JPH08203904A - はんだバンプ形成方法 - Google Patents
はんだバンプ形成方法Info
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- JPH08203904A JPH08203904A JP7009676A JP967695A JPH08203904A JP H08203904 A JPH08203904 A JP H08203904A JP 7009676 A JP7009676 A JP 7009676A JP 967695 A JP967695 A JP 967695A JP H08203904 A JPH08203904 A JP H08203904A
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップ等に低コストで効率よくはんだバ
ンプを形成することができるはんだバンプ形成方法を提
供すること。 【構成】銅バンプ１２が突設された基板１１ａの銅バン
プ１２にはんだバンプ１３を形成するはんだバンプ形成
方法において、銅バンプ１２を加熱する工程と、加熱さ
れた銅バンプ１２にはんだシート３０を当接させ、はん
だを銅バンプ１２表面に付着させる工程とを備えてい
る。
ンプを形成することができるはんだバンプ形成方法を提
供すること。 【構成】銅バンプ１２が突設された基板１１ａの銅バン
プ１２にはんだバンプ１３を形成するはんだバンプ形成
方法において、銅バンプ１２を加熱する工程と、加熱さ
れた銅バンプ１２にはんだシート３０を当接させ、はん
だを銅バンプ１２表面に付着させる工程とを備えてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フリップチップ実装で
用いられる半導体チップ等において、半導体基板等に突
設された電極にはんだバンプを形成するはんだバンプ形
成方法に関する。
用いられる半導体チップ等において、半導体基板等に突
設された電極にはんだバンプを形成するはんだバンプ形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は半導体チップ１０を示す断面図で
ある。図中１１は半導体素子（不図示）を収容した収容
部、１１ａは収容部に設けられ半導体素子を載置する基
板、１２は収容部から突設され半導体素子に接続された
銅パンプを示している。さらに、銅バンプ１２にははん
だＳが付着し、はんだバンプ１３が形成されている。こ
のような銅バンプ１２上にはんだバンプ１３を形成する
方法としては、従来から銅バンプ１２上にメッキ法、真
空蒸着法、スパッタリング法などではんだＳを付着させ
る方法が知られている。一方、銅バンプを用いることな
く半導体チップ１０の電極部へはんだボールを供給し、
リフロー加熱によってはんだバンプを形成する方法もあ
った。
ある。図中１１は半導体素子（不図示）を収容した収容
部、１１ａは収容部に設けられ半導体素子を載置する基
板、１２は収容部から突設され半導体素子に接続された
銅パンプを示している。さらに、銅バンプ１２にははん
だＳが付着し、はんだバンプ１３が形成されている。こ
のような銅バンプ１２上にはんだバンプ１３を形成する
方法としては、従来から銅バンプ１２上にメッキ法、真
空蒸着法、スパッタリング法などではんだＳを付着させ
る方法が知られている。一方、銅バンプを用いることな
く半導体チップ１０の電極部へはんだボールを供給し、
リフロー加熱によってはんだバンプを形成する方法もあ
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなはんだバ
ンプ形成方法にあっては次のような問題があった。すな
わち、従来の銅バンプ１２の上にはんだを付着させるこ
とによりはんだバンプを形成する方法では、いずれも専
用の設備が必要となるとともに、複雑な工程が必要とな
る。このため、製造コストが高くなるという問題があっ
た。
ンプ形成方法にあっては次のような問題があった。すな
わち、従来の銅バンプ１２の上にはんだを付着させるこ
とによりはんだバンプを形成する方法では、いずれも専
用の設備が必要となるとともに、複雑な工程が必要とな
る。このため、製造コストが高くなるという問題があっ
た。
【０００４】一方、はんだボールのリフローによってバ
ンプを形成する方法においても、はんだボールの供給及
び位置決め等のための専用の設備が必要となるという問
題があった。
ンプを形成する方法においても、はんだボールの供給及
び位置決め等のための専用の設備が必要となるという問
題があった。
【０００５】そこで、本発明はフリップチップ実装等で
用いる半導体チップ等に低コストで効率よくはんだバン
プを形成することができるはんだバンプ形成方法を提供
することを目的としている。
用いる半導体チップ等に低コストで効率よくはんだバン
プを形成することができるはんだバンプ形成方法を提供
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載された発明によれば、
電極が突設された基板の上記電極にはんだバンプを形成
するはんだバンプ形成方法において、上記電極を加熱す
る工程と、加熱された上記電極にシート状のはんだを当
接させ、上記はんだを上記電極表面に付着させる工程と
を具備するようにした。
達成するために、請求項１に記載された発明によれば、
電極が突設された基板の上記電極にはんだバンプを形成
するはんだバンプ形成方法において、上記電極を加熱す
る工程と、加熱された上記電極にシート状のはんだを当
接させ、上記はんだを上記電極表面に付着させる工程と
を具備するようにした。
【０００７】請求項２に記載された発明によれば、請求
項１に記載された発明において、上記加熱する工程は、
上記基板を介して加熱するものであることが好ましい。
請求項３に記載された発明によれば、請求項１に記載さ
れた発明において、上記はんだを当接させる工程の前に
上記電極にフラックスを塗布する工程を具備することが
好ましい。
項１に記載された発明において、上記加熱する工程は、
上記基板を介して加熱するものであることが好ましい。
請求項３に記載された発明によれば、請求項１に記載さ
れた発明において、上記はんだを当接させる工程の前に
上記電極にフラックスを塗布する工程を具備することが
好ましい。
【０００８】請求項４に記載された発明によれば、請求
項１に記載された発明において、上記電極は、銅又は金
であることが好ましい。請求項５に記載された発明によ
れば、上記はんだを当接させる工程の前に上記はんだを
加熱する工程を具備することが好ましい。
項１に記載された発明において、上記電極は、銅又は金
であることが好ましい。請求項５に記載された発明によ
れば、上記はんだを当接させる工程の前に上記はんだを
加熱する工程を具備することが好ましい。
【０００９】
【作用】上記手段を講じた結果、次のような作用が生じ
る。すなわち、請求項１に記載された発明によれば、電
極が突設された基板の電極にはんだバンプを形成するは
んだバンプ形成方法において、電極を加熱してシート状
のはんだを当接させることで、はんだが溶融し、電極に
付着する。このため、専用の設備を用いることなくはん
だバンプを形成することができる。
る。すなわち、請求項１に記載された発明によれば、電
極が突設された基板の電極にはんだバンプを形成するは
んだバンプ形成方法において、電極を加熱してシート状
のはんだを当接させることで、はんだが溶融し、電極に
付着する。このため、専用の設備を用いることなくはん
だバンプを形成することができる。
【００１０】請求項２に記載された発明によれば、加熱
する工程は、基板を加熱することにより、基板に設けら
れた電極が伝熱により加熱される。請求項３に記載され
た発明によれば、はんだを当接させる工程の前に電極に
フラックスを塗布することにより、はんだの電極への濡
れ性が向上し、はんだバンプがより形成し易くなる。
する工程は、基板を加熱することにより、基板に設けら
れた電極が伝熱により加熱される。請求項３に記載され
た発明によれば、はんだを当接させる工程の前に電極に
フラックスを塗布することにより、はんだの電極への濡
れ性が向上し、はんだバンプがより形成し易くなる。
【００１１】請求項４に記載された発明によれば、電極
が銅又は金で形成されていることにより、はんだの濡れ
性が向上し、はんだバンプがより形成し易くなる。請求
項５に記載された発明によれば、はんだを当接させる工
程の前にはんだを加熱することで、加熱された電極によ
りはんだを溶融する時間を短縮することができる。
が銅又は金で形成されていることにより、はんだの濡れ
性が向上し、はんだバンプがより形成し易くなる。請求
項５に記載された発明によれば、はんだを当接させる工
程の前にはんだを加熱することで、加熱された電極によ
りはんだを溶融する時間を短縮することができる。
【００１２】
【実施例】図１の（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例に
係るはんだバンプ形成方法を示す断面図である。この図
において、図２と同一機能部分には同一符号が付されて
いる。
係るはんだバンプ形成方法を示す断面図である。この図
において、図２と同一機能部分には同一符号が付されて
いる。
【００１３】図１中１０は半導体チップ、２０は吸着ノ
ズル、３０ははんだシートを示している。半導体チップ
１０は、半導体素子（不図示）を収容する矩形状の収容
部１１を備えている。収容部１１は、半導体素子を載置
する基板１１ａを有しており、この基板１１ａには半導
体素子の各端子に接続された電極としての銅バンプ１２
が突設されている。
ズル、３０ははんだシートを示している。半導体チップ
１０は、半導体素子（不図示）を収容する矩形状の収容
部１１を備えている。収容部１１は、半導体素子を載置
する基板１１ａを有しており、この基板１１ａには半導
体素子の各端子に接続された電極としての銅バンプ１２
が突設されている。
【００１４】吸着ノズル２０は、図中下端面に吸着面２
１が設けられ、この吸着面２１には吸着孔２２が設けら
れている。この吸着孔２２は吸引管２３を介して吸引装
置（不図示）に接続されており、吸引装置の作動により
吸引力が発生する。また、吸着ノズル２０は吸着孔２２
に吸着された半導体チップ１０を加熱するヒータ２４を
備えている。
１が設けられ、この吸着面２１には吸着孔２２が設けら
れている。この吸着孔２２は吸引管２３を介して吸引装
置（不図示）に接続されており、吸引装置の作動により
吸引力が発生する。また、吸着ノズル２０は吸着孔２２
に吸着された半導体チップ１０を加熱するヒータ２４を
備えている。
【００１５】はんだシート３０は半導体チップ１０より
幅が広く、一定の厚さで形成されている。また、図示し
ない供給ドラムと巻取ドラムとの間に掛け渡されてお
り、所定のタイミングにしたがって、供給ドラムから巻
取ドラムへ図中矢印Ｈ方向に送られている。
幅が広く、一定の厚さで形成されている。また、図示し
ない供給ドラムと巻取ドラムとの間に掛け渡されてお
り、所定のタイミングにしたがって、供給ドラムから巻
取ドラムへ図中矢印Ｈ方向に送られている。
【００１６】なお、図１の（ｃ）中４０はプリント基
板、４１はプリント基板４０上に設けられた電極を示し
ている。上述した半導体チップ１０には次のようにして
はんだバンプ１３が形成される。すなわち、図１の
（ａ）に示すように吸着ノズル２０で半導体チップ１０
の銅バンプ１２が形成されていない収容部１１の背面１
１ｂを吸着する。次に銅バンプ１２表面にフラックスＦ
を塗布する。次にヒータ２４によって半導体チップ１０
を加熱する。このとき、ヒータ２４によって与えられた
熱は収容部１１、基板１１ａを介して銅バンプ１２に伝
わる。銅バンプ１２がはんだの溶融点以上に熱せられた
時点で、図１の（ａ）中矢印Ａ方向に吸着ノズル２０を
移動し、半導体チップ１０の銅バンプ１２がはんだシー
ト３０を溶融しながらはんだシート３０内に入り込むま
で押圧する。
板、４１はプリント基板４０上に設けられた電極を示し
ている。上述した半導体チップ１０には次のようにして
はんだバンプ１３が形成される。すなわち、図１の
（ａ）に示すように吸着ノズル２０で半導体チップ１０
の銅バンプ１２が形成されていない収容部１１の背面１
１ｂを吸着する。次に銅バンプ１２表面にフラックスＦ
を塗布する。次にヒータ２４によって半導体チップ１０
を加熱する。このとき、ヒータ２４によって与えられた
熱は収容部１１、基板１１ａを介して銅バンプ１２に伝
わる。銅バンプ１２がはんだの溶融点以上に熱せられた
時点で、図１の（ａ）中矢印Ａ方向に吸着ノズル２０を
移動し、半導体チップ１０の銅バンプ１２がはんだシー
ト３０を溶融しながらはんだシート３０内に入り込むま
で押圧する。
【００１７】数秒後、図１の（ｂ）中矢印Ｂ方向に吸着
ノズル２０を移動し、半導体チップ１０の銅バンプ１２
をはんだシート３０から引き離す。このとき、銅バンプ
１２にははんだＳが付着し、はんだバンプ１３が形成さ
れている。
ノズル２０を移動し、半導体チップ１０の銅バンプ１２
をはんだシート３０から引き離す。このとき、銅バンプ
１２にははんだＳが付着し、はんだバンプ１３が形成さ
れている。
【００１８】次に吸着ノズル２０によって半導体チップ
１０を吸着したまま、プリント基板４０に設けられた電
極４１上にはんだバンプ１３を位置決めし、図１の
（ｃ）中矢印Ｃ方向に移動し、はんだバンプ１３を電極
４１上に載置し、図示しない加熱装置等によってはんだ
バンプ１３を溶融し、半導体チップ１０をプリント基板
４０に実装する。
１０を吸着したまま、プリント基板４０に設けられた電
極４１上にはんだバンプ１３を位置決めし、図１の
（ｃ）中矢印Ｃ方向に移動し、はんだバンプ１３を電極
４１上に載置し、図示しない加熱装置等によってはんだ
バンプ１３を溶融し、半導体チップ１０をプリント基板
４０に実装する。
【００１９】上述したように本実施例によるはんだバン
プ形成方法では、専用の設備を用いることなく銅バンプ
１２上にはんだＳを付着させることによってはんだバン
プ１３を形成することができる。また、銅ははんだとの
濡れ性がよいため安定したはんだバンプを形成すること
が可能となる。さらにフラックスによりより濡れ性を高
めることが可能である。
プ形成方法では、専用の設備を用いることなく銅バンプ
１２上にはんだＳを付着させることによってはんだバン
プ１３を形成することができる。また、銅ははんだとの
濡れ性がよいため安定したはんだバンプを形成すること
が可能となる。さらにフラックスによりより濡れ性を高
めることが可能である。
【００２０】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。すなわち上記実施例では、突設された
電極として銅バンプを用いているが、銅皮膜でもよい。
また、電極の材料として銅を用いているが、金で金パン
プまたは金皮膜を形成するようにしてもよい。さらに、
はんだシートを予めはんだの溶融点以下に加熱しておく
と、より短時間ではんだが溶融するため、銅バンプへの
はんだの付着を短時間で行うことが可能である。このほ
か本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能で
あるのは勿論である。
るものではない。すなわち上記実施例では、突設された
電極として銅バンプを用いているが、銅皮膜でもよい。
また、電極の材料として銅を用いているが、金で金パン
プまたは金皮膜を形成するようにしてもよい。さらに、
はんだシートを予めはんだの溶融点以下に加熱しておく
と、より短時間ではんだが溶融するため、銅バンプへの
はんだの付着を短時間で行うことが可能である。このほ
か本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能で
あるのは勿論である。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、請求項１に記載された
発明によれば、電極が突設された基板の電極にはんだバ
ンプを形成するはんだバンプ形成方法において、電極を
加熱してシート状のはんだを当接させることで、はんだ
が溶融し、電極に付着する。このため、専用の設備を用
いることなくはんだバンプを形成することができる。
発明によれば、電極が突設された基板の電極にはんだバ
ンプを形成するはんだバンプ形成方法において、電極を
加熱してシート状のはんだを当接させることで、はんだ
が溶融し、電極に付着する。このため、専用の設備を用
いることなくはんだバンプを形成することができる。
【００２２】請求項２に記載された発明によれば、加熱
する工程は、基板を加熱することにより、基板に設けら
れた電極が伝熱により加熱される。請求項３に記載され
た発明によれば、はんだを当接させる工程の前に電極に
フラックスを塗布することにより、はんだの電極への濡
れ性が向上し、はんだバンプがより形成し易くなる。
する工程は、基板を加熱することにより、基板に設けら
れた電極が伝熱により加熱される。請求項３に記載され
た発明によれば、はんだを当接させる工程の前に電極に
フラックスを塗布することにより、はんだの電極への濡
れ性が向上し、はんだバンプがより形成し易くなる。
【００２３】請求項４に記載された発明によれば、電極
が銅又は金で形成されていることにより、はんだの濡れ
性が向上し、はんだバンプがより形成し易くなる。請求
項５に記載された発明によれば、はんだを当接させる工
程の前にはんだを加熱することで、加熱された電極によ
りはんだを溶融する時間を短縮することができる。
が銅又は金で形成されていることにより、はんだの濡れ
性が向上し、はんだバンプがより形成し易くなる。請求
項５に記載された発明によれば、はんだを当接させる工
程の前にはんだを加熱することで、加熱された電極によ
りはんだを溶融する時間を短縮することができる。
【図１】本発明の一実施例に係るはんだバンプ形成方法
の工程を示す断面図。
の工程を示す断面図。
【図２】はんだバンプが形成された半導体チップを示す
断面図。
断面図。
１０…半導体チップ １１…収容部 １１ａ…基板 １２…銅バンプ ２０…吸着ノズル ２１…吸着面 ２２…吸着孔 ２３…吸引管 ２４…ヒータ ３０…はんだシー
ト ４０…プリント基板 ４１…電極
ト ４０…プリント基板 ４１…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小梁川 尚 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】電極が突設された基板の上記電極にはんだ
バンプを形成するはんだバンプ形成方法において、 上記電極を加熱する工程と、 加熱された上記電極にシート状のはんだを当接させ、上
記はんだを上記電極表面に付着させる工程とを具備する
ことを特徴とするはんだバンプ形成方法。 - 【請求項２】上記加熱する工程は、上記基板を介して加
熱するものであることを特徴とする請求項１に記載のは
んだバンプ形成方法。 - 【請求項３】上記はんだを当接させる工程の前に上記電
極にフラックスを塗布する工程を具備することを特徴と
する請求項１に記載のはんだバンプ形成方法。 - 【請求項４】上記電極は、銅又は金であることを特徴と
する請求項１に記載のはんだバンプ形成方法。 - 【請求項５】上記はんだを当接させる工程の前に上記は
んだを加熱する工程を具備することを特徴とする請求項
１に記載のはんだバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7009676A JPH08203904A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | はんだバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7009676A JPH08203904A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | はんだバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203904A true JPH08203904A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11726823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7009676A Pending JPH08203904A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | はんだバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203904A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6454159B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Method for forming electrical connecting structure |
| JP2008205321A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 電子部品および電子装置の製造方法 |
| US8076233B2 (en) | 2008-09-24 | 2011-12-13 | Fujitsu Limited | Method of forming electrode connecting portion |
| WO2011127907A3 (de) * | 2010-04-16 | 2012-05-31 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur ausbildung von lotdepots auf erhöhten kontaktmetallisierungen |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP7009676A patent/JPH08203904A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6454159B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Method for forming electrical connecting structure |
| JP2008205321A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 電子部品および電子装置の製造方法 |
| US7833831B2 (en) | 2007-02-22 | 2010-11-16 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing an electronic component and an electronic device |
| US8076233B2 (en) | 2008-09-24 | 2011-12-13 | Fujitsu Limited | Method of forming electrode connecting portion |
| WO2011127907A3 (de) * | 2010-04-16 | 2012-05-31 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur ausbildung von lotdepots auf erhöhten kontaktmetallisierungen |
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