JPH01106453A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH01106453A JPH01106453A JP26417387A JP26417387A JPH01106453A JP H01106453 A JPH01106453 A JP H01106453A JP 26417387 A JP26417387 A JP 26417387A JP 26417387 A JP26417387 A JP 26417387A JP H01106453 A JPH01106453 A JP H01106453A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路テップなどの半導体素子の組立てに用
いられる樹脂封止型の半導体装置用IJ−ドフレームの
製造方法に関するものである。
いられる樹脂封止型の半導体装置用IJ−ドフレームの
製造方法に関するものである。
従来のこの種リードフレームは第2図に示すように構成
されている。第2図は半導体装置用リードフレームの平
面図で、同図において、1はリードフレームで、このリ
ードフレーム1は、フレーム枠2と、このフレーム枠2
にリード片3aを介して支持された半導体素子載置部3
と、一端が前記フレーム枠2に連結され他端が前記半導
体素子載置部3の周辺部に所定間隔おいて配設された複
数のり−ド4と、このリード4,4・・・の長手方向略
中央部を互いに連結し前記フレーム枠2に固定させると
共に、後述する樹脂封止の際に樹脂が外部へ漏出するの
を防止するためのタイバー5とから構成されている。ま
た、このリードフレーム1のリード4は、前記半導体素
子載置部3上に固着される半導体素子(図示せず)の電
極端子(図示せず)にワイヤ線を介して接続されるボン
ディング部4aを有する内部リード部4bと、フレーム
枠2から切断され、外部装置(図示せず)に接続される
外部リード4cとからなシ、内部リード部4bのボンデ
ィング部4aおよび前記半導体素子載置部3の上面には
ワイヤ線および半導体素子と確実にボンディングされる
ように、金、銀などのボンディング用金属メツキ6が付
着されている。
されている。第2図は半導体装置用リードフレームの平
面図で、同図において、1はリードフレームで、このリ
ードフレーム1は、フレーム枠2と、このフレーム枠2
にリード片3aを介して支持された半導体素子載置部3
と、一端が前記フレーム枠2に連結され他端が前記半導
体素子載置部3の周辺部に所定間隔おいて配設された複
数のり−ド4と、このリード4,4・・・の長手方向略
中央部を互いに連結し前記フレーム枠2に固定させると
共に、後述する樹脂封止の際に樹脂が外部へ漏出するの
を防止するためのタイバー5とから構成されている。ま
た、このリードフレーム1のリード4は、前記半導体素
子載置部3上に固着される半導体素子(図示せず)の電
極端子(図示せず)にワイヤ線を介して接続されるボン
ディング部4aを有する内部リード部4bと、フレーム
枠2から切断され、外部装置(図示せず)に接続される
外部リード4cとからなシ、内部リード部4bのボンデ
ィング部4aおよび前記半導体素子載置部3の上面には
ワイヤ線および半導体素子と確実にボンディングされる
ように、金、銀などのボンディング用金属メツキ6が付
着されている。
なお、図中二点鎖線7で囲まれた範囲は金属メツキされ
る範囲を示し、8で囲まれた範囲は対土用樹脂が覆う範
囲を示す。
る範囲を示し、8で囲まれた範囲は対土用樹脂が覆う範
囲を示す。
次に、このように構成されたリードフレームの製造方法
を図によって説明する。第3図(a)〜(e)は製造方
法を説明するだめの図で、同図(1)はリードフレーム
1となる金属箔の斜視図、同図(b)はリードフレーム
1の形状に形成された金属箔の側断面図、同図(c)は
金属メツキ後の状態を示す側断面図、また、第4図は金
属メツキしている状態を示す第2図中I−I線断面図で
ある。
を図によって説明する。第3図(a)〜(e)は製造方
法を説明するだめの図で、同図(1)はリードフレーム
1となる金属箔の斜視図、同図(b)はリードフレーム
1の形状に形成された金属箔の側断面図、同図(c)は
金属メツキ後の状態を示す側断面図、また、第4図は金
属メツキしている状態を示す第2図中I−I線断面図で
ある。
先ず、第3図(、)に示す鉄ニツケル合金、または銅合
金などの金属箔Aを、フォトエツチング加工等によって
同図[F])に示すように成形される。この際、金属箔
Aは第2図に示すリードフレーム1の形状に形成される
ことになる。次で同図(c)に示すように金属メツキ6
が施され、リードフレーム1が完成する。この金属メツ
キ6を施すには、第4図に示すようにリードフレーム1
の一方の面に、リードフレーム1の金属メツキされる範
囲Tにメツキ液(図示せず)を流入させるための開口部
10を有するマスク11を密着させ、リードフレーム1
の他方の面にスポンジ等の弾性材料によって形成された
リードフレーム押さえ部材12を圧接させる。そして、
前記マスク11の開口部10内に図中矢印で示す方向に
メツキ液を流し込むことによって、リードフレーム10
半導体素子載置部3およびリード4のボンディング部4
aに金属メツキ6が付着されることに々る。
金などの金属箔Aを、フォトエツチング加工等によって
同図[F])に示すように成形される。この際、金属箔
Aは第2図に示すリードフレーム1の形状に形成される
ことになる。次で同図(c)に示すように金属メツキ6
が施され、リードフレーム1が完成する。この金属メツ
キ6を施すには、第4図に示すようにリードフレーム1
の一方の面に、リードフレーム1の金属メツキされる範
囲Tにメツキ液(図示せず)を流入させるための開口部
10を有するマスク11を密着させ、リードフレーム1
の他方の面にスポンジ等の弾性材料によって形成された
リードフレーム押さえ部材12を圧接させる。そして、
前記マスク11の開口部10内に図中矢印で示す方向に
メツキ液を流し込むことによって、リードフレーム10
半導体素子載置部3およびリード4のボンディング部4
aに金属メツキ6が付着されることに々る。
しかる後、リードフレーム1の半導体素子載置部3上に
半導体素子(図示せず)をチップボンディングし、この
半導体素子の電極端子とリード4の各内部リード部4b
とのワイヤボンディングを行なう。次いで、樹脂封止工
程にて、第2図ウニ点鎖線で囲まれた範囲8、換言すれ
ば半導体素子およびワイヤ線を含む内部リード部4bを
樹脂封止した後、フレーム枠2およびタイバー5を切離
すことにより樹脂封止型半導体装置が製造される。
半導体素子(図示せず)をチップボンディングし、この
半導体素子の電極端子とリード4の各内部リード部4b
とのワイヤボンディングを行なう。次いで、樹脂封止工
程にて、第2図ウニ点鎖線で囲まれた範囲8、換言すれ
ば半導体素子およびワイヤ線を含む内部リード部4bを
樹脂封止した後、フレーム枠2およびタイバー5を切離
すことにより樹脂封止型半導体装置が製造される。
しかるに、このようなリードフレームの製造方法におい
ては、リードフレーム1に金属メツキを施す際に、互い
に隣シ合う内部リード部4b、4b間にメツキ液が流れ
込み、内部リード部4bの側面に金属メツキ6が付着し
やすい。これは各リード4の離間寸法が縮小化されるに
つれて著しくなり、特に樹脂封止範囲8外に到達した場
合には、金属メツキ6と対土用樹脂は密着しにくいため
、このようなリードフレーム1を使用した半導体装置の
信頼性を低下させるという問題があった。また、この金
属メツキ6の下地メツキとして異種金属メツキを施し、
樹脂封止後、下地メツキを薬液によシ除去した場合には
、薬液により溶融されない金属メツキ6がひげ状となシ
、隣シ合うリード4に接触するという問題があった。さ
らに、また、金属メツキ6を施す際に、リードフレーム
押さえ部材12が圧接された半導体素子載置部3および
内部リード部4bが変形するという問題もあった。
ては、リードフレーム1に金属メツキを施す際に、互い
に隣シ合う内部リード部4b、4b間にメツキ液が流れ
込み、内部リード部4bの側面に金属メツキ6が付着し
やすい。これは各リード4の離間寸法が縮小化されるに
つれて著しくなり、特に樹脂封止範囲8外に到達した場
合には、金属メツキ6と対土用樹脂は密着しにくいため
、このようなリードフレーム1を使用した半導体装置の
信頼性を低下させるという問題があった。また、この金
属メツキ6の下地メツキとして異種金属メツキを施し、
樹脂封止後、下地メツキを薬液によシ除去した場合には
、薬液により溶融されない金属メツキ6がひげ状となシ
、隣シ合うリード4に接触するという問題があった。さ
らに、また、金属メツキ6を施す際に、リードフレーム
押さえ部材12が圧接された半導体素子載置部3および
内部リード部4bが変形するという問題もあった。
本発明に係るリードフレームの製造方法は、金属箔にお
けるリードのワイヤボンディング部位を含む範囲に予め
ボンディング用金属メツキを施し、次でこのボンディン
グ用金属メツキにおける半導体素子載置部およびリード
のボンディング部位と対応しない部分をフォトエツチン
グ加工により除去し、しかる後この金属箔をフォトエツ
チング加工によシリードフレームの形状に加工するもの
である。
けるリードのワイヤボンディング部位を含む範囲に予め
ボンディング用金属メツキを施し、次でこのボンディン
グ用金属メツキにおける半導体素子載置部およびリード
のボンディング部位と対応しない部分をフォトエツチン
グ加工により除去し、しかる後この金属箔をフォトエツ
チング加工によシリードフレームの形状に加工するもの
である。
リードフレームにおける半導体素子載置部およびリード
のボンディング部位の上面のみにボンディング用金属メ
ツキが施されることになる。
のボンディング部位の上面のみにボンディング用金属メ
ツキが施されることになる。
以下、本発明を図に示す実施例によシ詳細に説明する。
第1図(a)〜(社)は本発明に係るリードフレ−ムの
製造方法を説明するための図で、同図(a)。
製造方法を説明するための図で、同図(a)。
ら)は金属箔Aの斜視図、同図(c)〜(h)は側断面
図である。これらの図において前記従来例で説明したも
のと同一もしくは同等部材については同一符号を付し、
詳細な説明は省略する。これらの図において、先ず同図
(、)に示すように金属箔Aに位置決め用の穴21を穿
設し、この位置決め穴21により金属箔Aを位置決めし
、同図(b)K示すように、金属箔A上におけるリード
のワイヤボンディング部位を含む範囲に予め金属メツキ
6を施す。次で同図(c)に示すように、金属箔Aに金
属メツキ除去用レジスト22を塗着させ、金属メツキ6
における半導体素子載置部およびリードのボンディング
部位と対応しない不要部23をフォトエツチングによシ
開放させる。そして、金属メツキ6の不要部23を薬液
により溶解させ、同図(d)に示すように除去した後、
前記レジスト22も同図(e)に示すように除去する。
図である。これらの図において前記従来例で説明したも
のと同一もしくは同等部材については同一符号を付し、
詳細な説明は省略する。これらの図において、先ず同図
(、)に示すように金属箔Aに位置決め用の穴21を穿
設し、この位置決め穴21により金属箔Aを位置決めし
、同図(b)K示すように、金属箔A上におけるリード
のワイヤボンディング部位を含む範囲に予め金属メツキ
6を施す。次で同図(c)に示すように、金属箔Aに金
属メツキ除去用レジスト22を塗着させ、金属メツキ6
における半導体素子載置部およびリードのボンディング
部位と対応しない不要部23をフォトエツチングによシ
開放させる。そして、金属メツキ6の不要部23を薬液
により溶解させ、同図(d)に示すように除去した後、
前記レジスト22も同図(e)に示すように除去する。
この状態で金属箔A上に、半導体素子載置部およびリー
ドのボンディング部の形状と対応した形状を有する金属
メツキ6が施されたことになる。さらに、金属箔Aをリ
ードフレームの形状に肉抜き加工するために、金属箔A
に肉抜き用レジスト24を塗着させ、同図(f”)に示
すようにフォトエツチングにより肉抜き部25を開放さ
せる。そして、同図(g)に示すように、薬液によって
前記肉抜き部25を溶解させ、除去した後、同図rk1
)に示すように肉抜き用レジスト24も除去する。この
ようにしてリードフレーム1を製造することができる。
ドのボンディング部の形状と対応した形状を有する金属
メツキ6が施されたことになる。さらに、金属箔Aをリ
ードフレームの形状に肉抜き加工するために、金属箔A
に肉抜き用レジスト24を塗着させ、同図(f”)に示
すようにフォトエツチングにより肉抜き部25を開放さ
せる。そして、同図(g)に示すように、薬液によって
前記肉抜き部25を溶解させ、除去した後、同図rk1
)に示すように肉抜き用レジスト24も除去する。この
ようにしてリードフレーム1を製造することができる。
以上説明したように本発明によれば、金属箔におけるリ
ードのワイヤボンディング部位を含む範囲に予めボーン
ディング用金属メツキを施し、次でこのボンディング用
金属メツキにおける半導体素子載置部およびリードのボ
ンディング部位と対応しない部分をフォトエツチング加
工により除去し、しかる後この金属箔をフォトエツチン
グ加工によシリードフレームの形状に加工したため、リ
ードフレームにおける半導体素子載置部およびリードの
ボンディング部位の上面のみにボンディング用金属メツ
キが施されるととになり、かつリードフレーム押さえ部
材が不要であシ半導体素子載置部およびリードが変化さ
れることもないから、信頼性が高く精度の良いリードフ
レームを得ることができる。
ードのワイヤボンディング部位を含む範囲に予めボーン
ディング用金属メツキを施し、次でこのボンディング用
金属メツキにおける半導体素子載置部およびリードのボ
ンディング部位と対応しない部分をフォトエツチング加
工により除去し、しかる後この金属箔をフォトエツチン
グ加工によシリードフレームの形状に加工したため、リ
ードフレームにおける半導体素子載置部およびリードの
ボンディング部位の上面のみにボンディング用金属メツ
キが施されるととになり、かつリードフレーム押さえ部
材が不要であシ半導体素子載置部およびリードが変化さ
れることもないから、信頼性が高く精度の良いリードフ
レームを得ることができる。
また、金属箔をリードフレームの形状に加工する薬液は
、リードフレームにおける半導体素子載置部およびリー
ドのボンディング部位と対応せず予めボンディング用金
属メツキが除去された部分を直接溶解させるととKなる
ので、各部分の加工量を均一化させることができる。
、リードフレームにおける半導体素子載置部およびリー
ドのボンディング部位と対応せず予めボンディング用金
属メツキが除去された部分を直接溶解させるととKなる
ので、各部分の加工量を均一化させることができる。
第1図(a)〜(h)は本発明に係るリードフレームの
製造方法を説明するための図、第2図は従来の半導体装
置用リードフレームの平面図、第3図(a)。 (b) 、 ((りは従来のリードフレームの製造方法
を説明するための図、第4図は金属メツキしている状態
を示す第2図中I−I線断面図である。 1・・e・リードフレーム、3・・・e半導体素子載置
部、4・・Φ拳す−ド、4a・・・・ワイヤボンディン
グ部位、6・・・・金属メツキ、22・・・・金属メツ
キ除去用レジスト、24・・・・肉抜き用レジスト、A
・・・・金属箔。
製造方法を説明するための図、第2図は従来の半導体装
置用リードフレームの平面図、第3図(a)。 (b) 、 ((りは従来のリードフレームの製造方法
を説明するための図、第4図は金属メツキしている状態
を示す第2図中I−I線断面図である。 1・・e・リードフレーム、3・・・e半導体素子載置
部、4・・Φ拳す−ド、4a・・・・ワイヤボンディン
グ部位、6・・・・金属メツキ、22・・・・金属メツ
キ除去用レジスト、24・・・・肉抜き用レジスト、A
・・・・金属箔。
Claims (1)
- 半導体素子載置部と、この半導体素子載置部の周辺に
離間して配設され半導体素子とワイヤボンディングされ
る複数のリードとを有するリードフレームを金属箔から
形成するリードフレームの製造方法において、前記金属
箔におけるリードのワイヤボンディング部位を含む範囲
に予めボンディング用金属メッキを施し、次でこのボン
ディング用金属メッキにおける半導体素子載置部および
リードのボンディング部位と対応しない部分をフォトエ
ッチング加工により除去し、しかる後この金属箔をフォ
トエッチング加工によりリードフレームの形状に加工す
ることを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26417387A JPH01106453A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26417387A JPH01106453A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01106453A true JPH01106453A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17399473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26417387A Pending JPH01106453A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01106453A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100233799B1 (ko) * | 1990-12-18 | 1999-12-01 | 프랭크 제이. 마커시 | 연속 시스템으로 집적회로 다이용 리드프레임 스트립을 제조하는 방법 및 장치 |
US8118156B2 (en) | 2007-09-03 | 2012-02-21 | National University Corporation Shizuoka University | Acoustic wave device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59232450A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Nec Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
JPS60136246A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Toppan Printing Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
JPS61279698A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Hitachi Cable Ltd | 微少点状めつき部を有するリ−ドフレ−ムの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26417387A patent/JPH01106453A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59232450A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Nec Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
JPS60136246A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Toppan Printing Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
JPS61279698A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Hitachi Cable Ltd | 微少点状めつき部を有するリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100233799B1 (ko) * | 1990-12-18 | 1999-12-01 | 프랭크 제이. 마커시 | 연속 시스템으로 집적회로 다이용 리드프레임 스트립을 제조하는 방법 및 장치 |
US8118156B2 (en) | 2007-09-03 | 2012-02-21 | National University Corporation Shizuoka University | Acoustic wave device |
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