JPH0817775A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄方法Info
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- JPH0817775A JPH0817775A JP14626694A JP14626694A JPH0817775A JP H0817775 A JPH0817775 A JP H0817775A JP 14626694 A JP14626694 A JP 14626694A JP 14626694 A JP14626694 A JP 14626694A JP H0817775 A JPH0817775 A JP H0817775A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向上
とコストの低減を実現する。 【構成】 水酸化アンモニウムと過酸化水素水と水とで
構成される洗浄液の温度を６５〜７５℃の温度範囲とす
ることで、Ｓｉ表面のマイクロラフネスの増大が生じる
高いパーティクルの除去効率を実現し、ＮＨ4ＯＨとＨ2
Ｏ2濃度の最適化で薬液の使用量を削減し、洗浄効率を
高く維持したまま稼働効率の向上とコストの低減を実現
するものである。さらにＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比の
関係からＳＣ−１洗浄液の寿命を決定し、無用な廃液の
産出を抑制し、洗浄液の使用量と廃液処理量の削減によ
り生産コストの低減を実現することができる。
とコストの低減を実現する。 【構成】 水酸化アンモニウムと過酸化水素水と水とで
構成される洗浄液の温度を６５〜７５℃の温度範囲とす
ることで、Ｓｉ表面のマイクロラフネスの増大が生じる
高いパーティクルの除去効率を実現し、ＮＨ4ＯＨとＨ2
Ｏ2濃度の最適化で薬液の使用量を削減し、洗浄効率を
高く維持したまま稼働効率の向上とコストの低減を実現
するものである。さらにＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比の
関係からＳＣ−１洗浄液の寿命を決定し、無用な廃液の
産出を抑制し、洗浄液の使用量と廃液処理量の削減によ
り生産コストの低減を実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体大規模集積回路製
造の分野における半導体装置の洗浄方法に関するもので
ある。
造の分野における半導体装置の洗浄方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】 近年、シリコン（Ｓｉ）ウェーハの洗
浄技術は半導体デバイスの微細化と高速化の進歩でデバ
イス特性や製品の歩留まりを決める重要な技術として関
心が高まっている。そのなかでもパーティクルの除去能
力が高い水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）／過酸化水
素水（Ｈ2Ｏ2）／水（Ｈ2Ｏ）洗浄液（以下ＳＣ−１洗
浄液という）は今後ともウエット洗浄技術として用いら
れると考えられている。何故なら、ガスを用いたドライ
洗浄技術でのパーティクル除去は困難で、コストが安く
て高スループットがＳＣ−１洗浄技術（ＳＣ−１洗浄液
を用いた洗浄技術）には期待できるからである。しかし
ＳＣ−１洗浄にも問題がないわけではない。ＮＨ4ＯＨ
濃度が高いとＳｉ表面のマイクロラフネスが増大して酸
化膜の絶縁破壊耐圧の低下することが電子情報通信学会
技術研究報告，ＳＤＭ９１−３，１９９１年の第１３ペ
ージ〜第１８ページの「シリコン表面マイクロラフネス
制御による酸化膜耐圧の向上」に報告され、ＭＯＳＦＥ
Ｔのチャネルモビリティが低下することがアイ・イー・
イー・イーのエレクトロン・デバイス・レターズ ボリ
ューム１２，１９９１年，第６５２ページ〜第６５４ペ
ージの「ディペンデンス・オブ・エレクトロン・チャネ
ル・モビリティ・オン・エスアイ−エスアイオーツー・
インターフェース・マイクロラフネス（"Dependence of
Electron ChannelMobility on Si-SiO2 Interface Mic
roroughness", IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol.1
2, 1991, pp.652-654）」に報告されている。Ｓｉ表面
のマイクロラフネスの増大はデバイス特性を劣化させ
る。したがって、ＳＣ−１洗浄液中のＮＨ4ＯＨ濃度を
低減する等Ｓｉ表面のマイクロラフネス増大を抑制する
対策が必要である。しかしながら、ＮＨ4ＯＨ濃度を低
減するとＳｉ上のパーティクル除去効率が低下すること
が電子情報通信学会技術研究報告，ＳＤＭ９２−１２
６，１９９２年，第４１ページ〜第４６ページの「ＳＣ
−１洗浄液におけるＳｉウェーハ上パーティクルの除去
挙動」に報告されている。
浄技術は半導体デバイスの微細化と高速化の進歩でデバ
イス特性や製品の歩留まりを決める重要な技術として関
心が高まっている。そのなかでもパーティクルの除去能
力が高い水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）／過酸化水
素水（Ｈ2Ｏ2）／水（Ｈ2Ｏ）洗浄液（以下ＳＣ−１洗
浄液という）は今後ともウエット洗浄技術として用いら
れると考えられている。何故なら、ガスを用いたドライ
洗浄技術でのパーティクル除去は困難で、コストが安く
て高スループットがＳＣ−１洗浄技術（ＳＣ−１洗浄液
を用いた洗浄技術）には期待できるからである。しかし
ＳＣ−１洗浄にも問題がないわけではない。ＮＨ4ＯＨ
濃度が高いとＳｉ表面のマイクロラフネスが増大して酸
化膜の絶縁破壊耐圧の低下することが電子情報通信学会
技術研究報告，ＳＤＭ９１−３，１９９１年の第１３ペ
ージ〜第１８ページの「シリコン表面マイクロラフネス
制御による酸化膜耐圧の向上」に報告され、ＭＯＳＦＥ
Ｔのチャネルモビリティが低下することがアイ・イー・
イー・イーのエレクトロン・デバイス・レターズ ボリ
ューム１２，１９９１年，第６５２ページ〜第６５４ペ
ージの「ディペンデンス・オブ・エレクトロン・チャネ
ル・モビリティ・オン・エスアイ−エスアイオーツー・
インターフェース・マイクロラフネス（"Dependence of
Electron ChannelMobility on Si-SiO2 Interface Mic
roroughness", IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol.1
2, 1991, pp.652-654）」に報告されている。Ｓｉ表面
のマイクロラフネスの増大はデバイス特性を劣化させ
る。したがって、ＳＣ−１洗浄液中のＮＨ4ＯＨ濃度を
低減する等Ｓｉ表面のマイクロラフネス増大を抑制する
対策が必要である。しかしながら、ＮＨ4ＯＨ濃度を低
減するとＳｉ上のパーティクル除去効率が低下すること
が電子情報通信学会技術研究報告，ＳＤＭ９２−１２
６，１９９２年，第４１ページ〜第４６ページの「ＳＣ
−１洗浄液におけるＳｉウェーハ上パーティクルの除去
挙動」に報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以下図面を参照しなが
ら、上記した従来のＳＣ−１洗浄液におけるＳｉ表面上
のパーティクルの除去挙動について説明する。
ら、上記した従来のＳＣ−１洗浄液におけるＳｉ表面上
のパーティクルの除去挙動について説明する。
【０００４】図７は従来のＳＣ−１洗浄液組成のパーテ
ィクル除去挙動を示す図である。図７において、組成比
はＨ2Ｏで希釈された２９％ＮＨ4ＯＨと３１％Ｈ2Ｏ2と
Ｈ2Ｏの容量比である。ＳＣ−１洗浄液を石英槽に入
れ、Ｓｉウェーハの洗浄を行う。Ｓｉウェーハは通常弗
化エチレン製のウェーハキャリアに載せ、ＳＣ−１洗浄
液に浸漬して洗浄を行う。この時Ｓｉウェーハを自動搬
送機によりウェーハキャリアなしで洗浄液に浸漬する方
法も実際に行われている。図６ではＮＨ4ＯＨの容量比
が低下するに従って、Ｓｉウェーハ上のパーティクル除
去率が９０％以上になるまでの時間が長くなり、単位時
間当りのパーティクル除去率がＮＨ4ＯＨ濃度の低減に
より低下している。すなわちＮＨ4ＯＨ濃度を低下する
と洗浄効率が低下する。このため、洗浄時間を長くする
必要がある。このことによりスループットの低下が避け
られず、処理時間の増加で稼働効率の低下とコストの増
加が生じる問題点を有していた。
ィクル除去挙動を示す図である。図７において、組成比
はＨ2Ｏで希釈された２９％ＮＨ4ＯＨと３１％Ｈ2Ｏ2と
Ｈ2Ｏの容量比である。ＳＣ−１洗浄液を石英槽に入
れ、Ｓｉウェーハの洗浄を行う。Ｓｉウェーハは通常弗
化エチレン製のウェーハキャリアに載せ、ＳＣ−１洗浄
液に浸漬して洗浄を行う。この時Ｓｉウェーハを自動搬
送機によりウェーハキャリアなしで洗浄液に浸漬する方
法も実際に行われている。図６ではＮＨ4ＯＨの容量比
が低下するに従って、Ｓｉウェーハ上のパーティクル除
去率が９０％以上になるまでの時間が長くなり、単位時
間当りのパーティクル除去率がＮＨ4ＯＨ濃度の低減に
より低下している。すなわちＮＨ4ＯＨ濃度を低下する
と洗浄効率が低下する。このため、洗浄時間を長くする
必要がある。このことによりスループットの低下が避け
られず、処理時間の増加で稼働効率の低下とコストの増
加が生じる問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑み、ＳＣ−１洗浄
液の洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向上とコス
トの低減を実現する半導体装置の洗浄方法を提供するも
のである。
液の洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向上とコス
トの低減を実現する半導体装置の洗浄方法を提供するも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体装置の洗浄方法は、水酸化アンモニ
ウム（ＮＨ4ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と水（Ｈ2
Ｏ）とで構成される洗浄液を、前記洗浄液の温度を６５
〜７５℃の範囲で半導体基板を洗浄する。
めに本発明の半導体装置の洗浄方法は、水酸化アンモニ
ウム（ＮＨ4ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と水（Ｈ2
Ｏ）とで構成される洗浄液を、前記洗浄液の温度を６５
〜７５℃の範囲で半導体基板を洗浄する。
【０００７】また、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成
される洗浄液で、ＮＨ4ＯＨの濃度範囲を０.６〜１.５
重量％とし、Ｈ2Ｏ2の濃度範囲を２.０〜２.５重量％と
し、前記洗浄液の温度を６５〜７５℃の温度範囲で半導
体基板を洗浄する。
される洗浄液で、ＮＨ4ＯＨの濃度範囲を０.６〜１.５
重量％とし、Ｈ2Ｏ2の濃度範囲を２.０〜２.５重量％と
し、前記洗浄液の温度を６５〜７５℃の温度範囲で半導
体基板を洗浄する。
【０００８】さらに、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構
成される洗浄液で、前記洗浄液の温度を６５〜７５℃の
範囲で、ＮＨ4ＯＨの濃度範囲を１.４〜１.６重量％、
Ｈ2Ｏ 2の濃度範囲を２.４〜２.６重量％とし、ＮＨ4Ｏ
Ｈ濃度がＨ2Ｏ2濃度の３／１０以下になる時間まで前記
洗浄液で半導体基板の洗浄に用いる。
成される洗浄液で、前記洗浄液の温度を６５〜７５℃の
範囲で、ＮＨ4ＯＨの濃度範囲を１.４〜１.６重量％、
Ｈ2Ｏ 2の濃度範囲を２.４〜２.６重量％とし、ＮＨ4Ｏ
Ｈ濃度がＨ2Ｏ2濃度の３／１０以下になる時間まで前記
洗浄液で半導体基板の洗浄に用いる。
【０００９】
【作用】本発明は上記したＳＣ−１洗浄液の温度を６５
〜７５℃の温度範囲とすることで、Ｓｉ表面のマイクロ
ラフネスの増大が生じる高いパーティクルの除去効率を
実現し、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2濃度の最適化で薬液の使用
量を削減し、洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向
上とコストの低減を実現するものである。さらにＮＨ4
ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比の関係からＳＣ−１洗浄液の寿命
を決定し、無用な廃液の産出を抑制し、廃液処理を含め
た生産コストの低減を実現するものである。
〜７５℃の温度範囲とすることで、Ｓｉ表面のマイクロ
ラフネスの増大が生じる高いパーティクルの除去効率を
実現し、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2濃度の最適化で薬液の使用
量を削減し、洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向
上とコストの低減を実現するものである。さらにＮＨ4
ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比の関係からＳＣ−１洗浄液の寿命
を決定し、無用な廃液の産出を抑制し、廃液処理を含め
た生産コストの低減を実現するものである。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例の半導体装置の洗浄方法
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の実施例におけるＳＣ−１洗
浄液の各温度におけるパーティクル除去率の経時変化
を、図２は洗浄液の温度とＳｉ表面のマイクロラフネス
との関係を示す図である。ここで図中の組成比はＨ2Ｏ
で希釈された２９％ＮＨ4ＯＨと３１％Ｈ2Ｏ2とＨ2Ｏの
容量比である。図１より、ＳＣ−１洗浄液の温度が７０
℃と８０℃ではパーティクル除去率に変化は見られない
が、６０℃〜５０℃と温度が下がるとパーティクル除去
率９０％に達する時間が長くなり、洗浄時間を長くする
必要性が見られる。パーティクルの除去メカニズムはパ
ーティクル下部の下地がエッチングされることによって
リフトオフされるものと考えられる。下地すなわちＳｉ
のエッチングレートがパーティクル除去に深く関係す
る。７０℃のＳｉのエッチングレートは約０.５ｎｍ／
分であり、少なくともこのエッチングレートではパーテ
ィクルの除去挙動には影響はない。図２に示すようにＳ
Ｃ−１洗浄液の温度が７５℃以下ではマイクロラフネス
の増大は見られない。高い除去効率でかつ表面マイクロ
ラフネスの増大が生じないのは６５〜７５℃の温度範囲
である。以上のように従来実施されていた洗浄液の温度
を６５〜７５℃の温度範囲まで下げることで従来の洗浄
効率を維持したまま、Ｓｉ表面のマイクロラフネスの増
大を抑制することができる。
浄液の各温度におけるパーティクル除去率の経時変化
を、図２は洗浄液の温度とＳｉ表面のマイクロラフネス
との関係を示す図である。ここで図中の組成比はＨ2Ｏ
で希釈された２９％ＮＨ4ＯＨと３１％Ｈ2Ｏ2とＨ2Ｏの
容量比である。図１より、ＳＣ−１洗浄液の温度が７０
℃と８０℃ではパーティクル除去率に変化は見られない
が、６０℃〜５０℃と温度が下がるとパーティクル除去
率９０％に達する時間が長くなり、洗浄時間を長くする
必要性が見られる。パーティクルの除去メカニズムはパ
ーティクル下部の下地がエッチングされることによって
リフトオフされるものと考えられる。下地すなわちＳｉ
のエッチングレートがパーティクル除去に深く関係す
る。７０℃のＳｉのエッチングレートは約０.５ｎｍ／
分であり、少なくともこのエッチングレートではパーテ
ィクルの除去挙動には影響はない。図２に示すようにＳ
Ｃ−１洗浄液の温度が７５℃以下ではマイクロラフネス
の増大は見られない。高い除去効率でかつ表面マイクロ
ラフネスの増大が生じないのは６５〜７５℃の温度範囲
である。以上のように従来実施されていた洗浄液の温度
を６５〜７５℃の温度範囲まで下げることで従来の洗浄
効率を維持したまま、Ｓｉ表面のマイクロラフネスの増
大を抑制することができる。
【００１２】図３にＨ2Ｏの容量比を増加した時のＳＣ
−１洗浄液のパーティクル除去特性を、図４にＳｉエッ
チングレートの経時変化を示す。図３ではＳＣ−１洗浄
液の容量比が１：１：１６まではＨ2Ｏによる希釈でも
Ｓｉエッチングレートの差はなく、１：１：５０ではエ
ッチングレートの低下が生じていることがわかる。容量
比１：１：１６での洗浄開始時のＮＨ4ＯＨ濃度は１.３
〜１.５重量％、Ｈ2Ｏ 2濃度は２.０〜２.２重量％であ
る。ＮＨ4ＯＨ濃度は揮発性が高いこともあり、１次反
応則に従い指数関数的に減少する。約１時間でＮＨ4Ｏ
Ｈ濃度は半減する。ＮＨ4ＯＨはＳｉのエッチングを支
配していることからエッチングレートへの影響が予想さ
れる。
−１洗浄液のパーティクル除去特性を、図４にＳｉエッ
チングレートの経時変化を示す。図３ではＳＣ−１洗浄
液の容量比が１：１：１６まではＨ2Ｏによる希釈でも
Ｓｉエッチングレートの差はなく、１：１：５０ではエ
ッチングレートの低下が生じていることがわかる。容量
比１：１：１６での洗浄開始時のＮＨ4ＯＨ濃度は１.３
〜１.５重量％、Ｈ2Ｏ 2濃度は２.０〜２.２重量％であ
る。ＮＨ4ＯＨ濃度は揮発性が高いこともあり、１次反
応則に従い指数関数的に減少する。約１時間でＮＨ4Ｏ
Ｈ濃度は半減する。ＮＨ4ＯＨはＳｉのエッチングを支
配していることからエッチングレートへの影響が予想さ
れる。
【００１３】図４のＳｉエッチングレートの経時変化は
このＮＨ4ＯＨ濃度の経時変化を反映している。しか
し、１：１：８と１：１：１６では大きな差は見られ
ず、洗浄効率の劣化が生じる事なく１：１：１６までＨ
2Ｏで希釈することが出来る。以上のようにＳＣ−１洗
浄液を１：１：１６までＨ2Ｏで希釈することでパーテ
ィクルの除去効率に影響を与えることなく、薬液使用量
を半減することが可能であり、生産コストを削減するこ
とができる。
このＮＨ4ＯＨ濃度の経時変化を反映している。しか
し、１：１：８と１：１：１６では大きな差は見られ
ず、洗浄効率の劣化が生じる事なく１：１：１６までＨ
2Ｏで希釈することが出来る。以上のようにＳＣ−１洗
浄液を１：１：１６までＨ2Ｏで希釈することでパーテ
ィクルの除去効率に影響を与えることなく、薬液使用量
を半減することが可能であり、生産コストを削減するこ
とができる。
【００１４】図５はＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比とエッ
チングレートとの関係を示したものである。ＮＨ4ＯＨ
とＨ2Ｏ2の容量比が等しい場合は、濃度比は約０.７と
なる。ＳＣ−１洗浄液のＨ2Ｏの容量比がＮＨ4ＯＨとＨ
2Ｏ2の容量比に対して１６以下であれば図５に示す関係
に従う。図６にＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比の経時変化
を示す。ここで容量比は１：１：１６で、温度は７０℃
である。Ｓｉのエッチングレートは濃度比で０.３まで
変化しないことから図６での０.３に達する時間がＳＣ
−１洗浄液の寿命となる。したがって、約１時間が７０
℃でのＳＣ−１洗浄液１：１：１６の寿命である。以上
のようにＳｉ上のパーティクルの除去率に深い関係のあ
るＳｉエッチングレートをＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比
で制御し、この濃度比の経時変化で０.３に達する時間
をＳＣ−１洗浄液の寿命とすることで、無用な薬液の使
用と廃液を削減し、生産コストの削減が実施できる。
チングレートとの関係を示したものである。ＮＨ4ＯＨ
とＨ2Ｏ2の容量比が等しい場合は、濃度比は約０.７と
なる。ＳＣ−１洗浄液のＨ2Ｏの容量比がＮＨ4ＯＨとＨ
2Ｏ2の容量比に対して１６以下であれば図５に示す関係
に従う。図６にＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比の経時変化
を示す。ここで容量比は１：１：１６で、温度は７０℃
である。Ｓｉのエッチングレートは濃度比で０.３まで
変化しないことから図６での０.３に達する時間がＳＣ
−１洗浄液の寿命となる。したがって、約１時間が７０
℃でのＳＣ−１洗浄液１：１：１６の寿命である。以上
のようにＳｉ上のパーティクルの除去率に深い関係のあ
るＳｉエッチングレートをＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の濃度比
で制御し、この濃度比の経時変化で０.３に達する時間
をＳＣ−１洗浄液の寿命とすることで、無用な薬液の使
用と廃液を削減し、生産コストの削減が実施できる。
【００１５】
【発明の効果】本発明はＳＣ−１洗浄液の温度を６５〜
７５℃の温度範囲とすることで、Ｓｉ表面のマイクロラ
フネスの増大が生じる高いパーティクルの除去効率を実
現し、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2濃度の最適化で薬液の使用量
を削減し、洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向上
とコストの低減を実現するものである。さらにＮＨ4Ｏ
ＨとＨ2Ｏ2の濃度比の関係からＳＣ−１洗浄液の寿命を
決定し、無用な廃液の産出を抑制し、洗浄液の使用量と
廃液処理量の削減により生産コストの低減を実現するこ
とができる。
７５℃の温度範囲とすることで、Ｓｉ表面のマイクロラ
フネスの増大が生じる高いパーティクルの除去効率を実
現し、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2濃度の最適化で薬液の使用量
を削減し、洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向上
とコストの低減を実現するものである。さらにＮＨ4Ｏ
ＨとＨ2Ｏ2の濃度比の関係からＳＣ−１洗浄液の寿命を
決定し、無用な廃液の産出を抑制し、洗浄液の使用量と
廃液処理量の削減により生産コストの低減を実現するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例におけるＳＣ−１洗浄液の各温
度におけるパーティクル除去率の経時変化を示す図
度におけるパーティクル除去率の経時変化を示す図
【図２】本発明の実施例におけるＳＣ−１洗浄液の温度
とＳｉ表面のマイクロラフネスとの関係を示す図
とＳｉ表面のマイクロラフネスとの関係を示す図
【図３】Ｈ2Ｏの容量比を増加した時のＳＣ−１洗浄液
のパーティクル除去特性を示す図
のパーティクル除去特性を示す図
【図４】Ｈ2Ｏの容量比を増加した時のＳＣ−１洗浄液
によるＳｉエッチングレートの経時変化を示す図
によるＳｉエッチングレートの経時変化を示す図
【図５】ＳＣ−１洗浄液におけるＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の
濃度比とエッチングレートとの関係を示す図
濃度比とエッチングレートとの関係を示す図
【図６】ＳＣ−１洗浄液におけるＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2の
濃度比の経時変化を示す図
濃度比の経時変化を示す図
【図７】従来のＳＣ−１洗浄液組成のパーティクル除去
挙動を示す図
挙動を示す図
Claims (3)
- 【請求項１】 水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）と過
酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と水（Ｈ2Ｏ）とで構成される洗
浄液を、前記洗浄液の温度を６５〜７５℃の範囲で半導
体基板を洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方
法。 - 【請求項２】 ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成され
る洗浄液で、ＮＨ4ＯＨの濃度範囲を０.６〜１.５重量
％とし、Ｈ2Ｏ2の濃度範囲を２.０〜２.５重量％とし、
前記洗浄液の温度を６５〜７５℃の温度範囲で半導体基
板を洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。 - 【請求項３】 ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成され
る洗浄液で、前記洗浄液の温度を６５〜７５℃の範囲
で、ＮＨ4ＯＨの濃度範囲を１.４〜１.６重量％、Ｈ2Ｏ
2の濃度範囲を２.４〜２.６重量％とし、ＮＨ4ＯＨ濃度
がＨ2Ｏ2濃度の３／１０以下になる時間まで前記洗浄液
で半導体基板の洗浄に用いることを特徴とする半導体装
置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14626694A JPH0817775A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14626694A JPH0817775A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体装置の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817775A true JPH0817775A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15403857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14626694A Pending JPH0817775A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817775A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6153014A (en) * | 1997-08-26 | 2000-11-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of cleaning a silicon wafer using a standard cleaning solution |
| US6171975B1 (en) | 1997-07-29 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Wet-chemical treatment method, treatment method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor device |
| US6392417B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-05-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Arrangement and method for detecting the end of life of an aqueous bath utilized in semiconductor processing |
| KR20030032322A (ko) * | 2001-10-17 | 2003-04-26 | (주)파인블루 | 열가역성 소스, 이것을 포함하는 고온가공 육제품 및이것의 제조 방법 |
| JP5572085B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2014-08-13 | 信越化学工業株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JP2015126067A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
| WO2023032497A1 (ja) * | 2021-09-06 | 2023-03-09 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法、並びに洗浄液中の過酸化水素濃度評価方法および過酸化水素濃度管理方法 |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP14626694A patent/JPH0817775A/ja active Pending
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