JPH08186156A - 電子部品の接続方法 - Google Patents

電子部品の接続方法

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JPH08186156A
JPH08186156A JP6339557A JP33955794A JPH08186156A JP H08186156 A JPH08186156 A JP H08186156A JP 6339557 A JP6339557 A JP 6339557A JP 33955794 A JP33955794 A JP 33955794A JP H08186156 A JPH08186156 A JP H08186156A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップの接続端子を液晶表示パネルの
接続端子に異方導電性接着剤を介して接続する際、接続
端子同士を強固に導電接続する。 【構成】 異方導電性接着剤７は、熱硬化性接着剤８中
に半田粒子９を混入したものからなっている。したがっ
て、熱圧着すると、半田粒子９が溶融して流動した後固
化し、この固化した半田９ａを介して相対向する接続端
子３、６同士が強固に導電接続されることになる。この
場合、まず半田粒子９が溶融しない温度で仮加熱して熱
硬化性接着剤８をある程度硬化させ、次いで半田粒子９
が溶融する温度で本加熱して熱硬化性接着剤８を完全に
硬化させる。すると、本加熱のとき半田粒子９が溶融し
て流動する範囲が規制され、隣接する接続端子間でショ
ートが発生しないようにすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子部品の接続方法に
関し、特に、半導体チップ等の一の電子部品と基板等の
他の電子部品とを異方導電性接着剤を介して接続する電
子部品の接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば液晶表示装置には、液晶表示パネ
ル上にこの液晶表示パネルを駆動するためのＬＳＩチッ
プ等からなる半導体チップを異方導電性接着剤を介して
搭載したり、液晶表示パネルにこの液晶表示パネルと回
路基板とを接続するためのフレキシブル配線基板の一端
部を同じく異方導電性接着剤を介して接続したりしたも
のがある。異方導電性接着剤としては、熱硬化性接着剤
中に、樹脂粒子の表面にＮｉメッキ等からなる金属被膜
を被覆してなる導電性粒子を混入したものがある。
【０００３】このような液晶表示装置の場合には、液晶
表示パネル上に例えば半導体チップを異方導電性接着剤
を介して載置し、熱圧着することにより、液晶表示パネ
ルと半導体チップの相対応する接続端子同士を異方導電
性接着剤の導電性粒子を介して導電接続するとともに、
液晶表示パネルと半導体チップを異方導電性接着剤の熱
硬化性接着剤を介して接着している。この場合、導電性
粒子は、ある程度つぶれることにより、接続端子に対し
て面接触することになる。
【０００４】しかるに、熱圧着条件によっては、導電性
粒子がつぶれずに接続端子に対して点接触することがあ
る。このような場合でも、一応接触しているので、電気
的検査を行っても、良品と判定されることになる。しか
しながら、点接触による導電接続であると、衝撃等に弱
く、導電接続不良が発生しやすい。また、液晶表示装置
は室温以上の温度で例えば３５〜４５℃の範囲で使用さ
れることもある。このような場合には、熱硬化性接着剤
が比較的大きく熱膨張することにより、液晶表示パネル
と半導体チップの相対応する接続端子間の間隔が広がる
ことになる。すると、導電性粒子がある程度つぶれて接
続端子に対して面接触している場合には、熱硬化性接着
剤の熱膨張に追従して導電性粒子が原形に復帰しようと
することにより、導電性粒子の接続端子に対する接触が
保持されることになる。これに対して、導電性粒子がつ
ぶれずに接続端子に対して点接触している場合には、導
電性粒子が熱硬化性接着剤の熱膨張に追従することがで
きず、導電接続不良が発生することになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の異
方導電性接着剤を用いた接続方法では、導電性粒子の接
続端子に対する導電接続状態が単なる接触であるので、
導電性粒子がつぶれずに接続端子に対して点接触してい
ることにより、液晶表示装置が不良品に近い場合でも、
電気的検査で良品と判定してしまい、導電接続の信頼性
が低いという問題があった。この発明の目的は、両電子
部品の相対向する接続端子同士を強固に導電接続するこ
とができる電子部品の接続方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、一の電子部
品の一の面に設けられた複数の接続端子と他の電子部品
の一の面に設けられた複数の接続端子との間に、熱硬化
性接着剤中に半田粒子を混入してなる異方導電性接着剤
を介在させ、前記半田粒子が溶融しない温度で仮加熱す
ることにより、前記熱硬化性接着剤をある程度硬化さ
せ、次いで前記半田粒子が溶融する温度で本加熱するこ
とにより、前記熱硬化性接着剤を完全に硬化させるとと
もに、前記半田粒子を溶融させ、この溶融した半田が固
化することにより、この固化した半田を介して前記両電
子部品の相対向する接続端子同士を導電接続するように
したものである。
【０００７】
【作用】この発明によれば、異方導電性接着剤として熱
硬化性接着剤中に半田粒子を混入してなるものを用い、
溶融した後固化した半田を介して両電子部品の相対向す
る接続端子同士を導電接続することになるので、両電子
部品の相対向する接続端子同士を強固に導電接続するこ
とができる。この場合、半田粒子が溶融しない温度での
仮加熱により熱硬化性接着剤をある程度硬化させるの
は、本加熱のとき半田粒子が溶融して流動する範囲を規
制し、隣接する接続端子間でのショートを防止するため
である。
【０００８】
【実施例】図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれこの発明の一
実施例を適用した液晶表示装置の各接続工程を示したも
のである。そこで、これらの図を順に参照しながら、こ
の実施例の接続方法について説明する。まず、図１
（Ａ）に示す液晶表示パネル１は、ガラスや樹脂等から
なる下側の透明基板２と図示しない上側の透明基板とを
備え、下側の透明基板２の一端部が上側の透明基板の一
端面から突出され、この突出部分の上面にＩＴＯ(Indiu
m Tin Oxide)からなる接続端子３が複数設けられ、これ
ら接続端子３の表面に図示していないがＡｕからなるメ
ッキ層が設けられた構造となっている。半導体チップ４
は、チップ本体５の下面にＡｕバンプからなる接続端子
６が複数設けられた構造となっている。異方導電性接着
剤７は、全体の形状がシート状であって、エポキシ系樹
脂等からなる熱硬化性接着剤８中に半田粒子９を混入し
たものからなっている。
【０００９】さて、半導体チップ４の接続端子６を液晶
表示パネル１の接続端子３に異方導電性接着剤７を介し
て接続する場合には、まず図１（Ａ）に示すように、液
晶表示パネル１の接続端子３を含む接続部分の上面にシ
ート状の異方導電性接着剤７を載置する。次に、異方導
電性接着剤７の上面に半導体チップ４の接続端子６を含
む接続部分を位置合わせして載置する。
【００１０】次に、加圧するとともに、半田粒子９が溶
融しない温度で仮加熱する。すると、図１（Ｂ）に示す
ように、熱硬化性接着剤８の一部が流動して液晶表示パ
ネル１の接続端子３間及び半導体チップ４の接続端子６
間等に逃げることにより、原形を維持した半田粒子９の
一部が液晶表示パネル１と半導体チップ４の相対向する
接続端子３、６に共に接触し、また熱硬化性接着剤８が
ある程度硬化する。
【００１１】次に、加圧するとともに、半田粒子９が溶
融する温度で本加熱する。すると、図１（Ｃ）に示すよ
うに、液晶表示パネル１と半導体チップ４の相対向する
接続端子３、６間に位置する半田粒子９が溶融して流動
した後固化し、この固化した半田９ａが液晶表示パネル
１と半導体チップ４の相対向する接続端子３、６に共に
固着する。したがって、液晶表示パネル１と半導体チッ
プ４の相対向する接続端子３、６同士は半田９ａを介し
て強固に導電接続され、導電接続の信頼性を高めること
ができる。また、熱硬化性接着剤８が完全に硬化し、こ
れにより液晶表示パネル１の接続端子３を含む接続部分
と半導体チップ４の接続端子６を含む接続部分とが接着
される。
【００１２】ここで、半田粒子９が溶融しない温度での
仮加熱により熱硬化性接着剤８をある程度硬化させてい
るので、本加熱のとき半田粒子９が溶融して流動する範
囲が規制されることとなる。すなわち、熱硬化性接着剤
８がある程度硬化すると、半田粒子９の位置が規制さ
れ、そして本加熱のとき半田粒子９が溶融しても、位置
規制された範囲内でしか流動することができない。この
結果、液晶表示パネル１と半導体チップ４の相対向する
接続端子３、６同士間に位置する半田粒子９は、位置規
制された位置において、溶融して流動した後固化する。
一方、液晶表示パネル１と半導体チップ４の相対向する
接続端子３、６同士の導電接続に寄与しない半田粒子９
は、位置規制された位置において、ただ単に溶融した後
固化し、原形をほぼ維持することになる。したがって、
半田粒子９は溶融しても横方向に流れることがなく、ひ
いては隣接する接続端子間でショートが発生しないよう
にすることができる。この結果、半田粒子９の粒径を５
〜２０μｍ程度とすると、接続端子３、６のピッチが１
００μｍ程度であっても、隣接する接続端子間でショー
トが発生しないようにすることができる。
【００１３】次に、具体的な例について説明する。第１
に、熱硬化性接着剤８が硬化温度１９５〜２００℃程度
のエポキシ系樹脂からなり、半田粒子９が溶融温度１８
０〜１８５℃程度の低融点半田（例えば、Ｐｂ３７％：
Ｓｎ６３％）からなる場合には、仮加熱の温度を１２０
〜１３０℃程度とし、本加熱の温度を２００〜２１０℃
程度とする。第２に、熱硬化性接着剤８が硬化温度１９
５〜２００℃程度のエポキシ系樹脂からなり、半田粒子
９が溶融温度３１０〜３１５℃程度の高融点半田（例え
ば、Ｐｂ９５％：Ｓｎ５％）からなる場合には、仮加熱
の温度を１２０〜１３０℃程度とし、本加熱の温度を３
２０〜３３０℃程度とする。
【００１４】なお、上記実施例ではこの発明を液晶表示
装置に適用した場合について説明したが、電子時計、電
卓、メモリカード、携帯電話、ページング受信器等にも
適用し得ることはもちろんである。要は、半導体チップ
等の一の電子部品と基板等の他の電子部品とを異方導電
性接着剤を介して接続するものであればよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、異方導電性接着剤として熱硬化性接着剤中に半田粒
子を混入してなるものを用い、溶融した後固化した半田
を介して両電子部品の相対向する接続端子同士を導電接
続しているので、両電子部品の相対向する接続端子同士
を強固に導電接続することができ、導電接続の信頼性を
高めることができる。また、半田粒子が溶融しない温度
での仮加熱により熱硬化性接着剤をある程度硬化させて
いるので、本加熱のとき半田粒子が溶融して流動する範
囲が規制され、隣接する接続端子間でショートが発生し
ないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれこの発明の一実施例
を適用した液晶表示装置の各接続工程を示す断面図。
【符号の説明】
１ 液晶表示パネル ３ 接続端子 ４ 半導体チップ ６ 接続端子 ７ 異方導電性接着剤 ８ 熱硬化性接着剤 ９ 半田粒子

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一の電子部品の一の面に設けられた複数
    の接続端子と他の電子部品の一の面に設けられた複数の
    接続端子との間に、熱硬化性接着剤中に半田粒子を混入
    してなる異方導電性接着剤を介在させ、 前記半田粒子が溶融しない温度で仮加熱することによ
    り、前記熱硬化性接着剤をある程度硬化させ、 次いで前記半田粒子が溶融する温度で本加熱することに
    より、前記熱硬化性接着剤を完全に硬化させるととも
    に、前記半田粒子を溶融させ、 この溶融した半田が固化することにより、この固化した
    半田を介して前記両電子部品の相対向する接続端子同士
    を導電接続することを特徴とする電子部品の接続方法。
  2. 【請求項２】 前記熱硬化性接着剤が硬化温度１９５〜
    ２００℃程度の熱硬化性樹脂からなり、前記半田粒子が
    溶融温度１８０〜１８５℃程度の低融点半田からなると
    き、 前記仮加熱の温度を１２０〜１３０℃程度とし、前記本
    加熱の温度を２００〜２１０℃程度とすることを特徴と
    する請求項１記載の電子部品の接続方法。
  3. 【請求項３】 前記熱硬化性接着剤が硬化温度１９５〜
    ２００℃程度の熱硬化性樹脂からなり、前記半田粒子が
    溶融温度３１０〜３１５℃程度の高融点半田からなると
    き、 前記仮加熱の温度を１２０〜１３０℃程度とし、前記本
    加熱の温度を３２０〜３３０℃程度とすることを特徴と
    する請求項１記載の電子部品の接続方法。
  4. 【請求項４】 前記熱硬化性接着剤はエポキシ系樹脂か
    らなることを特徴とする請求項２または３記載の電子部
    品の接続方法。
  5. 【請求項５】 前記両電子部品は半導体チップと基板と
    からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記
    載の電子部品の接続方法。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004070827A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Senju Metal Industry Co., Ltd. 端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法
US7067926B2 (en) 2002-12-19 2006-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor chip and method for manufacturing the same
US7164151B2 (en) 2003-02-12 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with pixel portion and driving circuit, and electronic device
US7303942B2 (en) 2002-12-26 2007-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2007329213A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Dainippon Printing Co Ltd 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法。
WO2008111615A1 (ja) 2007-03-12 2008-09-18 Senju Metal Industry Co., Ltd. 異方性導電材料
US7436050B2 (en) 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
JP2009004464A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Panasonic Corp 電極芯線の接合方法及び電極芯線が接合されて成る電子ユニット
US7576362B2 (en) 2003-03-14 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having EL element, integrated circuit and adhesive layer therebetween
JP2009186707A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置
US7793413B2 (en) 2005-09-30 2010-09-14 Panasonic Corporation Method of mounting electronic components
WO2010134306A1 (ja) * 2009-05-19 2010-11-25 パナソニック株式会社 電子部品実装方法および電子部品実装構造
KR20110109848A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 파나소닉 주식회사 반도체장치 및 반도체장치의 제조방법
US8097958B2 (en) 2006-04-27 2012-01-17 Panasonic Corporation Flip chip connection structure having powder-like conductive substance and method of producing the same
WO2014046093A1 (ja) 2012-09-24 2014-03-27 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
WO2014046089A1 (ja) * 2012-09-24 2014-03-27 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法及び異方性導電接着剤
US8835772B2 (en) 2010-06-15 2014-09-16 Dexerials Corporation Production method of connection structure
US10464153B2 (en) 2016-05-12 2019-11-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Connecting method of circuit member

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3665579B2 (ja) * 2001-02-26 2005-06-29 ソニーケミカル株式会社 電気装置製造方法
CN1320390C (zh) * 2003-11-14 2007-06-06 友达光电股份有限公司 液晶显示器的接地装置及电路板
US20050253993A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Yi-Ru Chen Flat panel display and assembly process of the flat panel display
CN100376939C (zh) * 2005-02-24 2008-03-26 友达光电股份有限公司 液晶面板与其制造方法
JP4599403B2 (ja) * 2005-06-29 2010-12-15 ハリマ化成株式会社 導電性回路の形成方法
JP4591330B2 (ja) 2005-11-25 2010-12-01 パナソニック株式会社 電子部品接続構造および電子部品接続方法
TWI377632B (en) 2008-03-27 2012-11-21 Taiwan Tft Lcd Ass Contact structure and forming method thereof and connecting structure thereof
CN101577261B (zh) * 2008-05-09 2011-05-11 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 接点结构与其形成方法及其接合结构
JP2013065835A (ja) * 2011-08-24 2013-04-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置の製造方法、ブロック積層体及び逐次積層体
CN103167649B (zh) * 2011-12-10 2015-10-28 江阴市霖肯科技有限公司 远红外电热空调发热芯片的密封工艺
KR20140100511A (ko) * 2011-12-16 2014-08-14 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 이방 도전성 필름 부착 반도체칩, 이방 도전성 필름 부착 반도체 웨이퍼, 및 반도체 장치
CN103730381A (zh) * 2013-12-16 2014-04-16 上海凯虹科技电子有限公司 芯片封装方法
DE102014103013B4 (de) * 2014-03-06 2017-09-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer getrockneten Pastenschicht, Verfahren zum Erzeugen einer Sinterverbindung und Durchlaufanlage zur Durchführung der Verfahren

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7067926B2 (en) 2002-12-19 2006-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor chip and method for manufacturing the same
US7511380B2 (en) 2002-12-19 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor chip and method manufacturing the same
US7564139B2 (en) 2002-12-26 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7303942B2 (en) 2002-12-26 2007-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7436050B2 (en) 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
US7524748B2 (en) 2003-02-05 2009-04-28 Senju Metal Industry Co., Ltd. Method of interconnecting terminals and method of mounting semiconductor devices
CN100409423C (zh) * 2003-02-05 2008-08-06 千住金属工业株式会社 端子间的连接方法及半导体装置的安装方法
WO2004070827A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Senju Metal Industry Co., Ltd. 端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法
US7746333B2 (en) 2003-02-12 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9429800B2 (en) 2003-02-12 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8044946B2 (en) 2003-02-12 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7164151B2 (en) 2003-02-12 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with pixel portion and driving circuit, and electronic device
US8384699B2 (en) 2003-02-12 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9178182B2 (en) 2003-03-14 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9640778B2 (en) 2003-03-14 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10186682B2 (en) 2003-03-14 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10727437B2 (en) 2003-03-14 2020-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7576362B2 (en) 2003-03-14 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having EL element, integrated circuit and adhesive layer therebetween
US11196020B2 (en) 2003-03-14 2021-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7793413B2 (en) 2005-09-30 2010-09-14 Panasonic Corporation Method of mounting electronic components
US8097958B2 (en) 2006-04-27 2012-01-17 Panasonic Corporation Flip chip connection structure having powder-like conductive substance and method of producing the same
JP2007329213A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Dainippon Printing Co Ltd 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法。
WO2008111615A1 (ja) 2007-03-12 2008-09-18 Senju Metal Industry Co., Ltd. 異方性導電材料
US8343383B2 (en) 2007-03-12 2013-01-01 Senju Metal Industry Co., Ltd. Anisotropic conductive material
EP2608642A1 (en) 2007-03-12 2013-06-26 Senju Metal Industry Co., Ltd. Anisotropic conductive material
US8367938B2 (en) 2007-06-20 2013-02-05 Panasonic Corporation Method of bonding core wires to electrodes and electronic unit formed by bonding electrodes and core wires
JP2009004464A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Panasonic Corp 電極芯線の接合方法及び電極芯線が接合されて成る電子ユニット
US8016181B2 (en) * 2008-02-06 2011-09-13 Seiko Epson Corporation Method of producing electro-optical device using anisotropic conductive adhesive containing conductive particles to bond terminal portions and electro-optical device
JP2009186707A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置
US8557630B2 (en) 2009-05-19 2013-10-15 Panasonic Corporation Electronic component mounting method and electronic component mount structure
JP2010272557A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Panasonic Corp 電子部品実装方法および電子部品実装構造
WO2010134306A1 (ja) * 2009-05-19 2010-11-25 パナソニック株式会社 電子部品実装方法および電子部品実装構造
JP2011210773A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Panasonic Corp 半導体装置の構造および製造方法
KR20110109848A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 파나소닉 주식회사 반도체장치 및 반도체장치의 제조방법
US8835772B2 (en) 2010-06-15 2014-09-16 Dexerials Corporation Production method of connection structure
KR20150060757A (ko) 2012-09-24 2015-06-03 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 이방성 도전 접착제
US9676066B2 (en) 2012-09-24 2017-06-13 Dexerials Corporation Anisotropic conductive adhesive
WO2014046089A1 (ja) * 2012-09-24 2014-03-27 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法及び異方性導電接着剤
WO2014046093A1 (ja) 2012-09-24 2014-03-27 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
US10464153B2 (en) 2016-05-12 2019-11-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Connecting method of circuit member

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CN1132931A (zh) 1996-10-09

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