JP2001207267A - レーザリペア方法および装置 - Google Patents
レーザリペア方法および装置Info
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Abstract
レーザリペア方法では、それぞれ大面積の均一な成膜が
困難であり、またレーザ蒸散時に発生するCrが微粒子
となり基板上に再付着すること大きな問題となってい
る。 【解決手段】CVDガスの流れを基板上方から基板面へ
垂直に降下する流れとする。具体的にはCVDガスを基
板面に平行に導入し、基板面へ垂直に下降するパージガ
スに混入させる。また、専用のザップガス導入ノズルか
ら基板面に所定の傾きで所定量以上供給し、微粒子が基
板面に付着することを防止する。
Description
プレイ装置のマスク等のレーザリペアに関し、特にCV
D加工方法、除去加工方法、およびその装置に関する。
正するレーザリペア装置は、レーザ光源を備えるレーザ
ユニット、レーザ光を基板上に導く光学系と観察装置を
備えるレーザ照射観察ユニット、CVDガスやザップガ
スなどのガス供給排気ユニット、基板を保持するX−Y
ステージ、およびこれらを制御する制御ユニットを備え
る。さらに、ガスの供給、排気ノズルを備え、ガスを保
持し、レーザ光を導入させるウィンドウポートが基板面
上に近接して配置される。
成、除去に大きく影響する基板上のガスの流れを左右す
るので、さまざまな構造が提案されている。
ス導入部(上記ウィンドウポートに相当)の原料ガス吹
き出しノズルは、基板面に対して斜めに形成され、上記
ガス導入部下面に吹き出し開口部を有する。さらに該ガ
ス導入部は該ノズル先端近傍に形成され逆向きのガス吹
き出しを行う逆方向ノズルを備えることにより、ガス導
入部の周りからレーザ光照射部への空気の混入を抑制し
ている。また窓汚れ防止用のパージガスがレーザ光照射
窓に平行に左右対称にぶつかり合うように導入される。
このためパージガスの流れの光軸に対する対称性が良い
ので、やはりガス導入部の周りからの空気の混入を抑制
できる。
い透明ガラスにノズル用の穴を形成し、これを基板上の
レーザ光照射部へCVDガスを供給するノズルとして、
CVDガスを光軸に沿って照射点に吹き付ける構成を開
示している。
のフォトマスクのリペア装置では、20μm以上の大型
の欠陥を高速に修正できるリペア装置が望まれている
が、上述のレーザCVDによるリペア装置では、大きな
面積を一括して成膜(修正)する場合、膜の均一性を確
保することが困難となる。また、CVDガスの供給方向
により、成膜の状態が不安定となるなどの問題点が生じ
る。
は、半導体回路の微細化に伴い、リペア品質の向上が強
く望まれている。残留欠陥の除去プロセスでは、レーザ
蒸散時に発生するCrが、微粒子となり基板上に再付着
すること大きな問題となっている。従来は微粒子の直径
が0.2μm程度であれば実用上問題とならなかった
が、パターンルールの微細化により0.1μm径の微細
なゴミでも、許容できなくなっている。
安定して行うことができ、また残留欠陥の除去プロセス
で蒸散する微粒子を基板に再付着させないようにするレ
ーザリペア方法と装置を提供することを目的とする。
明は、まず、CVD原料ガスを基板面へ供給し、レーザ
光を該基板面上の所定部に照射し、基板上の欠陥を修正
するレーザリペア方法であって、CVD原料ガスを基板
面の直上から基板面へ導入する方法である。この方法で
は、パージガスを基板面直上から基板面へ導入し、該パ
ージガスにCVD原料ガスを混入させる。またCVD原
料ガスは基板面に平行にパージガスへ導入させることが
望ましい。
を該基板面上の所定部へ供給して、レーザ光を該基板面
上の所定部に照射し、基板上の欠陥を修正するレーザリ
ペア方法であって、蒸散用ガスは該基板面上の所定部の
斜め上方から導入する。蒸散用ガスは基板面上の所定部
において流速が15m/s以上であることが望ましい。
射部と、ガス供給排気部と、基板設置用X−Yステージ
と、これらを制御する制御部と、レーザ光照射用窓とガ
ス導入空間部とガス供給口および排気口を備え基板面に
近接して設置されるポート部を備えるレーザリペア装置
であって、前記ポート部には互いに対向して配置される
2つのパージガス導入口と、該パージガス導入口の下方
に配置されるCVD原料ガス導入口と、蒸散用ガス導入
口とを備える。このCVD原料ガス導入口はCVD原料
ガスが基板面に平行に放出されるように形成される。専
用の蒸散用ガス導入口は基板面上の所定部に対してその
斜め上方から蒸散用ガスを供給する位置に形成される。
ガス導入空間部はポート上面に向かって径が大きくなる
テーパ状空間部とその下側の円筒状空間部を備えてい
る。CVD原料ガス導入口はこのガス導入空間部の円筒
状空間部にCVD原料ガスを放出する位置に設置される
ことが望ましい。ポート部下面にはガス導入空間部開口
の周囲にリング状のガス排気口が形成される。
欠陥部の膜形成を安定して行うことができ、また蒸散し
た微粒子を基板に再付着させないようにすることができ
る。
を参照して説明する。
構成例を示す。欠陥のあるCrフォトマスクのような基
板7を設置するX−Yステージ14上に、該基板上とわ
ずかな間隔をおいてウィンドウポート1が配置される。
ウインドウポート1は、レーザCVD用ガス、窓汚れ防
止用のパージガス、蒸散用ザップガスを基板上のレーザ
照射部に供給する導入口を有し、かつウインドウポート
1の外側にCVDガスが漏れ出さないように周囲に均一
な吸い込みを行う吸い込み口を備えている(詳細は図
2、3参照)。ウィンドウポート1の直上にはレーザ照
射観察ユニット10が設置される。レーザ照射観察ユニ
ット10は、レーザ光の照射パワーを変えるアッテネー
タや照射するレーザ光の形状を変化させる可変アパーチ
ャ機構と、対物レンズを上下させて焦点位置を調整する
機構と、レーザ光照射部のパターン形状を観察する顕微
鏡機構を備える公知の構成(図示せず)を有する。レー
ザ蒸散用およびレーザCVD用のそれぞれのレーザ光源
を備えるレーザユニット12から送出されたレーザ光
は、レーザ照射観察ユニット10とウインドウポート1
を介して基板7上の所定部分に照射される。
給排気ユニット11と制御ユニット8が含まれる。ガス
供給排気ユニット11は、ウインドウポート1に供給す
るCVD用ガス、パージガス、蒸散用ザップガスを必要
なタイミングで供給し、かつウインドウポート1から吸
引された排気ガスの無害化処理をする機構などを備え
る。制御ユニット8は、レーザ光の出射タイミングの制
御、X−Yステージ14の動作、ガス供給排気ユニット
11のガス開閉弁のタイミング制御、レーザ照射観察ユ
ニット10の照明、アパーチャ制御、アッテネータの減
衰率制御などのレーザリペア装置内の各ユニットの動作
を制御する。
d:YLFレーザの第3高調波(波長349nm、パル
ス繰り返し4kHz、パルス幅30ns)を用い、原料
ガスにCr(CO)6を用いるレーザCVD法で、例え
ば半導体用フォトマスクのパターン欠損欠陥を修正する
ことができる。一方、余分なパターンが残っている残留
欠陥は、Nd:YLFレーザの第3高調波(波長351
nm、繰り返し30Hz、パルス幅20ps)光を用い
るレーザ蒸散法で除去してパターンの修正を行うことが
できる。
ト1の構成例について説明する。図1はウインドウポー
ト1の断面図である。円盤状のウインドウポート1は、
中央にガス導入空間部が形成されている。該空間部は、
ウインドウポート1の下面から所定の高さまでは径が一
定であるが、途中から上面部に向かってテーパ状に径が
広がっている。ウインドウポート1の上面部には、レー
ザ光を導入する窓4がガス導入空間部上部開口を覆うよ
うに形成されている。
は、窓4の曇りを防止するパージガスをガス導入空間部
へ導入する2つのパージガス導入口3を基板面に平行に
互いに対向して設ける。パージガスは、窓4直下のガス
導入空間部側面から吹き出し、窓4の直下で2つの流れ
がぶつかり、ガス導入空間部の下方に向かってほぼ基板
7の面に垂直に下降する。一方CVDガス導入口2は、
ガス導入空間部においてその径が一定となる領域に、基
板7の面に対して水平にCVDガスが導入されるように
設けられている。CVDガスは、ノズル2から吹き出さ
れ、上記パージガスの流れに混じって、基板7上面へほ
ぼ垂直に下降する流れとなり、ウインドウポート1と基
板7との間のCVD空間に拡散する。ウインドウポート
1の下面にはガスを吸い込む排気口6が形成される。
おいてその径が一定となる領域であって基板7の面に対
して所定の傾きをもって形成され、基板面の所定位置に
斜め上方からザップガスを供給する。
図である。中央にガス導入空間部が形成されており、該
空間部の径が一定の部分にCVDガス導入口2とザップ
ガス導入口5が形成されている。CVDガス排気口6は
ガス導入空間部下端開口の周囲を取り巻くようにリング
状に形成されている。このように構成するとガスの吸い
込みが周囲へ均等に行われる。排気口6に吸い込まれた
ガスは4個の吸い込み吸引口13からガス供給排気ユニ
ット11へ送られる。図3の中央の円状破線部はガス導
入空間部上端開口を示している。
径はおよそ0.3mm、ガス導入空間部の上端径は10
〜20mm、下端径は約3mm、リング状CVDガス吸
い込み口6の径は約10mmである。またウインドウポ
ート1は基板7から約0.3mmの間隔で配置される。
説明する。まず欠損欠陥のリペアについて具体的に説明
する。最初、基板7のセット前のスタンバイ状態では、
Arガスからなるパージガスを500sccmの流量で
流し、排気口6から2L/分の排気流量で排気を行う。
次に、基板7をX−Yステージ14上にセットした後、
Cr(CO)6をArガスで希釈した混合ガスをCVD
ガスとして流量50sccm、1Torrの圧力で、C
VDガス導入口2からガス導入空間部へ導入する。CV
Dガス導入口2を基板面に水平とした場合、上記のガス
流量条件で、基板7のレーザ照射部のガス濃度が、0.
3Torr相当になり、良好なCVDを行うための十分
なガス濃度を供給できる。また基板7の面とウインドウ
ポート1の下面の間隔が適切に調整されているため、C
VDガスの流れが基板面の上をかすめるようにながれ、
基板上のレーザ照射部のガス流速が低減される。
置に合わせて設定し、所定の加工パワーになるようアッ
テネータを設定し、基板7上の所定領域に3秒間レーザ
光を照射してレーザCVDを行う。この結果、CVDす
るパターンの大きさが25μm□と大きい場合でも、成
膜した領域内で膜の均一性が確保され、フォトマスクに
必要な十分な遮光性のある膜を安定して形成することが
できる。
レーザ照射部に向ける構成では、パージガスの流れによ
ってCVDガスの流れが乱されて、レーザ光照射部に十
分な濃度のCVDガスを供給できない。また、この構成
のCVDガス導入口の場合、CVDガスの吹き出す方向
(上流側)と吹き出しの逆方向(下流側)とを比べる
と、上流側の成膜が伸びにくく逆に下流側は成膜が伸び
やすいため、成膜方向により膜の成長速度が大きく異な
る現象が見られる。このために、比較的大きい10μm
□以上の成膜の場合、成膜を行う方向によって、膜の付
き方が変化し、上流に向けて成膜下場合に遮光性が部分
的に不良となる。
板7上に空気からなるザップ用ガスをザップガス導入口
5から供給する。この状態で、リペアする残留欠陥の位
置およびサイズを、制御ユニット8を介してレーザ照射
観察ユニット10とX−Yステージ14を操作して合わ
せる。次に、レーザ加工パワーを所定値となるようアッ
テネータを設定し、2秒間、60ショットの条件でレー
ザパルスを照射して残留欠陥の除去を行う。
は蒸散加工時のエッジの垂直性が良い条件でガス流量を
変化させて効果を比較すると次のようになる。
い状態では、基板上の加工部周囲20μm程度の円形範
囲内に0.1μm程度の微細な微粒子が照射中心で密度
が高くなるように堆積し、0.3μm程度の微粒子がレ
ーザ照射部を中心とする半径10μm程度のドーナッツ
上の場所に集中して堆積する。
プ用ガスを50sccmから200sccmの範囲とす
ると、0.3μm程度の微粒子の堆積は見られないが、
0.1μm程度の微粒子は、(1)と同様に堆積する。
m以上1500sccmまで範囲では、観測可能な0.
05μm以上の微粒子は見られず実用上無視できるレベ
ルに改善される。
射部での流速に換算すると、ザップ用ガスの流量250
sccmは15m/sに相当する。したがって、残留欠
陥の除去時には、レーザ照射部でのザップ用ガスの流速
を15m/s以上とすれば、微粒子の降り積もりを除去
できることがわかる。ザップ用ガスの種類は、空気の
他、窒素ガス、アルゴンガスを使用しても流速が15m
/s以上であれば顕著な微粒子除去効果が観測される。
筒形の形状でもよい。またCVDガス導入口は、2つ導
入口を互いに対向する配置としてもよい。
膜による欠損欠陥の修正では、一括して25μm以上の
成膜を安定して行うことができ、また残留欠陥の修正で
は、レーザ蒸散法で発生する微粒子が基板に再付着する
ことを効果的に防止できる。このため、パターンの欠損
欠陥修正および残留欠陥修正を高品質に行うことができ
る。
Claims (12)
- 【請求項1】 CVD原料ガスを基板面へ供給し、レー
ザ光を該基板面上の所定部に照射し、基板上の欠陥を修
正するレーザリペア方法であって、CVD原料ガスを基
板面の直上から基板面へ導入することを特徴とするレー
ザリペア方法。 - 【請求項2】 パージガスを基板面直上から基板面へ導
入し、該パージガスに前記CVD原料ガスを混入させる
請求項1記載のレーザリペア方法。 - 【請求項3】 前記パージガスは、対向して配置される
2つのノズルから基板面直上部に導入する請求項2記載
のレーザリペア方法。 - 【請求項4】 基板面直上部から降下するパージガスへ
CVD原料ガスを基板面に平行に導入する請求項2記載
のレーザリペア方法。 - 【請求項5】 蒸散用ガスを基板面へ供給し、レーザ光
を該基板面上の所定部に照射し、該基板上の欠陥を修正
するレーザリペア方法であって、蒸散用ガスは前記基板
面上の所定部の斜め上方から導入することを特徴とする
レーザリペア方法。 - 【請求項6】 前記蒸散用ガスは前記基板面上の所定部
において流速が15m/s以上である請求項5記載のレ
ーザリペア方法。 - 【請求項7】 レーザ光照射部と、ガス供給排気部と、
基板設置用X−Yステージと、これらを制御する制御部
と、レーザ光照射用窓とガス導入空間部とガス供給口お
よび排気口を備え基板面に近接して設置されるポート部
を備えるレーザリペア装置であって、前記ポート部には
互いに対向して配置される2つのパージガス導入口と、
該パージガス導入口の下方に配置されるCVD原料ガス
導入口と、蒸散用ガス導入口とを備えることを特徴とす
るレーザリペア装置。 - 【請求項8】 前記CVD原料ガス導入口はCVD原料
ガスが基板面に平行に放出されるように形成されている
請求項7記載のレーザリペア装置。 - 【請求項9】 前記蒸散用ガス導入口は基板面上の所定
部に対してその斜め上方から蒸散用ガスを供給する位置
に形成される請求項7記載のレーザリペア装置。 - 【請求項10】 前記ガス導入空間部はポート上面に向
かって径が大きくなるテーパ状空間部とその下側の円筒
状空間部を備える請求項7記載のレーザリペア装置。 - 【請求項11】 前記CVD原料ガス導入口はガス導入
空間部の円筒状空間部にCVD原料ガスを放出する位置
に設置される請求項10記載のレーザリペア装置。 - 【請求項12】 前記ポート部下面にはガス導入空間部
開口の周囲にリング状のガス排気口が形成される請求項
7記載のレーザリペア装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000017683A JP3525841B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | レーザリペア方法および装置 |
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JP3525841B2 JP3525841B2 (ja) | 2004-05-10 |
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