JP2001339269A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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Abstract
る表面弾性波素子を提供すること。 【解決手段】 ダイヤモンド層3と、ダイヤモンド層3
の上に形成され厚さtzのZnO層4と、ZnO層4の
上に形成され表面弾性波の励振及び受信を行う櫛形電極
5と、櫛形電極5を覆いZnO層4の上に形成され厚さ
tSのSiO2層6を備えており、二次モードの表面弾
性波の波長λとしたときに、kh1=5・2π・(tz
/λ)、kh2=5・2π・(tS/λ)で与えられる
kh1及びkh2が一定の数値範囲で与えられ、励起さ
れる二次モードの表面弾性波の5倍高調波が用いられる
ものである。
Description
む表面弾性波素子に関するものであり、特に、GHz帯
以上の高周波領域においても良好な動作特性を有する表
面弾性波素子に関するものである。
子としては、特開平10−276061号公報に記載さ
れるように、ダイヤモンド層の上にZnO層を形成し、
このZnO層の上に表面弾性波の励振及び受信を行う櫛
形電極を形成し、更に、ZnO層の上に櫛形電極を覆う
ようにしてSiO2層を形成した表面弾性波素子が知ら
れている。
ZnO層の厚さ及びSiO2層の厚さを最適な組み合わ
せとすることにより、良好な伝搬特性、電気機械結合特
性及び周波数温度特性を実現し、更に良好な伝搬損失を
実現しようとするものであり、伝搬速度8000〜12
000m/sにおいて、周波数温度特性が−15〜+1
5ppm/゜Cであり、電気機械結合係数が0.1〜
1.3%を実現している。
た従来の表面弾性波素子にあっては、10GHz程度の
高周波帯に用いようとすると、伝搬速度を10000m
/sの高速なものとしても、櫛形電極の線幅と線間を合
わせて0.5μm程度とし、線幅を0.25μm程度の
細さにする必要がある。このため、量産化には問題があ
る。
伝搬速度が3150m/sであり、到底、高周波帯の表
面弾性波素子には用いることができない。
では電気機械結合係数が小さくなるという問題もある。
例えば、水晶では、基本波で0.1%であるが、5倍波
では0.025%と小さくなる。電気機械結合係数が小
さいと、低損失のフィルタを実現できなくなる。
するためになされたものであって、量産性に適し、高周
波領域で動作特性に優れる表面弾性波素子を提供するこ
とを目的とする。
表面弾性波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層
の上に形成され厚さtzのZnO層と、ZnO層の上に
形成され表面弾性波の励振及び受信を行う櫛形電極と、
櫛形電極を覆いZnO層の上に形成され厚さtSのSi
O2層を備え、二次モードの表面弾性波の基本波の波長
をλとしたときに、kh1=5・2π・(tz/λ)、
kh2=5・2π・(tS/λ)で与えられるkh1及
びkh2が、横軸にkh1、縦軸にkh2を与える二次
元直交座標グラフにおいて、座標(kh1=4.4、k
h2=7.4)で与えられる点Aと、座標(kh1=
5.0、kh2=6.9)で与えられる点Bと、座標
(kh1=5.2、kh2=6.2)で与えられる点C
と、座標(kh1=5.0、kh2=5.6)で与えら
れる点Dと、座標(kh1=4.5、kh2=5.1)
で与えられる点Eと、座標(kh1=4.0、kh2=
4.6)で与えられる点Fと、座標(kh1=3.5、
kh2=4.4)で与えられる点Gと、座標(kh1=
3.0、kh2=4.1)で与えられる点Hと、座標
(kh1=2.8、kh2=4.0)で与えられる点I
と、座標(kh1=2.6、kh2=3.4)で与えら
れる点Jと、座標(kh1=3.0、kh2=3.0)
で与えられる点Kと、座標(kh1=3.5、kh2=
2.9)で与えられる点Lと、座標(kh1=3.5、
kh2=2.0)で与えられる点Mと、座標(kh1=
3.0、kh2=2.0)で与えられる点Nと、座標
(kh1=2.5、kh2=2.0)で与えられる点O
と、座標(kh1=2.0、kh2=2.0)で与えら
れる点Pと、座標(kh1=1.8、kh2=2.6)
で与えられる点Qと、座標(kh1=1.7、kh2=
4.0)で与えられる点Rと、座標(kh1=2.0、
kh2=4.5)で与えられる点Sと、座標(kh1=
2.5、kh2=5.2)で与えられる点Tと、座標
(kh1=3.0、kh2=5.7)で与えられる点U
と、座標(kh1=3.5、kh2=6.1)で与えら
れる点Vと、座標(kh1=4.0、kh2=6.8)
で与えられる点Wと、A点とを順に線分で結ぶ23本の
線分からなる領域ABCDEFGHIJKLMNOPQ
RSTUVWAの23本の線上を含む内部に与えられ、
励起される二次モードの表面弾性波の5倍高調波が用い
られることを特徴とする。
ヤモンド層と、ダイヤモンド層の上に形成され厚さtz
のZnO層と、ZnO層の上に形成され表面弾性波の励
振及び受信を行う櫛形電極と、櫛形電極を覆いZnO層
の上に形成され厚さtSのSiO2層を備え、二次モー
ドの表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、kh
1=5・2π・(tz/λ)、kh2=5・2π・(t
S/λ)で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh
1、縦軸にkh2を与える二次元直交座標グラフにおい
て、座標(kh1=4.4、kh2=6.9)で与えら
れる点Aと、座標(kh1=5.0、kh2=6.4)
で与えられる点Bと、座標(kh1=5.2、kh2=
6.2)で与えられる点Cと、座標(kh1=5.0、
kh2=5.6)で与えられる点Dと、座標(kh1=
4.6、kh2=5.2)で与えられる点Eと、座標
(kh1=4.4、kh2=5.0)で与えられる点F
と、座標(kh1=4.0、kh2=4.6)で与えら
れる点Gと、座標(kh1=3.5、kh2=4.4)
で与えられる点Hと、座標(kh1=3.0、kh2=
4.1)で与えられる点Iと、座標(kh1=2.8、
kh2=4.0)で与えられる点Jと、座標(kh1=
2.6、kh2=3.4)で与えられる点Kと、座標
(kh1=2.8、kh2=3.0)で与えられる点L
と、座標(kh1=3.2、kh2=2.4)で与えら
れる点Mと、座標(kh1=2.7、kh2=2.4)
で与えられる点Nと、座標(kh1=2.2、kh2=
3.0)で与えられる点Oと、座標(kh1=2.2、
kh2=3.5)で与えられる点Pと、座標(kh1=
2.5、kh2=4.7)で与えられる点Qと、座標
(kh1=3.0、kh2=5.2)で与えられる点R
と、座標(kh1=3.5、kh2=5.7)で与えら
れる点Sと、座標(kh1=4.0、kh2=6.3)
で与えられる点Tと、A点とを順に線分で結ぶ、20本
の線分からなる領域ABCDEFGHIJKLMNOP
QRSTAの20本の線上を含む内部に与えられ、励起
される二次モードの表面弾性波の5倍高調波が用いられ
ることを特徴とする。
の表面弾性波の動作中心周波数をf0、表面弾性波の伝
播速度をvとしたときに、伝搬速度vが4500〜65
00m/sであり、櫛形電極の電極ピッチdm+df
が、dm+df=(5・v)/(2・f0)で与えられ
ることを特徴とする。
の櫛形電極の電極線幅が0.5μm以上であり、表面弾
性波の動作中心周波数が5.0〜11.3GHzである
ことを特徴とする。
述の櫛形電極の電極線幅が0.5μm以上であり、表面
弾性波の動作中心周波数が9.5〜10.5GHzであ
ることを特徴とする。
ドの表面弾性波の5倍高調波を用いることにより、高周
波領域で良好な伝播特性、電気機械結合係数、周波数温
度特性を得ることができる。また、櫛形電極の電極部分
の線幅を大きくできるため、量産性の向上が図れる。
の実施形態について説明する。尚、各図において同一要
素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。ま
た、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致して
いない。
断面図を示す。本図に示すように、本実施形態に係る表
面弾性波素子1は、シリコン製の基板2の上にダイヤモ
ンド層3を備えている。ダイヤモンド層3を構成するダ
イヤモンドとしては、天然型ダイヤモンド、合成ダイヤ
モンドのいずれであってもよい。また、単結晶ダイヤモ
ンド、多結晶ダイヤモンド又はアモルファスダイヤモン
ドのいずれを用いてもよい。なお、図1では、シリコン
の基板2上に薄膜としてダイヤモンド層3を形成してい
るが、ダイヤモンド単体を用いてもよい。
ンプレーティング法、PVD、熱フィラメント法など、
あらゆる製造方法を用いてダイヤモンド層を形成するこ
とができる。
形成されている。ZnO層4は、構成するZnOがc軸
配向性ZnOであることが望ましい。ここで、「c軸配
向」であるとは、ZnO膜の(001)面が基板と平行
であるように形成されていることをいう。形成されたZ
nO膜がc軸配向であり、また多結晶であれば、ZnO
の本来有する圧電性を十分に利用した表面弾性波素子を
実現することが可能となる。
れている。櫛形電極5は、表面弾性波の励振及び受信を
行うものである。図2に示すように、櫛形電極5は、例
えば、シングル電極タイプとされ、電極51と電極52
を備えて構成される。
れ、それぞれ他方へ向けて突出する櫛歯状の電極部53
を多数形成している。
df)は、表面弾性波の動作中心周波数をf0、表面弾
性波の伝播速度をvとすると、次の式(1)により与え
られる。
合、電極部53は、その線幅dmを0.5μm以上とし
て形成される。このため、電極部53がある程度の線幅
を有するため、櫛形電極5の製造が容易となり、表面弾
性波素子1の量産が容易となる。
のを示したが、櫛形電極5としては、二本の電極部53
を一組として突出させるダブル電極タイプのものであっ
てもよい。
に反射器電極(グレーティング反射器等)を配置し、入
出力電極間で発生する表面弾性波を反射器電極の間で多
重反射させ定在波を発生させる表面弾性波共振器の構成
をとってもよい。
材料であればよく、加工性等の点からはアルミニウムが
好ましく用いられる。
いた場合、アルミニウム製の櫛型電極5における表面弾
性波の伝播速度の温度変化は、ダイヤモンド層3及びZ
nO層4の温度変化と同符号であり、SiO2層6の温
度変化と異符号である。
うにしてSiO2層6が形成されている。SiO2層6
は、表面弾性波素子1における温度特性を良好にする機
能を有し、また、圧電体及び櫛型電極5に対する保護膜
としても機能し、外部環境からの湿気及び不純物等の影
響を著しく低減させるものである。
は、アモルファスであることが望ましい。また、SiO
2層6の表面弾性波の伝播速度の温度変化は、ダイヤモ
ンド層3及びZnO層4の温度変化と異符号となってい
る。このため、例えば表面弾性波素子1の温度が上昇す
ると、SiO2層6の表面弾性波の伝播速度は増大が、
ダイヤモンド層3及びZnO層4の表面弾性波の伝播速
度は減少する。従って、SiO2層6がダイヤモンド層
3及びZnO層4における伝播速度の温度変化を相殺
し、その結果、表面弾性波素子1の伝播速度が温度変化
に対し安定したものとなる。
の実施例を説明する。
の厚さtzと保護層であるSiO2層6の厚さtSを変
えて表面弾性波素子1を製造し、最適な伝播速度v、電
気機械結合係数K2及び温度周波数特性TCFを与える
ようなZnO層4の厚さtz及びSiO2層6の厚さt
Sの最適化を行った。
は、以下のように製造した。
板上にマイクロ波プラズマCVD法を用いてダイヤモン
ドを50μmまで成膜した後、ダイヤモンド表面をダイ
ヤモンドコート研磨機を用いて膜厚20μmまで研磨し
た。多結晶ダイヤモンドの原料には、CH4をH2で10
0倍に希釈したガスを用いた。
多結晶をArと酸素の混合ガスでスパッタする方法によ
り、ZnO薄膜を形成した。スパッタ条件は、基板温度
400゜C、RFパワー160W、圧力2.7Paとし
た。スパッタの時間を変えることにより、ZnOの膜厚
を変化させることができる。そして、kh1=1.6〜
6.0となるように、ZnO層の膜厚tzを変えたもの
を作製した。
弾性波の波長λに対して相対的に表現するためのパラメ
ータであり、次の式(2)により表されるものである。
る。
より蒸着し、櫛形電極を形成した。櫛形電極は、フォト
リソグラフィー及びエッチングにより、シングル電極構
造の持つさまざまな線幅のものを形成した。
O層の上に非晶質SiO2膜を形成した。非晶質SiO2
膜の形成は、基板温度150゜C、高周波パワー200
W、Ar:O2=1:1の混合ガス、圧力0.01To
rr、ターゲットSiO2の条件の下でスパッタリング
より行った。スパッタの時間を変えることにより、Si
O2の膜厚を変化させることができる。そして、kh2
=2.0〜5.0となるように、SiO2層の膜厚tS
を変えたものを作製した。
面弾性波の波長λに対して相対的に表現するためのパラ
メータであり、次の式(3)により表されるものであ
る。
層4及びSiO2層6の厚さの異なる表面弾性波素子を
製造した。
て、電極51に高周波電力を印加して二次モードの表面
弾性波を励起させ、v=fλM(f:中心周波数)の関
係から、励起された表面弾性波の伝播速度を求めた。
は、ネットワークアナライザ(横河ヒューレットパッカ
ード社製、8791A)を用いて二次モードにおいて測
定された各表面弾性波素子の櫛形電極の放射コンダクタ
ンスの実部Gに基づき、次の式(4)により求めた。
Nは櫛形電極の対の数である。
性波素子をヒーターで加熱し、室温から80゜Cまで変
化させ、10゜Cおきに中心周波数を測定したところ、
直線関係が得られ、この直線の傾きから求めた。
厚さtz及びSiO2層の正確な厚さtSは、上述した
各パラメータを測定した後、表面弾性波素子を切断し、
切断面をSEMで観察することにより求めた。そして、
厚さtz、tSに基づいて、パラメータkh1及びkh
2を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
性波素子について、ZnO層の厚さとSiO2層の厚さ
に対する電気機械結合係数K2の変化を二次元直交座標
グラフとして示したものである。図3のグラフにおい
て、横軸はZnO層の厚さに関するパラメータkh1
(上述の式(2)参照)であり、縦軸はSiO2層の厚
さに関するパラメータkh2(上述の式(3)参照)で
ある。また、グラフの各曲線に付随する数値は、曲線に
対応する電気機械結合係数K2の値である。これらの単
位は%である。
性波素子について、ZnO層の厚さとSiO2層の厚さ
に対する伝播速度vの変化を二次元直交座標グラフとし
て示したものである。図4のグラフにおいて、横軸はZ
nO層の厚さに関するパラメータkh1、縦軸はSiO
2層の厚さに関するパラメータkh2である。また、グ
ラフの各曲線に付随する数値は、曲線に対応する伝播速
度vの値である。伝播速度vの単位は、m/sである。
性波素子について、ZnO層の厚さとSiO2層の厚さ
に対する温度周波数特性TCFの変化を二次元直交座標
グラフとして示したものである。図4のグラフにおい
て、横軸はZnO層の厚さに関するパラメータkh1、
縦軸はSiO2層の厚さに関するパラメータkh2であ
る。また、グラフの各曲線に付随する数値は、曲線に対
応する温度周波数特性TCFの値である。温度周波数特
性TCFの単位は、ppm/゜Cである。
2が0.2〜0.56%を満たし、図4において伝播速
度vが4500m/s以上を満たし、かつ、図5におい
て温度周波数特性TCFが−20〜+20ppm/゜C
を満たすkh1及びkh2の数値範囲を図6に示す。
1、縦軸をkh2とした二次元直交座標グラフである。
本図において、電気機械結合係数K2が0.2〜0.5
6%であり、伝播速度vが4500m/s以上であり、
かつ、温度周波数特性TCFが−20〜+20ppm/
゜Cであるkh1及びkh2の数値は、本図中の点A、
B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、
N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W、Aを順に線
分で結んでなる領域(各線分上を含む)で与えられる。
h2=7.4)で与えられ、点Bは座標(kh1=5.
0、kh2=6.9)で与えられ、点Cは座標(kh1
=5.2、kh2=6.2)で与えられ、点Dは座標
(kh1=5.0、kh2=5.6)で与えられ、点E
は座標(kh1=4.5、kh2=5.1)で与えら
れ、点Fは座標(kh1=4.0、kh2=4.6)で
与えられ、点Gは座標(kh1=3.5、kh2=4.
4)で与えられ、点Hは座標(kh1=3.0、kh2
=4.1)で与えられ、点Iは座標(kh1=2.8、
kh2=4.0)で与えられ、点Jは座標(kh1=
2.6、kh2=3.4)で与えられ、点Kは座標(k
h1=3.0、kh2=3.0)で与えられ、点Lは座
標(kh1=3.5、kh2=2.9)で与えられ、点
Mは座標(kh1=3.5、kh2=2.0)で与えら
れ、点Nは座標(kh1=3.0、kh2=2.0)で
与えられ、点Oは座標(kh1=2.5、kh2=2.
0)で与えられ、点Pは座標(kh1=2.0、kh2
=2.0)で与えられ、点Qは座標(kh1=1.8、
kh2=2.6)で与えられ、点Rは座標(kh1=
1.7、kh2=4.0)で与えられ、点Sは座標(k
h1=2.0、kh2=4.5)で与えられ、点Tは座
標(kh1=2.5、kh2=5.2)で与えられ、点
Uは座標(kh1=3.0、kh2=5.7)で与えら
れ、点Vは座標(kh1=3.5、kh2=6.1)で
与えられ、点Wは座標(kh1=4.0、kh2=6.
8)で与えられる。
性波の5倍高調波を用い、図6に示す点A、B、C、
D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、
P、Q、R、S、T、U、V、W、Aを順に線分で結ん
でなる領域(各線分上を含む)で与えられるkh1及び
kh2の数値をとることにより、電気機械結合係数K2
が0.2〜0.56%であり、伝播速度vが4500m
/s以上であり、かつ、温度周波数特性TCFが−20
〜+20ppm/゜Cである表面弾性波素子が得られ
る。
00〜6500m/sである場合、上述の式(1)によ
り、櫛形電極の電極部の線幅を0.5μm以上として形
成することができる。このため、櫛形電極の製造が容易
となり、表面弾性波素子の量産が容易となる。
m以上とし、表面弾性波の動作中心周波数を5.0〜1
1.3GHzとした場合又は表面弾性波の動作中心周波
数を9.5〜10.5GHzとした場合でも、上述した
電気機械結合係数K2、伝播速度v及び温度周波数特性
TCFの特性が得られる。
は、第一実施例と同様な手法を用い、条件を変更して1
0GHzの中心周波数で動作する表面弾性波素子を製造
した。
kh1が2.0〜6.0となるように表面弾性波素子を
製造した。また、SiO2の膜厚tSを変化させてパラ
メータkh2が2.0〜8.0となるように表面弾性波
素子を製造した。
厚さとSiO2層の厚さに対する電気機械結合係数K2、
伝播速度v及び温度周波数特性TCFの変化を表した二
次元直交座標グラフを作成し、それらの二次元直交座標
グラフに基づいて、電気機械結合係数K2が0.4〜
0.56%を満たし、伝播速度vが4500m/s以上
を満たし、かつ、温度周波数特性TCFが−20〜+2
0ppm/゜Cを満たすkh1及びkh2の数値範囲を
二次元直交座標グラフとして表した。
2である。本図において、電気機械結合係数K2が0.
4〜0.56%であり、伝播速度vが4500m/s以
上であり、かつ、温度周波数特性TCFが−20〜+2
0ppm/゜Cであるkh1及びkh2の数値は、本図
中の点A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、
L、M、N、O、P、Q、R、S、T、Aを順に線分で
結んでなる領域(各線分上を含む)で与えられる。
h2=6.9)で与えられ、点Bは座標(kh1=5.
0、kh2=6.4)で与えられ、点Cは座標(kh1
=5.2、kh2=6.2)で与えられ、点Dは座標
(kh1=5.0、kh2=5.6)で与えられ、点E
は座標(kh1=4.6、kh2=5.2)で与えら
れ、点Fは座標(kh1=4.4、kh2=5.0)で
与えられ、点Gは座標(kh1=4.0、kh2=4.
6)で与えられ、点Hは座標(kh1=3.5、kh2
=4.4)で与えられ、点Iは座標(kh1=3.0、
kh2=4.1)で与えられ、点Jは座標(kh1=
2.8、kh2=4.0)で与えられ、点Kは座標(k
h1=2.6、kh2=3.4)で与えられ、点Lは座
標(kh1=2.8、kh2=3.0)で与えられ、点
Mは座標(kh1=3.2、kh2=2.4)で与えら
れ、点Nは座標(kh1=2.7、kh2=2.4)で
与えられ、点Oは座標(kh1=2.2、kh2=3.
0)で与えられ、点Pは座標(kh1=2.2、kh2
=3.5)で与えられ、点Qは座標(kh1=2.5、
kh2=4.7)で与えられ、点Rは座標(kh1=
3.0、kh2=5.2)で与えられ、点Sは座標(k
h1=3.5、kh2=5.7)で与えられ、点Tは座
標(kh1=4.0、kh2=6.3)で与えられる。
E、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、
Q、R、S、T、Aを順に線分で結んでなる領域(各線
分上を含む)で与えられるkh1及びkh2の数値をと
ることにより、電気機械結合係数K2が0.4〜0.5
6%であり、伝播速度vが4500m/s以上であり、
かつ、温度周波数特性TCFが−20〜+20ppm/
゜Cである表面弾性波素子が得られる。
00〜6500m/sである場合、上述の式(1)によ
り、櫛形電極の電極部の線幅を0.5μm以上として形
成することができる。このため、櫛形電極の製造が容易
となり、表面弾性波素子の量産が容易となる。
m以上とし、表面弾性波の動作中心周波数を5.0〜1
1.3GHzとした場合又は表面弾性波の動作中心周波
数を9.5〜10.5GHzとした場合でも、上述した
電気機械結合係数K2、伝播速度v及び温度周波数特性
TCFの特性が得られる。
起する二次モードの表面弾性波の5倍高調波を用いるこ
とにより、高周波領域で良好な伝播特性、電気機械結合
係数、周波数温度特性を得ることができる。
できるため、量産性の向上が図れる。
図である。
図である。
機械結合係数の説明図である。
特性の説明図である。
周波数特性の説明図である。
メータkh1及びkh2の説明図である。
メータkh1及びkh2の説明図である。
4…ZnO層、5…櫛形電極、6…SiO2層。
Claims (5)
- 【請求項1】 ダイヤモンド層と、 前記ダイヤモンド層の上に形成され厚さtzのZnO層
と、 前記ZnO層の上に形成され表面弾性波の励振及び受信
を行う櫛形電極と、 前記櫛形電極を覆い前記ZnO層の上に形成され厚さt
SのSiO2層と、を備え、 二次モードの前記表面弾性波の基本波の波長をλとした
ときに、kh1=5・2π・(tz/λ)、kh2=5
・2π・(tS/λ)で与えられる前記kh1及び前記
kh2が、横軸に前記kh1、縦軸に前記kh2を与え
る二次元直交座標グラフにおいて、座標(kh1=4.
4、kh2=7.4)で与えられる点Aと、座標(kh
1=5.0、kh2=6.9)で与えられる点Bと、座
標(kh1=5.2、kh2=6.2)で与えられる点
Cと、座標(kh1=5.0、kh2=5.6)で与え
られる点Dと、座標(kh1=4.5、kh2=5.
1)で与えられる点Eと、座標(kh1=4.0、kh
2=4.6)で与えられる点Fと、座標(kh1=3.
5、kh2=4.4)で与えられる点Gと、座標(kh
1=3.0、kh2=4.1)で与えられる点Hと、座
標(kh1=2.8、kh2=4.0)で与えられる点
Iと、座標(kh1=2.6、kh2=3.4)で与え
られる点Jと、座標(kh1=3.0、kh2=3.
0)で与えられる点Kと、座標(kh1=3.5、kh
2=2.9)で与えられる点Lと、座標(kh1=3.
5、kh2=2.0)で与えられる点Mと、座標(kh
1=3.0、kh2=2.0)で与えられる点Nと、座
標(kh1=2.5、kh2=2.0)で与えられる点
Oと、座標(kh1=2.0、kh2=2.0)で与え
られる点Pと、座標(kh1=1.8、kh2=2.
6)で与えられる点Qと、座標(kh1=1.7、kh
2=4.0)で与えられる点Rと、座標(kh1=2.
0、kh2=4.5)で与えられる点Sと、座標(kh
1=2.5、kh2=5.2)で与えられる点Tと、座
標(kh1=3.0、kh2=5.7)で与えられる点
Uと、座標(kh1=3.5、kh2=6.1)で与え
られる点Vと、座標(kh1=4.0、kh2=6.
8)で与えられる点Wと、前記A点とを順に線分で結
ぶ、23本の線分からなる領域ABCDEFGHIJK
LMNOPQRSTUVWAの前記23本の線上を含む
内部に与えられ、 励起される前記二次モードの表面弾性波の5倍高調波が
用いられること、を特徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項2】 ダイヤモンド層と、 前記ダイヤモンド層の上に形成され厚さtzのZnO層
と、 前記ZnO層の上に形成され表面弾性波の励振及び受信
を行う櫛形電極と、 前記櫛形電極を覆い前記ZnO層の上に形成され厚さt
SのSiO2層と、を備え、 二次モードの前記表面弾性波の基本波の波長をλとした
ときに、kh1=5・2π・(tz/λ)、kh2=5
・2π・(tS/λ)で与えられる前記kh1及び前記
kh2が、横軸に前記kh1、縦軸に前記kh2を与え
る二次元直交座標グラフにおいて、座標(kh1=4.
4、kh2=6.9)で与えられる点Aと、座標(kh
1=5.0、kh2=6.4)で与えられる点Bと、座
標(kh1=5.2、kh2=6.2)で与えられる点
Cと、座標(kh1=5.0、kh2=5.6)で与え
られる点Dと、座標(kh1=4.6、kh2=5.
2)で与えられる点Eと、座標(kh1=4.4、kh
2=5.0)で与えられる点Fと、座標(kh1=4.
0、kh2=4.6)で与えられる点Gと、座標(kh
1=3.5、kh2=4.4)で与えられる点Hと、座
標(kh1=3.0、kh2=4.1)で与えられる点
Iと、座標(kh1=2.8、kh2=4.0)で与え
られる点Jと、座標(kh1=2.6、kh2=3.
4)で与えられる点Kと、座標(kh1=2.8、kh
2=3.0)で与えられる点Lと、座標(kh1=3.
2、kh2=2.4)で与えられる点Mと、座標(kh
1=2.7、kh2=2.4)で与えられる点Nと、座
標(kh1=2.2、kh2=3.0)で与えられる点
Oと、座標(kh1=2.2、kh2=3.5)で与え
られる点Pと、座標(kh1=2.5、kh2=4.
7)で与えられる点Qと、座標(kh1=3.0、kh
2=5.2)で与えられる点Rと、座標(kh1=3.
5、kh2=5.7)で与えられる点Sと、座標(kh
1=4.0、kh2=6.3)で与えられる点Tと、前
記A点とを順に線分で結ぶ、20本の線分からなる領域
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTAの前記2
0本の線上を含む内部に与えられ、 励起される前記二次モードの表面弾性波の5倍高調波が
用いられること、を特徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項3】 前記表面弾性波の動作中心周波数をf
0、前記表面弾性波の伝播速度をvとしたときに、 前記伝搬速度vが4500〜6500m/sであり、 前記櫛形電極の電極ピッチが、dm+df=(5・v)
/(2・f0)で与えられること、を特徴とする請求項
1又は2に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項4】 前記櫛形電極の電極線幅が0.5μm以
上であり、 前記表面弾性波の動作中心周波数が5.0〜11.3G
Hzであること、を特徴とする請求項1又は2に記載の
表面弾性波素子。 - 【請求項5】 前記櫛形電極の電極線幅が0.5μm以
上であり、 前記表面弾性波の動作中心周波数が9.5〜10.5G
Hzであること、を特徴とする請求項1又は2に記載の
表面弾性波素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (3)
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JP2000-85055 | 2000-03-24 | ||
JP2000085055 | 2000-03-24 | ||
JP2001081031A JP3365505B2 (ja) | 2000-03-24 | 2001-03-21 | 表面弾性波素子 |
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JP2001339269A true JP2001339269A (ja) | 2001-12-07 |
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---|---|---|---|---|
JP2008244523A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子および電子機器 |
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- 2001-03-21 JP JP2001081031A patent/JP3365505B2/ja not_active Expired - Fee Related
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