JPH06132203A

JPH06132203A - 荷電粒子ビーム露光方法

Info

Publication number: JPH06132203A
Application number: JP4281877A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yasuda; 洋安田; Junichi Kai; 潤一甲斐; Hisayasu Nishino; 久泰西野; Soichiro Arai; 総一郎荒井; Yoshihisa Daikyo; 義久大饗
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-10-20
Filing date: 1992-10-20
Publication date: 1994-05-13
Anticipated expiration: 2016-09-04
Also published as: JP3206143B2; US5399872A

Abstract

(57)【要約】【目的】複数のブランキング・アパーチャを２次元的に
配列してなるブランキング・アパーチャ・アレイ板（Ｂ
ＡＡ板）を備えてなる荷電粒子ビーム露光装置を用いた
荷電粒子ビーム露光方法に関し、重要度の高いパターン
・エッジを精度高く形成することができるようにし、こ
れを例えば、ＬＳＩ製造用のリソグラフィ装置として使
用する場合には、高密度・高精度のＬＳＩを製造するこ
とができるようにする。【構成】あらかじめ、ウエハの各層ごとに、Ｘ軸又はＹ
軸のうち、いずれかを優先軸として定めておき、サブデ
フレクタ２７によるオン・ビーム２１の走査方向及びス
テージ３１の連続移動方向を優先軸方向に合わせて露光
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数のブランキング・
アパーチャを２次元的に配列してなるブランキング・ア
パーチャ・アレイ板（以下、ＢＡＡ板という）を備えて
なる荷電粒子ビーム露光装置を用いた荷電粒子ビーム露
光方法に関する。

【０００２】近年、ＩＣは、ますます、その集積度・機
能を向上させており、電子計算機、通信、機械制御等、
広く産業全般に亘る技術進歩の核技術としての役割が期
待されている。

【０００３】ここに、ＩＣは、２年から３年で、４倍の
高集積化を達成しており、例えば、ＤＲＡＭでは、１
Ｍ、４Ｍ、１６Ｍ、６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇと、その集
積化が進んでいるが、このような高集積化は、ひとえ
に、リソグラフィ技術など、微細加工技術の進歩によっ
ている。

【０００４】ところで、リソグラフィ装置である電子ビ
ーム露光装置は、０.０５μｍ以下の微細加工を０.０２
μｍ以下の位置合わせ精度で実現することができるが、
これまで、スループットが低く、ＬＳＩの量産には使用
できないであろうと考えられていた。

【０００５】しかし、これは、ポイント・ビーム型の電
子ビーム露光装置や可変矩形ビーム型の電子ビーム露光
装置等、いわゆる一筆書きの露光を行う電子ビーム露光
装置についての議論であり、物理的・技術的なネックに
視点をあてて、スループットが低い原因を解明し、真剣
に検討した結果ではなく、単に現在の市販装置の生産性
に鑑みて判断されているにすぎなかった。

【０００６】ここに、近年、ブロックマスク（ステンシ
ルマスク）を備えてなる電子ビーム露光装置や、ＢＡＡ
板を備えてなる電子ビーム露光装置に関する本発明者等
による発明により、１cm²／１sec程度のスループットが
期待できるようになった。

【０００７】これらは、形成し得るパターンの微細さ、
位置合わせ精度、クイック・ターン・アラウンド、信頼
性のどれをとっても、他のリソグラフィ装置よりも優れ
ていると言える。

【０００８】特に、ＢＡＡ板を備えてなる電子ビーム露
光装置は、ブロックマスクを備えてなる電子ビーム露光
装置が不得意とするランダムなパターンに対しても、高
速露光を行うことができるので、その開発が注目されて
いる。

【０００９】

【従来の技術】従来、ＢＡＡ板を備えてなる電子ビーム
露光装置として、図６にその要部を示すようなものが知
られている。図中、１は電子ビーム、２は電子ビーム１
を発生する電子銃であり、３はカソード、４はグリッ
ド、５はアノードである。

【００１０】また、６〜１１は磁界の作用により電子ビ
ームを収束する電磁レンズ、１２はＢＡＡ板であり、こ
のＢＡＡ板１２は、図７にその平面図を示すように構成
されている。

【００１１】図中、１３は基板、１４はブランキング・
アパーチャが配列されてなるＢＡＡ部、１５は矩形に形
成されたブランキング・アパーチャであり、ブランキン
グ・アパーチャ１５には、対向してなるブランキング電
極１６、１７が形成されている。なお、１８は接地線、
１９は信号線、２０は共通接地線である。

【００１２】ここに、ブランキング電極１６は、接地線
１８及び共通接地線２０を介して接地され、ブランキン
グ電極１７は、信号線１９を介して制御部（図示せず）
のオン・オフ信号発生回路（図示せず）に接続される。

【００１３】このＢＡＡ板１２では、上流側から入射さ
れる電子ビーム１は、ブランキング・アパーチャ１５に
よって、ブランキング・アパーチャ１５ごとの電子ビー
ムに加工される。

【００１４】この場合に、ブランキング電極１７にオン
信号が印加されたブランキング・アパーチャ１５を通過
した電子ビーム、いわゆるオン・ビームは、偏向され
ず、被露光体に照射される。図６において、２１はオン
・ビームを示している。

【００１５】これに対して、ブランキング電極１７にオ
フ信号が印加されたブランキング・アパーチャ１５を通
過した電子ビーム、いわゆるオフ・ビームは、偏向さ
れ、被露光体に照射されない。図６において、２２はオ
フ・ビームを示している。

【００１６】また、この例では、基板１３には１６個の
ブランキング・アパーチャ列２３₁、２３₂・・・２３₁₆
が形成されているが、これらブランキング・アパーチャ
列２３₁、２３₂・・・２３₁₆は全て平行に配列されてい
る。

【００１７】また、これらブランキング・アパーチャ列
２３₁、２３₂・・・２３₁₆においては、同数、例えば、
６４個のブランキング・アパーチャ１５が同一又は略同
一間隔で配列されている。

【００１８】また、この例では、ブランキング・アパー
チャ列２３₁、２３₃、２３₅、２３₇、２３₁₀、２３₁₂、
２３₁₄、２３₁₆及びブランキング・アパーチャ列２
３₂、２３₄、２３₆、２３₈、２３₉、２３₁₁、２３₁₃、
２３₁₅は、それぞれ、その列方向のブランキング・アパ
ーチャ１５の配列位相を同一にされている。

【００１９】ただし、ブランキング・アパーチャ列２３
₂、２３₄、２３₆、２３₈、２３₉、２３₁₁、２３₁₃、２
３₁₅のブランキング・アパーチャ１５の配列位相は、ブ
ランキング・アパーチャ列２３₁、２３₃、２３₅、２
３₇、２３₁₀、２３₁₂、２３₁₄、２３₁₆のブランキング
・アパーチャ１５の配列位相を１／２だけシフトしたも
のとされている。

【００２０】ここに、露光時、ブランキング・アパーチ
ャ列２３₁とブランキング・アパーチャ列２３₂、ブラン
キング・アパーチャ列２３₃とブランキング・アパーチ
ャ列２３₅、・・・、ブランキング・アパーチャ列２３
₁₅とブランキング・アパーチャ列２３₁₆とは、それぞ
れ、見かけ上、１列となるように制御される。

【００２１】即ち、ブランキング・アパーチャ列２３
_2k-1（ｋ＝１〜８）に対するオフ信号の印加とブランキ
ング・アパーチャ列２３_2kに対するオフ信号の印加とは
位相をずらして行われ、ブランキング・アパーチャ列２
３_2k-1によるオン・ビーム２１とブランキング・アパー
チャ列２３_2kによるオン・ビーム２１とが、被露光体面
の同一列を照射するように制御される。

【００２２】また、図６において、２４はブランキング
用のアパーチャ、２５は焦点ずれを補正するリフォーカ
ス・コイル、２６はオン・ビーム２１をサブフィールド
に偏向するメインデフレクタ、２７はサブフィールド内
においてオン・ビーム２１を偏向するサブデフレクタで
ある。

【００２３】また、２８はオン・ビーム２１が偏向され
る位置に応じて焦点を補正するダイナミック・フォーカ
ス・コイル、２９は被露光体に照射されるオン・ビーム
２１の収差を補正するダイナミック・スティグ・コイル
である。

【００２４】また、３０は被露光体であるウエハ、３１
はウエハ３０を支持するステージ、３２はステージ３１
の移動位置を検出するレーザ干渉計であり、レーザ干渉
計３２による位置検出信号は、メインデフレクタ２６及
びサブデフレクタ２７に印加すべき走査信号を発生する
走査信号発生器（図示せず）に伝送される。

【００２５】図８はウエハ３０に対する従来のオン・ビ
ーム走査方向及びステージ３１の連続移動方向を示す図
であり、Ｘ軸、Ｙ軸はパターンを形成する場合の基準と
なる直交軸、３３はサブフィールドである。

【００２６】即ち、従来では、オン・ビーム走査は、ウ
エハ３０の全層において、ステージ３１の連続移動方向
をＹ軸方向とすると共に、長辺をＸ軸方向に２ｍｍ、短
辺をＹ軸方向に１００μｍとする長方形の領域を一単位
として、この領域内を５μｍ幅で、図上、左側から右側
に、即ち、矢印３４₁、矢印３４₂・・・矢印３４₄₀₀で
示す順に行われていた。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この電子ビ
ーム露光装置においては、オン・ビーム２１及びオフ・
ビーム２２は０.０５μｍ□に形成され、ウエハ３０に
照射されるオン・ビーム２１のエネルギーのシャープネ
スは、図９に示すように、０.０２μｍとなる。

【００２８】このオン・ビーム２１を連続的に走査した
場合、オン・ビーム２１の走査方向に平行するパターン
・エッジのボケは、図１０に示すように、オン・ビーム
２１のエネルギー・プロフィールのシャープネスとほぼ
一致して０.０２μｍ程度となる。

【００２９】これに対して、オン・ビーム２１の走査方
向と直交するパターン・エッジのボケは、オン・ビーム
２１を２.５nsec／０.０５μｍ（４００ＭＨｚ）で走査
していることから、０.０５μｍとなり、解像度が劣化
してしまう。

【００３０】図１１及び図１２は、この点を更に詳しく
説明するための図であり、図１１はウエハ３０面上のド
ットを模式的に示しており、黒丸３５はオン・ビーム２
１によって照射されたドット、白丸３６はオン・ビーム
２１によって照射されていないドットであり、図１２は
ウエハ３０面上に形成されたパターンを示している。

【００３１】即ち、例えば、ウエハ３０面上を図１１に
示すように露光し、図１２に示すようなパターン３７〜
４０を形成した場合、これらパターン３７〜４０におい
て、オン・ビーム２１の走査方向と平行するエッジ４１
〜４８は、ボケたり、揺らいだりせず、綺麗に形成され
るが、オン・ビーム２１の走査方向と直交する方向のエ
ッジ４９〜５８は、ボケたり、揺らいだりして、エッジ
４１〜４８ほどには、綺麗には形成されない。

【００３２】ここに、サブデフレクタ２７に対して図１
３Ａに示すような走査波形を印加する場合において、小
さな偏向を行う高速偏向器を設置し、この高速偏向器に
周波数が４００ＭＨｚの図１３Ｂに示すような鋸歯状波
を印加する場合には、図１３Ｃに示すようなステップ波
形でオン・ビーム２１を０.０５μｍごとに１ドットず
つウエハ３０面上のレジストを露光することができるの
で、オン・ビーム２１の走査方向に直交するパターン・
エッジの解像度を改善することができる。

【００３３】しかし、このようにする場合にも、図１３
Ｄに示すように、ブランキング電極１７に印加するオフ
信号（ブランキング波形）の立ち上がり、立ち下がりの
鈍さのために、オン・ビーム２１は、徐々に現れて、徐
々に消えて行くことになる。

【００３４】また、オン・ビーム２１を０.０５μｍ単
位でステップ的に走査するようにしたとしても、図１３
Ｅに示すように、オフ信号と走査波形のタイミングとの
ズレのために、ウエハ３０面上、次に照射するドットに
来てから、前のドットを照射したオン・ビーム２１が消
えたり、次のドットを照射すべきオン・ビーム２１が前
のドットで現れてしまう場合がある。

【００３５】更に、オン・ビーム２１の走査方向と直交
する方向には、見かけ上、１２８個のブランキング・ア
パーチャ１５が配列されているにも関わらず、オフ信号
の波形には、図１４Ｆに示すようなバラツキがある。

【００３６】以上の理由から、図１４に示すように、オ
ン・ビーム２１の走査方向と平行するパターン・エッジ
５９、６０は、ボケたり、揺らいだりせず、綺麗に形成
されるが、オン・ビーム２１の走査方向と直交するパタ
ーン・エッジ６１、６２は、図１３Ｂに示すような、鋸
歯状波を印加しない場合ほどには、ボケたり、揺らいだ
りしないが、それでも、なお、ボケたり、揺らいだりし
て、要求されているほどには綺麗に形成されない。

【００３７】ここに、オン・ビーム２１の走査方向に
平行するパターン・エッジのシャープネス、オン・ビ
ーム２１の走査方向に直交するパターン・エッジのシャ
ープネス、オン・ビーム２１の走査方向に直交する方
向の最小パターン幅、オン・ビーム２１の走査方向に
平行する方向の最小パターン幅を数値的に整理すると、
次のようになる。

【００３８】即ち、オン・ビーム２１の走査方向に平
行するパターン・エッジのシャープネス＝０.０２μ
ｍ、オン・ビーム２１の走査方向に直交するパターン
・エッジのシャープネス＝０.０３μｍ〜０.０５μｍ、
オン・ビーム２１の走査方向に直交する方向の最小パ
ターン幅＝０.０５μｍ、オン・ビーム２１の走査方
向に平行する方向の最小パターン幅＝０.１μｍとな
る。

【００３９】このように、ＢＡＡ板１２を備えてなる電
子ビーム露光装置は「オン・ビーム２１の走査方向と直
交するパターン・エッジのシャープネスをオン・ビーム
２１の走査方向と平行するパターン・エッジのシャープ
ネスよりも劣らせ」、また、「オン・ビーム２１の走査
方向と平行する方向の最小パターン幅をオン・ビーム２
１の走査方向と直交する方向の最小パターン幅よりも大
きくさせる」という特性を有している。

【００４０】それにも関わらず、従来、ＢＡＡ板１２を
備えてなる電子ビーム露光装置においては、オン・ビー
ム２１の走査方向をウエハ３０面上の全層において同一
としており、各層において、解像度上、どの方向のパタ
ーン・エッジが優先されるかが、なんら考慮されておら
ず、全体として精度の高いパターン形成が行われていな
いという問題点があった。

【００４１】次に、ステージ３１を連続移動することに
よる露光の精度劣化要因について見てみると、ステージ
３１の進行方向（Ｙ軸方向）のパターン・エッジは、物
理的には、オン・ビーム２１を同一箇所で偏向してお
り、サブデフレクタ２７の偏向能率と偏向方向の回転誤
差とを含まないので、例えば、図１５に示すように、ス
テージ３１の進行方向に延在するパターン６３、６４
は、大変に綺麗で整然と形成される。

【００４２】これに対して、ステージ３１の進行方向と
直交する方向（Ｘ軸方向）に延在するパターンは、それ
がサブデフレクタ２７による５μｍの走査領域をまたい
で延在する場合には、パターンをつなぎ合わせる必要が
ある。

【００４３】このため、ステージ３１の移動方向と直交
する方向のパターン・エッジは、Ｙ軸方向の位置が正確
でないといけないが、一般に、Ｘ軸方向のつなぎは良く
なく、図１６に示すように、本来、連続するべきパター
ン６５、６６も、そのつなぎ部分でズレが発生してしま
う場合があり、これが問題となっていた。

【００４４】ここに、図１７はＬＳＩパターンの一部を
示しているが、ＬＳＩパターンにおいては、パターン・
エッジは、極めて大切である。例えば、ゲート６７は、
ドレイン６８側のエッジ６９及びソース７０側のエッジ
７１が特に綺麗に描画できていないといけない。

【００４５】また、コンタクトホール７２、７３は、長
方形の場合、一般に長手方向のエッジ７４〜７７が特に
大切であり、配線７８、７９は、配線長の方向のエッジ
８０〜８３が特に重要である。なお、２層配線の場合に
は、１層目と２層目の配線は互いに直交している。

【００４６】このように、同一品種のＬＳＩパターンに
おいても、層毎に重要エッジの方向が異なるが、ＢＡＡ
板１２を備えてなる電子ビーム露光装置においては、技
術の基本において、オン・ビーム２１の走査方向に平行
する方向と、直交する方向とで、パターン・エッジの綺
麗さが異なるので、ぎりぎりの性能を追及する場合に
は、これが問題となる。

【００４７】本発明は、かかる点に鑑み、ＢＡＡ板を備
えてなる電子ビーム露光装置等、ＢＡＡ板を備えてなる
荷電粒子ビーム露光装置を用いた荷電粒子ビーム露光方
法であって、重要度の高いパターン・エッジを高精度で
形成することができるようにし、これを、例えば、ＬＳ
Ｉを製造用のリソグラフィ装置として使用する場合に
は、高密度・高精度のＬＳＩを製造することができるよ
うにした荷電粒子ビーム露光方法を提供することを目的
とする。

【００４８】

【課題を解決するための手段】本発明による荷電粒子ビ
ーム露光方法は、被露光体面上で荷電粒子ビームの走査
方向に直交させるべき第１の方向にブランキング・アパ
ーチャを同一又は略同一間隔で形成してなる複数のブラ
ンキング・アパーチャ列を、前記第１の方向と直交する
第２の方向に、ブランキング・アパーチャの列方向の位
置が全列又は所定の列で一致又は略一致するように配列
してなるＢＡＡ板を備えてなる荷電粒子ビーム露光装置
を用いた荷電粒子ビーム露光方法であって、あらかじ
め、被露光体面ごとに、パターン形成の基準軸となる第
１及び第２の直交軸、即ち、いわゆるＸ軸及びＹ軸のう
ち、いずれかを優先軸として定めておき、露光時、ＢＡ
Ａ板の下流に設けられている電磁レンズによる磁界を制
御することにより、前記第１の方向、即ち、ブランキン
グ・アパーチャ列の方向が優先軸とされたＸ軸又はＹ軸
に直交するように、ＢＡＡ板を被露光体面に投影させ、
優先軸とされたＸ軸又はＹ軸の方向に荷電粒子ビームを
走査するというものである。

【００４９】

【作用】本発明によれば、あらかじめ、被露光体面ごと
に、パターン形成の基準軸となるＸ軸及びＹ軸のうち、
いずれかを優先軸として定めておき、露光時、ＢＡＡ板
の下流に設けられている電磁レンズによる磁界を制御す
ることにより、ブランキング・アパーチャ列の方向が優
先軸とされたＸ軸又はＹ軸に直交するように、ＢＡＡ板
を被露光体面に投影させ、優先軸とされたＸ軸又はＹ軸
に荷電粒子ビームを走査するとしている。

【００５０】この結果、優先軸とされたＸ軸又はＹ軸の
方向に延在するパターン・エッジは、非優先軸とされた
Ｘ軸又はＹ軸の方向に延在するパターン・エッジよりも
高精度に形成される。

【００５１】そこで、本発明においては、被露光体面ご
とに、Ｘ軸又はＹ軸のうち、重要度が高く高精度に形成
したいパターン・エッジが延在する軸方向を優先軸と定
めておくことにより、重要度の高いパターン・エッジを
高精度に形成することができる。

【００５２】

【実施例】以下、図１〜図５を参照して、本発明の一実
施例につき、本発明を電子ビーム露光装置を用いた電子
ビーム露光方法に適用した場合を例にして説明する。な
お、図１〜図５において、図６〜図８に対応する部分に
は同一符号を付し、その重複説明は省略する。

【００５３】本実施例においては、図６に示すと同一の
電子ビーム露光装置を用意し、また、あらかじめ、被露
光体であるウエハ３０の各層ごとに、Ｘ軸又はＹ軸のう
ち、いずれかを優先軸として定めておき、これを露光デ
ータの一部として露光データ中に含めておく。

【００５４】また、電子ビーム露光装置においては、露
光開始前には、図１に示すように、ＢＡＡ板１２のブラ
ンキング・アパーチャ列２３₁〜２３₁₆のそれぞれの列
方向の磁気的投影像がＸ軸及びＹ軸に対して４５度に位
置するように、ＢＡＡ板１２の下流側に設けられている
電磁レンズ８の磁界を形成する。

【００５５】そして、本実施例においては、表１に示す
ように、ＢＡＡ板１２のブランキング・アパーチャ列２
３₁〜２３₁₆のそれぞれの列方向、サブデフレクタ２７
によるオン・ビーム２１の走査方向、メインデフレクタ
２６によるオン・ビーム２１の走査方向、ステージ３１
の連続移動方向を設定し、パターン・データに基づく露
光を行うようにする。

【００５６】

【表１】

【００５７】即ち、露光データによりＹ軸が優先軸とし
て指定された場合には、図２に示すように、ブランキン
グ・アパーチャ列２３₁〜２３₁₆のそれぞれの列方向が
Ｘ軸方向と一致するように、電磁レンズ８の磁界を制御
して、ＢＡＡ板１２の磁気的投影像を回転させる。

【００５８】そして、図３にも示すように、サブデフレ
クタ２７によるオン・ビーム２１の走査方向＝Ｙ軸方向
（矢印３４₁、３４₂・・・３４₄₀₀で示す方向）、メイ
ンデフレクタ２６によるオン・ビーム２１の走査方向＝
Ｘ軸方向、ステージ３１の連続移動方向＝Ｙ軸方向とし
て露光する。なお、サブデフレクタ２７によるオン・ビ
ーム２１の走査は矢印３４₁→矢印３４₂→・・・→矢印
３４₄₀₀の順とする。

【００５９】これに対して、Ｘ軸が優先軸として指定さ
れた場合には、図４に示すように、ブランキング・アパ
ーチャ列２３₁〜２３₁₆のそれぞれの列方向がＹ軸方向
と一致するように、ＢＡＡ板１２の磁気的投影像を回転
させる。

【００６０】そして、図５にも示すように、サブデフレ
クタ２７によるオン・ビーム２１の走査方向＝Ｘ軸方向
（矢印３４₁、３４₂・・・３４₄₀₀で示す方向）、メイ
ンデフレクタ２６によるオン・ビーム２１の走査方向＝
Ｙ軸方向、ステージ３１の連続移動方向＝Ｘ軸方向とし
て露光する。なお、サブデフレクタ２７によるオン・ビ
ーム２１の走査は矢印３４₁→矢印３４₂→・・・→矢印
３４₄₀₀の順とする。

【００６１】このように、本実施例では、サブデフレク
タ２７によるオン・ビーム２１の走査方向及びステージ
３１の連続移動方向を優先軸方向に合わせて露光を行う
としているので、優先軸方向のパターン・エッジは非優
先軸方向のパターン・エッジよりも高精度、即ち、高解
像度及び高つなぎ合わせ精度で形成される。

【００６２】そこで、本実施例においては、ウエハ面３
０上の各層ごとに、Ｘ軸又はＹ軸のうち、重要度が高く
高精度で形成したいパターン・エッジが延在する軸方向
を優先軸と定めておくことにより、重要度の高いパター
ン・エッジを高精度、即ち、高解像度及び高つなぎ合わ
せ精度で形成することができるので、高密度・高精度の
ＬＳＩを製造することができる。

【００６３】また、本実施例によれば、メインデフレク
タ２６、サブデフレクタ２７によるオン・ビーム２１の
走査及びステージ３１の連続移動は、Ｘ軸とＹ軸とで等
価であるので、メインデフレクタ２６、サブデフレクタ
２７によるオン・ビーム２１の走査方向及びステージ３
１の連続移動方向をそれぞれ変更することにより、メイ
ンデフレクタ２６、サブデフレクタ２７及びステージ３
１の故障を診断することができる。

【００６４】また、本実施例によれば、優先軸を交換し
て露光し、同一のパターン・データでの露光特性を調査
することができるので、電子ビーム露光装置全体の状況
を把握でき、故障解析を円滑に行うことができる。

【００６５】なお、上述の実施例においては、ステージ
３１の連続移動方向を優先軸方向と同一とした場合につ
いて説明したが、パターンのつなぎ合わせ精度を問題に
しない場合には、ステージ３１の連続移動方向は非優先
軸方向としても良い。

【００６６】

【発明の効果】本発明によれば、被露光体面ごとに、Ｘ
軸又はＹ軸のうち、重要度が高く高精度で形成したいパ
ターン・エッジが延在する軸方向を優先軸と定めておく
ことにより、重要度の高いパターン・エッジを高精度に
形成することができるので、これを、例えば、ＬＳＩ製
造用のリソグラフィ装置として使用する場合には、高密
度・高精度のＬＳＩを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の説明に使用する図である。

【図２】本発明の一実施例の説明に使用する図（Ｙ軸が
優先軸として指定された場合におけるＢＡＡ板の磁気的
投影位置を示す図）である。

【図３】本発明の一実施例の説明に使用する図（Ｙ軸が
優先軸として指定された場合におけるサブデフレクタに
よるオン・ビーム走査方向、メインデフレクタによるオ
ン・ビーム走査方向、ステージ連続移動方向を示す図）
である。

【図４】本発明の一実施例の説明に使用する図（Ｘ軸が
優先軸と指定された場合におけるＢＡＡ板の磁気的投影
位置を示す図）である。

【図５】本発明の一実施例の説明に使用する図（Ｘ軸が
優先軸として指定された場合におけるサブデフレクタに
よるオン・ビーム走査方向、メインデフレクタによるオ
ン・ビーム走査方向、ステージ連続移動方向を示す図）
である。

【図６】ＢＡＡ板を備えてなる電子ビーム露光装置の一
例の要部を示す図である。

【図７】図６に示す電子ビーム露光装置を構成するＢＡ
Ａ板を示す平面図である。

【図８】従来のオン・ビーム走査方向及びステージの連
続移動方向を示す図である。

【図９】オン・ビームのエネルギー・プロフィールを示
す図である。

【図１０】ウエハ面上に形成されたパターンの例を示す
平面図である。

【図１１】ウエハ面上のドットを模式的に示す図であ
る。

【図１２】ウエハ面上に形成されたパターンの例を示す
平面図である。

【図１３】オン・ビーム走査方向に直交するパターン・
エッジの解像度を向上させるための方法の一例及びこの
方法を採用したとしても、残る問題点を説明するために
使用する波形図である。

【図１４】ウエハ面上に形成されたパターンの例を示す
平面図である。

【図１５】ウエハ面上に形成されたパターンの例を示す
平面図である。

【図１６】ウエハ面上に形成されたパターンの例を示す
平面図である。

【図１７】ＬＳＩパターンの一部を示す平面図である。

【符号の説明】１２ブランキング・アパーチャ・アレイ板（ＢＡＡ
板）１５ブランキング・アパーチャ２３₁、２３₂、２３₁₆ ブランキング・アパーチャ列

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者荒井総一郎神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者大饗義久神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被露光体面上で荷電粒子ビームの走査方向
に直交させるべき第１の方向にブランキング・アパーチ
ャを同一又は略同一間隔で形成してなる複数のブランキ
ング・アパーチャ列を、前記第１の方向と直交する第２
の方向に、前記ブランキング・アパーチャの列方向の位
置が全列又は所定の列で一致又は略一致するように配列
してなるブランキング・アパーチャ・アレイ板を備えて
なる荷電粒子ビーム露光装置を用いた荷電粒子ビーム露
光方法であって、あらかじめ、被露光体面ごとに、パタ
ーン形成の基準軸となる第１及び第２の直交軸のうち、
いずれかを優先軸として定めておき、露光時、前記ブラ
ンキング・アパーチャ・アレイ板の下流に設けられてい
る電磁レンズによる磁界を制御することにより、前記第
１の方向が前記優先軸とされた前記第１又は第２の直交
軸に直交するように、前記ブランキング・アパーチャ・
アレイ板を前記被露光体面に投影させ、前記優先軸とさ
れた前記第１又は第２の直交軸方向に荷電粒子ビームを
走査することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項２】前記荷電粒子ビームの走査時、前記被露光
体を前記荷電粒子ビームの走査方向に連続移動させるこ
とを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方
法。