JPH08222565A

JPH08222565A - 電子回路基板の金属膜形成方法及びその装置並びにその配線修正方法

Info

Publication number: JPH08222565A
Application number: JP2687295A
Authority: JP
Inventors: Mikio Hongo; 幹雄本郷; Katsuro Mizukoshi; 克郎水越; Atsukimi Takada; 敦仁高田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-02-15
Filing date: 1995-02-15
Publication date: 1996-08-30
Anticipated expiration: 2017-11-18
Also published as: JP3345524B2

Abstract

(57)【要約】【目的】電子回路基板上に形成された配線の断線欠陥
を、簡便な修正ヘッドにより高精度かつ安全に修正す
る。【構成】内部にノズルと対物レンズを備え、被修正基板
と対向する面に溝を有し、レーザ光を透過するための窓
を有するカップ状の修正ヘッド内に、ノズルを介してキ
ャリガスとＣＶＤ材料ガスの混合ガスを供給しつつ、上
記溝に大気の混入とＣＶＤ材料ガスの漏洩を防止するた
めの流体を流した状態で、レーザ光を照射してＣＶＤ材
料ガスを分解し、断線部分に金属膜を形成して修正す
る。【効果】構造が簡便であり複雑な制御を必要とせず、高
精度でかつ安全に電子回路基板の排せんの断線欠陥を修
正することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子、半導体
集積回路等の大形の電子回路基板を収納できる大きな真
空チャンバを用いないで上記大形の電子回路基板へＣＶ
Ｄ（ChemicalVapor Deposition）法（化学気相成長法）
により金属膜を形成する電子回路基板の金属膜形成方法
及びその装置、特に上記大型の電子回路基板上において
配線の一部が欠落した断線欠陥等について修正する電子
回路基板の配線修正方法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】上記大形の電子回路基板を収納できる大
きな真空チャンバを用いないで大形の電子回路基板へＣ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法（化学気相成長
法）により金属膜を形成する第１の従来技術としては、
特開平３−８４２８号公報に記載されているように、真
空チャンバを使わずに特殊な機構で部分的に真空雰囲気
を作ってレーザＣＶＤにより加工物表面に反応生成物
（金属成分）を堆積させることが知られている。即ち、
この第１の従来技術には、加工物表面に複数本の同心円
を描く溝とエネルギビームを通す中心孔が形成された真
空本体を対向させて近接させ、差圧真空排気により反応
生成物を堆積する部分の周辺のみに差圧真空排気室を形
成し、そこに光分解反応又は熱分解反応するガス混合物
を所定の溝に供給して、エネルギビーム放射路の中で反
応さることにより、所定の反応生成物を堆積させるもの
である。

【０００３】また第２の従来技術としては、特開平６−
２０７２７６号公報に記載されているように、材料ガス
をキャリアガスとともに供給して大気中でレーザＣＶＤ
により成膜対象物に金属膜を形成することが知られてい
る。即ち、この第２の従来技術においては、上端開口に
ウインドで覆われた通孔が形成されたノズル体にソース
ガスを供給し、レーザ光を照射して局所的な熱分解によ
り金属膜を形成する際、ノズル体を加熱したフードで覆
ってソースガスが付着するのを防ぐことで成膜対象物に
塵埃が付着するのを防ぐものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１及び第２の従来技術には、液晶表示素子、半導体集積
回路等の大形の電子回路基板の表面上に部分的に、容易
にシール可能なほぼ大気圧と同じ圧力でキャリアガスと
ＣＶＤ材料ガスと混合ガスの雰囲気を形成して、微細な
レーザ光束を投影することによって、部分的な表面上に
微細な金属薄膜をＣＶＤ反応によって析出させようとす
る課題について考慮されていなかった。

【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、液晶表示素子、半導体集積回路等の大形の電
子回路基板の表面上に部分的に、容易にシール可能なほ
ぼ大気圧と同じ圧力でキャリアガスとＣＶＤ材料ガスと
混合ガスの雰囲気を形成して、部分的な表面上に微細な
金属薄膜をＣＶＤ反応によって析出させることができる
ようにした電子回路基板の金属膜形成方法及びその装置
を提供することにある。本発明の他の目的は、液晶表示
素子、半導体集積回路等の大形の電子回路基板の表面上
に部分的に、容易にシール可能なほぼ大気圧と同じ圧力
でキャリアガスとＣＶＤ材料ガスと混合ガスの雰囲気を
形成して、前記電子回路基板の表面上を高解像度で観察
し、部分的な表面上に微細な金属薄膜をＣＶＤ反応によ
って析出させることができるようにした電子回路基板の
金属膜形成方法及びその装置を提供することにある。本
発明の他の目的は、液晶表示素子、半導体集積回路等の
大形の電子回路基板の表面上に部分的に、容易にシール
可能なほぼ大気圧と同じ圧力でキャリアガスとＣＶＤ材
料ガスと混合ガスの雰囲気を形成して、修正部分を高解
像度で観察し、この観察された修正部分に微細な金属薄
膜をＣＶＤ反応によって析出させて配線間を接続修正す
ることができるようにした電子回路基板の配線修正方法
及びその装置を提供することにある。本発明の他の目的
は、液晶表示素子、半導体集積回路等の大形の電子回路
基板の表面上に部分的に、容易にシール可能なほぼ大気
圧と同じ圧力でキャリアガスとＣＶＤ材料ガスと混合ガ
スの雰囲気を形成して、断線欠陥部分に微細な金属薄膜
をＣＶＤ反応によって析出させて配線間を接続修正する
ことと短絡欠陥または余剰欠陥を除去することとができ
るようにした電子回路基板の配線修正方法及びその装置
を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、混合ガス室（ヘッド容器）の開放端とス
テージ上に載置された電子回路基板の表面との間に形成
される微小間隙に存在する流体によって前記混合ガス室
の内部を前記混合ガス室の外部とシールさせた状態で、
前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣＶＤ材料ガス
を混合させた混合ガスを供給し、レーザ光を前記混合ガ
ス室の透過部分を通して前記混合ガス室の開放端に存在
する電子回路基板の表面の所望の箇所に集光して照射し
て前記供給された混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスの
ＣＶＤ反応により金属膜を析出させることを特徴とする
電子回路基板の金属膜形成方法である。

【０００７】また本発明は、混合ガス室（ヘッド容器）
の開放端とステージ上に載置された電子回路基板の表面
との間に形成される微小間隙に存在する流体によって前
記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部とシールさ
せた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣ
ＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、前記微小
間隙を通して前記混合ガス室の外部の雰囲気に漏れた混
合ガスを排気し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分
を通して前記混合ガス室の開放端に存在する電子回路基
板の表面の所望の箇所に集光して照射して前記供給され
た混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応によ
り金属膜を析出させることを特徴とする電子回路基板の
金属膜形成方法である。

【０００８】また本発明は、混合ガス室（ヘッド容器）
の開放端とステージ上に載置された電子回路基板の表面
との間に形成される微小間隙に存在する流体によって前
記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部とシールさ
せた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣ
ＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、ＣＶＤ用
レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を通して前記混合
ガス室の開放端に存在する電子回路基板の表面の所望の
箇所に集光して照射して前記供給された混合ガスに含ま
れるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属膜を析出さ
せる金属膜成膜工程と、前記混合ガス室に設置された透
過窓を通して除去用のパルスレーザ光を前記混合ガス室
の開放端に存在する電子回路基板の表面の余剰の金属膜
に対して集光して照射して余剰の金属膜を除去する金属
膜除去工程とを有することを特徴とする電子回路基板の
金属膜形成方法である。また本発明は、前記電子回路基
板の金属膜形成方法において、前記混合ガス室内に前記
混合ガスを供給する際、前記金属膜を析出する部分へノ
ズルによって局所的に前記混合ガスを供給することを特
徴とする。また本発明は、前記電子回路基板の金属膜形
成方法において、前記混合ガス室のガス圧力を、大気圧
より約８０Ｔｏｒｒ（約１０６６４Ｐａ）以下（約７６
０〜６８０Ｔｏｒｒ）に減圧されていることを特徴とす
る。また本発明は、前記電子回路基板の金属膜形成方法
において、ＣＶＤ反応により金属膜を析出させる際、電
子回路基板上に集光照射されるレーザ光のスポット径を
４μｍφ以下（ガウス分布）又はレーザ光の矩形開口投
影１０μｍ×１０μｍ以下で、パワー密度を１×１０⁵
〜２×１０⁶Ｗ／ｃｍ²とすることを特徴とする。

【０００９】また本発明は、混合ガス室（ヘッド容器）
の開放端とステージ上に載置された電子回路基板の表面
との間に形成される微小間隙に存在する流体によって前
記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部とシールさ
せた状態で、前記混合ガス室内にキャリアガスにＣＶＤ
材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、レーザ光を前
記混合ガス室の透過部分を通して前記混合ガス室の開放
端に存在する電子回路基板の表面上の配線の断線箇所に
集光して照射して前記供給された混合ガスに含まれるＣ
ＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出させて
配線間を接続することを特徴とする電子回路基板の配線
修正方法である。また本発明は、混合ガス室（ヘッド容
器）の開放端とステージ上に載置された電子回路基板の
表面との間に形成される微小間隙にキャリアガスからな
るシールガスを供給して流すことによって前記混合ガス
室の内部を前記混合ガス室の外部とシールさせた状態
で、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣＶＤ材料
ガスを混合させた混合ガスを供給し、前記微小間隙を通
して前記混合ガス室の外部の雰囲気に漏れた混合ガスを
排気し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を通して
前記混合ガス室の開放端に存在する電子回路基板の表面
上の配線の断線箇所に集光して照射して前記供給された
混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により
金属薄膜を析出させて配線間を接続することを特徴とす
る電子回路基板の配線修正方法である。

【００１０】また本発明は、混合ガス室（ヘッド容器）
の開放端とステージ上に載置された電子回路基板の表面
との間に形成される微小間隙に存在する流体によって前
記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部とシールさ
せた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣ
ＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、レーザ光
を前記混合ガス室の透過部分を通して前記混合ガス室の
開放端に存在する電子回路基板の表面上の配線の断線箇
所に集光して照射して前記供給された混合ガスに含まれ
るＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出さ
せて配線間を接続する接続工程と、前記混合ガス室の透
過部分を通して除去用のパルスレーザ光を前記混合ガス
室の開放端に存在する電子回路基板の表面上の配線の断
線箇所又は配線の短絡箇所に対して集光して照射して余
剰の金属膜を除去する除去工程とを有することを特徴と
する電子回路基板の配線修正方法である。

【００１１】また本発明は、混合ガス室（ヘッド容器）
の開放端とステージ上に載置された電子回路基板の表面
との間に形成される微小間隙に存在する流体によって前
記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部とシールさ
せた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣ
ＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、レーザ光
を前記混合ガス室に設置された対物レンズを通して前記
混合ガス室の開放端に存在する電子回路基板の表面上の
配線の断線箇所に集光して照射して前記供給された混合
ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属
薄膜を析出させて配線間を接続することを特徴とする電
子回路基板の配線修正方法である。また本発明は、混合
ガス室の開放端とステージ上に載置された電子回路基板
の表面との間に形成される微小間隙にキャリアガスから
なるシールガスを供給して流すことによって前記混合ガ
ス室の内部を前記混合ガス室の外部とシールさせた状態
で、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣＶＤ材料
ガスを混合させた混合ガスを供給し、前記微小間隙を通
して前記混合ガス室の外部の雰囲気に漏れた混合ガスを
排気し、レーザ光を前記混合ガス室に設置された対物レ
ンズを通して前記混合ガス室の開放端に存在する電子回
路基板の表面上の配線の断線箇所に集光して照射して前
記供給された混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶ
Ｄ反応により金属薄膜を析出させて配線間を接続するこ
とを特徴とする電子回路基板の配線修正方法である。

【００１２】また本発明は、前記電子回路基板の配線修
正方法において、前記混合ガス室内に前記混合ガスを供
給する際、前記金属膜を析出する部分へノズルによって
局所的に前記混合ガスを供給することを特徴とする。ま
た本発明は、前記電子回路基板の配線修正方法におい
て、前記混合ガス室のガス圧力を、大気圧より約８０Ｔ
ｏｒｒ（約１０６６４Ｐａ）以下（約７６０〜６８０Ｔ
ｏｒｒ）に減圧されていることを特徴とする。また本発
明は、前記電子回路基板の配線修正方法において、ＣＶ
Ｄ反応により金属膜を析出させる際、電子回路基板上に
集光照射されるレーザ光のスポット径を４μｍφ以下
（ガウス分布）又はレーザ光の矩形開口投影１０μｍ×
１０μｍ以下で、パワー密度を１×１０⁵〜２×１０⁶Ｗ
／ｃｍ²とすることを特徴とする。また本発明は、混合
ガス室の開放端とステージ上に載置されたＴＦＴ基板の
表面との間に形成される微小間隙に存在する流体によっ
て前記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部とシー
ルさせた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリアガス
にＣＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、レー
ザ光を前記混合ガス室の透過部分を通して前記混合ガス
室の開放端に存在するＴＦＴ基板の表面上の少なくとも
ドレイン配線の断線箇所に集光して照射して前記供給さ
れた混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応に
より金属薄膜を析出させて隣接した画素電極と離間させ
てドレイン配線間を接続することを特徴とするＴＦＴ基
板の配線修正方法である。

【００１３】また本発明は、前記ＴＦＴ基板の配線修正
方法において、前記ＣＶＤ材料ガスは、金属カルボニル
材料ガスであることを特徴とする。また本発明は、混合
ガス室の開放端とステージ上に載置されたＴＦＴ基板の
表面との間に形成される微小間隙に存在する流体によっ
て前記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部とシー
ルさせた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリアガス
にＭｏ（ＣＯ）₆材料ガスを混合させた混合ガスを供給
し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を通して前記
混合ガス室の開放端に存在するＴＦＴ基板の表面上の少
なくともドレイン配線の断線箇所に集光して照射して前
記供給された混合ガスに含まれるＭｏ（ＣＯ）₆材料ガ
スのＣＶＤ反応によりＭｏ薄膜を析出させて隣接した画
素電極と離間させてドレイン配線間を接続することを特
徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法である。

【００１４】また本発明は、電子回路基板を載置して、
基台上に少なくともＸ，Ｙ軸方向に移動可能に設置され
たステージと、前記ステージ上に載置された電子回路基
板の表面との間において形成される微小間隙に流体を存
在させることによって内部を外部に対してシールさせる
開放端を有し、対物レンズを出射端が直接内部に露出す
るようにほぼ中央に設置した混合ガス室と、該混合ガス
室に接続され、前記混合ガス室の内部にキャリアガスに
ＣＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給する混合ガ
ス供給手段と、前記混合ガス室に接続され、前記混合ガ
ス室の内部の気体を排気する第１の排気手段と、前記微
小間隙を通して前記混合ガス室の外部に漏れた混合ガス
を排気する第２の排気手段と、前記ステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面からの光を前記対物レンズを通
して得て電子回路基板の表面を観察する観察光学系と、
レーザ光を出射するレーザ光源と、該レーザ光源から出
射されたレーザ光を前記対物レンズを通して前記ステー
ジ上に載置された電子回路基板の表面に集光照射して、
前記混合ガス室の内部に供給された混合ガスに含まれる
ＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出させ
るレーザ光照射光学系とを備えたことを特徴とする電子
回路基板の金属膜形成装置である。

【００１５】また本発明は、電子回路基板を載置して、
基台上に少なくともＸ，Ｙ軸方向に移動可能に設置され
たステージと、前記ステージ上に載置された電子回路基
板の表面との間において形成される微小間隙にキャリア
ガスを流すことによって内部を外部に対してシールさせ
る開放端を有し、対物レンズを出射端が直接内部に露出
するようにほぼ中央に設置した混合ガス室と、該混合ガ
ス室に接続され、前記混合ガス室の内部にキャリアガス
にＣＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給する混合
ガス供給手段と、前記混合ガス室に接続され、前記混合
ガス室の内部の気体を排気する第１の排気手段と、前記
微小間隙を通して前記混合ガス室の外部に漏れた混合ガ
スを排気する第２の排気手段と、前記ステージ上に載置
された電子回路基板の表面からの光を前記対物レンズを
通して得て電子回路基板の表面を観察する観察光学系
と、レーザ光を出射するレーザ光源と、該レーザ光源か
ら出射されたレーザ光を前記対物レンズを通して前記ス
テージ上に載置された電子回路基板の表面に集光照射し
て、前記混合ガス室の内部に供給された混合ガスに含ま
れるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出
させるレーザ光照射光学系とを備えたことを特徴とする
電子回路基板の金属膜形成装置である。

【００１６】また本発明は、電子回路基板を載置して、
基台上に少なくともＸ，Ｙ軸方向に移動可能に設置され
たステージと、前記ステージ上に載置された電子回路基
板の表面との間において形成される微小間隙に流体を存
在させることによって内部を外部に対してシールさせる
開放端を有し、対物レンズを出射端が直接内部に露出す
るようにほぼ中央に設置した混合ガス室と、該混合ガス
室に接続され、前記混合ガス室の内部にキャリアガスに
ＣＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給する混合ガ
ス供給手段と、前記混合ガス室に接続され、前記混合ガ
ス室の内部の気体を排気する第１の排気手段と、前記微
小間隙を通して前記混合ガス室の外部に漏れた混合ガス
を排気する第２の排気手段と、前記ステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面からの光を前記対物レンズを通
して得て電子回路基板の表面を観察する観察光学系と、
ＣＶＤ用レーザ光を出射するＣＶＤ用レーザ光源と、除
去加工用パルスレーザ光を出射する除去加工用レーザ光
源と、該ＣＶＤ用レーザ光源から出射されたＣＶＤ用レ
ーザ光を前記対物レンズを通して前記ステージ上に載置
された電子回路基板の表面に集光照射して前記混合ガス
室の内部に供給された混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガ
スのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出させ、前記除去加
工用レーザ光源から出射された除去加工用パルスレーザ
光を前記対物レンズを通して前記ステージ上に載置され
た電子回路基板の表面に集光照射して金属薄膜に対して
除去加工を施すレーザ光照射光学系とを備えたことを特
徴とする電子回路基板の金属膜形成装置である。

【００１７】また本発明は、電子回路基板を載置して、
基台上に少なくともＸ，Ｙ軸方向に移動可能に設置され
たステージと、前記ステージ上に載置された電子回路基
板の表面との間において形成される微小間隙に流体を存
在させることによって内部を外部に対してシールさせる
開放端を有し、透過部分を出射端が直接内部に露出する
ようにほぼ中央に設置した混合ガス室と、該混合ガス室
に接続され、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣ
ＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給する混合ガス
供給手段と、前記混合ガス室に接続され、前記混合ガス
室の内部の気体を排気する第１の排気手段と、前記微小
間隙を通して前記混合ガス室の外部に漏れた混合ガスを
排気する第２の排気手段と、前記ステージ上に載置され
た電子回路基板の表面からの光を前記混合ガス室に設置
された透過部分を通して得て電子回路基板の表面を観察
する観察光学系と、ＣＶＤ用レーザ光を出射するＣＶＤ
用レーザ光源と、除去加工用パルスレーザ光を出射する
除去加工用レーザ光源と、該ＣＶＤ用レーザ光源から出
射されたＣＶＤ用レーザ光を前記透過部分を通して前記
ステージ上に載置された電子回路基板の表面に集光照射
して前記混合ガス室の内部に供給された混合ガスに含ま
れるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出
させ、前記除去加工用レーザ光源から出射された除去加
工用パルスレーザ光を前記透過部分を通して前記ステー
ジ上に載置された電子回路基板の表面に集光照射して金
属薄膜に対して除去加工を施すレーザ光照射光学系とを
備えたことを特徴とする電子回路基板の金属膜形成装置
である。

【００１８】また本発明は、前記電子回路基板の金属膜
形成装置において、前記混合ガス室のガス圧力を、大気
圧より約８０Ｔｏｒｒ（約１０６６４Ｐａ）以下（約７
６０〜６８０Ｔｏｒｒ）に減圧するように制御すること
を特徴とする。また本発明は、前記電子回路基板の金属
膜形成装置において、前記対物レンズのＮＡ（Numerica
l Aperture）を０．３５以上で、且つ倍率が３５倍以上
であることを特徴とする。また本発明は、前記電子回路
基板の金属膜形成装置において、ＣＶＤ反応により金属
膜を析出させる際、電子回路基板上に集光照射されるレ
ーザ光のスポット径を４μｍφ以下（ガウス分布）又は
レーザ光の矩形開口投影１０μｍ×１０μｍ以下で、パ
ワー密度を１×１０⁵〜２×１０⁶Ｗ／ｃｍ²とすること
を特徴とする。また本発明は、前記電子回路基板の金属
膜形成装置において、前記第２の排気手段は、前記電子
回路基板を搬出入する開閉部を有し、少なくとも前記ス
テージおよび混合ガス室を覆うカバーと、該カバーに接
続され、カバー内に漏れた混合ガスを排気する排気手段
とを備えて構成することを特徴とする。また本発明は、
前記電子回路基板の金属膜形成装置において、前記第２
の排気手段は、前記電子回路基板を搬出入する開閉部を
有し、少なくとも前記ステージおよび混合ガス室を覆う
装置カバーと、該装置カバー内にＣＶＤ材料ガスの漏洩
を検出する漏洩検出手段と、該漏洩検出手段で漏洩が検
出されたとき前記混合ガスの供給を遮断すると共に前記
装置カバー内を通常時より高い能力で排気する排気手段
とを備えて構成することを特徴とする。また本発明は、
前記電子回路基板の金属膜形成装置において、自動焦点
合わせ手段を備えたことを特徴とする。

【００１９】

【作用】液晶表示素子、半導体集積回路等の電子回路基
板上に形成された配線は性能や集積度の向上に伴って、
微細化が進んでいる。このために、レジスト塗布−露光
−エッチング−レジスト剥離といった一連の配線形成プ
ロセスの中で、異物等に起因して配線の欠陥、特に断線
欠陥が急増し、このことが製品の歩留まり低下、コスト
上昇をもたらす大きな要因となっている。そこで、大形
の電子回路基板の表面上の断線欠陥箇所の局部（部分的
に）を混合ガス室で覆い、該混合ガス室の圧力を大気圧
よりやや低め（約８０Ｔｏｒｒ（約１０６６４Ｐａ）以
下）の雰囲気にしても、Ｍｏ（ＣＯ）₆等のＣＶＤ材料
ガスをＮ₂等のキャリアガスによって混合ガス室内に供
給でき、しかもエネルギー密度１×１０⁵〜２×１０⁶Ｗ
／ｃｍ²のレーザ光をスポット径が１０μｍ以下に集光
照射すれば、膜厚が０．１〜０．４μｍ程度のＭｏ等の
金属薄膜（金属配線）を形成できることが実験により確
認され、これにより混合ガス室の開放端と電子回路基板
の表面との間に形成される微小間隙におけるシールの制
御を簡素化したことにある。

【００２０】即ち、前記構成により、混合ガス室の圧力
が大気圧よりやや低め（約８０Ｔｏｒｒ（約１０６６４
Ｐａ）以下）の雰囲気になるように、混合ガス室内にＭ
ｏ（ＣＯ）₆等のＣＶＤ材料ガスをＮ₂等のキャリアガス
によって供給することによって、混合ガス室の開放端に
おける圧力差を殆どなくしてシールの制御を簡素化して
大気の混入とＣＶＤ材料ガスの漏洩とを防止して、大形
の電子回路基板の表面上において、前記混合ガス室で覆
われた断線欠陥箇所の局部に、膜厚が０．１〜０．４μ
ｍ程度のＭｏ等の金属薄膜（金属配線）を形成して断線
箇所等を修正することができる。特に大気の混入が防止
されるので、析出されたＭｏ等の金属薄膜（金属配線）
も酸化されることもなく、即ち、膜質が劣化されること
なく、Ｍｏ等の金属薄膜（金属配線）の特性で断線箇所
等を修正することができる。

【００２１】また、混合ガス室内に対物レンズを設置す
ることによって、対物レンズの出射端と電子回路基板の
表面との間に混合ガスのみが存在し、しかもＮＡ（Nume
rical Aperture）を０．３５以上で、且つ倍率が３０倍
以上である対物レンズを使用することを可能にして、
０．３μｍ以下の解像度を得ることができ、亀裂等につ
いても観察して位置決めすることを可能にして、高精度
の断線等の欠陥を修正することができる。

【００２２】

【実施例】本発明に係わる電子回路基板の金属薄膜形成
方法及びその装置並びにその配線修正方法について図面
を参照して具体的に説明する。図１は、本発明に係わる
電子回路基板の金属薄膜形成装置の一実施例を示す概略
構成図である。架台１上には、ＴＦＴ基板等で形成され
た電子回路基板２を載置するためのステージ３と、レー
ザ光の集光と位置決め・観察に用いる対物レンズ５２を
含むヘッド容器（混合ガス室）４と、レーザ発振器６
と、レーザ光７の強度を調整するための出力調整機構８
と、光学系筐体９と、焦点位置検出器１０と、観察のた
めのＴＶカメラ１１と、モニタ１２とが設置されおり、
光学系筐体９内には、レーザ光７を反射するためのミラ
ー２６、２７、２８及び照明装置２９とハーフミラー３
０並びにレーザ出力検出器３１が設置されている。ステ
ージ３は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θ軸（回転軸）の４軸を
有し、電子回路基板２を載置して基板自体の回転も含め
たアライメント動作、検査データに基づいた断線位置の
再現動作、修正時のレーザ光走査、および観察やレーザ
光照射時のピント合わせ等の動作を行う。ヘッド容器
（混合ガス室）４は、一端を開放して電子回路基板２上
の被修正部周辺を覆い、該電子回路基板２上の被修正部
周辺をＣＶＤ材料ガスの雰囲気に保つと同時に、ＣＶＤ
材料ガスが他の部分へ拡散しないように隔壁の役目を果
たす。出力調整機構８は、レーザ発振器６から発振（出
射）されたレーザ光の出力を任意に変化させる為のもの
で、レーザ光７が直線偏光であればグレンレーザプリズ
ムの回転による透過率の変化を、またレーザ光出力が大
きくなければガラス基板上に連続的に膜厚を変化させて
金属膜を蒸着させたＮＤフィルタ等が採用される。レー
ザ発振器６の電源電流を直接制御しても良い。

【００２３】光学系筐体９は、レーザ光７を電子回路基
板２上の被修正部に導くためのミラー等を固定するとと
もに、レーザ光７が外部に漏れないように遮蔽する機能
も有する。焦点位置検出器１０は、観察時、あるいは修
正時に常にピントがあった状態に保ち、更にヘッド容器
（混合ガス室）４と電子回路基板２上の被修正部表面と
の間隙が一定になる様制御するための検出器である。こ
こで、焦点検出器１０は、対物レンズ５２による電子回
路基板２の表面の像をＣＣＤ素子などで受けて、得られ
た画像信号のコントラストが最も強い位置を焦点と判定
するまでステージ３をＺ軸方向に微動駆動する信号を出
す。あるいは、別な照明装置（図示せず）のあとに縞状
のパターンを有するマスクを設置し、赤外光のみを選択
してそのパターンを対物レンズ５２により電子回路基板
２上に投影し、その赤外光パターンをＣＣＤ素子で受光
して、縞状パターンのコントラストが最も強い位置を焦
点と判定し、その位置までステージ３をＺ軸方向に微動
駆動する。ヘッド容器４には、配管１５により排気ポン
プ１６が接続され、配管１７によりバルブ１７ａを介し
てＣＶＤ材料ガスを格納したボンベ１８及びバルブ１７
ｂを介して不活性ガス（キャリヤガス）を格納した不活
性ガスボンベ２１が接続され、配管２０によりバルブ２
０ａを介して不活性ガス（キャリヤガス）を格納した不
活性ガスボンベ２１が接続されている。また、ＣＶＤガ
スボンベ１８には、配管２２によりバルブ２２ａを介し
て不活性ガス（キャリヤガス）を格納した不活性ガスボ
ンベ２１が接続されている。

【００２４】更に全体が装置カバー２５（破線で表示）
で覆われている。この装置カバー２５は、必ずしもレー
ザ発振器６及び光学系筐体９、８４を全て覆う必要はな
いことは明らかである。即ち、装置カバー２５は、架台
１上に取り付けられて、電子回路基板２を載置した状態
でステージ３がＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θ軸方向に移動可能
に該ステージ３及びヘッド容器４の外側を覆うように形
成して、万一ヘッド容器４の開放端６５と電子回路基板
２の表面との微小間隙からＣＶＤ材料ガスが漏れたとし
ても、大気に放出されないように覆うためのものであ
る。また装置カバー２５には、電子回路基板２を、搬送
手段４４または保管するローダとの間で、例えばロボッ
ト機構４５により、ステージ３上に搬入または搬出する
ための開閉部４６を有している。そして、上記ステージ
４、レーザ発振器６、バルブ等の制御を行う制御装置３
２と、排気ポンプ１６から排出されたＣＶＤ材料ガスを
無害化するための除害装置３３と、装置カバー２５に接
続されたダクト３５と、ダクト３５及び排気配管３６内
を強制排気するためのブロワ３８と、除害した排気ガス
やダクト３５で排出するガスを必要に応じて再度除害す
るための大容量除害装置３９、及びＣＶＤ材料ガスの漏
洩を検出するための漏洩検知器４０を備えている。ブロ
ワ３８は、通常は低出力で運転し、緊急時、例えば漏洩
検知器４０がＣＶＤ材料ガスの漏洩を検知したときには
高出力で運転できる機能を有する。尚、通常運転時はブ
ロワ３８で強制的に排出されたガスは破線で示した配管
４１経由してそのまま大気に開放し、漏洩検知器４０で
ＣＶＤ材料ガスの漏洩を検知した場合など、緊急時にの
み大容量除害装置３９を経由するように切り換えても良
い。

【００２５】ここで、図２は、光学系筐体９の先端部に
設置されたヘッド容器４の詳細を示した図である。ヘッ
ド容器（混合ガス室）４は、レーザ光透過窓５１と対物
レンズ５２がヘッド本体５３に固定された構成となって
いる。なお、レーザ光透過窓５１およびＯリング５４、
５５は、対物レンズ５２がヘッド本体５３に対して気密
性が保たれて取り付けられた場合には、必要がない。特
に、対物レンズ５２がネジ部等でヘッド本体５３に対し
て気密性が保たれない場合に、Ｏリング５４、５５と押
え板５６により気密性を保つようにレーザ光透過窓５１
を備える構造が必要となる。また対物レンズ５２をヘッ
ド本体５３に対して室の下側から取り付ける場合を示し
ているが、気密性が保たれるならば、ヘッド本体５３に
対して上側より取り付けるようにしても良い。特に重要
なことは、電子回路基板２の表面を０．３μｍ以下のパ
ターン（断線である配線の亀裂）を高解像度で観察する
ことができるようにするために、ＮＡ（Numerical Aper
ture）が０．３５以上で、且つ倍率が３５倍以上の対物
レンズを用いる必要がある。このような対物レンズを用
いた場合、作動距離は、スーパー級のレンズを使用して
も約１８ｍｍ以下となり、対物レンズの出射端と電子回
路基板２の表面との間隙が狭くなる。従って、対物レン
ズ５２から離して取り付けることは難しくなる。即ち、
図２において、例えば、レーザ光透過窓５１で、混合ガ
スが供給される室の気密性を保ち、このレーザ光の透過
窓５１の上方に対物レンズを設置することは寸法的に難
しいばかりでなく、例え寸法的に設置ができたとして
も、レーザ光透過窓５１を通して得られる電子回路基板
２の表面からの光像を正確に結像させるような解像度に
影響されない特殊の対物レンズを使用する必要がある。
いずれにしても、図２に示すように、ヘッド本体５３の
中央に対物レンズ５２を設置することにより、倍率が約
１００倍の対物レンズ５２を用いることも可能となる。

【００２６】また、ヘッド本体５３には、キャリアガス
単独（不活性ガス単独）及びキャリアガス（不活性ガ
ス）とＣＶＤ材料ガスの混合ガスを供給するために配管
１７に接続された供給口６０及び該供給口６０に接続さ
れて混合ガスを、室を構成する電子回路基板２の表面の
修正部（室の内部）に吹き付けるためのノズル６１と、
室の内部に供給された混合ガスを排出するための配管１
５に接続された排出口６２と、不活性ガス（キャリアガ
ス）等のシール用の流体を供給するために配管２０に接
続された供給口６３及び該供給口６３に連なって不活性
ガス（キャリアガス）等のシール用の流体を保持するた
めの溝６４が開放端６５に形成されている。なお、混合
ガスをヘッド本体５３の室の内部に供給するために、ノ
ズル６１を用いることを説明したが、必ずしもノズル６
１を用いる必要はない。しかし、ノズル６１を用いれ
ば、新しいＣＶＤ材料ガスが含まれた混合ガスが常に電
子回路基板２の表面の修正部に供給されることになり、
この点でノズル６１を用いた方が優れている。

【００２７】ヘッド本体５３の室の内部に供給されたＣ
ＶＤ材料ガスとキャリアガスとの混合ガスは、常に排出
口６２から排出することにより、ヘッド容器４の内部は
大気圧より約８０Ｔｏｒｒ以下に減圧されたやや低い圧
力に保たれる。このように、ヘッド本体５３の室の内部
と外部との圧力差は、約８０Ｔｏｒｒ以下と非常に小さ
いので、溝６４内にシールガスを常に流すという単純な
制御により、大気がヘッド本体５３の室の内部に侵入し
たり、混合ガスとしてＣＶＤ材料ガスがヘッド本体５３
の外部に漏れるのを容易に防ぐことができる。また対物
レンズ５２によって集光されるレーザ光のスポット径ｄ
は、ｄ＝２．４４λｆ／Ｄ（λはレーザ光の波長で、約
０．５μｍ、ｆは対物レンズの焦点距離、Ｄは対物レン
ズの有効径で、３〜４ｍｍ）の関係から、対物レンズの
倍率が３０倍の場合約２．７μｍ、対物レンズの倍率が
４０倍の場合約２μｍ、対物レンズの倍率が１００倍の
場合約０．８μｍとなる。そして集光されたレーザ光の
パワー密度を約５×１０⁵〜１５×１０⁵Ｗ／ｃｍ²にす
ることによって、Ｍｏ（ＣＯ）₆等のＣＶＤ材料ガスと
Ｎ₂等のキャリアガスの混合ガスの雰囲気にある断線欠
陥部にレーザ光を照射することにより、照射部が加熱さ
れ、その部分のみでＭｏ（ＣＯ）₆等のＣＶＤ材料ガス
が分解してＭｏ等の金属膜が析出し、断線欠陥が修正さ
れる。

【００２８】なお、図１に示した装置の説明において、
光学的に焦点位置を検出する説明を行ったがこれに限定
されるわけではない。例えば、ヘッド本体５３に形成さ
れている溝６４にシールガスを供給し、その圧力が一定
になるように制御することで、ヘッド本体５３の開放端
６５と電子回路基板２の表面との微小間隙を一定に保つ
ことができ、常にその状態でピントが合うように調整さ
れていれば、対物レンズ５２と開放端６５との間のＺ軸
方向の位置関係は固定されているので、電子回路基板２
の表面を対物レンズ５２を基準に光学的に焦点位置合わ
せするのと同様に自動的に焦点を合わせた状態にするこ
とができる。次に、電子回路基板２の一実施例であるＴ
ＦＴ基板上に形成されたドレイン線の断線欠陥を修正す
る場合について説明する。ここで、ドレイン線はガラス
基板上に薄膜トランジスタのゲート線と交差する方向に
形成されたＡl、Ｗ、Ｍo、Ｃr、Ｔi等の金属単層あるい
は複数層あるいは酸化インジウム、酸化錫からなる透明
導電膜で構成され、一般的にはＣrとＡlの２層構造の配
線である。幅は１０〜２０ミクロン、膜厚は０．１〜
０．５ミクロン程度である。断線欠陥は、通常はフォト
リソ工程での異物が原因で発生し、断線部分の長さは数
〜数１００ミクロンの範囲である。しかし、断線欠陥に
は、配線に亀裂が生じる場合もある。

【００２９】まず、断線欠陥を有するＴＦＴ基板２をス
テージ３上に載置し、欠陥検査装置（図示せず）による
検査結果情報に従い、制御装置３２によりステージ３を
駆動して、ヘッド容器（混合ガス室）４の対物レンズ５
２の視野内に断線欠陥部が入る様に位置決めする。そこ
で、焦点位置検出器１０で検出しながらステージ３をＺ
軸方向に上昇微動させ、ＴＦＴ基板２の表面を対物レン
ズ５２のピント位置（焦点位置）へ約０．２〜０．４μ
ｍの精度で一致させる。尚、ピントがあった位置で、Ｔ
ＦＴ基板２の表面とヘッド容器４の開放端６５との間の
微小間隙が一定値になるように、予め調整してある。こ
の間隙は狭い方が望ましいが、ヘッド容器４の開放端６
５がＴＦＴ基板２の表面を損傷する恐れがないように、
数１０〜１００μｍに設定される。

【００３０】次にＴＦＴ基板２の表面は対物レンズ５２
に対して合焦状態にあり、しかも対物レンズ５２のＮＡ
が０．３５以上（倍率が４０倍の場合ＮＡが０．４、倍
率が１００倍の場合ＮＡが０．７５）であるため、照明
装置２９から照射された照明光によって対物レンズ５２
を通して照明されたＴＦＴ基板２の表面の光像が対物レ
ンズ５２によってＴＶカメラ１１上に高解像度で拡大結
像される。そして、ＴＶカメラ１１で高解像度で拡大結
像されたＴＦＴ基板２の表面の画像が撮像されてモニタ
１２上に表示される。このモニタ１２に表示された画面
を観察しながらステージ３を移動させて、図３（ａ）に
示すように、ドレイン線７０の一部に存在する断線部の
一端（始点）７１とモニタ１２上のカーソル線７２、７
３の交点を一致させ、このときのステージの座標を制御
装置３２に入力記憶させて修正の始点とする。ここで、
カーソル線７２、７３の交点位置は、予めレーザ光７の
照射位置（集光スポットの中心）に合わせてある。次
に、図３（ｂ）に示すように、ステージ３を移動させて
断線部の他端（終点）７４とカーソル線７２、７３の交
点を位置決めし、このときのステージの座標を制御装置
３２に入力記憶させて修正の終点とする。始点７１と終
点７４は逆でも構わない。始点７１と終点７４の設定が
終了したら、改めて始点に位置決めする。

【００３１】次に、不活性ガスボンベ２１に接続された
配管２０に設けられたバルブ２０ａを制御装置３２から
の制御により開き、Ｎ₂等の不活性ガス（キャリアガ
ス）を配管２０を通して供給口６３へ供給し、ヘッド本
体５３の開放端６５に設けられた溝６４から開放端６５
とＴＦＴ基板２の表面との間の微小間隙から流す。その
あと、ヘッド本体５３の室の内部の大気を追い出すため
に、不活性ガスボンベ２１に接続されたバルブ１７ｂを
制御装置３２からの制御により開き、Ｎ₂等の不活性ガ
ス（キャリアガス）のみを配管１７を通してノズル６１
から供給しつつ、排気ポンプ１６により排気口６２から
配管１５を通して排気し、ヘッド本体５３の室の内部の
圧力が、ヘッド本体５３の外部の圧力（大気圧）と等し
いか、わずかに低くなるように（約８０Ｔｏｒｒ以下に
なように）制御する。これにより、ヘッド本体５３の開
放端６５とＴＦＴ基板２の表面との間の微小間隙に形成
されるキャリアガスによるシール状態を維持することが
できる。

【００３２】その後、制御装置３２からの制御により、
バルブ２２ａ及びバルブ１７ａを開いてＮ₂等のキャリ
アガスを配管２２を通して例えば、Ｍｏ（ＣＯ）₆等の
結晶粒子が収納されたボンベ１８に供給されることによ
ってボンベ１８内で昇華したＭｏ（ＣＯ）₆等のＣＶＤ
材料ガスがキャリアガスによって強制的に運ばれて、即
ちキャリアガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合ガス
となって、ボンベ１８から配管１７を通して供給され、
ノズル６１から欠陥部に吹き付けつつ、ヘッド本体５３
の室（混合ガス室）の内部を上記混合ガスの雰囲気に置
換する。この間も、ヘッド本体５３の室の内部の圧力
が、ヘッド本体５３の外側の圧力（大気圧）が等しいか
よりわずかに低くなるように保つ。大気圧との差は数〜
８０ｍｍＨｇ程度あった方が良い。これはヘッド容器４
の開放端６５とＴＦＴ基板２の表面との間に形成される
微小間隙をシールしているシールガスの効果と併せて、
混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスがヘッド本体５３の
外側に漏れるのを完全に抑えるためである。

【００３３】シールガスとキャリアガスは、別々なガス
でも良いし、同一のガスを用いても良い。ともにＨe、
Ａr、Ｘe、Ｋr、Ｎeなどの不活性ガスの他、Ｎ₂等（本
発明においては不活性ガスの中に含まれることとす
る。）から選んで使用することができる。更に、キャリ
アガスとしては必要に応じてＨ₂等の還元性ガスを単体
で、あるいはこれを添加した混合ガスを使用することが
できる。ここでは、シールガスがヘッド本体５３内に侵
入しても影響がないように、シールガスとキャリアガス
を同一のガスとし、Ｎ₂（窒素）を選択した場合につい
て述べる。また、ＣＶＤ材料ガスとして、種々の物質を
用いることができる。例えば、Ａｌ(ＣＨ₃)₃（トリメチ
ルアルミニウム等のアルキル金属）（この材料はあまり
優れた材料でない。）、Ｍｏ(ＣＯ)₆（モリブデンヘキ
サカルボニル）、Ｗ(ＣＯ)₆（タングステンヘキサカル
ボニル）等の金属カルボニル、銅ヘキサフルオロアセチ
ルアセトオネート、ジメチル金ヘキサフルオロアセチル
アセトネート等、通常のＣＶＤあるいはレーザＣＶＤに
使用する材料ガスを使用することができる。材料によっ
ては蒸気圧が低く、加熱が必要なものもあるが、配管や
修正ヘッド内部への結晶の付着を防止するために、室温
における飽和蒸気圧以下で使用する必要があり、その意
味からも室温での飽和蒸気圧が高い物質が望ましい。ま
た、大気中で発火せず、毒性が低く、安定性の高いもの
が望ましい。その意味からもジメチル金ヘキサフルオロ
アセチルアセトネートあるいは金属カルボニル特にＭｏ
(ＣＯ)₆(モリブデンヘキサカルボニル）が適している。
本実施例では、ＣＶＤ材料ガスとしてＭｏ(ＣＯ)₆(モリ
ブデンヘキサカルボニル）を選択した場合について述べ
る。ところで、一般にＣＶＤ材料ガスの飽和蒸気圧は、
大気圧より小さい。Ｍｏ(ＣＯ)₆(モリブデンヘキサカル
ボニル）の場合、その飽和蒸気圧はおよそ１００ｍＴｏ
ｒｒ（０．１Ｔｏｒｒ）である。この場合、ヘッド本体
５３の室の内部圧力が０．１Ｔｏｒｒ以下でないとこの
Ｍｏ(ＣＯ)₆のＣＶＤ材料ガスを単独で供給することが
できない。そこで、本発明の場合、供給側の圧力を上げ
て、Ｎ₂等のキャリアガスによって昇華したＭｏ(ＣＯ)₆
のＣＶＤ材料ガスを強制的に運ぶようにして、Ｍｏ(Ｃ
Ｏ)₆のＣＶＤ材料ガスを、大気圧或いは大気圧に近い圧
力を有するヘッド本体５３の室の内部へ供給できるよう
にしたことにある。即ち、キャリアガスを使うことによ
り、ＣＶＤ材料ガスを、初めて大気圧下或いは大気圧に
近い雰囲気下のヘッド本体５３の室の内部へ供給するこ
とができる。

【００３４】次にヘッド本体５３内の雰囲気がＣＶＤ材
料ガスとキャリアガスの混合ガスに置換され、定常状態
に達してから、制御装置３２からの制御によりレーザ発
振器６からレーザ光７を照射する。本実施例では、レー
ザとして連続発振Ａrレーザを使用するが、連続発振Ｙ
ＡＧレーザの基本波あるいはその高調波、あるいはパル
ス化したこれらのレーザを使用することができる。レー
ザ出力の調整は、レーザ光７の出力はミラー２８を退避
させ、レーザ光を検出器３１で測定しつつ、制御装置３
２により出力調整器８を調整することにより行う。ある
いはミラー２８を透過するレーザ光７の出力を検出して
も良い。該調整中は、制御装置３２により、ヘッド容器
４の手前に設けられたシャッタ（図示せず）を閉じて、
レーザ光７がＴＦＴ基板２に照射されないように制御す
る。

【００３５】出力調整後、シャッタ（図示せず）があけ
られ、レーザ光７は、さきほど位置決めされた断線部の
始点７１に照射される。ここで金属膜の析出開始を確認
してから、ステージ３を所定の速度で始点７１から終点
７４に移動させ、終点７４でステージ３の移動が終了し
た時点でレーザ光７の照射も停止する。これらの動作に
より図４に示すように、レーザ光の照射された部分のみ
でＣＶＤ材料ガスが分解されて金属膜７５（本実施例で
はＭo膜）が析出し、断線欠陥が修正される。尚、レー
ザ光を照射しても金属膜が析出しない場合がある。これ
は断線部が光を透過する一方、ドレイン線自体は、Ａｌ
であるため反射率が高くかつ熱伝導が良すぎて材料ガス
が分解するまで温度が上がらないためである。この様な
場合には、まずレーザ出力を大きくして短時間だけ（例
えばパルスレーザ光を用いて出力が２００ｍＷ（パワー
密度約６×１０⁶Ｗ／ｃｍ²）で、０．５〜１ｓｅｃ）照
射し、スポット状の析出膜を形成し、その析出膜を起点
（核）にして、通常の条件でレーザ光を照射すれば良
い。ここで採用したＭｏ膜はＡｌと比較して反射率が低
くかつ熱伝導も悪いので、比較的容易にＭｏの金属膜を
連続的に形成することができる。

【００３６】通常、ＣＶＤ材料ガスとしてＭｏ(ＣＯ)₆
を単体で（キャリアガスなしで）使用した場合、Ｍｏ
(ＣＯ)₆ガス圧０．１Ｔｏｒｒ、レーザ出力２０ｍＷ、
走査速度１５μｍ／ｓでガラス基板上に膜厚１．５μｍ
のＭo配線を形成することができるが、同じガス圧のＭ
ｏ(ＣＯ)₆を大気圧のＮ₂で希釈した場合、レーザ出力１
０〜６０ｍＷ（パワー密度約３×１０⁵〜２×１０⁶Ｗ／
ｃｍ²）、走査速度２ないし５μｍ／ｓの条件にする
と、膜厚０．１〜０．４μｍのＭｏ配線が形成できるこ
とが実験により確認され、配線抵抗として４００〜１５
００Ω／ｍｍが得られる。対物レンズ５２として、倍率
４０倍の通常の光学顕微鏡用対物レンズを使用した場
合、レーザ光の集光スポット径として２μｍ程度が得ら
れ、この時の析出配線幅は５〜１０μｍが得られる．こ
の配線は通常の断線長さ数１０μｍを考えると、接続抵
抗を含めても１００〜２００Ωで接続でき、寸法的にも
電気的にも本実施例で修正対象としているＴＦＴ基板の
ドレイン線断線の修正に十分適用することができる。

【００３７】同一ＴＦＴ基板上に、他にも断線欠陥があ
る場合には、上記手順を繰り返す。全ての修正が終了し
た時点で、制御装置３２からの制御により、ヘッド本体
５３の室の内部へ供給しているＣＶＤ材料ガスとキャリ
アガスの混合ガスをキャリアガスのみに切り換える。十
分にヘッド本体５３の室の内部からＣＶＤ材料ガスを排
出したあと、ヘッド本体５３の室の内部ヘのキャリアガ
スの供給とヘッド本体５３の開放端６５の溝６４へのシ
ールガスの供給とを停止し、ステージ３を降下させてＴ
ＦＴ基板２をヘッド容器４に対して必要に応じて退避さ
せ、開閉部４６を開いて、ＴＦＴ基板２を例えばロボッ
ト機構４５によりステージ３から取り出し、修正が完了
する。修正時には、ＣＶＤ材料ガスとキャリアガスの混
合ガスが、常に排出口６２から配管１５を介して排気ポ
ンプ１６で排出されるが、排出ガスは除害装置３３によ
り無害化される。処理されたガスはブロワ３８、配管４
１を介してそのまま大気中に放出しても良いし、必要に
応じてブロワ３８で強制的に再度、大容量除害装置３９
を経て大気中に放出しても良い。この時、ブロワ３８は
通常の運転（低出力運転）を行っている。一方、装置カ
バー２５にはダクト３５が接続されていて、ブロワ３８
によりカバー２５内部を排気する。これによりカバー２
５内部は常に大気よりわずかに減圧状態に保たれる。

【００３８】さらに、漏洩検知器４０のセンサ（図示せ
ず）を修正ヘッド４の周辺、ＣＶＤ材料ガスボンベ１８
の周辺、ダクト３５の内部、作業者の作業位置周辺等に
設置して、常時モニタする。ここで、漏洩検知器４０と
してＣＶＤ材料ガス自体を検出しても良いし、加熱等に
より分解して発生する成分を検出しても良い。本実施例
で使用しているＭｏ(ＣＯ)₆の場合は、サンプリングし
たガスを２５０〜３５０℃に加熱することで分解し、発
生するＣＯ（一酸化炭素）を検出することで、容易にＭ
ｏ(ＣＯ)₆を検出することができる。なお、一般的に、
ＣＯガス検出器はアルコールなど有機溶剤の干渉を受け
るので、使用に当たっては注意が必要である。万一、
材料ガスやシールガスの圧力制御の不調、排気ポンプの
故障等によりＣＶＤ材料ガスが修正ヘッド４とＴＦＴ基
板２の間隙から漏洩したり、配管の破損等によりＣＶＤ
材料ガスが漏洩して、許容濃度より高い濃度のＣＶＤ材
料ガスを検知した場合には、ＣＶＤ材料ガスボンベ１８
の元バルブ（図示せず）を自動的に閉じる、ブロワ３８
の能力を高出力運転に切り換えて排気ガスを大容量除害
装置３９を経由するように経路を切り換えることにより
急速にカバー２５内の雰囲気を排出して漏洩したＣＶＤ
材料ガスのカバー２５外への拡散を防ぐ、警報等で作業
者に知らせる、等の対策を行うことにより作業者の安全
を確保する。これまでの説明で、大気の混入および材料
ガスの漏洩を防ぐためにシールガスを使用した場合につ
いて述べてきたが、修正後に洗浄工程を実施することが
できるならば、シールガスの代わりに液体を用いること
が可能である。液体としては各種オイルの他に磁性流
体、純水等が使用でき、修正ヘッド内外の圧力の制御は
厳密さを要求されない。但し、液体を使用した場合、シ
ールガスの印加圧力を一定にすることで実現した自動焦
点機構は使えない。

【００３９】次に、本発明に係わる電子回路基板の金属
膜形成方法及びその装置に関する他の実施例について具
体的に説明する。図５は、本発明に係わる電子回路基板
の金属膜形成装置の他の実施例を示した構成図である。
架台１上には電子回路基板２を載置するためのステージ
３と、レーザ光透過窓とレーザ光の集光と位置決め・観
察に用いる対物レンズを含み内部に混合ガス室４ａを形
成したヘッド容器４と、ＣＶＤ用レーザ発振器６と、レ
ーザ光７の強度を調整するための出力調整機構８と、除
去加工用パルスレーザ発振器８１と、パルスレーザ光８
２の出力調整機構８３と、光学系筐体８４と、焦点位置
検出器１０と、観察のためのＴＶカメラ１１と、モニタ
１２とが設置されており、光学系筐体８４内には、レー
ザ光７を反射するためのミラー２６、２７、２８、レー
ザ光８２を反射するためのミラー８５と、レーザ光８２
および７を矩形に成形するための可変スリット８６、８
９と、照明装置２９とハーフミラー３０、及びレーザＣ
ＶＤ用レーザ出力検出器３１、除去加工用レーザ光検出
器８８が設置されている。なお、図１及び図２に示す符
号と同一の符号が付与された構成は同一である。

【００４０】ここで、矩形スリット８６、８９は、ヘッ
ド容器４内に固定されている対物レンズ５２により、ピ
ント位置にあるＴＦＴ基板２の表面の像が結像される位
置に置かれる。この時、矩形スリット８６、８９で設定
された矩形の寸法は、使用する対物レンズ５２の倍率Ｍ
の逆数の大きさで（すなわち１／Ｍで）ＴＦＴ基板２上
に投影される。しかるに、レーザ光７を照射することに
より、矩形スリット８９で設定した寸法の１／Ｍの矩形
状にレーザ光を集光照射することができ、ＣＶＤ材料ガ
ス雰囲気で、レーザ出力を適切に設定して照射すること
により、矩形スリット８９で設定した寸法の１／Ｍの矩
形状に金属膜を析出させて形成することができる。ま
た、レーザ光８２を照射することにより、矩形スリット
８６で設定した寸法の１／Ｍの矩形状にレーザ光を集光
照射することができ、ＣＶＤ材料ガス雰囲気でレーザ出
力を適切に設定して照射することにより、矩形スリット
８６で設定した寸法の１／Ｍの矩形状に除去加工を行う
ことができる。ステージ３、修正ヘッド４、出力調整機
構８および８３、光学系筐体９、焦点位置検出器１０は
図１で説明した通りであり、ここでは説明を省略する。
但し、出力調整機構８及び８３は用いずに、それぞれの
レーザ発振器電源（図示せず）で、励起電流あるいは励
起電圧を制御することでもレーザ光の出力調整を行って
も良い。混合ガス室４ａを形成したヘッド容器４には、
配管１５で排気ポンプ１６が、配管１７でＣＶＤ材料ガ
スを格納したボンベ１８が、配管２０で不活性ガスボン
ベ２１が接続されている。また、ＣＶＤガスボンベ１８
には、配管２２で不活性ガスを格納したボンベ２１が接
続され、前記した所望の箇所が装置カバー２５（破線で
表示）で覆われている。更に、上記ステージ４、レーザ
発振器６、バルブ等の制御を行う制御装置３２と、装置
カバー２５に接続されたダクト３５、及び漏洩検知器４
０が設置されている。ここで、配管１５及びダクト３５
の先は図１と同じであり、図５では省略してある。

【００４１】図２に詳細を示したヘッド容器４にＣＶＤ
材料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給し、レーザ発
振器６から発振されたレーザ光７を断線欠陥部分に照射
することにより、ＣＶＤ材料ガスを分解して析出した金
属膜により修正することができる。また、ＣＶＤ材料ガ
スを供給しない状態で、パルスレーザ発振器８１から発
振されたパルスレーザ光８２（パワー密度１０⁶〜１０⁹
Ｗ／ｃｍ²で、パルス幅として５〜２０ｎｓ（２００ｎ
ｓ位でも良い。））を照射することにより、余剰欠陥や
短絡欠陥の除去、あるいは断線欠陥部の形状修正を行う
ことができる。

【００４２】以下、図に従いＴＦＴ基板２上に形成され
たドレイン線の断線欠陥、および余剰欠陥を修正する場
合を例に、修正方法を説明する。ここで、ドレイン線は
ガラス基板上に薄膜トランジスタのゲート線と交差する
方向に形成されたＡl，Ｗ，Ｍo，Ｃr，Ｔi等の金属単層
あるいは複数層あるいは酸化インジウム、酸化錫からな
る透明導電膜で構成されるが、一般的にはＣrとＡlの２
層構造の配線である。幅は１０〜２０μｍ、膜厚は０．
１〜０．５μｍ程度である。断線欠陥や余剰欠陥は、通
常はフォトリソ工程及びエッチング工程での異物が原因
で発生し、欠陥の大きさは数〜数１００μｍの範囲であ
る。まず、断線欠陥あるいは余剰欠陥を有するＴＦＴ基
板２をステージ３上に載置し、欠陥検査装置（図示せ
ず）による検査結果情報に従い、制御装置３２によりス
テージ３を駆動して、修正ヘッド４の対物レンズ５２視
野内に欠陥部が入る様に位置決めする。そこで、焦点位
置検出器１０で検出しながらステージ３を上昇させ、Ｔ
ＦＴ基板２の表面と対物レンズ５２のピント位置（焦点
位置）を一致させる。光学系全体を下降させてピントを
合わせても良い。尚、ピントがあった位置で、ＴＦＴ基
板２の表面とヘッド容器４の開放端６５との間の微小間
隙が一定値になるように、予め調整してある。この微小
間隙は狭い方が望ましいが、ヘッド容器４の開放端６５
がＴＦＴ基板２の表面を損傷する恐れがないように、数
１０〜１００μｍ程度に設定される。

【００４３】まず、断線欠陥の修正について説明する。
モニタ１２上で観察しながらステージ３を移動させて、
図６（ａ）に示すようにドレイン線７０の一部に存在す
る断線部の一端（始点）をモニタ１２上のカーソル線９
１、９２、９３、９４で囲み、そのときの中心座標（ス
テージの座標）を制御装置３２に入力記憶させて、修正
の始点とする。この時設定するカーソル線の間隔は、ド
レイン線よりやや狭くすることが望ましい。ここで、カ
ーソル線９１、９２、９３、９４は矩形スリット８９を
構成するナイフエッジの対物レンズ５２の投影位置に一
致するように調整されている。すなわち、カーソル線９
１、９２、９３、９４位置を移動させることにより、同
期をとって矩形スリット８９を構成するナイフエッジが
移動し、結果としてカーソル線９１、９２、９３、９４
で囲まれた部分のみにレーザ光７が照射できるようにな
っている。次に、図６（ｂ）に示すように、ステージ３
を移動させて断線部の他端（終点）をカーソル線９１、
９２、９３、９４で囲み、その中心座標を制御装置３２
に入力記憶させて、修正の終点とする。始点と終点は逆
でも構わない。始点と終点の設定が終了したら、改めて
始点に位置決めする。

【００４４】次に、シールガスを供給口６３から供給す
る。そのあと、修正ヘッド本体５３内の大気を追い出す
ためにキャリアガスのみをノズル６１から供給しつつ、
排気口６２から排気し、ヘッド本体５３の混合ガス室４
ａの内部の圧力が、ヘッド本体５３の外部の圧力（大気
圧よりわずかに低い）と等しいか、あるいはわずかに低
くなるように制御する。その後、キャリアガスとＣＶＤ
材料ガスの混合ガスをボンベ１８から配管１７を通して
供給し、ノズル６１から欠陥部に吹き付けつつ、ヘッド
本体５３の室４ａの内部を混合ガス雰囲気に置換する。
この間も、ヘッド本体５３の室４ａの内部の圧力がヘッ
ド本体５３の外側の圧力と等しいかわずかに低くなるよ
うに保つ。ヘッド本体５３の外側の圧力との差は、数な
いし８０ｍｍＨｇ程度で良い。これはヘッド容器４の開
放端６５とＴＦＴ基板２の表面との間隙をシールしてい
るシールガスの効果と併せて、ＣＶＤ材料ガスが漏れる
のを完全に抑えるためである。

【００４５】シールガスとキャリアガスについては、前
の実施例で説明した通りであり、ここでは共にＮ₂（窒
素）を選択した。また、ＣＶＤ材料ガスについても、前
の実施例で説明した通りであり、ここではＭｏ(ＣＯ)
₆(モリブデンヘキサカルボニル）を選択した。ヘッド本
体５３内の雰囲気がＣＶＤ材料ガスとキャリアガスの混
合ガスに置換され、定常状態に達してからレーザ光７を
照射する。本実施例ではレーザとして連続発振Ａrレー
ザを使用する。レーザ光７の出力はミラー２８を退避さ
せ、レーザ光を検出器３１で測定しつつ、出力調整器８
を調整することにより行う。あるいはミラー２８を透過
するレーザ光７の出力を検出しても良い。調整中は、レ
ーザ光７がＴＦＴ基板２に照射されないように、ヘッド
容器４の手前のシャッタ（図示せず）を閉じる。

【００４６】出力調整後、シャッタ（図示せず）があけ
られ、レーザ光７はさきほど位置決めされた断線部の始
点の設定された位置に照射される。ここで金属膜の析出
開始を確認してから、ステージ３を所定の速度で始点か
ら終点に移動させ、終点でステージ３の移動が終了した
時点でレーザ光７の照射も停止する。これらの動作によ
り図６（ｃ）に示すように、レーザ光の照射された部分
のみでＣＶＤ材料ガスが分解されて金属膜９５（本実施
例ではＭｏ膜）が析出し、断線欠陥が修正される。レー
ザ照射条件は、設定寸法が８μｍ角（ＴＦＴ基板２の表
面に縮小投影された寸法）の場合で、レーザ出力は８０
〜１５０ｍＷ（パワー密度約１×１０⁵〜２．５×１０⁵
Ｗ／ｃｍ²）、走査速度２〜５μｍ／ｓの条件が選択さ
れる。これらの条件で、膜厚０．２から０．６μｍのＭ
ｏ配線（幅は８〜１０μｍ）が形成でき、配線抵抗とし
て２００〜１０００Ω／ｍｍが得られる。この配線は、
通常の断線長さ数１０μｍを考えると、接続抵抗を含め
ても１００〜２００Ωで接続でき、本実施例で修正対象
としているＴＦＴ基板のドレイン線断線の修正には、十
分適用することができる。尚、レーザ光７を照射しても
金属膜が析出しない場合がある．これは基板がガラスで
ありレーザ光７が透過してしまう上に、ドレイン線自体
はＡl等の熱伝導の良い金属膜であるため、ＣＶＤ材料
ガスの分解温度まで加熱できないためである。この様な
場合には、パルスレーザ光８２を照射して、ドレイン線
の断線部の始点の一部を加工することで解決できる。こ
れは、矩形投影パルスレーザ光（矩形開口の寸法を約２
μｍに絞り、レーザ出力を２００〜５００ｍＷ（パワー
密度約５×１０⁶〜１．２×１０⁷Ｗ／ｃｍ²）で、１０
０ｎｓ程度パルス照射）による加工で、加工部周辺にド
レイン線自体のＡｌ等の飛散物を発生させて付着し、こ
れらの付着物を、ＣＶＤ成膜時のレーザ光７の吸収の核
とするためである。また前記したように、ヘッド本体の
室４ａの内部にＭｏ(ＣＯ)₆を含む混合ガスを供給した
状態で、例えばパルスレーザ光を用いて出力が２００ｍ
Ｗ（パワー密度約６×１０⁶Ｗ／ｃｍ²）で、スポット径
を２μｍ以下に絞って、０．５〜１ｓｅｃ照射すること
により、スポット状のＭｏ析出膜を形成し、このスポッ
ト状のＭｏ析出膜をＣＶＤ成膜時のレーザ光７の吸収の
核としても良い。

【００４７】この後、ＴＦＴ基板２を取り出すまでの手
順は、前の実施例で説明したとおりである。特にＴＦＴ
基板２の場合、図７に示すようにドレイン線７０に近接
して画素電極１００が存在するため、このドレイン線の
断線を修正する際、ＣＶＤによって析出されたＭｏ等の
金属薄膜が上記画素電極１００と離間するように形成す
ることが必要である。もし、何らかの原因で、図７に示
すように断線欠陥修正時に析出膜９６が広がって、ドレ
イン線７０の両側に形成されている画素電極１００に接
触した場合には、次に説明する方法によって析出膜９６
を画素電極１００から離間させることが必要となる。即
ち、この場合には、矩形スリット８６を構成するナイフ
エッジに対応するカーソル線１０１、１０２、１０３、
１０４で除去すべき部分を囲み、しかるのちパルスレー
ザ発振器８１よりパルスレーザ光８２を発振させる。こ
の時、修正ヘッド４内は大気雰囲気でもキャリガス雰囲
気でも良い。これにより、パルスレーザ光８２はモニタ
１２上のカーソル線１０１、１０２、１０３、１０４で
囲まれた領域に照射され、図６（ｃ）に示したように、
画素電極１００と接触していたＭｏ膜が除去される。レ
ーザ出力によっては画素電極１００の一部も除去される
が、ドレイン線７０との短絡部がなくなれば、画素とし
ての機能を十分にはたすことができ、これで修正が完了
する。画素電極１００及び１００’の両方に接触した場
合は２回に分けて修正すれば良い。尚、断線欠陥を修正
した部分の形状修正だけでなく、ドレイン線７０自体の
余剰欠陥あるいは短絡欠陥についても、同様の手順で修
正できることは明らかであり、ここでは説明を省略す
る。

【００４８】尚、シールガスを使って空気マイクロメー
タの原理で自動焦点合わせが実現できること、あるいは
シールガスの代わりに液体を使用することができること
は第１の実施例の説明で述べた通りである。以上、詳細
に説明してきたように、本実施例の修正装置によれば、
断線欠陥の修正だけでなく、余剰欠陥や短絡欠陥、さら
には断線欠陥修正時に発生した余剰欠陥の形状異常の修
正も行うことができる。また、ここではドレイン線の欠
陥修正についてのみ説明してきたが、ゲート線、電源線
等についても、全く同様に修正することができる。ＣＶ
Ｄ材料ガスが漏洩した場合についても、前の実施例で説
明したとおりであり、ここでは説明を省略する。尚、ヘ
ッド容器４は、図２に示した構造で説明してきたが、種
々の形のものを採用することができる。例えば、図８に
示す様にヘッド本体５３にスリーブ１１０を付加するこ
とにより、電子回路基板２の対向面積を大きくすること
ができ、大気の混入及び材料ガスの漏洩を防ぐ上で大き
な効果がある。更に、ノズル６１から供給された材料ガ
スとキャリアガスの混合ガスの流れが乱されないので、
均一かつ再現性良く成膜することができる効果もある。
また、複数本のノズルを対向させて設置し、これら複数
本のノズルからキャリアガスとＣＶＤ材料ガスの混合ガ
スを吹き出させて、レーザ照射部に渦を形成することに
より、ＣＶＤ材料ガスを安定して供給することができ
る。その他、ノズルを光軸に平行に配置し、キャリアガ
スと材料ガスの混合ガスをＴＦＴ基板２の表面に垂直に
供給しても実施例で述べたものと同一の効果が得られ
る。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、ＴＦＴ基板のような大
形の電子回路基板に対して大気圧とほぼ等しい圧力のＣ
ＶＤ材料ガス雰囲気を部分的に形成し、この部分的に形
成されたＣＶＤ材料ガス雰囲気においてレーザＣＶＤに
より金属薄膜を析出させて、非常に能率よく、高精度で
かつ安全に大形の電子回路基板上に形成された配線の断
線欠陥等の修正を行うことができ、製品の歩留まりを向
上させることができる効果を奏する。また本発明によれ
ば、大形の電子回路基板に対して対応できる混合ガス室
の構成及びシールの制御を簡潔にして、レーザＣＶＤ装
置としても簡素化して大幅な原価低減を図ることができ
る効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる電子回路基板の金属薄膜形成装
置の一実施例を示す全体構成図である。

【図２】図１に示すヘッド容器の部分を拡大して示した
断面図である。

【図３】本発明に係わるＴＦＴ基板におけるドレイン線
の断線欠陥を修正する方法を説明するための図である。

【図４】本発明に係わるＴＦＴ基板におけるドレイン線
の断線欠陥を修正した結果を示す図である。

【図５】本発明に係わる電子回路基板の金属薄膜形成装
置の一実施例を示す構成図である。

【図６】本発明に係わるＴＦＴ基板におけるドレイン線
の断線欠陥を修正する他の方法を説明するための図であ
る。

【図７】本発明に係わるＴＦＴ基板におけるドレイン線
の断線欠陥を修正した部分の形状を更に修正する方法を
示す図である。

【図８】図２と異なるヘッド容器の部分を拡大して示し
た断面図である。

【符号の説明】

２…電子回路基板（ＴＦＴ基板）、３…ステージ４…ヘッド容器、４ａ…混合ガス室、６…レーザ発振器７…レーザ光、９…光学系筐体、１６…真空ポンプ１８…ＣＶＤ材料ガスボンベ、２１…キャリアガスボン
ベ、２５…装置カバー３３…除害装置、３５…ダクト、３８…ブロワ、４０…
漏洩検知器５２…対物レンズ、６１…ノズル、６４…溝、６５…開
放端、８１…パルスレーザ発振器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】混合ガス室の開放端とステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に
存在する流体によって前記混合ガス室の内部を前記混合
ガス室の外部とシールさせた状態で、前記混合ガス室の
内部にキャリアガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合
ガスを供給し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を
通して前記混合ガス室の開放端に存在する電子回路基板
の表面の所望の箇所に集光して照射して前記供給された
混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により
金属膜を析出させることを特徴とする電子回路基板の金
属膜形成方法。
【請求項２】混合ガス室の開放端とステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に
存在する流体によって前記混合ガス室の内部を前記混合
ガス室の外部とシールさせた状態で、前記混合ガス室の
内部にキャリアガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合
ガスを供給し、前記混合ガス室の外部の雰囲気を排気
し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を通して前記
混合ガス室の開放端に存在する電子回路基板の表面の所
望の箇所に集光して照射して前記供給された混合ガスに
含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属膜を析
出させることを特徴とする電子回路基板の金属膜形成方
法。
【請求項３】混合ガス室の開放端とステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に
存在する流体によって前記混合ガス室の内部を前記混合
ガス室の外部とシールさせた状態で、前記混合ガス室の
内部にキャリアガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合
ガスを供給し、ＣＶＤ用レーザ光を前記混合ガス室の透
過部分を通して前記混合ガス室の開放端に存在する電子
回路基板の表面の所望の箇所に集光して照射して前記供
給された混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反
応により金属膜を析出させる金属膜成膜工程と、前記混
合ガス室に設置された透過窓を通して除去用のパルスレ
ーザ光を前記混合ガス室の開放端に存在する電子回路基
板の表面の余剰の金属膜に対して集光して照射して余剰
の金属膜を除去する金属膜除去工程とを有することを特
徴とする電子回路基板の金属膜形成方法。
【請求項４】前記混合ガス室内に前記混合ガスを供給す
る際、前記金属膜を析出する部分へノズルによって局所
的に前記混合ガスを供給することを特徴とする請求項１
又は２又は３記載の電子回路基板の金属膜形成方法。
【請求項５】混合ガス室の開放端とステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に
存在する流体によって前記混合ガス室の内部を前記混合
ガス室の外部とシールさせた状態で、前記混合ガス室内
にキャリアガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合ガス
を供給し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を通し
て前記混合ガス室の開放端に存在する電子回路基板の表
面上の配線の断線箇所に集光して照射して前記供給され
た混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応によ
り金属薄膜を析出させて配線間を接続することを特徴と
する電子回路基板の配線修正方法。
【請求項６】混合ガス室の開放端とステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に
キャリアガスからなるシールガスを供給して流すことに
よって前記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部と
シールさせた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリア
ガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、
前記混合ガス室の外部の雰囲気を排気し、レーザ光を前
記混合ガス室の透過部分を通して前記混合ガス室の開放
端に存在する電子回路基板の表面上の配線の断線箇所に
集光して照射して前記供給された混合ガスに含まれるＣ
ＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出させて
配線間を接続することを特徴とする電子回路基板の配線
修正方法。
【請求項７】混合ガス室の開放端とステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に
存在する流体によって前記混合ガス室の内部を前記混合
ガス室の外部とシールさせた状態で、前記混合ガス室の
内部にキャリアガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合
ガスを供給し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を
通して前記混合ガス室の開放端に存在する電子回路基板
の表面上の配線の断線箇所に集光して照射して前記供給
された混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応
により金属薄膜を析出させて配線間を接続する接続工程
と、前記混合ガス室の透過部分を通して除去用のパルス
レーザ光を前記混合ガス室の開放端に存在する電子回路
基板の表面上の配線の断線箇所又は配線の短絡箇所に対
して集光して照射して余剰の金属膜を除去する除去工程
とを有することを特徴とする電子回路基板の配線修正方
法。
【請求項８】混合ガス室の開放端とステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に
存在する流体によって前記混合ガス室の内部を前記混合
ガス室の外部とシールさせた状態で、前記混合ガス室の
内部にキャリアガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合
ガスを供給し、レーザ光を前記混合ガス室に設置された
対物レンズを通して前記混合ガス室の開放端に存在する
電子回路基板の表面上の配線の断線箇所に集光して照射
して前記供給された混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガス
のＣＶＤ反応により金属薄膜を析出させて配線間を接続
することを特徴とする電子回路基板の配線修正方法。
【請求項９】混合ガス室の開放端とステージ上に載置さ
れた電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に
キャリアガスからなるシールガスを供給して流すことに
よって前記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部と
シールさせた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリア
ガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、
前記混合ガス室の外部の雰囲気を排気し、レーザ光を前
記混合ガス室に設置された対物レンズを通して前記混合
ガス室の開放端に存在する電子回路基板の表面上の配線
の断線箇所に集光して照射して前記供給された混合ガス
に含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜
を析出させて配線間を接続することを特徴とする電子回
路基板の配線修正方法。
【請求項１０】前記混合ガス室内に前記混合ガスを供給
する際、前記金属膜を析出する部分へノズルによって局
所的に前記混合ガスを供給することを特徴とする請求項
５又は６又は７又は８又は９記載の電子回路基板の配線
修正方法。
【請求項１１】混合ガス室の開放端とステージ上に載置
されたＴＦＴ基板の表面との間に形成される微小間隙に
存在する流体によって前記混合ガス室の内部を前記混合
ガス室の外部とシールさせた状態で、前記混合ガス室の
内部にキャリアガスにＣＶＤ材料ガスを混合させた混合
ガスを供給し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を
通して前記混合ガス室の開放端に存在するＴＦＴ基板の
表面上の少なくともドレイン配線の断線箇所に集光して
照射して前記供給された混合ガスに含まれるＣＶＤ材料
ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出させて隣接した
画素電極と離間させてドレイン配線間を接続することを
特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法。
【請求項１２】前記ＣＶＤ材料ガスは、金属カルボニル
材料ガスであることを特徴とする請求項１１記載のＴＦ
Ｔ基板の配線修正方法。
【請求項１３】電子回路基板を載置して、基台上に少な
くともＸ，Ｙ軸方向に移動可能に設置されたステージ
と、前記ステージ上に載置された電子回路基板の表面と
の間において形成される微小間隙に流体を存在させるこ
とによって内部を外部に対してシールさせる開放端を有
し、対物レンズを出射端が直接内部に露出するようにほ
ぼ中央に設置した混合ガス室と、該混合ガス室に接続さ
れ、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣＶＤ材料
ガスを混合させた混合ガスを供給する混合ガス供給手段
と、前記混合ガス室に接続され、前記混合ガス室の内部
の気体を排気する第１の排気手段と、前記混合ガス室の
外部の雰囲気を排気する第２の排気手段と、前記ステー
ジ上に載置された電子回路基板の表面からの光を前記対
物レンズを通して得て電子回路基板の表面を観察する観
察光学系と、レーザ光を出射するレーザ光源と、該レー
ザ光源から出射されたレーザ光を前記対物レンズを通し
て前記ステージ上に載置された電子回路基板の表面に集
光照射して、前記混合ガス室の内部に供給された混合ガ
スに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄
膜を析出させるレーザ光照射光学系とを備えたことを特
徴とする電子回路基板の金属膜形成装置。
【請求項１４】電子回路基板を載置して、基台上に少な
くともＸ，Ｙ軸方向に移動可能に設置されたステージ
と、前記ステージ上に載置された電子回路基板の表面と
の間において形成される微小間隙にキャリアガスを流す
ことによって内部を外部に対してシールさせる開放端を
有し、対物レンズを出射端が直接内部に露出するように
ほぼ中央に設置した混合ガス室と、該混合ガス室に接続
され、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣＶＤ材
料ガスを混合させた混合ガスを供給する混合ガス供給手
段と、前記混合ガス室に接続され、前記混合ガス室の内
部の気体を排気する第１の排気手段と、前記混合ガス室
の外部の雰囲気を排気する第２の排気手段と、前記ステ
ージ上に載置された電子回路基板の表面からの光を前記
対物レンズを通して得て電子回路基板の表面を観察する
観察光学系と、レーザ光を出射するレーザ光源と、該レ
ーザ光源から出射されたレーザ光を前記対物レンズを通
して前記ステージ上に載置された電子回路基板の表面に
集光照射して、前記混合ガス室の内部に供給された混合
ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属
薄膜を析出させるレーザ光照射光学系とを備えたことを
特徴とする電子回路基板の金属膜形成装置。
【請求項１５】電子回路基板を載置して、基台上に少な
くともＸ，Ｙ軸方向に移動可能に設置されたステージ
と、前記ステージ上に載置された電子回路基板の表面と
の間において形成される微小間隙に流体を存在させるこ
とによって内部を外部に対してシールさせる開放端を有
し、対物レンズを出射端が直接内部に露出するようにほ
ぼ中央に設置した混合ガス室と、該混合ガス室に接続さ
れ、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣＶＤ材料
ガスを混合させた混合ガスを供給する混合ガス供給手段
と、前記混合ガス室に接続され、前記混合ガス室の内部
の気体を排気する第１の排気手段と、前記混合ガス室の
外部の雰囲気を排気する第２の排気手段と、前記ステー
ジ上に載置された電子回路基板の表面からの光を前記対
物レンズを通して得て電子回路基板の表面を観察する観
察光学系と、ＣＶＤ用レーザ光を出射するＣＶＤ用レー
ザ光源と、除去加工用パルスレーザ光を出射する除去加
工用レーザ光源と、該ＣＶＤ用レーザ光源から出射され
たＣＶＤ用レーザ光を前記対物レンズを通して前記ステ
ージ上に載置された電子回路基板の表面に集光照射して
前記混合ガス室の内部に供給された混合ガスに含まれる
ＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により金属薄膜を析出さ
せ、前記除去加工用レーザ光源から出射された除去加工
用パルスレーザ光を前記対物レンズを通して前記ステー
ジ上に載置された電子回路基板の表面に集光照射して金
属薄膜に対して除去加工を施すレーザ光照射光学系とを
備えたことを特徴とする電子回路基板の金属膜形成装
置。
【請求項１６】電子回路基板を載置して、基台上に少な
くともＸ，Ｙ軸方向に移動可能に設置されたステージ
と、前記ステージ上に載置された電子回路基板の表面と
の間において形成される微小間隙に流体を存在させるこ
とによって内部を外部に対してシールさせる開放端を有
し、透過部分を出射端が直接内部に露出するようにほぼ
中央に設置した混合ガス室と、該混合ガス室に接続さ
れ、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにＣＶＤ材料
ガスを混合させた混合ガスを供給する混合ガス供給手段
と、前記混合ガス室に接続され、前記混合ガス室の内部
の気体を排気する第１の排気手段と、前記混合ガス室の
外部の雰囲気を排気する第２の排気手段と、前記ステー
ジ上に載置された電子回路基板の表面からの光を前記混
合ガス室に設置された透過部分を通して得て電子回路基
板の表面を観察する観察光学系と、ＣＶＤ用レーザ光を
出射するＣＶＤ用レーザ光源と、除去加工用パルスレー
ザ光を出射する除去加工用レーザ光源と、該ＣＶＤ用レ
ーザ光源から出射されたＣＶＤ用レーザ光を前記透過部
分を通して前記ステージ上に載置された電子回路基板の
表面に集光照射して前記混合ガス室の内部に供給された
混合ガスに含まれるＣＶＤ材料ガスのＣＶＤ反応により
金属薄膜を析出させ、前記除去加工用レーザ光源から出
射された除去加工用パルスレーザ光を前記透過部分を通
して前記ステージ上に載置された電子回路基板の表面に
集光照射して金属薄膜に対して除去加工を施すレーザ光
照射光学系とを備えたことを特徴とする電子回路基板の
金属膜形成装置。
【請求項１７】前記第２の排気手段は、前記電子回路基
板を搬出入する開閉部を有し、少なくとも前記ステージ
および混合ガス室を覆うカバーと、該カバーに接続さ
れ、カバー内の気体を排気する排気手段とを備えたこと
を特徴とする請求項１３又は１４又は１５又は１６記載
の電子回路基板の金属膜形成装置。
【請求項１８】前記第２の排気手段は、前記電子回路基
板を搬出入する開閉部を有し、少なくとも前記ステージ
および混合ガス室を覆う装置カバーと、該装置カバーに
接続され、カバー内の気体を排気する排気手段と、前記
装置カバー内にＣＶＤ材料ガスの漏洩を検出する漏洩検
出手段と、該漏洩検出手段で漏洩が検出されたとき前記
混合ガス供給手段による混合ガスの供給を遮断すると共
に前記排気手段により装置カバー内を通常時より高い能
力で排気させるように制御する制御手段とを備えたこと
を特徴とする請求項１３又は１４又は１５又は１６記載
の電子回路基板の金属膜形成装置。