JP2004303794A - 露光装置 - Google Patents
露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004303794A JP2004303794A JP2003092114A JP2003092114A JP2004303794A JP 2004303794 A JP2004303794 A JP 2004303794A JP 2003092114 A JP2003092114 A JP 2003092114A JP 2003092114 A JP2003092114 A JP 2003092114A JP 2004303794 A JP2004303794 A JP 2004303794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- deflection
- electron
- wafer
- deflector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】光学特性を容易に精度良く補正できるマルチビーム式の露光装置の提供。
【解決手段】複数の電子ビームを用いてウエハ１１８を露光する電子ビーム露光装置において、複数の電子ビームの各々の位置を独立に偏向可能なマルチ偏向器アレイ１０５，１０６と、ウエハ１１８に露光すべきパターンデータとを用いて、複数の電子ビームの各々の位置ずれを補正する。具体的には、パターンデータに基づいて複数の電子ビームの各々を所定の露光位置に偏向させる際にその偏向位置に依存しない静的な位置ずれをマルチ偏向器アレイ１０５，１０６により補正すると共に、この偏向位置に依存した動的な位置ずれと静的な位置ずれとの差をパターンデータにより補正する。
【選択図】 図１
【解決手段】複数の電子ビームを用いてウエハ１１８を露光する電子ビーム露光装置において、複数の電子ビームの各々の位置を独立に偏向可能なマルチ偏向器アレイ１０５，１０６と、ウエハ１１８に露光すべきパターンデータとを用いて、複数の電子ビームの各々の位置ずれを補正する。具体的には、パターンデータに基づいて複数の電子ビームの各々を所定の露光位置に偏向させる際にその偏向位置に依存しない静的な位置ずれをマルチ偏向器アレイ１０５，１０６により補正すると共に、この偏向位置に依存した動的な位置ずれと静的な位置ずれとの差をパターンデータにより補正する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビームやイオンビームを用いて半導体集積回路等の材料であるウエハ等の被露光体の露光を行う荷電粒子線露光技術に関し、特に、複数の電子線を用いてパターン描画を行うマルチビーム方式の荷電粒子線露光技術やこの技術を用いたデバイス製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子ビーム描画のスループット向上の手段として大きく２つの方法が研究開発されている。第一はステンシルマスクを用いて電子ビームを縮小投影してパターンを形成する方法である。この方法は高スループットを望めるものの、マスク製作が困難でコストがかかるものと考えられている。一方、第２の方法は、従来の電子ビーム描画方法であるポイントビームや可変矩形ビームを同時に複数用いて一度に描画を行う方法である。
【０００３】
ここでは、電子レンズや偏向器からなる１つの電子光学系に１つの電子ビームを割り当て、この電子光学系を複数用いる方式をマルチカラム方式、１つの電子光学系に複数の電子ビームを通すものをマルチビーム方式と定義する。
【０００４】
マルチビーム方式の荷電粒子線描画方法として、１つの電子源から放射された電子ビームを、アパーチャアレイにより複数の電子ビームに分割して描画する方法がある（例えば、特許文献１参照）。この方法では、複数のレンズや偏向器に起因する各電子ビームの位置ずれに関して、マルチ偏向器アレイを用いることで、電子ビーム各々のビーム間隔を設計上想定した位置に補正することが可能である。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−２４５７０８号公報。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】
しかしながら、上記マルチビーム方式の描画方法では、電子レンズや投影光学系の製造誤差、光軸に対する電子ビームの斜入射、電子ビームの経時変化等により、複数の電子ビームの各々の位置が設計上想定した目標の値にならないことが起こりうる。さらに、マルチ偏向器アレイは配線が多く、高精度かつ高速なアナログ駆動回路が必要となり、高速制御するには困難が伴う。
【０００７】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされ、露光ビームの光学特性を容易に精度良く補正でき、デバイス製造に用いることで高精度なデバイスを製造できる技術の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決し、目的を達成するために、本発明の各態様を以下に列挙する。
【０００９】
［態様１］
複数の荷電粒子線を用いて基板を露光するマルチビーム方式の露光装置において、前記複数の荷電粒子線の各々の基板に対する入射位置を独立に偏向可能な偏向手段と、前記基板に露光すべきパターンデータを生成する生成手段と、前記偏向手段と前記生成手段とにより前記複数の荷電粒子線の各々の位置ずれを補正する補正手段とを具備する。
【００１０】
［態様２］
上記態様１において、前記補正手段は、前記パターンデータに基づいて前記複数の荷電粒子線の各々を所定の露光位置に偏向させる際にその偏向位置に依存しない静的な位置ずれを前記偏向手段により補正すると共に、前記偏向位置に依存した動的な位置ずれと前記静的な位置ずれとの差を前記生成手段により補正し、前記補正手段は、前記偏向手段と前記生成手段とを同時に用いて前記位置ずれを補正する。
【００１１】
［態様３］
上記態様１又は２に記載の露光装置はデバイス製造に用いられる。
【００１２】
［態様４］
複数の荷電粒子線の各々を所定の露光位置に偏向して基板を露光するマルチビーム方式の露光方法において、前記複数の荷電粒子線の各々の位置を独立に偏向することにより前記複数の荷電粒子線の各々の位置ずれを補正する第１の補正工程と、前記基板に露光すべきパターンデータを生成することにより前記複数の荷電粒子線の各々の位置ずれを補正する第２の補正工程とを備える。
【００１３】
［態様５］
上記態様４において、前記第１の補正工程では、前記パターンデータに基づいて前記複数の荷電粒子線の各々を所定の露光位置に偏向させる際にその偏向位置に依存しない静的な位置ずれを補正すると共に、前記第２の補正工程では、前記偏向位置に依存した動的な位置ずれと前記静的な位置ずれとの差を補正し、前記第１の補正工程と前記第２の補正工程とを同時に用いて前記位置ずれを補正する。
【００１４】
［態様６］
上記態様４又は５に記載の露光方法はデバイス製造に用いられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
尚、本実施形態では、荷電粒子線の一例として電子ビームを用いた露光装置を例示するが、電子ビームに限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適用できることは言うまでもない。
【００１７】
［電子ビーム露光装置の構成要素説明］
図１は、本発明に係るマルチビーム方式の電子ビーム露光装置の要部を示す概略図である。以下に、図１を用いて本実施形態の電子ビーム露光装置とその電子ビームの光学特性の調整機能について説明する。
【００１８】
１０１から１０７は複数の電子源像を形成し、その電子源像から電子ビームを放射するマルチソースモジュールで、図１の場合、マルチソースモジュールは５×５に２次元配列されている。
【００１９】
１０１は電子銃が形成する電子源（クロスオーバ像）である。この電子源１０１から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ１０２によって略平行な電子ビームとなる。
【００２０】
１０３は開孔が２次元配列して形成されたアパーチャアレイ、１０４は静電レンズが２次元配列して形成されたレンズアレイ、１０５及び１０６は電子ビームの各々の基板に対する入射位置（光軸と直交する面内の位置）を独立に偏向するように駆動可能な静電の８極偏向器が２次元配列して形成されたマルチ偏向器アレイ、１０７は電子ビームの各々の位置及び出射方向を独立に偏向するように駆動可能な静電のブランカーが２次元配列して形成されたブランカーアレイである。
【００２１】
次に、図２を用いて上記各要素の機能について説明する。
【００２２】
コンデンサーレンズ１０２からの略平行な電子ビームは、アパーチャアレイ１０３によって複数の電子ビームに分割される。分割された電子ビームは、対応するレンズアレイ１０４の静電レンズを介して、ブランカーアレイ１０７の対応するブランカーの配置された位置に、電子源の中間像を形成する。
【００２３】
この時、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６は、ブランカーアレイ１０７上に形成される電子源の中間像の位置（光軸と直交する面内の位置）を個別に調整する。また、ブランカーアレイ１０７で偏向された電子ビームは、図１のブランキングアパーチャ１０８によって遮断されるため、ウエハ１１８には照射されない。一方、ブランカーアレイ１０７で偏向されない電子ビームは、図１のブランキングアパーチャ１０８によって遮断されされないため、ウエハ１１８に照射される。
【００２４】
図１に戻り、マルチソースモジュールで形成された電子源の複数の中間像は、磁界レンズ１１３〜１１６の縮小投影系を介してウエハ１１８に投影される。
【００２５】
複数の中間像がウエハ１１８に投影される際、焦点位置はダイナミックフォーカスレンズ（静電若しくは磁界レンズ）１０９，１１０で調整できる。
【００２６】
１１１，１１２は各電子ビームを露光すべき箇所へ偏向させる主偏向器と副偏向器である。
【００２７】
１１７はウエハ１１８上に形成された電子源の各中間像の位置を計測するための反射電子検出器である。
【００２８】
１１９はウエハを移動させるためのステージである。
【００２９】
１２０は電子ビームの位置を検出するためのマーク（基準マーク）である。
【００３０】
次に、本実施形態のシステム構成図を図３に示す。
【００３１】
ブランカーアレイ制御回路３０１は、ブランカーアレイ１０７を構成する複数のブランカーを個別に制御する回路、マルチ偏向器アレイ制御回路３０２は、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６を個別に制御する回路、Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路３０３は、ダイナミックフォーカスレンズ１０９，１１０を個別に制御する回路、主偏向制御回路３０４は、主偏向器１１１を制御する回路、副偏向制御回路３０５は、副偏向器１１２を制御する回路、反射電子検出回路３０６は、反射電子検出器１１７からの信号を処理する回路である。
【００３２】
ステージ駆動制御回路３０７は、ステージの位置を検出する不図示のレーザ干渉計と共同してステージ１１９を駆動制御する制御回路である。ＣＰＵ３０８は、上記複数の制御回路を制御し、電子ビーム露光装置全体を管理する。
【００３３】
動的補正用制御回路３０９は、マルチ偏向器アレイ制御回路３０２と副偏向制御回路３０５とを用いて動的な補正を行う回路である。詳細は後述する。
【００３４】
［電子ビームの位置ずれ補正方法の説明］
先ず、図４を用いて、本実施形態の電子ビーム露光装置における描画動作を示す。
【００３５】
ウエハ上に描くべきパターンは、主偏向器１１１で偏向可能な範囲の幅を持つ短冊状のストライプ４０１に分割される。ストライプ４０１は複数の電子ビームを配列した大きさからなる副偏向領域４０２単位で分割された主偏向領域４０３に分割される。副偏向領域４０２内のウエハ上での複数の電子ビームは、副偏向器１１２により同時に偏向されて副偏向領域４０２全てを描画する。副偏向領域４０２の１つの電子ビーム４０４が描画を受け持つ領域をマイクロ偏向領域４０５とする。マイクロ偏向領域４０５内では、電子ビーム４０４の径と略同じ大きさであるピクセル４０６を単位として、角から順に電子ビーム４０４がラスタスキャンするように電子ビームが偏向される。副偏向領域内４０２の全ての電子ビームは一括して副偏向器１１２により偏向される。各電子ビームのピクセル単位の偏向に同期してブランカーアレイ１０７をオンオフさせることで副偏向領域内のパターン描画を行う。
【００３６】
１つの副偏向領域の描画が完了した後、主偏向器１１１により副偏向領域分だけ偏向を行う。上記と同様に次の副偏向領域の描画を行い、主偏向器１１１の偏向範囲全ての描画を行った後、次の主偏向領域の描画に移行する。この時ウエハステージは連続的に移動させる。
【００３７】
次に、図５を用いて、本実施形態の電子ビーム露光装置での位置ずれ補正方法について説明する。
【００３８】
図５は、副偏向領域内の４つのマイクロ偏向領域を取り出して示した例である。図５（Ａ）はマイクロ偏向領域５０１と描画すべきパターン５０２を示している。
【００３９】
本実施形態の電子ビーム露光装置は、レンズアレイ各々の開孔形状の不均一性やレンズ間隔の不一致、縮小投影系の製造誤差、経時変化等により、個々の電子ビームの位置は目標とする位置（目標位置）と多少なりとも異なる。
【００４０】
例えば、図５（Ｂ）のように４つの電子ビーム５０３の間隔が変動している場合、描画パターンはずれたものとなる。この問題に対して、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６を用いて複数の電子ビームの夫々を独立に偏向することにより、夫々の電子ビームのウエハに対する入射位置を調節し、位置ずれの補正５０４を行い、正しい描画パターンを描かせることができる。このような方法を、マルチ偏向器アレイを用いた補正方法と定義する。
【００４１】
一方、上記問題に対して図５（Ｄ）に示すように、マイクロ偏向領域毎にその周辺に偏向領域余裕５０５を設けておき、各電子ビームの位置ずれを打ち消す方向に描画すべきパターンのシフト５０６を行うようにしてもよい。図５（Ｅ）に示すように偏向領域余裕を含めた領域に対して副偏向器１１２による電子ビーム偏向５０７を行ってマイクロ偏向領域を描画すれば、各電子ビームの位置が目標位置からずれたままでも結果として図５（Ｆ）に示すように正しい描画パターンを描くことができる。このように、補正量をパターンデータに加味する方法を、パターンデータによる位置ずれの補正と定義する。
【００４２】
図６で前記２つの補正方法の使い分けについて説明する。
【００４３】
主偏向器１１１を駆動させていない状態での副偏向領域の形状６０１を、ステージ１１９の移動量と反射電子検出器１１７から得られる電子ビーム位置から計測する。計測した副偏向領域の形状と目標とする副偏向領域の形状６０５とを比較し、その差分量（主偏向器１１１による偏向に依存しない差分量）を静的歪曲と定義する。静的歪曲は前記マルチ偏向器アレイを用いた補正方法で補正する。
【００４４】
次に、主偏向器１１１を駆動させた時のその各偏向位置での副偏向領域の形状６０２〜６０４は、主偏向器１１１による偏向量に応じてダイナミックに変化する。それぞれの偏向位置で計測した副偏向領域の形状と目標とする副偏向領域の形状６０５とを比較し、その差分量と静的歪曲との差分量を、偏向位置に依存する動的歪曲と定義する。動的歪曲に関しては前記パターンデータによる位置ずれの補正を行う。
【００４５】
静的歪曲をマルチ偏向器アレイで、動的歪曲をパターンデータで補正する理由について以下に示す。
【００４６】
動的歪曲をマルチ偏向器アレイで補正しようとすると、電子ビーム毎に主偏向器１１１の偏向量に応じてダイナミックに偏向させる必要がありマルチ偏向器アレイの制御系は複雑になってしまう。静的補正をマルチ偏向器アレイで行う場合、偏向位置によらず歪曲量が一定なため、一度補正量を決定すれば補正量は一定となる。
【００４７】
一方、ラスタスキャンで描画を行う場合、パターンデータによる補正は前記したように補正量に応じて偏向領域を広げなければならないため、偏向領域が広くなりすぎるとデータ変換に時間がかかると共に、偏向量も増えるため、スループットが低下することとなる。
【００４８】
よって、静的歪曲をマルチ偏向器アレイで、動的歪曲をパターンデータで補正すると、必要な補正量だけをパターンデータに加味することができ、スループットは向上する。
【００４９】
マルチ偏向器アレイを用いた補正とパターンデータによる補正のフローチャートを図７に示す。
【００５０】
ステップＳ１では、各電子ビームの静的補正量の測定を行う。ステージを移動させ、ステージ上にある位置検出用のマーク１２０に各電子ビームを照射し、反射電子計測器１１７を用いて反射電子を計測することで、各電子ビームの位置を計測する。主偏向器１１１を用いない状態での各電子ビームの位置と、目標とする電子ビームの位置とから、本来あるべき位置に電子ビームを移動させるための各電子ビームの静的補正量を決定する。
【００５１】
ステップＳ２では、ステップＳ１で計測した静的補正量のデータを、ＣＰＵ３０８にスプールする。その時、静的補正用制御回路３０９を制御して、各電子ビームを静的補正できるように、そのデータを変換してスプールする。
【００５２】
ステップＳ３では、ＣＰＵ３０８にスプールされたデータをもとに、静的補正用制御回路３０９を制御して各電子ビームの静的補正を行う。静的補正に関しては、オフセットとし、ウエハ交換毎には再計測は行わない。これによってスループットを向上させることができる。
【００５３】
ステップＳ４では、主偏向器１１１を用いて偏向させた状態での各電子ビームの動的補正量を測定する。静的補正量測定時と同様に、ステージを移動させ、ステージ上にある位置検出用のマーク１２０に各電子ビームを照射し、反射電子計測器１１７を用いて反射電子を計測することで、各電子ビームの位置を計測する。主偏向器１１１を用いて偏向させた状態での各電子ビームの位置と、静的補正を行った状態での電子ビームの位置とから、静的補正後の位置に各電子ビームを移動させるための動的補正量を決定する。
【００５４】
ステップＳ５では、ステップＳ４で計測した動的補正量のデータを、ＣＰＵ３０８にスプールされている描画すべきパターンデータに加味して、基板に露光すべきパターンデータを生成する。
【００５５】
ステップＳ６では、ステージ１１９上に描画を行うウエハを搬入する。
【００５６】
ステップＳ７では、露光対象の副偏向領域に電子ビームを移動させ、描画する準備をする。
【００５７】
ステップＳ８では、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６により静的補正を行い、パターンデータにより動的補正を行った状態で副偏向領域の描画を開始する。
【００５８】
ステップＳ９において、全ての副偏向領域を描画し終わっていない場合、ステップＳ７に戻り、主偏向器１１１を用いて別の露光対象の副偏向領域に電子ビームを移動させ、再び描画を行う。一方、全ての副偏向領域を描画し終わっている場合、ステップＳ１０に進む。
【００５９】
ステップＳ１０では、描画されたウエハを搬出する。
【００６０】
ステップＳ１１において、キャリブレーションを行うかどうかを判断する。経時変化等により各ビームの位置は変化することが予想されるので、静的及び動的補正量のキャリブレーションを行う。あらかじめ決められた時間、もしくはあらかじめ決められたウエハ枚数を、キャリブレーションを行うかどうかの判断基準とする。この方法によって、描画精度を保ち、かつ、描画装置のスループットを向上することができる。キャリブレーションを行う場合、ステップＳ１に戻り、静的補正量の測定からもう一度計測しなおす。キャリブレーションを行わない場合、ステップＳ１２に進む。
【００６１】
ステップＳ１２において、描画すべき全ウエハを描画したかどうかを判断する。まだ描画すべきウエハが残っている場合、ステップＳ６に戻る。全てのウエハを描画し終わった場合、全ての処理は終了する。
【００６２】
［デバイスの生産方法］
次に、上述した電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施形態について説明する。
【００６３】
図８に微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ２１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２２（露光制御データ作成）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップＳ２３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ２４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ２５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ２４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ２６（検査）ではステップＳ２５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ２７）される。
【００６４】
図９は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップＳ３１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ３２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ３３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ３４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ３５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ３６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ３７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップＳ３８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ３９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６５】
本実施形態の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
【００６６】
［他の実施形態］
本発明は、前述した実施形態のパターン露光フローを実現するソフトウェアのプログラムを、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される場合を含む。その場合、プログラムの機能を有していれば、形態は、プログラムである必要はない。
【００６７】
従って、本発明の機能処理をコンピュータで実現するために、該コンピュータにインストールされるプログラムコード自体も本発明を実現するものである。つまり、本発明のクレームでは、本発明の機能処理を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれる。
【００６８】
その場合、プログラムの機能を有していれば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プログラムの形態を問わない。
【００６９】
プログラムを供給するための記録媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
【００７０】
その他、プログラムの供給方法としては、クライアントコンピュータのブラウザを用いてインターネットのホームページに接続し、該ホームページから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによっても供給できる。また、本発明のプログラムを構成するプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファイルを異なるホームページからダウンロードすることによっても実現可能である。つまり、本発明の機能処理をコンピュータで実現するためのプログラムファイルを複数のユーザに対してダウンロードさせるＷＷＷサーバも、本発明のクレームに含まれるものである。
【００７１】
また、本発明のプログラムを暗号化してＣＤ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化されたプログラムを実行してコンピュータにインストールさせて実現することも可能である。
【００７２】
また、コンピュータが、読み出したプログラムを実行することによって、前述した実施形態の機能が実現される他、そのプログラムの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現され得る。
【００７３】
さらに、記録媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現される。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光ビームの光学特性を容易に精度良く補正できるマルチビーム方式の露光装置を提供できる。また、この露光装置を用いてデバイスを製造すれば、従来以上に高精度なデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施形態の電子ビーム露光装置の要部の概略図である。
【図２】マルチソースモジュールの機能を説明する図である。
【図３】本実施形態のシステム構成を説明する図である。
【図４】本実施形態の電子ビーム露光装置における描画動作を示す図である。
【図５】本実施形態の電子ビーム露光装置での位置ずれ補正方法を説明する図である。
【図６】本実施形態の電子ビーム露光装置での位置ずれ補正方法の使い分けについて説明する図である。
【図７】補正方法のフローを説明する図である。
【図８】微小デバイスの製造フローを説明する図である。
【図９】ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１０１ 電子源
１０２ コンデンサーレンズ
１０３ アパーチャアレイ
１０４ レンズアレイ
１０５，１０６ マルチ偏向器アレイ
１０７ ブランカーアレイ
１０８ アパーチャ
１０９，１１０ ダイナミックフォーカスレンズ
１１１ 主偏向器
１１２ 副偏向器
１１３，１１４，１１５，１１６ 縮小電子光学系レンズ
１１７ 反射電子検出器
１１８ ウエハ
１１９ ステージ
１２０ 位置検出用マーク
３０１ ブランカーアレイ制御回路
３０２ マルチ偏向器アレイ制御回路
３０３ Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路
３０４ 主偏向制御回路
３０５ 副偏向制御回路
３０６ 反射電子検出回路
３０７ ステージ駆動制御回路
３０８ ＣＰＵ
３０９ 静的補正制御回路
４０１ ストライプ
４０２ 副偏向領域
４０３ 主偏向領域
４０４ 電子ビーム
４０５ マイクロ偏向領域
４０６ ピクセル
５０１ マイクロ偏向領域
５０２ 描画すべきパターン
５０３ 電子ビーム
５０４ 位置ずれの補正
５０５ 偏向領域余裕
５０６ パターンのシフト
５０７ ビーム偏向
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビームやイオンビームを用いて半導体集積回路等の材料であるウエハ等の被露光体の露光を行う荷電粒子線露光技術に関し、特に、複数の電子線を用いてパターン描画を行うマルチビーム方式の荷電粒子線露光技術やこの技術を用いたデバイス製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子ビーム描画のスループット向上の手段として大きく２つの方法が研究開発されている。第一はステンシルマスクを用いて電子ビームを縮小投影してパターンを形成する方法である。この方法は高スループットを望めるものの、マスク製作が困難でコストがかかるものと考えられている。一方、第２の方法は、従来の電子ビーム描画方法であるポイントビームや可変矩形ビームを同時に複数用いて一度に描画を行う方法である。
【０００３】
ここでは、電子レンズや偏向器からなる１つの電子光学系に１つの電子ビームを割り当て、この電子光学系を複数用いる方式をマルチカラム方式、１つの電子光学系に複数の電子ビームを通すものをマルチビーム方式と定義する。
【０００４】
マルチビーム方式の荷電粒子線描画方法として、１つの電子源から放射された電子ビームを、アパーチャアレイにより複数の電子ビームに分割して描画する方法がある（例えば、特許文献１参照）。この方法では、複数のレンズや偏向器に起因する各電子ビームの位置ずれに関して、マルチ偏向器アレイを用いることで、電子ビーム各々のビーム間隔を設計上想定した位置に補正することが可能である。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−２４５７０８号公報。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】
しかしながら、上記マルチビーム方式の描画方法では、電子レンズや投影光学系の製造誤差、光軸に対する電子ビームの斜入射、電子ビームの経時変化等により、複数の電子ビームの各々の位置が設計上想定した目標の値にならないことが起こりうる。さらに、マルチ偏向器アレイは配線が多く、高精度かつ高速なアナログ駆動回路が必要となり、高速制御するには困難が伴う。
【０００７】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされ、露光ビームの光学特性を容易に精度良く補正でき、デバイス製造に用いることで高精度なデバイスを製造できる技術の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決し、目的を達成するために、本発明の各態様を以下に列挙する。
【０００９】
［態様１］
複数の荷電粒子線を用いて基板を露光するマルチビーム方式の露光装置において、前記複数の荷電粒子線の各々の基板に対する入射位置を独立に偏向可能な偏向手段と、前記基板に露光すべきパターンデータを生成する生成手段と、前記偏向手段と前記生成手段とにより前記複数の荷電粒子線の各々の位置ずれを補正する補正手段とを具備する。
【００１０】
［態様２］
上記態様１において、前記補正手段は、前記パターンデータに基づいて前記複数の荷電粒子線の各々を所定の露光位置に偏向させる際にその偏向位置に依存しない静的な位置ずれを前記偏向手段により補正すると共に、前記偏向位置に依存した動的な位置ずれと前記静的な位置ずれとの差を前記生成手段により補正し、前記補正手段は、前記偏向手段と前記生成手段とを同時に用いて前記位置ずれを補正する。
【００１１】
［態様３］
上記態様１又は２に記載の露光装置はデバイス製造に用いられる。
【００１２】
［態様４］
複数の荷電粒子線の各々を所定の露光位置に偏向して基板を露光するマルチビーム方式の露光方法において、前記複数の荷電粒子線の各々の位置を独立に偏向することにより前記複数の荷電粒子線の各々の位置ずれを補正する第１の補正工程と、前記基板に露光すべきパターンデータを生成することにより前記複数の荷電粒子線の各々の位置ずれを補正する第２の補正工程とを備える。
【００１３】
［態様５］
上記態様４において、前記第１の補正工程では、前記パターンデータに基づいて前記複数の荷電粒子線の各々を所定の露光位置に偏向させる際にその偏向位置に依存しない静的な位置ずれを補正すると共に、前記第２の補正工程では、前記偏向位置に依存した動的な位置ずれと前記静的な位置ずれとの差を補正し、前記第１の補正工程と前記第２の補正工程とを同時に用いて前記位置ずれを補正する。
【００１４】
［態様６］
上記態様４又は５に記載の露光方法はデバイス製造に用いられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
尚、本実施形態では、荷電粒子線の一例として電子ビームを用いた露光装置を例示するが、電子ビームに限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適用できることは言うまでもない。
【００１７】
［電子ビーム露光装置の構成要素説明］
図１は、本発明に係るマルチビーム方式の電子ビーム露光装置の要部を示す概略図である。以下に、図１を用いて本実施形態の電子ビーム露光装置とその電子ビームの光学特性の調整機能について説明する。
【００１８】
１０１から１０７は複数の電子源像を形成し、その電子源像から電子ビームを放射するマルチソースモジュールで、図１の場合、マルチソースモジュールは５×５に２次元配列されている。
【００１９】
１０１は電子銃が形成する電子源（クロスオーバ像）である。この電子源１０１から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ１０２によって略平行な電子ビームとなる。
【００２０】
１０３は開孔が２次元配列して形成されたアパーチャアレイ、１０４は静電レンズが２次元配列して形成されたレンズアレイ、１０５及び１０６は電子ビームの各々の基板に対する入射位置（光軸と直交する面内の位置）を独立に偏向するように駆動可能な静電の８極偏向器が２次元配列して形成されたマルチ偏向器アレイ、１０７は電子ビームの各々の位置及び出射方向を独立に偏向するように駆動可能な静電のブランカーが２次元配列して形成されたブランカーアレイである。
【００２１】
次に、図２を用いて上記各要素の機能について説明する。
【００２２】
コンデンサーレンズ１０２からの略平行な電子ビームは、アパーチャアレイ１０３によって複数の電子ビームに分割される。分割された電子ビームは、対応するレンズアレイ１０４の静電レンズを介して、ブランカーアレイ１０７の対応するブランカーの配置された位置に、電子源の中間像を形成する。
【００２３】
この時、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６は、ブランカーアレイ１０７上に形成される電子源の中間像の位置（光軸と直交する面内の位置）を個別に調整する。また、ブランカーアレイ１０７で偏向された電子ビームは、図１のブランキングアパーチャ１０８によって遮断されるため、ウエハ１１８には照射されない。一方、ブランカーアレイ１０７で偏向されない電子ビームは、図１のブランキングアパーチャ１０８によって遮断されされないため、ウエハ１１８に照射される。
【００２４】
図１に戻り、マルチソースモジュールで形成された電子源の複数の中間像は、磁界レンズ１１３〜１１６の縮小投影系を介してウエハ１１８に投影される。
【００２５】
複数の中間像がウエハ１１８に投影される際、焦点位置はダイナミックフォーカスレンズ（静電若しくは磁界レンズ）１０９，１１０で調整できる。
【００２６】
１１１，１１２は各電子ビームを露光すべき箇所へ偏向させる主偏向器と副偏向器である。
【００２７】
１１７はウエハ１１８上に形成された電子源の各中間像の位置を計測するための反射電子検出器である。
【００２８】
１１９はウエハを移動させるためのステージである。
【００２９】
１２０は電子ビームの位置を検出するためのマーク（基準マーク）である。
【００３０】
次に、本実施形態のシステム構成図を図３に示す。
【００３１】
ブランカーアレイ制御回路３０１は、ブランカーアレイ１０７を構成する複数のブランカーを個別に制御する回路、マルチ偏向器アレイ制御回路３０２は、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６を個別に制御する回路、Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路３０３は、ダイナミックフォーカスレンズ１０９，１１０を個別に制御する回路、主偏向制御回路３０４は、主偏向器１１１を制御する回路、副偏向制御回路３０５は、副偏向器１１２を制御する回路、反射電子検出回路３０６は、反射電子検出器１１７からの信号を処理する回路である。
【００３２】
ステージ駆動制御回路３０７は、ステージの位置を検出する不図示のレーザ干渉計と共同してステージ１１９を駆動制御する制御回路である。ＣＰＵ３０８は、上記複数の制御回路を制御し、電子ビーム露光装置全体を管理する。
【００３３】
動的補正用制御回路３０９は、マルチ偏向器アレイ制御回路３０２と副偏向制御回路３０５とを用いて動的な補正を行う回路である。詳細は後述する。
【００３４】
［電子ビームの位置ずれ補正方法の説明］
先ず、図４を用いて、本実施形態の電子ビーム露光装置における描画動作を示す。
【００３５】
ウエハ上に描くべきパターンは、主偏向器１１１で偏向可能な範囲の幅を持つ短冊状のストライプ４０１に分割される。ストライプ４０１は複数の電子ビームを配列した大きさからなる副偏向領域４０２単位で分割された主偏向領域４０３に分割される。副偏向領域４０２内のウエハ上での複数の電子ビームは、副偏向器１１２により同時に偏向されて副偏向領域４０２全てを描画する。副偏向領域４０２の１つの電子ビーム４０４が描画を受け持つ領域をマイクロ偏向領域４０５とする。マイクロ偏向領域４０５内では、電子ビーム４０４の径と略同じ大きさであるピクセル４０６を単位として、角から順に電子ビーム４０４がラスタスキャンするように電子ビームが偏向される。副偏向領域内４０２の全ての電子ビームは一括して副偏向器１１２により偏向される。各電子ビームのピクセル単位の偏向に同期してブランカーアレイ１０７をオンオフさせることで副偏向領域内のパターン描画を行う。
【００３６】
１つの副偏向領域の描画が完了した後、主偏向器１１１により副偏向領域分だけ偏向を行う。上記と同様に次の副偏向領域の描画を行い、主偏向器１１１の偏向範囲全ての描画を行った後、次の主偏向領域の描画に移行する。この時ウエハステージは連続的に移動させる。
【００３７】
次に、図５を用いて、本実施形態の電子ビーム露光装置での位置ずれ補正方法について説明する。
【００３８】
図５は、副偏向領域内の４つのマイクロ偏向領域を取り出して示した例である。図５（Ａ）はマイクロ偏向領域５０１と描画すべきパターン５０２を示している。
【００３９】
本実施形態の電子ビーム露光装置は、レンズアレイ各々の開孔形状の不均一性やレンズ間隔の不一致、縮小投影系の製造誤差、経時変化等により、個々の電子ビームの位置は目標とする位置（目標位置）と多少なりとも異なる。
【００４０】
例えば、図５（Ｂ）のように４つの電子ビーム５０３の間隔が変動している場合、描画パターンはずれたものとなる。この問題に対して、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６を用いて複数の電子ビームの夫々を独立に偏向することにより、夫々の電子ビームのウエハに対する入射位置を調節し、位置ずれの補正５０４を行い、正しい描画パターンを描かせることができる。このような方法を、マルチ偏向器アレイを用いた補正方法と定義する。
【００４１】
一方、上記問題に対して図５（Ｄ）に示すように、マイクロ偏向領域毎にその周辺に偏向領域余裕５０５を設けておき、各電子ビームの位置ずれを打ち消す方向に描画すべきパターンのシフト５０６を行うようにしてもよい。図５（Ｅ）に示すように偏向領域余裕を含めた領域に対して副偏向器１１２による電子ビーム偏向５０７を行ってマイクロ偏向領域を描画すれば、各電子ビームの位置が目標位置からずれたままでも結果として図５（Ｆ）に示すように正しい描画パターンを描くことができる。このように、補正量をパターンデータに加味する方法を、パターンデータによる位置ずれの補正と定義する。
【００４２】
図６で前記２つの補正方法の使い分けについて説明する。
【００４３】
主偏向器１１１を駆動させていない状態での副偏向領域の形状６０１を、ステージ１１９の移動量と反射電子検出器１１７から得られる電子ビーム位置から計測する。計測した副偏向領域の形状と目標とする副偏向領域の形状６０５とを比較し、その差分量（主偏向器１１１による偏向に依存しない差分量）を静的歪曲と定義する。静的歪曲は前記マルチ偏向器アレイを用いた補正方法で補正する。
【００４４】
次に、主偏向器１１１を駆動させた時のその各偏向位置での副偏向領域の形状６０２〜６０４は、主偏向器１１１による偏向量に応じてダイナミックに変化する。それぞれの偏向位置で計測した副偏向領域の形状と目標とする副偏向領域の形状６０５とを比較し、その差分量と静的歪曲との差分量を、偏向位置に依存する動的歪曲と定義する。動的歪曲に関しては前記パターンデータによる位置ずれの補正を行う。
【００４５】
静的歪曲をマルチ偏向器アレイで、動的歪曲をパターンデータで補正する理由について以下に示す。
【００４６】
動的歪曲をマルチ偏向器アレイで補正しようとすると、電子ビーム毎に主偏向器１１１の偏向量に応じてダイナミックに偏向させる必要がありマルチ偏向器アレイの制御系は複雑になってしまう。静的補正をマルチ偏向器アレイで行う場合、偏向位置によらず歪曲量が一定なため、一度補正量を決定すれば補正量は一定となる。
【００４７】
一方、ラスタスキャンで描画を行う場合、パターンデータによる補正は前記したように補正量に応じて偏向領域を広げなければならないため、偏向領域が広くなりすぎるとデータ変換に時間がかかると共に、偏向量も増えるため、スループットが低下することとなる。
【００４８】
よって、静的歪曲をマルチ偏向器アレイで、動的歪曲をパターンデータで補正すると、必要な補正量だけをパターンデータに加味することができ、スループットは向上する。
【００４９】
マルチ偏向器アレイを用いた補正とパターンデータによる補正のフローチャートを図７に示す。
【００５０】
ステップＳ１では、各電子ビームの静的補正量の測定を行う。ステージを移動させ、ステージ上にある位置検出用のマーク１２０に各電子ビームを照射し、反射電子計測器１１７を用いて反射電子を計測することで、各電子ビームの位置を計測する。主偏向器１１１を用いない状態での各電子ビームの位置と、目標とする電子ビームの位置とから、本来あるべき位置に電子ビームを移動させるための各電子ビームの静的補正量を決定する。
【００５１】
ステップＳ２では、ステップＳ１で計測した静的補正量のデータを、ＣＰＵ３０８にスプールする。その時、静的補正用制御回路３０９を制御して、各電子ビームを静的補正できるように、そのデータを変換してスプールする。
【００５２】
ステップＳ３では、ＣＰＵ３０８にスプールされたデータをもとに、静的補正用制御回路３０９を制御して各電子ビームの静的補正を行う。静的補正に関しては、オフセットとし、ウエハ交換毎には再計測は行わない。これによってスループットを向上させることができる。
【００５３】
ステップＳ４では、主偏向器１１１を用いて偏向させた状態での各電子ビームの動的補正量を測定する。静的補正量測定時と同様に、ステージを移動させ、ステージ上にある位置検出用のマーク１２０に各電子ビームを照射し、反射電子計測器１１７を用いて反射電子を計測することで、各電子ビームの位置を計測する。主偏向器１１１を用いて偏向させた状態での各電子ビームの位置と、静的補正を行った状態での電子ビームの位置とから、静的補正後の位置に各電子ビームを移動させるための動的補正量を決定する。
【００５４】
ステップＳ５では、ステップＳ４で計測した動的補正量のデータを、ＣＰＵ３０８にスプールされている描画すべきパターンデータに加味して、基板に露光すべきパターンデータを生成する。
【００５５】
ステップＳ６では、ステージ１１９上に描画を行うウエハを搬入する。
【００５６】
ステップＳ７では、露光対象の副偏向領域に電子ビームを移動させ、描画する準備をする。
【００５７】
ステップＳ８では、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６により静的補正を行い、パターンデータにより動的補正を行った状態で副偏向領域の描画を開始する。
【００５８】
ステップＳ９において、全ての副偏向領域を描画し終わっていない場合、ステップＳ７に戻り、主偏向器１１１を用いて別の露光対象の副偏向領域に電子ビームを移動させ、再び描画を行う。一方、全ての副偏向領域を描画し終わっている場合、ステップＳ１０に進む。
【００５９】
ステップＳ１０では、描画されたウエハを搬出する。
【００６０】
ステップＳ１１において、キャリブレーションを行うかどうかを判断する。経時変化等により各ビームの位置は変化することが予想されるので、静的及び動的補正量のキャリブレーションを行う。あらかじめ決められた時間、もしくはあらかじめ決められたウエハ枚数を、キャリブレーションを行うかどうかの判断基準とする。この方法によって、描画精度を保ち、かつ、描画装置のスループットを向上することができる。キャリブレーションを行う場合、ステップＳ１に戻り、静的補正量の測定からもう一度計測しなおす。キャリブレーションを行わない場合、ステップＳ１２に進む。
【００６１】
ステップＳ１２において、描画すべき全ウエハを描画したかどうかを判断する。まだ描画すべきウエハが残っている場合、ステップＳ６に戻る。全てのウエハを描画し終わった場合、全ての処理は終了する。
【００６２】
［デバイスの生産方法］
次に、上述した電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施形態について説明する。
【００６３】
図８に微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ２１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２２（露光制御データ作成）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップＳ２３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ２４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ２５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ２４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ２６（検査）ではステップＳ２５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ２７）される。
【００６４】
図９は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップＳ３１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ３２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ３３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ３４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ３５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ３６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ３７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップＳ３８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ３９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６５】
本実施形態の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
【００６６】
［他の実施形態］
本発明は、前述した実施形態のパターン露光フローを実現するソフトウェアのプログラムを、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される場合を含む。その場合、プログラムの機能を有していれば、形態は、プログラムである必要はない。
【００６７】
従って、本発明の機能処理をコンピュータで実現するために、該コンピュータにインストールされるプログラムコード自体も本発明を実現するものである。つまり、本発明のクレームでは、本発明の機能処理を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれる。
【００６８】
その場合、プログラムの機能を有していれば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プログラムの形態を問わない。
【００６９】
プログラムを供給するための記録媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
【００７０】
その他、プログラムの供給方法としては、クライアントコンピュータのブラウザを用いてインターネットのホームページに接続し、該ホームページから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによっても供給できる。また、本発明のプログラムを構成するプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファイルを異なるホームページからダウンロードすることによっても実現可能である。つまり、本発明の機能処理をコンピュータで実現するためのプログラムファイルを複数のユーザに対してダウンロードさせるＷＷＷサーバも、本発明のクレームに含まれるものである。
【００７１】
また、本発明のプログラムを暗号化してＣＤ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化されたプログラムを実行してコンピュータにインストールさせて実現することも可能である。
【００７２】
また、コンピュータが、読み出したプログラムを実行することによって、前述した実施形態の機能が実現される他、そのプログラムの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現され得る。
【００７３】
さらに、記録媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現される。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光ビームの光学特性を容易に精度良く補正できるマルチビーム方式の露光装置を提供できる。また、この露光装置を用いてデバイスを製造すれば、従来以上に高精度なデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施形態の電子ビーム露光装置の要部の概略図である。
【図２】マルチソースモジュールの機能を説明する図である。
【図３】本実施形態のシステム構成を説明する図である。
【図４】本実施形態の電子ビーム露光装置における描画動作を示す図である。
【図５】本実施形態の電子ビーム露光装置での位置ずれ補正方法を説明する図である。
【図６】本実施形態の電子ビーム露光装置での位置ずれ補正方法の使い分けについて説明する図である。
【図７】補正方法のフローを説明する図である。
【図８】微小デバイスの製造フローを説明する図である。
【図９】ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１０１ 電子源
１０２ コンデンサーレンズ
１０３ アパーチャアレイ
１０４ レンズアレイ
１０５，１０６ マルチ偏向器アレイ
１０７ ブランカーアレイ
１０８ アパーチャ
１０９，１１０ ダイナミックフォーカスレンズ
１１１ 主偏向器
１１２ 副偏向器
１１３，１１４，１１５，１１６ 縮小電子光学系レンズ
１１７ 反射電子検出器
１１８ ウエハ
１１９ ステージ
１２０ 位置検出用マーク
３０１ ブランカーアレイ制御回路
３０２ マルチ偏向器アレイ制御回路
３０３ Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路
３０４ 主偏向制御回路
３０５ 副偏向制御回路
３０６ 反射電子検出回路
３０７ ステージ駆動制御回路
３０８ ＣＰＵ
３０９ 静的補正制御回路
４０１ ストライプ
４０２ 副偏向領域
４０３ 主偏向領域
４０４ 電子ビーム
４０５ マイクロ偏向領域
４０６ ピクセル
５０１ マイクロ偏向領域
５０２ 描画すべきパターン
５０３ 電子ビーム
５０４ 位置ずれの補正
５０５ 偏向領域余裕
５０６ パターンのシフト
５０７ ビーム偏向
Claims (1)
- 複数の荷電粒子線を用いて基板を露光するマルチビーム方式の露光装置において、
前記複数の荷電粒子線の各々の基板に対する入射位置を独立に偏向可能な偏向手段と、
前記基板に露光すべきパターンデータを生成する生成手段と、
前記偏向手段と前記生成手段とにより前記複数の荷電粒子線の各々の位置ずれを補正する補正手段とを具備することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003092114A JP4421836B2 (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US10/806,190 US6870171B2 (en) | 2003-03-28 | 2004-03-23 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003092114A JP4421836B2 (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004303794A true JP2004303794A (ja) | 2004-10-28 |
| JP2004303794A5 JP2004303794A5 (ja) | 2006-03-16 |
| JP4421836B2 JP4421836B2 (ja) | 2010-02-24 |
Family
ID=32985343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003092114A Expired - Fee Related JP4421836B2 (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6870171B2 (ja) |
| JP (1) | JP4421836B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007116741A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-18 | Pioneer Corporation | 記録システム、記録装置及び記録制御信号生成装置 |
| KR100968004B1 (ko) * | 2008-07-02 | 2010-07-07 | 연세대학교 산학협력단 | 다중개구를 이용한 집속 이온빔 가공장치, 그 보정방법 및이를 이용한 가공방법 |
| JP2010153858A (ja) * | 2008-12-13 | 2010-07-08 | Vistec Electron Beam Gmbh | 構造パターンの高解像度リソグラフィのための、複数の個々に成形された粒子ビームによって基板を照射する装置 |
| JP4856073B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2012-01-18 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 荷電粒子ビーム露光システム |
| US8927941B2 (en) | 2012-03-19 | 2015-01-06 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method with fixed voltage ratio einzel lens |
| JP2016096179A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | 株式会社アドバンテスト | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
| JP2016225357A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2017220615A (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 |
| CN109585246A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-04-05 | 纽富来科技股份有限公司 | 多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法 |
| US11869746B2 (en) | 2019-07-25 | 2024-01-09 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4421836B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7332729B1 (en) * | 2004-06-18 | 2008-02-19 | Novelx, Inc. | System and method for multiple electron, ion, and photon beam alignment |
| JP4477436B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
| GB0425290D0 (en) * | 2004-11-17 | 2004-12-15 | Eastham Derek A | Focussing masks |
| JP4657740B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-03-23 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2007110087A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線装置及び電子線照射パターン生成方法 |
| US8134135B2 (en) * | 2006-07-25 | 2012-03-13 | Mapper Lithography Ip B.V. | Multiple beam charged particle optical system |
| US8445869B2 (en) | 2008-04-15 | 2013-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Projection lens arrangement |
| US8890094B2 (en) | 2008-02-26 | 2014-11-18 | Mapper Lithography Ip B.V. | Projection lens arrangement |
| GB2459279A (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | Mapper Lithography B V | A projection system for charged particle multi-beams |
| NL2007392C2 (en) * | 2011-09-12 | 2013-03-13 | Mapper Lithography Ip Bv | Assembly for providing an aligned stack of two or more modules and a lithography system or a microscopy system comprising such an assembly. |
| JP5859778B2 (ja) | 2011-09-01 | 2016-02-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2013069813A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
| WO2013132081A2 (en) | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system and method for processing a target, such as a wafer |
| JP6147528B2 (ja) | 2012-06-01 | 2017-06-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2014116518A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
| JP6230295B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-11-15 | キヤノン株式会社 | 描画装置及び物品の製造方法 |
| JP2015095524A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 描画装置、および物品の製造方法 |
| DE102014008105B4 (de) | 2014-05-30 | 2021-11-11 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Mehrstrahl-Teilchenmikroskop |
| DE102014008083B9 (de) | 2014-05-30 | 2018-03-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem |
| DE102014008383B9 (de) | 2014-06-06 | 2018-03-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik |
| US20190088446A1 (en) * | 2016-05-06 | 2019-03-21 | Weiwei Xu | Miniature electron beam lens array use as common platform ebeam wafer metrology, imaging and material analysis system |
| JP6720861B2 (ja) | 2016-12-28 | 2020-07-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用アパーチャセット及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP7409946B2 (ja) * | 2020-04-13 | 2024-01-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261328A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-18 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JPH11329322A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
| JP2001267221A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2003297732A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-17 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3647128B2 (ja) | 1996-03-04 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光装置とその露光方法 |
| EP0794552B1 (en) | 1996-03-04 | 2007-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| JP3728015B2 (ja) | 1996-06-12 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| US5929454A (en) | 1996-06-12 | 1999-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them |
| JP3796317B2 (ja) | 1996-06-12 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| JP3927620B2 (ja) | 1996-06-12 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| US5981954A (en) | 1997-01-16 | 1999-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
| JP3689516B2 (ja) | 1997-01-29 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
| JPH10214779A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Canon Inc | 電子ビーム露光方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
| US6107636A (en) * | 1997-02-07 | 2000-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and its control method |
| US6104035A (en) | 1997-06-02 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-beam exposure apparatus and method |
| JP3787417B2 (ja) | 1997-06-11 | 2006-06-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
| US6552353B1 (en) * | 1998-01-05 | 2003-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-electron beam exposure method and apparatus and device manufacturing method |
| JP4077933B2 (ja) | 1998-06-24 | 2008-04-23 | キヤノン株式会社 | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 |
| JP4454706B2 (ja) | 1998-07-28 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 |
| JP2000049071A (ja) | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Canon Inc | 電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法 |
| US6559456B1 (en) | 1998-10-23 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged particle beam exposure method and apparatus |
| JP2000232053A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Canon Inc | マスクパターン転写方法、該マスクパターン転写方法を用いたマスクパターン転写装置及びデバイス製造方法 |
| JP4410871B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2010-02-03 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
| US6566664B2 (en) | 2000-03-17 | 2003-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP4647820B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法 |
| JP4756776B2 (ja) | 2001-05-25 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法 |
| JP4421836B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2003
- 2003-03-28 JP JP2003092114A patent/JP4421836B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-23 US US10/806,190 patent/US6870171B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261328A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-18 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JPH11329322A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
| JP2001267221A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2003297732A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-17 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4856073B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2012-01-18 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 荷電粒子ビーム露光システム |
| WO2007116741A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-18 | Pioneer Corporation | 記録システム、記録装置及び記録制御信号生成装置 |
| US8355036B2 (en) | 2006-03-28 | 2013-01-15 | Nuflare Technology, Inc. | Recording system, recording apparatus, and record control signal generating apparatus using an exposure beam |
| KR100968004B1 (ko) * | 2008-07-02 | 2010-07-07 | 연세대학교 산학협력단 | 다중개구를 이용한 집속 이온빔 가공장치, 그 보정방법 및이를 이용한 가공방법 |
| JP2010153858A (ja) * | 2008-12-13 | 2010-07-08 | Vistec Electron Beam Gmbh | 構造パターンの高解像度リソグラフィのための、複数の個々に成形された粒子ビームによって基板を照射する装置 |
| US8927941B2 (en) | 2012-03-19 | 2015-01-06 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method with fixed voltage ratio einzel lens |
| KR101483543B1 (ko) * | 2012-03-19 | 2015-01-16 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 |
| JP2016096179A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | 株式会社アドバンテスト | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
| JP2016225357A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2017220615A (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 |
| KR101945959B1 (ko) * | 2016-06-09 | 2019-02-08 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법 |
| CN109585246A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-04-05 | 纽富来科技股份有限公司 | 多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法 |
| KR20190038327A (ko) * | 2017-09-29 | 2019-04-08 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 |
| KR102147196B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2020-08-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 |
| US11037759B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-06-15 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
| US11869746B2 (en) | 2019-07-25 | 2024-01-09 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4421836B2 (ja) | 2010-02-24 |
| US6870171B2 (en) | 2005-03-22 |
| US20040188636A1 (en) | 2004-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4421836B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US6037601A (en) | Electron beam illumination device, and exposure apparatus with electron beam illumination device | |
| US6667486B2 (en) | Electron beam exposure method, electron beam exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| US6225011B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor devices utilizing plurality of exposure systems | |
| US20030107006A1 (en) | Charged particle beam exposure method and apparatus | |
| JPH10214779A (ja) | 電子ビーム露光方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 | |
| JP2000133567A (ja) | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 | |
| US7202488B2 (en) | Correction system, method of correcting deflection distortion, program and method for manufacturing a semiconductor device | |
| US20080017807A1 (en) | Deflector array, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| US9171698B2 (en) | Drawing apparatus, and method of manufacturing article | |
| US6936831B2 (en) | Divided reticles for charged-particle-beam microlithography apparatus, and methods for using same | |
| JP3310400B2 (ja) | 電子ビーム露光方法および露光装置 | |
| KR20190044508A (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
| US20030034460A1 (en) | Mask pattern transfer method, mask pattern transfer apparatus using the method, and device manufacturing method | |
| US6352799B1 (en) | Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus including beam-drift measurement and correction, and device manufacturing methods comprising same | |
| KR20000076936A (ko) | 전자 빔 리소그라피 방법 및 그 제조장치 | |
| JP2006210455A (ja) | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
| JP4468752B2 (ja) | 荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3647143B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及びその露光方法 | |
| WO2021166595A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP4477434B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP4804136B2 (ja) | 荷電粒子線装置及びデバイス製造方法 | |
| US20090206280A1 (en) | Charged-beam exposure apparatus having an improved alignment precision and exposure method | |
| US6337164B1 (en) | Charged-particle-beam microlithography methods exhibiting improved pattern-feature accuracy, and device manufacturing methods comprising same | |
| JP3919255B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060125 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090414 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091106 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091203 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131211 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |