JPH0821670B2 - 合成樹脂封止型電子部品 - Google Patents

合成樹脂封止型電子部品

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JPH0821670B2
JPH0821670B2 JP4883890A JP4883890A JPH0821670B2 JP H0821670 B2 JPH0821670 B2 JP H0821670B2 JP 4883890 A JP4883890 A JP 4883890A JP 4883890 A JP4883890 A JP 4883890A JP H0821670 B2 JPH0821670 B2 JP H0821670B2
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synthetic resin
mold
molding
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雅秀 前田
芳邦 谷口
久司 臺
輝泰 櫻井
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Rohm Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体チップ等の部分を熱硬化性合成樹脂
製のモールド体にて封止して成るいわゆる合成樹脂封止
型電子部品のうち、面実装に適するように構成した合成
樹脂封止型電子部品に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、面実装に適するように構成した合成樹脂封止型
電子部品では、その各リード端子を、合成樹脂製のモー
ルド体における側面から突出し、該各リード端子のうち
前記モールド体から突出する部分を、前記モールド体の
底面と略同一平面状に沿うように屈曲する構成にしてい
るから、前記モールド体から各リード端子の占有面積が
大きくて、プリント基板に対する実装密度(プリント基
板における単位面積当たりに装着できる電子部品の個
数)の向上を妨げると共に、各リード端子の強度が低下
する等の不具合があった。
そこで、先行技術としての特開昭57−176751号公報
は、第25図〜第28図に示すように、一つの電子部品にお
ける複数本の各リード端子2,3,4を、合成樹脂製のモー
ルド体1内において半導体チップ5に接続した内部リー
ド端子部2a,3a,4aと、前記モールド体1外への外部リー
ド端子部2b,3b,4bとで構成し、該各外部リード端子部2
b,3b,4bを、前記モールド体1内に、当該外部リード端
子部2b,3b,4bにおける下面2b′,3b′,4b′及び先端端面
2b″,3b″,4b″のみが、前記モールド体1における底面
1a及び側面1b,1cに対して各々露出するように埋設する
ことによって、前記の不具合を解消することを提案して
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
そして、この先行技術における電子部品において、そ
のモールド体1の成形は、第29図に示すように、各リー
ド端子2,3,4を上下一対の成形金型A,Bにて、当該各リー
ド端子2,3,4における内部リード端子部2a,3a,4a及び外
部リード端子部2b,3b,4bが両成形金型A,Bにおけるモー
ルド体成形用キャビティーC内に突出するように挟み付
けたのち、前記成形用キャビテ1ーC内に、溶融状態の
熱硬化性合成樹脂を高い圧力で注入することによって行
うものである。
しかし、このモールド体1の成形に際して、前記各リ
ード端子2,3,4における外部リード端子部2b,3b,4bの各
々は、前記成形用キャビティーCにおける内底面C1に対
して密接していなければならないところ、各リード端子
2,3,4は、前記成形用キャビティーCより外側の部分で
押圧されているだけであるから、この各リード端子2,3,
4における外部リード端子部2b,3b,4bの下面2b′,3b′,4
b′と、キャビティーCにおける内底面C1との間には、
前記キャビティーC内に高い圧力で注入した溶融合成樹
脂が侵入することになる。
すなわち、前記各外部リード端子部2b,3b,4bのうち、
前記モールド体1の底面1aから露出する下面2b′,3b′,
4b′には、モールド体1を成形するときにおいて、合成
樹脂の薄い被膜が成形され、換言すると、各外部リード
端子部2b,3b,4bにおける下面2b′,3b′,4b′は、合成樹
脂の薄い被膜で覆われた状態になるから、この各外部リ
ード端子部2b,3b,4bのうち前記モールド体1の底面1aに
対して露出する下面2b′,3b′,4b′を、プリント基板に
対して半田付けする場合において、半田付けの不良が多
発すると言う事態を招来し、半田接合性能が低下すると
言う問題があった。
しかも、前記先行技術の電子部品は、前記各外部リー
ド端子2b,3b,4bにおける先端端面2b″,3b″,4b″を、前
記モールド体1における左右側面1b,1cと略同一平面に
なるように構成すべきであるが、前記モールド体1の成
形後において、前記各リード端子2,3,4の各々を、その
外部リード端子2b,3b,4bにおける先端端面2b″,3b″,4
b″がモールド体1における左右側面1b,1cと略同一平面
になるように切断することがきわめて困難であることに
より、その切断に際して、各外部リード端子2b,3b,4bに
おける先端端面2b″,3b″,4b″が、どうしても、前記モ
ールド体1における側面1b,1bよりも若干の寸法だけ突
出した形態になるから、商品価値が低下することにな
る。
その上、前記各外部リード端子2b,3b,4bにおける先端
端面2b″,3b″,4b″を、前記先行技術のように、前記モ
ールド体1における左右側面1b,1cと略同一平面になる
ように構成することは、プリント基板に対した半田付け
したあとにおいて、各外部リード端子部2b,3b,4bの半田
付けが確実にできているか否かを確認することが困難で
あると言う問題もあった。
本発明は、これらの問題を解消することができる合成
樹脂封止型の電子部品を提供することを目的とするもの
である。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するため本発明は、 「合成樹脂製のモールド体内に、複数本のリード端子
が、この各リード端子の先端部の下面がモールド体の裏
面に露出すると共に、各リード端子の先端端面がモール
ド体の側面に露出するように埋設された電子部品におい
て、前記モールド体に、前記各リード端子の先端の上面
の一部を露出するための凹み手段が設けられている。」 と言う構成にした。
〔発明の作用・効果〕
このように、モールド体に、各リード端子の先端部の
上面の一部を露出するための凹み手段を設けると、前記
モールド体を一対の成形金型にて成形するに際して、そ
の成形金型におけるモールド体成形用キャビティー内
に、前記凹み手段を成形するための突起を、当該成形用
キャビティー内に向って突出するように造形することが
でき、各リード端子を前記一対の金型によって挟み付け
たとき、前記各リード端子を、前記突起により、成形用
キャビティー内において当該成形用キャビティーの内底
面に対して強く密接するように押圧することができるか
ら、前記モールド体の成形に際して、前記各リード端子
の下面と成形用キャビティーの内底面との間に、前記成
形用キャビティー内に高い圧力で注入した溶融合成樹脂
が侵入することを確実に低減できるのである。
すなわち、前記モールド体の成形に際して、各リード
端子の下面に、合成樹脂の薄い被膜が形成されることを
低減できるから、プリント基板に対して半田付け不良が
発生することを確実に低減でき、プリント基板に対する
半田接合性能を大幅に向上できるのである。
また、前記のように、モールド体に、各リード端子の
先端部の上面の一部を露出するようにした凹み手段を設
けたことにより、前記モールド体の成形後において、各
リード端子を、その先端端面がモールド体における側面
と略同一平面になるように切断する場合においては、そ
の切断用の刃物を、前記凹み手段内に挿入することがで
きるから、各リード端子を、その先端端面がモールド体
における側面と同一平面になるように切断したり、或い
は、先端端面がモールド体における側面から若干の寸法
だけ凹んだ状態になるように切断したりすることが至極
簡単にできて、換言すると、前記各リード端子の先端端
面が、少なくともモールド体の側面より突出しないよう
に構成することが、至極簡単にできて、電子部品の商品
価値を、コストのアップを招来することなく大幅に向上
できるのである。
更にまた、前記のように、モールド体に、各リード端
子の先端部の上面の一部を露出するようにした凹み手段
を設けたことにより、プリント基板に半田付けするに際
して、半田の一部が、前記凹み手段内に露出するリード
端子の先端部の上面にも付着することになるから、各リ
ード端子の各々における半田付けが確実にできているか
否かを確認することが、至極容易に、且つ、確実にでき
るようになるのである。
この場合において、前記凹み手段を、「請求項2」に
記載したように、「モールド体の上面からリード端子の
先端部の上面の一部に至る溝を形成する。」ことをもっ
て構成したり、又は、「請求項3」に記載したように、
モールド体の側面に平行な面とリード端子の先端部の上
面を含む面とで規定されるモールド領域を切り取る。」
ことをもって構成したり、或いは、「請求項4」に記載
したように、「モールド体の側面に平行な面とリード端
子の先端部の上面を含む面とで規定されるモールド領域
を切り取り、更に、切り取られずに残ったモールド体の
上面からリード端子の先端部のまだ露出していない上面
の一部に至る溝を形成する」ことをもって構成したりす
ることにより、モールド体を、一対の成形用金型にて、
当該金型からの型抜きが容易にできる状態のもとで成形
することができ、換言すると、モールド体の型抜きのた
めに成形用金型の構造が複雑化することを回避できるの
である。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を、各種電子部品のうち三つの
リード端子を有するトランジスターに適用した場合の図
面(第1図〜第5図)について説明する。
図において符号10は、面実装に適するように構成した
合成樹脂封止型のトランジスターを示し、該トランジス
ター10は、半導体チップ15を封止した熱硬化性合成樹脂
製のモールド体11と、前記半導体チップ15に対する三本
のリード端子12,13,14とからなり、前記各リード端子1
2,13,14は、前記モールド体11内において前記半導体チ
ップ15に対して電気的に接続した内部リード端子部12a,
13a,14aと、前記モールド体11外への外部リード端子部1
2b,13b,14bとによって構成されている。
また、前記各外部リード端子部12b,13b,14bは、前記
モールド体11の内部に、当該各外部リード端子部12b,13
b,14bの先端部における下面12b′,13b′,14b′及び先端
端面12b″,13b″,14b″が、前記モールド体11における
底面11a及び左右両側面11b,11cの各々に対して略同一平
面状に露出するように埋設されている。
そして、前記モールド体11における左右両側面11b,11
cには、本発明における「凹み手段」の第1の実施例で
あるところの溝16,17,18を、前記各外部リード端子部12
b,13b,14bの箇所のみに、当該各溝16,17,18がモールド
体11の上面に向かって延びるように部分的に設けて、こ
の前記各溝16,17,18内に、前記各外部リード端子部12b,
13b,14bの先端部の上面における一部が露出するように
構成する。
このように構成したトランジスター10におけるモール
ド体11は、以下に述べるようにしてトランスファ法にて
成形される。
すなわち、第6図に示すように、一つのトランジスタ
ー10を構成するリード端子12,13,14の複数対を一定間隔
Pで造形するように構成したリードフレーム19を使用
し、このリードフレーム19を、第7図及び第8図に示す
ように、上下一対の成形用金型A,Bによって、前記各リ
ード端子12,13,14における内部リード端子部12a,13a,14
a及び外部リード端子部12b,13b,14bが、両成形用金型A,
Bに合わせ面に形成したモールド体11の成形用キャビテ
ィーC内に突出するように挟み付けたのち、前記成形用
キャビティーC内に、溶融状態の合成樹脂を高い圧力で
注入するのである。
この場合において、前記成形用キャビティーCにおけ
る左右両側の内側面C2,C3には、前記各溝16,17,18を形
成するための突起C4,C5,C6を、成形用キャビティーC内
に突出するように一体的に造形する。
すると、前記リードフレーム19を、両成形金型A,Bに
て挟み付けたとき、前記各リード端子12,13,14における
外部リード端子部12b,13b,14bの各々を、前記各突起C4,
C5,C6により、成形用キャビティーC内において当該成
形用キャビティーCの内底面C1に対して強く密接するよ
うに押圧することができるから、前記モールド体11の成
形に際して、前記各外部リード端子部12b,13b,14bの下
面12b′,13b′,14b′と成形用キャビティーCの内底面C
1との間に、成形用キャビティーC内に高い圧力で注入
した溶融合成樹脂が侵入することを確実に防止できる一
方、前記各溝16,17,18はモールド体11の上面に延びるい
ることにより、この各溝16,17,18を形成するための突起
C4,C5,C6を、一方の成形用金型Bにおけるキャビティー
C内に造形するだけで、各溝16,17,18を備えたモールド
体11を、当該モールド体11の型抜きが容易にできる状態
で確実に成形できるのである。
また、前記モールド体11の左右両側面11b,11cのうち
前記各外部リード端子部12b,13b,14bの箇所に、それぞ
れ溝16,17,18を設けたことにより、前記の成形後におい
て各リード端子12,13,14を切断する場合において、その
切断用の刃物を、前記各溝16,17,18内に入れることがで
きるから、前記各リード端子12,13,14を、その外部リー
ド端子部12b,13b,14bの先端端面12b″,13b″,14b″がモ
ールド体11における左右両側面11b,11cと同一平面状に
なるように切断したり、或いは、前記各外部リード端子
部12b,13b,14bの先端端面12b″,13b″,14b″が、第9図
及び第10図に示すように、モールド体11における左右両
側面11b,11cより若干の寸法(δ)だけ凹んだ状態にし
て切断したりすることが、確実に、且つ、容易にできる
のである。
更にまた、前記各外部リード端子部12b,13b,14bの先
端部の上面における一部が、前記各溝16,17,18内におい
て露出していることにより、プリント基板に対する半田
付けに際して、溶融半田の一部が、前記各外部リード端
子部12b,13b,14bの先端部の上面にも付着することにな
るから、前記各外部リード端子部12b,13b,14bの各々に
おける半田付けが確実にできているか否かの確認が容易
にできるようになるのである。
なお、前記各リード端子12,13,14のうち平面視におい
てモールド体11の隅角部に隣接するリード端子13,14に
対する溝は、第11図〜第13図に示すように、平面視にお
いてモールド体11における隅角部を切り欠いた形状の溝
17a,18aに形成しても良いのである。
そして、第14図〜第18図は、本発明における「凹み手
段」の第2の実施例を示すものである。
すなわち、この実施例は、モールド体11における左右
両側面11b,11cのうち各リード端子12,13,14における外
部リード端子部12b,13b,14bの上面より上側の部分、つ
まり、モールド体11における左右両側面11b,11cに平行
な面11b′,11c′と各外部リード端子部12b,13b,14bの先
端部の上面を含む面20,21とで規定されるモールド領域
を切り取ることをもって、前記各外部リード端子部12b,
13b,14bの先端部の上面の一部を露出するように構成し
たものである。
この場合においても、モールド体11の成形に際して、
一対の成形金型A,Bにおけるモールド体成形用キャビテ
ィーC内に、第19図に示すように、前記各外部リード端
子部12b,13b,14bの先端部の上面を含む面20,21を形成す
るための突出面C7,C8を、成形用キャビティーC内に突
出するように造形し、この突出面C7,C8によって、各外
部リード端子部12b,13b,14bの各々を成形用キャビティ
ーCにおいて当該成形用キャビティーCの内底面C1に対
して強く密接するように押圧することができるから、前
記モールド体11の成形に際して、前記各外部リード端子
部12b,13b,14bの下面12b′,13b′,14b′と成形用キャビ
ティーCの内底面C1との間に、成形用キャビティーC内
に高い圧力で注入した溶融合成樹脂が侵入することを確
実に防止できる一方、成形後におけるモールド体11の型
抜きが容易にできるのである。
また、本発明における「凹み手段」は、前記第1の実
施例のように、溝16,17,18及び17a,18aにすること、及
び、前記第2のように、モールド体11における左右両側
面11b,11cに平行な面11b′,11c′と各外部リード端子部
12b,13b,14bの先端部の上面を含む面20,21とで規定され
るモールド領域を切り取ることをもって形成することに
限らず、第20図〜第24図に示す第3の実施例のように、
前記第1の実施例と第2の実施例とを組み合せたものに
構成しても良いのである。
すなわち、モールド体11における左右両側面11b,11c
に平行な面11b′,11c′と各外部リード端子部12b,13b,1
4bの先端部の上面を含む面20,21とで規定されるモール
ド領域を切り取ることに加えて、切り取られずに残った
モールド体11の上面から各外部リード端子部12b,13b,14
bの先端部のまだ露出していない上面の一部に至る溝16,
17,18を形成することをもって構成する。
この場合においても、前記モールド体11の成形に際し
て、前記各外部リード端子部12b,13b,14bの下面12b′,1
3b′,14b′と成形用キャビティーCの内底面C1との間
に、成形用キャビティーC内に高い圧力で注入した溶融
合成樹脂が侵入することを確実に防止できる一方、成形
後におけるモールド体11の型抜きが容易にできるのであ
る。
なお、前記した各実施例は、三本のリード端子12,13,
14を有するトランジスター10に適用した場合を示した
が、本発明は、このトランジスター10に限らず、二本の
リード端子を有するダイオードや、四本以上のリード端
子を有するICやコンデンサー等の他の電子部品に対して
も適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第24図は本発明の実施例を示し、第1図は第1
実施例によるトランジスターの平面図、第2図は第1図
のII−II視断面図、第3図は第1図のIII−III視断面
図、第4図は第1図のIV−IV視側面図、第5図は第1図
のV−V視側面図、第6図はリードフレームの平面図、
第7図は第1実施例のトランジスターにおけるモールド
体を成形している状態を示す縦断正面図、第8図は第7
図のVIII−VIII視横断面図、第9図は第2実施例による
トランジスターの平面図、第10図は第9図のX−X視側
面図、第11図は第3実施例によるトランジスターの平面
図、第12図は第11図のX II−X II視側面図、第13図は第
11図のX III−X III視側面図、第14図は第4実施例によ
るトランジスターの平面図、第15図は第14図のX V−X V
視断面図、第16図は第14図のX VI−X VI視断面図、第17
図は第14図のX VII−X VII視側面図、第18図は第14図の
X VIII−X VIII視側面図、第19図は第4実施例のトラン
ジスターにおけるモールド体を成形している状態を示す
縦断正面図、第20図は第5実施例によるトランジスター
の平面図、第21図は第20図のX X I−X X I視断面図、第
22図は第20図のX X II−X X II視断面図、第23図は第20
図のX X III−X X III視側面図、第24図は第20図のX X
IV−X X IV視側面図、第25図〜第29図は従来例を示し、
第25図はトランジスターの平面図、第26図は第25図のX
X VI−X X VI視断面図、第27図は第25図のX X VII−X X
VII視断面図、第28図は第25図の底面図、第29図はモー
ルド体を成形している状態を示す縦断正面図である。 10……トランジスター、11……モールド体、11a……モ
ールド体の底面、11b,11c……モールド体の側面、11
b′,11c′……モールド体の側面に平行な面、12,13,14
……リード端子、12a,13a,14a……内部リード端子部、1
2b,13b,14b……外部リード端子、12b′,13b′,14b′…
…外部リード端子の先端部の下面、12b″,13b″,14b″
……外部リード端子の先端端面、15……半導体チップ、
16,17,18,17a,18a……溝、20,21……外部リード端子の
先端部の上面を含む面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 臺 久司 東京都港区港南1―7―4 ソニー株式会 社芝浦テクノロジーセンター内 (72)発明者 櫻井 輝泰 東京都港区港南1―7―4 ソニー株式会 社芝浦テクノロジーセンター内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】合成樹脂製のモールド体内に、複数本のリ
    ード端子が、この各リード端子の先端部の下面がモール
    ド体の裏面に露出すると共に、各リード端子の先端端面
    がモールド体の側面に露出するように埋設された電子部
    品において、前記モールド体に、前記各リード端子の先
    端部の上面の一部を露出するための凹み手段が設けられ
    ていることを特徴とする合成樹脂封止型電子部品。
  2. 【請求項2】前記請求項1において、モールド体の上面
    からリード端子の先端部の上面の一部に至る溝を形成す
    ることをもって前記凹み手段としていることを特徴とす
    る合成樹脂封止型電子部品。
  3. 【請求項3】前記請求項1において、モールド体の側面
    に平行な面とリード端子の先端部の上面を含む面とで規
    定されるモールド領域を切り取ることをもって前記凹み
    手段としていることを特徴とする合成樹脂封止型電子部
    品。
  4. 【請求項4】前記請求項1において、モールド体の側面
    に平行な面とリード端子の先端部の上面を含む面とで規
    定されるモールド領域を切り取り、更に、切り取られず
    に残ったモールド体の上面からリード端子の先端部のま
    だ露出していない上面の一部に至る溝を形成することを
    もって前記凹み手段としていることを特徴とする合成樹
    脂封止型電子部品。
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