JP4599403B2

JP4599403B2 - 導電性回路の形成方法

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Publication number: JP4599403B2
Application number: JP2007523337A
Authority: JP
Inventors: 信人寺田; 理津子吉原; 頼重松葉
Original assignee: Harima Chemical Inc
Current assignee: Harima Chemical Inc
Priority date: 2005-06-29
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Publication date: 2010-12-15
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Description

本発明は、無電解メッキ層を導電体層として利用する導電性回路の形成方法に関する。特には、本発明は、所定の回路パターンを有する無電解メッキ層を形成する際、そのメッキ下地層として、ナノサイズの平均粒子径を有する金属超微粒子を導電性分散質として含有する接着剤樹脂組成物を用いて作製される、接着剤樹脂層のパターンを利用し、該パターン表面に均一に露呈する金属超微粒子を核として、該パターン表面に選択的に緻密な無電解メッキ層の形成を行い、所望のパターン形状を有する導電体層として利用する導電性回路の形成方法に関する。

導電性回路は、不導体基材の表面上に所望の回路パターン形状を有する導電体層を設けることで作製される。この導電体層には、通常、金属メッキ膜（箔）が利用される。一方、不導体基材としては、例えば、フレキシブル回路基板などでは、絶縁性に優れ、可撓性を有する高分子樹脂材料をシート状やフィルム状に成形したものが利用される。また、不導体基材の材料に用いる、高分子樹脂材料は、多くの金属に対する密着性は乏しい。そのため、不導体基材の表面に、金属メッキ膜（箔）を固着するため、接着剤層をその界面に設けて、両者を密着固定する手法が多く利用されている。

古くは、不導体基材の表面上に一様に接着剤層を介して、金属メッキ膜（箔）を固着した上で、所望の回路パターン形状を有するエッチング・マスク層を金属メッキ膜表面に印刷形成し、不要な領域の金属メッキ膜をエッチング除去することで、導電性回路の形成を行っていた。あるいは、不導体基材の表面上に一様に極く薄い、メッキ下地用金属膜を形成した後、所望の回路パターン形状に対応する開口部を有するメッキ・マスク層を設け、この開口部の表面に選択的に金属メッキ層を形成し、導電性回路用の金属メッキ導電体層に利用している。最終的に、レジスト樹脂などで作製されている、メッキ・マスク層を除去し、次いで、そのメッキ・マスク層で覆われていた領域のメッキ下地用金属膜を選択的に除去することで、所望の回路パターン形状を有する金属メッキ導電体層が完成される。

金属メッキ膜の作製手法として、無電解メッキ法を利用する際にも、メッキ下地用金属膜を形成した後、所望の回路パターン形状に対応する開口部を有するメッキ・マスク層を設け、無電解メッキ処理を行い、最終的にメッキ・マスク層を除去して、目的の導電性回路用の金属メッキ導電体層を得ている。電気メッキ法のみでなく、無電解メッキ法を利用する際も、不導体基材の表面上に固着されているメッキ下地用金属膜に対して、かかる金属膜上に均一に析出する無電解メッキ金属層は、金属−金属間の接合を介して緻密に固定される。

上述するメッキ・マスク層を利用して、所望の回路パターン形状に対応する開口部に選択的に無電解メッキ金属層を析出させる手法は、有効な手段であるが、パターンの線幅（Ｗ）とメッキ層の厚さ（Ｈ）との比：Ｈ／Ｗが大きくなる場合には、適用が困難となるという本質的な課題を有している。具体的には、メッキ・マスク層は、例えば、フォトレジスト膜を利用し、フォトリソグラフ法を応用して、目的の回路パターンを露光形成することで作製されている。露光形成される開口部の開口幅（Ｗ）と、フォトレジスト膜の膜厚（Ｔ）との比：Ｔ／Ｗは、一般に、Ｔ／Ｗ≦１／５を超えることはなく、従って、微細な配線部用メッキ金属層のアスペクト比：Ｈ／Ｗも、Ｈ／Ｗ≦１／５を超えることは困難である。加えて、メッキ・マスク層として、フォトレジスト膜を利用する際、フォトリソグラフ法による露光・現像プロセス、あるいは、メッキ処理後、フォトレジスト膜の除去プロセスにおいて、種々の薬剤が利用されるが、使用する不導体基材の材質によっては、これらの薬剤に対する耐性に難を有する場合もある。

加えて、フォトレジスト膜を利用するメッキ・マスク層と、メッキ下地用金属膜表面との密着性は、一定の密着強度は示すものの、露光後、ポスト・ベイク処理を施したフォトレジスト膜自体は、弾性変形性、塑性変形性に乏しい。従って、例えば、下地基材を含め、全体に曲げ変形などの成形操作を施すと、この変形に追従して、フォトレジスト膜は、大きな弾性変形、塑性変形を起こすことができず、メッキ下地用金属膜表面との界面において、膜の剥離を引き起こすことが少なくない。すなわち、フォトレジスト膜を利用するメッキ・マスク層は、平坦な表面においては、メッキ下地用金属膜表面を被覆した状態を維持できるが、下地基材を含め、全体を曲げ変形させて、曲率を有する表面とすると、部分的に所望の被覆性能を発揮できない状態となる。

硬い板状のリジッドな配線基板や、容易に形状を変えることができるフィルム状のフレキシブル配線基板では、その基材上での導電性回路の形成は、平坦に配置した基材の表面上に、フォトレジスト膜を利用するメッキ・マスク層を用いて、無電解メッキ金属層からなる回路パターンを形成することができる。フィルム状のフレキシブル配線板は、用いている基材自体が弾性変形可能である利点を利用して、撓んだ状態での使用に適用されている。

さらに、配線基板上、特定の電子部品を実装する領域は、実質的に撓み変形を生じないリジッドな板状の配線基板の形態とし、配線基板全体は、その収納スペースに適合するように、所望の折れ曲がり部分を有する形状で装置内に収納する目的で、配線基板を硬い板状のリジッド部と撓み変形可能なフレキシブル部とを組み合わせたハイブリッド型の構成としたフレックスリジッド配線基板が提案されている。但し、このフレックスリジッド配線基板では、折れ曲がり部分に、撓み変形可能なフレキシブル部を利用しているため、狭い隙間への配置に適用する際に、目的の折れ曲がり配置で固定する操作に困難が伴う。すなわち、狭い隙間への配置に適合した、折れ曲がり形状を予め形成した上で、収納部位に配置させる操作は、大きな困難さ有することが少なくない。このフレックスリジッド配線基板も、フレキシブル配線基板と同様に、硬い板状のリジッド部と撓み変形可能なフレキシブル部とを組み合わせたハイブリッド型基材上での導電性回路の形成は、基材を平坦に配置した状態で行うことが可能である。

このフレックスリジッド基板に代えて、配線板自体は、実質的に撓み変形は起こさないが、目的に合わせて、配線板自体の形状を、予め所望の曲げ成形か施された状態とした成形加工済みのリジッドな配線基板の利用が検討されている。例えば、配線基板上、特定の電子部品を実装する領域は、実質的に撓み変形を生じないリジッドな板状の配線基板の形態とし、配線基板全体の形状は、その収納スペースに適合するように、所望の折れ曲がり部分を有する成形加工を施すことが検討されている。

先に説明するように、例えば、フォトレジスト膜で作製されるメッキ・マスク層を利用する選択的なメッキ金属層形成は、平坦な表面に対しては有効な手段ではあるが、幾つかの課題を抱えている。先ず、フォトレジスト膜のパターニング工程、あるいは、メッキ処理後、メッキ・マスク層として利用したフォトレジスト膜の除去工程において、利用される薬剤に対して、使用する不導体基材の材質が十分な耐性を示すこと必要であり、適用範囲を制限する大きな制約ともなっている。また、下地基材を含め、全体を曲げ変形させる状況下では、フォトレジスト膜を利用するメッキ・マスク層は、メッキ下地用金属膜表面から部分的に剥離した状態となり、所望の被覆性能を発揮できない状態となることも、適用範囲を制限する大きな制約となっている。従って、フォトレジスト膜からなるメッキ・マスク層の利用が困難である、大きな曲率を有する表面上においても、目的とするパターン形状に選択的なメッキ金属層の形成を行うことが可能な新たな手法の開発が望まれている。

加えて、所望の曲率を有する不導体基材の表面に対して、形成されるメッキ金属層を、直接、接着剤層を介して固着することが可能となれば、メッキ下地用金属膜を利用して、間接的に固着する形態よりも、接着特性は有意に向上される。すなわち、接着剤層と形成されるメッキ金属層とが直接的に密な接触が可能な形態で、曲面上において、目的とするパターン形状に選択的なメッキ金属層の形成を行うことも可能な新たな手法の開発が望まれている。

本発明は、前記の課題を解決するものであり、本発明の目的は、不導体基材の表面に、特には、種々な成形加工を施し、折れ曲がり部分や曲面形状領域を形成した不導体基材の表面に、メッキ・マスク層を用いることなく、同時に、接着剤層の表面と作製されるメッキ金属層とが直接的に接触する形態で、目的とする回路パターン形状に選択的な無電解メッキ金属層を形成することを可能とする、新規な選択的な無電解メッキ金属層の作製手法と、かかる手法を利用する、導電性回路の形成方法を提供することにある。

本発明者らは、前記の課題を解決すべく、鋭意研究を進めた。

先ず、無電解メッキ処理を行う際、生成する金属原子は、核となる金属表面に対して、選択的に析出する性質を利用することで、フォトレジスト膜からなるメッキ・マスク層の表面では、金属原子の析出を回避しつつ、開口部に露呈しているメッキ下地用金属膜の表面では、金属原子の析出が進行する結果、選択的なメッキ金属層の形成がなされることに着目した。その際、メッキ下地用金属膜の表面を詳細に観察したところ、メッキ金属層は、離散的な金属粒が緻密に連結され、最終的にほぼ均質な集合体層を構成していることが見出された。すなわち、メッキ下地用金属膜の表面全体に亘って、一様に金属原子が層状に析出するのではなく、初期段階では、離散的な核となる微細な金属塊が発生し、その後、この生成した金属塊の清浄な表面を覆うように金属原子の析出が進行する。ある段階に達すると、隣接する金属塊相互の表面が接触すると、接触した金属塊複数を取り囲むように、金属原子の析出がなされ、二次元的に金属粒が緻密に連結され、均質な集合体層となる。

換言すると、金属原子の析出に対して、その核となるような、微小な金属表面を離散的ではあるが、十分に高い面密度で配置すると、この離散的な核を起点として、微細な金属塊が緻密に生成し、最終的には、二次元的に金属粒が緻密に連結された、均質な集合体層を構成できることを見出した。また、十分に高い面密度で、離散的に配置される、微小な金属表面部を除き、その間に存在する領域は、金属原子の析出には直接関与しないので、有機物で構成される表面であってもよいことに想到した。すなわち、有機物で構成される表面上に、十分に高い面密度で、離散的に、微小な金属表面部を配置できると、均一な金属膜表面と実質的に同等の機能を発揮することを見出した。このような状況を達成する手法として、例えば、接着剤層の表面に、金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その際、表面に配置される金属微粒子の表面に清浄な金属面が露呈している状態が利用できることを見出した。具体的には、接着剤層の表面に、表面に被覆分子層を有する金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その後、表面からエネルギー線を照射することで、被覆分子層の離脱と、金属微粒子の最表面に金属酸化被膜を一旦生成させる。その後、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化被膜が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法が利用できることを見出した。

すなわち、接着剤層の表面に、金属微粒子を緻密に高い面密度で配置する状態に対して、所定のエネルギー線照射がなされた場合、そのエネルギー線照射領域のみに選択的な、表面に清浄な金属面を有する核の生成がなされ、対応して、かかる領域のみに、無電解メッキ金属層の析出が実際に進行する。加えて、金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散した樹脂混合物は、基材表面に所望の平面形状、膜厚で塗布した塗布層とでき、含まれる硬化型バインダー樹脂に硬化処理を施していない状態では、基材自体に曲げ変形などの成形加工を施す際、その変形に追従して、塗布層自体も塑性変形を起こすことを確認した。その際、塗布層自体の塑性変形により、塗布層の膜厚は変化するが、その表面に配置される金属微粒子の面密度は、変形前とほぼ同じ面密度に維持できることも確認された。すなわち、基材自体に曲げ変形などの成形加工を施した後も、その表面に形成されている樹脂混合物の塗布層は、成形加工を施した基材表面に緻密に密着した状態であり、平坦な領域、変形が施された領域のいずれにおいても、その塗布層表面には、金属微粒子が緻密に高い面密度で配置されている状態となることが確認された。

本発明者らは、上述の知見に基づき、接着剤層の表面に、表面に被覆分子層を有する金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その後、表面からエネルギー線を照射することで、被覆分子層の離脱と、金属微粒子の最表面に金属酸化被膜を一旦生成させ、その後、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化被膜が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする機構を利用する手法の一つとして、本発明、特に、第一の手法にかかる導電性回路の形成方法の発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法は、
三次元成形が施された不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
平坦な形状を有する不導体基材の表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記塗布層を低温で加熱し、仮焼成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
表面に該樹脂混合物塗布層が形成されている、平坦な形状を有する不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施すことにより、該不導体基材表面に形成された前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分のみに、無電解メッキ層を選択的に形成させる工程、
前記無電解メッキ層導電体層を有する不導体基材を加熱し、前記樹脂混合物塗布層に対する本焼成を行う工程を有し、
前記無電解メッキ層からなる、所定のパターンを有する導電性回路を、該三次元成形が施された不導体基材の表面に形成する
ことを特徴とする導電性回路の形成方法である。

例えば、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法は、
前記三次元成形操作が、曲面形成である場合に好適に利用できる。その際、
前記曲面形成により形成される曲面状の不導体基材表面の曲率半径が、５ｍｍ〜１ｍの範囲であることが好ましい。

また、
前記三次元操作を施す不導体基材の厚さが、０．１ｍｍ〜１ｃｍの範囲であり、
前記曲面形成により形成される曲面状の不導体基材表面の曲率半径は、
不導体基材表面の曲率半径／不導体基材の厚さが、１０以上となるように選択されていることが好ましい。

さらには、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法は、
前記三次元成形操作が、所定の面間角を示す折れ曲がり形状の形成である場合にも好適に利用できる。その際、
前記折れ曲がり形状において、その角部における面間角は、６０〜１６０°の範囲、もしくは２００〜３００°の範囲に選択されていることが好ましい。

なお、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法においては、
前記不導体基材の材質は、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＰＢ）、ポリアミドイミド、フッ素樹脂、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンからなる群から選択されることが望ましい。

また、本発明者らは、上記の機構、すなわち、接着剤層の表面に、表面に被覆分子層を有する金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その後、表面からエネルギー線を照射することで、被覆分子層の離脱と、金属微粒子の最表面に金属酸化被膜を一旦生成させ、その後、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化被膜が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする機構に加えて、下記する機構も利用可能であることを見出した。

表面に被覆分子層を有する金属微粒子に代えて、接着剤層の表面に、微粉末状の有機金属化合物を緻密に高い面密度で配置し、かかる有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換し、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法も利用できることを見出した。この有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換する過程は、表面からエネルギー線を照射することで、有機金属化合物を構成する、有機物成分を離脱させ、残余する金属イオン種を金属酸化物に変換し、微小な金属酸化物の粒子として凝集させる。この微小な金属酸化物は、一旦、接着剤層の表面に固着された状態となるが、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核となる。

前述のエネルギー線照射により誘起され、金属酸化物へと変換される二種の過程は、エネルギー線照射に伴う、励起電子状態への遷移を利用しており、利用されるエネルギー線のエネルギーは、光励起を利用する場合、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線領域のエネルギー、あるいは、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光領域のエネルギーであり、また、粒子線衝撃による励起を利用する場合、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用することが可能であることを確認した。

すなわち、接着剤層の表面に、金属微粒子を緻密に高い面密度で配置する、あるいは、接着剤層の表面に、微粉末状の有機金属化合物を緻密に高い面密度で配置する状態に対して、所定のエネルギー線照射がなされた場合、そのエネルギー線照射領域のみに選択的な、表面に清浄な金属面を有する核の生成がなされ、対応して、かかる領域のみに、無電解メッキ金属層の析出が実際に進行する。本発明者らは、前記の知見に基づき、本発明、特に、第二の手法にかかる導電性回路の形成方法の発明を完成するに至った。

なお、本発明の第二の手法にかかる導電性回路の形成方法の発明は、下記する４種の形態に細分することができる。

すなわち、本発明の第二の手法にかかる導電性回路の形成方法における第一の形態は、
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材の表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
表面に該樹脂混合物塗布層が形成されている不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材表面に設ける前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成する
ことを特徴とする導電性回路の形成方法である。その際、前記金属微粒子を構成する金属は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種、またはこれら金属種の二種以上からなる合金であることが望ましい。特に、前記金属微粒子は、平均粒子径が１〜７０ｎｍの範囲に選択される金属微粒子であることが好ましい。

一方、前記硬化型バインダー樹脂として、熱硬化性樹脂、あるいは、光硬化性樹脂を利用することができる。例えば、前記硬化型バインダー樹脂として、エポキシ樹脂またはアルキッド樹脂を利用すると好適である。

前記エネルギー線照射工程で利用する、エネルギー線として、電子線または紫外線を使用することが望ましい。

また、前記無電解メッキ層に使用する金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属であることが好ましい。

また、本発明の第二の手法にかかる導電性回路の形成方法における第二の形態は、
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材の表面に、有機金属化合物を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
表面に該樹脂混合物塗布層が形成されている不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材表面に設ける前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成する
ことを特徴とする導電性回路の形成方法である。その際、好適に利用可能な有機金属化合物は、有機酸金属塩、または有機金属錯体である。また、前記有機金属化合物中に含まれる金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属であることが好ましい。

さらに、本発明の第二の手法における第一の形態と類似する構成を有する、本発明の第二の手法にかかる導電性回路の形成方法における第三の形態は、
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材の表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
前記不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材表面に設ける前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成する
ことを特徴とする導電性回路の形成方法である。その際、前記金属微粒子を構成する金属は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種、またはこれら金属種の二種以上からなる合金であることが望ましい。特に、前記金属微粒子は、平均粒子径が１〜７０ｎｍの範囲に選択される金属微粒子であることが好ましい。

なお、前記樹脂混合物の塗布層を形成する際、
前記所定のパターンに該塗布層の形状を描画形成し、
該描画手法として、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、転写印刷法から選択される印刷方法を用いることができる。

加えて、本発明の第二の手法における第二の形態と類似する構成を有する、本発明の第二の手法にかかる導電性回路の形成方法における第四の形態は、
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材の表面に、有機金属化合物を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
前記不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材表面に設ける前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成する
ことを特徴とする導電性回路の形成方法である。その際、好適に利用可能な有機金属化合物は、有機酸金属塩、または有機金属錯体である。また、前記有機金属化合物中に含まれる金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属であることが好ましい。

更に、本発明者は、上記の第二の手法で利用する、不導体基材の表面に、硬化型バインダー樹脂を用いた接着剤層を設け、その表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子あるいは微粉末状の有機金属化合物が緻密に高い面密度で露呈する状態に代えて、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子、あるいは有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成された不導体基材を用いる場合にも、該不導体基材の表面に平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子、あるいは有機金属化合物微粒子が緻密に高い面密度で露呈する状態となることに着目した。この不導体基材自体に分散され、その表面に露呈している平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子として、その表面に被覆分子層を有する金属微粒子を利用する際、その後、不導体基材表面からエネルギー線を照射することで、被覆分子層の離脱と、金属微粒子の最表面に金属酸化被膜を一旦生成させ、その後、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化被膜が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とすることが可能であることを見出した。

また、不導体基材表面に露呈している有機金属化合物微粒子も、かかる有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換し、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とすることができることを見出した。この有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換する過程は、表面からエネルギー線を照射することで、有機金属化合物を構成する、有機物成分を離脱させ、残余する金属イオン種を金属酸化物に変換し、微小な金属酸化物の粒子として凝集させる。この微小な金属酸化物は、一旦、不導体基材の表面に固着された状態となるが、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核となる。

すなわち、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子、あるいは有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成された不導体基材を用いる場合、不導体基材の表面には、金属微粒子が緻密に高い面密度で配置される、あるいは、有機金属化合物微粒子が緻密に高い面密度で配置される状態となっており、所定のエネルギー線照射がなされた場合、そのエネルギー線照射領域のみに選択的な、表面に清浄な金属面を有する核の生成がなされ、対応して、かかる領域のみに、無電解メッキ金属層の析出が実際に進行する。

その際、不導体基材の作製に利用される非導電性の樹脂組成物として、三次元成形が可能な非導電性樹脂を利用すると、不導体基材の表面上、所望の領域にエネルギー線照射後、三次元成形操作を施し、次いで、無電解メッキを施すと、該不導体基材の表面において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成することが可能である。

特に、上記の第一の手法、第二の手法では、不導体基材の表面に、薄い膜厚の硬化型バインダー樹脂を接着剤層として、接着・固定化しているのに対して、該不導体基材の表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子、あるいは有機金属化合物微粒子を固定する手段として、不導体基材自体の作製に利用する非導電性の樹脂材料を使用している。従って、三次元成形を施した際、不導体基材の表面上に露呈されている該金属微粒子あるいは有機金属化合物微粒子は、均一な面密度で固定された状態に保持される。

本発明者らは、前記の知見に基づき、本発明、特に、第三の手法にかかる導電性回路の形成方法の発明を完成するに至った。

なお、本発明の第三の手法にかかる導電性回路の形成方法の発明は、下記する２種の形態に細分することができる。

すなわち、本発明の第三の手法にかかる導電性回路の形成方法における第一の形態は、
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材は、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で形成された基材であり、
前記不導体基材の表面上、前記導電性回路を形成する部分のみにエネルギー線を照射する工程、
次いで、該不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材の表面において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成する
ことを特徴とする導電性回路の形成方法である。その際、前記非導電性の樹脂組成物中に均一に分散されている金属微粒子は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群より選択される、一種類の金属からなる微粒子、または、二種類以上の金属からなる合金の微粒子であることが好ましい。一方、前記不導体基材の形成に用いる非導電性材料は、前記非導電性の樹脂組成物中に含まれる樹脂成分として、ポリイミド樹脂を主成分として含むことが好ましい。

例えば、前記不導体基材への三次元成形操作が、エンボス加工である態様を選択することが可能である。

また、前記無電解メッキ層の形成に使用する金属種は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルから選ばれる金属であることが好ましい。

本発明の第三の手法にかかる導電性回路の形成方法における第二の形態は、
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材は、非導電性の樹脂組成物中に、有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で形成された基材であり、
前記不導体基材の表面上、前記導電性回路を形成する部分のみにエネルギー線を照射する工程、
次いで、該不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材の表面において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成する
ことを特徴とする導電性回路の形成方法である。その際、前記有機金属化合物微粒子を構成する有機金属化合物は、有機酸金属塩、または有機金属錯体から選択されることが好ましい。加えて、前記不導体基材表面に露呈している有機金属化合物微粒子を構成する有機金属化合物中に含まれる金属種は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群より選択される、一種類の金属種、または、二種類以上の金属種であることが好ましい。一方、前記不導体基材の形成に用いる非導電性材料は、前記非導電性の樹脂組成物中に含まれる樹脂成分として、ポリイミド樹脂を主成分として含むことが好ましい。

本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法では、メッキ・マスク層を利用する選択的なメッキ金属層の作製に代えて、不導体基材の表面に硬化型バインダー樹脂を用いた接着剤層を設け、その表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子が緻密に高い面密度で露呈する状態とした上で、所望の回路パターン形状に対応する領域にエネルギー線照射を施し、無電解メッキ処理を施すことで、かかる接着剤層表面のエネルギー線照射領域にのみ、無電解メッキ液中において、金属原子の析出の核となる、清浄で微小な金属面を緻密に高い面密度で生成できる。結果的に、このエネルギー線照射領域にのみに無電解メッキ金属層を選択的に形成することができる。この所望の回路パターン形状に対応して、選択的に形成される無電解メッキ金属層は、硬化型バインダー樹脂を用いた接着剤層の表面と直接接触する形態となり、不導体基材の表面に、接着剤層を介して、高い接着性で固着されたものとなる。特に、不導体基材の表面に金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散した樹脂混合物を塗布し、予め塗布膜上に所望の回路パターン形状に対応する領域にエネルギー線照射を施した後、その塗布膜を形成した不導体基材に成形加工を施すことで、不導体基材の変形に追従して、塗布膜の塑性変形が進むため、その表面には、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子が緻密に高い面密度で露呈している状態とできる。従って、この平坦でない不導体基材の表面においても、所望の回路パターン形状に対応する領域に予めエネルギー線照射を施しておくことより、エネルギー線照射領域にのみに無電解メッキ金属層を選択的に形成することができる。

また、本発明の第二の手法にかかる導電性回路の形成方法は、メッキ・マスク層を利用する選択的なメッキ金属層の作製に代えて、不導体基材の表面に、硬化型バインダー樹脂を用いた接着剤層を設け、その表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子あるいは微粉末状の有機金属化合物が緻密に高い面密度で露呈する状態とした上で、所望の回路パターン形状に対応する領域にエネルギー線照射を施し、無電解メッキ処理を施すことで、かかる接着剤層表面のエネルギー線照射領域にのみ、無電解メッキ液中において、金属原子の析出の核となる、清浄で微小な金属面を緻密に高い面密度で生成できる。結果的に、このエネルギー線照射領域にのみに無電解メッキ金属層を選択的に形成することができる。この所望の回路パターン形状に対応して、選択的に形成される無電解メッキ金属層は、硬化型バインダー樹脂を用いた接着剤層の表面と直接接触する形態となり、不導体基材の表面に、接着剤層を介して、高い接着性で固着されたものとなる。

更に、本発明の第三の手法にかかる導電性回路の形成方法は、メッキ・マスク層を利用する選択的なメッキ金属層の作製に代えて、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子、あるいは有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成された不導体基材を用い、該不導体基材の表面に平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子、あるいは有機金属化合物微粒子が緻密に高い面密度で露呈する状態とした上で、所望の回路パターン形状に対応する領域にエネルギー線照射を施し、無電解メッキ処理を施すことで、かかる接着剤層表面のエネルギー線照射領域にのみ、無電解メッキ液中において、金属原子の析出の核となる、清浄で微小な金属面を緻密に高い面密度で生成できる。結果的に、このエネルギー線照射領域にのみに無電解メッキ金属層を選択的に形成することができる。

図１は、実施例１−２、実施例１−３〜１−８、ならびに、実施例３−１において、検証実験に利用した、成形加工を施した不導体基材の外形形状を模式的に示す図である。

本発明にかかる導電性回路の形成方法を、以下に、より詳しく説明する。

先ず、本発明でも、無電解メッキ処理を行う際、生成する金属原子は、核となる金属表面に対して、選択的に析出する性質を利用している。従来の手法では、フォトレジスト膜からなるメッキ・マスク層の表面では、金属原子の析出を回避しつつ、開口部に露呈しているメッキ下地用金属膜の表面では、金属原子の析出が進行する結果、選択的なメッキ金属層の形成を行っている。

本発明は、このメッキ下地用金属膜の表面を詳細に観察すると、メッキ金属層は、離散的な金属粒が緻密に連結され、最終的にほぼ均質な集合体層を構成している点に注目して着想されたものである。すなわち、メッキ下地用金属膜の表面全体に亘って、一様に金属原子が層状に析出するのではなく、初期段階では、離散的な核となる微細な金属塊が発生し、その後、この生成した金属塊の清浄な表面を覆うように金属原子の析出が進行する。ある段階に達すると、隣接する金属塊相互の表面が接触すると、接触した金属塊複数を取り囲むように、金属原子の析出がなされ、二次元的に金属粒が緻密に連結され、均質な集合体層となる。

換言すると、金属原子の析出に対して、その核となるような、微小な金属表面を離散的ではあるが、十分に高い面密度で配置すると、この離散的な核を起点として、微細な金属塊が緻密に生成し、最終的には、二次元的に金属粒が緻密に連結された、均質な集合体層を構成できる。また、十分に高い面密度で、離散的に配置される、微小な金属表面部を除き、その間に存在する領域は、金属原子の析出には直接関与しないので、有機物で構成される表面であってもよいという着想に、本発明は基づいている。

Ｉ．第一の手法
すなわち、本発明の手法では、均一な金属膜に代えて、有機物で構成される表面上に、十分に高い面密度で、離散的に、微小な金属表面部を配置することで、均一な金属膜表面と実質的に同等の機能を発揮させている。このような状況を達成する手法として、本発明の第一の手法では、接着剤層の表面に、金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その際、表面に配置される金属微粒子の表面に清浄な金属面が露呈している状態を作り出している。具体的には、本発明の第一の手法においては、接着剤層の表面に、表面に被覆分子層を有する金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その後、表面からエネルギー線を照射することで、被覆分子層の離脱と、金属微粒子の最表面に金属酸化被膜を一旦生成させる。次いで、塑性変形性を有する接着剤層が塗布されている不導体基材に成形加工を施すと、その変形に追従して、接着剤層の塑性変形がなされるが、その接着剤層表面には、最表面に金属酸化被膜が一旦生成されている金属微粒子が、緻密に高い面密度で配置されている状態が維持される。その後、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化被膜が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法を利用している。

加えて、本発明の第一の手法において、前述のエネルギー線照射により誘起される、被覆分子層の離脱と、金属微粒子の最表面に金属酸化被膜を一旦生成させる過程は、エネルギー線照射に伴う、励起電子状態への遷移を利用しており、利用されるエネルギー線のエネルギーは、光励起を利用する場合、波長４００ｎｍ以下、１８０ｎｍ以上の紫外線領域のエネルギー、あるいは、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光領域のエネルギーであり、また、粒子線衝撃による励起を利用する場合、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用する。

すなわち、接着剤層の表面に、金属微粒子を緻密に高い面密度で配置する状態に対して、所定のエネルギー線照射がなされた場合、そのエネルギー線照射領域のみに選択的な、表面に清浄な金属面を有する核の生成がなされ、対応して、かかる領域のみに、無電解メッキ金属層の析出が実際に進行する。本発明では、目的とするパターン形状の無電解メッキ層の形成を、前記のエネルギー線照射領域の形状パターンを予め決定することで、簡便に制御することを可能としている。

すなわち、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法は、不導体基材の表面に、所望のパターン形状の無電解メッキ層を選択的に形成する手段として、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物の塗布層を形成し、この樹脂混合物塗布層の表面に対して、前記パターン形状に対応する領域にエネルギー線を照射することで、その後、無電解メッキ液に浸し、無電解メッキを施した際、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させる手法を利用している。

本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材表面に樹脂混合物塗布層を形成した後、樹脂混合物塗布層の表面に所望のパターンに対応させて、エネルギー線の照射を行う。引き続き、不導体基材をその表面の樹脂混合物塗布層とともに、目的とする形状へと三次元成形する操作を設けている。すなわち、表面の樹脂混合物塗布層は、この時点では硬化処理が施されてなく、不導体基材を三次元成形すると、それに付随して、相似的に三次元成形を行うことが可能である。具体的には、不導体基材の表面に形成されている樹脂混合物塗布層は、表面に樹脂混合物を均一な膜厚で塗布した後、含有される溶剤成分を蒸散する目的で、低温で加熱し、仮焼成（乾燥処理）が施されている。乾燥処理を施した樹脂混合物塗布膜は、その主成分は、重合硬化処理を施す前の樹脂原料化合物であり、不導体基材を構成する材質と比較すると、格段に塑性変形性に富む状態である。そのため、不導体基材に三次元成形する操作を施し、塑性変形させた際、表面の樹脂混合物塗布層も追従して塑性変形し、結果的に相似的な三次元成形がなされる。例えば、不導体基材を曲げ変形して、所望とする曲率を有する曲面形状とする成形加工を施すと、その曲率半径に反比例して、曲面の外側では伸び変形が、曲面の内側では圧縮変形が起こる。その際、表面の樹脂混合物塗布層も、曲面の外側に塗布されている際には、ほぼ同じ比率で伸び変形を起こし、塗布層の厚さは薄くなる。一方、曲面の内側に塗布されている際には、ほぼ同じ比率で圧縮変形を起こし、塗布層の厚さは厚くなる。

前記低温で加熱し、仮焼成（乾燥処理）を行う際、含まれる溶剤成分の蒸散は進むが、硬化型バインダー樹脂の重合硬化は進行しない条件、温度を適宜選択する。従って、乾燥処理（仮焼成）の温度は、硬化型バインダー樹脂の重合硬化が開始する温度よりも、有意に低い温度に選択する。通常、硬化型バインダー樹脂の重合硬化が開始する温度よりも、１０℃以上低い温度に選択することが好ましい。

前記樹脂混合物の塗布後、乾燥処理（仮焼成）を施された、表面の樹脂混合物塗布層中では、分散質の平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子は、乾燥された硬化型バインダー樹脂組成物中においても、均一に分散された状態を保っている。一方、不導体基材に施される三次元成形操作に付随する、樹脂混合物塗布層の塑性変形は、例えば、厚さｔの不導体基材を曲げ変形した際、この変形部分の曲面の曲率半径をＲ_ｂｅｎｄとすると、凸面側では、延伸比率：１＋（ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄ）の伸び変形、凹面側では、圧縮比率：１−（ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄ）の圧縮変形が生じる。すなわち、表面の樹脂混合物塗布層の膜厚ｄは、この延伸比率：１＋（ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄ）あるいは圧縮比率：１−（ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄ）に反比例して、（ｄ−Δｄ）あるいは（ｄ＋Δｄ）へと変化する。この樹脂混合物塗布層膜厚ｄの変化率（Δｄ／ｄ）は、（Δｄ／ｄ）≒（ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄ）となる。この樹脂混合物塗布層膜厚ｄの変化率（Δｄ／ｄ）は、少なくとも、１／１０以下の範囲、好ましくは、１／５０以下の範囲とすることが望ましい。換言するならば、不導体基材の厚さｔと、その変形部分の曲面の曲率半径Ｒ_ｂｅｎｄとの比率：ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄは、少なくとも、１／１０以下の範囲、好ましくは、１／５０以下の範囲に選択することが望ましい。但し、不導体基材の厚さｔを、極端に薄くすると、実用的な機械的強度を保持できない場合も多く、不導体基材の厚さｔと、その変形部分の曲面の曲率半径Ｒ_ｂｅｎｄとの比率：ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄは、通常１／５００以上の範囲に選択することが好ましい。例えば、Ｒ_ｂｅｎｄ＝１０００ｍｍ（１ｍ）に対しては、ｔは、２ｍｍ≦ｔ≦１０ｍｍの範囲に選択することが可能であり、一方、Ｒ_ｂｅｎｄ＝５ｍｍに対しては、ｔは、０．１ｍｍ≦ｔ≦０．５ｍｍの範囲に選択することが望ましい。

このような不導体基材に施される三次元成形操作の一例として、所定の領域に表面を平坦な面から、曲面形状に塑性変形させる、曲面形成を挙げることができる。この曲面形成により形成される曲面状の不導体基材表面は、必ずしも、一定の曲率半径を示すものでなくともよいが、その曲面上において、各部位における局所的な曲率半径は、５ｍｍ〜１ｍの範囲であることが望ましい。なお、各点における局所的な曲率半径は、その点の近傍における曲面形状を球面、あるいは、円筒面により近似した際、その球面、あるいは円筒面の半径に相当する。

また、このような不導体基材に施される三次元成形操作の一例として、所定の面間角を示す折れ曲がり形状の形成を挙げることができる。この折れ曲がり形状の形成では、その角部は、局所的に見ると、二つの面が所定の面間角で交わる形状と見なせる。微視的には、その角部は、所定の曲率を有する曲面で形成されており、所謂、ｒｏｕｎｄ加工処理を施されている角部とされる。その角部の折れ曲がりの程度は、二つの面の面間角により表記でき、６０〜１６０°の範囲、もしくは２００〜３００°の範囲に選択されていることが好ましい。前記の面間角を示す角部の微視的な曲率半径についても、不導体基材の厚さｔと、その変形部分の曲面の曲率半径Ｒ_ｂｅｎｄとの比率：ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄは、少なくとも、１／１０以下の範囲、好ましくは、１／５０以下の範囲に選択することが望ましい。

なお、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法では、前記三次元成形操作を施す不導体基材の厚さｔは、目的とする外形形状を保持可能な機械的な強度を有する範囲に選択する。一方、目的とする外形形状において、その局所的な曲率半径Ｒ_ｂｅｎｄに対して、ｔ／Ｒ_ｂｅｎｄの比率が１／１０以下の範囲、好ましくは、１／５０以下の範囲となるように、使用する不導体基材の厚さｔを、０．１ｍｍ〜１ｃｍの範囲から適宜選択することが望ましい。

一方、この不導体基材に施される三次元成形操作に付随して、樹脂混合物塗布層の塑性変形が引き起こされるが、成形加工後における、樹脂混合物塗布層の膜厚は、０．１μｍ〜２０μｍの範囲となるように、加工前の樹脂混合物塗布層を調整することが望ましい。

平坦な表面を有する不導体基材の表面に対して、溶剤を添加することで、適当な液粘度に調整された樹脂混合物を、各種の印刷手段を用いて、目的とするパターン形状に塗布した上で、樹脂混合物塗布層に低温で仮焼成処理を施す。この低温で加熱する間に、樹脂混合物中に配合されている溶剤成分の相当部分が蒸散される。この仮焼成処理（乾燥処理）を終えた時点では、その乾燥処理済みの樹脂混合物塗布層は、表面に被覆分子層を有する金属微粒子が、重合硬化処理を施す前の樹脂原料化合物を主成分とする混合物中に均一に分散されており、乾燥された塗布層表面に、所望の面密度で金属微粒子が表出している。この目的とするパターン形状に塗布形成され、乾燥処理を施した樹脂混合物塗布層の表面全面に対して、エネルギー線の照射を行う形態を利用することが望ましい。本発明では、この予め目的とするパターン形状の樹脂混合物塗布層を形成した上で、仮焼成処理（乾燥処理）、エネルギー線の照射処理を行う形態を選択することが最も好ましい。

あるいは、利用する樹脂原料化合物の種類によっては、樹脂混合物の塗布自体は、平坦な表面を有する不導体基材の表面を覆うように、全面的に塗布を行い、樹脂混合物塗布層に低温で仮焼成処理を施す。この仮焼成処理（乾燥処理）を終えた時点で、乾燥処理済みの樹脂混合物塗布層の表面に、目的とするパターン形状に対応させて、エネルギー線の照射を行うことで、照射領域の重合硬化処理を施す前の樹脂原料化合物に、特定の溶剤に対する不溶化処理を施す形態を利用することができる。その結果、エネルギー線の照射が施されていない樹脂混合物塗布層の部分領域は、前記特定の溶剤に対する溶解性を保持しており、該溶剤を利用する洗浄除去処理（現像処理）を施すと、目的とするパターン形状の樹脂混合物塗布層が残される。この全面塗布、乾燥処理後、目的とするパターン形状に相当するエネルギー線の照射（パターン露光）による不溶化処理、引き続き、非照射領域（非露光領域）を溶剤で溶解除去する処理（現像処理）を行う形態も、利用する樹脂原料化合物の種類によっては、有用な形態となる。

なお、前記のエネルギー線の照射により不溶化処理が可能な樹脂混合物を用いる場合には、平坦な表面を有する不導体基材に加えて、種々の表面形状に予め成形加工を施した不導体基材の表面に対しても、同様な手順で、目的とするパターン形状を有し、実質的に均一な膜厚を有する塗布膜を形成することができる。すなわち、この種々の表面形状を示す不導体基材の表面に塗布された樹脂混合物の塗布膜に対して、乾燥処理（仮焼成処理）を施した後、樹脂混合物塗布層の表面に対して、所望のパターンに対応させて、エネルギー線の照射を行い、不溶化処理を施す形態を利用することも可能である。特には、ビーム状のエネルギー線を利用して、種々の表面形状を示す樹脂混合物塗布層の表面に、所望のパターンに対応させて、直接、エネルギー線の照射を行って、当該パターンを直接描画する形態を利用することも可能である。エネルギー線の照射が施されていない樹脂混合物塗布層の部分領域は、前記特定の溶剤に対する溶解性を保持しており、該溶剤を利用する洗浄除去処理（現像処理）を施すと、目的とするパターン形状の樹脂混合物塗布層が残される。

あるいは、種々の表面形状に予め成形加工を施した不導体基材の表面に対して、所望のパターンに対応させて、例えば、インクジェット描画法を応用して樹脂混合物を選択的に塗布し、実質的に均一な膜厚を有する、目的とするパターン形状を有する樹脂混合物塗布膜を形成することも可能である。この樹脂混合物塗布膜に対して、乾燥処理を施した後、樹脂混合物塗布層の表面全体を覆うように、全面的なエネルギー線の照射を行う形態を利用することも可能である。

不導体基材上に設ける、乾燥処理を施された、樹脂混合物塗布層中に分散されている平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子の分散密度を、１．０×１０^１２個／ｍｍ^３〜３．５×１０^１４個／ｍｍ^３の範囲、すなわち、１．０×１０^３個／μｍ^３〜３．５×１０^５個／μｍ^３の範囲、より好ましくは、５．０×１０^１２個／ｍｍ^３〜１．０×１０^１４個／ｍｍ^３の範囲、すなわち、５．０×１０^３個／μｍ^３〜１．０×１０^５個／μｍ^３の範囲に選択することが望ましい。それに伴い、塗布層表面に露呈する金属微粒子の面密度を、１．０×１０^１個／μｍ^２〜４×１０^２個／μｍ^２の範囲、より好ましくは、０．４×１０^２個／μｍ^２〜２×１０^２個／μｍ^２の範囲とすることが好ましい。すなわち、塗布層表面に露呈する金属微粒子が正方格子状に配置されると仮定した際、隣接する金属微粒子相互の平均的距離は、０．２０μｍ〜０．０７μｍの範囲とすることが好ましい。その状態では、塗布層表面に露呈する金属微粒子の清浄な金属表面を核として、無電解メッキ工程において、平均粒子径０．５μｍ〜４μｍの範囲の微細な金属塊が生成する結果、樹脂混合物塗布層表面のほぼ全面を覆うように、無電解メッキによる微細な金属塊の被覆層が形成される。その後、一面に緻密に分布する微細な金属塊の被覆層を、さらに覆うように、無電解メッキ金属層の形成が進行する結果、無電解メッキ金属層の膜厚が１μｍに達した時点では、均一な面状に形成された金属膜を下地層として形成される無電解メッキ金属層と比較しても、全く遜色のない、緻密で均一なメッキ金属層が形成される。

また、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材を三次元成形するため、不導体基材には、所望の塑性変形が可能な材質を利用する。具体的には、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＰＢ）、ポリアミドイミド、フッ素樹脂、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンからなる絶縁性材料の群から、不導体基材を選択することが可能である。

なお、樹脂混合物塗布層自体は、表面に露呈する金属微粒子を除き、平坦でかつ均一な膜厚を有することが望ましい。緻密で均一なメッキ金属層の形成を行った後、樹脂混合物塗布層に加熱処理を施すことにより、流動性を付与し、形成されるメッキ金属層の裏面に対して、かかる樹脂混合物塗布層からなるバインダー樹脂を均一に濡れ接触させる。最終的に、平坦でかつ均一な膜厚を有する樹脂混合物塗布層から形成されるバインダー樹脂層は、不導体基材表面にメッキ金属層を高い接着性で固着する機能を発揮する。

従って、樹脂混合物中に、分散媒として配合される硬化型バインダー樹脂組成物は、不導体基材表面ならびにメッキ金属層の双方に対する接着特性に優れる硬化型バインダー樹脂を利用する。具体的には、硬化型バインダー樹脂として、熱硬化性樹脂、あるいは、光硬化性樹脂を利用することが望ましい。

硬化型バインダー樹脂として、熱硬化性樹脂を利用する場合には、無電解メッキ金属層を形成した後、不導体基材を含め、所定の温度で加熱処理することで、不導体基材表面とメッキ金属層裏面とが均一な濡れを達成した状態で、熱硬化を行う。この熱硬化処理を行う際、加熱温度は、不導体基材の材質が示す耐熱性を考慮した上で適宜選択される。一般に、１６０℃以下の加熱により、所望の熱硬化が完了することが望ましい。通常、導電性回路は、無電解メッキ層からなる配線と、他の電子部品の端子との間の電気的接合に、ハンダ接合の適用を可能とするため、不導体基材の材質は、少なくとも、ハンダ材料の溶融する温度において、十分な耐熱特性を示すものから選択する。バインダー樹脂層を形成する熱硬化性樹脂も、少なくとも、ハンダ材料の溶融する温度において、十分な耐熱特性を示すものが好適に使用される。

従って、硬化型バインダー樹脂として、熱硬化性樹脂を利用する場合、例えば、形成されるメッキ層がハンダ接合に利用される場合、得られる硬化物は、少なくとも、８０℃に加熱する際に、十分な耐熱性を示すことが望ましい。かかる用途には、一般に、１００℃程度の耐熱性を有するエポキシ樹脂またはアルキッド樹脂を主要な樹脂成分とする熱硬化性樹脂組成物を利用することがより好ましい。利用可能なエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡエポキシ樹脂など挙げることができる。また、利用可能なアルキッド樹脂としては、ハリフタール（ハリマ化成製）など挙げることができる。

エポキシ樹脂を主要な樹脂成分とする熱硬化性樹脂組成物には、エポキシ樹脂成分と、そのエポキシ樹脂に対する、硬化剤、または、硬化触媒、更には、必要に応じて、硬化促進剤を含有してなる組成物が利用できる。熱硬化性樹脂組成物中で利用可能な、エポキシ樹脂に対する硬化剤として、酸無水物系硬化剤、例えば、無水フタル酸などが利用でき、更には、アミン系硬化剤、例えば、アミンアダクト化合物などを利用することもできる。硬化剤を利用する際には、必要に応じて、硬化促進剤として、イミダゾールなどを添加することもできる。また、エポキシ樹脂に対する硬化触媒として、トリフェニルホスフィンなどを利用することができる。

例えば、エポキシ樹脂成分に対して、そのエポキシ樹脂に対する酸無水物系硬化剤の配合比率は、エポキシ樹脂成分中に含まれるエポキシ基二つに対して、二塩基酸由来の酸無水物が、通常、０．８〜１．２分子の範囲、好ましくは、０．９〜１．１分子の範囲となる比率を選択することが望ましい。また、酸無水物系硬化剤に加えて、硬化促進剤を添加する際には、エポキシ樹脂成分中に含まれるエポキシ基二つに対して、前記アミン系硬化促進剤を、０．０１０〜０．０５０分子の範囲、好ましくは、０．０１５〜０．０４０分子の範囲で配合することが望ましい。

必要に応じて、エポキシ樹脂を主要な樹脂成分とする熱硬化性樹脂組成物中に、粘度調整のため、希釈溶媒用の有機溶剤を適量添加することもできる。また、エポキシ樹脂を主要な樹脂成分とする熱硬化性樹脂組成物は、含まれる有機溶剤を蒸散除去し、乾燥処理を施した後、好ましくは、５０〜１６０℃の範囲で、５〜３０分間加熱処理を施すと、分散質として含有される平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を均一な分散状態で保持しつつ、熱硬化物を構成する組成とすることが好適である。

一方、アルキッド樹脂を主要な樹脂成分とする熱硬化性樹脂組成物には、アルキッド樹脂成分と、そのアルキッド樹脂に対する硬化促進剤を含有してなる組成物を利用できる。熱硬化性樹脂組成物用にアルキッド樹脂に対する硬化促進剤としては、塗料用ドライヤーとして汎用される、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸ジルコニウムなどを好適に利用できる。例えば、アルキッド樹脂成分に対して、そのアルキッド樹脂に対する硬化促進剤の配合比率は、アルキッド樹脂１００質量部に対して、前記の硬化促進剤用化合物を、例えば、ナフテン酸コバルトを０．１質量部、ナフテン酸ジルコニウムを０．０５質量部、この程度の比率で添加することが好ましい。熱硬化性樹脂組成物中において、アルキッド樹脂成分と、そのアルキッド樹脂に対する硬化促進剤とが均一に配合される状態とするため、通常、アルキッド樹脂成分を溶解可能な有機溶剤を適量含む溶液に所定量の硬化促進剤を添加した状態とする。その際、アルキッド樹脂を主要な樹脂成分とする熱硬化性樹脂組成物は、含まれる有機溶剤を蒸散除去し、乾燥処理を施した後、好ましくは、６０〜１００℃の範囲で、５〜３０分間加熱処理を施すと、分散質として含有される平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を均一な分散状態で保持しつつ、熱硬化物を構成する組成とすることが好適である。

一方、硬化型バインダー樹脂として、光硬化性樹脂を利用する際には、無電解メッキ金属層の形成に先立ち、少なくとも、形成される無電解メッキ金属層により被覆される領域に相当する部分に対して、所定のエネルギーを有する光の照射を施し、予め光硬化を促進させる手順を採用する。樹脂混合物塗布層に対して、配合されている光硬化性樹脂組成物に予め光硬化を促進した後、その塗布層表面に無電解メッキ処理を施す。なお、無電解メッキ金属層を形成した後、不導体基材を含め、所定の温度で加熱処理することで、不導体基材表面とメッキ金属層裏面とに対して、光硬化性樹脂による均一な濡れを達成した状態とする。

また、硬化型バインダー樹脂として、光硬化性樹脂を利用する場合にも、例えば、形成されるメッキ層がハンダ接合に利用される場合、得られる硬化物は、少なくとも、８０℃に加熱する際に、十分な耐熱性を示すことが望ましい。かかる用途には、一般に、１００℃程度の耐熱性を有する、エポキシアクリレート樹脂を主要な樹脂成分とする光硬化性樹脂組成物を利用することがより好ましい。前記耐熱性の要件を満足する、光硬化性樹脂として、光照射に伴い、自らラジカル種を生成し、光誘起ラジカル重合の可能なラジカル重合性樹脂、あるいは、光ラジカル重合開始剤や、光酸発生剤により誘起される、ラジカル重合や、光カチオン重合が可能な重合硬化型樹脂などを利用することがより好ましい。例えば、反応性（ラジカル重合性）オリゴマー；アルキッドアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート、ウレタン変性アクリレート等と、それに対する光ラジカル重合開始剤とを組み合わせて、光硬化性樹脂組成物として利用することができる。

また、光硬化性樹脂組成物は、その粘度を調整する必要がある場合、適宜、希釈溶媒用の有機溶剤を添加することができる。その際には、光硬化性樹脂組成物を含む樹脂混合物塗布層に対して、添加される希釈溶媒を蒸散・除去するため、乾燥処理を施した後、そのの「光硬化反応」を誘起するため、乾燥処理済みの塗布層表面から「光照射処理」を行う。この「光照射処理」では、光励起により、例えば、利用される光ラジカル重合開始剤からのラジカル種の生成や、光酸発生剤に起因するプロトンの発生を行うため、必要とするエネルギーを供給可能な紫外線照射などが利用される。また、「紫外線照射」に代えて、利用される光ラジカル重合開始剤や光酸発生剤の励起が可能な電子線照射を利用することも可能である。

乾燥処理済みの塗布層表面から入射される、紫外線や電子線の侵入深さは、光ラジカル重合開始剤や光酸発生剤による光吸収に加えて、分散されている金属微粒子に由来する光散乱・反射による減衰の影響をも受ける。乾燥処理済みの塗布層の膜厚方向全体において、光硬化の促進を図る上では、乾燥処理済みの塗布層の膜厚を、０．５μｍ〜６０μｍの範囲、より好ましくは、１μｍ〜３０μｍの範囲に選択した上で、利用される光ラジカル重合開始剤や光酸発生剤の励起を目的として、表面へ照射される紫外線光量を、０．１Ｊ／ｃｍ^２〜２Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の範囲、より好ましくは、０．２Ｊ／ｃｍ^２〜１．２Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の範囲に設定することが望ましい。

さらに、光硬化性樹脂組成物に対して、光ラジカル重合開始剤や光酸発生剤に加えて、熱分解によりラジカル発生が可能なラジカル発生剤を添加し、最終的に、無電解メッキ金属層を形成した後、不導体基材を含め、所定の温度で加熱処理することで、ラジカル重合型の熱硬化を進行させることが可能である。すなわち、加熱処理に伴い、不導体基材表面とメッキ金属層裏面とに対して、かかる光硬化性樹脂による均一な濡れを達成した状態とした上で、より強固なバインダー特性が達成される。この熱分解によりラジカル発生が可能なラジカル発生剤としては、例えば、過酸化物系のラジカル発生剤；パーブチルＺ（ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート：日本油脂製）などが利用できる。その際、エポキシアクリレート樹脂などの光硬化性樹脂主成分１００質量部あたり、過酸化物系のラジカル発生剤；パーブチルＺ（ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート：日本油脂製）などを、０．１〜２質量部の範囲、好ましくは、０．３〜１質量部の範囲で添加することが望ましい。かかる熱分解により発生するラジカルによる熱硬化は、１２０℃〜１６０℃の範囲、好ましくは、１３０℃〜１５０℃の範囲に加熱することで達成できる。

加えて、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法では、乾燥処理を施された樹脂混合物塗布層中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子が均一に分散されている状態を達成するため、金属微粒子の表面に被覆分子層を設け、分散性を向上させている。具体的には、金属微粒子を、かかる金属超微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する有機化合物１種以上により被覆した状態とし、この表面の被覆分子層が構成されている。この分散性を維持する被覆分子層用の化合物としては、末端にアミノ基（−ＮＨ_２）、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、スルファニル基（−ＳＨ）を、あるいは、分子内にエーテル（−Ｏ−）、スルフィド（−Ｓ−）を有する有機化合物であり、分散媒として利用される、硬化型バインダー樹脂組成物中に含まれるバインダー樹脂成分との親和性に優れたものを用いることが好ましい。

特に、用いる金属微粒子の平均粒子径を、好ましくは、１〜７０ｎｍの範囲、より好ましくは、１〜２０ｎｍの範囲に選択することは、樹脂混合物中に分散される金属微粒子の分散密度を高くした際、均一な分散性を保持する上で有効である。

なお、これら分散剤は、金属微粒子表面を被覆する分子層を形成して、分散性を向上させる機能を有し、例えば、樹脂混合物塗布層に乾燥処理を施す際、有機溶剤の蒸散・除去を促進するため、１００℃前後に加熱する際、金属微粒子表面から容易に離脱することのないものが好適である。一方、樹脂混合物塗布層に乾燥処理を施した後、エネルギー線照射を施すことで、選択的に離脱させることが可能であることが必要である。

なお、かかるアルキルアミンは、金属元素と配位的な結合を形成した状態で、通常の保管環境、具体的には、４０℃に達しない範囲では、脱離しないものが好適であり、沸点が６０℃以上の範囲、好ましくは１００℃以上となるものが好ましい。例えば、アルキルアミンとして、そのアルキル基は、Ｃ４〜Ｃ２０が用いられ、さらに好ましくはＣ８〜Ｃ１８の範囲に選択され、アルキル鎖の末端にアミノ基を有するものが用いられる。例えば、前記Ｃ８〜Ｃ１８の範囲のアルキルアミンは、熱的な安定性もあり、また、その蒸気圧もさほど高くなく、室温等で保管する際、含有率を所望の範囲に維持・制御することが容易であるなど、ハンドリング性の面から好適に用いられる。一般に、かかる配位的な結合を形成する上では、第一級アミン型のものがより高い結合能を示し好ましいが、第二級アミン型、ならびに、第三級アミン型の化合物も利用可能である。また、１，２−ジアミン型、１，３−ジアミン型など、近接する二以上のアミノ基が結合に関与する化合物も利用可能である。また、ポリオキシアルキレンアミンを用いることもできる。その他、末端のアミノ基以外に、親水性の末端基、例えば、水酸基を有するヒドロキシアミン、例えば、エタノールアミンなどを利用することもできる。

また、利用可能なスルファニル基（−ＳＨ）を有する化合物の代表として、アルカンチオールを挙げることができる。なお、かかるアルカンチオールも、金属元素と配位的な結合を形成した状態で、通常の保管環境、具体的には、４０℃に達しない範囲では、脱離しないものが好適であり、沸点が６０℃以上の範囲、好ましくは１００℃以上となるものが好ましい。例えば、アルカンチオールとして、そのアルキル基は、Ｃ４〜Ｃ２０が用いられ、さらに好ましくはＣ８〜Ｃ１８の範囲に選択され、アルキル鎖の末端にスルファニル基（−ＳＨ）を有するものが用いられる。例えば、前記Ｃ８〜Ｃ１８の範囲のアルカンチオールは、熱的な安定性もあり、また、その蒸気圧もさほど高くなく、室温等で保管する際、含有率を所望の範囲に維持・制御することが容易であるなど、ハンドリング性の面から好適に用いられる。一般に、第一級チオール型のものがより高い結合能を示し好ましいが、第二級チオール型、ならびに、第三級チオール型の化合物も利用可能である。また、１，２−ジチオール型などの、二以上のスルファニル基（−ＳＨ）が結合に関与するものも、利用可能である。

また、利用可能なヒドロキシ基を有する化合物の代表として、アルカンジオールを挙げることができる。なお、かかるアルカンジオールも、金属元素と配位的な結合を形成した状態で、通常の保管環境、具体的には、４０℃に達しない範囲では、脱離しないものが好適であり、沸点が６０℃以上の範囲、通常、１００℃以下の範囲となるものが好ましい。例えば、１，２−ジオール型などの、二以上のヒドロキシ基が結合に関与するものなどが、より好適に利用可能である。

すなわち、樹脂混合物中に分散される金属微粒子は、その表面は、かかる金属微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する化合物１種以上により被覆された状態とするが、例えば、末端アミノ基を１以上有するアミン化合物一種以上により被覆された状態とすることが好ましい。例えば、樹脂混合物に調製した際、前記金属微粒子１００質量部に対して、前記アミン化合物一種以上を総和として、５〜６０質量部を含有している状態とする。好ましくは、前記金属微粒子１００質量部に対して、前記アミン化合物一種以上を総和として、７〜４０質量部、より好ましくは、１０〜３０質量部を含有している状態とする。

樹脂混合物中に分散される金属微粒子の表面の被覆分子層を形成する、前記アミン化合物の第一の機能は、樹脂混合物の調製に際し、攪拌、混合する工程において、金属微粒子がその清廉な表面を直接接触させ、相互に付着して塊を形成することを防止することである。従って、金属微粒子の表面に被覆分子層を形成する限り、特にその種類に限定はないものの、室温において、容易に蒸散することのないものが望ましい。従って、先に述べたように、末端にアミノ基を有するアミン化合物、例えば、アルキルアミンなどを用いることが好ましい。より具体的には、アルキルアミンとして、そのアルキル基は、Ｃ４〜Ｃ２０が用いられ、さらに好ましくはＣ８〜Ｃ１８の範囲に選択され、アルキル鎖の末端にアミノ基を有するものが用いられる。例えば、前記Ｃ８〜Ｃ１８の範囲のアルキルアミンは、熱的な安定性もあり、また、その蒸気圧もさほど高くなく、室温等で保管する際、含有率を所望の範囲に維持・制御することが容易であるなど、ハンドリング性の面から好適に用いられる。金属微粒子の表面に被覆分子層を形成するという第一の機能を達成すべく、末端にアミノ基を有するアミン化合物、例えば、アルキルアミンなどの含有量は、金属微粒子の全表面に応じて、また、金属の種類、アミン化合物、例えば、アルキルアミンなどの種類をも考慮して、適宜選択すべきものである。一般に、Ｃ８〜Ｃ１８のアルキルアミンを用い、金属自体の比重が、例えば、銀、金、銅程度であり、金属微粒子の平均粒子径が１０ｎｍより極端に小さくない場合では、被覆分子層に利用されるアルキルアミンの使用量は金属の種類や粒子径にもよるが、金属微粒子１００質量部に対し、アルキルアミンの含有量を５〜６０質量部、好ましくは、７〜４０質量部、より好ましくは１０〜３０質量部の範囲に選択することが好ましい。アルキルアミン以外のアミン化合物をも用いる際にも、金属微粒子１００質量部に対し、アミン化合物の総含有量を５〜６０質量部、好ましくは、７〜４０質量部、より好ましくは１０〜３０質量部の範囲に選択することが好ましい。

なお、金属微粒子を被覆する前記分子層の層厚は、金属微粒子の平均粒子径に依存せず、同程度とする必要がある。従って、金属微粒子の平均粒子径が小さくなると、金属微粒子の単位質量当たり、その金属微粒子の表面積の総和は増加するので、金属微粒子を被覆する前記分子層の形成に用いる、該金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、イオウ原子のいずれかを含む基を有する化合物の総和を増加させる。すなわち、使用する金属微粒子の平均粒子径に反比例させて、該金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、イオウ原子のいずれかを含む基を有する化合物の総和を増減させることが望ましい。

この被覆分子層により表面を保護されている状態を保つ金属微粒子自体は、無電解メッキ液に浸された際にも、金属表面を露呈することはなく、無電解メッキによる金属塊の析出の核としての機能を発揮しない。一方、本発明の第一の形態、ならびに、第三の形態では、微細な回路のパターン形状に対応させて、前記樹脂混合物塗布層の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施し、そのエネルギー線照射を受けた表面部分のみに、被覆分子層が除去された金属微粒子を生成させ、無電解メッキによる金属塊の析出の核として利用している。この金属微粒子の表面を保護する、被覆分子層の離脱を促進するエネルギー線照射に利用される、エネルギー線としては、電子線または紫外線を使用することが望ましい。すなわち、所望のパターン形状の開口部を有するフォトマスクを利用した、紫外線照射、あるいは、指向性の高い電子線を利用して、所望のパターン形状に合わせて、局所的に電子線の掃引照射を利用することが好ましい。このエネルギー線照射には、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線、あるいは、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光、また、粒子線衝撃による励起を利用する場合、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用することが可能である。

具体的には、樹脂混合物塗布層の平坦な表面上に露呈している金属微粒子について、その表面を保護している被覆分子層を、局所的に照射されるエネルギー線により供給されるエネルギーを利用して、選択的に離脱させる。当初、金属微粒子の表面を保護している被覆分子層では、表面の金属原子に対して被覆分子は配位的な結合をしている。しかし、この配位的な結合に関与する金属の電子を励起すると、その配位的な結合力は低減し、被覆分子の離脱が進む。一方、金属微粒子の表面に存在する金属原子は、酸化を受け易い状態となり、最表面に一分子層程度の酸化被膜が形成される。この酸化被膜が形成されると、一旦、離脱した被覆分子による再被覆は、生じない状態となる。但し、無電解メッキ液中に浸されると、金属微粒子の表面に形成された酸化被膜は、速やかに還元を受け、清浄な金属面を有する金属微粒子へ変換される。この清浄な金属面を有する金属微粒子は、無電解メッキにより生成される金属原子の析出の核として機能する。結果的に、樹脂混合物塗布層の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施すと、このエネルギー線照射を受けた微細な領域のみに、無電解メッキ金属層の形成がなされる。

この樹脂混合物塗布層の平坦な表面上に露呈している金属微粒子に対するエネルギー線照射では、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線を利用する場合には、表面へ照射される紫外線光量を、０．１Ｊ／ｃｍ^２〜７０Ｊ／ｃｍ^２の範囲、好ましくは０．５Ｊ／ｃｍ^２〜５０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定することが望ましい。また、金属微粒子に対するエネルギー線照射に、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用する場合には、表面へ照射される電子線の照射量を、５００ｋＧｙ〜６０００ｋＧｙの範囲に設定することが望ましい。

この金属微粒子の表面に対して、配位的な結合を形成している被覆分子の離脱後、最表面に一分子層程度形成される酸化被膜が、無電解メッキ液中に浸した際、速やかに還元を受ける上では、金属微粒子を構成する金属は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種、またはこれら金属種の二種以上からなる合金であることが望ましい。すなわち、無電解メッキ液中に配合されている、還元性化合物を、速やかに酸化し、自らは金属へ還元可能な酸化状態を有する、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの貴金属、あるいは、Ｃｕ_２Ｏ、Ｚｎ_２Ｏ、ＣｒＯ、ＦｅＯ、ＮｉＯなど、小さな酸化数を有する金属酸化物が生成される金属種からなる金属微粒子を用いることが好ましい。

一方、無電解メッキ金属層を形成する金属種も、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種を選択することが好ましい。例えば、無電解メッキ金属層を形成する金属種として、前記の選択肢の範囲から、金属微粒子を構成する金属種よりも卑な金属種を選択することができる。勿論、無電解メッキ金属層を形成する金属種と、金属微粒子を構成する金属種とを同じものとすることができる。

なお、無電解メッキの際、メッキ核として機能する、微細な金属微粒子を構成する金属種が、メッキされる金属種よりも、卑な金属である場合には、無電解メッキ液に浸漬した際、一部は、置換メッキ過程により、メッキされる金属種と置換される場合がある。その後は、同じ種の金属種が表面を形成する金属微粒子をメッキ核として、無電解メッキによる金属塊の形成が進行する。

本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法においては、不導体基材の表面に、一様に樹脂混合物塗布層を作製した後、微細な回路のパターン形状に対応させて、前記樹脂混合物塗布層の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施し、そのエネルギー線照射を受けた表面部分のみに、無電解メッキによる金属塊を選択的に析出して、目的とするパターン形状メッキ金属層を形成する形態が、一般に望ましい。

一方、不導体基材に予め三次元成形を施し、その不導体基材の表面に、予め目的とするパターン形状を有する樹脂混合物塗布層を作製し、その表面全体にエネルギー線照射を施す形態を利用することも可能である。樹脂混合物の塗布層を形成する際、予め目的とするパターンに塗布層の形状を描画形成する手法として、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、転写印刷法を利用することが可能である。

利用する印刷手段に応じて、金属微粒子を含む樹脂混合物の液粘度を適宜調節することが必要となる。例えば、微細な塗布パターンの描画にスクリーン印刷を利用する際には、樹脂混合物は、その液粘度を、３０〜３００Ｐａ・ｓ（２５℃）の範囲に選択することが望ましい。また、転写印刷法を利用する際には、樹脂混合物の液粘度を、１０〜５００Ｐａ・ｓ（２５℃）の範囲に選択することが望ましい。一方、インクジェット印刷法を利用する際には、樹脂混合物の液粘度を、１〜１００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の範囲に選択することが望ましい。

金属微粒子を、分散媒の硬化性樹脂組成物中に分散してなる樹脂混合物の液粘度は、用いる金属微粒子の平均粒子径、乾燥処理後の樹脂混合物塗布層中における分散濃度、分散媒である硬化性樹脂組成物自体の種類、液粘度に依存して決まる。用いる金属微粒子の平均粒子径、乾燥処理後の樹脂混合物塗布層中における分散濃度を選択した上で、分散媒である硬化性樹脂組成物自体の種類、液粘度を適宜選択して、目的とする液粘度に調節することができる。すなわち、分散媒である硬化性樹脂組成物自体の種類に応じて、その希釈用有機溶剤の種類、配合量を適宜調整して、目的とする樹脂混合物の液粘度に調整することが可能である。

本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法を適用することにより、曲率半径が５ｍｍ〜１ｍの範囲の曲面上に導電性回路を形成することが可能である。実際に、本発明にかかる導電性回路の形成方法を適用することによって、回路形成を行うことのできる曲面状の成型物の一例として、下記のものを挙げることができる。
１）ボールペン、万年筆などの筆記具の内、外面上への回路形成（曲率半径：５ｍｍ〜２ｃｍ）
２）プリンターのドラム、コピー機のロールなどの機械部品の内、外面上への回路形成（曲率半径：１ｃｍ〜５０ｃｍ）
３）遠心分離器、ローターなどの試験装置の内、外面上への回路形成（曲率半径：１０ｃｍ〜１ｍ）
４）ポット、ジャー、ミキサーなどの電化製品の内、外面上への回路形成（曲率半径：５ｃｍ〜１ｍ）
５）基板のホール内への回路形成（曲率半径：５ｍｍ〜１ｃｍ）
６）円筒の内面への回路形成（曲率半径：５ｍｍ〜１０ｃｍ）
７）液体用ボトル、缶などの外面上への回路形成（曲率半径：３ｃｍ〜１ｍ）
８）球技用ボールの表面または内面上への回路形成（曲率半径：２ｃｍ〜５０ｃｍ）
９）その他球面上への回路形成
また、本発明にかかる導電性回路の形成方法は、導電性回路を形成する面が、折れ曲がり形状を示し、その角部における面間角が、６０〜１６０°の範囲、もしくは２００〜３００°の範囲に好適に利用できる。このような角部を有する面上に回路形成を行う成型物の例として、以下のものを挙げることができる。
１）多層基板、電子基板の部品上への回路形成
２）生産設備等の機械部品の形状に合わせた回路形成
３）電子部品の隙間の形状に合わせて成型し、コンパクトな形状の電子部品の製造に用いる回路形成
４）車体または車載部品の形状に合わせた回路形成
５）量り、時計、感知器などの精密機器の形状に合わせた回路形成
６）携帯電話、ＰＤＡなどの外枠内面上への回路形成
７）構造物を重ねることにより段差を生じた形状に対する回路形成
８）折れ曲がった形状の構造物の表面への回路形成
II．第二の手法
上記の第一の手法と同様に、本発明の第二の手法でも、均一な金属膜に代えて、有機物で構成される表面上に、十分に高い面密度で、離散的に、微小な金属表面部を配置することで、均一な金属膜表面と実質的に同等の機能を発揮させている。このような状況を達成する手法として、本発明の第二の手法では、例えば、接着剤層の表面に、金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その際、表面に配置される金属微粒子の表面に清浄な金属面が露呈している状態を作り出している。具体的には、本発明の第二の手法にかかる、第一の形態、ならびに第三の形態においては、接着剤層の表面に、表面に被覆分子層を有する金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その後、表面からエネルギー線を照射することで、被覆分子層の離脱と、金属微粒子の最表面に金属酸化被膜を一旦生成させる。その後、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化被膜が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法を利用している。

また、本発明の第二の手法にかかる、第二の形態、ならびに第四の形態においては、接着剤層の表面に、微粉末状の有機金属化合物を緻密に高い面密度で配置し、かかる有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換し、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法を利用している。この有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換する過程は、表面からエネルギー線を照射することで、有機金属化合物を構成する、有機物成分を離脱させ、残余する金属イオン種を金属酸化物に変換し、微小な金属酸化物の粒子として凝集させる。この微小な金属酸化物は、一旦、接着剤層の表面に固着された状態となるが、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核となる。

加えて、本発明の第二の手法において、前述のエネルギー線照射により誘起され、金属酸化物へと変換される二種の過程は、エネルギー線照射に伴う、励起電子状態への遷移を利用しており、利用されるエネルギー線のエネルギーは、光励起を利用する場合、波長４００ｎｍ以下、１８０ｎｍ以上の紫外線領域のエネルギー、あるいは、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光領域のエネルギーであり、また、粒子線衝撃による励起を利用する場合、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用する。

すなわち、接着剤層の表面に、金属微粒子を緻密に高い面密度で配置する、あるいは、接着剤層の表面に、微粉末状の有機金属化合物を緻密に高い面密度で配置する状態に対して、所定のエネルギー線照射がなされた場合、そのエネルギー線照射領域のみに選択的な、表面に清浄な金属面を有する核の生成がなされ、対応して、かかる領域のみに、無電解メッキ金属層の析出が実際に進行する。本発明では、目的とするパターン形状の無電解メッキ層の形成を、前記のエネルギー線照射領域の形状パターンを予め決定することで、簡便に制御することを可能としている。

本発明の第二の手法において、第一の形態、ならびに第三の形態にかかる導電性回路の形成方法とは、不導体基材の表面に、所望のパターン形状の無電解メッキ層を選択的に形成する手段として、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物の塗布層を形成し、この樹脂混合物塗布層の表面に対して、前記パターン形状に対応する領域にエネルギー線を照射することで、その後、無電解メッキ液に浸し、無電解メッキを施した際、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させる手法を利用する点で、構成上の共通性を有している。

本発明の第二の手法において、第一の形態かかる導電性回路の形成方法では、不導体基材表面に樹脂混合物塗布層を形成した後、不導体基材をその表面の樹脂混合物塗布層とともに、三次元成形する操作を設けている。すなわち、表面の樹脂混合物塗布層は、この時点では硬化処理が施されてなく、不導体基材を三次元成形すると、それに付随して、相似的に三次元成形を行うことが可能である。具合的には、不導体基材の表面に形成されている樹脂混合物塗布層においては、塗布に利用する樹脂混合物を塗布後、含有される溶剤成分を蒸散する目的で、乾燥処理が施されているが、その主成分は重合硬化処理を施す前の樹脂原料化合物であり、不導体基材を構成する材質と比較すると、格段に塑性変形性に富む状態である。そのため、不導体基材に三次元成形する操作を施し、塑性変形させた際、表面の樹脂混合物塗布層も追従して塑性変形し、結果的に相似的な三次元成形がなされる。例えば、不導体基材を一軸延伸して、長さ方向に「引き伸ばし加工」を施すと、その一軸延伸比率に反比例して、厚さが減少する。その際、表面の樹脂混合物塗布層も、同じ一軸延伸比率比率で、長さ方向に「引き伸ばし加工」を受け、一方、塗布層の厚さは、その一軸延伸比率に反比例して、薄くなる。乾燥処理を施された、表面の樹脂混合物塗布層中では、分散質の平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子は、乾燥された硬化型バインダー樹脂組成物中においても、均一に分散された状態を保っている。一方、不導体基材に施される三次元成形操作に付随する、樹脂混合物塗布層の一軸延伸比率は、原寸に対して、１００％〜６００％の範囲に選択することが可能である。なお、この一軸延伸加工後における、樹脂混合物塗布層の膜厚は、０．１μｍ〜２０μｍの範囲となるように、加工前の樹脂混合物塗布層を調整することが望ましい。

一方、本発明の第二の手法において、第一の形態にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材を三次元成形するため、不導体基材には、所望の塑性変形が可能な材質を利用する。具体的には、三次元成形を施す不導体基材として、ポリカーボネート、ＰＥＴ、ＰＥＮなどを利用することが可能である。

また、本発明の第二の手法において、第三の形態にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材に三次元成形を施さないため、前記塑性変形が可能な材質に加えて、塑性変形性に乏しい材質を利用することができる。具体的には、塑性変形性に乏しい材質である、ポリイミド、ガラスエポキシなどで作製された不導体基材を利用することも可能である。

硬化型バインダー樹脂として、熱硬化性樹脂を利用する場合には、無電解メッキ金属層を形成した後、不導体基材を含め、所定の温度で加熱処理することで、不導体基材表面とメッキ金属層裏面とが均一な濡れを達成した状態で、熱硬化を行う。この熱硬化処理を行う際、加熱温度は、不導体基材の材質が示す耐熱性を考慮した上で適宜選択される。一般に、１６０℃以下の加熱により、所望の熱硬化が完了することが望ましい。通常、導電性回路は、無電解メッキ層からなる配線と、他の電子部品の端子との間の電気的接合に、ハンダ接合の適用を可能とするため、少なくとも、不導体基材の材質は、ハンダ材料の溶融する温度において、十分な耐熱特性を示す。バインダー樹脂層を形成する熱硬化性樹脂も、少なくとも、ハンダ材料の溶融する温度において、十分な耐熱特性を示すものが好適に使用される。

さらに、光硬化性樹脂組成物に対して、光ラジカル重合開始剤や光酸発生剤に加えて、熱分解によりラジカル発生が可能なラジカル発生剤を添加し、最終的に、無電解メッキ金属層を形成した後、不導体基材を含め、所定の温度で加熱処理することで、ラジカル重合型の熱硬化を進行させることが可能である。すなわち、加熱処理に伴い、不導体基材表面とメッキ金属層裏面とに対して、かかる光硬化性樹脂による均一な濡れを達成した状態とした上で、より強固なバンダー特性が達成される。この熱分解によりラジカル発生が可能なラジカル発生剤としては、例えば、過酸化物系のラジカル発生剤；パーブチルＺ（ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート：日本油脂製）などが利用できる。その際、エポキシアクリレート樹脂などの光硬化性樹脂主成分１００質量部あたり、過酸化物系のラジカル発生剤；パーブチルＺ（ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート：日本油脂製）などを、０．１〜２質量部の範囲、好ましくは、０．３〜１質量部の範囲で添加することが望ましい。かかる熱分解により発生するラジカルによる熱硬化は、１２０℃〜１６０℃の範囲、好ましくは、１３０℃〜１５０℃の範囲に加熱することで達成できる。

加えて、本発明の第二の手法において、第一の形態、ならびに第三の形態にかかる導電性回路の形成方法では、乾燥処理を施された樹脂混合物塗布層中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子が均一に分散されている状態を達成するため、金属微粒子の表面に被覆分子層を設け、分散性を向上させている。具体的には、金属微粒子を、かかる金属超微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する有機化合物１種以上により被覆した状態とし、この表面の被覆分子層を構成している。この分散性を維持する被覆分子層用の化合物としては、末端にアミノ基（−ＮＨ_２）、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、スルファニル基（−ＳＨ）を、あるいは、分子内にエーテル（−Ｏ−）、スルフィド（−Ｓ−）を有する有機化合物であり、分散媒として利用される、硬化型バインダー樹脂組成物中に含まれるバインダー樹脂成分との親和性に優れたものを用いることが好ましい。

利用可能なアミノ基を有する化合物の代表として、アルキルアミンを挙げることができる。なお、かかるアルキルアミンは、金属元素と配位的な結合を形成した状態で、通常の保管環境、具体的には、４０℃に達しない範囲では、脱離しないものが好適であり、沸点が６０℃以上の範囲、好ましくは１００℃以上となるものが好ましい。例えば、アルキルアミンとして、そのアルキル基は、Ｃ４〜Ｃ２０が用いられ、さらに好ましくはＣ８〜Ｃ１８の範囲に選択され、アルキル鎖の末端にアミノ基を有するものが用いられる。例えば、前記Ｃ８〜Ｃ１８の範囲のアルキルアミンは、熱的な安定性もあり、また、その蒸気圧もさほど高くなく、室温等で保管する際、含有率を所望の範囲に維持・制御することが容易であるなど、ハンドリング性の面から好適に用いられる。一般に、かかる配位的な結合を形成する上では、第一級アミン型のものがより高い結合能を示し好ましいが、第二級アミン型、ならびに、第三級アミン型の化合物も利用可能である。また、１，２−ジアミン型、１，３−ジアミン型など、近接する二以上のアミノ基が結合に関与する化合物も利用可能である。また、ポリオキシアルキレンアミンを用いることもできる。その他、末端のアミノ基以外に、親水性の末端基、例えば、水酸基を有するヒドロキシアミン、例えば、エタノールアミンなどを利用することもできる。

この金属微粒子の表面に対して、配位的な結合を形成している被覆分子の離脱後、最表面に一分子層程度形成される酸化被膜が、無電解メッキ液中に浸した際、速やかに還元を受ける上では、金属微粒子を構成する金属は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種、またはこれら金属種の二種以上からなる合金であることが望ましい。すなわち、無電解メッキ液中に配合されている、還元性化合物を、速やかに酸化し、自らは金属へ還元可能な酸化状態を有する、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの貴金属、あるいは、Ｃｕ_２Ｏ，Ｚｎ_２Ｏ，ＣｒＯ，ＦｅＯ，ＮｉＯなど、小さな酸化数を有する金属酸化物が生成される金属種からなる金属微粒子を用いることが好ましい。

一方、無電解メッキ金属層を形成する金属種も、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種を選択することが好ましい。

なお、無電解メッキの際、メッキ核として、機能する微細な金属微粒子を構成する金属種が、メッキされる金属種よりも、卑な金属である場合には、無電解メッキ液に浸漬した際、一部は、置換メッキ過程により、メッキされる金属種と置換される場合がある。その後は、同じ種の金属種が表面を形成する金属微粒子をメッキ核として、無電解メッキによる金属塊の形成が進行する。

本発明の第二の手法において、第一の形態、ならびに第三の形態にかかる導電性回路の形成方法においては、不導体基材の表面に、一様に樹脂混合物塗布層を作製した後、微細な回路のパターン形状に対応させて、前記樹脂混合物塗布層の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施し、そのエネルギー線照射を受けた表面部分のみに、無電解メッキによる金属塊を選択的に析出して、目的とするパターン形状メッキ金属層を形成する形態が、一般に望ましい。

一方、不導体基材の三次元成形を行わない、第三の形態にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材の表面に、予め目的とするパターン形状を有する樹脂混合物塗布層を作製し、その表面全体にエネルギー線照射を施す形態を利用することも可能である。樹脂混合物の塗布層を形成する際、予め目的とするパターンに塗布層の形状を描画形成する手法として、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、転写印刷法を利用することが可能である。

一方、本発明の第二の手法において、第二の形態、ならびに第四の形態にかかる導電性回路の形成方法とは、不導体基材の表面に、所望のパターン形状の無電解メッキ層を選択的に形成する手段として、微粉末状の有機金属化合物を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物の塗布層を形成し、この樹脂混合物塗布層の表面に対して、前記パターン形状に対応する領域にエネルギー線を照射することで、その後、無電解メッキ液に浸し、無電解メッキを施した際、エネルギー線照射を受けた表面部分に無電解メッキ層を選択的に形成させる手法を利用する点で、構成上の共通性を有している。

樹脂混合物塗布層の表面に、微粉末状の有機金属化合物を緻密に高い面密度で配置し、かかる有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換し、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法を利用している。この有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換する過程は、表面からエネルギー線を照射することで、有機金属化合物を構成する、有機物成分を離脱させ、残余する金属イオン種を金属酸化物に変換し、微小な金属酸化物の粒子として凝集させる。この微小な金属酸化物は、一旦、接着剤層の表面に固着された状態となるが、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核となる。

本発明の第二の手法において、第二の形態にかかる導電性回路の形成方法でも、上記の第一の形態と同様に、不導体基材表面に樹脂混合物塗布層を形成した後、不導体基材をその表面の樹脂混合物塗布層とともに、三次元成形する操作を設けている。すなわち、表面の樹脂混合物塗布層は、この時点では硬化処理が施されてなく、不導体基材を三次元成形すると、それに付随して、相似的に三次元成形を行うことが可能である。具体的には、不導体基材の表面に形成されている樹脂混合物塗布層においては、塗布に利用する樹脂混合物を塗布後、含有される溶剤成分を蒸散する目的で、乾燥処理が施されているが、その主成分は重合硬化処理を施す前の樹脂原料化合物であり、不導体基材を構成する材質と比較すると、格段に塑性変形性に富む状態である。そのため、不導体基材に三次元成形する操作を施し、塑性変形させた際、表面の樹脂混合物塗布層も追従して塑性変形し、結果的に相似的な三次元成形がなされる。例えば、不導体基材を一軸延伸して、長さ方向に「引き伸ばし加工」を施すと、その一軸延伸比率に反比例して、厚さが減少する。その際、表面の樹脂混合物塗布層も、同じ一軸延伸比率で、長さ方向に「引き伸ばし加工」を受け、一方、塗布層の厚さは、その一軸延伸比率に反比例して、薄くなる。乾燥処理を施された、表面の樹脂混合物塗布層中では、分散質の微粉末状有機金属化合物は、乾燥された硬化型バインダー樹脂組成物中においても、均一に分散された状態を保っている。一方、不導体基材に施される三次元成形操作に付随する、樹脂混合物塗布層の一軸延伸比率は、原寸に対して、１００％〜６００％の範囲に選択することが可能である。なお、この一軸延伸加工後における、樹脂混合物塗布層の膜厚は、０．１μｍ〜２０μｍの範囲、好ましくは０．２μｍ〜１０μｍの範囲となるように、加工前の樹脂混合物塗布層を調整することが望ましい。

上記樹脂混合物中に分散される微粉末状有機金属化合物は、微粉末サイズは、０．０１μｍ〜５μｍの範囲、より好ましくは、０．０２μｍ〜０．５μｍの範囲に選択することが好ましい。本発明の第二の形態ならびに第四の形態で利用される有機金属化合物としては、有機酸金属塩、または有機金属錯体が好ましい。その際、有機金属化合物中に含まれる金属種としては、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種を選択することが好ましい。例えば、有機酸金属塩としては、有機酸アニオン種として、種々のカルボン酸アニオン種を含むもの、また、有機金属錯体としては、錯体を構成する配位子として、アセチルアセトネート（［ＣＨ_３−ＣＯ−ＣＨ−ＣＯ−ＣＨ_３］⁻）などを含むものが好適に利用される。なお、有機金属化合物中における、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇの貴金属カチオン種としては、次の酸化数を有するカチオン、Ｐｄ（II）^２＋、Ａｇ（Ｉ）^＋などが好適であり、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの遷移金属カチオン種としては、次の酸化数を有するカチオン、Ｃｕ（II）^２＋などが好適である。

また、不導体基材上に設ける、乾燥処理を施された、樹脂混合物塗布層中に分散されている有機金属化合物微粉末の分散密度を、１．０×１０^１２個／ｍｍ^３〜３．５×１０^１４個／ｍｍ^３の範囲、すなわち、１．０×１０^３個／μｍ^３〜３．５×１０^５個／μｍ^３の範囲、より好ましくは、５．０×１０^１２個／ｍｍ^３〜１．０×１０^１４個／ｍｍ^３の範囲、すなわち、５．０×１０^３個／μｍ^３〜１．０×１０^５個／μｍ^３の範囲に選択することが望ましい。それに伴い、塗布層表面に露呈する有機金属化合物微粉末の面密度を１．０×１０^１個／μｍ^２〜４×１０^２個／μｍ^２の範囲、より好ましくは、４×１０^１個／μｍ^２〜２×１０^２個／μｍ^２の範囲とすることが好ましい。すなわち、塗布層表面に露呈する有機金属化合物微粉末が正方格子状に配置されると仮定した際、隣接する有機金属化合物微粉末相互の平均的距離は、０．２０μｍ〜０．０７μｍの範囲とすることが好ましい。

その状態で、塗布層表面に露呈する有機金属化合物微粉末にエネルギー線照射を施し、有機物成分の脱離を図ることで、残余する金属カチオン種を金属酸化物に変換し、微小な金属酸化物の粒子として凝集させる。生成される微小な金属酸化物の粒子は、塗布層表面に露呈された状態となり、その後、無電解メッキ液中に浸すと、速やかに還元を受け、清浄な金属表面を有する粒子となる。塗布層表面に上記の面密度で配置されている、該粒子の清浄な金属表面を核として、無電解メッキ工程において、平均粒子径０．５μｍ〜４μｍの範囲の微細な金属塊が生成する結果、樹脂混合物塗布層表面のほぼ全面を覆うように、無電解メッキによる微細な金属塊の被覆層が形成される。その後、一面に緻密に分布する微細な金属塊の被覆層を、さらに覆うように、無電解メッキ金属層の形成が進行する結果、無電解メッキ金属層の膜厚が１μｍに達した時点では、均一な面状に形成された金属膜を下地層として形成される無電解メッキ金属層と比較しても、全く遜色のない、緻密で均一なメッキ金属層が形成される。

有機金属化合物微粉末自体は、無電解メッキ液に浸された際にも、直接、還元を受け、金属微粒子を生成することはなく、無電解メッキによる金属塊の析出の核としての機能を発揮しない。一方、本発明の第二の手法において、第二の形態、ならびに、第四の形態では、微細な回路のパターン形状に対応させて、前記樹脂混合物塗布層の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施し、そのエネルギー線照射を受けた表面部分のみに、有機金属化合物微粉末から、清浄な金属面を有する微細な粒子を生成させ、無電解メッキによる金属塊の析出の核として利用している。この有機金属化合物を構成する有機物成分の離脱を促進するエネルギー線照射に利用される、エネルギー線としては、電子線または紫外線を使用することが望ましい。すなわち、所望のパターン形状の開口部を有するフォトマスクを利用した、紫外線照射、あるいは、指向性の高い電子線を利用して、所望のパターン形状に合わせて、局所的に電子線の掃引照射を利用することが好ましい。このエネルギー線照射には、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線、あるいは、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光、また、粒子線衝撃による励起を利用する場合、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用することが可能である。

具体的には、樹脂混合物塗布層の平坦な表面上に露呈している有機金属化合物微粉末について、該有機金属化合物を構成する有機物成分を、局所的に照射されるエネルギー線により供給されるエネルギーを利用して、選択的に離脱させる。当初、有機金属化合物では、金属カチオン種に対して、有機物成分がイオン結合、あるいは、配位子結合を形成している。しかし、この有機金属化合物に含まれる金属カチオン種の電子を励起すると、そのイオン結合または配位子結合による結合力は低減し、有機物成分の離脱が進む。一方、励起された金属カチオン種は、酸化状態の不均一化を起こし、金属原子とより酸化数の大きな金属カチオン種となる。生成した酸化数の大きな金属カチオン種は、周囲に存在する有機物を酸化し、自らは、部分的に還元され、当初の酸化数を有する状態となる。結果的に、金属原子が凝集し、その表面に金属酸化物の被膜を有する微細な粒子に変換される。この微細な粒子では、最表面に一分子層程度の酸化被膜が形成されている状態となる。この酸化被膜が形成されると、一旦、離脱した有機物成分は、再びイオン結合、あるいは、配位子結合を形成して、有機金属化合物を構成することは困難となる。但し、無電解メッキ液中に浸されると、この微細な粒子の表面に形成された酸化被膜は、速やかに還元を受け、清浄な金属面を有する粒子へ変換される。この清浄な金属面を有する粒子は、無電解メッキにより生成される金属原子の析出の核として機能する。結果的に、樹脂混合物塗布層の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施すと、このエネルギー線照射を受けた微細な領域のみに、無電解メッキ金属層の形成がなされる。

この樹脂混合物塗布層の平坦な表面上に露呈している有機金属化合物微粉末に対するエネルギー線照射では、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線を利用する場合には、表面へ照射される紫外線光量を、０．１Ｊ／ｃｍ^２〜７０Ｊ／ｃｍ^２の範囲、より好ましくは、０．５Ｊ／ｃｍ^２〜５０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定することが望ましい。また、有機金属化合物微粉末に対するエネルギー線照射に、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用する場合には、表面へ照射される電子線の照射量を、５００ｋＧｙ〜６０００ｋＧｙの範囲に設定することが望ましい。

この有機金属化合物微粉末から生成される、粒子の最表面に一分子層程度形成される酸化被膜が、無電解メッキ液中に浸した際、速やかに還元を受ける上では、有機金属化合物を構成する金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種であることが望ましい。すなわち、無電解メッキ液中に配合されている、還元性化合物を、速やかに酸化し、自らは金属へ還元可能な酸化状態を有する、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの貴金属、あるいは、Ｃｕ_２Ｏ，Ｚｎ_２Ｏ，ＣｒＯ，ＦｅＯ，ＮｉＯなど、小さな酸化数を有する金属酸化物が生成される金属種を用いることが好ましい。

一方、本発明の第二の手法において、第二の形態、第四の形態でも、無電解メッキ金属層を形成する金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種を選択することが好ましい。

本発明の第二の手法において、第二の形態、ならびに第四の形態にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材の表面に、一様に樹脂混合物塗布層を作製した後、微細な回路のパターン形状に対応させて、前記樹脂混合物塗布層の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施し、そのエネルギー線照射を受けた表面部分のみに、無電解メッキによる金属塊を選択的に析出して、目的とするパターン形状メッキ金属層を形成する形態が、一般に望ましい。

一方、本発明の第二の手法において、不導体基材の三次元成形を行わない、第四の形態にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材の表面に、予め目的とするパターン形状を有する樹脂混合物塗布層を作製し、その表面全体にエネルギー線照射を施す形態を利用することも可能である。樹脂混合物の塗布層を形成する際、予め目的とするパターンに塗布層の形状を描画形成する手法として、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、転写印刷法を利用することが可能である。

有機金属化合物の微粉末を、分散媒の硬化性バインダー樹脂組成物中に分散してなる樹脂混合物の液粘度は、用いる有機金属化合物微粉末のサイズ、乾燥処理後の樹脂混合物塗布層中における分散濃度、分散媒である硬化性樹脂組成物自体の種類、液粘度に依存して決まる。用いる有機金属化合物微粉末のサイズ、乾燥処理後の樹脂混合物塗布層中における分散濃度を選択した上で、分散媒である硬化性樹脂組成物自体の種類、液粘度を適宜選択して、目的とする液粘度に調節することができる。すなわち、分散媒である硬化性樹脂組成物自体の種類に応じて、その希釈用有機溶剤の種類、配合量を適宜調整して、目的とする樹脂混合物の液粘度に調整することが可能である。

分散媒の硬化性バインダー樹脂組成物は、上述する本発明の第二の手法にかかる第一の形態や第三の形態において、好適に利用されるものが、本発明の第二の手法にかかる第二の形態、第四の形態においても、好ましい。その他、硬化性バインダー樹脂組成物の硬化条件なども、上述する本発明の第二の手法にかかる第一の形態や第三の形態において、好適に利用されるものが、本発明の第二の手法にかかる第二の形態、第四の形態においても、好ましい。

III．第三の手法
上記の第一の手法と同様に、本発明の第三の手法でも、均一な金属膜に代えて、有機物で構成される表面上に、十分に高い面密度で、離散的に、微小な金属表面部を配置することで、均一な金属膜表面と実質的に同等の機能を発揮させている。このような状況を達成する手法として、本発明の第三の手法では、例えば、不導体基材自体を、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成することで、不導体基材の表面に、金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その際、表面に配置される金属微粒子の表面に清浄な金属面が露呈している状態を作り出している。具体的には、本発明の第三の手法にかかる、第一の形態においては、不導体基材自体の表面に、表面に被覆分子層を有する金属微粒子を緻密に高い面密度で配置し、その後、表面からエネルギー線を照射することで、被覆分子層の離脱と、金属微粒子の最表面に金属酸化被膜を一旦生成させる。その後、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化被膜が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法を利用している。

また、本発明の第三の手法にかかる、第二の形態においては、不導体基材自体を、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜１０ｎｍの有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成することで、不導体基材の表面に、有機金属化合物微粒子を緻密に高い面密度で配置し、かかる有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換し、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法を利用している。この有機金属化合物微粒子を構成する有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換する過程は、表面からエネルギー線を照射することで、有機金属化合物を構成する、有機物成分を離脱させ、残余する金属イオン種を金属酸化物に変換し、微小な金属酸化物の粒子として凝集させる。この微小な金属酸化物は、一旦、不導体基材の表面に固着された状態となるが、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核となる。

加えて、本発明の第三の手法においても、前述のエネルギー線照射により誘起され、金属酸化物へと変換される二種の過程は、エネルギー線照射に伴う、励起電子状態への遷移を利用しており、利用されるエネルギー線のエネルギーは、光励起を利用する場合、波長４００ｎｍ以下、１８０ｎｍ以上の紫外線領域のエネルギー、あるいは、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光領域のエネルギーであり、また、粒子線衝撃による励起を利用する場合、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用する。

すなわち、不導体基材の表面に、金属微粒子が緻密に高い面密度で露呈されている、あるいは、有機金属化合物微粒子が緻密に高い面密度で露呈されている状態に対して、所定のエネルギー線照射がなされた場合、そのエネルギー線照射領域のみに選択的な、表面に清浄な金属面を有する核の生成がなされ、対応して、かかる領域のみに、無電解メッキ金属層の析出が実際に進行する。本発明では、目的とするパターン形状の無電解メッキ層の形成を、前記のエネルギー線照射領域の形状パターンを予め決定することで、簡便に制御することを可能としている。

本発明の第三の手法において、第一の形態にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材自体を、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成する手法を利用するため、非導電性の樹脂組成物自体が、金属微粒子相互の絶縁分離を行う。また、金属微粒子を均一に分散してなる非導電性材料自体を、三次元成形するため、少なくとも、非導電性材料を構成するバインダー樹脂成分として利用する、該非導電性の樹脂組成物は、所望の塑性変形が可能な材質の樹脂であることが必要である。すなわち、絶縁特性に優れ、所望の塑性変形が可能な材質の樹脂を選択することが望ましい。具体的には、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＰＢ）、ポリアミドイミド、フッ素樹脂、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンからなる絶縁性材料の群から、非導電性の樹脂組成物中に配合する樹脂成分を選択することが可能である。

また、本発明の第三の手法において、第二の形態にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材自体を、非導電性の樹脂組成物中に、有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成し、その表面に露呈している有機金属化合物微粒子を、最終的に金属微粒子へと変換して利用している。例えば、平均粒子径が１〜１００ｎｍの範囲、特には、平均粒子径が１〜１０ｎｍの範囲の有機金属化合物微粒子を、最終的に金属微粒子へと変換して利用している。この第二の形態でも、不導体基材の内部において、有機金属化合物微粒子から、最終的に金属微粒子へと変換された際には、該金属微粒子相互の絶縁分離は、非導電性の樹脂組成物自体によってなされる。従って、非導電性の樹脂組成物として、絶縁特性に優れ、所望の塑性変形が可能な材質の樹脂を選択することが望ましい。具体的には、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＰＢ）、ポリアミドイミド、フッ素樹脂、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンからなる絶縁性材料の群から、非導電性の樹脂組成物中に配合する樹脂成分を選択することが可能である。

不導体基材を形成する非導電性材料において、非導電性の樹脂組成物中に分散されている平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子の分散密度を、１．０×１０^１２個／ｍｍ^３〜３．５×１０^１４個／ｍｍ^３の範囲、すなわち、１．０×１０^３個／μｍ^３〜３．５×１０^５個／μｍ^３の範囲、より好ましくは、５．０×１０^１２個／ｍｍ^３〜１．０×１０^１４個／ｍｍ^３の範囲、すなわち、５．０×１０^３個／μｍ^３〜１．０×１０^５個／μｍ^３の範囲に選択することが望ましい。それに伴い、不導体基材の表面に露呈する金属微粒子の面密度を、１．０×１０^１個／μｍ^２〜４×１０^２個／μｍ^２の範囲、より好ましくは、０．４×１０^２個／μｍ^２〜２×１０^２個／μｍ^２の範囲とすることが好ましい。すなわち、不導体基材表面に露呈する金属微粒子が正方格子状に配置されると仮定した際、隣接する金属微粒子相互の平均的距離は、０．２０μｍ〜０．０７μｍの範囲とすることが好ましい。その状態では、不導体基材表面に露呈する金属微粒子の清浄な金属表面を核として、無電解メッキ工程において、平均粒子径０．５μｍ〜４μｍの範囲の微細な金属塊が生成する結果、樹脂混合物塗布層表面のほぼ全面を覆うように、無電解メッキによる微細な金属塊の被覆層が形成される。その後、一面に緻密に分布する微細な金属塊の被覆層を、さらに覆うように、無電解メッキ金属層の形成が進行する結果、無電解メッキ金属層の膜厚が１μｍに達した時点では、均一な面状に形成された金属膜を下地層として形成される無電解メッキ金属層と比較しても、全く遜色のない、緻密で均一なメッキ金属層が形成される。

加えて、本発明の第三の手法において、第一の形態にかかる導電性回路の形成方法では、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子が均一に分散されている状態を達成するため、金属微粒子の表面に被覆分子層を設け、分散性を向上させている。具体的には、金属微粒子を、かかる金属超微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する有機化合物１種以上により被覆した状態とし、この表面の被覆分子層を構成している。この分散性を維持する被覆分子層用の化合物としては、末端にアミノ基（−ＮＨ_２）、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、スルファニル基（−ＳＨ）を、あるいは、分子内にエーテル（−Ｏ−）、スルフィド（−Ｓ−）を有する有機化合物であり、非導電性の樹脂組成物中に含まれるバインダー樹脂成分や溶剤成分との親和性に優れたものを用いることが好ましい。

特に、用いる金属微粒子の平均粒子径を、好ましくは、１〜７０ｎｍの範囲、より好ましくは、１〜２０ｎｍの範囲に選択することは、非導電性の樹脂組成物中に分散される金属微粒子の分散密度を高くした際、均一な分散性を保持する上で有効である。

なお、これら分散剤は、金属微粒子表面を被覆する分子層を形成して、分散性を向上させる機能を有し、例えば、金属微粒子を分散している非導電性の樹脂組成物から、所定の初期形状を有する不導体基材を調製する際、例えば、樹脂組成物中に配合されている有機溶剤の蒸散・除去を促進するため、１００℃前後に加熱する際、金属微粒子表面から容易に離脱することのないものが好適である。一方、該所定の初期形状を有する不導体基材を調製した後、該不導体基材の表面にエネルギー線照射を施すことで、選択的に離脱させることが可能であることが必要である。

すなわち、不導体基材中に分散される金属微粒子は、その表面は、かかる金属微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する化合物１種以上により被覆された状態とするが、例えば、末端アミノ基を１以上有するアミン化合物一種以上により被覆された状態とすることが好ましい。例えば、樹脂混合物に調製した際、前記金属微粒子１００質量部に対して、前記アミン化合物一種以上を総和として、５〜６０質量部を含有している状態とする。好ましくは、前記金属微粒子１００質量部に対して、前記アミン化合物一種以上を総和として、７〜４０質量部、より好ましくは、１０〜３０質量部を含有している状態とする。

不導体基材中に分散される金属微粒子の表面の被覆分子層を形成する、前記アミン化合物の第一の機能は、非導電性樹脂材料の調製に際し、非導電性の樹脂組成物中に、金属微粒子を攪拌、混合する工程において、金属微粒子がその清廉な表面を直接接触させ、相互に付着して塊を形成することを防止することである。従って、金属微粒子の表面に被覆分子層を形成する限り、特にその種類に限定はないものの、室温において、容易に蒸散することのないものが望ましい。従って、先に述べたように、末端にアミノ基を有するアミン化合物、例えば、アルキルアミンなどを用いることが好ましい。より具体的には、アルキルアミンとして、そのアルキル基は、Ｃ４〜Ｃ２０が用いられ、さらに好ましくはＣ８〜Ｃ１８の範囲に選択され、アルキル鎖の末端にアミノ基を有するものが用いられる。例えば、前記Ｃ８〜Ｃ１８の範囲のアルキルアミンは、熱的な安定性もあり、また、その蒸気圧もさほど高くなく、室温等で保管する際、含有率を所望の範囲に維持・制御することが容易であるなど、ハンドリング性の面から好適に用いられる。金属微粒子の表面に被覆分子層を形成するという第一の機能を達成すべく、末端にアミノ基を有するアミン化合物、例えば、アルキルアミンなどの含有量は、金属微粒子の全表面に応じて、また、金属の種類、アミン化合物、例えば、アルキルアミンなどの種類をも考慮して、適宜選択すべきものである。一般に、Ｃ８〜Ｃ１８のアルキルアミンを用い、金属自体の比重が、例えば、銀、金、銅程度であり、金属微粒子の平均粒子径が１０ｎｍより極端に小さくない場合では、被覆分子層に利用されるアルキルアミンの使用量は金属の種類や粒子径にもよるが、金属微粒子１００質量部に対し、アルキルアミンの含有量を５〜６０質量部、好ましくは、７〜４０質量部、より好ましくは１０〜３０質量部の範囲に選択することが好ましい。アルキルアミン以外のアミン化合物をも用いる際にも、金属微粒子１００質量部に対し、アミン化合物の総含有量を５〜６０質量部、好ましくは、７〜４０質量部、より好ましくは１０〜３０質量部の範囲に選択することが好ましい。

この被覆分子層により表面を保護されている状態を保つ金属微粒子自体は、無電解メッキ液に浸された際にも、金属表面を露呈することはなく、無電解メッキによる金属塊の析出の核としての機能を発揮しない。一方、本発明の第一の形態では、微細な回路のパターン形状に対応させて、初期形状の不導体基材の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施し、そのエネルギー線照射を受けた表面部分のみに、被覆分子層が除去された金属微粒子を生成させ、無電解メッキによる金属塊の析出の核として利用している。この金属微粒子の表面を保護する、被覆分子層の離脱を促進するエネルギー線照射に利用される、エネルギー線としては、電子線または紫外線を使用することが望ましい。すなわち、所望のパターン形状の開口部を有するフォトマスクを利用した、紫外線照射、あるいは、指向性の高い電子線を利用して、所望のパターン形状に合わせて、局所的に電子線の掃引照射を利用することが好ましい。このエネルギー線照射には、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線、あるいは、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光、また、粒子線衝撃による励起を利用する場合、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用することが可能である。

具体的には、初期形状の不導体基材の平坦な表面上に露呈している金属微粒子について、その表面を保護している被覆分子層を、局所的に照射されるエネルギー線により供給されるエネルギーを利用して、選択的に離脱させる。当初、金属微粒子の表面を保護している被覆分子層では、表面の金属原子に対して被覆分子は配位的な結合をしている。しかし、この配位的な結合に関与する金属の電子を励起すると、その配位的な結合力は低減し、被覆分子の離脱が進む。一方、金属微粒子の表面に存在する金属原子は、酸化を受け易い状態となり、最表面に一分子層程度の酸化被膜が形成される。この酸化被膜が形成されると、一旦、離脱した被覆分子による再被覆は、生じない状態となる。但し、無電解メッキ液中に浸されると、金属微粒子の表面に形成された酸化被膜は、速やかに還元を受け、清浄な金属面を有する金属微粒子へ変換される。この清浄な金属面を有する金属微粒子は、無電解メッキにより生成される金属原子の析出の核として機能する。結果的に、三次元成形操作に先立ち、不導体基材の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施すと、三次元成形の後、無電解メッキ工程では、このエネルギー線照射を受けた微細な領域のみに、無電解メッキ金属層の形成がなされる。

この不導体基材の平坦な表面上に露呈している金属微粒子に対するエネルギー線照射では、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線を利用する場合には、表面へ照射される紫外線光量を、０．１Ｊ／ｃｍ^２〜７０Ｊ／ｃｍ^２の範囲、好ましくは０．５Ｊ／ｃｍ^２〜５０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定することが望ましい。また、金属微粒子に対するエネルギー線照射に、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用する場合には、表面へ照射される電子線の照射量を、５００ｋＧｙ〜６０００ｋＧｙの範囲に設定することが望ましい。

この金属微粒子の表面に対して、配位的な結合を形成している被覆分子の離脱後、最表面に一分子層程度形成される酸化被膜が、無電解メッキ液中に浸した際、速やかに還元を受ける上では、金属微粒子を構成する金属は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群から選択される金属種、またはこれら金属種の二種以上からなる合金であることが望ましい。すなわち、無電解メッキ液中に配合されている、還元性化合物を、速やかに酸化し、自らは金属へ還元可能な酸化状態を有する、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの貴金属、あるいは、Ｃｕ_２Ｏ，Ｚｎ_２Ｏ，ＣｒＯ，ＦｅＯ，ＮｉＯなど、小さな酸化数を有する金属酸化物が生成される金属種からなる金属微粒子を用いることが好ましい。

一方、無電解メッキ金属層を形成する金属種も、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群から選択される金属種を選択することが好ましい。

一方、本発明の第三の手法において、第二の形態にかかる導電性回路の形成方法では、不導体基材の表面に、所望のパターン形状の無電解メッキ層を選択的に形成する手段として、不導体基材自体を、非導電性の樹脂組成物中に、有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成することで、不導体基材の表面に、有機金属化合物微粒子を緻密に高い面密度で配置し、かかる有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換し、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核とする手法を利用している。例えば、有機金属化合物微粒子の平均粒子径は、１〜１００ｎｍの範囲、そのうちでも、１〜１０ｎｍの範囲に選択することができる。この有機金属化合物微粒子を構成する有機金属化合物に含まれる金属イオン種を、一旦、金属酸化物の微小な粒子に変換する過程は、表面からエネルギー線を照射することで、有機金属化合物を構成する、有機物成分を離脱させ、残余する金属イオン種を金属酸化物に変換し、微小な金属酸化物の粒子として凝集させる。この微小な金属酸化物は、一旦、不導体基材の表面に固着された状態となるが、無電解メッキ液中において、かかる金属酸化物の微小粒子が還元され、表面に清浄な金属面を有する核となる。

上記非導電性の樹脂組成物中に分散される有機金属化合物微粒子は、該微粒子を構成する有機金属化合物自体は、非導電性の樹脂組成物中に溶解せず、均一な分散状態に保持されることが望ましい。例えば、平均粒子径が１〜１００ｎｍの範囲、特には、平均粒子径が１〜１０ｎｍの範囲の有機金属化合物微粒子で構成される、微粉末状の有機金属化合物を均一な分散状態に保持されることが望ましい。すなわち、予め、上記の平均粒子径に調製した有機金属化合物微粒子を、非導電性の樹脂組成物中に混合し、均一に分散する過程において、溶解が進行し、微粒子の減少や、あるいは、再析出に伴って、他の微粒子の粒子径の増大を引き起こすことが無いことが望ましい。該本発明の第三の方法にかかる第二の形態では、利用される有機金属化合物微粒子を構成する有機金属化合物としては、有機酸金属塩、または有機金属錯体が好ましい。その際、有機金属化合物中に含まれる金属種としては、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群から選択される金属種を選択することが好ましい。例えば、有機酸金属塩としては、有機酸アニオン種として、種々のカルボン酸アニオン種を含むもの、また、有機金属錯体としては、錯体を構成する配位子として、アセチルアセトネート（［ＣＨ_３−ＣＯ−ＣＨ−ＣＯ−ＣＨ_３］⁻）などを含むものが好適に利用される。なお、有機金属化合物中における、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇの貴金属カチオン種としては、次の酸化数を有するカチオン、Ｐｄ（II）^２＋、Ａｇ（Ｉ）^＋などが好適であり、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの遷移金属カチオン種としては、次の酸化数を有するカチオン、Ｃｕ（II）^２＋などが好適である。

また、不導体基材中に分散されている有機金属化合物微粒子の分散密度を、１．０×１０^１２個／ｍｍ^３〜３．５×１０^１４個／ｍｍ^３の範囲、すなわち、１．０×１０^３個／μｍ^３〜３．５×１０^５個／μｍ^３の範囲、より好ましくは、５．０×１０^１２個／ｍｍ^３〜１．０×１０^１４個／ｍｍ^３の範囲、すなわち、５．０×１０^３個／μｍ^３〜１．０×１０^５個／μｍ^３の範囲に選択することが望ましい。それに伴い、不導体基材の表面に露呈する有機金属化合物微粒子の面密度を１．０×１０^１個／μｍ^２〜４×１０^２個／μｍ^２の範囲、より好ましくは、４×１０^１個／μｍ^２〜２×１０^２個／μｍ^２の範囲とすることが好ましい。すなわち、不導体基材の表面に露呈する有機金属化合物微粒子が正方格子状に配置されると仮定した際、隣接する有機金属化合物微粒子相互の平均的距離は、０．２０μｍ〜０．０７μｍの範囲とすることが好ましい。

その状態で、不導体基材の表面に露呈する有機金属化合物微粒子にエネルギー線照射を施し、有機物成分の脱離を図ることで、残余する金属カチオン種を金属酸化物に変換し、微小な金属酸化物の粒子として凝集させる。生成される微小な金属酸化物の粒子は、不導体基材の表面に露呈された状態となり、その後、無電解メッキ液中に浸すと、速やかに還元を受け、清浄な金属表面を有する粒子となる。不導体基材表面に上記の面密度で配置されている、該粒子の清浄な金属表面を核として、無電解メッキ工程において、平均粒子径０．５μｍ〜４μｍの範囲の微細な金属塊が生成する結果、エネルギー線照射がなさえた領域の表面のみを覆うように、無電解メッキによる微細な金属塊の被覆層が形成される。その後、一面に緻密に分布する微細な金属塊の被覆層を、さらに覆うように、無電解メッキ金属層の形成が進行する結果、無電解メッキ金属層の膜厚が１μｍに達した時点では、均一な面状に形成された金属膜を下地層として形成される無電解メッキ金属層と比較しても、全く遜色のない、緻密で均一なメッキ金属層が形成される。

有機金属化合物微粒子自体は、無電解メッキ液に浸された際にも、直接、還元を受け、金属微粒子を生成することはなく、無電解メッキによる金属塊の析出の核としての機能を発揮しない。一方、本発明の第三の手法において、第二の形態では、微細な回路のパターン形状に対応させて、三次元成形操作に先立ち、不導体基材の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施し、そのエネルギー線照射を受けた表面部分のみに、有機金属化合物微粒子から、清浄な金属面を有する微細な粒子を生成させ、無電解メッキによる金属塊の析出の核として利用している。この有機金属化合物を構成する有機物成分の離脱を促進するエネルギー線照射に利用される、エネルギー線としては、電子線または紫外線を使用することが望ましい。すなわち、所望のパターン形状の開口部を有するフォトマスクを利用した、紫外線照射、あるいは、指向性の高い電子線を利用して、所望のパターン形状に合わせて、局所的に電子線の掃引照射を利用することが好ましい。このエネルギー線照射には、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線、あるいは、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光、また、粒子線衝撃による励起を利用する場合、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用することが可能である。

具体的には、不導体基材の平坦な表面上に露呈している有機金属化合物微粒子について、該有機金属化合物を構成する有機物成分を、局所的に照射されるエネルギー線により供給されるエネルギーを利用して、選択的に離脱させる。当初、有機金属化合物では、金属カチオン種に対して、有機物成分がイオン結合、あるいは、配位子結合を形成している。しかし、この有機金属化合物に含まれる金属カチオン種の電子を励起すると、そのイオン結合または配位子結合による結合力は低減し、有機物成分の離脱が進む。一方、励起された金属カチオン種は、酸化状態の不均一化を起こし、金属原子とより酸化数の大きな金属カチオン種となる。生成した酸化数の大きな金属カチオン種は、周囲に存在する有機物を酸化し、自らは、部分的に還元され、当初の酸化数を有する状態となる。結果的に、金属原子が凝集し、その表面に金属酸化物の被膜を有する微細な粒子に変換される。この微細な粒子では、最表面に一分子層程度の酸化被膜が形成されている状態となる。この酸化被膜が形成されると、一旦、離脱した有機物成分は、再びイオン結合、あるいは、配位子結合を形成して、有機金属化合物を構成することは困難となる。但し、無電解メッキ液中に浸されると、この微細な粒子の表面に形成された酸化被膜は、速やかに還元を受け、清浄な金属面を有する粒子へ変換される。この清浄な金属面を有する粒子は、無電解メッキにより生成される金属原子の析出の核として機能する。結果的に、三次元成形操作に先立ち、不導体基材の平坦な表面上、所望の微細な領域にエネルギー線照射を施すと、このエネルギー線照射を受けた微細な領域のみに、無電解メッキ金属層の形成がなされる。

この不導体基材の平坦な表面上に露呈している有機金属化合物微粒子に対するエネルギー線照射では、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線を利用する場合には、表面へ照射される紫外線光量を、０．１Ｊ／ｃｍ^２〜７０Ｊ／ｃｍ^２の範囲、より好ましくは、０．５Ｊ／ｃｍ^２〜５０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定することが望ましい。また、有機金属化合物微粒子に対するエネルギー線照射に、４０ｋｅＶ以上の電子線を利用する場合には、表面へ照射される電子線の照射量を、５００ｋＧｙ〜６０００ｋＧｙの範囲に設定することが望ましい。

この有機金属化合物微粒子から生成される、粒子の最表面に一分子層程度形成される酸化被膜が、無電解メッキ液中に浸した際、速やかに還元を受ける上では、有機金属化合物を構成する金属種は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群から選択される金属種であることが望ましい。すなわち、無電解メッキ液中に配合されている、還元性化合物を、速やかに酸化し、自らは金属へ還元可能な酸化状態を有する、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの貴金属、あるいは、Ｃｕ_２Ｏ，Ｚｎ_２Ｏ，ＣｒＯ，ＦｅＯ，ＮｉＯなど、小さな酸化数を有する金属酸化物が生成される金属種を用いることが好ましい。

一方、本発明の第三の手法において、第二の形態でも、無電解メッキ金属層を形成する金属種は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群から選択される金属種を選択することが好ましい。

なお、不導体基材に三次元成形操作を施す際、三次元成形後の形状に依らず、その表面上、予めエネルギー線照射を施している領域に露呈している金属微粒子あるいは有機金属化合物微粒子の面密度は実質的に同等となる。換言するならば、三次元成形後の形状に依らず、その表面上、予めエネルギー線照射を施している領域では、無電解メッキ液中に浸した際、金属微粒子あるいは有機金属化合物微粒子に由来するその表面に金属酸化物の被膜を有する微細な粒子から生成される、表面に清浄な金属面を有する核の面密度は実質的に同等となる。従って、本発明の第三の手法においては、不導体基材に三次元成形操作を施す際、三次元成形後の形状は任意に選択することが可能である。例えば、三次元成形後の形状において、全体的な形状とは別に、その表面の微視的な形状として、エンボス加工が施された面とすることができる。このエンボス加工が施された面は、メッキ膜と、不導体基材とが接する表面積は、該メッキ膜のパターン形状と比較し、相対的に大きなものとなっている。その結果、不導体基材と該メッキ膜との密着性はより向上したものとなる。

上述する本発明の第一の手法、第二の手法においては、不導体基材と形成される所望の形状パターンのメッキ膜とは、硬化性バインダー樹脂を接着剤層として、接着固定されている。従って、硬化性バインダー樹脂と不導体基材との界面における接着性は、利用される不導体基材の材質と、硬化性バインダー樹脂の種類に依存している。また、不導体基材と、硬化性バインダー樹脂の熱膨張係数に差違があると、周辺温度が反復的に変化する際、硬化性バインダー樹脂と不導体基材との界面に歪み応力が集中する結果、長期間使用する間に、剥がれ、離反が引き起こされる場合もある。このような長期の信頼性に影響を及ぼす不具合を回避するため、利用される不導体基材の材質と、硬化性バインダー樹脂の種類を適正に選択することが好ましい。

一方、本発明の第三の手法においては、不導体基材自体に金属微粒子あるいは有機金属化合物微粒子を分散するため、上述するように、三次元成形後の形状を任意に選択した際、硬化性バインダー樹脂と不導体基材との界面における剥がれ、離反の不具合は、本質的に存在しないという利点を有している。一方、不導体基材の厚さ当たりの重量は、不導体基材自体に金属微粒子あるいは有機金属化合物微粒子を分散しているため、相対的に増している。この点を改善するため、予め不導体基材を作製する時点で、その中央部は、非導電性の樹脂組成物のみで構成され、表面部分は、同じ非導電性の樹脂組成物中に、金属微粒子あるいは有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で構成されるようなコア構造を有する不導体基材とすることも可能である。

以下に、実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する。

Ｉ．第一の手法
まず、本発明の第一の手法にかかる導電性回路の形成方法を、実施例を参照して、詳細に説明する。

下記の実施例１−１〜１−８は、本発明の第一の手法にかかる最良の実施形態の一例であるが、本発明の第一の手法は、これらの実施例に示す態様に限定されるものではない。

後述する実施例１−１〜１−８においては、「紫外線照射処理」として、下記の操作を利用している。また、作製される無電解メッキ層の評価は、各評価項目について、下記する評価条件、基準を利用している。

１．「紫外線照射処理」
紫外線源として、２ｋＷの超高圧水銀灯を用いる紫外線露光機により、照射面に対して、垂直方向より露光する。その際、紫外線露光量（照射光量）は、波長３６５ｎｍにおいて測定される光量に基づき、調整する。

２．無電解メッキ層の評価
「体積抵抗率」：ＪＩＳ−Ｈ−８６４６に記載の体積抵抗率試験法に準拠し、作製される無電解メッキ層について、矩形形状メッキ層の幅（Ｗ）、長さ（Ｌ）、ならびに、断面よりメッキ層の平均厚み（Ｔ）を実測した上、４端子法にて抵抗値を測定し、平均厚み（Ｔ）を有する均質な導電体と仮定し、体積抵抗率を算出する。

銅の無電解メッキ層に関しては、評価される体積抵抗率が、１０μΩ・ｃｍ以下であるものを良品とする。

「接着強度」：ＪＩＳ−Ｈ−８５０４に記載のテープ試験法に準拠し、作製される無電解メッキ層の表面に対して、界面に気泡が入らないように粘着テープを押し付け、１０秒間密着させた後、瞬間に、該粘着テープを剥離する。前記粘着テープの接着力は、１２０ｇｆ／ｃｍに相当する。

剥離される粘着面において、無電解メッキ層の剥離欠落が観測されない場合、良品とする。

（実施例１−１）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

分散媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、下記の組成を有する熱硬化型エポキシ樹脂組成物とする。該熱硬化型エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂成分として、１，６−ジヒドロキシナフタレンジグリシジルエーテルである、エピクロンＨＰ−４０３２（エポキシ当量１４２）７質量部、ビスフェノールＡエポキシ樹脂：エピコート８２８ＥＬ（エポキシ当量１８７）３質量部、その硬化剤成分として、酸無水物：ＹＨ−３０７（分子量：２３５）１３．８質量部、硬化促進剤として、アミン系硬化触媒：アミキュアーＰＮ−２３、０．３質量部、更に、カップリング剤成分として、ＫＢＭ−４０３、０．１質量部を含有している。これら成分を良く攪拌混合して、樹脂組成物を調製する。

この樹脂組成物７０質量部に対して、分散質の金属微粒子として、平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子（商品名：独立分散超微粒子パーフェクトシルバー、真空冶金（株））３０質量部を、分散溶媒成分のトルエン、５５．７質量部中に含む分散液を添加し、３本ロールにて、均一に分散させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。該平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子は、Ａｇ超微粒子の金属表面に、被覆剤分子ドデシルアミンの被覆層が形成されており、Ａｇ超微粒子１００質量部あたり、この被覆剤分子ドデシルアミンが１５質量部含まれている。最終的に、混入しているトルエンを、減圧下で留去して、目的のペースト状樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）とする。

なお、ここで作製されたペースト状の樹脂混合物の液粘度は、４０Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である硬化型バインダー樹脂組成物を１００℃〜１６０℃で加熱硬化処理することで、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

厚さ０．５ｍｍのシート状の不導体基材：ポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

前記乾燥処理を施した、ポリカーボネート基材上の樹脂混合物塗布層に対して、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行う。

得られた紫外線照射後、三次元成形操作を施していない基板を、サンプルＡとする。

また、紫外線照射後、前記ポリカーボネート基材を塗布層が外側に来るようにして丸めて、半径が約３ｃｍの筒状とし、両端を接着剤で固定し筒状の形状を保持したものをサンプルＢとする。すなわち、曲率半径／基材の厚さは、３０／０．５に相当し、塗布層全体は、１＋（０．５／３０）の比率で、伸び変形がなされている。

さらに、紫外線照射後、前記ポリカーボネート基材を塗布層が内側に来るようにして丸めて、半径が約３ｃｍの筒状とし、両端を接着剤で固定し筒状の形状を保持したものをサンプルＣとする。すなわち、曲率半径／基材の厚さは、３０／０．５に相当し、塗布層全体は、１−（０．５／３０）の比率で、圧縮変形がなされている。

得られたサンプル３点について、下記の組成を有する、市販のメッキ液ＭＫ−４２１（ムロマチテクノス製）；
ＭＫ−４２１Ａ（銅成分＋ＨＣＨＯ）０．０３５Ｌ
ＭＫ−４２１Ｂ（水酸化ナトリウム）０．０３５Ｌ
ＭＫ−４２１Ｍ（水酸化カリウム）０．１００Ｌ
水０．８３０Ｌ
の３液ＭＫ−４２１Ａ、ＭＫ−４２１Ｂ、ＭＫ−４２１Ｍを、前記比率で、水中に希釈したものを使用して無電解メッキ処理を行う。

ポリカーボネート基材は、無電解メッキ液（ＭＫ−４２１；ムロマチテクノス製）中に４０℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銅メッキ処理を施す。その際、無電解銅メッキ層は、各不導体基材表面に形成されている、「紫外線照射処理」済の樹脂混合物塗布層表面に選択的に銅メッキ被膜の析出が進行し、各不導体基材表面自体が露呈する表面には、銅メッキ被膜の析出が見出されない。

無電解メッキ液より取り出し、残留するメッキ液を洗浄除去した後、各不導体基材は、恒温炉内において、不活性ガス雰囲気下、１３０℃にて３時間加熱処理し、樹脂混合物塗布層中に含まれる熱硬化型エポキシ樹脂組成物の熱硬化を行う。最終的に、熱硬化型エポキシ樹脂の硬化物層を接着剤層として、各不導体基材の表面に固着されている無電解銅メッキ層について、上記の評価法に従って、その「体積抵抗率」、「接着強度」を評価した。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、いずれも７μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、サンプルＡが４．３μΩ・ｃｍ、サンプルＢが４．２μΩ・ｃｍであり、サンプルＣが４．６μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（実施例１−２）
実施例１−１と同様にして作製したペースト状樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を用いて、厚さ０．５ｍｍのシート状の不導体基材：ポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ３０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

前記乾燥処理後、ポリカーボネート基材上の樹脂混合物塗布層に対して、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行う。

得られた紫外線照射後、三次元成形操作を施していない基板を、サンプルＤとする。

また、「紫外線照射処理」を施した後、前記ポリカーボネート基材を成型して、図１に示す、折れ曲がり部を有する形状としたものをサンプルＥとする。この折れ曲がり部において、形成される角部の面間角は、１２０°／２４０°であり、その角部における局所的な曲率半径は、１０ｍｍに相当している。すなわち、曲率半径／基材の厚さは、１０／０．５に相当し、凸部をなす角部においては、塗布層は局所的に、１＋（０．５／１０）の比率で、伸び変形がなされ、凹部をなす角部においては、塗布層は局所的に、１−（０．５／１０）の比率で、圧縮変形がなされている。

得られたサンプル２点について、実施例１−１と同様に無電解メッキ処理を行い、メッキ処理後の各不導体基材は、恒温炉内において、不活性ガス雰囲気下、１３０℃にて３時間加熱処理し、樹脂混合物塗布層中に含まれる熱硬化型エポキシ樹脂組成物の熱硬化を行う。最終的に、熱硬化型エポキシ樹脂の硬化物層を接着剤層として、各不導体基材の表面に固着されている無電解銅メッキ層について、上記の評価法に従って、その「体積抵抗率」、「接着強度」を評価した。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、いずれも７μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、サンプルＤが４．５μΩ・ｃｍ、サンプルＥが５．４μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。
（実施例１−３〜１−８）
実施例１−１と同様にして作製したペースト状樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を用いて、表１に示したシート状の各種不導体基材の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ３０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

基材上の樹脂混合物塗布層に対して、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行う。

また、「紫外線照射処理」を施した、前記基材を成型して、図１に示す、折れ曲がり部を有する形状としたものをサンプルＦとする。これらの基材の厚さは、いずれも０．５ｍｍであり、この折れ曲がり部において、形成される角部の面間角は、１２０°／２４０°であり、その角部における局所的な曲率半径は、１０ｍｍに相当している。従って、曲率半径／基材の厚さは、１０／０．５に相当し、凸部をなす角部においては、塗布層は局所的に、１＋（０．５／１０）の比率で、伸び変形がなされ、凹部をなす角部においては、塗布層は局所的に、１−（０．５／１０）の比率で、圧縮変形がなされている。

得られた各々のサンプルについて、実施例１−１と同様に無電解メッキ処理を行い、メッキ処理後の各不導体基材は、恒温炉内において、不活性ガス雰囲気下、１３０℃にて３時間加熱処理し、樹脂混合物塗布層中に含まれる熱硬化型エポキシ樹脂組成物の熱硬化を行う。最終的に、熱硬化型エポキシ樹脂の硬化物層を接着剤層として、各不導体基材の表面に固着されている無電解銅メッキ層について、上記の評価法に従って、その「体積抵抗率」、「接着強度」を評価した。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚、体積抵抗率を表１に示す。

いずれの無電解銅メッキ層についても、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、いずれの無電解メッキ層についても、その体積抵抗率は、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

II．第二の手法
次に、本発明の第二の手法にかかる導電性回路の形成方法を、実施例を参照して、詳細に説明する。

下記の実施例２−１〜２−８は、本発明の第二の手法にかかる最良の実施形態の一例であるが、本発明の第一の手法は、これらの実施例に示す態様に限定されるものではない。

後述する実施例２−１〜２− ならびに比較例２−１〜２−２においては、「引き伸ばし加工」、「紫外線照射処理」として、下記の操作を利用している。また、作製される無電解メッキ層の評価は、各評価項目について、下記する評価条件、基準を利用している。

１．「引き伸ばし加工」
ポリカーボネートシートに対する「引き伸ばし加工」では、引っ張り試験器を利用し、毎分１０ｍｍの延伸速度で一軸延伸し、シート長を原寸の１７０％まで引き伸ばす。

２．「紫外線照射処理」
紫外線源として、２ｋＷの超高圧水銀灯を用いる紫外線露光機により、照射面に対して、垂直方向より露光する。その際、紫外線露光量（照射光量）は、波長３６５ｎｍにおいて測定される光量に基づき、調整する。

３．無電解メッキ層の評価
「体積抵抗率」：ＪＩＳ−Ｈ−８６４６に記載の体積抵抗率試験法に準拠し、作製される無電解メッキ層について、矩形形状メッキ層の幅（Ｗ）、長さ（Ｌ）、ならびに、断面よりメッキ層の平均厚み（Ｔ）を実測した上、４端子法にて抵抗値を測定し、平均厚み（Ｔ）を有する均質な導電体と仮定し、体積抵抗率を算出する。

（実施例２−１）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

前記ポリカーボネートフィルム上へのマスク印刷法で形成した、ペースト状の樹脂混合物塗布層は、該ポリカーボネートフィルム全体に、上述の「引き伸ばし加工」を施すと、基材のポリカーボネートフィルムの長さが原寸の１７０％まで一軸延伸されるとともに、樹脂混合物塗布層の長さは、原寸の１７０％まで引き伸ばされる。一方、引き伸ばし加工後、樹脂混合物塗布層の平均膜厚は、原寸の１０／１７に相当する、１０μｍとなる。

「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルム上の樹脂混合物塗布層に対して、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行う。一方、ポリイミド基材上の樹脂混合物塗布層に対しては、上記の紫外線露光機にて、露光量：２７Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行う。

無電解銅メッキ処理には、下記の組成を有する、市販のメッキ液ＭＫ−４２１（ムロマチテクノス製）；
ＭＫ−４２１Ａ（銅成分＋ＨＣＨＯ）０．０３５Ｌ
ＭＫ−４２１Ｂ（水酸化ナトリウム）０．０３５Ｌ
ＭＫ−４２１Ｍ（水酸化カリウム）０．１００Ｌ
水０．８３０Ｌ
の３液ＭＫ−４２１Ａ、ＭＫ−４２１Ｂ、ＭＫ−４２１Ｍを、前記比率で、水中に希釈したものを使用する。

次いで、「紫外線照射処理」の後、ポリイミド基材、ならびに、「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルムは、無電解メッキ液（ＭＫ−４２１；ムロマチテクノス製）中に４０℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銅メッキ処理を施す。その際、無電解銅メッキ層は、各不導体基材表面に形成されている、「紫外線照射処理」済の樹脂混合物塗布層表面に選択的に銅メッキ被膜の析出が進行し、各不導体基材表面自体が露呈する表面には、銅メッキ被膜の析出が見出されない。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、７μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、３．８μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

別途、ポリカーボネートフィルム上に、平均塗布膜厚さ１９μｍで前記ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を一面に形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。このポリカーボネートフィルム上に一面に形成した、ペースト状の樹脂混合物塗布層は、該ポリカーボネートフィルム全体に、上述の「引き伸ばし加工」を施すと、基材のポリカーボネートフィルムの長さが原寸の１７０％まで一軸延伸されるとともに、樹脂混合物塗布層の長さ方向に、原寸の１７０％まで引き伸ばされる。一方、引き伸ばし加工後、樹脂混合物塗布層の平均膜厚は、原寸の１０／１７に相当する、１０μｍとなる。

この「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルム上の樹脂混合物塗布層に対して、ライン幅６０μｍ、スペース６０μｍの並行な、長さ５ｍｍの配線パターンを、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件でコンタクト露光する。

次いで、配線パターンをコンタクト露光後、「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルムは、無電解メッキ液（ＭＫ−４２１；ムロマチテクノス製）中に４０℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銅メッキ処理を施す。その際、無電解銅メッキ層は、「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルム表面に形成されている、樹脂混合物塗布層表面の「紫外線露光」された配線パターン領域の部分にのみ、選択的に銅メッキ被膜の析出が進行し、基材表面自体が露呈する表面ならびに、樹脂混合物塗布層表面の「紫外線露光」がなされていない領域には、銅メッキ被膜の析出が見出されない。

無電解メッキ液より取り出し、残留するメッキ液を洗浄除去した後、基材は、恒温炉内において、不活性ガス雰囲気下、１３０℃にて３時間加熱処理し、樹脂混合物塗布層中に含まれる熱硬化型エポキシ樹脂組成物の熱硬化を行う。最終的に、熱硬化型エポキシ樹脂の硬化物層を接着剤層として、基材の表面に固着されている無電解銅メッキ層について、上記の評価法に従って、その「接着強度」を評価した。

配線パターンと同形状に作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、６μｍであり、平均ライン幅は、５２μｍ、平均スペース５μｍであった。この並行な、長さ５ｍｍの配線パターン状の無電解銅メッキ層に対して、上述のテープ剥離試験を行ったところ、無電解銅メッキ層の剥離は見出されなかった。また、隣接する二本の配線パターン状無電解銅メッキ層の間で、その絶縁抵抗値の測定を試みたところ、作製した無電解銅メッキ層の長さ５ｍｍ、平均スペース５８μｍの分離領域に対して、１０^５ＭΩ以上の測定不能範囲であることが確認された。

加えて、ＦＲ−４のプリント基板用基材上に、ライン幅１６５μｍ、スペース１６５μｍの櫛形配線パターン形状、平均塗布膜厚さ２０μｍで前記ペースト状の樹脂混合物の塗布膜をスクリーン印刷法で形成する。次いで、この塗布膜を１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１９μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。このＦＲ−４のプリント基板用基材上に印刷形成された櫛形配線パターン形状の樹脂混合物塗布層を、上記の紫外線露光機にて、露光量：２７Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で全面露光する。

次いで、櫛形配線パターン形状の樹脂混合物塗布層を全面露光後、ＦＲ−４のプリント基板用基材は、無電解メッキ液（ＭＫ−４２１；ムロマチテクノス製）中に４０℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銅メッキ処理を施す。その際、無電解銅メッキ層は、基材表面に形成されている、「紫外線露光」された樹脂混合物塗布層表面の配線パターン領域にのみ、選択的に銅メッキ被膜の析出が進行し、基材の表面自体が露呈する表面には、銅メッキ被膜の析出が見出されない。

櫛形配線パターンと同形状に作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、６μｍであり、平均ライン幅は、１６７μｍ、平均スペース１６３μｍであった。この櫛形配線パターン状の無電解銅メッキ層に対して、上述のテープ剥離試験を行ったところ、無電解銅メッキ層の剥離は見出されなかった。

（実施例２−２）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

分散媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、下記の組成を有する熱硬化型エポキシ樹脂組成物とする。該熱硬化型エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂成分として、エピクロンＥＸＡ−８３５ＬＶ（エポキシ当量１６５）１０質量部、その硬化剤成分として、酸無水物：ドデセニル無水コハク酸（分子量２２６）１２．３質量部、硬化促進剤として、アミン系硬化触媒：アミキュアーＰＮ−２３、０．３質量部、更に、カップリング剤成分として、ＫＢＭ−４０３、０．１質量部を含有している。これら成分を良く攪拌混合して、樹脂組成物を調製する。

なお、ここで作製されたペースト状の樹脂混合物の液粘度は、２４Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である硬化型バインダー樹脂組成物を１００℃〜１６０℃で加熱硬化処理することで、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚さ１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、９μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、２．７μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（実施例２−３）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

分散媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、下記の組成を有する熱硬化型エポキシ樹脂組成物とする。該熱硬化型エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂成分として、エピクロンＥＸＡ−７０１５（エポキシ当量１００）１０質量部、その硬化剤成分として、酸無水物：ドデセニル無水コハク酸（分子量２２６）９７質量部、硬化促進剤として、アミン系硬化触媒：アミキュアーＰＮ−２３、０．３質量部、更に、カップリング剤成分として、ＫＢＭ−４０３、０．１質量部を含有している。これら成分を良く攪拌混合して、樹脂組成物を調製する。

なお、ここで作製されたペースト状の樹脂混合物の液粘度は、７０Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である硬化型バインダー樹脂組成物を１００℃〜１６０℃で加熱硬化処理することで、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

（実施例２−４）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

分散媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、下記の組成を有する熱硬化型アルキッド樹脂組成物とする。該熱硬化型アルキッド樹脂組成物は、アルキッド樹脂成分として、アルキッド樹脂８７１０−５５Ｘ、１４．３質量部（固形分７０％：溶剤キシレン）、硬化促進剤として、ナフテン酸コバルト０．０５質量部を含有している。これら成分を良く攪拌混合して、樹脂組成物を調製する。

この樹脂組成物７０質量部に対して、分散質の金属微粒子として、平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子（商品名：独立分散超微粒子パーフェクトシルバー、真空冶金（株））３０質量部を、分散溶媒成分のトルエン、５５．７質量部中に含む分散液を添加し、３本ロールにて、均一に分散させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。該平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子は、Ａｇ超微粒子の金属表面に、被覆剤分子ドデシルアミンの被覆層が形成されており、Ａｇ超微粒子１００質量部あたり、この被覆剤分子ドデシルアミンが１５質量部含まれている。最終的に、混入しているトルエンを減圧下で留去し、一方、該減圧留去に伴い、減少する溶剤キシレンの関しては、アルキッド樹脂に対する溶剤キシレンの当初配合比率に再調整し、目的のペースト状樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）とする。

なお、ここで作製されたペースト状の樹脂混合物の液粘度は、１２０Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である硬化型バインダー樹脂組成物を１００℃〜１６０℃で加熱硬化処理することで、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚さ１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、溶剤キシレンを蒸散させるため、室温で５時間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１５μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、１０μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、２．５μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（実施例２−５）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

この樹脂組成物９９質量部に対して、分散質の金属微粒子として、平均粒子径が８ｎｍのＰｄ超微粒子（真空冶金（株））１質量部を、分散溶媒成分のターピネオール、４９質量部中に含む分散液を添加し、３本ロールにて、均一に分散させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。該平均粒子径が８ｎｍのＰｄ超微粒子は、Ｐｄ超微粒子の金属表面に、被覆剤分子ドデシルアミンの被覆層が形成されており、Ｐｄ超微粒子１００質量部あたり、この被覆剤分子ドデシルアミンが１５質量部含まれている。最終的に、混入しているターピネオールを、減圧下で留去して、目的のペースト状樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）とする。

なお、ここで作製されたペースト状の樹脂混合物の液粘度は、２１Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である硬化型バインダー樹脂組成物を１００℃〜１６０℃で加熱硬化処理することで、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚さ１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１６μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

前記ポリカーボネートフィルム上へのマスク印刷法で形成した、ペースト状の樹脂混合物塗布層は、該ポリカーボネートフィルム全体に、上述の「引き伸ばし加工」を施すと、基材のポリカーボネートフィルムの長さが原寸の１７０％まで一軸延伸されるとともに、樹脂混合物塗布層の長さは、原寸の１７０％まで引き伸ばされる。一方、引き伸ばし加工後、樹脂混合物塗布層の平均膜厚は、原寸の１０／１７に相当する、９μｍとなる。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、１３μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、２μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（実施例２−６）
有機金属化合物を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に配合してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

有機金属化合物に対する溶媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、下記の組成を有する熱硬化型エポキシ樹脂組成物とする。該熱硬化型エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂成分として、１，６−ジヒドロキシナフタレンジグリシジルエーテルである、エピクロンＨＰ−４０３２（エポキシ当量１４２）７質量部、ビスフェノールＡエポキシ樹脂：エピコート８２８ＥＬ（エポキシ当量１８７）３質量部、その硬化剤成分として、酸無水物：ＹＨ−３０７（分子量：２３５）１３．８質量部、硬化促進剤として、アミン系硬化触媒：アミキュアーＰＮ−２３、０．３質量部、更に、カップリング剤成分として、ＫＢＭ−４０３、０．１質量部を含有している。これら成分を良く攪拌混合して、樹脂組成物を調製する。

この樹脂組成物９３質量部に対して、有機金属化合物として、有機酸銀塩の安息香酸銀（分子量２２８．９９）１５質量部を添加し、３本ロールにて、均一に混合させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。混合の後、該ペースト状の樹脂混合物中に分散される安息香酸銀微粉末の平均粒子径は、０．５〜１μｍ程度となる。なお、作製されたペースト状の樹脂混合物の液粘度は、１５０Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である硬化型バインダー樹脂組成物を１００℃〜１６０℃で加熱硬化処理することで、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚さ２０μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

前記ポリカーボネートフィルム上へのマスク印刷法で形成した、ペースト状の樹脂混合物塗布層は、該ポリカーボネートフィルム全体に、上述の「引き伸ばし加工」を施すと、基材のポリカーボネートフィルムの長さが原寸の１７０％まで一軸延伸されるとともに、樹脂混合物塗布層の長さは、原寸の１７０％まで引き伸ばされる。一方、引き伸ばし加工後、樹脂混合物塗布層の平均膜厚は、原寸の１０／１７に相当する、１１μｍとなる。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、９μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、３．３μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（実施例２−７）
有機金属化合物を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に配合してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

有機金属化合物に対する溶媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、前記実施例２−６に記載の組成を有する熱硬化型エポキシ樹脂組成物とする。一方、配合される有機酸金属塩として、実施例２−６の安息香酸銀に代えて、本実施例７では、オレイン酸銀を利用する。

実施例２−６に記載の樹脂組成物９３質量部に対して、有機金属化合物として、オレイン酸銀（分子量３８８．６４）２５．３質量部を添加し、３本ロールにて、均一に混合させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。混合の後、該ペースト状の樹脂混合物中に分散されるオレイン酸銀微粉末の平均粒子径は、０．５〜１μｍ程度となる。なお、該ペースト状の樹脂混合物の液粘度は、１４３Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である硬化型バインダー樹脂組成物を１００℃〜１６０℃で加熱硬化処理することで、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

調製された樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を利用して、シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚さ２０μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

各不導体基材表面上の樹脂混合物塗布層に対して、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、「紫外線照射処理」時の露光量：２７Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件を選択した上で、実施例６に記載の手順・条件に従って、無電解銅メッキ層の形成を行った。

その際、無電解銅メッキ層は、各不導体基材表面に形成されている、「紫外線照射処理」済の樹脂混合物塗布層表面に選択的に銅メッキ被膜の析出が進行し、各不導体基材表面自体が露呈する表面には、銅メッキ被膜の析出が見出されない。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、８μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、４μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（実施例２−８）
有機金属化合物を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に配合してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

有機金属化合物に対する溶媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、上記実施例２−６に記載の組成を有する熱硬化型エポキシ樹脂組成物とする。一方、配合される有機酸金属塩として、実施例２−６の安息香酸銀に代えて、本実施例２−８では、酢酸パラジウムを利用する。

実施例６に記載の樹脂組成物９３質量部に対して、有機金属化合物として、酢酸パラジウム（分子量２２４．４９）１４．８質量部を添加し、３本ロールにて、均一に混合させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。混合の後、該ペースト状の樹脂混合物中に分散される酢酸パラジウム微粉末の平均粒子径は、０．５〜１μｍ程度となる。なお、該ペースト状の樹脂混合物の液粘度は、１０５Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である硬化型バインダー樹脂組成物を１００℃〜１６０℃で加熱硬化処理することで、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

調製された樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を利用して、シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚さ２０μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１９μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

各不導体基材表面上の樹脂混合物塗布層に対して、「紫外線照射処理」時の露光量：２７Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件を選択した上で、実施例６に記載の手順・条件に従って、無電解銅メッキ層の形成を行った。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、１２μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、４．６μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（実施例２−９）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

分散媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、下記の組成を有する光硬化型樹脂組成物とする。該光硬化型樹脂組成物は、主成分のウレタンアクリレート樹脂成分として、光重合開始剤が予め添加されている、ウレタンアクリレート３２０１（ロックタイト製）１０質量部を含有している。さらに、主成分のウレタンアクリレート３２０１１００質量部当たり、熱分解によるラジカル発生剤、パーチブルＺ（ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート：日本油脂製）１質量部を添加している。これら成分を良く攪拌混合して、樹脂組成物を調製する。従って、光重合開始剤を利用する光硬化に加えて、その後、加熱処理を施すと、前記のラジカル発生剤を利用するラジカル重合による熱硬化も可能である。

この樹脂組成物７０質量部に対して、分散質の金属微粒子として、平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子（商品名：パーフェクトシルバー、真空冶金（株））３０質量部を、分散溶媒成分のトルエン、５５．７質量部中に含む分散液を添加し、３本ロールにて、均一に分散させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。該平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子は、Ａｇ超微粒子の金属表面に、被覆剤分子ドデシルアミンの被覆層が形成されており、Ａｇ超微粒子１００質量部あたり、この被覆剤分子ドデシルアミンが１５質量部含まれている。最終的に、混入しているトルエンを、減圧下で留去して、目的のペースト状樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）とする。

なお、ここで作製されたペースト状の樹脂混合物の液粘度は、４９Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、分散媒である光硬化型バインダー樹脂組成物は、波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線照射により、光重合開始剤による重合が開始する。また、その後、１２０℃〜１６０℃で加熱処理することで、配合されている過酸化物系ラジカル発生剤によるラジカル重合が達成され、最終的に、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、高い接着強度を有する接着剤層として機能する。

シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚さ２０μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、室温で、光硬化用の波長１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の紫外線を露光光量１Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）で照射し、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルム上の樹脂混合物塗布層に対して、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行う。一方、ポリイミド基材上の樹脂混合物塗布層に対しては、上記の紫外線露光機にて、露光量：２７Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行う。
この「紫外線照射処理」に伴い、樹脂混合物塗布層中に含まれる光硬化型樹脂組成物は、紫外線照射領域の表面から、その塗布層の深さ方向に向かって入射される紫外線によって、光硬化が誘起される。

次いで、「紫外線照射処理」の後、ポリイミド基材、ならびに、「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルムは、無電解メッキ液（ＭＫ−１４２；ムロマチテクノス製）中に４０℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銅メッキ処理を施す。その際、無電解銅メッキ層は、各不導体基材表面に形成されている、「紫外線照射処理」済の樹脂混合物塗布層表面に選択的に銅メッキ被膜の析出が進行し、各不導体基材表面自体が露呈する表面には、銅メッキ被膜の析出が見出されない。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、９μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、３．５μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（比較例２−１）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

この樹脂組成物７０質量部に対して、分散質の金属微粒子として、平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子（商品名：独立分散超微粒子パーフェクトシルバー、真空冶金（株））３０質量部を、分散溶媒成分のトルエン、５５．７質量部中に含む分散液を添加し、３本ロールにて、均一に分散させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。該平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子は、Ａｇ超微粒子の金属表面に、被覆剤分子ドデシルアミンの被覆層が形成されており、Ａｇ超微粒子１００質量部あたり、この被覆剤分子ドデシルアミンが１５質量部含まれている。最終的に、混入しているトルエンを、減圧下で留去して、目的のペースト状樹脂混合物とする。

シート状の不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）ならびにポリカーボネート（レキサン８０１０；ＰｉｅｄｏｍｏｎｔＰｌａｓｔｉｃ，Ｉｎｃ製）の表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で３１０分間乾燥させて、表面にタックのない、平均膜厚１８μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

次いで、「紫外線照射処理」を施さず、ポリイミド基材、ならびに、「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルムを、無電解メッキ液（ＭＫ−１４２；ムロマチテクノス製）中に４０℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銅メッキ処理を試みた。その際、「紫外線照射処理」を施していない樹脂混合物塗布層表面、各不導体基材表面自体が露呈する表面の何れにも、銅メッキ被膜の析出は見出されない。

（比較例２−２）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を熱可塑型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物を調製した。

分散媒として利用する、熱可塑型バインダー樹脂組成物は、溶剤 γ−ブチロラクトンとトリグライム中に、熱可塑性共重合ポリイミド（固形分２７％）を溶解してなる組成物である。熱可塑性共重合ポリイミド（固形分２７％）２５９質量部に対して、平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子（商品名：独立分散超微粒子パーフェクトシルバー、真空冶金（株））３０質量部、分散溶媒成分のトルエン、５５．７質量部中に含む分散液を添加し、３本ロールにて、均一に分散させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。該平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子は、Ａｇ超微粒子の金属表面に、被覆剤分子ドデシルアミンの被覆層が形成されており、Ａｇ超微粒子１００質量部あたり、この被覆剤分子ドデシルアミンが１５質量部含まれている。最終的に、混入しているトルエンを、減圧下で留去して、目的のペースト状樹脂混合物とする。

なお、ここで作製されたペースト状の樹脂混合物の液粘度は、８３Ｐａ・ｓ（２５℃）である。該ペースト状の樹脂混合物の塗布層は、含有さえる熱可塑型バインダー樹脂に、１００℃３０分間、引き続き１５０℃３０分間の加熱処理を施し、熱可塑型バインダー樹脂組成物中に配合される溶媒を除去することで、ステップ・キュアーを行う。その結果、このキュアー処理後、熱可塑型バインダー樹脂層は、導電性回路作製用の不導体基材、例えば、各種高分子フィルム（シート）表面に対して、接着剤層として機能する。

シート状不導体基材：ポリイミド（カプトン５００Ｈ；デュポン製）表面に、２０μｍ厚のメタルマスクを用いて、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの矩形形状、平均塗布膜厚１９μｍでマスク印刷し、ペースト状の樹脂混合物の塗布膜を形成する。次いで、１１０℃で３０分間乾燥させて、さらに、２００℃、３０分間の加熱処理を施すことにより、表面にタックのない、平均膜厚１４μｍの被膜層（塗布層）を形成させる。

ポリイミド基材上の樹脂混合物塗布層に対して、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行う。

次いで、「紫外線照射処理」を施したポリイミド基材を、無電解メッキ液（ＭＫ−１４２；ムロマチテクノス製）中に４０℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銅メッキ処理を試みた。その際、「紫外線照射処理」を施した樹脂混合物塗布層表面、不導体基材表面自体が露呈する表面の何れにも、銅メッキ被膜の析出は見出されない。

（実施例２−１０）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物として、下記する組成の樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）を調製した。

分散媒として利用する、硬化型バインダー樹脂組成物は、下記の組成を有する熱硬化型エポキシ樹脂組成物とする。該熱硬化型エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂成分として、１，６−ジヒドキシナフタレンジグリシジルエーテルである、エピクロンＨＰ−４０３２（エポキシ当量１４２）７質量部、ビスフェノールＡエポキシ樹脂：エピコート８２８ＥＬ（エポキシ当量１８７）３質量部、その硬化剤成分として、酸無水物：ＹＨ−３０７（分子量２３５）１３．８質量部、硬化促進剤として、アミン系硬化触媒：アミキュアーＰＮ−２３、０．３質量部、更に、カップリング剤成分として、ＫＢＭ−４０３、０．１質量部を含有している。これら成分を良く攪拌混合して、樹脂組成物を調製する。

この樹脂組成物１００質量部に対して、分散質の金属微粒子として、平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子（商品名：独立分散超微粒子パーフェクトシルバー、真空冶金（株））３０質量部を、分散溶媒成分のトルエン、５５．７質量部中に含む分散液を添加し、３本ロールにて、均一に分散させ、ペースト状の樹脂混合物に調製した。該平均粒子径が５ｎｍのＡｇ超微粒子は、Ａｇ超微粒子の金属表面に、被覆剤分子ドデシルアミンの被覆層が形成されており、Ａｇ超微粒子１００質量部あたり、この被覆剤分子ドデシルアミンが１５質量部含まれている。最終的に、混入しているトルエンを、減圧下で留去して、目的のペースト状樹脂混合物（メッキ形成用接着剤）とする。

次いで、「紫外線照射処理」の後、ポリイミド基材、ならびに、「引き伸ばし加工」済ポリカーボネートフィルムは、無電解メッキ液（ムデンシルバー；奥野製薬工業製）中に３５℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銀メッキ処理を施す。その際、無電解銀メッキ層は、各不導体基材表面に形成されている、「紫外線照射処理」済の樹脂混合物塗布層表面に選択的に銀メッキ被膜の析出が進行し、各不導体基材表面自体が露呈する表面には、銀メッキ被膜の析出が見出されない。

無電解メッキ液より取り出し、残留するメッキ液を洗浄除去した後、各不導体基材は、恒温炉内において、不活性ガス雰囲気下、１３０℃にて３時間加熱処理し、樹脂混合物塗布層中に含まれる熱硬化型エポキシ樹脂組成物の熱硬化を行う。最終的に、熱硬化型エポキシ樹脂の硬化物層を接着剤層として、各不導体基材の表面に固着されている無電解銀メッキ層について、上記の評価法に従って、その「体積抵抗率」、「接着強度」を評価した。

作製された無電解銀メッキ層の平均層厚は、４μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、２．８μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

III．第三の手法
まず、本発明の第三の手法にかかる導電性回路の形成方法を、実施例を参照して、詳細に説明する。

下記の実施例３−１〜３−２は、本発明の第三の手法にかかる最良の実施形態の一例であるが、本発明の第三の手法は、これらの実施例に示す態様に限定されるものではない。

後述する実施例３−１〜３−２においては、「紫外線照射処理」として、下記の操作を利用している。また、作製される無電解メッキ層の評価は、各評価項目について、下記する評価条件、基準を利用している。

（実施例３−１）
平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を調製する。金属微粒子としては平均粒径が５ｎｍの銀超微粒子の金属表面に、被覆剤分子ドデシルアミンの被覆層が形成されており、銀超微粒子１００質量部あたり、この被覆剤分子ドデシルアミンが１５質量部含まれているものを用いる。この銀超微粒子３０質量部をポリイミド樹脂７０質量部に加え、加熱溶融して、銀超微粒子を樹脂中に均一に分散させ、目的とする板状の樹脂混合物とする。該板状の樹脂混合物（ポリイミド基材）の表面には、ポリイミド樹脂中に均一に分散されている銀超微粒子が均一な面密度で露呈している。

このポリイミド基材上に目的とする配線図の形に穴の開けられたマスクを置き、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行った。得られた紫外線照射後の基板をサンプルＡとする。

また、前記「紫外線照射処理」を施したポリイミド基材を成型して、図１に記載した形状としたものをサンプルＢとする。

得られたサンプル２点について、下記の組成を有する、市販のメッキ液ＭＫ−４２１（ムロマチテクノス製）；
ＭＫ−４２１Ａ（銅成分＋ＨＣＨＯ）０．０３５Ｌ
ＭＫ−４２１Ｂ（水酸化ナトリウム）０．０３５Ｌ
ＭＫ−４２１Ｍ（水酸化カリウム）０．１００Ｌ
水０．８３０Ｌ
の３液ＭＫ−４２１Ａ、ＭＫ−４２１Ｂ、ＭＫ−４２１Ｍを、前記比率で、水中に希釈したものを使用して無電解メッキ処理を行う。

ポリイミド基材は、無電解メッキ液（ＭＫ−４２１；ムロマチテクノス製）中に４０℃で３時間浸漬し、その表面に無電解銅メッキ処理を施す。その際、無電解銅メッキ層は、各不導体基材表面に形成されている、「紫外線照射処理」済の基材表面に選択的に銅メッキ被膜の析出が進行し、「紫外線照射処理」が施されなかった基材表面には、銅メッキ被膜の析出が見出されない。

無電解メッキ液より取り出し、残留するメッキ液を洗浄除去した後、各基材表面に固着されている無電解銅メッキ層について、上記の評価法に従って、その「体積抵抗率」、「接着強度」を評価した。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、いずれも４μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、サンプルＡが５．５μΩ・ｃｍ、サンプルＢが６．１μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。

（実施例３−２）
実施例３−１と同様にして作製した樹脂混合物をフィルム状に成形してポリイミド・フィルムを作製した。該フィルム状の樹脂混合物（ポリイミド・フィルム）の表面には、ポリイミド樹脂中に均一に分散されている銀超微粒子が均一な面密度で露呈している。

このポリイミド・フィルム上に目的とする配線図の形に穴の開けられたマスクを置き、「紫外線照射処理」として、その表面から、上記の紫外線露光機にて、露光量：４５Ｊ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ）の条件で紫外線照射を行った。得られた紫外線照射後の基板をサンプルＣとする。また、前記「紫外線照射処理」を施したポリイミド・フィルムを携帯電話の裏蓋の内側に沿った形で成型したものをサンプルＤとする。

得られたサンプル２点について、実施例３−１と同様に無電解メッキ処理を行い、メッキ処理後の各不導体基材の表面に固着されている無電解銅メッキ層について、上記の評価法に従って、その「体積抵抗率」、「接着強度」を評価した。

作製された無電解銅メッキ層の平均層厚は、いずれも４μｍであり、上述のテープ剥離試験において、剥離は見出されなかった。また、その体積抵抗率は、サンプルＣが５．３μΩ・ｃｍ、サンプルＤが５．８μΩ・ｃｍであり、体積抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下の「良品」基準を満たしている。また、携帯電話の裏蓋の内側の形状に成形され、所望の領域に無電解銅メッキ層が作製されている、該ポリイミド・フィルムを、接着剤を用いて裏蓋に固着させることにより、携帯電話の裏蓋に回路形成を施すことができた。

本発明にかかる導電性回路の形成方法は、成形加工可能な高分子材質で構成される不導体基材を利用する際、成形加工を施した不導体基材の表面に、所望の回路パターン形状を有する無電解メッキ金属層とを接着剤層を介して接着することにより、高い接着特性を達成できるとともに、メッキ・マスク層を利用せず、所望の回路パターン形状を有する無電解メッキ金属層を簡便に作製する際、好適に利用可能である。本発明にかかる導電性回路の形成方法は、例えば、成形加工可能な高分子材質で構成される不導体基材として、ポリイミドやポリカーボネートフィルムなどの可撓性に富む高分子材質で構成される不導体基材を利用する際、好適な手法となる。

Claims

三次元成形が施された不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
平坦な形状を有する不導体基材の表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記塗布層を低温で加熱し、仮焼成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
表面に該樹脂混合物塗布層が形成されている、平坦な形状を有する不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施すことにより、該不導体基材表面に形成された前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分のみに、無電解メッキ層を選択的に形成させる工程、
前記無電解メッキ層導電体層を有する不導体基材を加熱し、前記樹脂混合物塗布層に対する本焼成を行う工程を有し、
前記無電解メッキ層からなる所定のパターンを有する導電性回路を、該三次元成形が施された不導体基材の表面に形成し、
前記平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子は、該金属微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する有機化合物１種以上により被覆した状態として、前記樹脂混合物中に添加されており、
前記硬化型バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂であり、
前記三次元成形操作に付随して、前記樹脂混合物塗布層の塑性変形がなされている
ことを特徴とする導電性回路の形成方法。
前記三次元成形操作が、曲面形成である
ことを特徴とする請求項１に記載の導電性回路の形成方法。
前記曲面形成により形成される曲面状の不導体基材表面の曲率半径が、５ｍｍ〜１ｍの範囲である
ことを特徴とする請求項２に記載の導電性回路の形成方法。
前記三次元操作を施す不導体基材の厚さが、０．１ｍｍ〜１ｃｍの範囲であり、
前記曲面形成により形成される曲面状の不導体基材表面の曲率半径は、
不導体基材表面の曲率半径／不導体基材の厚さが、１０以上となるように選択されている
ことを特徴とする請求項２に記載の導電性回路の形成方法。
前記三次元成形操作が、所定の面間角を示す折れ曲がり形状の形成である
ことを特徴とする請求項１に記載の導電性回路の形成方法。
前記折れ曲がり形状において、その角部における面間角は、６０〜１６０°の範囲、もしくは２００〜３００°の範囲に選択されている
ことを特徴とする請求項５に記載の導電性回路の形成方法。
前記不導体基材の材質は、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＰＢ）、ポリアミドイミド、フッ素樹脂、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンからなる群から選択される
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電性回路の形成方法。
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材の表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
表面に該樹脂混合物塗布層が形成されている不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材表面に設ける前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成し、
前記平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子は、該金属微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する有機化合物１種以上により被覆した状態として、前記樹脂混合物中に添加されており、
前記硬化型バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂であり、
前記三次元成形操作に付随して、前記樹脂混合物塗布層の塑性変形がなされている
ことを特徴とする導電性回路の形成方法。
前記金属微粒子を構成する金属は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種、またはこれら金属種の二種以上からなる合金である
ことを特徴とする請求項８に記載の導電性回路の形成方法。
前記金属微粒子は、平均粒子径が１〜７０ｎｍの範囲に選択される金属微粒子である
ことを特徴とする請求項８に記載の導電性回路の形成方法。
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂またはアルキッド樹脂である
ことを特徴とする請求項８に記載の導電性回路の形成方法。
前記エネルギー線は、電子線または紫外線である
ことを特徴とする請求項８に記載の導電性回路の形成方法。
前記無電解メッキ層に使用する金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属である
ことを特徴とする請求項８に記載の導電性回路の形成方法。
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材の表面に、有機金属化合物を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
表面に該樹脂混合物塗布層が形成されている不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材表面に設ける前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成し、
前記有機金属化合物は、有機酸金属塩であり、該有機酸金属塩の微粉末として、前記樹脂混合物中に分散されており、
該有機酸金属塩は、前記無電解メッキ液に浸された際にも、直接、還元を受け、金属微粒子を生成することのない有機酸金属塩であり、
前記硬化型バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂であり、
前記三次元成形操作に付随して、前記樹脂混合物塗布層の塑性変形がなされている
ことを特徴とする導電性回路の形成方法。
前記有機酸金属塩は、前記無電解メッキ液に浸された際にも、直接、還元を受け、金属微粒子を生成することのない有機カルボン酸の金属塩である
ことを特徴とする請求項１６に記載の導電性回路の形成方法。
前記有機金属化合物中に含まれる金属種は、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属である
ことを特徴とする請求項１６に記載の導電性回路の形成方法。
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂またはアルキッド樹脂である
ことを特徴とする請求項１６に記載の導電性回路の形成方法。
前記エネルギー線は、電子線または紫外線である
ことを特徴とする請求項１６に記載の導電性回路の形成方法。
前記無電解メッキ層に使用する金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属である
ことを特徴とする請求項１６に記載の導電性回路の形成方法。
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材の表面に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
前記不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材表面に設ける前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成し、
前記平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子は、該金属微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する有機化合物１種以上により被覆した状態として、前記樹脂混合物中に添加されており、
前記硬化型バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂である
ことを特徴とする導電性回路の形成方法。
前記金属微粒子を構成する金属は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉからなる群から選択される金属種、またはこれら金属種の二種以上からなる合金である
ことを特徴とする請求項２４に記載の導電性回路の形成方法。
前記金属微粒子は、平均粒子径が１〜７０ｎｍの範囲に選択される金属微粒子である
ことを特徴とする請求項２４に記載の導電性回路の形成方法。
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂またはアルキッド樹脂である
ことを特徴とする請求項２４に記載の導電性回路の形成方法。
前記樹脂混合物の塗布層を形成する際、
前記所定のパターンに該塗布層の形状を描画形成し、
該描画手法として、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、転写印刷法から選択される印刷方法を用いる
ことを特徴とする請求項２４に記載の導電性回路の形成方法。
前記エネルギー線は、電子線または紫外線である
ことを特徴とする請求項２４に記載の導電性回路の形成方法。
前記無電解メッキ層に使用する金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属である
ことを特徴とする請求項２４に記載の導電性回路の形成方法。
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材の表面に、有機金属化合物を硬化型バインダー樹脂組成物中に均一に分散してなる樹脂混合物を塗布し、該樹脂混合物の塗布層を形成する工程、
前記樹脂混合物塗布層の表面にエネルギー線を照射する工程、
前記不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材表面に設ける前記樹脂混合物塗布層において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成し、
前記有機金属化合物は、有機酸金属塩であり、該有機酸金属塩の微粉末として、前記樹脂混合物中に分散されており、
該有機酸金属塩は、前記無電解メッキ液に浸された際にも、直接、還元を受け、金属微粒子を生成することのない有機酸金属塩であり、
前記硬化型バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂である
ことを特徴とする導電性回路の形成方法。
前記有機金属化合物中に含まれる金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属である
ことを特徴とする請求項３３に記載の導電性回路の形成方法。
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂またはアルキッド樹脂である
ことを特徴とする請求項３３に記載の導電性回路の形成方法。
前記樹脂混合物の塗布層を形成する際、
前記所定のパターンに該塗布層の形状を描画形成し、
該描画手法として、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、転写印刷法から選択される印刷方法を用いる
ことを特徴とする請求項３３に記載の導電性回路の形成方法。
前記エネルギー線は、電子線または紫外線である
ことを特徴とする請求項３３に記載の導電性回路の形成方法。
前記無電解メッキ層に使用する金属種は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる金属である
ことを特徴とする請求項３３に記載の導電性回路の形成方法。
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材は、非導電性の樹脂組成物中に、平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で形成された基材であり、
前記不導体基材の表面上、前記導電性回路を形成する部分のみにエネルギー線を照射する工程、
次いで、該不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材の表面において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成し、
前記平均粒子径１〜２００ｎｍの金属微粒子は、該金属微粒子に含まれる金属元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、またはイオウ原子を含み、これら原子の有する孤立電子対による配位的な結合が可能な基を有する有機化合物１種以上により被覆した状態として、前記非導電性の樹脂混合物中に添加されており、
前記非導電性樹脂組成物は、塑性変形が可能な材質の樹脂である
ことを特徴とする導電性回路の形成方法。
前記非導電性の樹脂組成物中に均一に分散されている金属微粒子は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群より選択される、一種類の金属からなる微粒子、または、二種類以上の金属からなる合金の微粒子である
ことを特徴とする請求項４２に記載の導電性回路の形成方法。
前記不導体基材の形成に用いる非導電性材料は、前記非導電性の樹脂組成物中に含まれる樹脂成分として、ポリイミド樹脂を主成分として含む
ことを特徴とする請求項４２に記載の導電性回路の形成方法。
前記エネルギー線は、電子線または紫外線である
ことを特徴とする請求項４２に記載の導電性回路の形成方法。
前記不導体基材への三次元成形操作が、エンボス加工である
ことを特徴とする請求項４２に記載の導電性回路の形成方法。
前記無電解メッキ層の形成に使用する金属種は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルから選ばれる金属である
ことを特徴とする請求項４２に記載の導電性回路の形成方法。
不導体基材の表面に導電性回路を形成する方法であって、
前記不導体基材は、非導電性の樹脂組成物中に、有機金属化合物微粒子を均一に分散してなる非導電性材料で形成された基材であり、
前記不導体基材の表面上、前記導電性回路を形成する部分のみにエネルギー線を照射する工程、
次いで、該不導体基材に三次元成形操作を施す工程、
前記三次元成形操作を施された不導体基材の表面上に無電解メッキを施す工程を有し、
前記無電解メッキにより、該不導体基材の表面において、エネルギー線照射を受けた表面部分に、無電解メッキ層を選択的に形成させて、
前記導電性回路を、前記無電解メッキ層を導電体層とする所定のパターンに形成し、
前記有機金属化合物は、有機酸金属塩であり、該有機酸金属塩微粒子として、前記樹脂混合物中に分散されており、
該有機酸金属塩は、前記無電解メッキ液に浸された際にも、直接、還元を受け、金属微粒子を生成することのない有機酸金属塩であり、
前記非導電性樹脂組成物は、塑性変形が可能な材質の樹脂である
ことを特徴とする導電性回路の形成方法。
前記不導体基材表面に露呈している有機金属化合物微粒子を構成する有機金属化合物中に含まれる金属種は
金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルからなる群より選択される、一種類の金属種、または、二種類以上の金属種である
ことを特徴とする請求項４８に記載の導電性回路の形成方法。
前記不導体基材の形成に用いる非導電性材料は、前記非導電性の樹脂組成物中に含まれる樹脂成分として、ポリイミド樹脂を主成分として含む
ことを特徴とする請求項４８に記載の導電性回路の形成方法。
前記エネルギー線は、電子線または紫外線である
ことを特徴とする請求項４８に記載の導電性回路の形成方法。
前記不導体基材への三次元成形操作が、エンボス加工である
ことを特徴とする請求項４８に記載の導電性回路の形成方法。
前記無電解メッキ層の形成に使用する金属種は、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉄、クロム、ニッケルから選ばれる金属である
ことを特徴とする請求項４８に記載の導電性回路の形成方法。