサ素子との接着性が
よい。
【００３２】
【実施例】
実施例１．図１は本発明の半導体センサの一実施例を示
す半導体加速度センサのキャップ３を取り外した状態の
斜視図であり、図２は金属製キャップ３を取り付けた場
合の斜視図である。また図３は図１の半導体加速度セン
サを裏面から見た図であり、図４は金属製キャップ３の
斜視図である。図１に示すように、樹脂製パッケージ２
は１の長辺２ｇと２の短辺２ｆからなり略々コ字型を成
している。２の短辺の内側には辺の全長に亙って、回路
基板を挿嵌するための溝である嵌合用溝２ａが設けられ
ている。また嵌合用溝２ａには溝内側の両側面に溝の全
長に亙って断面半円形の突起２ｃが対向して設けられて
いる。略々コ字型の樹脂製パッケージ２には、コ字型を
３辺とする矩形平板状の回路基板であるＨＩＣ基板１が
嵌合用溝２ａに挿嵌されて取り付けられている。嵌合用
溝２ａ内の対向する突起２ｃは嵌合用溝２ａに挿嵌され
るＨＩＣ基板１を突起の頂部で押圧して挟み確実に支持
している。樹脂製パッケージ２はＨＩＣ基板１の３辺を
被いＨＩＣ基板を保護する。ＨＩＣ基板の長辺には棒状
の外部電極である外部リード１ｃが基板と同一面上に複
数半田付けされて櫛状を成している。図３に示すように
樹脂製パッケージのコ字型の長辺には辺に沿って***２
ｅが等間隔に設けられており、ＨＩＣ基板１の外部リー
ド１ｃは***２ｅを貫通して外部に突出している。ＨＩ
Ｃ基板１上には、図示しない配線や電子部品が設けられ
ている。またＨＩＣ基板上にはシリコン製の台座１が設
置され、さらに台座１ｂ上にはセンサ素子１ａが片持ち
はり式に固着されている。センサ素子１ａとＨＩＣ基板
上の図示しない配線とはワイヤボンディングされてい
る。
【００３３】図２はキャップ３を樹脂製パッケージ２に
嵌合して被せ、取り付けた状態であるが、図４に示すよ
うに鋼板を折り曲げて作成した断面略々コ字型の金属製
キャップ３を、樹脂製パッケージ２の図１の上方から被
せた状態である。金属製キャップ３は、１側面が樹脂製
パッケージ２のコ字型を３辺とする矩形をなしており、
側面の折り曲げ側でない１長辺の両端角には、短辺を延
長するように延びた突起３ｂを有している。金属製キャ
ップ３には、樹脂製パッケージ２側面に設けられた突起
２ｂと係合する外れ止めである穴３ａが設けられてい
る。金属製キャップ３はそのバネ性により、上方から被
せられたとき少し広がって装着され、突起２ｂと穴３ａ
が係合し、金属製キャップ３は樹脂製パッケージ２から
外れることがない。
【００３４】このように構成した半導体センサにおいて
は、組み立て作業において、従来のようなベースにＨＩ
Ｃ基板を接着する作業や、ＨＩＣ基板と外部リードとの
ワイヤボンディングの作業、あるいはベースとキャップ
との溶接の作業等が必要なく、組み立て作業は嵌め込む
作業だけなので工数が大幅に削減され、製品のローコス
ト化が可能となる。尚従来の半導体センサは、センサ素
子およびＨＩＣ基板の防食性を高める為、ベースとキャ
ップの溶接がなされキャップ内の気密性が高かったが、
センサ素子の表面又はセンサ素子及びＨＩＣ基板の電極
部をシリコンゲル等で覆い防食性を高めることによりそ
れほどの気密性はなくても支障はなく、本実施例程度の
気密性で充分である。
【００３５】金属製キャップ３を被せるので、製品内部
の機械的保護及び外乱ノイズ等による電気的保護を可能
としている。また図４に示す様に金属性キャップ３は、
製品の保持を目的とした取り付け用突起である突起３ｂ
を有しており、システム側基板への半田付け等による保
持を可能としている。
【００３６】実施例２．図５は本発明の半導体センサの
他の実施例を示す半導体加速度センサのキャップ３を取
り外した状態の斜視図であり、図６は金属製キャップ３
を取り付けた場合の斜視図である。また図７は図６の半
導体加速度センサを裏面から見た図である。図５に示す
ように、略々コ字型の樹脂製パッケージ３２には金属製
キャップ３が被さったとき、金属製キャップ３の縁部３
ｃを包囲するように封止溝３２ｃがコ字型の内側全長に
亙って設けられている。
【００３７】金属製キャップ３は図５の上方からその縁
部３ｃを封止溝３２ｃに嵌め込まれるように押されて装
着される。樹脂製パッケージ３２において封止溝３２ｃ
の溝底には、金属製キャップ３の突起３ｂが突き通る穴
３２ｆがあいており、突起３ｂは取り付け用突起として
外へ突出する。また樹脂製パッケージ３２のコ字型中央
辺の内側略々中央には、２本の封止溝３２ｃのそれぞれ
の内側に封止溝３２ｃに近接して平板３２ｄが立設され
ている。平板３２ｄの外側側面略々中央には突起３２ｂ
が設けられており、金属製キャップ３の穴３ａと係合す
る。それにより金属製キャップ３は外れない。尚その他
の構成は、実施例１と同様である。
【００３８】このように構成した半導体センサにおいて
は、金属製キャップ３はその縁部３ｃを樹脂製パッケー
ジ３２の封止溝３２ｃに包囲される、それにより金属製
キャップ３の内側の空間は密閉され異物の侵入を防ぐ、
そして内部の空間に存在するセンサ素子１ａを始めとす
る電子部品や配線を保護し、製品の防食性を高める、そ
れにより半導体センサの信頼性が向上し、また寿命が伸
びる。
【００３９】実施例３．図８は本発明の半導体センサの
他の実施例を示す半導体圧力センサの図９のVIII−VIII
断面図であり、また図９は図８の正面図である。図８に
示すように樹脂製パッケージ１６は、略々直方体の形状
をしており、中央部が大きくへこみ凹部１６ｂが形成さ
れている、また２側面の図下側角部には断面鈎型の突起
１６ａが稜に沿って設けられ、回路基板が挿嵌する溝１
６ｃを形成している。また、樹脂製パッケージ１６の頂
部には穴１６dがあいている。
【００４０】センサ素子９ａを搭載し基板縁部に外部電
極であるＳＩＬタイプの外部リード９ｂを有するＨＩＣ
基板９上には、樹脂製パッケージ１６が溝１６ｃをＨＩ
Ｃ基板９の縁に引っ掛けて取り付けられている。樹脂製
パッケージ１６の図７の右側の突起１６ａは外部リード
９ｂが外部に突出するために一部が削除されている。樹
脂製パッケージ１６の凹部１６ｂはＨＩＣ基板上のセン
サ素子９ａを収納するようにまた十分な空間ができるよ
うに余裕をもって大きく形成されている。
【００４１】このような構造の半導体圧力センサの組み
立ては、柔軟性のある樹脂製パッケージ１６を突起１６
ａの部分を広げながらＨＩＣ基板９の縁に係合させ、縁
に引っ掛けて取り付けることにより組み立てる。それに
より、従来必要であった樹脂製パッケージとＨＩＣ基板
９の接着が不要になり、組み立て作業は嵌め込みだけな
ので工数が大幅に削減され、製品のローコスト化が可能
となる。
【００４２】実施例４．図１０は本発明の半導体センサ
の他の実施例を示す半導体圧力センサの図１１のX−X断
面図であり、また図１１は図１０の正面図である。本実
施例は、実施例３の構造にさらに、樹脂製パッケージ１
６とＨＩＣ基板９との間の気密性を改善するために、樹
脂製パッケージ１６のＨＩＣ基板９との対向面に凹部１
６ｂを囲む溝１６ｅを設け、溝１６ｅに弾性を有する環
状の部材であるＯリング１７を配置したものである。
【００４３】このような構造にすることにより、樹脂製
パッケージ１６とＨＩＣ基板９とはＯリング１７によっ
て気密性が高まり、半導体圧力センサのテストをする場
合、樹脂製パッケージ１６の頂部の穴１６ｃに圧力供給
用のパイプ等を継ぎ、樹脂製パッケージ１６内の凹部１
６ｂとＨＩＣ基板が形成する空間内に圧力を供給し、テ
ストをすることができる。尚実施例３のように樹脂製パ
ッケージ１６とＨＩＣ基板９との気密性がないものは、
半導体圧力センサ全体を圧力のかかる装置内に入れてテ
ストをする。
【００４４】実施例５．図１２は本発明の半導体センサ
の他の実施例を示す半導体圧力センサの断面図である。
本実施例は、前述の実施例４のＯリング１７の代わり
に、ＨＩＣ基板１に弾性を持つ樹脂１８を印刷し、その
後樹脂製パッケージ１６を取り付けた構造のものであ
る。このような構造にすることにより、組み立て時にＯ
リング１７を嵌め込む煩わしさがなくなり組み立てが容
易である。また半導体圧力センサを分解したとき、樹脂
１８が外れないので煩わしさがない。またＯリングに比
べ気密性はさらに高まる。
【００４５】実施例６．図１３および図１４は本発明の
半導体センサの他の実施例を示す半導体圧力センサの断
面図である。本実施例は、実施例３および４の半導体圧
力センサにおいて、ＨＩＣ基板の裏面側に台１９を配置
している。そして樹脂製パッケージ１６は台１９を介し
てＨＩＣ基板に止められている。ＨＩＣ基板９は表面が
オーバガラスで覆われていて衝撃に弱いが、このような
構成にすることにより、パッケージ１６の嵌め込み時の
ＨＩＣ基板９に発生するストレスの緩和を可能とし、ま
た製品になった後、外部からの衝撃からＨＩＣ基板９を
守ることができる。
【００４６】実施例７．図１５は本発明の半導体センサ
の他の実施例を示す半導体圧力センサの断面図である。
本実施例は、裏面受圧タイプの半導体圧力センサ２０を
設けた実施例である。図１５に示すようにＨＩＣ基板９
及びパッケージ１９に圧力導入用の穴９ｂ及び、１９ａ
を設け、ＨＩＣ基板９と台１９との気密性をＯリング１
７により保つことにより、裏面受圧を可能としたもので
ある。
【００４７】実施例８．図１６および図１７は本発明の
半導体センサの他の実施例を示す半導体圧力センサの断
面図である。図１６および図１７に示すように台１９に
空間を作り出す凹部１９ａおよびＯリング１７を収納す
るための溝１９ｂを設け、台１９の取り付か方により、
表面受圧タイプと裏面受圧タイプの両方に対応可能な構
造とすることができるようにしたものである。これによ
り表面受圧タイプと裏面受圧タイプの部品の共用化を可
能とした。
【００４８】実施例９．図１８、図１９および図２０は
本発明の半導体センサの他の実施例を示す半導体圧力セ
ンサのシステム基板に取り付けた状態を示す図である。
図１８に示すように、図示しないセンサ素子９ａを搭載
し基板縁部にＳＩＬタイプの外部リード９ｂを有するＨ
ＩＣ基板９上には、従来と同じように、樹脂製パッケー
ジ２０が接着されている。樹脂製パッケージ２０の外部
リード側における主面と側面との稜には突起２０ａが設
けられている。この突起２０ａは半導体圧力センサをシ
ステム基板２３に実装する際に、システム基板２３に設
けられた穴２３ａに挿入されて、システム基板に半田付
けされた外部リード９ｂと共同して半導体センサをシス
テム基板２３に確実に固定する。これにより振動、衝撃
が発生しても製品の保持を確実とすることができる。
【００４９】図１９に示す実施例では、ＨＩＣ基板９上
には、従来と同じように、樹脂製パッケージ２１が接着
されているが、樹脂製パッケージ２１の主面縁部には側
面と同一面に面をつくる安定板２１ａが設けられてい
る。この安定板２１ａは、半導体センサがシステム基板
２３に外部リード９ｂを半田付けされて固定される際
に、システム基板２３に対向し半導体センサを支え安定
させる。また、この安定板２１ａは実施例１および実施
例２に示した半導体加速度センサの樹脂製パッケージ２
および樹脂製パッケージ３２に設けることもできる。
【００５０】図２０に示す実施例では、樹脂製パッケー
ジ２２には、主面縁部に設けられた安定板２２ａに樹脂
製パッケージ２２の側面と同一面に面をつくるフランジ
部２２ｂが設けられており、フランジ部２２ｂにはねじ
穴２２ｃがあいている。またシステム基板２３には半導
体圧力センサが固定される位置に穴２３ａが設けられて
おり、ねじ穴２２ｃと穴２３ａとにねじ２４を通しフラ
ンジ部２２ｂとシステム基板２３を締め付けることによ
り、半導体圧力センサをシステム基板に固定する。この
ような構造にすることにより、より確実に固定されて振
動、衝撃時の半導体圧力センサの保持を確実にする。
【００５１】実施例１０．図に示さないが、実施例１お
よび実施例２に示す片持ちはり構造のセンサ素子１ａ
は、片持ちはり構造でない加速度センサ素子でも構成で
きる。また、実施例３乃至９の半導体圧力センサのセン
サ素子９ａは、実施例１および２に示す片持ちはり構造
のセンサ素子１ａとしてもよい、それにより半導体加速
度センサとして構成することもできる。
【００５２】実施例１１．図２１は本発明の半導体セン
サの他の実施例を示す半導体加速度センサの一部断面図
である。一般的にＨＩＣ基板は、印刷技術によって、基
板構成材料である抵抗、導体、クロスガラス、オーバガ
ラス等が、必要な位置に印刷または転写等されることに
より構成されている。本実施例は、片持ちはり構造の半
導体加速度センサにおいてＨＩＣ基板１上でセンサ素子
１ａを片持ちはり式に支持するシリコン製の台座１ｂの
代わりに、台座１ｂの位置に、抵抗２７、導体２８、オ
ーバーガラス２９、クロスガラス３０等を積み重ねて印
刷し、所要の高さを得ることによって台座４０とし、そ
の上にセンサ素子１ａを固着して、片持ちはり構造を実
現したものである。
【００５３】このような構造にすることにより、台座用
の特別な部品が必要なくなり、基板に台座１ｂを接着す
る作業もなくなる。また本来他の場所に配置しなければ
ならなかった抵抗を台座に配置することも可能であり、
そうすることにより装置全体の大きさを小さくすること
も可能である。
【００５４】実施例１２．図２２は本発明の半導体セン
サの他の実施例を示す半導体加速度センサの台座の正面
図であり、また図２３は図２２の側面図である。本実施
例は、前述の実施例１０において、抵抗２７、オーバー
ガラス２９、クロスガラス３０をメッシュ形状にするこ
とにより、メッシュ形状の台座４１を形成したものであ
る。このような形状にすることにより台座４１の接着の
信頼性を向上させ、安定性を確実としたものである。
【００５５】
【発明の効果】請求項１の半導体センサにおいては、セ
ンサ素子を搭載し端辺に外部電極を備えた平板状の回路
基板と、回路基板を挿嵌する溝を有し回路基板を保護す
る樹脂製パッケージとを備えているので、回路基板は樹
脂製パッケージの溝に挿嵌されて支持され、組み立てが
容易であり、半導体センサを安価に製造できる。
【００５６】請求項２の半導体センサにおいては、樹脂
製パッケージに嵌合して被さる金属製キャップを備えて
いるので、金属製キャップは樹脂製パッケージに嵌合さ
れて被さり、外部のノイズから回路基板を保護する。
【００５７】請求項３の半導体センサにおいては、金属
製キャップが樹脂製パッケージと係合する外れ止めを有
するので、振動等により金属製キャップが外れることが
ない。
【００５８】請求項４の半導体センサにおいては、樹脂
製パッケージが金属製キャップの縁部を包囲する封止溝
を有するので、金属製キャップは縁部を樹脂製パッケー
ジの封止溝で包囲されて内部を密閉し、異物の侵入を防
ぐことができる。
【００５９】請求項５の半導体センサにおいては、樹脂
製パッケージが取り付け用突起を持つので、半導体セン
サは、取り付け用突起を、システム基板の取り付け部に
設けられた穴に挿入することにより支持され、取り付け
が確実になる。
【００６０】請求項６の半導体センサにおいては、金属
製キャップが取り付け用突起を持つので、半導体センサ
は、金属製キャップに設けられた取り付け用突起を、シ
ステム基板の取り付け部に設けられた穴に挿入し、はん
だ付けされて支持され、取り付けがさらに確実になる。
【００６１】請求項７の半導体センサにおいては、取り
付け用突起がねじ穴を持つので、半導体センサは、シス
テム基板にねじで止められ、取り付けが強固になる、ま
た取り外すことも容易である。
【００６２】請求項８の半導体センサにおいては、樹脂
パッケージに穴が設けられ、回路基板と樹脂製パッケー
ジとの間にシール構造を備えているので、回路基板と樹
脂パッケージはシールされて、樹脂パッケージ内外を遮
断する。それにより、半導体センサのテスト時に穴に圧
力供給用のパイプ等をつなぎ樹脂パッケージ内に圧力を
かけることができ、テストが容易である。
【００６３】請求項９の半導体センサにおいては、シー
ル構造が弾性を有する環状の部材であるので、既存の購
入品で構成でき、容易に生産できる。
【００６４】請求項１０の半導体センサにおいては、シ
ール構造が回路基板に印刷された樹脂であるので、樹脂
が半導体センサから外れることがなく、また密閉性が高
まる。
【００６５】請求項１１の半導体センサにおいては、基
板と、基板上に基板構成材料を積み重ねて形成された台
座と、台座に片側を固着されて片持ちばり状に支持され
たセンサ素子とを備えているので、センサ素子の台座は
基板製作時に基板構成材料を積み重ねて印刷することに
より作製され、台座用の特別な部品が必要ない。
【００６６】請求項１２の半導体センサにおいては、台
座を構成する基板構成材料を基板素地が露出する様にメ
ッシュ状に形成しているので、センサ素子との接着の信
頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体センサの一実施例を示す半導
体加速度センサのキャップを取り外した状態の斜視図で
ある。
【図２】 金属製キャップを取り付けた場合の斜視図で
ある。
【図３】 図１の半導体加速度センサを裏面から見た図
である。
【図４】 金属製キャップの斜視図である。
【図５】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す半
導体加速度センサのキャップを取り外した状態の斜視図
である。
【図６】 金属製キャップを取り付けた場合の斜視図で
ある。
【図７】 図６の半導体加速度センサを裏面から見た図
である。
【図８】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す半
導体圧力センサの断面図である。
【図９】 図８の正面図である。
【図１０】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサの断面図である。
【図１１】 図１０の正面図である。
【図１２】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサの断面図である。
【図１３】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサの断面図である。
【図１４】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサの断面図である。
【図１５】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサの断面図である。
【図１６】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサの断面図である。
【図１７】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサの断面図である。
【図１８】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサのシステム基板に取り付けた状態を示
す図である。
【図１９】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサのシステム基板に取り付けた状態を示
す図である。
【図２０】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体圧力センサのシステム基板に取り付けた状態を示
す図である。
【図２１】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体加速度センサの一部断面図である。
【図２２】 本発明の半導体センサの他の実施例を示す
半導体加速度センサの台座の正面図である。
【図２３】 図２２の側面図である。
【図２４】 従来のキャンシールパッケージタイプの半
導体加速度センサの断面図である。
【図２５】 従来のＣＯＢタイプの半導体圧力センサの
断面図である。
【符号の説明】
１ａ，９ａ センサ素子、１，９ ＨＩＣ基板（回路基
板）、１ｃ，９ｂ 外部リード（外部電極）、２ａ，１
６ｃ 嵌合用溝（溝）、２，１６ 樹脂製パッケージ、
３ 金属製キャップ、３ａ 外れ止め、３２ｃ 封止
溝、３ｂ，２０ａ，２１ａ，２２ａ 突起、２２ｂ ね
じ穴、１７ Ｏリング（弾性を有する環状の部材，シー
ル構造）、１８ 樹脂（シール構造）、４０，４１ 台
座。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 センサ素子を搭載し端辺に外部電極を備
    えた平板状の回路基板と、上記回路基板を挿嵌する溝を
    有し上記回路基板を保護する樹脂製パッケージとを備え
    た半導体センサ。
  2. 【請求項２】 上記樹脂製パッケージに嵌合して被さる
    金属製キャップを備えた請求項１記載の半導体センサ。
  3. 【請求項３】 上記金属製キャップが上記樹脂製パッケ
    ージと係合する外れ止めを有する請求項２記載の半導体
    センサ。
  4. 【請求項４】 上記樹脂製パッケージが上記金属製キャ
    ップの縁部を包囲する封止溝を有する請求項２あるいは
    ３記載の半導体センサ。
  5. 【請求項５】 上記樹脂製パッケージが取り付け用の突
    起を持つ請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体セン
    サ。
  6. 【請求項６】 上記金属製キャップが取り付け用の突起
    を持つ請求項２乃至４のいずれかに記載の半導体セン
    サ。
  7. 【請求項７】 上記取り付け用突起がねじ穴を持つ請求
    項５あるいは６記載の半導体センサ。
  8. 【請求項８】 上記樹脂パッケージに穴が設けられ、上
    記回路基板と上記樹脂製パッケージとの間にシール構造
    を備えた請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体セン
    サ。
  9. 【請求項９】 上記シール構造が弾性を有する環状の部
    材である請求項８記載の半導体センサ。
  10. 【請求項１０】 上記シール構造が上記回路基板に印刷
    された樹脂である請求項８の記載の半導体センサ。
  11. 【請求項１１】 基板と、上記基板上に基板構成材料を
    積み重ねて形成された台座と、上記台座に片側を固着さ
    れて片持ちばり状に支持されたセンサ素子とを備えた半
    導体センサ。
  12. 【請求項１２】 上記基板構成材料を基板素地が露出す
    るようにメッシュ状に形成した請求項１１記載の半導体
    センサ。
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