JP7193026B1 - 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 - Google Patents
洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7193026B1 JP7193026B1 JP2022079816A JP2022079816A JP7193026B1 JP 7193026 B1 JP7193026 B1 JP 7193026B1 JP 2022079816 A JP2022079816 A JP 2022079816A JP 2022079816 A JP2022079816 A JP 2022079816A JP 7193026 B1 JP7193026 B1 JP 7193026B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- cleaning
- hydrofluoric acid
- concentration
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 156
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 247
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 165
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 41
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 128
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 54
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 26
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 description 14
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 6
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- GKZYHZLACUYHCA-UHFFFAOYSA-N O=[O+][O-].F Chemical compound O=[O+][O-].F GKZYHZLACUYHCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
シリコンウェーハを洗浄するための洗浄液であって、
前記洗浄液はオゾンを含むフッ酸水溶液であり、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度であり、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度は、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たすものである洗浄液を提供する。
前記洗浄液をオゾンを含むフッ酸水溶液とし、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度とし、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度とし、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度を、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たすようにしてシリコンウェーハを洗浄するウェーハの洗浄方法を提供する。
本発明の洗浄液は、オゾンを含むフッ酸水溶液であり、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度であり、かつ、フッ酸濃度とオゾン濃度は、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たす。
本発明の洗浄液中、フッ酸濃度は、フッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上、好ましくは0.004~0.04nm/secとなる濃度である。
本発明の洗浄液中、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度である。このようなオゾン濃度とすれば、ウェーハ表面をほぼ酸化させることがなく、酸化膜を形成させない。特にオゾンの酸化膜形成レートが0.0005~0.005nm/secの条件にてオゾンを低濃度で添加すれば、フッ酸溶液に混合しても、洗浄したシリコンウェーハの表面粗さは悪化せず、パーティクル除去率も低下しない。
本発明では常に酸化膜を形成しないことが重要であるため、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比を1以下にする(従来はこのレート比は1より大きい値となっていた)。さらにこのレート比が0.5以下であれば、ウェーハ面は常にベア面となり、安定する。特に0.1以下の場合には洗浄能力を落とすこと無く、さらにヘイズの悪化も無く処理が可能である。
また本発明では、洗浄液によりシリコンウェーハを洗浄する方法であって、
前記洗浄液をオゾンを含むフッ酸水溶液とし、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度とし、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度とし、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度を、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たすようにしてシリコンウェーハを洗浄するウェーハの洗浄方法を提供する。
研磨後のウェーハを、まずはオゾン水洗浄を行った(図1中の(1))。このオゾン水洗浄はオゾン(25ppm)30秒、1000rpmの条件で実施した。次に、SC1洗浄を実施した(図1中の(2))。SC1の濃度はNH4OH:1、H2O2:1、超純水:10の比率で調整し、温度は80℃で実施した。その後、純水で洗浄した(図1中の(3))。
まず、研磨後のウェーハのオゾン水洗浄をオゾン(25ppm)で実施した(図1中の(1))。その後、SC1(40℃,60sec)で洗浄した(図1中の(2))。SC1の濃度はNH4OH:1、H2O2:1、超純水:10の比率で調整し、温度は80℃で実施した。その後、純水洗浄を実施した(図1中の(3))。
[1]:シリコンウェーハを洗浄するための洗浄液であって、前記洗浄液はオゾンを含
むフッ酸水溶液であり、前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチ
ングレートが0.004nm/sec以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾ
ンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度であり、かつ
、前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度は、(オゾンによる酸化膜形成レート)/
(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関
係を満たすものであることを特徴とする洗浄液。
[2]:前記フッ酸濃度が、0.1%以上1.0%以下であることを特徴とする上記
[1]に記載の洗浄液。
[3]:前記オゾン濃度が、0.5ppm以上2.0ppm以下であることを特徴とする
上記[1]又は上記[2]に記載の洗浄液。
[4]:前記レート比が、0.5以下であることを特徴とする上記[1]、上記[2]、
又は上記[3]に記載の洗浄液。
[5]:前記レート比が、0.1以下であることを特徴とする上記[1]、上記[2]、
上記[3]、又は上記[4]に記載の洗浄液。
[6]:洗浄液によりシリコンウェーハを洗浄する方法であって、前記洗浄液をオゾンを
含むフッ酸水溶液とし、前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチ
ングレートが0.004nm/sec以上となる濃度とし、オゾン濃度はオゾン
による酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度とし、かつ、前
記フッ酸濃度と前記オゾン濃度を、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ
酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満
たすようにしてシリコンウェーハを洗浄することを特徴とするウェーハの洗浄方
法。
[7]:前記フッ酸濃度を、0.1%以上1.0%以下とすることを特徴とする上記
[6]に記載のウェーハの洗浄方法。
[8]:前記オゾン濃度を、0.5ppm以上2.0ppm以下とすることを特徴とする
上記[6]又は上記[7]に記載のウェーハの洗浄方法。
[9]:前記レート比を、0.5以下とすることを特徴とする上記[6]、上記[7]、
又は上記[8]に記載のウェーハの洗浄方法。
[10]:前記レート比を、0.1以下とすることを特徴とする上記[6]、上記[7]
、上記[8]、又は上記[9]に記載のウェーハの洗浄方法。
Claims (10)
- シリコンウェーハを洗浄するための洗浄液であって、
前記洗浄液はオゾンを含むフッ酸水溶液であり、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度であり、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度は、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が0.5以下となる関係を満たすものであることを特徴とする洗浄液。 - 前記フッ酸濃度が、0.1%以上1.0%以下であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄液。
- 前記オゾン濃度が、0.5ppm以上2.0ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄液。
- 前記オゾン濃度が、0.5ppm以上2.0ppm以下であることを特徴とする請求項2に記載の洗浄液。
- 前記レート比が、0.1以下であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄液。
- 洗浄液によりシリコンウェーハを洗浄する方法であって、
前記洗浄液をオゾンを含むフッ酸水溶液とし、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度とし、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度とし、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度を、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が0.5以下となる関係を満たすようにしてシリコンウェーハを洗浄することを特徴とするウェーハの洗浄方法。 - 前記フッ酸濃度を、0.1%以上1.0%以下とすることを特徴とする請求項6に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記オゾン濃度を、0.5ppm以上2.0ppm以下とすることを特徴とする請求項6に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記オゾン濃度を、0.5ppm以上2.0ppm以下とすることを特徴とする請求項7に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記レート比を、0.1以下とすることを特徴とする請求項6に記載のウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022079816A JP7193026B1 (ja) | 2022-05-13 | 2022-05-13 | 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 |
PCT/JP2023/014504 WO2023218828A1 (ja) | 2022-05-13 | 2023-04-10 | 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 |
TW112113552A TW202403029A (zh) | 2022-05-13 | 2023-04-12 | 洗淨液、及晶圓的洗淨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022079816A JP7193026B1 (ja) | 2022-05-13 | 2022-05-13 | 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7193026B1 true JP7193026B1 (ja) | 2022-12-20 |
JP2023168146A JP2023168146A (ja) | 2023-11-24 |
Family
ID=84534623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022079816A Active JP7193026B1 (ja) | 2022-05-13 | 2022-05-13 | 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7193026B1 (ja) |
TW (1) | TW202403029A (ja) |
WO (1) | WO2023218828A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116207186A (zh) * | 2023-03-24 | 2023-06-02 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 太阳电池及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218085A (ja) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Wacker Nsce Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
JP2007042889A (ja) | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Siltronic Ag | シリコンウエーハ表面へのボロン汚染抑制方法 |
JP2008021924A (ja) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Siltronic Ag | シリコンウエハ表面の不純物除去方法 |
JP2021174912A (ja) | 2020-04-28 | 2021-11-01 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3575859B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2004-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理方法及び表面処理装置 |
JPH11307498A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンウェハの洗浄方法、洗浄装置、洗浄されてなるシリコンウェハおよび洗浄されてなる半導体素子 |
-
2022
- 2022-05-13 JP JP2022079816A patent/JP7193026B1/ja active Active
-
2023
- 2023-04-10 WO PCT/JP2023/014504 patent/WO2023218828A1/ja unknown
- 2023-04-12 TW TW112113552A patent/TW202403029A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218085A (ja) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Wacker Nsce Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
JP2007042889A (ja) | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Siltronic Ag | シリコンウエーハ表面へのボロン汚染抑制方法 |
JP2008021924A (ja) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Siltronic Ag | シリコンウエハ表面の不純物除去方法 |
JP2021174912A (ja) | 2020-04-28 | 2021-11-01 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116207186A (zh) * | 2023-03-24 | 2023-06-02 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 太阳电池及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023218828A1 (ja) | 2023-11-16 |
TW202403029A (zh) | 2024-01-16 |
JP2023168146A (ja) | 2023-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2857042B2 (ja) | シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液 | |
JP3046208B2 (ja) | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 | |
EP1737026B1 (en) | Method of surface treating III-V semiconductor compound based substrates and method of manufacturing III-V compound semiconductors | |
JP4221191B2 (ja) | Cmp後洗浄液組成物 | |
KR100629095B1 (ko) | 전자 재료의 세정 방법 | |
TW201235464A (en) | Cleansing liquid and cleansing method | |
JPH08236495A (ja) | 疎水性シリコンウエハの洗浄方法 | |
KR101697659B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정방법 | |
WO2023218828A1 (ja) | 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 | |
JP2020061483A (ja) | 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置および洗浄方法 | |
US5964953A (en) | Post-etching alkaline treatment process | |
WO2013179569A1 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
TWI795547B (zh) | 矽晶圓的洗淨方法 | |
WO2021220590A1 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
JP4817887B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
TWI460782B (zh) | 晶圓表面處理方法 | |
TWI615896B (zh) | 矽晶圓之製造方法 | |
US20040266191A1 (en) | Process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer | |
JP4857738B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
WO2001071788A1 (fr) | Eau pour le stockage de plaquettes de silicium et procede de stockage | |
JP2713787B2 (ja) | 半導体の湿式洗浄方法 | |
KR20090030204A (ko) | 반도체 웨이퍼의 세척 방법 | |
JP3595681B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2001217215A (ja) | 半導体基板の表面処理用組成物および表面処理方法 | |
JP7279753B2 (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220819 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7193026 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |