JPH08204179A - 炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔ - Google Patents
炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔInfo
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】トレンチにゲート電極が埋め込まれた形のＳｉ
Ｃ（炭化けい素）トレンチＭＯＳＦＥＴにおいて、電圧
印加時のゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止し、アバランシ
ェ耐量の増大を図る。 【構成】ＭＯＳＦＥＴのｐベース層を表面から堀り下
げ、ゲート部のトレンチより深い第二のトレンチを形成
し、その第二のトレンチの底面および側面にＴｉ等から
なるショットキー電極を設け、そのショットキー電極と
ソース電極とを接続する。電圧印加時に、第二のトレン
チ部で最初にアバランシェ降伏が起きるので、ゲート絶
縁膜の絶縁破壊を防止でき、また、アバランシェ耐量も
向上する。
Ｃ（炭化けい素）トレンチＭＯＳＦＥＴにおいて、電圧
印加時のゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止し、アバランシ
ェ耐量の増大を図る。 【構成】ＭＯＳＦＥＴのｐベース層を表面から堀り下
げ、ゲート部のトレンチより深い第二のトレンチを形成
し、その第二のトレンチの底面および側面にＴｉ等から
なるショットキー電極を設け、そのショットキー電極と
ソース電極とを接続する。電圧印加時に、第二のトレン
チ部で最初にアバランシェ降伏が起きるので、ゲート絶
縁膜の絶縁破壊を防止でき、また、アバランシェ耐量も
向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高温や放射線化など
過酷な条件下において使用可能な炭化ケイ素を用いた縦
型高耐圧ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に関す
る。
過酷な条件下において使用可能な炭化ケイ素を用いた縦
型高耐圧ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素（以下ＳｉＣと略す）は、バ
ンドギャップが大きく、また化学的に安定な材料である
ため、シリコンと比較すると高温や放射線下でも使用可
能な各種の半導体デバイスが期待されて、研究されてい
る。従来のシリコンのデバイスでは、最高でも１５０℃
程度がその動作限界とされているが、ＳｉＣでは、既に
ｐｎ接合ダイオードやＭＯＳＦＥＴ（金属─酸化膜─半
導体構造の電界効果トランジスタ）等の要素デバイスが
試作され、４００℃以上の高温でも動作が確認されてい
る。このような高温での使用が可能となれば、原子炉や
宇宙など環境が酷しく、人の近づけない環境でのロボッ
トやコンピュータなどが使用可能となる。また、従来の
シリコンデバイスは、動作時の発生損失による発熱によ
り温度上昇してしまうため、これを抑制する冷却設備を
備える必要があり、冷却フィンや、冷却設備のために装
置全体が大型化してしまう。ＳｉＣでは、これらの冷却
設備を大幅に小型化、簡素化が可能となる。多くの部品
を占める半導体デバイスを以上のように小型化が可能と
なれば、例えば自動車では、大幅に燃費を向上させるこ
とが可能となり、環境保全にも多大な効果が期待でき
る。このようにＳｉＣの半導体デバイスは、多くの応用
分野で期待されている。
ンドギャップが大きく、また化学的に安定な材料である
ため、シリコンと比較すると高温や放射線下でも使用可
能な各種の半導体デバイスが期待されて、研究されてい
る。従来のシリコンのデバイスでは、最高でも１５０℃
程度がその動作限界とされているが、ＳｉＣでは、既に
ｐｎ接合ダイオードやＭＯＳＦＥＴ（金属─酸化膜─半
導体構造の電界効果トランジスタ）等の要素デバイスが
試作され、４００℃以上の高温でも動作が確認されてい
る。このような高温での使用が可能となれば、原子炉や
宇宙など環境が酷しく、人の近づけない環境でのロボッ
トやコンピュータなどが使用可能となる。また、従来の
シリコンデバイスは、動作時の発生損失による発熱によ
り温度上昇してしまうため、これを抑制する冷却設備を
備える必要があり、冷却フィンや、冷却設備のために装
置全体が大型化してしまう。ＳｉＣでは、これらの冷却
設備を大幅に小型化、簡素化が可能となる。多くの部品
を占める半導体デバイスを以上のように小型化が可能と
なれば、例えば自動車では、大幅に燃費を向上させるこ
とが可能となり、環境保全にも多大な効果が期待でき
る。このようにＳｉＣの半導体デバイスは、多くの応用
分野で期待されている。
【０００３】縦型ＭＯＳＦＥＴは、ＳｉＣの電力用半導
体デバイスへの適用を考える上で重要なデバイスであ
る。その理由は電圧駆動型デバイスであるため素子の並
列駆動や、駆動回路が簡素化が可能なこと、および、ユ
ニポーラ素子であるために、高速スイッチングが可能な
ことによる。ＳｉＣにおいては、シリコンと異なり深い
不純物拡散が困難であるのに対してエピタキシャル成長
は比較的容易であるので、図４のようなトレンチ５を持
つトレンチＭＯＳＦＥＴが一般的である。図４は、これ
まで試作されているＳｉＣのトレンチＭＯＳＦＥＴの要
部断面図である。図において、ｎ+ サブストレート１上
にそれより不純物濃度の低いｎドリフト層２とｐ型のｐ
ベース層３をエピタキシャル成長したＳｉＣ基板の表面
層に選択的に高濃度のｎ+ ソース領域４が形成され、そ
のｎ+ ソース領域４の一部に、表面からｎドリフト層２
に達する溝（以後トレンチと呼ぶ）５が形成されてい
る。トレンチ５の内側には、ゲート絶縁膜６を介してゲ
ート電極７が設けられ、また、ｎ+ ソース領域４の表面
とｐベース層３の表面露出部に共通に接触してソース電
極８、ｎ+ サブストレート１の裏面にドレイン電極９が
それぞれ設けられている。
体デバイスへの適用を考える上で重要なデバイスであ
る。その理由は電圧駆動型デバイスであるため素子の並
列駆動や、駆動回路が簡素化が可能なこと、および、ユ
ニポーラ素子であるために、高速スイッチングが可能な
ことによる。ＳｉＣにおいては、シリコンと異なり深い
不純物拡散が困難であるのに対してエピタキシャル成長
は比較的容易であるので、図４のようなトレンチ５を持
つトレンチＭＯＳＦＥＴが一般的である。図４は、これ
まで試作されているＳｉＣのトレンチＭＯＳＦＥＴの要
部断面図である。図において、ｎ+ サブストレート１上
にそれより不純物濃度の低いｎドリフト層２とｐ型のｐ
ベース層３をエピタキシャル成長したＳｉＣ基板の表面
層に選択的に高濃度のｎ+ ソース領域４が形成され、そ
のｎ+ ソース領域４の一部に、表面からｎドリフト層２
に達する溝（以後トレンチと呼ぶ）５が形成されてい
る。トレンチ５の内側には、ゲート絶縁膜６を介してゲ
ート電極７が設けられ、また、ｎ+ ソース領域４の表面
とｐベース層３の表面露出部に共通に接触してソース電
極８、ｎ+ サブストレート１の裏面にドレイン電極９が
それぞれ設けられている。
【０００４】このＭＯＳＦＥＴの動作は、ドレイン電極
９とソース電極８との間に電圧を印加した状態で、ゲー
ト電極７にある値以上の正の電圧を加えると、ゲート電
極７の横のｐベース層３の表面層に反転層が形成され、
その反転層を通じてソース電極８からドレイン電極９へ
と電子電流が流れるものである。ＳｉＣにおいては、ゲ
ート絶縁膜としてＳｉＣを熱酸化してできるシリコン酸
化膜が使用できる。
９とソース電極８との間に電圧を印加した状態で、ゲー
ト電極７にある値以上の正の電圧を加えると、ゲート電
極７の横のｐベース層３の表面層に反転層が形成され、
その反転層を通じてソース電極８からドレイン電極９へ
と電子電流が流れるものである。ＳｉＣにおいては、ゲ
ート絶縁膜としてＳｉＣを熱酸化してできるシリコン酸
化膜が使用できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】絶縁膜と半導体の界面
に於いて、絶縁膜の電界をＥｉ、半導体の電界をＥｓと
すると、 εｉ・Ｅｉ＝εｓ・Ｅｓ なる式が成り立つ。ここでεｓは、半導体の誘電率、ε
ｉは絶縁膜の誘電率である。従って Ｅｉ／Ｅｓ＝εｓ／εｉ である。この値をシリコンとＳｉＣの場合について計算
してみる。
に於いて、絶縁膜の電界をＥｉ、半導体の電界をＥｓと
すると、 εｉ・Ｅｉ＝εｓ・Ｅｓ なる式が成り立つ。ここでεｓは、半導体の誘電率、ε
ｉは絶縁膜の誘電率である。従って Ｅｉ／Ｅｓ＝εｓ／εｉ である。この値をシリコンとＳｉＣの場合について計算
してみる。
【０００６】 εｓ＝１１．７ （シリコン） εｓ＝１０．０ （ＳｉＣ） であり、いま、絶縁膜をシリコン酸化膜として、その誘
電率εｉ＝３．８を代入すると Ｅｉ／Ｅｓ＝３．１ （シリコン） Ｅｉ／Ｅｓ＝２．６ （ＳｉＣ） となる。すなわち、図４の従来の構造ではゲート絶縁膜
には、半導体部分よりはるかに大きい電界がかかること
になる。図５に図４のＡ−Ａ線に沿ったゲート部分での
電界分布を示す。縦軸は電界強度、横軸は深さである。
絶縁膜の電界強度Ｅｉは、半導体のそれＥｓの約３倍大
きい。
電率εｉ＝３．８を代入すると Ｅｉ／Ｅｓ＝３．１ （シリコン） Ｅｉ／Ｅｓ＝２．６ （ＳｉＣ） となる。すなわち、図４の従来の構造ではゲート絶縁膜
には、半導体部分よりはるかに大きい電界がかかること
になる。図５に図４のＡ−Ａ線に沿ったゲート部分での
電界分布を示す。縦軸は電界強度、横軸は深さである。
絶縁膜の電界強度Ｅｉは、半導体のそれＥｓの約３倍大
きい。
【０００７】更に、半導体の最大電界Ｅｓｍａｘは、 Ｅｓｍａｘ＝２×１０5 Ｖ／ｃｍ （シリコン） Ｅｓｍａｘ＝２×１０6 Ｖ／ｃｍ （ＳｉＣ） であるから、絶縁膜の最大電界Ｅｉｍａｘは、 Ｅｉｍａｘ＝６×１０5 Ｖ／ｃｍ （シリコン） Ｅｉｍａｘ＝５×１０6 Ｖ／ｃｍ （ＳｉＣ） となる。シリコン酸化膜の絶縁破壊耐圧は８×１０6 Ｖ
／ｃｍ程度であることを考えると、半導体内部でアバラ
ンシェ降伏が始まるころには、ＳｉＣの場合、ゲート絶
縁膜に絶縁破壊耐圧に近い大きな電界が印加されること
になる。
／ｃｍ程度であることを考えると、半導体内部でアバラ
ンシェ降伏が始まるころには、ＳｉＣの場合、ゲート絶
縁膜に絶縁破壊耐圧に近い大きな電界が印加されること
になる。
【０００８】通常パワーデバイスでは、アバランシェ電
流が流れた際に、一定電流まで耐えることが要求される
が、従来のＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴでは、アバラン
シェ降伏がゲート部のトレンチで始まるので、そのアバ
ランシェ耐量がゲート絶縁膜の絶縁破壊によって規定さ
れてしまい、非常に小さな値になっている。以上の問題
に鑑み、本発明の目的は、ゲート絶縁膜の絶縁破壊が起
きない、アバランシェ耐量の大きいＳｉＣトレンチＭＯ
ＳＦＥＴを提供することにある。
流が流れた際に、一定電流まで耐えることが要求される
が、従来のＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴでは、アバラン
シェ降伏がゲート部のトレンチで始まるので、そのアバ
ランシェ耐量がゲート絶縁膜の絶縁破壊によって規定さ
れてしまい、非常に小さな値になっている。以上の問題
に鑑み、本発明の目的は、ゲート絶縁膜の絶縁破壊が起
きない、アバランシェ耐量の大きいＳｉＣトレンチＭＯ
ＳＦＥＴを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題解決のため本
発明は、第一導電型の炭化ケイ素半導体サブストレート
上にエピタキシャル成長法により順に形成されたサブス
トレートより不純物濃度の低い炭化ケイ素の第一導電型
ドリフト層と炭化ケイ素の第二導電型ベース層と、その
第二導電型ベース層の表面層の一部に形成された第一導
電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表面か
ら第一導電型ドリフト層に達するトレンチを有し、その
トレンチ内に絶縁膜を介して電圧を印加する電極を備え
る炭化ケイ素トレンチＭＯＳＦＥＴにおいて、前記トレ
ンチよりさらに深い第二のトレンチを有し、その第二の
トレンチの内面に接するショットキー電極を備えるもの
とする。
発明は、第一導電型の炭化ケイ素半導体サブストレート
上にエピタキシャル成長法により順に形成されたサブス
トレートより不純物濃度の低い炭化ケイ素の第一導電型
ドリフト層と炭化ケイ素の第二導電型ベース層と、その
第二導電型ベース層の表面層の一部に形成された第一導
電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表面か
ら第一導電型ドリフト層に達するトレンチを有し、その
トレンチ内に絶縁膜を介して電圧を印加する電極を備え
る炭化ケイ素トレンチＭＯＳＦＥＴにおいて、前記トレ
ンチよりさらに深い第二のトレンチを有し、その第二の
トレンチの内面に接するショットキー電極を備えるもの
とする。
【００１０】また、第一導電型の炭化ケイ素半導体サブ
ストレート上にエピタキシャル成長法により順に形成さ
れたサブストレートより不純物濃度の低い炭化ケイ素の
第一導電型ドリフト層、炭化ケイ素の第二導電型ベース
層と炭化ケイ素の第一導電型ソース層と、その第一導電
型ソース層の表面から第一導電型ドリフト層に達するト
レンチとを有し、そのトレンチ内に絶縁膜を介して電圧
を印加する電極を備える炭化ケイ素トレンチＭＯＳＦＥ
Ｔにおいて、前記トレンチよりさらに深い第二のトレン
チを有し、その第二のトレンチの内面に接するショット
キー電極を備えるものでもよい。
ストレート上にエピタキシャル成長法により順に形成さ
れたサブストレートより不純物濃度の低い炭化ケイ素の
第一導電型ドリフト層、炭化ケイ素の第二導電型ベース
層と炭化ケイ素の第一導電型ソース層と、その第一導電
型ソース層の表面から第一導電型ドリフト層に達するト
レンチとを有し、そのトレンチ内に絶縁膜を介して電圧
を印加する電極を備える炭化ケイ素トレンチＭＯＳＦＥ
Ｔにおいて、前記トレンチよりさらに深い第二のトレン
チを有し、その第二のトレンチの内面に接するショット
キー電極を備えるものでもよい。
【００１１】特に、第二のトレンチの内面に接触する電
極がＴｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ−Ｔｉ合金のいずれかから
なるものとする。
極がＴｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ−Ｔｉ合金のいずれかから
なるものとする。
【００１２】
【作用】上記の手段を講じ、ゲート電極の充填されたト
レンチより深い第二のトレンチの内面に接するショット
キー電極を備えることによって、最大電界の発生する場
所が、ゲート絶縁膜のあるトレンチと異なる部分とな
り、絶縁膜の絶縁破壊を防止し、アバランシェ耐量を増
大させることができる。
レンチより深い第二のトレンチの内面に接するショット
キー電極を備えることによって、最大電界の発生する場
所が、ゲート絶縁膜のあるトレンチと異なる部分とな
り、絶縁膜の絶縁破壊を防止し、アバランシェ耐量を増
大させることができる。
【００１３】特に、第二のトレンチに接触する電極がＴ
ｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ−Ｔｉ合金のいずれかからなるも
のとすれば、十分な耐圧を持つショットキー電極が比較
的低温で形成できる。
ｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ−Ｔｉ合金のいずれかからなるも
のとすれば、十分な耐圧を持つショットキー電極が比較
的低温で形成できる。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明を実施例のＳｉＣトレンチＭ
ＯＳＦＥＴの要部断面図である。図に示したのは、電流
のオン・オフを行う活性領域であり、ＭＯＳＦＥＴに
は、この他に主に周縁部に耐圧を担う部分があるが、そ
の部分は本発明の本質に関わる部分ではないので記述を
省略する。図において、ｎ+ サブストレート１上にそれ
より不純物濃度の低いｎドリフト層２とｐ型のｐベース
層３をエピタキシャル成長したＳｉＣ基板のｐベース層
３の表面層に選択的に高濃度のｎ+ ソース領域４が形成
され、そのｎ+ ソース領域４の一部に、表面からｎドリ
フト層２に達するトレンチ５が形成されている。トレン
チ５の内側には、シリコン酸化膜のゲート絶縁膜６を介
して多結晶シリコンのゲート電極７が設けられている。
またｎ+サブストレート１の裏面にＮｉ膜のドレイン電
極９が設けられている点は、図３の従来のＭＯＳＦＥＴ
と同じであるが、このＭＯＳＦＥＴでは、ｐベース層３
の表面からゲート部分のトレンチ５よりも深い第二トレ
ンチ２０が形成されている。そして、その第二トレンチ
２０の底面からｐベース層３の表面に達するＴｉからな
るショットキー電極２１が設けられている。ｎ+ ソース
領域４の表面上とショットキー電極２１とに共通に接触
してＮｉ膜のソース電極８が設けられている。
ＯＳＦＥＴの要部断面図である。図に示したのは、電流
のオン・オフを行う活性領域であり、ＭＯＳＦＥＴに
は、この他に主に周縁部に耐圧を担う部分があるが、そ
の部分は本発明の本質に関わる部分ではないので記述を
省略する。図において、ｎ+ サブストレート１上にそれ
より不純物濃度の低いｎドリフト層２とｐ型のｐベース
層３をエピタキシャル成長したＳｉＣ基板のｐベース層
３の表面層に選択的に高濃度のｎ+ ソース領域４が形成
され、そのｎ+ ソース領域４の一部に、表面からｎドリ
フト層２に達するトレンチ５が形成されている。トレン
チ５の内側には、シリコン酸化膜のゲート絶縁膜６を介
して多結晶シリコンのゲート電極７が設けられている。
またｎ+サブストレート１の裏面にＮｉ膜のドレイン電
極９が設けられている点は、図３の従来のＭＯＳＦＥＴ
と同じであるが、このＭＯＳＦＥＴでは、ｐベース層３
の表面からゲート部分のトレンチ５よりも深い第二トレ
ンチ２０が形成されている。そして、その第二トレンチ
２０の底面からｐベース層３の表面に達するＴｉからな
るショットキー電極２１が設けられている。ｎ+ ソース
領域４の表面上とショットキー電極２１とに共通に接触
してＮｉ膜のソース電極８が設けられている。
【００１５】図１のＭＯＳＦＥＴの動作は、ドレイン電
極９とソース電極８との間に電圧を印加した状態で、ゲ
ート電極７にある値以上の正の電圧を加えると、ゲート
電極７の横のｐベース層３の表面層に反転層が形成さ
れ、その反転層を通じてソース電極８からドレイン電極
９へと電子電流が流れるものである。図１のＭＯＳＦＥ
Ｔでは、第二のトレンチ２０の深さは、ゲート部分のト
レンチ５よりも深いので、ドレイン電極９とソース電極
８との間に電圧を印加し、その電圧を高めた際、第二の
トレンチ２０の角部で最初にアバランシェ降伏が起きる
ので、ゲート部のトレンチ５の角部でアバランシェ降伏
が起きてゲート絶縁膜６が破壊することはない。すなわ
ち、電圧印加時にゲート絶縁膜が絶縁破壊することのな
い、アバランシェ耐量の大きいＭＯＳＦＥＴとすること
ができる。
極９とソース電極８との間に電圧を印加した状態で、ゲ
ート電極７にある値以上の正の電圧を加えると、ゲート
電極７の横のｐベース層３の表面層に反転層が形成さ
れ、その反転層を通じてソース電極８からドレイン電極
９へと電子電流が流れるものである。図１のＭＯＳＦＥ
Ｔでは、第二のトレンチ２０の深さは、ゲート部分のト
レンチ５よりも深いので、ドレイン電極９とソース電極
８との間に電圧を印加し、その電圧を高めた際、第二の
トレンチ２０の角部で最初にアバランシェ降伏が起きる
ので、ゲート部のトレンチ５の角部でアバランシェ降伏
が起きてゲート絶縁膜６が破壊することはない。すなわ
ち、電圧印加時にゲート絶縁膜が絶縁破壊することのな
い、アバランシェ耐量の大きいＭＯＳＦＥＴとすること
ができる。
【００１６】図３（ａ）ないし（ｅ）は、図１の実施例
のトレンチＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための各
工程の断面図である。ｎ+ サブストレート１上にそれよ
り不純物濃度の低いｎドリフト層２とｐ型のｐベース層
３をエピタキシャル成長したＳｉＣ基板の、ｐベース層
３の表面層に選択的に高濃度の窒素イオンの注入および
熱処理による活性化を行い、ｎ+ ソース領域４を形成す
る〔図３（ａ）〕。次にフォトレジストのパターニング
と塩素／酸素の混合ガスを用いたプラズマエッチングに
よって、ゲート部分のトレンチ５とアバランシェ発生領
域のトレンチ２０を形成する〔図３（ｂ）〕。このプロ
セスは、選択酸化によってもできる。ここでアバランシ
ェ発生領域の第二のトレンチ２０の深さは、ゲート部分
のトレンチ５よりも深くすることが重要である。次にゲ
ート部分のトレンチ５内に熱酸化によりゲート絶縁膜６
を形成し、さらに減圧ＣＶＤ法により多結晶シリコンを
充填してゲート電極７を形成する。続いて、アバランシ
ェ発生領域の第二のトレンチ２０内にＴｉをスパッタ法
により被着し、フォトレジストのパターニングをしてシ
ョットキー電極２１を形成する〔図３（ｃ）〕。最後に
Ｎｉをスパッタ法により被着してソース電極８およびド
レイン電極９を形成する〔図３（ｄ）〕。
のトレンチＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための各
工程の断面図である。ｎ+ サブストレート１上にそれよ
り不純物濃度の低いｎドリフト層２とｐ型のｐベース層
３をエピタキシャル成長したＳｉＣ基板の、ｐベース層
３の表面層に選択的に高濃度の窒素イオンの注入および
熱処理による活性化を行い、ｎ+ ソース領域４を形成す
る〔図３（ａ）〕。次にフォトレジストのパターニング
と塩素／酸素の混合ガスを用いたプラズマエッチングに
よって、ゲート部分のトレンチ５とアバランシェ発生領
域のトレンチ２０を形成する〔図３（ｂ）〕。このプロ
セスは、選択酸化によってもできる。ここでアバランシ
ェ発生領域の第二のトレンチ２０の深さは、ゲート部分
のトレンチ５よりも深くすることが重要である。次にゲ
ート部分のトレンチ５内に熱酸化によりゲート絶縁膜６
を形成し、さらに減圧ＣＶＤ法により多結晶シリコンを
充填してゲート電極７を形成する。続いて、アバランシ
ェ発生領域の第二のトレンチ２０内にＴｉをスパッタ法
により被着し、フォトレジストのパターニングをしてシ
ョットキー電極２１を形成する〔図３（ｃ）〕。最後に
Ｎｉをスパッタ法により被着してソース電極８およびド
レイン電極９を形成する〔図３（ｄ）〕。
【００１７】ショットキー電極は、他にＡｕ、Ｐｄ、Ａ
ｌ−Ｔｉ合金によっても形成でき、いずれも低温で形成
可能である。高耐圧のショットキーダイオードも試作さ
れていて、ＳｉＣでは高耐圧のショットキー接合が実現
できる。以上のように本発明のＳｉＣトレンチＭＯＳＦ
ＥＴの製造プロセスの実施上、特に問題となるような点
は無い。
ｌ−Ｔｉ合金によっても形成でき、いずれも低温で形成
可能である。高耐圧のショットキーダイオードも試作さ
れていて、ＳｉＣでは高耐圧のショットキー接合が実現
できる。以上のように本発明のＳｉＣトレンチＭＯＳＦ
ＥＴの製造プロセスの実施上、特に問題となるような点
は無い。
【００１８】図２は、本発明の別の実施例のＳｉＣトレ
ンチＭＯＳＦＥＴの要部断面図である。図において、ｎ
+ サブストレート１上にそれより不純物濃度の低いｎド
リフト層２、ｐ型のｐベース層３および高濃度のｎ+ ソ
ース層１４をエピタキシャル成長したＳｉＣ基板の表面
からｎドリフト層２に達するトレンチ５およびそれより
深い第二のトレンチ２０が形成されている。トレンチ５
の内側には、シリコン酸化膜のゲート絶縁膜６を介して
多結晶シリコンのゲート電極７が設けられている。また
ｎ+ サブストレート１の裏面にドレイン電極９が設けら
れている点は、図１の第一の実施例のＭＯＳＦＥＴと同
じである。しかし、このＭＯＳＦＥＴでは、ｎ+ ソース
層１４をエピタキシャル成長したので、その一部をエッ
チング除去してステップ１５を形成し、ｐベース層３の
表面を露出させ、第二のトレンチ２０の底からｐベース
層３の露出表面に達するＴｉからなるショットキー電極
２１が設けられている。そして、ｎ+ ソース層１４の表
面上とショットキー電極２１とに共通に接触してＮｉ膜
のソース電極８が、またｎ+ サブストレート１の裏面に
ドレイン電極９が設けられている。
ンチＭＯＳＦＥＴの要部断面図である。図において、ｎ
+ サブストレート１上にそれより不純物濃度の低いｎド
リフト層２、ｐ型のｐベース層３および高濃度のｎ+ ソ
ース層１４をエピタキシャル成長したＳｉＣ基板の表面
からｎドリフト層２に達するトレンチ５およびそれより
深い第二のトレンチ２０が形成されている。トレンチ５
の内側には、シリコン酸化膜のゲート絶縁膜６を介して
多結晶シリコンのゲート電極７が設けられている。また
ｎ+ サブストレート１の裏面にドレイン電極９が設けら
れている点は、図１の第一の実施例のＭＯＳＦＥＴと同
じである。しかし、このＭＯＳＦＥＴでは、ｎ+ ソース
層１４をエピタキシャル成長したので、その一部をエッ
チング除去してステップ１５を形成し、ｐベース層３の
表面を露出させ、第二のトレンチ２０の底からｐベース
層３の露出表面に達するＴｉからなるショットキー電極
２１が設けられている。そして、ｎ+ ソース層１４の表
面上とショットキー電極２１とに共通に接触してＮｉ膜
のソース電極８が、またｎ+ サブストレート１の裏面に
ドレイン電極９が設けられている。
【００１９】図２のＭＯＳＦＥＴにおいても、第二のト
レンチ２０の深さは、ゲート部分のトレンチ５よりも深
いので、そのトレンチ２０の角部で最初にアバランシェ
降伏が起き、ゲート絶縁膜６が破壊することはない。す
なわち、電圧印加時にゲート絶縁膜が絶縁破壊すること
のない、アバランシェ耐量の大きいＭＯＳＦＥＴとする
ことができる。
レンチ２０の深さは、ゲート部分のトレンチ５よりも深
いので、そのトレンチ２０の角部で最初にアバランシェ
降伏が起き、ゲート絶縁膜６が破壊することはない。す
なわち、電圧印加時にゲート絶縁膜が絶縁破壊すること
のない、アバランシェ耐量の大きいＭＯＳＦＥＴとする
ことができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＳｉＣ縦型
ＭＯＳＦＥＴは、ゲート部より深いトレンチを設け、そ
のトレンチ内に、Ｔｉ等からなるショットキー電極を形
成することによって、電圧印加時にゲート絶縁膜が絶縁
破壊することのない、アバランシェ耐量の大きいＳｉＣ
トレンチＭＯＳＦＥＴとすることができる。
ＭＯＳＦＥＴは、ゲート部より深いトレンチを設け、そ
のトレンチ内に、Ｔｉ等からなるショットキー電極を形
成することによって、電圧印加時にゲート絶縁膜が絶縁
破壊することのない、アバランシェ耐量の大きいＳｉＣ
トレンチＭＯＳＦＥＴとすることができる。
【図１】本発明の実施例のＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴ
の要部断面図
の要部断面図
【図２】本発明の別の実施例のＳｉＣトレンチＭＯＳＦ
ＥＴの要部断面図
ＥＴの要部断面図
【図３】（ａ）ないし（ｄ）は図１のトレンチＭＯＳＦ
ＥＴの製造方法を説明するための製造工程順の要部断面
図
ＥＴの製造方法を説明するための製造工程順の要部断面
図
【図４】従来のＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴの要部断面
図
図
【図５】図４のトレンチＭＯＳＦＥＴにおけるＡ−Ａ線
に沿っての電界強度分布図
に沿っての電界強度分布図
１ ｎ+ サブストレート ２ ｎドリフト層 ３ ｐベース層 ４ ｎ+ ソース領域 ５ トレンチ ６ ゲート絶縁膜 ７ ゲート電極 ８ ソース電極 ９ ドレイン電極 １４ ｎ+ ソース層 １５ ステップ ２０ 第二トレンチ ２１ ショットキー電極
Claims (3)
- 【請求項１】第一導電型の炭化ケイ素半導体サブストレ
ート上にエピタキシャル成長法により順に形成されたサ
ブストレートより不純物濃度の低い炭化ケイ素の第一導
電型ドリフト層と炭化ケイ素の第二導電型ベース層と、
その第二導電型ベース層の表面層の一部に形成された第
一導電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表
面から第一導電型ドリフト層に達するトレンチを有し、
そのトレンチ内に絶縁膜を介して電圧を印加する電極を
備えるものにおいて、前記トレンチよりさらに深い第二
のトレンチを有し、その第二のトレンチの内面に接する
ショットキー電極を備えることを特徴とする炭化ケイ素
トレンチＭＯＳＦＥＴ。 - 【請求項２】第一導電型の炭化ケイ素半導体サブストレ
ート上にエピタキシャル成長法により順に形成されたサ
ブストレートより不純物濃度の低い炭化ケイ素の第一導
電型ドリフト層、炭化ケイ素の第二導電型ベース層と炭
化ケイ素の第一導電型ソース層と、その第一導電型ソー
ス層の表面から第一導電型ドリフト層に達するトレンチ
とを有し、そのトレンチ内に絶縁膜を介して電圧を印加
する電極を備えるものにおいて、前記トレンチよりさら
に深い第二のトレンチを有し、その第二のトレンチの内
面に接するショットキー電極を備えることを特徴とする
炭化ケイ素トレンチＭＯＳＦＥＴ。 - 【請求項３】第二のトレンチに接触する電極がＴｉ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ａｌ−Ｔｉ合金のいずれかからなることを特
徴とする請求項１または２に記載の炭化ケイ素トレンチ
ＭＯＳＦＥＴ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010272A JPH08204179A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔ |
| US08/591,796 US5614749A (en) | 1995-01-26 | 1996-01-25 | Silicon carbide trench MOSFET |
| US08/768,807 US5693569A (en) | 1995-01-26 | 1996-12-18 | Method of forming silicon carbide trench mosfet with a schottky electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010272A JPH08204179A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204179A true JPH08204179A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11745688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7010272A Pending JPH08204179A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5614749A (ja) |
| JP (1) | JPH08204179A (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032177A1 (en) * | 1997-01-20 | 1998-07-23 | Abb Research Limited | A SCHOTTKY DIODE OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF |
| JP2002203967A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
| JP2003017701A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2005501408A (ja) * | 2001-08-23 | 2005-01-13 | ゼネラル セミコンダクター，インク． | トレンチショットキー整流器が組み込まれたトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ |
| US7126169B2 (en) | 2000-10-23 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element |
| JP2009278067A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法 |
| JP2010206002A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Fuji Electric Systems Co Ltd | ｐチャネル型炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ |
| JP2010225615A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| WO2012105609A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2012238769A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体素子 |
| US9024330B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-05-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9209276B2 (en) | 2008-03-03 | 2015-12-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Trench gate type semiconductor device and method of producing the same |
| US9391190B2 (en) | 2013-07-18 | 2016-07-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Field effect transistor incorporating a Schottky diode |
| CN105977157A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-09-28 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种igbt器件的制造方法及其器件 |
| CN106024867A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-10-12 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种mosfet器件及其制造方法 |
| CN106098561A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-09 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种mosfet器件的制造方法及其器件 |
| JP2018056570A (ja) * | 2008-12-25 | 2018-04-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| US10374080B2 (en) | 2017-04-20 | 2019-08-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| US10629725B2 (en) | 2017-11-29 | 2020-04-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having semiconductor regions with an interval therebetween in a gate pad region |
| US10644147B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-05-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device |
| US10693001B2 (en) | 2008-12-25 | 2020-06-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| USRE48072E1 (en) | 2008-12-25 | 2020-06-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10770582B2 (en) | 2018-09-11 | 2020-09-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN112786679A (zh) * | 2019-11-08 | 2021-05-11 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 碳化硅mosfet器件的元胞结构及碳化硅mosfet器件 |
| US11996475B2 (en) | 2021-01-06 | 2024-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Families Citing this family (100)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE9404452D0 (sv) * | 1994-12-22 | 1994-12-22 | Abb Research Ltd | Semiconductor device having an insulated gate |
| US6049108A (en) * | 1995-06-02 | 2000-04-11 | Siliconix Incorporated | Trench-gated MOSFET with bidirectional voltage clamping |
| US6140678A (en) * | 1995-06-02 | 2000-10-31 | Siliconix Incorporated | Trench-gated power MOSFET with protective diode |
| DE19636302C2 (de) * | 1995-09-06 | 1998-08-20 | Denso Corp | Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
| US6573534B1 (en) | 1995-09-06 | 2003-06-03 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device |
| US6133587A (en) * | 1996-01-23 | 2000-10-17 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device and process for manufacturing same |
| SE9601179D0 (sv) * | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Abb Research Ltd | A field controlled semiconductor device of SiC and a method for production thereof |
| US6028012A (en) * | 1996-12-04 | 2000-02-22 | Yale University | Process for forming a gate-quality insulating layer on a silicon carbide substrate |
| US5986304A (en) * | 1997-01-13 | 1999-11-16 | Megamos Corporation | Punch-through prevention in trenched DMOS with poly-silicon layer covering trench corners |
| US6057558A (en) * | 1997-03-05 | 2000-05-02 | Denson Corporation | Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO1998057375A1 (fr) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Seiko Epson Corporation | Composant a semi-conducteur, affichage a cristaux liquides et appareil electronique les comprenant |
| US6037628A (en) | 1997-06-30 | 2000-03-14 | Intersil Corporation | Semiconductor structures with trench contacts |
| US6110799A (en) * | 1997-06-30 | 2000-08-29 | Intersil Corporation | Trench contact process |
| US6054752A (en) * | 1997-06-30 | 2000-04-25 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| KR100304716B1 (ko) * | 1997-09-10 | 2001-11-02 | 김덕중 | 모스컨트롤다이오드및그제조방법 |
| JP4192281B2 (ja) | 1997-11-28 | 2008-12-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| JP3216804B2 (ja) * | 1998-01-06 | 2001-10-09 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦形ｆｅｔの製造方法および炭化けい素縦形ｆｅｔ |
| US6303410B1 (en) | 1998-06-01 | 2001-10-16 | North Carolina State University | Methods of forming power semiconductor devices having T-shaped gate electrodes |
| US6362506B1 (en) * | 1998-08-26 | 2002-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Minimization-feasible word line structure for DRAM cell |
| US6706604B2 (en) | 1999-03-25 | 2004-03-16 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a trench MOS gate device |
| US6188105B1 (en) * | 1999-04-01 | 2001-02-13 | Intersil Corporation | High density MOS-gated power device and process for forming same |
| US6313482B1 (en) | 1999-05-17 | 2001-11-06 | North Carolina State University | Silicon carbide power devices having trench-based silicon carbide charge coupling regions therein |
| US6191447B1 (en) | 1999-05-28 | 2001-02-20 | Micro-Ohm Corporation | Power semiconductor devices that utilize tapered trench-based insulating regions to improve electric field profiles in highly doped drift region mesas and methods of forming same |
| US20030060013A1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-03-27 | Bruce D. Marchant | Method of manufacturing trench field effect transistors with trenched heavy body |
| US7745289B2 (en) | 2000-08-16 | 2010-06-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method of forming a FET having ultra-low on-resistance and low gate charge |
| US6818513B2 (en) | 2001-01-30 | 2004-11-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method of forming a field effect transistor having a lateral depletion structure |
| US7132712B2 (en) | 2002-11-05 | 2006-11-07 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench structure having one or more diodes embedded therein adjacent a PN junction |
| US6803626B2 (en) | 2002-07-18 | 2004-10-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | Vertical charge control semiconductor device |
| US6710403B2 (en) | 2002-07-30 | 2004-03-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Dual trench power MOSFET |
| US6677641B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-01-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor structure with improved smaller forward voltage loss and higher blocking capability |
| US6916745B2 (en) | 2003-05-20 | 2005-07-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | Structure and method for forming a trench MOSFET having self-aligned features |
| FI120310B (fi) * | 2001-02-13 | 2009-09-15 | Valtion Teknillinen | Parannettu menetelmä erittyvien proteiinien tuottamiseksi sienissä |
| DE10214160B4 (de) * | 2002-03-28 | 2014-10-09 | Infineon Technologies Ag | Halbleiteranordnung mit Schottky-Kontakt |
| DE10124115A1 (de) * | 2001-05-17 | 2003-02-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleiteranordnung mit einem MOS-Transistor und einer parallelen Schottky-Diode |
| US6998678B2 (en) * | 2001-05-17 | 2006-02-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor arrangement with a MOS-transistor and a parallel Schottky-diode |
| US6777745B2 (en) * | 2001-06-14 | 2004-08-17 | General Semiconductor, Inc. | Symmetric trench MOSFET device and method of making same |
| JP4865166B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2012-02-01 | 新電元工業株式会社 | トランジスタの製造方法、ダイオードの製造方法 |
| US7061066B2 (en) | 2001-10-17 | 2006-06-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Schottky diode using charge balance structure |
| DE10296970B4 (de) * | 2001-11-30 | 2008-04-24 | Shindengen Electric Mfg. Co. Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
| US7576388B1 (en) | 2002-10-03 | 2009-08-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench-gate LDMOS structures |
| US7033891B2 (en) | 2002-10-03 | 2006-04-25 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench gate laterally diffused MOSFET devices and methods for making such devices |
| US6710418B1 (en) | 2002-10-11 | 2004-03-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Schottky rectifier with insulation-filled trenches and method of forming the same |
| JP4047153B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-02-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US7638841B2 (en) | 2003-05-20 | 2009-12-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Power semiconductor devices and methods of manufacture |
| KR100543901B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US20060192249A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Field effect transistors with vertically oriented gate electrodes and methods for fabricating the same |
| EP1519419B1 (en) * | 2003-09-24 | 2018-02-21 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100994719B1 (ko) | 2003-11-28 | 2010-11-16 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 슈퍼정션 반도체장치 |
| US7368777B2 (en) | 2003-12-30 | 2008-05-06 | Fairchild Semiconductor Corporation | Accumulation device with charge balance structure and method of forming the same |
| JP4039376B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2008-01-30 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
| JP2005285913A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7352036B2 (en) | 2004-08-03 | 2008-04-01 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor power device having a top-side drain using a sinker trench |
| US7667264B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Alpha And Omega Semiconductor Limited | Shallow source MOSFET |
| JP4899405B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2012-03-21 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP4091595B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2008-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US8362547B2 (en) | 2005-02-11 | 2013-01-29 | Alpha & Omega Semiconductor Limited | MOS device with Schottky barrier controlling layer |
| US7948029B2 (en) | 2005-02-11 | 2011-05-24 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | MOS device with varying trench depth |
| US8093651B2 (en) * | 2005-02-11 | 2012-01-10 | Alpha & Omega Semiconductor Limited | MOS device with integrated schottky diode in active region contact trench |
| US7285822B2 (en) * | 2005-02-11 | 2007-10-23 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Power MOS device |
| US7737522B2 (en) * | 2005-02-11 | 2010-06-15 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. | Trench junction barrier controlled Schottky device with top and bottom doped regions for enhancing forward current in a vertical direction |
| US8283723B2 (en) * | 2005-02-11 | 2012-10-09 | Alpha & Omega Semiconductor Limited | MOS device with low injection diode |
| US7671439B2 (en) * | 2005-02-11 | 2010-03-02 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. | Junction barrier Schottky (JBS) with floating islands |
| AT504998A2 (de) * | 2005-04-06 | 2008-09-15 | Fairchild Semiconductor | Trenched-gate-feldeffekttransistoren und verfahren zum bilden derselben |
| US7446374B2 (en) | 2006-03-24 | 2008-11-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | High density trench FET with integrated Schottky diode and method of manufacture |
| US7319256B1 (en) | 2006-06-19 | 2008-01-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Shielded gate trench FET with the shield and gate electrodes being connected together |
| WO2009039441A1 (en) | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Superjunction structures for power devices and methods of manufacture |
| US7772668B2 (en) | 2007-12-26 | 2010-08-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Shielded gate trench FET with multiple channels |
| CN101933141B (zh) | 2008-01-29 | 2013-02-13 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
| US20120273916A1 (en) | 2011-04-27 | 2012-11-01 | Yedinak Joseph A | Superjunction Structures for Power Devices and Methods of Manufacture |
| US8174067B2 (en) | 2008-12-08 | 2012-05-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics |
| US8143126B2 (en) | 2010-05-10 | 2012-03-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a vertical MOS transistor |
| US8319290B2 (en) | 2010-06-18 | 2012-11-27 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench MOS barrier schottky rectifier with a planar surface using CMP techniques |
| JP5630114B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2014-11-26 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
| US20130240981A1 (en) * | 2011-04-22 | 2013-09-19 | Infineon Technologies Austria Ag | Transistor array with a mosfet and manufacturing method |
| US8673700B2 (en) | 2011-04-27 | 2014-03-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Superjunction structures for power devices and methods of manufacture |
| US8786010B2 (en) | 2011-04-27 | 2014-07-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Superjunction structures for power devices and methods of manufacture |
| US8836028B2 (en) | 2011-04-27 | 2014-09-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Superjunction structures for power devices and methods of manufacture |
| US8772868B2 (en) | 2011-04-27 | 2014-07-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Superjunction structures for power devices and methods of manufacture |
| US8362585B1 (en) | 2011-07-15 | 2013-01-29 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Junction barrier Schottky diode with enforced upper contact structure and method for robust packaging |
| JP5759293B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2015-08-05 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2013031212A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | 次世代パワーデバイス技術研究組合 | 双方向素子、双方向素子回路および電力変換装置 |
| WO2013035845A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ2Ｏ3系半導体素子 |
| JP5759393B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2015-08-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US8587033B1 (en) | 2012-06-04 | 2013-11-19 | Infineon Technologies Austria Ag | Monolithically integrated HEMT and current protection device |
| TWI520337B (zh) | 2012-12-19 | 2016-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法 |
| CN107004714B (zh) | 2014-11-18 | 2021-09-28 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| US9583482B2 (en) | 2015-02-11 | 2017-02-28 | Monolith Semiconductor Inc. | High voltage semiconductor devices and methods of making the devices |
| CN106098752A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-09 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种igbt器件及其制造方法 |
| WO2018078775A1 (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| CN106876256B (zh) * | 2017-03-31 | 2020-05-12 | 西安电子科技大学 | SiC双槽UMOSFET器件及其制备方法 |
| CN106876471B (zh) * | 2017-03-31 | 2019-12-17 | 西安电子科技大学 | 双槽umosfet器件 |
| SE541402C2 (en) | 2017-09-15 | 2019-09-17 | Ascatron Ab | Integration of a schottky diode with a mosfet |
| SE541291C2 (en) | 2017-09-15 | 2019-06-11 | Ascatron Ab | Feeder design with high current capability |
| SE541290C2 (en) | 2017-09-15 | 2019-06-11 | Ascatron Ab | A method for manufacturing a grid |
| SE541466C2 (en) | 2017-09-15 | 2019-10-08 | Ascatron Ab | A concept for silicon carbide power devices |
| US10388758B2 (en) * | 2018-01-22 | 2019-08-20 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor structure having a high voltage well region |
| JP7279587B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2023-05-23 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN111403474A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-10 | 电子科技大学 | 一种集成肖特基二极管的双沟道碳化硅mosfet器件 |
| TWI752512B (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-11 | 國立陽明交通大學 | 溝槽式電晶體及其製造方法 |
| DE102020115157A1 (de) | 2020-06-08 | 2021-12-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zur Herstellung eines Trench-MOSFET |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0693512B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1994-11-16 | 日産自動車株式会社 | 縦形ｍｏｓｆｅｔ |
| US5216264A (en) * | 1989-06-07 | 1993-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Silicon carbide MOS type field-effect transistor with at least one of the source and drain regions is formed by the use of a schottky contact |
| JP2606404B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1997-05-07 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
| US5506421A (en) * | 1992-11-24 | 1996-04-09 | Cree Research, Inc. | Power MOSFET in silicon carbide |
| US5323040A (en) * | 1993-09-27 | 1994-06-21 | North Carolina State University At Raleigh | Silicon carbide field effect device |
| US5396085A (en) * | 1993-12-28 | 1995-03-07 | North Carolina State University | Silicon carbide switching device with rectifying-gate |
-
1995
- 1995-01-26 JP JP7010272A patent/JPH08204179A/ja active Pending
-
1996
- 1996-01-25 US US08/591,796 patent/US5614749A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-18 US US08/768,807 patent/US5693569A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032177A1 (en) * | 1997-01-20 | 1998-07-23 | Abb Research Limited | A SCHOTTKY DIODE OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF |
| JP2002203967A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
| US7126169B2 (en) | 2000-10-23 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element |
| JP2003017701A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP4874516B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2012-02-15 | ゼネラル セミコンダクター，インク． | トレンチショットキー整流器が組み込まれたトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ |
| JP2005501408A (ja) * | 2001-08-23 | 2005-01-13 | ゼネラル セミコンダクター，インク． | トレンチショットキー整流器が組み込まれたトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ |
| US9559188B2 (en) | 2008-03-03 | 2017-01-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Trench gate type semiconductor device and method of producing the same |
| US9209276B2 (en) | 2008-03-03 | 2015-12-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Trench gate type semiconductor device and method of producing the same |
| JP2009278067A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法 |
| US8564028B2 (en) | 2008-04-17 | 2013-10-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same |
| US9252266B2 (en) | 2008-04-17 | 2016-02-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Wide band gap semiconductor device and method for producing the same |
| US11804545B2 (en) | 2008-12-25 | 2023-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11152501B2 (en) | 2008-12-25 | 2021-10-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| USRE48289E1 (en) | 2008-12-25 | 2020-10-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| USRE48072E1 (en) | 2008-12-25 | 2020-06-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10693001B2 (en) | 2008-12-25 | 2020-06-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2018056570A (ja) * | 2008-12-25 | 2018-04-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| US8198676B2 (en) | 2009-03-04 | 2012-06-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | P-channel silicon carbide MOSFET |
| JP2010206002A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Fuji Electric Systems Co Ltd | ｐチャネル型炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ |
| JP2010225615A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| US9406744B2 (en) | 2011-02-02 | 2016-08-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device having a breakdown voltage holding region |
| US9184286B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-11-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device having a breakdown voltage holding region |
| WO2012105609A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| US9698216B2 (en) | 2011-02-02 | 2017-07-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device having a breakdown voltage holding region |
| JP2012238769A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体素子 |
| US9024330B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-05-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9391190B2 (en) | 2013-07-18 | 2016-07-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Field effect transistor incorporating a Schottky diode |
| CN105977157A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-09-28 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种igbt器件的制造方法及其器件 |
| CN106098561A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-09 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种mosfet器件的制造方法及其器件 |
| CN106024867A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-10-12 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种mosfet器件及其制造方法 |
| US10374080B2 (en) | 2017-04-20 | 2019-08-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| US10629725B2 (en) | 2017-11-29 | 2020-04-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having semiconductor regions with an interval therebetween in a gate pad region |
| US10644147B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-05-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device |
| US10770582B2 (en) | 2018-09-11 | 2020-09-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN112786679A (zh) * | 2019-11-08 | 2021-05-11 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 碳化硅mosfet器件的元胞结构及碳化硅mosfet器件 |
| CN112786679B (zh) * | 2019-11-08 | 2023-04-14 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 碳化硅mosfet器件的元胞结构及碳化硅mosfet器件 |
| US11996475B2 (en) | 2021-01-06 | 2024-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5693569A (en) | 1997-12-02 |
| US5614749A (en) | 1997-03-25 |
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