JPH08222511A - アラインメント調整方法 - Google Patents

アラインメント調整方法

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JPH08222511A
JPH08222511A JP7046345A JP4634595A JPH08222511A JP H08222511 A JPH08222511 A JP H08222511A JP 7046345 A JP7046345 A JP 7046345A JP 4634595 A JP4634595 A JP 4634595A JP H08222511 A JPH08222511 A JP H08222511A
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predetermined
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Yuji Oe
祐司 大江
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Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザ光束を走査して基板に回路パターンを
書き込む描画装置において、短時間での基板のアライン
メントを可能とする、アラインメント調整方法の提供を
目的としている。 【構成】 外部装置から描画情報と共に転送されるアラ
インメント調整用データに基づいて、検出手段(102
a、102b)と基板(S)との相対位置を粗調整し、
その後で検出手段により基板上の基準パターンを検出し
て微調整を行う構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像情報に基づいて変
調される光束で基板に回路パターンを書き込む描画装置
における、基板のアラインメント調整方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、基板に回路パターンを形成す
る方法として、銅などの導電金属材料からなる薄膜を均
一に付着させた基板上にフォトポリマーなどを均一に付
着させ、画像情報に基づいて変調されるレーザ光束で走
査することにより、露光焼き付け用のマスクを用いるこ
となく回路パターンを焼き付けする方法が知られてい
る。
【0003】通常、基板には基準孔が複数個開けられて
おり、光束により形成される画像は、孔に対して正確な
位置関係で形成される必要がある。このため、画像と基
準孔との(従って基板との)相互の位置調整(アライン
メント)が必要である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来、アラインメント
を行うには、CCDカメラ等により、基板の全面を走査
してアラインメント用の基準孔を検出し、これに基づい
て基板の位置を決定し、調整していた。このため基板の
位置を調整するには長時間の検索が必要であり、特に製
造ラインにおいてアラインメントによる効率の低下が著
しく、改善が望まれていた。
【発明の目的】
【0005】上記の事情に鑑み、本発明は、短時間での
アラインメントを可能とする、アラインメント調整方法
の提供を目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のアラインメント
調整方法においては、 外部装置から送られる画像情報
を受信し、前記画像情報に基づいて変調した光束で基板
表面を主走査方向に走査するとともに前記基板を前記主
走査方向とほぼ垂直な副走査方向に移動させて前記基板
表面に回路パターンを焼き付ける描画装置において、前
記画像情報と共に前記基板に形成された所定の基準パタ
ーンの位置に関する情報を受信し、前記所定の基準パタ
ーンを検出する検出手段と前記基板との相対位置を、前
記所定の基準パターンの位置に関する情報に基づいて調
整し、前記検出手段により前記所定の基準パターンを検
出し前記検出手段の検出結果に基づき、前記基板の所定
の基準パターンの位置と、前記所定の基準パターンの位
置に関する情報との差を求め、前記基板の所定の基準パ
ターンの位置と、前記所定の基準パターンの位置に関す
る情報との差に基づいて前記基板と前記回路パターンの
相対位置を調整すること、を特徴としている。
【0007】
【実施例】図1に、本発明の実施例としてのレーザ描画
装置における走査光学系1の構成を示す。本実施例のレ
ーザ描画装置は、レーザ光源から発せられるレーザ光を
複数の描画用光束に分割して基板を露光し回路パターン
を描画する。
【0008】走査光学系1は、テーブル10の上に各光
学素子を載置した構成となっている。テーブル10上に
は、アルゴンレーザ装置12、ビームベンダ13、23
〜25、28〜29、30、35、38、41、44、
45、54、調整用ターゲット15、17、33、ハー
フプリズム16、ビームベンダ(ハーフミラー)14、
およびレンズ52、53、65〜71を有している。
【0009】さらに、走査光学系1は、音響光学変調器
19、20、ビームセパレータ21、22、ピッチ変換
用集光光学系26、31、27、32、8チャンネルの
音響光学変調器36、37、集光光学系34、λ/2板
39、偏光ビームスプリッタ40、イメージローテータ
43、ポリゴンミラー46、fθレンズ47、Xスケー
ル用集光レンズ48、コンデンサレンズ49、Xスケー
ル50、ミラー60、モニター光用ミラー51a、51
b、およびXスケール用フォトディテクタ62を有して
いる。調整用ターゲット15、17、33は、アルゴン
レーザ装置12の交換時などに、描画用光束L2、L3
およびモニター光Lmの光路を確認するために用いられ
る。
【0010】走査光学系1は、後述する描画テーブルに
置かれた基板Sに対し、図中X方向に光束を走査する
(主走査)。主走査と同時に基板Sは図中Y方向に移動
される(副走査)。
【0011】アルゴンレーザ装置12は水冷式、出力
1.8Wで、波長488mmのレーザ光L1を出射す
る。音響光学変調器19、20はハーフプリズム16に
よって分割された描画用光束L2、L3の光量差を除去
する補正を行い、また、ポリゴンミラー46の各反射面
46aの面倒れを制御手段尾記憶部にメモリされた各反
射面46aの補正データに基づいて補正する。
【0012】音響光学変調器19、20から出射される
描画用光束L2、L3は、ビームセパレータ21、22
によって各々8本ずつの第1、第2の描画用光束群L
5、L6に分割される。
【0013】なお、ビームセパレータ21、22は、描
画用光束群L5およびL6が互いに平行となるよう、そ
の位置が微調整される。ビームセパレータ21、22か
ら出射された第1、第2の描画用光束群L5、L6は、
ピッチ変換用集光光学系26、31、27、および32
に入射される。ピッチ変換用集光光学系26、31、2
7および32は、第1、第2の描画用光束群L5、L6
の各々の光束のピッチを、8チャンネルの音響光学変調
器36、37のピッチに合わせる。
【0014】また、偏光ビームスプリッタ40は、ビー
ムベンダ38で偏向されて入射する一列に揃った第1の
描画用光束L5と、λ/2板39を透過して入射する第
2の描画用光束L6とを所定のピッチで交互に混在さ
せ、X方向に沿って再び一列に整列した状態で射出す
る。。第1の描画用光束L5は、偏光方向が変わらない
が、第2の描画用光束L6は、λ/2板39にによって
偏光方向が90度回転されている。
【0015】8チャンネルの音響光学変調器36、37
はそれぞれ8本に分割した第1、第2の描画用光束群L
5、L6の光量のばらつきを取り除く機能と、8本ずつ
の描画用光束群L5、L6の各光束を各々独立にオンオ
フする機能を有する。、音響光学変調器36、37は、
音響光学効果(二酸化テルルなどの結晶に超音波を印加
したとき結晶の屈折率が超音波の周波数に比例して微小
変化する作用)を利用したものである。これら音響光学
変調器36、37においては、結晶の両端に高周波の電
解が印加されたときには、結晶内部に進行形波の超音波
が発生するためレーザ光が回折し、高周波の電解が印加
されないときには、ブラッグ条件を満たす方向から結晶
に入射したレーザ光を透過させる。従って、音響光学変
調器36、37に対する高周波の印加を切り換えること
により、入射光つまり描画用光束群L5とL6のオンオ
フを自在に切り換えることができる。音響光学変調器3
7、37が有する8個の各チャンネルは、列状の第1、
第2の描画光束群L5、L6が入射された時、その入射
光束L5、L6をそれぞれ左右方向(Y方向)に変調さ
せるような構成となっている。
【0016】モニタ光Lmは、描画用光束L2、L5、
L3、L6とは別系統の光束として、描画用光束群L5
とL6に対し空間的に所定距離離れた位置を光路として
いる。モニタ光Lmは、ミラー54、25によって偏向
され、第1、第2の描画用光束群L5、L6から所定距
離離れた位置を通り、さらにミラー35、60によって
偏向された後、レンズ71、ビームベンダ41、及びレ
ンズ52などを介して、描画用光束群L5、L6の光路
の真横に位置するようにその光路が変えられる。
【0017】イメージローテータ43は、ポリゴンミラ
ー46による走査時に、隣接する第1、第2の描画用光
束群L5、L6のスポットを互いに重ね合わせることが
できるように、一列に16本並んだ描画用光束L5とL
6を、描画テーブル面Tに対し斜めに配置させるための
ミラー系である。従って、第1、第2の描画用光束群L
5、L6は、イメージローテータ43に入射するまで
は、ポリゴンミラー46の主走査方向であるX方向に沿
って一列に16本並んでいるが、イメージローテータ4
3から出射するときには、X方向に対し所定角度回転さ
れている。
【0018】第1、第2の描画用光束群L5、L6及び
モニタ光Lmは、さらにビームベンダ44と45によっ
て偏向された後、ポリゴンミラー46の反射面46aに
入射する。ポリゴンミラー46は、回転軸を中心として
図1における反時計方向に回転して、第1、第2の光束
およびモニタ光Lmを走査偏向する。これらの光束は、
それぞれfθレンズ47およびコンデンサレンズ49を
介して描画テーブルに置かれた基板表面において結像す
る。
【0019】第1、第2の描画用光束L5、L6ととも
にfθレンズ47、コンデンサレンズ49を透過したモ
ニタ光Lmは、モニタ光用ミラー51aと51bで順に
反射されて180度偏向され、描画テーブル面Tの結像
面と等価な位置に配置されたXスケール50に入射す
る。Xスケール50は、ガラスにスリットを形成したも
のである。モニタ光LmはXスケール50を透過した
後、長尺のミラー63、64でそれぞれに反射、集光さ
れ、Xスケール用集光レンズ48でさらにに集光され
て、Xスケール用フォトディテクタ62に入射する。X
スケール用フォトディテクタ62により検出されるモニ
タ光Lmの位置に基づき、16本並んだ第1、第2の描
画用光束L5、L6の位置が判定される。この判定デー
タに基づいて、第1、第2の描画用光束L5、L6の1
6本の光束はそれぞれ独立してオン・オフされる。
【0020】描画テーブル面Tで結像する第1、第2の
描画用光束群L5、L6の各スポットは、8チャンネル
の音響光学変調器36、37により、スポット径がほぼ
30μmとなるように光量補正される。なお、描画用光
束L5、L6の各スポットは、音響光学変調器36、3
7を介して、相互の間隔が約5μmとなるようにピッチ
調整されている。
【0021】アルゴンレーザ装置12を発振させてレー
ザ光L1の照射を開始する。レーザ光L1は、まず、ビ
ームベンダ13で偏向され、調整用ターゲット15を通
過し、ハーフプリズム16に入射する。ハーフプリズム
16に入射した光束L1は、そのまま直進する描画用光
束L2と、90度偏向されて、ハーフミラー14に向か
う描画用光束とに分割される。この描画用光束は、ハー
フミラー14を介して、90度偏向されて上記描画用光
束L2と並んで進む描画用光束L3と、ミラー54でさ
らに90度偏向されるモニタ光Lmとに分割される。
【0022】描画用光束L2は、レンズ65、調整用タ
ーゲット17およびレンズ67を介して音響光学変調器
19に入射する。描画用光束L3は、レンズ66、68
を透過して音響光学変調器20に入射する。描画用光束
L2とL3の光量差は音響光学変調器19と20によっ
て除去される。該描画用光束L2、L3は、さらにビー
ムセパレータ21と22により、X方向に互いに並列す
る8本の第1の描画用光束群L5と第2の描画用光束群
L6とにそれぞれ分割される。第1、第2の描画用光束
群L5、L6は、ピッチ変換用集光光学系26、27を
それぞれ透過し、ビームベンダ28、29で90度偏向
された後に、ピッチ変換用集光光学系31、32を介し
て音響光学変調器36、37にそれぞれ入射される。
【0023】描画用光束群L5とL6の、8本に分割さ
れた描画用光束のそれぞれの光量のばらつきが、8チャ
ンネルの音響光学変調器36と37の音響光学効果によ
って除去され、また描画情報に基づいて印加される高周
波の切り換えによって各光束が独立してオン・オフされ
る。
【0024】音響光学変調器36から出射される描画用
光束L5は、ビームベンダ38で90度偏向された後、
偏光ビームスプリッタ40に入射される。音響光学変調
器37から出射される描画用光束L6は、λ/2板39
を透過して偏光方向を変えた後、偏光ビームスプリッタ
40に入射される。これらの描画用光束群L5とL6の
それぞれ8本ずつの描画用光束が、偏光ビームスプリッ
タ40により交互に組み合わされて、X方向に一列に並
ぶように合成される。
【0025】図2は、本実施例の描画装置100の外観
を示す斜視図である。図1に示した光学系が本体101
内部に納められている。なお、光学系1は、図1に示す
座標軸が図2の座標軸と一致する向きに設置されてい
る。図2において、回路パターンが書き込まれる基板S
は可動テーブルTに載置される。前述の通り、描画の際
には、テーブルTは図中Y方向に所定の速度で移動され
る。
【0026】テーブルT上には、基準スケール103が
設けられ、また、図3に示すように、基板Sを載置する
際の当て付け部105が形成されている。基板Sを当て
つけ部105に当接させてテーブル上に載置する事によ
り、図3において、基板Sの右上の角がテーブルTの所
定位置に位置することになる。
【0027】本体正面101fにはレール104が図中
左右方向(基板表面と平行な方向)に延びており、レー
ルには2機のCCDカメラ102a、102bが図示せ
ぬ駆動機構により、レールに沿って駆動可能に取り付け
られている。
【0028】図4は、描画装置100のアラインメント
調整に関する構成を示すブロック図である。CCDカメ
ラ位置制御手段211、212はCCDカメラ102
a、102bをレール104に沿って駆動しX方向にお
けるカメラ位置を制御する。光学系駆動手段214は、
図1に示す光学系1を、ホストコンピュータからの描画
データおよび後述する補正量に基づいて駆動する。テー
ブル駆動手段215は、テーブルTをY方向にスライド
駆動する。テーブル角度制御部313は、テーブルTを
X−Y平面内で回動駆動する。
【0029】図5は、本発明のアラインメント調整方法
を説明するフローチャートである。基板SがテーブルT
に載置され、ホストコンピュータから描画データおよび
基準孔データがCPU201に入力される(S1)。こ
の時、基板SはテーブルTに形成された当て付け部10
5に当接した状態で載置される。また、ホストコンピュ
ータからの基準孔データは当て付け部105のコーナー
105Cを基準としたX−Y座標で与えられる。ホスト
コンピュータからの基準孔データに基づき、まず、CC
Dカメラ102a、102bを主走査方向(X方向)に
移動させる(S3)。実際にCCDカメラ102a、1
02bが到達した位置とホストコンピュータからのデー
タとの差を基準スケール103の指示値に基づき、カメ
ラ位置補正量として記憶する(S5)。次に、基準孔デ
ータに基づき、基準孔がCCDカメラ102a、102
bの視野内に入るよう、テーブルTを副走査方向(Y方
向)に移動し(S7)、基準孔を検出して基準孔データ
と検出位置との差を求める(S9)。CCDカメラ10
2a、102bの視野はそれぞれ10×10mmであ
り、この範囲で基準孔の検出が行われる。別の基準孔の
検出が行われる場合にはS11からS7に処理が戻る。
検出が終了すると、検出により得られた基準孔データと
の差に基づき、基板Sと描画位置との差としてX方向の
長さ、Y方向の長さ、および基板の回転ずれθが計算さ
れる(S13)。そして、計算された補正量に基づき、
描画が行われる。なお、回転ずれθはテーブル角度制御
部213によりテーブルTを回転させることにより補正
される。また、Y方向のずれは副走査方向のテーブルT
の移動のタイミングを調整することにより補正され、X
方向のずれは、描画時の走査のタイミングを制御するこ
とにより補正される。
【0030】
【発明の効果】以上の説明したとおり、本発明のアライ
ンメント調整方法によれば、アラインメント用の基準孔
位置情報が与えられ、これに基づいて基板と検出手段と
の相対位置が粗調整され、その後で検出手段による基準
孔の検出が行われるため、基準孔検出に要する時間を大
幅に短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の描画装置の光学系を示す斜視
図である。
【図2】描画装置の外観を示す斜視図である。
【図3】図2の描画装置における基準孔の検出を説明す
るための上面図である。
【図4】描画装置の構成を示すブロック図である。
【図5】描画装置の動作を説明するフローチャートであ
る。
【符号の説明】
201 CPU 102a CCDカメラ 102b CCDカメラ 211 カメラ位置制御手段 212 カメラ位置制御手段 213 テーブル角度制御部 214 光学系駆動手段 215 テーブル駆動手段 T テーブル S 基板

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】外部装置から送られる画像情報を受信し、
    前記画像情報に基づいて変調した光束で基板表面を主走
    査方向に走査するとともに前記基板を前記主走査方向と
    ほぼ垂直な副走査方向に移動させて前記基板表面に回路
    パターンを焼き付ける描画装置において、 前記画像情報と共に前記基板に形成された所定の基準パ
    ターンの位置に関する情報を受信し、 前記所定の基準パターンを検出する検出手段と前記基板
    との相対位置を、前記所定の基準パターンの位置に関す
    る情報に基づいて調整し、 前記検出手段により前記所定の基準パターンを検出し、 前記検出手段の検出結果に基づき、前記基板の所定の基
    準パターンの位置と、前記所定の基準パターンの位置に
    関する情報との差を求め、 前記基板の所定の基準パターンの位置と、前記所定の基
    準パターンの位置に関する情報との差に基づいて前記基
    板と前記回路パターンの相対位置を調整すること、を特
    徴とする、アラインメント調整方法。
  2. 【請求項2】前記所定の基準パターンは、前記基板に形
    成された複数の基準孔であることを特徴とする、請求項
    1のアラインメント調整方法。
  3. 【請求項3】前記基板と前記回路パターンの相対位置の
    調整は、前記主走査方向のずれの調整と、前記副走査方
    向のずれの調整と、前記基板の前記装置に対する回動量
    の調整により行われること、を特徴とする、請求項1ま
    たは2に記載のアラインメント調整方法。
  4. 【請求項4】基板に形成された所定のパターンを検出手
    段により検出し、前記基板との相対位置を調整して、外
    部装置から転送される描画情報に基づいて基板表面に回
    路パターンを焼き付ける描画装置において、 前記描画情報と共に前記外部装置から転送される前記所
    定のパターンに関する情報に基づいて、前記検出手段に
    より前記所定のパターンが検出可能となるよう、前記検
    出手段と前記基板との相対位置を調整し、 前記検出手段により、前記所定のパターンを検出し、 検出手段の検出結果に基づいて前記基板の位置を調整し
    て描画を行うこと、を特徴とする、アラインメント調整
    方法。
  5. 【請求項5】制御部から転送される描画情報に基づき描
    画部において基板表面に回路パターンを焼き付ける描画
    システムにおいて、 前記制御部から前記描画部へ、前記描画情報と共に前記
    基板に予め形成された所定のパターンの位置に関する情
    報を転送し、 前記描画部は前記所定のパターンの位置に関する情報に
    基づいて前記基板と前記描画部の相対位置を調整して前
    記回路パターンの焼き付けを行うことを特徴とする、ア
    ラインメント調整方法。
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