JP3503392B2 - Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の実
装方法であるテープオートメーテッドボンディング（Ｔ
ＡＢ）方式に用いられる接着剤付きテープ（以下、ＴＡ
Ｂ用テープと称する）に関する。さらに詳しくは、高温
高湿下での絶縁性、レジスト剥離やメッキ処理後の接着
性に優れたＴＡＢ用テープおよびそれを用いた半導体装
置に関するものである。
装方法であるテープオートメーテッドボンディング（Ｔ
ＡＢ）方式に用いられる接着剤付きテープ（以下、ＴＡ
Ｂ用テープと称する）に関する。さらに詳しくは、高温
高湿下での絶縁性、レジスト剥離やメッキ処理後の接着
性に優れたＴＡＢ用テープおよびそれを用いた半導体装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常のＴＡＢ用テープは、ポリイミドフ
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリ
エステルフィルム等を積層した３層構造より構成されて
いる。
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリ
エステルフィルム等を積層した３層構造より構成されて
いる。
【０００３】ＴＡＢ用テープは、（１）スプロケットお
よびデバイス孔の穿孔、（２）銅箔との熱ラミネート、
（３）パターン形成（レジスト塗布、エッチング、レジ
スト除去）、（４）スズまたは金−メッキ処理などの加
工工程を経てＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工さ
れる。図１にパターンテープの形状を示す。図２に本発
明の半導体装置の一態様の断面図を示す。パターンテー
プのインナーリード部６を、半導体集積回路８の金バン
プ１０に熱圧着（インナーリードボンディング）し、半
導体集積回路を搭載する。次いで、封止樹脂９による樹
脂封止工程を経て半導体装置が作成される。また、イン
ナーリード部を有さないパターンテープを用いて、その
導体と半導体集積回路の金バンプとの間をワイヤーリー
ドボンディングで接続する半導体集積回路の搭載方法も
採用されている。このような半導体装置をテープキャリ
アパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称する。ＴＣＰ
型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウ
ターリード７を介して接続（アウターリードボンディン
グ）され、電子機器への実装がなされる。
よびデバイス孔の穿孔、（２）銅箔との熱ラミネート、
（３）パターン形成（レジスト塗布、エッチング、レジ
スト除去）、（４）スズまたは金−メッキ処理などの加
工工程を経てＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工さ
れる。図１にパターンテープの形状を示す。図２に本発
明の半導体装置の一態様の断面図を示す。パターンテー
プのインナーリード部６を、半導体集積回路８の金バン
プ１０に熱圧着（インナーリードボンディング）し、半
導体集積回路を搭載する。次いで、封止樹脂９による樹
脂封止工程を経て半導体装置が作成される。また、イン
ナーリード部を有さないパターンテープを用いて、その
導体と半導体集積回路の金バンプとの間をワイヤーリー
ドボンディングで接続する半導体集積回路の搭載方法も
採用されている。このような半導体装置をテープキャリ
アパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称する。ＴＣＰ
型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウ
ターリード７を介して接続（アウターリードボンディン
グ）され、電子機器への実装がなされる。
【０００４】一方、近年の電子機器の小型化・軽量化に
伴い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来
の接続端子（アウターリード）をパッケージ側面に配列
したＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）、ＳＯ
Ｐ（スモール・アウトライン・パッケージ）に代わり、
パッケージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボール
・グリッド・アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール・パ
ッケージ）が、一部用いられるようになってきた。ＢＧ
Ａ、ＣＳＰがＱＦＰ、ＳＯＰと構造的に最も大きく異な
る点は、前者は、インターポーザーと称される基板を必
要とするのに対し、後者は金属製のリードフレームを用
いることにより必ずしも基板を用いることにより必ずし
も基板を必要としない点にある。ここでいうインターポ
ーザーは、ガラスエポキシ基板やポリイミド等の有機絶
縁性フィルムに銅箔を貼り合わせたものが、一般的に用
いられる。したがって、これらＢＧＡ、ＣＳＰなどの半
導体装置にも本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを使用
することができ、得られたＢＧＡ、ＣＳＰも本発明の半
導体装置に含まれる。図３および図４に本発明の半導体
装置（ＢＧＡ、ＣＳＰ）の一態様の断面図を示す。
伴い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来
の接続端子（アウターリード）をパッケージ側面に配列
したＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）、ＳＯ
Ｐ（スモール・アウトライン・パッケージ）に代わり、
パッケージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボール
・グリッド・アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール・パ
ッケージ）が、一部用いられるようになってきた。ＢＧ
Ａ、ＣＳＰがＱＦＰ、ＳＯＰと構造的に最も大きく異な
る点は、前者は、インターポーザーと称される基板を必
要とするのに対し、後者は金属製のリードフレームを用
いることにより必ずしも基板を用いることにより必ずし
も基板を必要としない点にある。ここでいうインターポ
ーザーは、ガラスエポキシ基板やポリイミド等の有機絶
縁性フィルムに銅箔を貼り合わせたものが、一般的に用
いられる。したがって、これらＢＧＡ、ＣＳＰなどの半
導体装置にも本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを使用
することができ、得られたＢＧＡ、ＣＳＰも本発明の半
導体装置に含まれる。図３および図４に本発明の半導体
装置（ＢＧＡ、ＣＳＰ）の一態様の断面図を示す。
【０００５】上記のパッケージ形態では、いずれも最終
的にＴＡＢ用テープの接着剤層はパッケージ内に残留す
るため、絶縁性、耐熱性、接着性が要求される。
的にＴＡＢ用テープの接着剤層はパッケージ内に残留す
るため、絶縁性、耐熱性、接着性が要求される。
【０００６】近年、電子機器の小型化に伴う高密度化に
より、ＴＡＢテープ方式における導線幅、ピッチ間距離
は狭くなる傾向にあり、接着剤にはより高い絶縁性、接
着性が要求されるようになってきた。また、導線幅減少
にともない前記した多数の工程において種々の薬品にさ
らされる接着剤層の耐薬品性が、初期の接着強度ととも
に重要な問題になってきた。特に、レジスト剥離、金メ
ッキ時のアルカリやエッチング、スズメッキ時の酸に対
する耐薬品性が重要である。
より、ＴＡＢテープ方式における導線幅、ピッチ間距離
は狭くなる傾向にあり、接着剤にはより高い絶縁性、接
着性が要求されるようになってきた。また、導線幅減少
にともない前記した多数の工程において種々の薬品にさ
らされる接着剤層の耐薬品性が、初期の接着強度ととも
に重要な問題になってきた。特に、レジスト剥離、金メ
ッキ時のアルカリやエッチング、スズメッキ時の酸に対
する耐薬品性が重要である。
【０００７】接着剤の改良も種々検討されている。たと
えば、耐薬品性を改良する目的でビスＡ型エポキシ樹脂
とアミン価３以上のポリアミド樹脂を用いる方法（特開
平５−２９３９９号公報）、シロキサン構造を有するエ
ポキシ樹脂を添加する方法（特開平５−２５９２２８号
公報）、マレイミド樹脂を添加する方法（特開平５−２
９１３５６号公報）などが、また、絶縁性を向上する目
的でエポキシ樹脂の塩素イオン含有量を２００ｐｐｍ以
下と高純度化する方法（特開平７−７４２１３号公報）
などが提案されている。
えば、耐薬品性を改良する目的でビスＡ型エポキシ樹脂
とアミン価３以上のポリアミド樹脂を用いる方法（特開
平５−２９３９９号公報）、シロキサン構造を有するエ
ポキシ樹脂を添加する方法（特開平５−２５９２２８号
公報）、マレイミド樹脂を添加する方法（特開平５−２
９１３５６号公報）などが、また、絶縁性を向上する目
的でエポキシ樹脂の塩素イオン含有量を２００ｐｐｍ以
下と高純度化する方法（特開平７−７４２１３号公報）
などが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、種々の
方法で改良された接着剤も、それぞれ少しづづ効果をあ
げてきているが、配線幅の減少にともなうより過酷な要
請に答えるには十分ではなかった。
方法で改良された接着剤も、それぞれ少しづづ効果をあ
げてきているが、配線幅の減少にともなうより過酷な要
請に答えるには十分ではなかった。
【０００９】本発明の目的は、このような問題点を解決
し接着性、耐薬品性、絶縁性に優れたＴＡＢ用テープお
よびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
し接着性、耐薬品性、絶縁性に優れたＴＡＢ用テープお
よびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は可撓
性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保
護フィルム層を有する積層体から構成されるＴＡＢ用接
着剤付きテープにおいて、該接着剤層が熱可塑性樹脂
（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）を含有し、前記エポキ
シ樹脂（Ｂ）が下記式（Ｉ）で示される骨格を有するエ
ポキシ樹脂（ｂ）を必須成分として含有することを特徴
とするＴＡＢ用接着剤付きテープおよびそれを用いた半
導体装置に関する。
性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保
護フィルム層を有する積層体から構成されるＴＡＢ用接
着剤付きテープにおいて、該接着剤層が熱可塑性樹脂
（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）を含有し、前記エポキ
シ樹脂（Ｂ）が下記式（Ｉ）で示される骨格を有するエ
ポキシ樹脂（ｂ）を必須成分として含有することを特徴
とするＴＡＢ用接着剤付きテープおよびそれを用いた半
導体装置に関する。
【００１１】
【化２】
（ただし、Ｒ１〜Ｒ８のうち２つは２，３−エポキシプ
ロポキシ基であり、残りは水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級
アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
ロポキシ基であり、残りは水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級
アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を詳述する。
【００１３】本発明においては、接着剤層が熱可塑性樹
脂（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）を含有し、前記エポ
キシ樹脂（Ｂ）が上記式（Ｉ）で示される骨格を有する
エポキシ樹脂（ｂ）を必須成分として含有することが重
要である。
脂（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）を含有し、前記エポ
キシ樹脂（Ｂ）が上記式（Ｉ）で示される骨格を有する
エポキシ樹脂（ｂ）を必須成分として含有することが重
要である。
【００１４】本発明における熱可塑性樹脂（Ａ）は、接
着剤層に可撓性を与えるものであれば特に限定されない
が、その具体例としては、ポリエチレン、ポリエステ
ル、ＳＢＲ、ＮＢＲ、ポリアミド樹脂、ＳＥＢＳ等が挙
げられる。中でも、低吸水で絶縁性の優れる炭素数が３
６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を構成成
分として含有するポリアミド樹脂（ａ）が好ましい。ダ
イマー酸を構成成分として含有するポリアミド樹脂
（ａ）は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合に
より得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン
酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重
合成分として含有してもよく、ジアミンはエチレンジア
ミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等公知のも
のが使用でき、吸水性、溶解性の点から２種類以上の混
合でもよい。さらには、エポキシ樹脂（Ｂ）との相溶性
を向上し良好な接着性を得る目的で、重縮合の際に、当
量比でジアミン成分を過剰に配合し、ポリアミド末端に
未反応アミンを残したポリアミド樹脂（ａ’）が好まし
い。アミン価の好ましい範囲は１以上３未満であり、ア
ミン価１未満では接着性向上効果は発現しにくく、３以
上では接着剤自体の保存性が低下する。
着剤層に可撓性を与えるものであれば特に限定されない
が、その具体例としては、ポリエチレン、ポリエステ
ル、ＳＢＲ、ＮＢＲ、ポリアミド樹脂、ＳＥＢＳ等が挙
げられる。中でも、低吸水で絶縁性の優れる炭素数が３
６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を構成成
分として含有するポリアミド樹脂（ａ）が好ましい。ダ
イマー酸を構成成分として含有するポリアミド樹脂
（ａ）は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合に
より得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン
酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重
合成分として含有してもよく、ジアミンはエチレンジア
ミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等公知のも
のが使用でき、吸水性、溶解性の点から２種類以上の混
合でもよい。さらには、エポキシ樹脂（Ｂ）との相溶性
を向上し良好な接着性を得る目的で、重縮合の際に、当
量比でジアミン成分を過剰に配合し、ポリアミド末端に
未反応アミンを残したポリアミド樹脂（ａ’）が好まし
い。アミン価の好ましい範囲は１以上３未満であり、ア
ミン価１未満では接着性向上効果は発現しにくく、３以
上では接着剤自体の保存性が低下する。
【００１５】ここでいうアミン価とは、ポリアミド１ｇ
中に含まれる塩基性チッソを中和する過塩素酸と当量の
ＫＯＨのｍｇ数を示す。
中に含まれる塩基性チッソを中和する過塩素酸と当量の
ＫＯＨのｍｇ数を示す。
【００１６】本発明において、エポキシ樹脂（Ｂ）は下
記式（Ｉ）
記式（Ｉ）
【化３】
（ただし、Ｒ１〜Ｒ８のうち２つは２，３−エポキシプ
ロポキシ基であり、残りは水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級
アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表される骨
格を有するエポキシ樹脂（ｂ）を必須成分として含有す
ることが重要である。エポキシ樹脂（ｂ）を含有しない
場合は、レジスト処理、メッキ処理後の高い接着性や高
い絶縁性は発揮されない。
ロポキシ基であり、残りは水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級
アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表される骨
格を有するエポキシ樹脂（ｂ）を必須成分として含有す
ることが重要である。エポキシ樹脂（ｂ）を含有しない
場合は、レジスト処理、メッキ処理後の高い接着性や高
い絶縁性は発揮されない。
【００１７】上記式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ８の好ま
しい具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、
sec-ブチル基、t-ブチル基、塩素原子、臭素原子などが
挙げられる。
しい具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、
sec-ブチル基、t-ブチル基、塩素原子、臭素原子などが
挙げられる。
【００１８】本発明におけるエポキシ樹脂（ｂ）の好ま
しい具体例としては、１，５−ジグリシジルナフタレ
ン、１，５−ジグリシジル−７−メチルナフタレン、
１，６−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジ
ル−２−メチルナフタレン、１，６−ジグリシジル−８
−メチルナフタレン、１，６−ジグリシジル−４，８−
ジメチルナフタレン、２−ブロム−１，６−ジグリシジ
ルナフタレンおよび８−ブロム−１，６−ジグリシジル
ナフタレンなどが挙げられる。
しい具体例としては、１，５−ジグリシジルナフタレ
ン、１，５−ジグリシジル−７−メチルナフタレン、
１，６−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジ
ル−２−メチルナフタレン、１，６−ジグリシジル−８
−メチルナフタレン、１，６−ジグリシジル−４，８−
ジメチルナフタレン、２−ブロム−１，６−ジグリシジ
ルナフタレンおよび８−ブロム−１，６−ジグリシジル
ナフタレンなどが挙げられる。
【００１９】本発明においてエポキシ樹脂（Ｂ）は上記
のエポキシ樹脂（ｂ）とともに該エポキシ樹脂（ｂ）以
外の他のエポキシ樹脂をも併用して含有することができ
る。併用できる他のエポキシ樹脂としては、たとえば、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型
エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡや
レゾルシンから合成される各種ノボラック型エポキシ樹
脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複
素環式エポキシ樹脂などが挙げられる。
のエポキシ樹脂（ｂ）とともに該エポキシ樹脂（ｂ）以
外の他のエポキシ樹脂をも併用して含有することができ
る。併用できる他のエポキシ樹脂としては、たとえば、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型
エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡや
レゾルシンから合成される各種ノボラック型エポキシ樹
脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複
素環式エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００２０】エポキシ樹脂（Ｂ）中に含有されるエポキ
シ樹脂（ｂ）の割合に関しては特に制限がなく、必須成
分としてエポキシ樹脂（ｂ）が含有されれば本発明の効
果は発揮されるが、より十分な効果を発揮させるために
は、エポキシ樹脂（ｂ）をエポキシ樹脂（Ｂ）中に通常
２０重量％以上、好ましくは４０重量％以上、さらに好
ましくは６０重量％以上含有せしめる必要がある。
シ樹脂（ｂ）の割合に関しては特に制限がなく、必須成
分としてエポキシ樹脂（ｂ）が含有されれば本発明の効
果は発揮されるが、より十分な効果を発揮させるために
は、エポキシ樹脂（ｂ）をエポキシ樹脂（Ｂ）中に通常
２０重量％以上、好ましくは４０重量％以上、さらに好
ましくは６０重量％以上含有せしめる必要がある。
【００２１】本発明におけるエポキシ樹脂（Ｂ）の配合
量は、ポリアミド樹脂１００重量部に対して２〜１００
重量部、好ましくは５〜７０重量部である。
量は、ポリアミド樹脂１００重量部に対して２〜１００
重量部、好ましくは５〜７０重量部である。
【００２２】本発明でいう可撓性を有する絶縁性フィル
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート
等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロ
ス等の複合材料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフィル
ムであり、これから選ばれる複数のフィルムを積層して
用いても良い。中でも、熱膨張係数の小さなポリイミド
フィルムが好ましく用いられる。また、これらのフィル
ムは必要に応じて加水分解、コロナ放電、低温プラズ
マ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処
理を施すことが望ましい。
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート
等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロ
ス等の複合材料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフィル
ムであり、これから選ばれる複数のフィルムを積層して
用いても良い。中でも、熱膨張係数の小さなポリイミド
フィルムが好ましく用いられる。また、これらのフィル
ムは必要に応じて加水分解、コロナ放電、低温プラズ
マ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処
理を施すことが望ましい。
【００２３】本発明でいう保護フィルム層とは、銅箔を
ラミネートする前に接着剤面からＴＡＢ用テープの形態
を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、た
とえばシリコーンあるいはフッ素化合物コーティング処
理したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム
およびこれらをラミネートした紙などが挙げられる。
ラミネートする前に接着剤面からＴＡＢ用テープの形態
を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、た
とえばシリコーンあるいはフッ素化合物コーティング処
理したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム
およびこれらをラミネートした紙などが挙げられる。
【００２４】本発明において、接着剤層にフェノール樹
脂（Ｃ）を添加することにより、一層の接着性および絶
縁性を向上させることができる。フェノール樹脂（Ｃ）
の具体例としては、たとえばフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型樹
脂や各種レゾール樹脂などが挙げられる。
脂（Ｃ）を添加することにより、一層の接着性および絶
縁性を向上させることができる。フェノール樹脂（Ｃ）
の具体例としては、たとえばフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型樹
脂や各種レゾール樹脂などが挙げられる。
【００２５】フェノール樹脂の配合割合は、通常エポキ
シ樹脂１当量に対してフェノール性水酸基０．５〜１
０．０当量、好ましくは０．７〜７．０当量となる範囲
であることが望ましい。
シ樹脂１当量に対してフェノール性水酸基０．５〜１
０．０当量、好ましくは０．７〜７．０当量となる範囲
であることが望ましい。
【００２６】本発明の接着剤層にエポキシ樹脂（Ｂ）の
単独反応、エポキシ樹脂（Ｂ）とポリアミド樹脂（Ａ）
やフェノール樹脂（Ｃ）との反応を促進させる硬化促進
剤を含有することができる。硬化促進剤は硬化反応を促
進するものならば特に限定されず、その具体例として
は、たとえば、２−メチルイミダゾール、２，４−ジメ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メ
チルイミダゾールおよび２−ヘプタデシルイミダゾール
などのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジ
ルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミ
ン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，
４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールお
よび１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン
−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメト
キシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス
（アセチルアセトナト）ジルコニウムおよびトリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物、
およびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィ
ン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、ト
リ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィンおよびトリ（ノニ
ルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が
挙げられる。
単独反応、エポキシ樹脂（Ｂ）とポリアミド樹脂（Ａ）
やフェノール樹脂（Ｃ）との反応を促進させる硬化促進
剤を含有することができる。硬化促進剤は硬化反応を促
進するものならば特に限定されず、その具体例として
は、たとえば、２−メチルイミダゾール、２，４−ジメ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メ
チルイミダゾールおよび２−ヘプタデシルイミダゾール
などのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジ
ルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミ
ン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，
４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールお
よび１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン
−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメト
キシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス
（アセチルアセトナト）ジルコニウムおよびトリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物、
およびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィ
ン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、ト
リ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィンおよびトリ（ノニ
ルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が
挙げられる。
【００２７】なお、これらの硬化促進剤は、用途によっ
て２種類以上を併用してもよく、その添加量は、エポキ
シ樹脂（Ｂ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部
の範囲が好ましい。
て２種類以上を併用してもよく、その添加量は、エポキ
シ樹脂（Ｂ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部
の範囲が好ましい。
【００２８】次に、ＴＡＢ用接着剤付きテープの製造方
法について説明する。可撓性を有する絶縁フィルムに、
接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。
接着剤層の膜圧は１０〜２５μｍとなるように塗布する
ことが好ましい。乾燥条件は、通常１００〜２００℃、
１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエ
ン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノー
ル、エタノール、プロパノール等のアルコール系の混合
溶媒が好適である。このようにして得られたフィルムに
保護フィルムをラミネートし、最後に通常３５〜１５８
ｍｍ程度にスリットする。
法について説明する。可撓性を有する絶縁フィルムに、
接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。
接着剤層の膜圧は１０〜２５μｍとなるように塗布する
ことが好ましい。乾燥条件は、通常１００〜２００℃、
１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエ
ン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノー
ル、エタノール、プロパノール等のアルコール系の混合
溶媒が好適である。このようにして得られたフィルムに
保護フィルムをラミネートし、最後に通常３５〜１５８
ｍｍ程度にスリットする。
【００２９】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００３０】実施例１〜３ 、比較例１
下記熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およ
びその他添加剤を、それぞれ表１に示した組成比となる
ように配合し、濃度２０重量％となるようにメタノール
／モノクロルベンゼン混合溶媒に４０℃で撹拌、溶解し
て接着剤溶液を作成した。
びその他添加剤を、それぞれ表１に示した組成比となる
ように配合し、濃度２０重量％となるようにメタノール
／モノクロルベンゼン混合溶媒に４０℃で撹拌、溶解し
て接着剤溶液を作成した。
【００３１】Ａ．熱可塑性樹脂
Ｉ．ポリアミド樹脂（酸性分：ダイマー酸、アミン成
分：ヘキサメチレンジアミン、酸価１．０、アミン価
０） ＩＩ．ポリアミド樹脂（酸成分：ダイマー酸、アミン成
分：ヘキサメチレンジアミン、酸価１．０、アミン価
２．０） Ｂ．エポキシ樹脂 Ｉ． １，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−
ナフタレン（エポキシ当量：１４９） ＩＩ．ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当
量：１８６） Ｃ．フェノール樹脂 レゾールフェノール”ＣＫＭ−１２８２”（昭和高分子
（株）製） Ｄ．添加剤 ２−ヘプタデシルイミダゾール
分：ヘキサメチレンジアミン、酸価１．０、アミン価
０） ＩＩ．ポリアミド樹脂（酸成分：ダイマー酸、アミン成
分：ヘキサメチレンジアミン、酸価１．０、アミン価
２．０） Ｂ．エポキシ樹脂 Ｉ． １，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−
ナフタレン（エポキシ当量：１４９） ＩＩ．ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当
量：１８６） Ｃ．フェノール樹脂 レゾールフェノール”ＣＫＭ−１２８２”（昭和高分子
（株）製） Ｄ．添加剤 ２−ヘプタデシルイミダゾール
【００３２】これらの接着剤溶液をバーコータで、厚さ
７５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユ
ーピレックス”７５Ｓ）に約１８μｍの乾燥厚さとなる
ように塗布し、１００℃、１分および１６０℃で５分間
の乾燥を行いＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。次
に、これらのＴＡＢ用接着剤付きテープに１８μｍの電
解銅箔を１４０℃、９．８×１０4Ｐａの条件でラミネ
ートした後、エアオーブン中で、８０℃、３時間、１０
０℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱処理を行
い、銅箔付きＴＡＢ用テープを得た。得られた銅箔付き
ＴＡＢ用テープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜
形成、エッチング、レジスト剥離を行い、接着強度およ
び耐スズメッキ処理の評価用サンプルをそれぞれ作成
し、次の測定方法により各接着剤の特性を評価した。結
果を表１に示す。
７５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユ
ーピレックス”７５Ｓ）に約１８μｍの乾燥厚さとなる
ように塗布し、１００℃、１分および１６０℃で５分間
の乾燥を行いＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。次
に、これらのＴＡＢ用接着剤付きテープに１８μｍの電
解銅箔を１４０℃、９．８×１０4Ｐａの条件でラミネ
ートした後、エアオーブン中で、８０℃、３時間、１０
０℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱処理を行
い、銅箔付きＴＡＢ用テープを得た。得られた銅箔付き
ＴＡＢ用テープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜
形成、エッチング、レジスト剥離を行い、接着強度およ
び耐スズメッキ処理の評価用サンプルをそれぞれ作成
し、次の測定方法により各接着剤の特性を評価した。結
果を表１に示す。
【００３３】評価方法
（１）スズメッキ処理
評価用サンプルを、ホウフッ酸系の無電解スズメッキ液
に７０℃、５分浸漬処理し、０．５μｍ厚のメッキを施
した。
に７０℃、５分浸漬処理し、０．５μｍ厚のメッキを施
した。
【００３４】（２）剥離強度
導体幅５０μｍの評価用サンプルを用いて、導体を９０
°方向に５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、その際の剥
離力を測定した。
°方向に５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、その際の剥
離力を測定した。
【００３５】（３）高温高湿バイアス絶縁性
導体幅２００μｍ、導体間距離５０μｍの櫛型形状の測
定用パターンを用いて、１３０℃、８５％ＲＨの環境下
で１００Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗値が初期値の１／
１０以下に低下する時間を測定した。
定用パターンを用いて、１３０℃、８５％ＲＨの環境下
で１００Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗値が初期値の１／
１０以下に低下する時間を測定した。
【００３６】上記の手順で得られたＴＡＢ用接着剤付き
テープを用いて、前述の評価方法（１）および（２）と
同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成
し、図１に示すパターンテープを得た。特性を表１に示
す。
テープを用いて、前述の評価方法（１）および（２）と
同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成
し、図１に示すパターンテープを得た。特性を表１に示
す。
【００３７】更にこのパターンテープを用いて、４５０
℃、１分の条件でインナーリードボンディングを行い、
半導体集積回路を接続した。しかるのちに、エポキシ系
液状封止剤（北陸塗料（株）製”チップコート”１３２
０−６１７）で樹脂封止を行い、半導体装置を得た。図
２は得られた半導体装置の断面を示したものである。
℃、１分の条件でインナーリードボンディングを行い、
半導体集積回路を接続した。しかるのちに、エポキシ系
液状封止剤（北陸塗料（株）製”チップコート”１３２
０−６１７）で樹脂封止を行い、半導体装置を得た。図
２は得られた半導体装置の断面を示したものである。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１の結果から明らかなように、本発明に
より得られたＴＡＢテープは、耐薬品性に優れ高い接着
性と耐湿絶縁性を有することが分かる。一方、本発明の
エポキシ樹脂を用いていない比較例１は、接着性が低い
ばかりか耐薬品性、耐湿絶縁性においても劣っている。
より得られたＴＡＢテープは、耐薬品性に優れ高い接着
性と耐湿絶縁性を有することが分かる。一方、本発明の
エポキシ樹脂を用いていない比較例１は、接着性が低い
ばかりか耐薬品性、耐湿絶縁性においても劣っている。
【００４０】
【発明の効果】本発明は高温高湿下での絶縁性、レジス
ト剥離やメッキ処理後の接着性に優れた新規なＴＡＢ用
テープおよびそれを用いた半導体装置を工業的に提供す
るものであり、本発明のＴＡＢ用テープによって高密度
実装用の半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
ト剥離やメッキ処理後の接着性に優れた新規なＴＡＢ用
テープおよびそれを用いた半導体装置を工業的に提供す
るものであり、本発明のＴＡＢ用テープによって高密度
実装用の半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
【図１】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを加工して
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの一
態様の斜視図。
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの一
態様の斜視図。
【図２】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを用いた半
導体装置の一態様の断面図。
導体装置の一態様の断面図。
【図３】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを用いた半
導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。
導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。
【図４】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを用いた半
導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。
導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。
１，１２，２０ 可撓性を有する絶縁性フィルム
２，１３，２１ 接着剤
３ スプロケット孔
４ デバイス孔
５，１４，２２ 半導体集積回路接続用の導体
６ インナーリード部
７ アウターリード部
８，１５，２３ 半導体集積回路
９，１６，２４ 封止樹脂
１０，１７，２５ 金バンプ
１１ 保護膜
１８，２６ ハンダボール
１９ 補強板
２７ ソルダーレジスト
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−115106（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−226581（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−127759（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−233115（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−316527（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−165435（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−150425（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60 311
B32B 7/12
C09J 7/02
C09J 163/00
C09J 177/06
Claims (7)
- 【請求項１】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層体から構成
されるＴＡＢ用接着剤付きテープにおいて、該接着剤層
が熱可塑性樹脂（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）を含有
し、前記エポキシ樹脂（Ｂ）が、下記式（Ｉ）で表され
る骨格を有するエポキシ樹脂（ｂ）を必須成分として含
有することを特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテープ。 【化１】 （ただし、Ｒ１〜Ｒ８のうち２つは２，３−エポキシプ
ロポキシ基であり、残りは水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級
アルキル基またはハロゲン原子を示す。） - 【請求項２】熱可塑性樹脂（Ａ）が炭素数３６のジカル
ボン酸を必須構成成分として含有するポリアミド樹脂
（ａ）であることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用
接着剤付きテープ。 - 【請求項３】熱可塑性樹脂（Ａ）が炭素数３６のジカル
ボン酸を必須構成成分として含有するポリアミド樹脂
（ａ）であって、かつアミン価が１以上３未満のポリア
ミド樹脂（ａ’）であることを特徴とする請求項１また
は２記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項４】接着剤層がさらにフェノール樹脂（Ｃ）を
含有することを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着
剤付きテープ。 - 【請求項５】可撓性を有する有機絶縁性フィルムがポリ
イミドからなるフィルムであることを特徴とする請求項
１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれか記載のＴＡＢ用接
着剤付きテープを用いた半導体接続基板。 - 【請求項７】請求項１〜５のいずれか記載のＴＡＢ用接
着剤付きテープを用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03479697A JP3503392B2 (ja) | 1996-02-19 | 1997-02-19 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050196 | 1996-02-19 | ||
| JP8-30501 | 1996-02-19 | ||
| JP03479697A JP3503392B2 (ja) | 1996-02-19 | 1997-02-19 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289230A JPH09289230A (ja) | 1997-11-04 |
| JP3503392B2 true JP3503392B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=26368871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03479697A Expired - Lifetime JP3503392B2 (ja) | 1996-02-19 | 1997-02-19 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3503392B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5428306B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2014-02-26 | 東亞合成株式会社 | 接着剤組成物並びにこれを用いたカバーレイフィルム及びフレキシブル銅張積層板 |
-
1997
- 1997-02-19 JP JP03479697A patent/JP3503392B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09289230A (ja) | 1997-11-04 |
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