JP3808140B2 - 新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体およびこれらを含む放射線感応性材料 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体またはその共重合体と、化学的に増幅されたポジ型放射線感応性組成物へのこれらの適用およびこれにより製造された、高エネルギー放射線、特に、１５０−４５０ｎｍの波長範囲の紫外線、電子線およびＸ線に対し感応性であるレジストおよび複写材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子産業分野においては、従来から常に部品の縮小化が図られており、これにより、高解像度、高信頼性およびより良い製造特性を持つ放射線感応性組成物が求められている。電子産業分野においては、従来０．３μｍ以上のパターン設計の集積回路（ＩＣ）を製造するために、感光性組成物としてノボラック樹脂とジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）溶解防止剤から作られたフォトレジストが用いられるとともに、露光光源としてｇ−線（４５６ｎｍ）あるいはｉ−線（３６５ｎｍ）光源が利用されている。このノボラック／ＤＮＱ混合物から成るレジスト材料は、０．３μｍ以上のパターン設計の集積回路を製造するには適したものである。しかし、最近の超−ＬＳＩの製造においてはサブクオーターミクロンの設計基準が要求されており、これに対しては、従来のノボラック／ＤＮＱレジスト材料および光源では対応することができない。サブクオーターミクロンの設計基準の超ＬＳＩの製造における露光光源としては、エキシマレーザー（２４８ｎｍ）またはフィルターにかけられた水銀ランプ（２４０−２５５ｎｍ）により与えられる遠紫外線が最も有望視されている。前記ノボラック樹脂に基づくレジスト材料は、これらの波長を過度に吸収し、またＤＮＱ感光剤を用いない場合には感度が低すぎ、遠紫外線に対する露光には適していない。このため、遠紫外線に適用可能なレジスト材料が強く求められているのである。
【０００３】
前記ノボラック／ＤＮＱシステムに代えて遠紫外線露光に用いることができる有効なレジスト材料として、 Itoらにより発表された化学的に増幅されたレジストが知られている〔H. Ito and C. G. Wilson, Polym. Eng. Sci., 23 巻、1012(1983)〕。このレジスト材料は、基本的にはフェノール性水酸基の一部がｔ−ブチルオキシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）基で保護されたヒドロキシスチレン重合体およびトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩のような光酸発生剤（ＰＡＧ）からなっている。このレジスト材料においては、露光により露出域に酸が生じ、この酸は、露光後に、例えば５０℃以上の温度でベーキング（露光後ベーク工程、ＰＥＢ）を行う際、触媒的にｔ−ブチルオキシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）基を脱保護させ、ヒドロキシスチレンを生成する。露光中に酸が少量でも生じていれば、触媒的な連鎖反応により幾つかのｔ−ブチルオキシカルボニル基を脱保護することができるので、この材料は化学的に増幅されたレジスト（ＣＡＲ）とも呼ばれている。この脱保護化反応が触媒的に作用するため、化学的に増幅されたレジストは遠紫外線露光に対して高感度を満たすのである。
【０００４】
化学的に増幅されたレジスト（ＣＡＲ）に関し、 Itoらが発表したｔ−ブチルオキシカルボニル基に続いて、ポジ型の遠紫外線フォトレジストを得るべく、有機合成で知られている多種、多様の保護基が試みられ、発表されている。これらの中でエーテル類〔(J. V. Crivello, D. A. Conlon and J. L. Lee, Polym. Mater. Sci. Eng., 61,422-426(1989)〕、シリルエーテル類〔M. Murata, E. Kobayashi, Y. Yumoto and T. Miura, J.Photopolym. Sci. Technol. 5, 79-84 (1992)〕、アセタール類〔N. Hayashi, S. S. A. Hesp, T. Ueno, M. Toriumi, T. Iwayanagi, and S. Nonogaki, Polym. Materi. Sci. Eng., 61, 417-421(1989)〕およびケタール類〔C. Mertesdorf, N. Muenzel, H. Holzwarth, P. Falcigno, H.T. Schacht, O. Rohde, R. Schulz., Proceedings SPIE, Vol.2438(1995)〕が、最も用いられているフェノール保護基である。
【０００５】
化学的に増幅されたレジスト（ＣＡＲ）を生成する別の方法は、最近パウロウスキ（Pawlowski ）等により J. Photopolym. Sci. & Tech., Vol. 5, No.1, 55-66(1992) に発表された、ポリヒドロキシスチレン、ポリ−Ｎ−Ｏ−アセタールのような酸感応性溶解防止剤および光酸発生剤（ＰＡＧ）を単に混合することである。
【０００６】
しかしながら、一般的に、上述の保護基を有するポリマーからなるレジスト材料は、１）遠紫外線のような短波長光の露光の際の反射光による干渉に基づく望ましくない定在波の形成、２）露光後の保存中あるいは露光と露光後のベーク（ＰＥＢ）間で時間的間隔があいた場合にパターンの線幅が変化するという問題点を有している。
【０００７】
本発明者らは、意外にも、下記一般式Ｉで示される新規酸感応性基で保護された重合体からなるレジスト材料が、このような欠点を示さないことを見いだし、本発明を完成したのである。これらの重合体およびこれらの重合体を放射線感応性レジスト材料あるいは放射線感応性複写材料に用いることは、本発明以前には知られていなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
それ故、本発明の目的は、下記一般式Ｉで示される酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体、これらの重合体または共重合体を用いた、フォトレジスト、電子部品、厚膜レジスト、平版印刷板等を作成するために適したポジ型の放射線感応性組成物、および特に遠紫外線、電子線、Ｘ線に対し透過性が高く、反射光の影響に基づく定在波を発生させることがなく、かつ露光後ベーキングまで時間的経過があったとしてもパターン寸法の変化を生じさせない高解像度のレジスト材料を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
まず、本発明の新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体は、下記一般式Ｉで示される化学構造を有することを特徴とする。
【００１０】
一般式Ｉ
【００１１】
【化１】
【００１２】
〔式中、
ｍ，ｏは、各々、１以上の整数で、かつｏ／ｍ＋ｏが０．１から０．９を示すものであり、
ｎは、０または１以上の整数で、ｎが１以上の整数である場合には、ｎ／ｍ＋ｎ＋ｏが０．０５から０．５を示すものであり、
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5およびＲ6は、各々、水素または１から６の炭素原子を有するアルキル基を示し、
Ｒ3およびＲ4は、各々、水素、シアノ基、１から６の炭素原子を有するアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、置換アリール基または−ＣＯＯＲ10基であるか、またはＲ3とＲ4とにより、環状基−Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）−または−Ｃ（Ｏ）ＮＲ10Ｃ（Ｏ）−を形成するものを示し、ここにおいてＲ10は、水素原子、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖あるいは環状のアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基または、７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示し、
Ｒ7およびＲ8は、各々、水素原子、塩素、臭素、１から６の炭素原子を有するアルキル基または１から６の炭素原子を有する置換アルキル基を示し、
Ｒ9は、一般式II
−ＣＨ（ＣＨ3）ＯＲ11ＯＸＲ12
（式中、
Ｒ11は、２から６の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖アルキレン基を示し、Ｘは、−Ｃ（Ｏ）−，−Ｃ（Ｏ）Ｏ−，−Ｓ（Ｏ2）−，−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−あるいは−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−基を示し、
Ｒ12は、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基、１から６の炭素原子を有する置換アルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、６から１０の炭素原子を有する置換アリール基または７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示す。）
を示す。〕
更に、本発明の放射線感応性組成物は、本質的な成分として
(a)上記一般式Ｉで示される酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体
(b)活性放射線に露光することにより酸を発生し得る放射線感応性化合物
(c)必要に応じ、パターンの線幅を安定化させるための塩基または活性放射線に露光することにより中性化合物を形成する放射線感応性塩基
(d)必要に応じ、光学的、機械的およびフィルム形成性特性を調整するための添加剤
(e)成分(a)、(b)、(c)および(d)を溶解し、溶液を形成する溶剤
を含んでいる。
【００１３】
この組成物は、水銀ランプ、エキシマレーザー、電子線描画装置またはシンクロトロンのような露光源から発生された紫外線、電子線、Ｘ線ビームへの露光により半導体装置やＩＣのパターンを製造するために有用である。
【００１４】
更に、本発明の組成物は、サブクオーターミクロンの解像度を有する液体レジストや電子部品、厚膜レジスト、平板印刷板等を作成するために適した放射線感応性複写材料として有用である。
【００１５】
したがって、本発明は、更に上記放射線感応性組成物からなる放射線感応性複写材料および放射線感応性レジストを含み、またこの放射線感応性組成物を用い、この放射線感応性組成物により基板上に皮膜を形成し、この皮膜を活性放射線に対し選択的に露光し、その後露光した皮膜をベークし、現像して露光部分の皮膜を除去するポジ画像パターンを形成する方法にも関するものである。
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１６】
（新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体）
まず、本発明の新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体は、上記一般式Ｉで示されるものである。その中でも一般式Ｉ中、
ｍ，ｏは、各々、１以上の整数で、かつｏ／ｍ＋ｏが０．１から０．７を示すものであり、
ｎは、０または１以上の整数で、ｎが１以上の整数である場合には、ｎ／ｍ＋ｎ＋ｏが０．０５から０．５を示すものであり、
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5およびＲ6は、各々、水素または１から３の炭素原子を有するアルキル基を示し、
Ｒ3およびＲ4は、各々、水素、シアノ基、１から３の炭素原子を有するアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、置換アリール基または−ＣＯＯＲ10基であるか、またはＲ3とＲ4とにより、環状基−Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）−または−Ｃ（Ｏ）ＮＲ10Ｃ（Ｏ）−を形成するものを示し、ここにおいてＲ10は、水素原子、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖あるいは環状のアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基または、７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示し、
Ｒ7およびＲ8は、各々、水素原子、塩素、臭素、１から３の炭素原子を有するアルキル基または１から６の炭素原子を有する置換アルキル基を示し、
Ｒ9は、一般式II
−ＣＨ（ＣＨ3）ＯＲ11ＯＸＲ12
（式中、
Ｒ11は、２から６の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖アルキレン基を示し、
Ｘは、−Ｃ（Ｏ）−，−Ｃ（Ｏ）Ｏ−，−Ｓ（Ｏ2）−，−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−または−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−基を示し、
Ｒ12は、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基、１から６の炭素原子を有する置換アルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、６から１０の炭素原子を有する置換アリール基または７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示す。）
で示される重合体または共重合体が好ましい。
【００１７】
更に好ましいものは、一般式Ｉ中
ｍ，ｏは、各々、１以上の整数で、かつｏ／ｍ＋ｏが０．２から０．５を示すものであり、
ｎは、０または１以上の整数で、ｎが１以上の整数である場合には、ｎ／ｍ＋ｎ＋ｏが０．０５から０．５を示すものである。
【００１８】
次に重合体または共重合体の具体例を示すが、本発明は、これらの例に限定されるものではない。
【００１９】
ポリ｛４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−プロパンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−イソプロパンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−ブタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛３−メチル−４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−メチル−４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−フェニルスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−ｐ−クロロフェニルスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛３−メチル−４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−メチル−４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−エチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−エチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−エチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛３−メチル−４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／３−メチル−４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛３−メチル−４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／３−メチル−４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルチオカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
上述のポリマは、リソグラフィー特性に優れ、また適当な熱流動安定性を有するため、特に、高解像度ＩＣレジストの製造に有用である。
【００２０】
本発明の重合体あるいは共重合体の重量平均分子量は、ポリスチレンを標準として用いるゲル浸透クロマトグラフィーによる測定で、２０００から２０００００の間、好ましくは５０００から３００００の間で変わり得る。これら重合体の分子量分布は、レジストの特性を決定するうえで重要な役割を演じており、このため分子量分布の調整が必要である。分子量分布は１から３の間であればよいが、使用目的によってはできる限り１に近い方が望ましい場合もある。
【００２１】
また、遊離の−ＯＨ基に対する酸感応性基のモル比（あるいは、保護度）により、レジスト特性および現像中のレジストの溶解速度が変わる。現像が、２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を含有する界面活性剤不含標準現像剤を用い２３℃で行われる場合、レジストの溶解速度が０から１５０ｎｍ／ｍｉｎの範囲であるべきである。要求される保護度は、酸感応性基の親水性／疎水性特性により変わり得るが、一般的には上述の重合体については１５から７５モル％の間である。例えば、ポリ｛４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン（Ｍｗ＝１５，０００）では、３０モル％である。
【００２２】
（放射線感応性組成物）
ところで、本発明の放射線感応性組成物は、上記したように
(a) 一般式Ｉで示される酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体
(b) 活性放射線に露光することにより酸を発生し得る放射線感応性化合物
(c) 必要に応じ、パターンの線幅を安定化させるための塩基または活性放射線に露光することにより中性化合物を形成する放射線感応性塩基
(d) 必要に応じ、光学的、機械的およびフィルム形成性特性を調整するための添加剤
(e) 成分(a) 、(b) 、(c) および(d) を溶解し、溶液を形成する溶剤
を含んでいる。
【００２３】
（成分（ａ））
上記成分（ａ）は、一般式Ｉで示されるいずれの重合体でもよい。全混合物中の成分（ａ）の割合は、約１０から４０重量％、好ましくは１５から２５重量％である。
【００２４】
（成分（ｂ））
成分（ｂ）は、活性放射線の露光により酸を発生する化合物であれば、いずれの化合物でもよい。以下に示される化合物が好ましいものであるが、ここに示した化合物が、使用できる化合物の全てではない。
【００２５】
好ましい放射線酸発生化合物は、
(i) ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（sec −ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニルエチルスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニルｔ−ブチルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタンのような、ビススルホニルジアゾメタン類、
(ii) メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルメタン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）メタンのような、ビススルホニルメタン類、
(iii) シクロヘキシルスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチルブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、ｐ−トルエンスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（４−メチルフェニルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、フェニルスルホニルフェニルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−フェニルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−（４−メチルフェニルスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２−（４−メチルフェニルスルホニル）シクロヘキシルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−メチルスルホニルイソプロピルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−（４−メチルフェニルスルホニル）ｔ−ブチルアセテートのような、スルホニルカルボニルジアゾメタン類、
(iv) ２−メチル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロピオフェノン、２−シクロヘキシルカルボニル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン、２−メタンスルホニル−２−メチル−４−メチルチオプロピオフェノン、２，４−ジメチル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）ペンタン−３−オンのような、スルホニルカルボニルアルカン類、
(v) ２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，４−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルフェニルスルホネートのような、ニトロベンジルスルホネート類、
(vi) ピロガロールトリスメタンスルホネート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガロールトリスフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−４−メチルフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−４−メトキシフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−２，４，６−トリメチルフェニルスルホネート、ピロガロールトリスベンジルスルホネート、および没食子酸エステル類、カテコール、レゾルシノールあるいはヒドロキノンから誘導された関連化合物のような、アルキルおよびアリールスルホネート類、
(vii) ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレートのような、ベンゾインスルホネート類、
(viii) Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（メタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（エタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トルエンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロフェニル）スルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−（４−メトキシベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−カムフォスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−（カムフォスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（メタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）マレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）マレイミド、Ｎ−（メタンスルホニルオキシ）マレイミド、Ｎ−トリフルオロスルホニルオキシフタルイミジルエーテル、ビストリフルオロメチルビス−Ｎ，Ｎ−トリフルオロメチル−スルホニルオキシフタルイミジルメタンのような、Ｎ−スルホニルオキシイミド類、
(ix) （４−フルオロ−ベンゼンスルホニルオキシ）−３，４，６−トリメチル−２−ピリドン、６−シクロヘキシル−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−３−ニトロピリドン、１−メタンスルホニルオキシ−３，５−ビスメトキシメチル−４，６−ジメチル−２−ピリドン、１−（４−ブロモ−ベンゼンスルホニルオキシ）−４−メチル−６−（４−トリフルオロメチルスチリル）−２−ピリドン、６−（２−アントラセン−９−イル−ビニル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン、１−（４−クロロ−ベンゼンスルホニルオキシ）−４，６−ジフェニル−２−ピリドン、６−（４−クロロスチリル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン、３−シアノ−１−メタンスルホニルオキシ−４，６−ジメチル−２−ピリドン、４−メチル−６−（２，４，５−トリクロロフェニル）−２−ピリドン、１−メタンスルホニルオキシ−４，６−ジメチル−２−ピリドン、１−ベンゼンスルホニルオキシ−６−ブチル−４−メチル−５−ニトロ−２−ピリドン、１−ブタンスルホニルオキシ−４−プロピル−６−ｐ−トリル−２−ピリドン、３−ブロモ−６−（３，４−ジクロロフェニル）−４−メチル−１−（トルエン−４−スルホニルオキシ）−２−ピリドンのような、ピリドン類、
(x) ２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−クロロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−クロロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−（２−フェノキシエトキシ）−ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（４−ビニルフェニル）−エチルナフタレン−２−スルホネート，２，２，２−トリフルオロ−１−フェニル−１−トリフルオロメチルエチルプロパンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−ブトキシベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル３，５−ジクロロベンゼンスルホネート、１，３−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼン、１，４−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼンのような、スルホン酸エステル類、
(xi) トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム４−メチルフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム４−メトキシフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−クロロフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンフォスルホネート、４−メチルフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−メチルフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス−４−メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、メシチルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−クロロフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス−（４−クロロフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス−（４−クロロフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチルフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス（４−メチルフェニル）−フェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリス−４−メチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、４−メトキシフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、メシチル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、４−クロロフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス−（４−クロロフェニル）−フェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリス−（４−クロロフェニル）スルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−４−メチルフェニルスルホネート、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス−（ｐ−シクロヘキシルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス−（ｐ−シクロヘキシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネートのような、オニウム塩類、
等である。
【００２６】
高解像度、深い焦点深度および高い安定性のようなリソグラフで要求される最適の特性を得るための成分（ｂ）の使用量は、例えば、成分（ａ）の化学的および物理的特性、成分（ｂ）の量子収量および吸収パラメーターなどを含む種々の要素により左右される。通常、成分（ｂ）は、成分（ａ）に対し０．１から１０．０重量％で用いられ、好ましい量としては，０．５から５．０重量％である。この成分（ｂ）は、２種以上の光酸発生化合物の混合物であってもよい。
【００２７】
（成分（ｃ））
成分（ｃ）は、放射線感応性塩基あるいは通常の非放射線感応性塩基である。成分（ｃ）は、画像形成レジスト組成にとって必ずしも必要ではないが、これを添加することにより、パターンを形成する際の臨界的な要素のコントロール、特に種々の遅延時間間隔で処理工程が行われてもパターン特性の悪化を抑えることができるために、その添加が好ましいものである。また、成分（ｃ）の添加により、明りょうなコントラストの増大も見られる。成分（ｃ）として適している放射線感応性塩基化合物のうちで特に好ましいものとしては、例えば、トリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムフェノレート、トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムヒドロキシド、トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムアセテート、トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムフェノレート、ジフェニルヨードニウムヒドロキシド、ジフェニルヨードニウムアセテート、ジフェニルヨードニウムフェノレート、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヒドロキシド、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムアセテート、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムフェノレート等がある。
【００２８】
また、成分（ｃ）として特に好ましい非放射線感応性塩基化合物は、例えば、(i) 水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムのような、アンモニウム塩類
(ii)ｎ−ヘキシルアミン、ドデシルアミン、アニリン、ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロウンデカンのような、アミン類
(iii) ３−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、ルチジン、２，６−ジ−ｔ−ブチルピリジンのような、塩基性複素環化合物、等
である。
【００２９】
成分（ｃ）の量は、成分（ｂ）の量と成分（ｂ）の光酸発生能により決定され、通常、成分（ｂ）の１０から１１０モル％の範囲で用いられる。成分（ｃ）の好ましい量は、成分（ｂ）に対し２５から９５モル％である。成分（ｃ）は、２種以上の塩基化合物の混合物でもよい。
【００３０】
（成分（ｄ））
これらに加え、組成物は、成分（ｄ）に包含される、光吸収剤、染料、有機カルボン酸、レベリング剤、安定化剤、低分子量化合物、可塑剤等を含んでもよい。成分（ｄ）は任意成分であり、必要とされる特性に応じ添加すればよい。
【００３１】
（成分（ｅ））
成分（ｅ）としてあげられた溶剤は、成分（ａ），（ｂ），（ｃ）および上記（ｄ）の添加剤を溶解し、均一な皮膜を形成する限りにおいて特には限定されない。
【００３２】
溶剤の具体的な例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルおよびプロプレングリコールモノメチルエーテルのような、グリコールエーテル類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）のような、グリコールエーテルアセテート類、エチルラクテートのような、エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンまたはシクロヘプタノンのような、ケトン類があげられ、トルエンおよびキシレンのような芳香族炭化水素類は、好ましいものではない。ある場合には、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等を使用することもできる。これらの溶剤（ｅ）は、単独または２種以上の混合形態で使用してもよい。
【００３３】
成分（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の全固体含量は、溶剤（ｅ）に対し、１０から５０重量％、好ましくは１５から２５重量％の範囲である。
【００３４】
（活性放射線）
本発明の放射線感応性組成物を露光するための活性放射線としては、ＫｒＦエキシマレーザのような２００から３００ｎｍ範囲の波長の光を放射する光源から放出される短波長紫外線である遠紫外線、または電子線、Ｘ線等を用いることができる。その中でも遠紫外線が最も好ましいものである。
【００３５】
（放射線感応性組成物の用途）
本発明の放射線感応性組成物は、すでに述べたように、サブクオーターミクロンでの画像形成が可能であり、遠紫外線のような短波長光の露光の際の反射光による干渉に基づく望ましくない定在波の形成がなく、また露光後の保存中あるいは露光と露光後のベーク（ＰＥＢ）間に時間的間隔があいた場合においてもパターンの線幅が変化するということがなく、しかも好ましいレジスト特性を有しているため、超ＬＳＩのような集積回路の製造のためのレジストとして特に好ましいものである。またこれ以外にも、電子部品のレジスト、厚膜用レジストあるいは平板印刷板等を作成するための放射線感応性複写材料としても好ましいものである。
【００３６】
（パターンの形成）
本発明の放射線感応性組成物を用いてのパターンの形成を、シリコンウエハ上へのレジストパターンの形成を例にあげて述べると、次のとおりである。まず、本発明の組成物を、シリコンウエハーのような基板上に塗布し、この塗布された基板をホットプレート上で６０から１５０℃で１から３分間加熱してベーキングすることにより、３００−３０００ｎｍの厚さを有する均一な皮膜を形成する。なお、特別な目的に対しては、これより厚いあるいは薄い皮膜として使用することもできる。所望のパターンを形成するために、活性放射線源とレジスト膜との間にマスクを置き、例えばＫｒＦエキシマレーザーから発生される２４８ｎｍの波長、１から１００ｍＪ／ｃｍ2 の量の遠紫外線で露光する。次いで、露光されたウエハーは、ホットプレート上で、５０から１５０℃で１から３分間ベーキングした後、２．３８重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム含有水性溶液のような現像液で、約１から３分間、浸漬、スプレーあるいはスプレー−パドル現像法により現像する。このようにして、本発明の放射線感応性組成物を用いて所望のポジのレジストパターンを得ることができる。
【００３７】
以下、合成例および実施例により本発明を更に詳細に述べるが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００３８】
【合成例および実施例】
合成例１ （２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
温度計、滴下漏斗および撹拌機を取り付けた１リットルの三つ口フラスコに、１モル（８１．０ｇ）のエチレングリコールモノビニルエーテル、１．０５モル（１０６．２６ｇ）のトリエチルアミンおよび３００ｍｌのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を入れる。この混合物を氷浴を用いて１０−１５℃に冷却する。この冷却された溶液に、撹拌しつつ、反応混合物の温度が１５℃以下を維持するように２時間以上をかけて１．０５モル（８４．９３ｇ）のアセチルクロライドを滴下した。１０時間反応後，５００ｍｌのジエチルエーテルと続いて５００ｍｌの脱イオン水を反応混合物に加えた。その後、有機層を３００ｍｌの脱イオン水を用いて３回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用いて２４時間乾燥した。この乾燥された有機層をろ過により分離し、ジエチルエーテルを留出させて、粗生成物を得た。この粗生成物を２度減圧蒸留して精製した。得られた化合物は、１トールで３３−３５℃、２０トールで１１５−１１６℃の沸点を有していた。精製後の収量および収率は、１１０．７ｇおよび９０％であった。この化合物を、赤外（ＩＲ）およびＮＭＲで測定した。赤外スペクトルは、１７４５ｃｍ-1（νc =0）に強い吸収を示し、ＮＭＲスペクトルは、２．１ｐｐｍ（３Ｈ），３．８９ｐｐｍ（２Ｈ），４．０５ｐｐｍ（１Ｈ），４．２２ｐｐｍ（１Ｈ），４．３ｐｐｍ（２Ｈ），６．２５ｐｐｍ（１Ｈ）にシグナルを有しており、分離された化合物が、２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルであることが確認された。
【００３９】
合成例２ （２−エタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
アセチルクロライドをプロピオニルクロライドに変えたほかは、合成例１と同じ方法を繰り返した。収率は６６％であり、精製物は、４５−５０℃／１トールの沸点を有していた。これを、ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４０】
合成例３ （２−ブタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
アセチルクロライドをペンタノイルクロライドに変えたほかは、合成例１と同じ方法を繰り返した。収率は８５％であり、精製物は、９０℃／１トールの沸点を有していた。これを、ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４１】
合成例４ （２−メタンスルホニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
アセチルクロライドをメタンスルホニルクロライドに変えたほかは、合成例１と同じ方法を繰り返した。粗収率は、９５％であった。粗生成物を蒸留により精製しようと試みたが、加熱時発熱分解反応が起こり、精製はうまく行かなかった。このため、精製はシリカゲルを用いてのクロマトグラフィにより行った。精製物は、ＩＲおよびＮＭＲにより確認された。
【００４２】
合成例５ （２−ベンゼンスルホニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
アセチルクロライドをベンゼンスルホニルクロライドに変えたほかは、合成例１と同じ方法を繰り返した。粗収率は、９５％であった。精製は合成例４で述べた方法と同じ方法で行った。精製物は、ＩＲおよびＮＭＲにより確認された。
【００４３】
合成例６ （２−エチル−Ｎ−エチルカルバミン酸エステルビニルエーテルの合成）
温度計、滴下漏斗およびマグネチックスターラーを取り付けた１リットルの三つ口フラスコに、１モル（８１．０ｇ）のエチレングリコールモノビニルエーテル、０．２ｇのトリエチルアミンおよび１００ｍｌのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を入れ、この混合物を氷浴を用いて１０−１５℃に冷却した。この冷却された溶液に、反応混合物の温度を２５℃以下に保ち、常に撹拌しつつ、１時間以上をかけて１モル（７１．０８ｇ）のエチルイソシアネートを滴下した。エチルイソシアネートの添加が完了した後、反応混合物を室温（２５℃）で２時間、さらに７０℃で６時間撹拌した。その後、テトラヒドロフランを留去して、粗製品を回収した。これを２回減圧蒸留することにより精製した。得られた化合物は、８５℃／１トールの沸点を有していた。精製後の収率は、８０％（１１６ｇ）であった。この化合物を、ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。赤外スペクトルは、１７８０ｃｍ-1（Ｃ＝０）に強い吸収を示し、ＮＭＲスペクトルは、１．１７ｐｐｍ（３Ｈ），３．２５ｐｐｍ（２Ｈ），３．８７ｐｐｍ（２Ｈ），４．０２ｐｐｍ（２Ｈ），４．２９ｐｐｍ（２Ｈ），および５．１１ｐｐｍ（１Ｈ），６．４８（１Ｈ）にシグナルを有しており、分離された化合物が、２−エチル−Ｎ−エチルカルバミン酸エステルビニルエーテルそのものであることが確認された。
【００４４】
合成例７ （２−エチル−Ｎ−メチルカルバミン酸エステルビニルエーテルの合成）
エチルイソシアネートをメチルイソシアネートで変えたほかは、合成例６と同じ方法を繰り返した。粗収率は、７４％であった。沸点は７９℃／１トールであった。ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４５】
合成例８ （２−エチル−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステルビニルエーテルの合成）
エチルイソシアネートをシクロヘキシルイソシアネートで変えたほかは、合成例６と同じ方法を繰り返した。収率は、６６％であった。沸点は１２５℃／１トールであり、化合物は４８℃の融点を有していた。ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４６】
合成例９ （２−エチル−Ｎ−メチルチオカルバミン酸エステルビニルエーテルの合成）
エチルイソシアネートをメチルチオイソシアネートで変えたほかは、合成例６と同じ方法を繰り返した。粗収率は、６０％であった。ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４７】
実施例１ （ポリ｛４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
０．２５モル（３０ｇ）のポリ（４−ヒドロキシスチレン）〔ＰＨＳ〕を、温度計および塩化カルシウム乾燥管を取り付けた５００ｍｌの三つ口フラスコに入れ、３００ｍｌのテトラヒドロフラン中に溶解させる。この溶液に、１．２５ｇの（ピリジニウムｐ−トルエンスルホネート）触媒および０．１２５モル（ＰＨＳに対し０．５モル当量）の上記合成例１で合成された２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルを加え、２５℃で１６時間撹拌した。１６時間後、反応した重合体を、１０リットルの１：９ｖ／ｖメタノール−水混合物中に注ぎ、沈澱させて分離した。重合体沈澱物を、Ｇ１ガラスフィルタでろ過し、超純水で十分に洗浄した。この重合体を２００ｍｌのアセトンに再溶解させ、１０リットルの１：９ｖ／ｖアセトン−水混合物中に注ぎ、再沈澱させた。再沈澱した重合体を、Ｇ１ガラスフィルタでろ過し、超純水で洗浄し、真空（１トール）下、３０℃で、一定重量になるまで乾燥した。この重合体の赤外（ＩＲ）スペクトルは、反応により生成するメタンカルボニル基の存在を示す１７６０ｃｍ-1にピークを示した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（２１．４４％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約１：３の４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位を有するものであることが分かった。
【００４８】
実施例２ （ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて２−エタンカルボニルオキシエチルビニルエーテル（合成例２）を用いるほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（２３．２％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約１：３の４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００４９】
実施例３ （ポリ｛４−〔１−（２−ブタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
０．１２５モルのメタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて０．１モル（ＰＨＳに対し０．４モル当量）の２−ブタンカルボニルオキシエチルビニルエーテル（合成例３）を用いるほかは実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少の結果から、得られた重合体は、モル比で約１：４の４−〔１−（２−ブタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００５０】
実施例４ （ポリ｛４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて２−メタンスルホニルオキシエチルビニルエーテル（合成例４）を用いるほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。この重合体のＩＲスペクトルは、反応により生成するメタンスルホニル基の存在を示す１７８８ｃｍ-1にピークを示した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少の結果から、得られた重合体は、モル比で約１：３の４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位を有するものであることが分かった。
【００５１】
実施例５ （ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレンの合成）
ポリ（４−ヒドロキシスチレン）に代えて９：１のモル比の４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン単位を有するポリ（４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−メチルスチレン）共重合体を、また２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて２−エタンカルボニルオキシエチルビニルエーテル（合成例２）を用いるほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（２６．２％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約３：６：１の４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン単位、４−ヒドロキシスチレン単位および４−メチルスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００５２】
実施例６ （ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレンの合成）
ポリ（４−ヒドロキシスチレン）に代えて９：１のモル比の４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン単位を有するポリ（４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−スチレン共重合体が、また２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて２−エタンカルボニルオキシエチルビニルエーテル（合成例２）を用いるほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少は、２３重量％であった。
【００５３】
実施例７ （ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて、０．１７５モル（ＰＨＳに対し０．７モル当量）の２−エチル−Ｎ−エチルカルバミン酸エステルビニルエーテル（合成例６）が用いられたほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（２５重量％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約２５：７５の４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００５４】
実施例８ （ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて、０．１５モル（ＰＨＳに対し０．５モル当量）の２−エチル−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステルビニルエーテル（合成例８）が用いられたほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（４２重量％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約４２：５８の４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００５５】
実施例９ （レジスト組成例１）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００５６】
この混合物は、１時間以上撹拌され、得られたレジスト溶液は、０．５および０．２μｍのフィルタを通してろ過されて、粒子が除去された。このようにして得られたレジスト溶液は、シリコンウエハ（どの様な半導体基板でも使用可能である）上にスピンコートされ、形成された皮膜は、１３０℃で６０秒間プレベイクされた。コーターの回転速度は，０．７μｍの厚さのレジストフィルムが得られるように調整された。このようにして得られたレジスト被覆シリコンウエハは、ステッパー（ＮＡ＝０．５５，σ＝０．５）に取り付けられたＫｒＦエキシマレーザーにより２４８．４ｎｍの波長の光でマスクをとおし選択的に露光された。露光されたウエハは、ホットプレート上で９０秒間７０℃でベークされ、アルカリ性現像液（２．３８重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムを含有）で現像された。露光域は、現像液に溶解し、ポジパターンが得られた。このパターンは、９０°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．２０μｍであり、露光エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００５７】
実施例１０ （レジスト組成例２）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００５８】
実施例９の塗布、露光および現像法が繰り返された。このパターンは、９０°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．２０μｍであり、露光エネルギーは、４０ｍＪ／ｃｍ2 であった。トリフェニルスルホニウムアセテート放射線感応性塩基を用いたことにより、実施例９に比べ、得られたラインパターンは、露光後ベークまでの時間が２時間までは安定であった。
【００５９】
実施例１１ （レジスト組成例３）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６０】
実施例９の塗布、露光および現像法が繰り返された。このパターンは、９０°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．１９μｍであり、露光エネルギーは、４５ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００６１】
実施例１２ （レジスト組成例４）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６２】
実施例９の塗布、露光および現像法が繰り返された。このパターンは、８８°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．２２μｍであり、露光エネルギーは、４６ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００６３】
実施例１３ （レジスト組成例５）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６４】
実施例９の塗布、露光および現像法が繰り返された。このパターンは、８８°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．２１μｍであり、露光エネルギーは、４２ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００６５】
実施例１４ （レジスト組成例６）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６６】
実施例９の塗布、露光および現像法が繰り返された。このパターンは、９０°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．２０μｍであり、露光エネルギーは、３５ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００６７】
実施例１５ （レジスト組成例７）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６８】
実施例９の塗布、露光および現像法が繰り返された。このパターンは、９０°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．２０μｍであり、露光エネルギーは、４１ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００６９】
実施例１６ （レジスト組成例８）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００７０】
実施例９の塗布、露光および現像法が繰り返された。このパターンは、９０°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．２０μｍであり、露光エネルギーは、４１ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００７１】
実施例１７ （レジスト組成例９）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００７２】
実施例９の塗布、露光および現像法が繰り返された。このパターンは、９０°の側壁角を有し、ラインアンドスペースの解像度は０．２１μｍであり、露光エネルギーは、３０ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００７３】
【効果】
本発明によれば、高感度、高解像度で、レジスト特性に優れ、しかも短波長光での定在波の発生および露光後ベーキングまで時間的経過があったとしてもパターン寸法の変化を生じさせることのない放射線感応性組成物を得ることができる。そして、この放射線感応性組成物は、放射線感応性レジスト、特にＫｒＦエキシマレーザのような遠紫外線の露光による超微細加工ポジ型レジストあるいは放射線感応性複写材料等に好適に利用できる。
【産業上の利用分野】
本発明は、新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体またはその共重合体と、化学的に増幅されたポジ型放射線感応性組成物へのこれらの適用およびこれにより製造された、高エネルギー放射線、特に、１５０−４５０ｎｍの波長範囲の紫外線、電子線およびＸ線に対し感応性であるレジストおよび複写材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子産業分野においては、従来から常に部品の縮小化が図られており、これにより、高解像度、高信頼性およびより良い製造特性を持つ放射線感応性組成物が求められている。電子産業分野においては、従来０．３μｍ以上のパターン設計の集積回路（ＩＣ）を製造するために、感光性組成物としてノボラック樹脂とジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）溶解防止剤から作られたフォトレジストが用いられるとともに、露光光源としてｇ−線（４５６ｎｍ）あるいはｉ−線（３６５ｎｍ）光源が利用されている。このノボラック／ＤＮＱ混合物から成るレジスト材料は、０．３μｍ以上のパターン設計の集積回路を製造するには適したものである。しかし、最近の超−ＬＳＩの製造においてはサブクオーターミクロンの設計基準が要求されており、これに対しては、従来のノボラック／ＤＮＱレジスト材料および光源では対応することができない。サブクオーターミクロンの設計基準の超ＬＳＩの製造における露光光源としては、エキシマレーザー（２４８ｎｍ）またはフィルターにかけられた水銀ランプ（２４０−２５５ｎｍ）により与えられる遠紫外線が最も有望視されている。前記ノボラック樹脂に基づくレジスト材料は、これらの波長を過度に吸収し、またＤＮＱ感光剤を用いない場合には感度が低すぎ、遠紫外線に対する露光には適していない。このため、遠紫外線に適用可能なレジスト材料が強く求められているのである。
【０００３】
前記ノボラック／ＤＮＱシステムに代えて遠紫外線露光に用いることができる有効なレジスト材料として、 Itoらにより発表された化学的に増幅されたレジストが知られている〔H. Ito and C. G. Wilson, Polym. Eng. Sci., 23 巻、1012(1983)〕。このレジスト材料は、基本的にはフェノール性水酸基の一部がｔ−ブチルオキシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）基で保護されたヒドロキシスチレン重合体およびトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩のような光酸発生剤（ＰＡＧ）からなっている。このレジスト材料においては、露光により露出域に酸が生じ、この酸は、露光後に、例えば５０℃以上の温度でベーキング（露光後ベーク工程、ＰＥＢ）を行う際、触媒的にｔ−ブチルオキシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）基を脱保護させ、ヒドロキシスチレンを生成する。露光中に酸が少量でも生じていれば、触媒的な連鎖反応により幾つかのｔ−ブチルオキシカルボニル基を脱保護することができるので、この材料は化学的に増幅されたレジスト（ＣＡＲ）とも呼ばれている。この脱保護化反応が触媒的に作用するため、化学的に増幅されたレジストは遠紫外線露光に対して高感度を満たすのである。
【０００４】
化学的に増幅されたレジスト（ＣＡＲ）に関し、 Itoらが発表したｔ−ブチルオキシカルボニル基に続いて、ポジ型の遠紫外線フォトレジストを得るべく、有機合成で知られている多種、多様の保護基が試みられ、発表されている。これらの中でエーテル類〔(J. V. Crivello, D. A. Conlon and J. L. Lee, Polym. Mater. Sci. Eng., 61,422-426(1989)〕、シリルエーテル類〔M. Murata, E. Kobayashi, Y. Yumoto and T. Miura, J.Photopolym. Sci. Technol. 5, 79-84 (1992)〕、アセタール類〔N. Hayashi, S. S. A. Hesp, T. Ueno, M. Toriumi, T. Iwayanagi, and S. Nonogaki, Polym. Materi. Sci. Eng., 61, 417-421(1989)〕およびケタール類〔C. Mertesdorf, N. Muenzel, H. Holzwarth, P. Falcigno, H.T. Schacht, O. Rohde, R. Schulz., Proceedings SPIE, Vol.2438(1995)〕が、最も用いられているフェノール保護基である。
【０００５】
化学的に増幅されたレジスト（ＣＡＲ）を生成する別の方法は、最近パウロウスキ（Pawlowski ）等により J. Photopolym. Sci. & Tech., Vol. 5, No.1, 55-66(1992) に発表された、ポリヒドロキシスチレン、ポリ−Ｎ−Ｏ−アセタールのような酸感応性溶解防止剤および光酸発生剤（ＰＡＧ）を単に混合することである。
【０００６】
しかしながら、一般的に、上述の保護基を有するポリマーからなるレジスト材料は、１）遠紫外線のような短波長光の露光の際の反射光による干渉に基づく望ましくない定在波の形成、２）露光後の保存中あるいは露光と露光後のベーク（ＰＥＢ）間で時間的間隔があいた場合にパターンの線幅が変化するという問題点を有している。
【０００７】
本発明者らは、意外にも、下記一般式Ｉで示される新規酸感応性基で保護された重合体からなるレジスト材料が、このような欠点を示さないことを見いだし、本発明を完成したのである。これらの重合体およびこれらの重合体を放射線感応性レジスト材料あるいは放射線感応性複写材料に用いることは、本発明以前には知られていなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
それ故、本発明の目的は、下記一般式Ｉで示される酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体、これらの重合体または共重合体を用いた、フォトレジスト、電子部品、厚膜レジスト、平版印刷板等を作成するために適したポジ型の放射線感応性組成物、および特に遠紫外線、電子線、Ｘ線に対し透過性が高く、反射光の影響に基づく定在波を発生させることがなく、かつ露光後ベーキングまで時間的経過があったとしてもパターン寸法の変化を生じさせない高解像度のレジスト材料を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
まず、本発明の新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体は、下記一般式Ｉで示される化学構造を有することを特徴とする。
【００１０】
一般式Ｉ
【００１１】
【化１】
〔式中、
ｍ，ｏは、各々、１以上の整数で、かつｏ／ｍ＋ｏが０．１から０．９を示すものであり、
ｎは、０または１以上の整数で、ｎが１以上の整数である場合には、ｎ／ｍ＋ｎ＋ｏが０．０５から０．５を示すものであり、
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5およびＲ6は、各々、水素または１から６の炭素原子を有するアルキル基を示し、
Ｒ3およびＲ4は、各々、水素、シアノ基、１から６の炭素原子を有するアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、置換アリール基または−ＣＯＯＲ10基であるか、またはＲ3とＲ4とにより、環状基−Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）−または−Ｃ（Ｏ）ＮＲ10Ｃ（Ｏ）−を形成するものを示し、ここにおいてＲ10は、水素原子、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖あるいは環状のアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基または、７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示し、
Ｒ7およびＲ8は、各々、水素原子、塩素、臭素、１から６の炭素原子を有するアルキル基または１から６の炭素原子を有する置換アルキル基を示し、
Ｒ9は、一般式II
−ＣＨ（ＣＨ3）ＯＲ11ＯＸＲ12
（式中、
Ｒ11は、２から６の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖アルキレン基を示し、Ｘは、−Ｃ（Ｏ）−，−Ｃ（Ｏ）Ｏ−，−Ｓ（Ｏ2）−，−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−あるいは−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−基を示し、
Ｒ12は、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基、１から６の炭素原子を有する置換アルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、６から１０の炭素原子を有する置換アリール基または７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示す。）
を示す。〕
更に、本発明の放射線感応性組成物は、本質的な成分として
(a)上記一般式Ｉで示される酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体
(b)活性放射線に露光することにより酸を発生し得る放射線感応性化合物
(c)必要に応じ、パターンの線幅を安定化させるための塩基または活性放射線に露光することにより中性化合物を形成する放射線感応性塩基
(d)必要に応じ、光学的、機械的およびフィルム形成性特性を調整するための添加剤
(e)成分(a)、(b)、(c)および(d)を溶解し、溶液を形成する溶剤
を含んでいる。
【００１３】
この組成物は、水銀ランプ、エキシマレーザー、電子線描画装置またはシンクロトロンのような露光源から発生された紫外線、電子線、Ｘ線ビームへの露光により半導体装置やＩＣのパターンを製造するために有用である。
【００１４】
更に、本発明の組成物は、サブクオーターミクロンの解像度を有する液体レジストや電子部品、厚膜レジスト、平板印刷板等を作成するために適した放射線感応性複写材料として有用である。
【００１５】
したがって、本発明は、更に上記放射線感応性組成物からなる放射線感応性複写材料および放射線感応性レジストを含み、またこの放射線感応性組成物を用い、この放射線感応性組成物により基板上に皮膜を形成し、この皮膜を活性放射線に対し選択的に露光し、その後露光した皮膜をベークし、現像して露光部分の皮膜を除去するポジ画像パターンを形成する方法にも関するものである。
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１６】
（新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体）
まず、本発明の新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体は、上記一般式Ｉで示されるものである。その中でも一般式Ｉ中、
ｍ，ｏは、各々、１以上の整数で、かつｏ／ｍ＋ｏが０．１から０．７を示すものであり、
ｎは、０または１以上の整数で、ｎが１以上の整数である場合には、ｎ／ｍ＋ｎ＋ｏが０．０５から０．５を示すものであり、
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5およびＲ6は、各々、水素または１から３の炭素原子を有するアルキル基を示し、
Ｒ3およびＲ4は、各々、水素、シアノ基、１から３の炭素原子を有するアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、置換アリール基または−ＣＯＯＲ10基であるか、またはＲ3とＲ4とにより、環状基−Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）−または−Ｃ（Ｏ）ＮＲ10Ｃ（Ｏ）−を形成するものを示し、ここにおいてＲ10は、水素原子、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖あるいは環状のアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基または、７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示し、
Ｒ7およびＲ8は、各々、水素原子、塩素、臭素、１から３の炭素原子を有するアルキル基または１から６の炭素原子を有する置換アルキル基を示し、
Ｒ9は、一般式II
−ＣＨ（ＣＨ3）ＯＲ11ＯＸＲ12
（式中、
Ｒ11は、２から６の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖アルキレン基を示し、
Ｘは、−Ｃ（Ｏ）−，−Ｃ（Ｏ）Ｏ−，−Ｓ（Ｏ2）−，−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−または−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−基を示し、
Ｒ12は、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基、１から６の炭素原子を有する置換アルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、６から１０の炭素原子を有する置換アリール基または７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示す。）
で示される重合体または共重合体が好ましい。
【００１７】
更に好ましいものは、一般式Ｉ中
ｍ，ｏは、各々、１以上の整数で、かつｏ／ｍ＋ｏが０．２から０．５を示すものであり、
ｎは、０または１以上の整数で、ｎが１以上の整数である場合には、ｎ／ｍ＋ｎ＋ｏが０．０５から０．５を示すものである。
【００１８】
次に重合体または共重合体の具体例を示すが、本発明は、これらの例に限定されるものではない。
【００１９】
ポリ｛４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−プロパンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−イソプロパンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−ブタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛３−メチル−４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−メチル−４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−フェニルスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−ｐ−クロロフェニルスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛３−メチル−４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／３−メチル−４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−エチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−エチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−エチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛３−メチル−４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／３−メチル−４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛３−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／３−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
ポリ｛３−メチル−４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／３−メチル−４−ヒドロキシスチレン
ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルチオカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
上述のポリマは、リソグラフィー特性に優れ、また適当な熱流動安定性を有するため、特に、高解像度ＩＣレジストの製造に有用である。
【００２０】
本発明の重合体あるいは共重合体の重量平均分子量は、ポリスチレンを標準として用いるゲル浸透クロマトグラフィーによる測定で、２０００から２０００００の間、好ましくは５０００から３００００の間で変わり得る。これら重合体の分子量分布は、レジストの特性を決定するうえで重要な役割を演じており、このため分子量分布の調整が必要である。分子量分布は１から３の間であればよいが、使用目的によってはできる限り１に近い方が望ましい場合もある。
【００２１】
また、遊離の−ＯＨ基に対する酸感応性基のモル比（あるいは、保護度）により、レジスト特性および現像中のレジストの溶解速度が変わる。現像が、２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を含有する界面活性剤不含標準現像剤を用い２３℃で行われる場合、レジストの溶解速度が０から１５０ｎｍ／ｍｉｎの範囲であるべきである。要求される保護度は、酸感応性基の親水性／疎水性特性により変わり得るが、一般的には上述の重合体については１５から７５モル％の間である。例えば、ポリ｛４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン（Ｍｗ＝１５，０００）では、３０モル％である。
【００２２】
（放射線感応性組成物）
ところで、本発明の放射線感応性組成物は、上記したように
(a) 一般式Ｉで示される酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体
(b) 活性放射線に露光することにより酸を発生し得る放射線感応性化合物
(c) 必要に応じ、パターンの線幅を安定化させるための塩基または活性放射線に露光することにより中性化合物を形成する放射線感応性塩基
(d) 必要に応じ、光学的、機械的およびフィルム形成性特性を調整するための添加剤
(e) 成分(a) 、(b) 、(c) および(d) を溶解し、溶液を形成する溶剤
を含んでいる。
【００２３】
（成分（ａ））
上記成分（ａ）は、一般式Ｉで示されるいずれの重合体でもよい。全混合物中の成分（ａ）の割合は、約１０から４０重量％、好ましくは１５から２５重量％である。
【００２４】
（成分（ｂ））
成分（ｂ）は、活性放射線の露光により酸を発生する化合物であれば、いずれの化合物でもよい。以下に示される化合物が好ましいものであるが、ここに示した化合物が、使用できる化合物の全てではない。
【００２５】
好ましい放射線酸発生化合物は、
(i) ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（sec −ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニルエチルスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニルｔ−ブチルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタンのような、ビススルホニルジアゾメタン類、
(ii) メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルメタン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）メタンのような、ビススルホニルメタン類、
(iii) シクロヘキシルスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチルブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、ｐ−トルエンスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（４−メチルフェニルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、フェニルスルホニルフェニルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−フェニルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−（４−メチルフェニルスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２−（４−メチルフェニルスルホニル）シクロヘキシルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−メチルスルホニルイソプロピルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−（４−メチルフェニルスルホニル）ｔ−ブチルアセテートのような、スルホニルカルボニルジアゾメタン類、
(iv) ２−メチル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロピオフェノン、２−シクロヘキシルカルボニル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン、２−メタンスルホニル−２−メチル−４−メチルチオプロピオフェノン、２，４−ジメチル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）ペンタン−３−オンのような、スルホニルカルボニルアルカン類、
(v) ２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，４−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルフェニルスルホネートのような、ニトロベンジルスルホネート類、
(vi) ピロガロールトリスメタンスルホネート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガロールトリスフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−４−メチルフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−４−メトキシフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−２，４，６−トリメチルフェニルスルホネート、ピロガロールトリスベンジルスルホネート、および没食子酸エステル類、カテコール、レゾルシノールあるいはヒドロキノンから誘導された関連化合物のような、アルキルおよびアリールスルホネート類、
(vii) ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレートのような、ベンゾインスルホネート類、
(viii) Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（メタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（エタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トルエンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロフェニル）スルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−（４−メトキシベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−カムフォスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−（カムフォスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（メタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）マレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）マレイミド、Ｎ−（メタンスルホニルオキシ）マレイミド、Ｎ−トリフルオロスルホニルオキシフタルイミジルエーテル、ビストリフルオロメチルビス−Ｎ，Ｎ−トリフルオロメチル−スルホニルオキシフタルイミジルメタンのような、Ｎ−スルホニルオキシイミド類、
(ix) （４−フルオロ−ベンゼンスルホニルオキシ）−３，４，６−トリメチル−２−ピリドン、６−シクロヘキシル−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−３−ニトロピリドン、１−メタンスルホニルオキシ−３，５−ビスメトキシメチル−４，６−ジメチル−２−ピリドン、１−（４−ブロモ−ベンゼンスルホニルオキシ）−４−メチル−６−（４−トリフルオロメチルスチリル）−２−ピリドン、６−（２−アントラセン−９−イル−ビニル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン、１−（４−クロロ−ベンゼンスルホニルオキシ）−４，６−ジフェニル−２−ピリドン、６−（４−クロロスチリル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン、３−シアノ−１−メタンスルホニルオキシ−４，６−ジメチル−２−ピリドン、４−メチル−６−（２，４，５−トリクロロフェニル）−２−ピリドン、１−メタンスルホニルオキシ−４，６−ジメチル−２−ピリドン、１−ベンゼンスルホニルオキシ−６−ブチル−４−メチル−５−ニトロ−２−ピリドン、１−ブタンスルホニルオキシ−４−プロピル−６−ｐ−トリル−２−ピリドン、３−ブロモ−６−（３，４−ジクロロフェニル）−４−メチル−１−（トルエン−４−スルホニルオキシ）−２−ピリドンのような、ピリドン類、
(x) ２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−クロロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−クロロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−（２−フェノキシエトキシ）−ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（４−ビニルフェニル）−エチルナフタレン−２−スルホネート，２，２，２−トリフルオロ−１−フェニル−１−トリフルオロメチルエチルプロパンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−ブトキシベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル３，５−ジクロロベンゼンスルホネート、１，３−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼン、１，４−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼンのような、スルホン酸エステル類、
(xi) トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム４−メチルフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム４−メトキシフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−クロロフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンフォスルホネート、４−メチルフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−メチルフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス−４−メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、メシチルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−クロロフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス−（４−クロロフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス−（４−クロロフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチルフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス（４−メチルフェニル）−フェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリス−４−メチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、４−メトキシフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、メシチル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、４−クロロフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス−（４−クロロフェニル）−フェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリス−（４−クロロフェニル）スルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−４−メチルフェニルスルホネート、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス−（ｐ−シクロヘキシルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス−（ｐ−シクロヘキシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネートのような、オニウム塩類、
等である。
【００２６】
高解像度、深い焦点深度および高い安定性のようなリソグラフで要求される最適の特性を得るための成分（ｂ）の使用量は、例えば、成分（ａ）の化学的および物理的特性、成分（ｂ）の量子収量および吸収パラメーターなどを含む種々の要素により左右される。通常、成分（ｂ）は、成分（ａ）に対し０．１から１０．０重量％で用いられ、好ましい量としては，０．５から５．０重量％である。この成分（ｂ）は、２種以上の光酸発生化合物の混合物であってもよい。
【００２７】
（成分（ｃ））
成分（ｃ）は、放射線感応性塩基あるいは通常の非放射線感応性塩基である。成分（ｃ）は、画像形成レジスト組成にとって必ずしも必要ではないが、これを添加することにより、パターンを形成する際の臨界的な要素のコントロール、特に種々の遅延時間間隔で処理工程が行われてもパターン特性の悪化を抑えることができるために、その添加が好ましいものである。また、成分（ｃ）の添加により、明りょうなコントラストの増大も見られる。成分（ｃ）として適している放射線感応性塩基化合物のうちで特に好ましいものとしては、例えば、トリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムフェノレート、トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムヒドロキシド、トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムアセテート、トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムフェノレート、ジフェニルヨードニウムヒドロキシド、ジフェニルヨードニウムアセテート、ジフェニルヨードニウムフェノレート、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヒドロキシド、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムアセテート、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムフェノレート等がある。
【００２８】
また、成分（ｃ）として特に好ましい非放射線感応性塩基化合物は、例えば、(i) 水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムのような、アンモニウム塩類
(ii)ｎ−ヘキシルアミン、ドデシルアミン、アニリン、ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロウンデカンのような、アミン類
(iii) ３−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、ルチジン、２，６−ジ−ｔ−ブチルピリジンのような、塩基性複素環化合物、等
である。
【００２９】
成分（ｃ）の量は、成分（ｂ）の量と成分（ｂ）の光酸発生能により決定され、通常、成分（ｂ）の１０から１１０モル％の範囲で用いられる。成分（ｃ）の好ましい量は、成分（ｂ）に対し２５から９５モル％である。成分（ｃ）は、２種以上の塩基化合物の混合物でもよい。
【００３０】
（成分（ｄ））
これらに加え、組成物は、成分（ｄ）に包含される、光吸収剤、染料、有機カルボン酸、レベリング剤、安定化剤、低分子量化合物、可塑剤等を含んでもよい。成分（ｄ）は任意成分であり、必要とされる特性に応じ添加すればよい。
【００３１】
（成分（ｅ））
成分（ｅ）としてあげられた溶剤は、成分（ａ），（ｂ），（ｃ）および上記（ｄ）の添加剤を溶解し、均一な皮膜を形成する限りにおいて特には限定されない。
【００３２】
溶剤の具体的な例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルおよびプロプレングリコールモノメチルエーテルのような、グリコールエーテル類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）のような、グリコールエーテルアセテート類、エチルラクテートのような、エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンまたはシクロヘプタノンのような、ケトン類があげられ、トルエンおよびキシレンのような芳香族炭化水素類は、好ましいものではない。ある場合には、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等を使用することもできる。これらの溶剤（ｅ）は、単独または２種以上の混合形態で使用してもよい。
【００３３】
成分（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の全固体含量は、溶剤（ｅ）に対し、１０から５０重量％、好ましくは１５から２５重量％の範囲である。
【００３４】
（活性放射線）
本発明の放射線感応性組成物を露光するための活性放射線としては、ＫｒＦエキシマレーザのような２００から３００ｎｍ範囲の波長の光を放射する光源から放出される短波長紫外線である遠紫外線、または電子線、Ｘ線等を用いることができる。その中でも遠紫外線が最も好ましいものである。
【００３５】
（放射線感応性組成物の用途）
本発明の放射線感応性組成物は、すでに述べたように、サブクオーターミクロンでの画像形成が可能であり、遠紫外線のような短波長光の露光の際の反射光による干渉に基づく望ましくない定在波の形成がなく、また露光後の保存中あるいは露光と露光後のベーク（ＰＥＢ）間に時間的間隔があいた場合においてもパターンの線幅が変化するということがなく、しかも好ましいレジスト特性を有しているため、超ＬＳＩのような集積回路の製造のためのレジストとして特に好ましいものである。またこれ以外にも、電子部品のレジスト、厚膜用レジストあるいは平板印刷板等を作成するための放射線感応性複写材料としても好ましいものである。
【００３６】
（パターンの形成）
本発明の放射線感応性組成物を用いてのパターンの形成を、シリコンウエハ上へのレジストパターンの形成を例にあげて述べると、次のとおりである。まず、本発明の組成物を、シリコンウエハーのような基板上に塗布し、この塗布された基板をホットプレート上で６０から１５０℃で１から３分間加熱してベーキングすることにより、３００−３０００ｎｍの厚さを有する均一な皮膜を形成する。なお、特別な目的に対しては、これより厚いあるいは薄い皮膜として使用することもできる。所望のパターンを形成するために、活性放射線源とレジスト膜との間にマスクを置き、例えばＫｒＦエキシマレーザーから発生される２４８ｎｍの波長、１から１００ｍＪ／ｃｍ2 の量の遠紫外線で露光する。次いで、露光されたウエハーは、ホットプレート上で、５０から１５０℃で１から３分間ベーキングした後、２．３８重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム含有水性溶液のような現像液で、約１から３分間、浸漬、スプレーあるいはスプレー−パドル現像法により現像する。このようにして、本発明の放射線感応性組成物を用いて所望のポジのレジストパターンを得ることができる。
【００３７】
以下、合成例および実施例により本発明を更に詳細に述べるが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００３８】
【合成例および実施例】
合成例１ （２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
温度計、滴下漏斗および撹拌機を取り付けた１リットルの三つ口フラスコに、１モル（８１．０ｇ）のエチレングリコールモノビニルエーテル、１．０５モル（１０６．２６ｇ）のトリエチルアミンおよび３００ｍｌのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を入れる。この混合物を氷浴を用いて１０−１５℃に冷却する。この冷却された溶液に、撹拌しつつ、反応混合物の温度が１５℃以下を維持するように２時間以上をかけて１．０５モル（８４．９３ｇ）のアセチルクロライドを滴下した。１０時間反応後，５００ｍｌのジエチルエーテルと続いて５００ｍｌの脱イオン水を反応混合物に加えた。その後、有機層を３００ｍｌの脱イオン水を用いて３回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用いて２４時間乾燥した。この乾燥された有機層をろ過により分離し、ジエチルエーテルを留出させて、粗生成物を得た。この粗生成物を２度減圧蒸留して精製した。得られた化合物は、１トールで３３−３５℃、２０トールで１１５−１１６℃の沸点を有していた。精製後の収量および収率は、１１０．７ｇおよび９０％であった。この化合物を、赤外（ＩＲ）およびＮＭＲで測定した。赤外スペクトルは、１７４５ｃｍ-1（νc =0）に強い吸収を示し、ＮＭＲスペクトルは、２．１ｐｐｍ（３Ｈ），３．８９ｐｐｍ（２Ｈ），４．０５ｐｐｍ（１Ｈ），４．２２ｐｐｍ（１Ｈ），４．３ｐｐｍ（２Ｈ），６．２５ｐｐｍ（１Ｈ）にシグナルを有しており、分離された化合物が、２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルであることが確認された。
【００３９】
合成例２ （２−エタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
アセチルクロライドをプロピオニルクロライドに変えたほかは、合成例１と同じ方法を繰り返した。収率は６６％であり、精製物は、４５−５０℃／１トールの沸点を有していた。これを、ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４０】
合成例３ （２−ブタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
アセチルクロライドをペンタノイルクロライドに変えたほかは、合成例１と同じ方法を繰り返した。収率は８５％であり、精製物は、９０℃／１トールの沸点を有していた。これを、ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４１】
合成例４ （２−メタンスルホニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
アセチルクロライドをメタンスルホニルクロライドに変えたほかは、合成例１と同じ方法を繰り返した。粗収率は、９５％であった。粗生成物を蒸留により精製しようと試みたが、加熱時発熱分解反応が起こり、精製はうまく行かなかった。このため、精製はシリカゲルを用いてのクロマトグラフィにより行った。精製物は、ＩＲおよびＮＭＲにより確認された。
【００４２】
合成例５ （２−ベンゼンスルホニルオキシエチルビニルエーテルの合成）
アセチルクロライドをベンゼンスルホニルクロライドに変えたほかは、合成例１と同じ方法を繰り返した。粗収率は、９５％であった。精製は合成例４で述べた方法と同じ方法で行った。精製物は、ＩＲおよびＮＭＲにより確認された。
【００４３】
合成例６ （２−エチル−Ｎ−エチルカルバミン酸エステルビニルエーテルの合成）
温度計、滴下漏斗およびマグネチックスターラーを取り付けた１リットルの三つ口フラスコに、１モル（８１．０ｇ）のエチレングリコールモノビニルエーテル、０．２ｇのトリエチルアミンおよび１００ｍｌのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を入れ、この混合物を氷浴を用いて１０−１５℃に冷却した。この冷却された溶液に、反応混合物の温度を２５℃以下に保ち、常に撹拌しつつ、１時間以上をかけて１モル（７１．０８ｇ）のエチルイソシアネートを滴下した。エチルイソシアネートの添加が完了した後、反応混合物を室温（２５℃）で２時間、さらに７０℃で６時間撹拌した。その後、テトラヒドロフランを留去して、粗製品を回収した。これを２回減圧蒸留することにより精製した。得られた化合物は、８５℃／１トールの沸点を有していた。精製後の収率は、８０％（１１６ｇ）であった。この化合物を、ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。赤外スペクトルは、１７８０ｃｍ-1（Ｃ＝０）に強い吸収を示し、ＮＭＲスペクトルは、１．１７ｐｐｍ（３Ｈ），３．２５ｐｐｍ（２Ｈ），３．８７ｐｐｍ（２Ｈ），４．０２ｐｐｍ（２Ｈ），４．２９ｐｐｍ（２Ｈ），および５．１１ｐｐｍ（１Ｈ），６．４８（１Ｈ）にシグナルを有しており、分離された化合物が、２−エチル−Ｎ−エチルカルバミン酸エステルビニルエーテルそのものであることが確認された。
【００４４】
合成例７ （２−エチル−Ｎ−メチルカルバミン酸エステルビニルエーテルの合成）
エチルイソシアネートをメチルイソシアネートで変えたほかは、合成例６と同じ方法を繰り返した。粗収率は、７４％であった。沸点は７９℃／１トールであった。ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４５】
合成例８ （２−エチル−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステルビニルエーテルの合成）
エチルイソシアネートをシクロヘキシルイソシアネートで変えたほかは、合成例６と同じ方法を繰り返した。収率は、６６％であった。沸点は１２５℃／１トールであり、化合物は４８℃の融点を有していた。ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４６】
合成例９ （２−エチル−Ｎ−メチルチオカルバミン酸エステルビニルエーテルの合成）
エチルイソシアネートをメチルチオイソシアネートで変えたほかは、合成例６と同じ方法を繰り返した。粗収率は、６０％であった。ＩＲおよびＮＭＲにより確認した。
【００４７】
実施例１ （ポリ｛４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
０．２５モル（３０ｇ）のポリ（４−ヒドロキシスチレン）〔ＰＨＳ〕を、温度計および塩化カルシウム乾燥管を取り付けた５００ｍｌの三つ口フラスコに入れ、３００ｍｌのテトラヒドロフラン中に溶解させる。この溶液に、１．２５ｇの（ピリジニウムｐ−トルエンスルホネート）触媒および０．１２５モル（ＰＨＳに対し０．５モル当量）の上記合成例１で合成された２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルを加え、２５℃で１６時間撹拌した。１６時間後、反応した重合体を、１０リットルの１：９ｖ／ｖメタノール−水混合物中に注ぎ、沈澱させて分離した。重合体沈澱物を、Ｇ１ガラスフィルタでろ過し、超純水で十分に洗浄した。この重合体を２００ｍｌのアセトンに再溶解させ、１０リットルの１：９ｖ／ｖアセトン−水混合物中に注ぎ、再沈澱させた。再沈澱した重合体を、Ｇ１ガラスフィルタでろ過し、超純水で洗浄し、真空（１トール）下、３０℃で、一定重量になるまで乾燥した。この重合体の赤外（ＩＲ）スペクトルは、反応により生成するメタンカルボニル基の存在を示す１７６０ｃｍ-1にピークを示した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（２１．４４％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約１：３の４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位を有するものであることが分かった。
【００４８】
実施例２ （ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて２−エタンカルボニルオキシエチルビニルエーテル（合成例２）を用いるほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（２３．２％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約１：３の４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００４９】
実施例３ （ポリ｛４−〔１−（２−ブタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
０．１２５モルのメタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて０．１モル（ＰＨＳに対し０．４モル当量）の２−ブタンカルボニルオキシエチルビニルエーテル（合成例３）を用いるほかは実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少の結果から、得られた重合体は、モル比で約１：４の４−〔１−（２−ブタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００５０】
実施例４ （ポリ｛４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて２−メタンスルホニルオキシエチルビニルエーテル（合成例４）を用いるほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。この重合体のＩＲスペクトルは、反応により生成するメタンスルホニル基の存在を示す１７８８ｃｍ-1にピークを示した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少の結果から、得られた重合体は、モル比で約１：３の４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位を有するものであることが分かった。
【００５１】
実施例５ （ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレンの合成）
ポリ（４−ヒドロキシスチレン）に代えて９：１のモル比の４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン単位を有するポリ（４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−４−メチルスチレン）共重合体を、また２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて２−エタンカルボニルオキシエチルビニルエーテル（合成例２）を用いるほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（２６．２％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約３：６：１の４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン単位、４−ヒドロキシスチレン単位および４−メチルスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００５２】
実施例６ （ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレンの合成）
ポリ（４−ヒドロキシスチレン）に代えて９：１のモル比の４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン単位を有するポリ（４−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−スチレン共重合体が、また２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて２−エタンカルボニルオキシエチルビニルエーテル（合成例２）を用いるほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少は、２３重量％であった。
【００５３】
実施例７ （ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて、０．１７５モル（ＰＨＳに対し０．７モル当量）の２−エチル−Ｎ−エチルカルバミン酸エステルビニルエーテル（合成例６）が用いられたほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（２５重量％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約２５：７５の４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００５４】
実施例８ （ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレンの合成）
２−メタンカルボニルオキシエチルビニルエーテルに代えて、０．１５モル（ＰＨＳに対し０．５モル当量）の２−エチル−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステルビニルエーテル（合成例８）が用いられたほかは、実施例１と同じ方法を繰り返した。プロトン−ＮＭＲ並びに窒素雰囲気下、２０℃の加熱速度、１５０℃および３５０℃間で観測された熱重量分析器（ＴＧＡ）での重量減少（４２重量％）の結果から、得られた重合体は、モル比で約４２：５８の４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕スチレン単位と４−ヒドロキシスチレン単位とを有するものであることが分かった。
【００５５】
実施例９ （レジスト組成例１）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００５６】
【００５７】
実施例１０ （レジスト組成例２）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００５８】
【００５９】
実施例１１ （レジスト組成例３）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６０】
【００６１】
実施例１２ （レジスト組成例４）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６２】
【００６３】
実施例１３ （レジスト組成例５）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６４】
【００６５】
実施例１４ （レジスト組成例６）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６６】
【００６７】
実施例１５ （レジスト組成例７）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００６８】
【００６９】
実施例１６ （レジスト組成例８）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００７０】
【００７１】
実施例１７ （レジスト組成例９）
レジスト組成物が、次の組成から製造された。
【００７２】
【００７３】
【効果】
本発明によれば、高感度、高解像度で、レジスト特性に優れ、しかも短波長光での定在波の発生および露光後ベーキングまで時間的経過があったとしてもパターン寸法の変化を生じさせることのない放射線感応性組成物を得ることができる。そして、この放射線感応性組成物は、放射線感応性レジスト、特にＫｒＦエキシマレーザのような遠紫外線の露光による超微細加工ポジ型レジストあるいは放射線感応性複写材料等に好適に利用できる。
Claims (8)
- 下記一般式Ｉで示される、酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体。
一般式Ｉ
ｍ，ｏは、各々、１以上の整数であって、ｏ／ｍ＋ｏが０．１から０．９を示すものであり、
ｎは、０または１以上の整数で、ｎが１以上の整数である場合には、ｎ／ｍ＋ｎ＋ｏが０．０５から０．５を示すものであり、
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5およびＲ6は、各々、水素または１から６の炭素原子を有するアルキル基を示し、
Ｒ3およびＲ4は、各々、水素、シアノ基、１から６の炭素原子を有するアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、置換アリール基または−ＣＯＯＲ10基であるか、またはＲ3とＲ4とにより環状基−Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）−または−Ｃ（Ｏ）ＮＲ10Ｃ（Ｏ）−を形成するものを示し、ここにおいてＲ10は、水素原子、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖あるいは環状のアルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基または７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示し、
Ｒ7およびＲ8は、各々、水素原子、塩素、臭素、１から６の炭素原子を有するアルキル基または１から６の炭素原子を有する置換アルキル基を示し、
Ｒ9は、一般式II
−ＣＨ（ＣＨ3）ＯＲ11ＯＸＲ12
（式中、
Ｒ11は、２から６の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖アルキレン基を示し、Ｘは、−Ｃ（Ｏ）−，−Ｃ（Ｏ）Ｏ−，−Ｓ（Ｏ2）−，−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−あるいは−Ｃ（Ｓ）ＮＨ−基を示し、
Ｒ12は、１から６の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基、１から６の炭素原子を有する置換アルキル基、６から１０の炭素原子を有するアリール基、６から１０の炭素原子を有する置換アリール基または７から１０の炭素原子を有するアルカリール基を示す。）
を示す。〕 - 酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体が、以下に記載のいずれかである十分にまたは部分的に保護された請求項１記載の重合体または共重合体。
(1)ポリ｛４−〔１−（２−メタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
(2)ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
(3)ポリ｛４−〔１−（２−ブタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
(4)ポリ｛４−〔１−（２−メタンスルホニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
(5)ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／４−メチルスチレン
(6)ポリ｛４−〔１−（２−エタンカルボニルオキシエトキシ）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン／スチレン
(7)ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
(8)ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−エチルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
(9)ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−メチルチオカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン
(10)ポリ｛４−〔１−（２−エトキシ−Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸エステル）エトキシ〕｝スチレン／４−ヒドロキシスチレン - 以下の成分(a)から(e)を含む放射線感応性組成物。
(a)請求項１に記載の一般式Ｉで示される酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体または共重合体
(b)活性放射線に露光することにより酸を発生し得る放射線感応性化合物
(c)必要に応じ、パターンの線幅を安定化させるための塩基または活性放射線に露光することにより中性化合物を形成する放射線感応性塩基
(d)必要に応じ、光学的、機械的およびフィルム形成性特性を調整するための添加剤
(e)成分(a)、(b)、(c)および(d)を溶解し、溶液を形成する溶剤 - 請求項３に記載の放射線感応性組成物において、成分(a)が、請求項２に記載の部分的に保護された重合体または共重合体のいずれかであることを特徴とする放射線感応性組成物。
- 請求項３に記載の放射線感応性組成物において、成分(b)が、以下の光酸発生化合物あるいはそれらの誘導体の少なくとも１種以上を含むものであることを特徴とする放射線感応性組成物。
ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン
ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン
ビス（４−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン
ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
フェニルスルホニルフェニルカルボニルジアゾメタン
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート
トリフェニルスルホニウム４−メチルフェニルスルホネート
トリフェニルスルホニウムカンフォスルホネート
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート
ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート
ピロガロールトリスフェニルスルホネート - 請求項３に記載の放射線感応性組成物において、成分(c)が、放射線感応性塩基または通常の非放射線感応性塩基の少なくとも１種であることを特徴とする放射線感応性組成物。
- 請求項３に記載の放射線感応性組成物において、成分(e)が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする放射線感応性組成物。
- 請求項３〜７に記載のいずれかの放射線感応性組成物からなるフォトレジスト。
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|---|---|---|---|---|
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| EP0887707B1 (en) * | 1997-06-24 | 2003-09-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
| US6040119A (en) * | 1998-03-27 | 2000-03-21 | Industrial Technology Research Institute | Elimination of proximity effect in photoresist |
| US6159653A (en) * | 1998-04-14 | 2000-12-12 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Production of acetal derivatized hydroxyl aromatic polymers and their use in radiation sensitive formulations |
| JP3761322B2 (ja) * | 1998-04-23 | 2006-03-29 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型ホトレジスト |
| US6815144B2 (en) | 1998-04-23 | 2004-11-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive-working chemical-amplification photoresist composition |
| KR100287175B1 (ko) * | 1998-05-20 | 2001-09-22 | 윤종용 | 화학 증폭형 포토레지스트의 용해 억제제 및 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물 |
| US7704668B1 (en) * | 1998-08-04 | 2010-04-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions and methods and articles of manufacture comprising same |
| JP3638086B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2005-04-13 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| US6770413B1 (en) * | 1999-01-12 | 2004-08-03 | Shipley Company, L.L.C. | Hydroxyphenyl copolymers and photoresists comprising same |
| TWI277830B (en) * | 1999-01-28 | 2007-04-01 | Sumitomo Chemical Co | Resist composition |
| JP4019403B2 (ja) * | 1999-03-08 | 2007-12-12 | Ｊｓｒ株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
| JP4602496B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2010-12-22 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | ポリビニルフェノール類のアセタール化物及び／又はカーボネート化物の製造方法及び感放射線性樹脂組成物 |
| KR100320773B1 (ko) * | 1999-05-31 | 2002-01-17 | 윤종용 | 포토레지스트 조성물 |
| US6365322B1 (en) * | 1999-12-07 | 2002-04-02 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist composition for deep UV radiation |
| KR100550936B1 (ko) * | 1999-12-08 | 2006-02-13 | 제일모직주식회사 | 히드록시스티렌계 포토레지스트 조성물의 제조방법 및그에 의해 수득된 포토레지스트 조성물 |
| JP4562240B2 (ja) * | 2000-05-10 | 2010-10-13 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感放射線性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP3771815B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2006-04-26 | 東京応化工業株式会社 | 感光性積層体、それに用いるポジ型レジスト組成物及びそれらを用いるレジストパターン形成方法 |
| JP4080784B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2008-04-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用現像液及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びにレジスト用現像原液 |
| US7067227B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Sensitized chemically amplified photoresist for use in photomask fabrication and semiconductor processing |
| DE10243742B4 (de) * | 2002-09-20 | 2007-11-08 | Qimonda Ag | Verfahren zur Strukturierung von Halbleitersubstraten unter Verwendung eines Fotoresists |
| KR100506096B1 (ko) * | 2003-10-27 | 2005-08-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 말단 술폰산기를 포함하는 고분자 및 이를 채용한 고분자전해질과 연료 전지 |
| JP5723829B2 (ja) * | 2011-11-10 | 2015-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、マスクブランクス及びパターン形成方法 |
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Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3846511A (en) * | 1972-09-19 | 1974-11-05 | Phillips Petroleum Co | Resinous adhesives and production thereof |
| US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| US4603101A (en) * | 1985-09-27 | 1986-07-29 | General Electric Company | Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials |
| DE3817012A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| EP0366590B2 (en) * | 1988-10-28 | 2001-03-21 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive positive photoresist compositions |
| DE4025959A1 (de) * | 1990-08-16 | 1992-02-20 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| JP3030672B2 (ja) * | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
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