JPH08181174A - Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置Info
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- JPH08181174A JPH08181174A JP32451294A JP32451294A JPH08181174A JP H08181174 A JPH08181174 A JP H08181174A JP 32451294 A JP32451294 A JP 32451294A JP 32451294 A JP32451294 A JP 32451294A JP H08181174 A JPH08181174 A JP H08181174A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 可撓性を有する絶縁性フィルム上に、接着剤
層および保護フィルム層を有する積層体より構成され、
該接着剤層がキシレン樹脂およびポリアミド樹脂を必須
成分として含むことを特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテ
ープおよびそれを用いた半導体装置。 【効果】 接着性および耐薬品性に優れた新規なＴＡＢ
用接着剤付きテープが得られ、これを使用した半導体装
置の信頼性および経済性を向上させることができる。
層および保護フィルム層を有する積層体より構成され、
該接着剤層がキシレン樹脂およびポリアミド樹脂を必須
成分として含むことを特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテ
ープおよびそれを用いた半導体装置。 【効果】 接着性および耐薬品性に優れた新規なＴＡＢ
用接着剤付きテープが得られ、これを使用した半導体装
置の信頼性および経済性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の実装方
法であるテープオートメーテッドボンディング（ＴＡ
Ｂ）方式に用いられる接着剤付きテープ（以下、ＴＡＢ
用テープと称する）およびそれを用いた半導体装置に関
する。
法であるテープオートメーテッドボンディング（ＴＡ
Ｂ）方式に用いられる接着剤付きテープ（以下、ＴＡＢ
用テープと称する）およびそれを用いた半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】通常のＴＡＢ用テープは、ポリイミドフ
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリ
エステルフィルム等を積層した３層構造より構成されて
いる。
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリ
エステルフィルム等を積層した３層構造より構成されて
いる。
【０００３】ＴＡＢ用テープは、スプロケットおよび
デバイス孔の穿孔、銅箔との熱ラミネート、パター
ン形成（レジスト塗布、エッチング、レジスト除去）、
スズまたは金−メッキ処理などの加工工程を経てＴＡ
Ｂテープ（パターンテープ）に加工される。図１にパタ
ーンテープの形状を示す。図２に本発明の半導体装置の
一態様の断面図を示す。パターンテープのインナーリー
ド部６を、半導体集積回路８の金バンプ１０に熱圧着
（インナーリードボンディング）し、半導体集積回路を
搭載する。次いで、封止樹脂９による樹脂封止工程を経
て半導体装置が作成される。このような半導体装置をテ
ープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称す
る。ＴＣＰ型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基
板等とアウターリード７を介して接続（アウターリード
ボンディング）され、電子機器への実装がなされる。
デバイス孔の穿孔、銅箔との熱ラミネート、パター
ン形成（レジスト塗布、エッチング、レジスト除去）、
スズまたは金−メッキ処理などの加工工程を経てＴＡ
Ｂテープ（パターンテープ）に加工される。図１にパタ
ーンテープの形状を示す。図２に本発明の半導体装置の
一態様の断面図を示す。パターンテープのインナーリー
ド部６を、半導体集積回路８の金バンプ１０に熱圧着
（インナーリードボンディング）し、半導体集積回路を
搭載する。次いで、封止樹脂９による樹脂封止工程を経
て半導体装置が作成される。このような半導体装置をテ
ープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称す
る。ＴＣＰ型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基
板等とアウターリード７を介して接続（アウターリード
ボンディング）され、電子機器への実装がなされる。
【０００４】最終的にＴＡＢ用テープの接着剤層は、パ
ッケージ内に残留するため、絶縁性、耐熱性、接着性が
要求される。近年電子機器の小型化、高密度化が進行す
るに伴い、ＴＡＢ方式における導体幅が非常に狭くなっ
てきており、高い接着強度を有する接着剤の必要性が高
まっている。しかし、かかる多数の工程において種々の
薬品にさらされるため、初期の接着強度とともに接着剤
の耐薬品性が高いことが非常に重要である。特に、レジ
スト剥離、金メッキ時のアルカリ、あるいはエッチン
グ、スズメッキ時の酸に対して接着力の低下が少ないこ
とは必須の特性である。
ッケージ内に残留するため、絶縁性、耐熱性、接着性が
要求される。近年電子機器の小型化、高密度化が進行す
るに伴い、ＴＡＢ方式における導体幅が非常に狭くなっ
てきており、高い接着強度を有する接着剤の必要性が高
まっている。しかし、かかる多数の工程において種々の
薬品にさらされるため、初期の接着強度とともに接着剤
の耐薬品性が高いことが非常に重要である。特に、レジ
スト剥離、金メッキ時のアルカリ、あるいはエッチン
グ、スズメッキ時の酸に対して接着力の低下が少ないこ
とは必須の特性である。
【０００５】このような観点から、従来のＴＡＢ用テー
プの接着剤層にはエポキシ樹脂および／またはフェノー
ル樹脂とポリアミド樹脂の混合組成物が主として用いら
れてきた。（特開平２−１４３４４７号公報、特開平３
−２１７０３５号公報等）。
プの接着剤層にはエポキシ樹脂および／またはフェノー
ル樹脂とポリアミド樹脂の混合組成物が主として用いら
れてきた。（特開平２−１４３４４７号公報、特開平３
−２１７０３５号公報等）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の接着性
および接着力からみた耐薬品性において、従来のＴＡＢ
用テープは必ずしも十分とはいえない。たとえば、スズ
メッキ時に導体の下にメッキ液が侵入し、接着力が大き
く低下する場合がある。その場合、ボンディング等の後
工程で導体の剥離を生じ、集積回路、回路基板と接続で
きないことがある。
および接着力からみた耐薬品性において、従来のＴＡＢ
用テープは必ずしも十分とはいえない。たとえば、スズ
メッキ時に導体の下にメッキ液が侵入し、接着力が大き
く低下する場合がある。その場合、ボンディング等の後
工程で導体の剥離を生じ、集積回路、回路基板と接続で
きないことがある。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決し、接着
性および耐薬品性に優れた新規なＴＡＢ用テープおよび
それを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
性および耐薬品性に優れた新規なＴＡＢ用テープおよび
それを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するためにＴＡＢ用テープの接着剤成分の化学
構造と金属に対する接着性および耐薬品性との関係を鋭
意検討した結果、キシレン樹脂とポリアミド樹脂をを巧
みに組み合わせることにより、接着性および耐薬品性に
優れたＴＡＢ用テープが得られることを見い出し、本発
明に至ったものである。
的を達成するためにＴＡＢ用テープの接着剤成分の化学
構造と金属に対する接着性および耐薬品性との関係を鋭
意検討した結果、キシレン樹脂とポリアミド樹脂をを巧
みに組み合わせることにより、接着性および耐薬品性に
優れたＴＡＢ用テープが得られることを見い出し、本発
明に至ったものである。
【０００９】すなわち、本発明は可撓性を有する絶縁性
フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有する
積層体より構成され、該接着剤層がキシレン樹脂および
ポリアミド樹脂を必須成分として含むことを特徴とする
ＴＡＢ用接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体装
置に関する。
フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有する
積層体より構成され、該接着剤層がキシレン樹脂および
ポリアミド樹脂を必須成分として含むことを特徴とする
ＴＡＢ用接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体装
置に関する。
【００１０】本発明で使用されるキシレン樹脂は、オル
ト、メタ、パラの各キシレン誘導体またはこれらの混合
物にホルムアルデヒドを酸触媒下で反応させて得られる
反応性基を有する樹脂である。本発明において、キシレ
ン樹脂をそのまま用いることは何等発明の効果を損なう
ものではないが、キシレン樹脂を、フェノール、アルキ
ル置換フェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＳ、等のフェノール誘導体と反応さ
せて変性した変性キシレン樹脂を用いるとさらに良好で
ある。この場合、フェノール誘導体変性キシレン樹脂の
フェノール性水酸基当量は、好ましくは１２０以上、さ
らに好ましくは１４０以上である。フェノール性水酸基
当量が１２０未満の場合、純フェノール樹脂の構造に近
づくため、従来の接着剤と同様に接着性を向上させるこ
とができない。
ト、メタ、パラの各キシレン誘導体またはこれらの混合
物にホルムアルデヒドを酸触媒下で反応させて得られる
反応性基を有する樹脂である。本発明において、キシレ
ン樹脂をそのまま用いることは何等発明の効果を損なう
ものではないが、キシレン樹脂を、フェノール、アルキ
ル置換フェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＳ、等のフェノール誘導体と反応さ
せて変性した変性キシレン樹脂を用いるとさらに良好で
ある。この場合、フェノール誘導体変性キシレン樹脂の
フェノール性水酸基当量は、好ましくは１２０以上、さ
らに好ましくは１４０以上である。フェノール性水酸基
当量が１２０未満の場合、純フェノール樹脂の構造に近
づくため、従来の接着剤と同様に接着性を向上させるこ
とができない。
【００１１】本発明で使用されるポリアミド樹脂は、公
知の種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性
を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素
数が３６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を
含むものが好適である。ダイマー酸を含むポリアミド樹
脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により
得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、ア
ゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分
として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、
ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン、等の公知のもの
が使用でき、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混合で
もよい。
知の種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性
を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素
数が３６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を
含むものが好適である。ダイマー酸を含むポリアミド樹
脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により
得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、ア
ゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分
として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、
ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン、等の公知のもの
が使用でき、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混合で
もよい。
【００１２】上記のキシレン樹脂とポリアミド樹脂との
配合割合は、ポリアミド樹脂１００重量部に対してキシ
レン樹脂５〜１００重量部、好ましくは３０〜８０重量
部である。キシレン樹脂が５重量部未満では耐熱性の低
下を招く。また、１００重量部を越えると接着性が低下
するので好ましくない。
配合割合は、ポリアミド樹脂１００重量部に対してキシ
レン樹脂５〜１００重量部、好ましくは３０〜８０重量
部である。キシレン樹脂が５重量部未満では耐熱性の低
下を招く。また、１００重量部を越えると接着性が低下
するので好ましくない。
【００１３】本発明において、接着剤層に公知のエポキ
シ樹脂を添加することにより、一層接着性および耐薬品
性を向上させることができる。エポキシ樹脂は１分子内
に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限
されないが、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＳ、ジヒドロキシナフタレン等のジグリシ
ジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポ
キシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニ
ロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、
エポキシ化メタキシレンジアミン、等が挙げられる。エ
ポキシ樹脂の添加量はポリアミド樹脂１００重量部に対
して２０〜１００重量部、好ましくは４０〜７０重量部
である。
シ樹脂を添加することにより、一層接着性および耐薬品
性を向上させることができる。エポキシ樹脂は１分子内
に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限
されないが、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＳ、ジヒドロキシナフタレン等のジグリシ
ジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポ
キシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニ
ロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、
エポキシ化メタキシレンジアミン、等が挙げられる。エ
ポキシ樹脂の添加量はポリアミド樹脂１００重量部に対
して２０〜１００重量部、好ましくは４０〜７０重量部
である。
【００１４】さらに、接着剤層にノボラック型フェノー
ル樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノー
ル樹脂を含有してもよい。この場合、キシレン樹脂との
縮合により変性キシレン樹脂と同様の効果を得ることが
できる。フェノール樹脂の添加量はポリアミド樹脂１０
０重量部に対して５〜６０重量部であると好ましく、キ
シレン樹脂とフェノール樹脂を合計した樹脂分を基準と
したフェノール性水酸基当量は、１２０以上が好まし
い。
ル樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノー
ル樹脂を含有してもよい。この場合、キシレン樹脂との
縮合により変性キシレン樹脂と同様の効果を得ることが
できる。フェノール樹脂の添加量はポリアミド樹脂１０
０重量部に対して５〜６０重量部であると好ましく、キ
シレン樹脂とフェノール樹脂を合計した樹脂分を基準と
したフェノール性水酸基当量は、１２０以上が好まし
い。
【００１５】本発明の接着剤層にエポキシ樹脂、キシレ
ン樹脂およびフェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤
を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族
ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の
三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メチ
ルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾ
ール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリ
メリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニ
ルフォスフィン等公知のものが使用できる。添加量はポ
リアミド樹脂１００重量部に対して０．１〜１０重量部
であると好ましい。
ン樹脂およびフェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤
を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族
ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の
三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メチ
ルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾ
ール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリ
メリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニ
ルフォスフィン等公知のものが使用できる。添加量はポ
リアミド樹脂１００重量部に対して０．１〜１０重量部
であると好ましい。
【００１６】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【００１７】本発明でいう可撓性を有する絶縁性フィル
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラス
クロス等の複合材料からなる厚さ２５〜１２５μのフィ
ルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積層
して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コロ
ナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティ
ング処理等の表面処理を施すことができる。
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラス
クロス等の複合材料からなる厚さ２５〜１２５μのフィ
ルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積層
して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コロ
ナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティ
ング処理等の表面処理を施すことができる。
【００１８】本発明でいう保護フィルム層とは、銅箔を
熱ラミネートする前に接着剤面からＴＡＢ用テープの形
態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、
たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティン
グ処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィン
フィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられ
る。
熱ラミネートする前に接着剤面からＴＡＢ用テープの形
態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、
たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティン
グ処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィン
フィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられ
る。
【００１９】次にＴＡＢ用接着剤付きテープの製造方法
について説明する。
について説明する。
【００２０】可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接
着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接
着剤層の膜厚は１０〜２５μとなるように塗布すること
が好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分
である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノ
ール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適であ
る。このようにして得られたフィルムに保護フィルムを
ラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度にスリット
する。
着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接
着剤層の膜厚は１０〜２５μとなるように塗布すること
が好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分
である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノ
ール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適であ
る。このようにして得られたフィルムに保護フィルムを
ラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度にスリット
する。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
【００２２】評価方法 （１）評価用サンプル作成方法 ＴＡＢ用接着剤付きテープサンプルに１８μの電解銅箔
を、１４０℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件でラミネートし
た。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１００
℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱処理を行な
い、銅箔付きＴＡＢ用テープを作成した。得られた銅箔
付きＴＡＢ用テープの銅箔面に常法によりフォトレジス
ト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行ない、所定の
導体幅のパターンを作成した。
を、１４０℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件でラミネートし
た。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１００
℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱処理を行な
い、銅箔付きＴＡＢ用テープを作成した。得られた銅箔
付きＴＡＢ用テープの銅箔面に常法によりフォトレジス
ト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行ない、所定の
導体幅のパターンを作成した。
【００２３】（２）スズメッキ処理 耐薬品性評価のため、上記（１）の方法で得られたパタ
ーンを、ホウフッ酸系の無電解スズメッキ液に７０℃、
５分浸漬処理し、０．５μ厚のメッキを施した。
ーンを、ホウフッ酸系の無電解スズメッキ液に７０℃、
５分浸漬処理し、０．５μ厚のメッキを施した。
【００２４】（３）剥離強度 上記（１）および（２）の方法で得たサンプルを用い
て、導体を９０°方向に５０ｍｍ／min の速度で剥離
し、その際の剥離力を測定した。導体幅５０μおよび２
００μについて行なった。
て、導体を９０°方向に５０ｍｍ／min の速度で剥離
し、その際の剥離力を測定した。導体幅５０μおよび２
００μについて行なった。
【００２５】実施例１ ポリアミド樹脂（ヘンケル白水（株）製、“マクロメル
ト”６９００）、エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ
（株）製、“エピコート”８２８、エポキシ当量１８
６）、フェノール変性キシレン樹脂（三菱ガス化学
（株）製、“ニカノール”ＧＲＬ、フェノール性水酸基
当量１４０）、をそれぞれ表１の組成比となるように配
合し、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノク
ロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着剤
溶液を作成した。この接着剤をバーコータで、厚さ２５
μのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）
製”ルミラー”）に約１８μの乾燥厚さとなるように塗
布し，１００℃、１分および１６０℃で５分間の乾燥を
行ない、接着剤シートを作成した。さらに、得られた接
着剤シートを厚さ７５μのポリイミドフィルム（宇部興
産（株）製“ユーピレックス”７５Ｓ）に１２０℃、１
ｋｇ／ｃｍ２の条件でラミネートしてＴＡＢ用接着剤付
きテープを作成した。特性を表１に示す。
ト”６９００）、エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ
（株）製、“エピコート”８２８、エポキシ当量１８
６）、フェノール変性キシレン樹脂（三菱ガス化学
（株）製、“ニカノール”ＧＲＬ、フェノール性水酸基
当量１４０）、をそれぞれ表１の組成比となるように配
合し、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノク
ロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着剤
溶液を作成した。この接着剤をバーコータで、厚さ２５
μのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）
製”ルミラー”）に約１８μの乾燥厚さとなるように塗
布し，１００℃、１分および１６０℃で５分間の乾燥を
行ない、接着剤シートを作成した。さらに、得られた接
着剤シートを厚さ７５μのポリイミドフィルム（宇部興
産（株）製“ユーピレックス”７５Ｓ）に１２０℃、１
ｋｇ／ｃｍ２の条件でラミネートしてＴＡＢ用接着剤付
きテープを作成した。特性を表１に示す。
【００２６】上記の手順で得られたＴＡＢ用接着剤付き
テープを用いて、前述の評価方法（１）および（２）と
同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成
し、図１に示すパターンテープを得た。
テープを用いて、前述の評価方法（１）および（２）と
同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成
し、図１に示すパターンテープを得た。
【００２７】さらにこのパターンテープを用いて、４５
０℃，１分の条件でインナーリードボンディングを行な
い、半導体集積回路を接続した。しかるのちに、エポキ
シ系液状封止剤（北陸塗料（株）製“チップコート”１
３２０−６１７）で樹脂封止を行ない、半導体装置を得
た。図２は得られた半導体装置の断面を示したものであ
る。
０℃，１分の条件でインナーリードボンディングを行な
い、半導体集積回路を接続した。しかるのちに、エポキ
シ系液状封止剤（北陸塗料（株）製“チップコート”１
３２０−６１７）で樹脂封止を行ない、半導体装置を得
た。図２は得られた半導体装置の断面を示したものであ
る。
【００２８】実施例２〜４および比較例１〜２ 実施例１と同様の方法で、それぞれ表１に示した原料お
よび組成比で調合した接着剤を用いてＴＡＢ用接着剤付
きテープを得た。特性を表１に示す。
よび組成比で調合した接着剤を用いてＴＡＢ用接着剤付
きテープを得た。特性を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１の実施例および比較例から本発明によ
り得られるＴＡＢ用接着剤付きテープは、接着性および
耐薬品性に優れることがわかる。
り得られるＴＡＢ用接着剤付きテープは、接着性および
耐薬品性に優れることがわかる。
【００３１】
【発明の効果】本発明は接着性および耐薬品性に優れた
新規なＴＡＢ用接着剤付きテープおよびそれを用いた半
導体装置を工業的に提供するものであり、本発明のＴＡ
Ｂ用接着剤付きテープによって高密度実装用の半導体装
置の信頼性および経済性を向上させることができる。
新規なＴＡＢ用接着剤付きテープおよびそれを用いた半
導体装置を工業的に提供するものであり、本発明のＴＡ
Ｂ用接着剤付きテープによって高密度実装用の半導体装
置の信頼性および経済性を向上させることができる。
【図１】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを加工して
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの斜
視図。
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの斜
視図。
【図２】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを用いた半
導体装置の断面図。
導体装置の断面図。
１ 可撓性を有する絶縁性フィルム ２ 接着剤 ３ スプロケット孔 ４ デバイス孔 ５ 半導体集積回路接続用の導体 ６ インナーリード部 ７ アウターリード部 ８ 半導体集積回路 ９ 封止樹脂 １０金バンプ １１保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＫＣ ＪＫＤ ＪＫＥ 161/18 ＪＥＭ 177/00 ＪＧＡ
Claims (6)
- 【請求項１】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層体より構成
され、該接着剤層がキシレン樹脂およびポリアミド樹脂
を必須成分として含むことを特徴とするＴＡＢ用接着剤
付きテープ。 - 【請求項２】接着剤層がエポキシ樹脂を含有することを
特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項３】キシレン樹脂が、フェノール誘導体変性キ
シレン樹脂であり、かつ該変性キシレン樹脂のフェノー
ル性水酸基当量が１２０以上であることを特徴とする請
求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項４】ポリアミド樹脂が炭素数３６のジカルボン
酸を必須成分として含むことを特徴とする請求項１記載
のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項５】接着剤層がフェノール樹脂を含有すること
を特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテー
プ。 - 【請求項６】請求項１〜５記載のＴＡＢ用接着剤付きテ
ープを用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32451294A JPH08181174A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32451294A JPH08181174A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181174A true JPH08181174A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18166636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32451294A Pending JPH08181174A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181174A (ja) |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP32451294A patent/JPH08181174A/ja active Pending
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