JPH0815865A - 遠紫外線露光用フォトレジスト組成物およびその使用方法 - Google Patents
遠紫外線露光用フォトレジスト組成物およびその使用方法Info
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- JPH0815865A JPH0815865A JP7128606A JP12860695A JPH0815865A JP H0815865 A JPH0815865 A JP H0815865A JP 7128606 A JP7128606 A JP 7128606A JP 12860695 A JP12860695 A JP 12860695A JP H0815865 A JPH0815865 A JP H0815865A
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- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 改善された感受性および解像度を有する遠紫
外線用放射線感受性レジスト組成物を提供すること。 【構成】 本発明のレジスト組成物は、（ａ）１〜１０
重量％の放射線感受性の酸生成剤と（ｂ）１０〜４０重
量％の置換アンドロスタンと（ｃ）５０〜９０重量％の
共重合体結合剤とを含む放射線感受性レジスト組成物で
ある。このレジスト組成物は、特に１９３ｎｍの波長の
紫外線で露光され、厚さ１ミクロンのレジスト・フィル
ムは、約１５ｍＪ／ｃｍ2未満の放射線量でも十分に像
形成できる程度に露光される。
外線用放射線感受性レジスト組成物を提供すること。 【構成】 本発明のレジスト組成物は、（ａ）１〜１０
重量％の放射線感受性の酸生成剤と（ｂ）１０〜４０重
量％の置換アンドロスタンと（ｃ）５０〜９０重量％の
共重合体結合剤とを含む放射線感受性レジスト組成物で
ある。このレジスト組成物は、特に１９３ｎｍの波長の
紫外線で露光され、厚さ１ミクロンのレジスト・フィル
ムは、約１５ｍＪ／ｃｍ2未満の放射線量でも十分に像
形成できる程度に露光される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路製造に使用す
るための、改良されたリソグラフィ用フォトレジスト組
成物に関する。
るための、改良されたリソグラフィ用フォトレジスト組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】当業界においてリソグラフィ技術を利用
して製造される超小型電子回路デバイスの回路密度を高
めることが望まれている。チップ当たりの組成数を増加
させる一つの方法は、チップ上の最小形状サイズを減少
させることであり、これにはより高いリソグラフィ解像
度が必要とされる。現在使用されている中紫外スペクト
ル領域（例えば、３５０〜４５０ｎｍ）より短波長の放
射線（例えば、遠紫外線、１９０〜３１５ｎｍ）を使用
すると、より高い解像度が得られる可能性がある。しか
しながら遠紫外線の場合は、同じエネルギー量で移動す
る光子の数がより少ないため、同じ望ましい光化学応答
を得るのにより高い露光量を要する。さらに現在のリソ
グラフィ装置は、遠紫外スペクトル領域では出力が非常
に減衰する。
して製造される超小型電子回路デバイスの回路密度を高
めることが望まれている。チップ当たりの組成数を増加
させる一つの方法は、チップ上の最小形状サイズを減少
させることであり、これにはより高いリソグラフィ解像
度が必要とされる。現在使用されている中紫外スペクト
ル領域（例えば、３５０〜４５０ｎｍ）より短波長の放
射線（例えば、遠紫外線、１９０〜３１５ｎｍ）を使用
すると、より高い解像度が得られる可能性がある。しか
しながら遠紫外線の場合は、同じエネルギー量で移動す
る光子の数がより少ないため、同じ望ましい光化学応答
を得るのにより高い露光量を要する。さらに現在のリソ
グラフィ装置は、遠紫外スペクトル領域では出力が非常
に減衰する。
【０００３】市販のリソグラフィ用ポジティブ型放射線
感受性レジスト組成物は、一般に、アルカリ可溶性のフ
ェノール・ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂、および
放射線露光によって分解しインデンカルボン酸を生成す
るｏ−ナフトキノンジアジドを含む。残念ながら、ノボ
ラック樹脂とジアジドは遠紫外線、特により短波長の遠
紫外線（例えば１９３ｎｍ）を強く吸収するため、遠紫
外線用レジストとしてこの組成物は不適当である。
感受性レジスト組成物は、一般に、アルカリ可溶性のフ
ェノール・ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂、および
放射線露光によって分解しインデンカルボン酸を生成す
るｏ−ナフトキノンジアジドを含む。残念ながら、ノボ
ラック樹脂とジアジドは遠紫外線、特により短波長の遠
紫外線（例えば１９３ｎｍ）を強く吸収するため、遠紫
外線用レジストとしてこの組成物は不適当である。
【０００４】ライヒマニス（Reichmanis）等は、論文"A
Novel Approach to O-nitrobenzylPhotochemistry for
Resists"、Journal of Vacuum Science Technology、V
ol.19、No.4、1981年で、（ｉ）メタクリル酸メチルと
メタクリル酸の共重合体と（ｉｉ）コール酸ｏ−ニトロ
ベンジルを含むカルボキシル酸ｏ−ニトロベンジル族の
一物質とを含む２成分遠紫外線レジストを開示した。こ
れらのレジストは一般に遠紫外線透過性であるが、商業
用現況では不適当な高露光量を要する。
Novel Approach to O-nitrobenzylPhotochemistry for
Resists"、Journal of Vacuum Science Technology、V
ol.19、No.4、1981年で、（ｉ）メタクリル酸メチルと
メタクリル酸の共重合体と（ｉｉ）コール酸ｏ−ニトロ
ベンジルを含むカルボキシル酸ｏ−ニトロベンジル族の
一物質とを含む２成分遠紫外線レジストを開示した。こ
れらのレジストは一般に遠紫外線透過性であるが、商業
用現況では不適当な高露光量を要する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、改善された感受性および解像度を有する遠紫外線用
放射線感受性レジスト組成物を提供することである。
は、改善された感受性および解像度を有する遠紫外線用
放射線感受性レジスト組成物を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）放射線
感受性酸生成剤と、（ｂ）置換アンドロスタンと、
（ｃ）（ｉ）アクリル酸、メタクリル酸またはそれらの
混合物と（ｉｉ）メタクリレート、アクリレートまたは
それらの混合物との反応生成物を含む共重合体とを含
む、化学的に増幅された放射線感受性レジスト組成物に
関するもので、共重合体は、酸に不安定な付属基を有す
ることが好ましい。本発明の放射線感受性レジスト組成
物は、改善された遠紫外線感受性を提供する。さらに本
発明は、集積回路製造のためのこのレジスト組成物の使
用にも関する。
感受性酸生成剤と、（ｂ）置換アンドロスタンと、
（ｃ）（ｉ）アクリル酸、メタクリル酸またはそれらの
混合物と（ｉｉ）メタクリレート、アクリレートまたは
それらの混合物との反応生成物を含む共重合体とを含
む、化学的に増幅された放射線感受性レジスト組成物に
関するもので、共重合体は、酸に不安定な付属基を有す
ることが好ましい。本発明の放射線感受性レジスト組成
物は、改善された遠紫外線感受性を提供する。さらに本
発明は、集積回路製造のためのこのレジスト組成物の使
用にも関する。
【０００７】
【実施例】本発明は、（ａ）放射線感受性酸生成剤と、
（ｂ）置換アンドロスタンと、（ｃ）（ｉ）アクリル
酸、メタクリル酸またはそれらの混合物と（ｉｉ）メタ
クリル酸アルキル、アクリル酸アルキルまたはそれらの
混合物との反応生成物を含む共重合体とを含むポジティ
ブ型放射線感受性レジスト組成物に関する。
（ｂ）置換アンドロスタンと、（ｃ）（ｉ）アクリル
酸、メタクリル酸またはそれらの混合物と（ｉｉ）メタ
クリル酸アルキル、アクリル酸アルキルまたはそれらの
混合物との反応生成物を含む共重合体とを含むポジティ
ブ型放射線感受性レジスト組成物に関する。
【０００８】このレジスト組成物中の共重合体は、複数
の単量体の反応生成物である。第一の単量体は、アクリ
ル酸、メタクリル酸またはそれらの混合物から選択され
る。好ましい単量体は、メタクリル酸である。この酸単
量体は、共重合体の溶解促進特性に寄与する。第二の単
量体は、アクリル酸アルキル、メタクリル酸アルキルま
たはそれらの混合物から選択される。これらの単量体の
様々なアルキルエステルが共重合体の合成に使用でき
る。適切なアルキルエステルは、メチル、エチル、ｔ−
ブチル、および脂環式エステルである。
の単量体の反応生成物である。第一の単量体は、アクリ
ル酸、メタクリル酸またはそれらの混合物から選択され
る。好ましい単量体は、メタクリル酸である。この酸単
量体は、共重合体の溶解促進特性に寄与する。第二の単
量体は、アクリル酸アルキル、メタクリル酸アルキルま
たはそれらの混合物から選択される。これらの単量体の
様々なアルキルエステルが共重合体の合成に使用でき
る。適切なアルキルエステルは、メチル、エチル、ｔ−
ブチル、および脂環式エステルである。
【０００９】好ましい共重合体は、１種の酸単量体と３
種のアルキルエステル単量体を含む。この共重合体は、
メチルまたはエチルエステル単量体などの低級アルキル
エステル単量体を含むことが好ましい。またこの共重合
体は酸に不安定なエステル基を有する単量体を含むこと
が好ましい。この単量体は、共重合体骨格に付属する酸
感受性エステル基を提供する。好ましい酸不安定付属基
は、酸の存在下で開裂反応を受ける有機エステル基であ
る。好ましいエステル基は、カルボン酸のｔ−ブチルエ
ステルなどのｔ−アルキルエステルである。ただし、本
発明においては広範囲の酸不安定基が有効であることを
理解されたい。例えば、他の酸感受性基は、エイチ・イ
トウ（H.Ito）等の米国特許第４４９１６２８号、"Posi
tive- and Negative- working Resist Compositions wi
th Acid Generating Photoinitiator and Polymer with
Acid Labile Groups Pendant From Polymer Backbone"
に記載されており、その開示を参照により本明細書に合
体する。本発明を実施する際に有用な好ましい単量体に
は、アクリル酸またはメタクリル酸のｔ−ブチルエステ
ルが含まれる。酸不安定エステル基を有する単量体は、
放射線感受性酸生成剤とあいまって、組成物の放射線感
受性に寄与する。共重合体はまた、エッチング耐性を向
上させる脂環式エステル単量体、飽和エステル置換基
（例えば、アダマンタンメチル、イソボルニル、および
ノルボルニル）を有する同単量体を含むことが好まし
い。
種のアルキルエステル単量体を含む。この共重合体は、
メチルまたはエチルエステル単量体などの低級アルキル
エステル単量体を含むことが好ましい。またこの共重合
体は酸に不安定なエステル基を有する単量体を含むこと
が好ましい。この単量体は、共重合体骨格に付属する酸
感受性エステル基を提供する。好ましい酸不安定付属基
は、酸の存在下で開裂反応を受ける有機エステル基であ
る。好ましいエステル基は、カルボン酸のｔ−ブチルエ
ステルなどのｔ−アルキルエステルである。ただし、本
発明においては広範囲の酸不安定基が有効であることを
理解されたい。例えば、他の酸感受性基は、エイチ・イ
トウ（H.Ito）等の米国特許第４４９１６２８号、"Posi
tive- and Negative- working Resist Compositions wi
th Acid Generating Photoinitiator and Polymer with
Acid Labile Groups Pendant From Polymer Backbone"
に記載されており、その開示を参照により本明細書に合
体する。本発明を実施する際に有用な好ましい単量体に
は、アクリル酸またはメタクリル酸のｔ−ブチルエステ
ルが含まれる。酸不安定エステル基を有する単量体は、
放射線感受性酸生成剤とあいまって、組成物の放射線感
受性に寄与する。共重合体はまた、エッチング耐性を向
上させる脂環式エステル単量体、飽和エステル置換基
（例えば、アダマンタンメチル、イソボルニル、および
ノルボルニル）を有する同単量体を含むことが好まし
い。
【００１０】本発明の共重合体は、一般に、アクリル
酸、メタクリル酸、またはそれらの混合物を約１〜３０
重量％（好ましくは約１０〜２０重量％）含み、メタク
リレート、アクリレート、またはそれらの混合物を約３
５〜６５重量％（好ましくは約５０〜６０重量％）含
み、酸不安定基を有する単量体を約１５〜５０重量％
（好適には約２０〜４０重量％）含む。共重合体におけ
る特定の単量体およびその重量パーセントの選択は、そ
の共重合体に望まれる特性によって変わる。例えば、共
重合体におけるメタクリル酸成分の量を変えることによ
って、組成物中の共重合体量を変えずに、その共重合体
の溶解促進／抑制特性を最適にすることができる。共重
合体の放射線感受性は、メタクリル酸成分および酸不安
定基を有する単量体成分の量を変えることによって、変
えることができる。最後に、ガラス転移温度は、共重合
体中のアクリレート成分およびメタクリル酸成分の量を
変えることによって、ある程度まで変えることができ
る。共重合体は一般に、レジスト組成物の約５０〜９０
重量％を占める。
酸、メタクリル酸、またはそれらの混合物を約１〜３０
重量％（好ましくは約１０〜２０重量％）含み、メタク
リレート、アクリレート、またはそれらの混合物を約３
５〜６５重量％（好ましくは約５０〜６０重量％）含
み、酸不安定基を有する単量体を約１５〜５０重量％
（好適には約２０〜４０重量％）含む。共重合体におけ
る特定の単量体およびその重量パーセントの選択は、そ
の共重合体に望まれる特性によって変わる。例えば、共
重合体におけるメタクリル酸成分の量を変えることによ
って、組成物中の共重合体量を変えずに、その共重合体
の溶解促進／抑制特性を最適にすることができる。共重
合体の放射線感受性は、メタクリル酸成分および酸不安
定基を有する単量体成分の量を変えることによって、変
えることができる。最後に、ガラス転移温度は、共重合
体中のアクリレート成分およびメタクリル酸成分の量を
変えることによって、ある程度まで変えることができ
る。共重合体は一般に、レジスト組成物の約５０〜９０
重量％を占める。
【００１１】共重合体は、当業者に周知の標準フリーラ
ジカル溶液重合化技術によって合成することができる。
適切な共重合体は、アレン（Allen）等の米国特許第５
０４５４３１号および第５０７１７３０号に開示されて
おり、その開示を参照により本明細書に合体する。
ジカル溶液重合化技術によって合成することができる。
適切な共重合体は、アレン（Allen）等の米国特許第５
０４５４３１号および第５０７１７３０号に開示されて
おり、その開示を参照により本明細書に合体する。
【００１２】レジスト組成物の第二のかつ最重要な成分
は、モノ−、ジ−、またはトリ−保護水酸化アンドロス
タン−１７−アルキルカルボキシレートである。保護水
酸基とは、水素が、メチルカルボニルなどの低級（Ｃ
1-4）アルキルカルボニルやトリハロ（フルオロ）メチ
ルカルボニルなどの低級（Ｃ1-4）ハロアルキルカルボ
ニルなどの光不活性置換基で置換された水酸置換基であ
る。適切な光不活性保護水酸置換基は、アセチル基およ
びトリフルオロアセチル基である。アンドロスタンは、
１〜３個の保護水酸置換基を、好ましくは３、７、１２
位に、さらに好ましくは３位に有する。本明細書では、
「アルキルカルボキシレート」という語は、次の化学式
を有するｔ−アルコキシカルボニルアルキルを指す。
は、モノ−、ジ−、またはトリ−保護水酸化アンドロス
タン−１７−アルキルカルボキシレートである。保護水
酸基とは、水素が、メチルカルボニルなどの低級（Ｃ
1-4）アルキルカルボニルやトリハロ（フルオロ）メチ
ルカルボニルなどの低級（Ｃ1-4）ハロアルキルカルボ
ニルなどの光不活性置換基で置換された水酸置換基であ
る。適切な光不活性保護水酸置換基は、アセチル基およ
びトリフルオロアセチル基である。アンドロスタンは、
１〜３個の保護水酸置換基を、好ましくは３、７、１２
位に、さらに好ましくは３位に有する。本明細書では、
「アルキルカルボキシレート」という語は、次の化学式
を有するｔ−アルコキシカルボニルアルキルを指す。
【化１】 上式でＲは低級（Ｃ1-10）の直鎖または分岐鎖アルキ
ル、Ｒ'は低級（Ｃ4-8）のｔ−アルキルである。アルキ
ルカルボン酸エステル置換基は、１７位である。光で生
成した遊離酸が、アルキルカルボン酸エステルの***を
引き起こして遊離酸を生成し、アンドロスタン分子を溶
解抑制剤から溶解促進剤に変える。
ル、Ｒ'は低級（Ｃ4-8）のｔ−アルキルである。アルキ
ルカルボン酸エステル置換基は、１７位である。光で生
成した遊離酸が、アルキルカルボン酸エステルの***を
引き起こして遊離酸を生成し、アンドロスタン分子を溶
解抑制剤から溶解促進剤に変える。
【００１３】本発明の方法で使用するための適切な置換
アンドロスタンは、次の化学式で示される。
アンドロスタンは、次の化学式で示される。
【化２】 上式でＲ1、Ｒ2、およびＲ3は、水素、低級アルキル
（Ｃ1-4）カルボニルオキシ、または低級ハロアルキル
（Ｃ1-4）カルボニルオキシ基であり、Ｒ4はｔ−アルコ
キシカルボニルアルキル、好ましくは低級（Ｃ4-8）ｔ
−アルコキシカルボニル低級（Ｃ1-10）アルキル基であ
る。
（Ｃ1-4）カルボニルオキシ、または低級ハロアルキル
（Ｃ1-4）カルボニルオキシ基であり、Ｒ4はｔ−アルコ
キシカルボニルアルキル、好ましくは低級（Ｃ4-8）ｔ
−アルコキシカルボニル低級（Ｃ1-10）アルキル基であ
る。
【００１４】Ｒ2およびＲ3は水素であることが好まし
く、Ｒ1は低級ハロアルキルカルボニルオキシであるこ
とが好ましいが、低級フルオロアルキルカルボニルオキ
シがさらに好ましく、特に低級パーフルオロアルキルカ
ルボニルオキシが好ましい。
く、Ｒ1は低級ハロアルキルカルボニルオキシであるこ
とが好ましいが、低級フルオロアルキルカルボニルオキ
シがさらに好ましく、特に低級パーフルオロアルキルカ
ルボニルオキシが好ましい。
【００１５】好ましい化合物は、アセチル置換基やフル
オロアセチル置換基などの保護置換基で保護された水酸
基を有するリトコレートである。特に好ましい化合物
は、３−アセチルリトコール酸ｔ−ブチルや３−トリフ
ルオロアセチルリトコール酸ｔ−ブチルなどの（３−ア
ルキルまたはハロアルキルカルボニル）リトコール酸ｔ
−アルキルである。
オロアセチル置換基などの保護置換基で保護された水酸
基を有するリトコレートである。特に好ましい化合物
は、３−アセチルリトコール酸ｔ−ブチルや３−トリフ
ルオロアセチルリトコール酸ｔ−ブチルなどの（３−ア
ルキルまたはハロアルキルカルボニル）リトコール酸ｔ
−アルキルである。
【００１６】レジスト組成物の第三の成分は、光感受性
酸生成剤である。放射線に当てると、この放射線感受性
酸生成剤は強酸を生成する。適切な酸生成剤には、トリ
フレート（例えば、トリフェニルスルホニウムトリフレ
ートやビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリ
フレート）と、ピロガロール（例えば、ピロガロールの
トリメシレート）と、ヘキサフルオロアンチモン酸やヘ
キサフルオロ砒酸やトリフルオロメタンスルホン酸その
他のトリアリルスルホニウム塩やジアリルヨードニウム
塩などのオニウム塩やトリフルオロメタンスルホン酸の
ハイドロキシイミドエステル、α−α'−ビス−スルホ
ニルジアゾメタン、ニトロ置換ベンジルアルコールやナ
フトキノン−４−ジアジドのスルホン酸エステル、およ
びアルキルジスルホンが含まれる。他の適切な光酸生成
剤は、上記アレンの特許およびライヒマニス等の総説論
文（Chemistry of Materials,Vol.3,395ページ、1991
年）に開示されており、それら開示を参照により本明細
書に合体する。
酸生成剤である。放射線に当てると、この放射線感受性
酸生成剤は強酸を生成する。適切な酸生成剤には、トリ
フレート（例えば、トリフェニルスルホニウムトリフレ
ートやビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリ
フレート）と、ピロガロール（例えば、ピロガロールの
トリメシレート）と、ヘキサフルオロアンチモン酸やヘ
キサフルオロ砒酸やトリフルオロメタンスルホン酸その
他のトリアリルスルホニウム塩やジアリルヨードニウム
塩などのオニウム塩やトリフルオロメタンスルホン酸の
ハイドロキシイミドエステル、α−α'−ビス−スルホ
ニルジアゾメタン、ニトロ置換ベンジルアルコールやナ
フトキノン−４−ジアジドのスルホン酸エステル、およ
びアルキルジスルホンが含まれる。他の適切な光酸生成
剤は、上記アレンの特許およびライヒマニス等の総説論
文（Chemistry of Materials,Vol.3,395ページ、1991
年）に開示されており、それら開示を参照により本明細
書に合体する。
【００１７】３成分のレジスト組成物は、酸生成剤を約
１〜１０重量％、置換アンドロスタンを約１０〜４０重
量％、共重合体を約５０〜９０重量％含むことが好まし
く、約１〜５重量％の酸生成剤、約１５〜３０重量％の
置換アンドロスタン、および残量の共重合体を含むこと
がより好ましい。
１〜１０重量％、置換アンドロスタンを約１０〜４０重
量％、共重合体を約５０〜９０重量％含むことが好まし
く、約１〜５重量％の酸生成剤、約１５〜３０重量％の
置換アンドロスタン、および残量の共重合体を含むこと
がより好ましい。
【００１８】本発明はまた、（ａ）本発明のレジスト組
成物を含むフィルムで基板をコーティングする段階と、
（ｂ）フィルムを像に従って放射線に露光する段階と、
（ｃ）像を現像する段階とを含む、基板上にレジスト像
を生成するための方法にも関する。
成物を含むフィルムで基板をコーティングする段階と、
（ｂ）フィルムを像に従って放射線に露光する段階と、
（ｃ）像を現像する段階とを含む、基板上にレジスト像
を生成するための方法にも関する。
【００１９】第一段階は、適当な溶媒に溶解したレジス
ト組成物を含むフィルムで基板をコーティングするもの
である。適当な基板はシリコンから成る。基板上にフィ
ルムを付着する前に、基板の表面を標準的な方法で清浄
化するのが適切である。組成物に適した溶媒としては、
シクロヘキサノンやプロピレングリコールメチルエーテ
ルアセテート（ＰＧＭＥＡ）が含まれる。驚くことに、
フッ素化された保護水酸置換基を有する本発明の組成物
は、当業界で標準の溶媒であるＰＧＭＥＡにおける溶解
性を向上させた。フィルムは、スピン・コーティングや
スプレイ・コーティング、あるいはドクター・ブレーデ
ィングなどの公知の技術を用いて基板上にコーティング
することができる。フィルムを放射線に露光する前に、
フィルムを約１分間という短時間約９０〜１５０℃の高
温に加熱することが好ましい。乾燥フィルムの厚さは約
０．５〜５．０ミクロンであり、約０．６〜１．２ミク
ロンが好ましい。この方法の第二段階では、フィルムを
像に従って放射線に露光する。放射線としては、電子ビ
ームまたは電磁放射線が適切であるが、紫外線またはＸ
線などの電磁放射線が好ましく、約１９０〜２５０ｎｍ
（２４８／２５４ｎｍ）、特に１９３ｎｍの波長の紫外
線照射が好ましい。適切な照射源には、水銀ランプ、水
銀／キセノン・ランプ、キセノン・ランプ、Ｘ線または
電子ビームなどがある。好ましい照射源は、フッ化アル
ゴン（ＡｒＦ）エクサイマまたはフッ化クリプトン（Ｋ
ｒＦ）エクサイマである。好都合なことに、レジスト・
フィルムの放射線感受性の向上によって、レジスト・フ
ィルム（厚さ１ミクロン）は約３５ｍＪ／ｃｍ2未満、
好ましくは約２５ｍＪ／ｃｍ2未満、さらに好ましくは
約２０ｍＪ／ｃｍ2未満、特に約１５ｍＪ／ｃｍ2未満の
放射線で完全に露光される。放射線は、放射線感受性酸
生成剤に吸収され、それが遊離酸を生成してアンドロス
タンエステルの開裂および対応する酸の生成を引き起こ
す。エステルの***でアンドロスタンは溶解抑制剤から
溶解促進剤に変化し、それによって水性塩基中での露光
レジスト組成物の溶解度が増大して、パターンを形成す
る溶解度差が得られる。フィルムを放射線で露光した
後、フィルムを再び約１分間という短時間約９０〜１５
０℃の高温に加熱することが好ましい。
ト組成物を含むフィルムで基板をコーティングするもの
である。適当な基板はシリコンから成る。基板上にフィ
ルムを付着する前に、基板の表面を標準的な方法で清浄
化するのが適切である。組成物に適した溶媒としては、
シクロヘキサノンやプロピレングリコールメチルエーテ
ルアセテート（ＰＧＭＥＡ）が含まれる。驚くことに、
フッ素化された保護水酸置換基を有する本発明の組成物
は、当業界で標準の溶媒であるＰＧＭＥＡにおける溶解
性を向上させた。フィルムは、スピン・コーティングや
スプレイ・コーティング、あるいはドクター・ブレーデ
ィングなどの公知の技術を用いて基板上にコーティング
することができる。フィルムを放射線に露光する前に、
フィルムを約１分間という短時間約９０〜１５０℃の高
温に加熱することが好ましい。乾燥フィルムの厚さは約
０．５〜５．０ミクロンであり、約０．６〜１．２ミク
ロンが好ましい。この方法の第二段階では、フィルムを
像に従って放射線に露光する。放射線としては、電子ビ
ームまたは電磁放射線が適切であるが、紫外線またはＸ
線などの電磁放射線が好ましく、約１９０〜２５０ｎｍ
（２４８／２５４ｎｍ）、特に１９３ｎｍの波長の紫外
線照射が好ましい。適切な照射源には、水銀ランプ、水
銀／キセノン・ランプ、キセノン・ランプ、Ｘ線または
電子ビームなどがある。好ましい照射源は、フッ化アル
ゴン（ＡｒＦ）エクサイマまたはフッ化クリプトン（Ｋ
ｒＦ）エクサイマである。好都合なことに、レジスト・
フィルムの放射線感受性の向上によって、レジスト・フ
ィルム（厚さ１ミクロン）は約３５ｍＪ／ｃｍ2未満、
好ましくは約２５ｍＪ／ｃｍ2未満、さらに好ましくは
約２０ｍＪ／ｃｍ2未満、特に約１５ｍＪ／ｃｍ2未満の
放射線で完全に露光される。放射線は、放射線感受性酸
生成剤に吸収され、それが遊離酸を生成してアンドロス
タンエステルの開裂および対応する酸の生成を引き起こ
す。エステルの***でアンドロスタンは溶解抑制剤から
溶解促進剤に変化し、それによって水性塩基中での露光
レジスト組成物の溶解度が増大して、パターンを形成す
る溶解度差が得られる。フィルムを放射線で露光した
後、フィルムを再び約１分間という短時間約９０〜１５
０℃の高温に加熱することが好ましい。
【００２０】第三段階は、適当な溶媒で像を現像するも
のである。適当な溶媒には水性塩基、好ましくは、水酸
化テトラメチルアンモニウムやコリンなど、金属イオン
を含まない水性塩基が含まれる。本発明のレジスト組成
物は高い放射線感受性を有し、高いコントラストで直立
壁のポジティブ像を提供する。独特なことに、本発明の
組成物の溶解特性は、共重合体の組成またはアンドロス
タンの構造あるいはその両方を変えるだけで、変えるこ
とができる。共重合体および置換アンドロスタンは共
に、遠紫外線中では非常に低い光学密度を有するため、
レジスト組成物は独特なことに、遠紫外線、特に１９３
ｎｍにおける使用に適している。アンドロスタン成分は
また、後続の工程段階でエッチング耐性を大幅に向上さ
せる。
のである。適当な溶媒には水性塩基、好ましくは、水酸
化テトラメチルアンモニウムやコリンなど、金属イオン
を含まない水性塩基が含まれる。本発明のレジスト組成
物は高い放射線感受性を有し、高いコントラストで直立
壁のポジティブ像を提供する。独特なことに、本発明の
組成物の溶解特性は、共重合体の組成またはアンドロス
タンの構造あるいはその両方を変えるだけで、変えるこ
とができる。共重合体および置換アンドロスタンは共
に、遠紫外線中では非常に低い光学密度を有するため、
レジスト組成物は独特なことに、遠紫外線、特に１９３
ｎｍにおける使用に適している。アンドロスタン成分は
また、後続の工程段階でエッチング耐性を大幅に向上さ
せる。
【００２１】本発明の組成物は、集積回路チップ、マル
チチップ・モジュール、回路板などの集積回路アセンブ
リを製造するのに使用できる。この集積回路アセンブリ
は、（ａ）本発明のレジスト組成物を含むフィルムで基
板をコーティングする段階と、（ｂ）フィルムを像に従
って放射線に露光する段階と、（ｃ）像を現像して基板
を露出させる段階と、（ｄ）公知の技術によって基板上
の現像フィルム中に回路を形成する段階とによって基板
上に形成された回路を含む。
チチップ・モジュール、回路板などの集積回路アセンブ
リを製造するのに使用できる。この集積回路アセンブリ
は、（ａ）本発明のレジスト組成物を含むフィルムで基
板をコーティングする段階と、（ｂ）フィルムを像に従
って放射線に露光する段階と、（ｃ）像を現像して基板
を露出させる段階と、（ｄ）公知の技術によって基板上
の現像フィルム中に回路を形成する段階とによって基板
上に形成された回路を含む。
【００２２】基板を露光した後、蒸着、スパッタリン
グ、めっき、化学気相蒸着、レーザ誘導付着など公知の
乾式エッチング技術によって導電性金属などの導電性物
質で基板をコーティングすることにより、露出部分に回
路パターンを形成することができる。フィルム表面を粉
砕して、過剰な導電性物質を除去することができる。誘
電物質もまた、回路作成の工程中に同様の手段によって
付着できる。ｐまたはｎ型にドーピングされた回路トラ
ンジスタを製造するため、工程中にホウ素、リン、ヒ素
などの無機イオンを基板に注入することができる。他の
回路形成手段は、当業者に周知である。
グ、めっき、化学気相蒸着、レーザ誘導付着など公知の
乾式エッチング技術によって導電性金属などの導電性物
質で基板をコーティングすることにより、露出部分に回
路パターンを形成することができる。フィルム表面を粉
砕して、過剰な導電性物質を除去することができる。誘
電物質もまた、回路作成の工程中に同様の手段によって
付着できる。ｐまたはｎ型にドーピングされた回路トラ
ンジスタを製造するため、工程中にホウ素、リン、ヒ素
などの無機イオンを基板に注入することができる。他の
回路形成手段は、当業者に周知である。
【００２３】以下に示す例は、本発明の組成物の調製お
よび使用の方法を詳細に説明したものである。この詳細
な調製は、上述のより一般的に記載した方法の範囲内に
含まれ、それを例示するためのものである。これらの例
は、例示の目的で示したものにすぎず、本発明の範囲を
限定するものではない。
よび使用の方法を詳細に説明したものである。この詳細
な調製は、上述のより一般的に記載した方法の範囲内に
含まれ、それを例示するためのものである。これらの例
は、例示の目的で示したものにすぎず、本発明の範囲を
限定するものではない。
【００２４】例１−レジスト調製の実施 各々１．０重量％の光酸生成剤ビス（ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムトリフレートと、以下の添加成分を有
する、３種のレジスト組成物を調製した。 組成物１：共重合体９９重量％（メタクリル酸メチル５
０％、メタクリル酸ｔ−ブチル２８％、メタクリル酸２
２％） 組成物２：コール酸ｔ−ブチル２５重量％、および共重
合体７４重量％ 組成物３：３−アセチルリトコール酸ｔ−ブチル２５重
量％、および共重合体７４重量％ 組成物４：３−トリフルオロアセチルリトコール酸ｔ−
ブチル２５重量％、および共重合体７４重量％
ル）ヨードニウムトリフレートと、以下の添加成分を有
する、３種のレジスト組成物を調製した。 組成物１：共重合体９９重量％（メタクリル酸メチル５
０％、メタクリル酸ｔ−ブチル２８％、メタクリル酸２
２％） 組成物２：コール酸ｔ−ブチル２５重量％、および共重
合体７４重量％ 組成物３：３−アセチルリトコール酸ｔ−ブチル２５重
量％、および共重合体７４重量％ 組成物４：３−トリフルオロアセチルリトコール酸ｔ−
ブチル２５重量％、および共重合体７４重量％
【００２５】各組成物をシクロヘキサノンに溶解し、シ
リコン基板上に１ミクロンのフィルムとしてスピン・コ
ーティングした。次にフィルムを１１０℃で６０秒間ベ
ークした。その後各フィルムの一部分を２５４ｎｍの放
射線に約２５ｍＪ／ｃｍ2の線量で露光した。そのフィ
ルムを再び１１０℃で６０秒間ベークした。次にフィル
ムを０．１Ｎの水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液
で現像した。溶解速度を測定し次の結果を得た。
リコン基板上に１ミクロンのフィルムとしてスピン・コ
ーティングした。次にフィルムを１１０℃で６０秒間ベ
ークした。その後各フィルムの一部分を２５４ｎｍの放
射線に約２５ｍＪ／ｃｍ2の線量で露光した。そのフィ
ルムを再び１１０℃で６０秒間ベークした。次にフィル
ムを０．１Ｎの水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液
で現像した。溶解速度を測定し次の結果を得た。
【表１】 （溶解速度：Ｒ−露光時；Ｒ0 −非露光時） 組成物 Ｒ（オンク゛ストローム/分） Ｒ0（オンク゛ストローム/分） Ｒ／Ｒ0 １ − − ６．３ ２ ２３ ２．６ ８．８ ３ ２５ ０．５３ ４７．２ ４ ３５ ０．２５ １４０
【００２６】例２ メタクリル酸メチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、および
メタクリル酸を含む水性塩基可溶性メタクリレート重合
体７４％と、３−アセチルリトコール酸ｔ−ブチル２５
％と、ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフ
レート１％とを含むレジスト処方を、シクロヘキサノン
から、清浄化したシリコン・ウェファ上にスピン・コー
ティングした。フィルムを１３０℃で２分間ベークして
乾燥後、レジストを実験用フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エ
クサイマ・ステッパを使用して１９３ｎｍの光に１０ｍ
Ｊ／ｃｍ2で露光させた。露光後フィルムをベークし
（１０４℃／１分間）、水性塩基（０．０１Ｎ ＴＭＡ
Ｈ）中で２０秒間現像した。ほぼ直立の側壁を有する
０．２０ミクロンのフィーチャが作成された。
メタクリル酸を含む水性塩基可溶性メタクリレート重合
体７４％と、３−アセチルリトコール酸ｔ−ブチル２５
％と、ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフ
レート１％とを含むレジスト処方を、シクロヘキサノン
から、清浄化したシリコン・ウェファ上にスピン・コー
ティングした。フィルムを１３０℃で２分間ベークして
乾燥後、レジストを実験用フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エ
クサイマ・ステッパを使用して１９３ｎｍの光に１０ｍ
Ｊ／ｃｍ2で露光させた。露光後フィルムをベークし
（１０４℃／１分間）、水性塩基（０．０１Ｎ ＴＭＡ
Ｈ）中で２０秒間現像した。ほぼ直立の側壁を有する
０．２０ミクロンのフィーチャが作成された。
【００２７】例３ メタクリル酸イソボルニル、メタクリル酸メチル、メタ
クリル酸ｔ−ブチル、およびメタクリル酸を含む水性塩
基可溶性メタクリレート重合体７９％と、トリフルオロ
アセチルリトコール酸ｔ−ブチル２０％と、ビス（ｔ−
ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート１％とを含
むレジスト処方を、プロピレングリコールメチルエーテ
ルアセテートから、清浄化したシリコン・ウェファ上に
スピン・コーティングした。１２５℃で２分間ベークし
て溶媒を除去後、レジストを線量０〜１０ｍＪ／ｃｍ2
の範囲の光（２５０ｎｍ）に露光させた。露光後ベーク
（１２５℃／１分間）の後、フィルムを０．２１Ｎ Ｔ
ＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）中で現像し
た。露光時と非露光時の溶解速度比（Ｒ／Ｒ0）は、Ｒ
が２４μｍ／分で、Ｒ0 が０．１μｍ／分未満であるの
で、非常に高い（＞２４０）。この系のコントラスト
（露光線量に対するフィルムの厚さの勾配）は、１０で
ある。 例４
クリル酸ｔ−ブチル、およびメタクリル酸を含む水性塩
基可溶性メタクリレート重合体７９％と、トリフルオロ
アセチルリトコール酸ｔ−ブチル２０％と、ビス（ｔ−
ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート１％とを含
むレジスト処方を、プロピレングリコールメチルエーテ
ルアセテートから、清浄化したシリコン・ウェファ上に
スピン・コーティングした。１２５℃で２分間ベークし
て溶媒を除去後、レジストを線量０〜１０ｍＪ／ｃｍ2
の範囲の光（２５０ｎｍ）に露光させた。露光後ベーク
（１２５℃／１分間）の後、フィルムを０．２１Ｎ Ｔ
ＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）中で現像し
た。露光時と非露光時の溶解速度比（Ｒ／Ｒ0）は、Ｒ
が２４μｍ／分で、Ｒ0 が０．１μｍ／分未満であるの
で、非常に高い（＞２４０）。この系のコントラスト
（露光線量に対するフィルムの厚さの勾配）は、１０で
ある。 例４
【００２８】メタクリル酸イソボルニル、メタクリル酸
メチル、およびメタクリル酸を含む水性塩基可溶性メタ
クリレート重合体７９％と、トリフルオロアセチルリト
コール酸ｔ−ブチル２０％と、ビス（ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムトリフレート１％とを含むレジスト処
方を、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
から、清浄化したシリコン・ウェファ上にスピン・コー
ティングした。１２５℃で２分間ベークして溶媒を除去
後、レジストを線量０〜１０ｍＪ／ｃｍ2の範囲の光
（２５０ｎｍ）に露光させた。露光後のベーク（１２５
℃／１分間）の後、フィルムを０．１Ｎ ＴＭＡＨで現
像した。露光時と非露光時の溶解速度比（Ｒ／Ｒ0）
は、７０（Ｒ＝５．６μｍ／分、Ｒ0＝０．０８μｍ／
分）である。コントラストは６であった。
メチル、およびメタクリル酸を含む水性塩基可溶性メタ
クリレート重合体７９％と、トリフルオロアセチルリト
コール酸ｔ−ブチル２０％と、ビス（ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムトリフレート１％とを含むレジスト処
方を、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
から、清浄化したシリコン・ウェファ上にスピン・コー
ティングした。１２５℃で２分間ベークして溶媒を除去
後、レジストを線量０〜１０ｍＪ／ｃｍ2の範囲の光
（２５０ｎｍ）に露光させた。露光後のベーク（１２５
℃／１分間）の後、フィルムを０．１Ｎ ＴＭＡＨで現
像した。露光時と非露光時の溶解速度比（Ｒ／Ｒ0）
は、７０（Ｒ＝５．６μｍ／分、Ｒ0＝０．０８μｍ／
分）である。コントラストは６であった。
【００２９】以上、本発明を特定の実施例に関連して説
明してきたが、これらの説明は限定的なものとして解釈
すべきではなく、本発明の趣旨および範囲から逸脱する
ことなしに、種々の実施例、変形、および修正をなし得
ることは明白であり、このような等価な実施例は本発明
の範囲内に含まれるものであることを理解されたい。
明してきたが、これらの説明は限定的なものとして解釈
すべきではなく、本発明の趣旨および範囲から逸脱する
ことなしに、種々の実施例、変形、および修正をなし得
ることは明白であり、このような等価な実施例は本発明
の範囲内に含まれるものであることを理解されたい。
【００３０】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３１】（１）放射線感受性酸生成剤と、１〜３個
の保護された水酸置換基を有するアンドロスタン−１７
−アルキルカルボキシレートと、並びに、（ａ）アクリ
ル酸またはメタクリル酸から選択された単量体、およ
び、（ｂ）メタクリレートまたはアクリレートから選択
された単量体との反応生成物を含む共重合体とを含むレ
ジスト組成物。 （２）保護水酸置換基が、低級アルキルカルボニルオキ
シ基または低級フルオロアルキルカルボニルオキシ基で
あることを特徴とする上記（１）に記載の組成物。 （３）メタクリレートまたはアクリレートが、メチルエ
ステル、エチルエステル、およびｔ−ブチルエステルか
らなる群から選択されるエステルであることを特徴とす
る上記（１）に記載の組成物。 （４）前記共重合体がさらに、（ａ）アクリル酸または
メタクリル酸から選択された単量体と、（ｂ）メタクリ
ル酸メチルもしくはメタクリル酸エチル、またはアクリ
ル酸メチルもしくはアクリル酸エチルから選択された単
量体と、（ｃ）メタクリル酸ｔ−ブチルまたはアクリル
酸ｔ−ブチルから選択された単量体との反応生成物を含
むことを特徴とする上記（２）に記載の組成物。 （５）共重合体がさらに、脂環式メタクリレートまたは
脂環式アクリレートから選択された単量体の反応生成物
を含むことを特徴とする上記（４）に記載の組成物。 （６）アンドロスタンが、低級アルキルカルボニルリト
コール酸ｔ−アルキルまたは低級フルオロアルキルカル
ボニルリトコール酸ｔ−アルキルであることを特徴とす
る上記（４）に記載の組成物。 （７）放射線感受性酸生成剤が、トリフレートであるこ
とを特徴とする上記（６）に記載の組成物。 （８）基板上にレジスト像を生成するための方法であっ
て、（ａ）放射線感受性酸生成剤と、１〜３個の保護水
酸置換基を有するアンドロスタン−１７−アルキルカル
ボキシレートと、（ｉ）アクリル酸またはメタクリル酸
から選択された単量体と（ｉｉ）メタクリレートまたは
アクリレートから選択された単量体との反応生成物を含
む共重合体とを含むフィルムで基板をコーティングする
段階と、（ｂ）フィルムを像に従って放射線に露光させ
る段階と、（ｃ）像を現像して基板を露出させる段階と
を含む方法。 （９）保護水酸置換基が、低級アルキルカルボニルオキ
シ基または低級フルオロアルキルカルボニルオキシ基で
あることを特徴とする上記（８）に記載の方法。 （１０）メタクリレートまたはアクリレートが、メチル
エステル、エチルエステル、およびｔ−ブチルエステル
からなる群から選択されるエステルであることを特徴と
する上記（８）に記載の方法。 （１１）前記共重合体が、（ａ）アクリル酸またはメタ
クリル酸から選択された単量体と、（ｂ）メタクリル酸
メチルもしくはメタクリル酸エチル、またはアクリル酸
メチルまたはアクリル酸エチルから選択された単量体
と、（ｃ）メタクリル酸ｔ−ブチルまたはアクリル酸ｔ
−ブチルから選択された単量体との反応生成物を含むこ
とを特徴とする上記（９）に記載の方法。 （１２）共重合体がさらに、脂環式メタクリレートまた
は脂環式アクリレートから選択された単量体の反応生成
物を含むことを特徴とする上記（１１）に記載の方法。 （１３）放射線が１９０ないし２５０ｎｍの波長の紫外
線であることを特徴とする上記（１１）に記載の方法。 （１４）アンドロスタンが、低級アルキルカルボニルリ
トコール酸ｔ−アルキルまたは低級フルオロアルキルカ
ルボニルリトコール酸ｔ−アルキルであることを特徴と
する上記（１３）に記載の方法。 （１５）放射線感受性酸生成剤が、トリフレートである
ことを特徴とする上記（１３）に記載の方法。
の保護された水酸置換基を有するアンドロスタン−１７
−アルキルカルボキシレートと、並びに、（ａ）アクリ
ル酸またはメタクリル酸から選択された単量体、およ
び、（ｂ）メタクリレートまたはアクリレートから選択
された単量体との反応生成物を含む共重合体とを含むレ
ジスト組成物。 （２）保護水酸置換基が、低級アルキルカルボニルオキ
シ基または低級フルオロアルキルカルボニルオキシ基で
あることを特徴とする上記（１）に記載の組成物。 （３）メタクリレートまたはアクリレートが、メチルエ
ステル、エチルエステル、およびｔ−ブチルエステルか
らなる群から選択されるエステルであることを特徴とす
る上記（１）に記載の組成物。 （４）前記共重合体がさらに、（ａ）アクリル酸または
メタクリル酸から選択された単量体と、（ｂ）メタクリ
ル酸メチルもしくはメタクリル酸エチル、またはアクリ
ル酸メチルもしくはアクリル酸エチルから選択された単
量体と、（ｃ）メタクリル酸ｔ−ブチルまたはアクリル
酸ｔ−ブチルから選択された単量体との反応生成物を含
むことを特徴とする上記（２）に記載の組成物。 （５）共重合体がさらに、脂環式メタクリレートまたは
脂環式アクリレートから選択された単量体の反応生成物
を含むことを特徴とする上記（４）に記載の組成物。 （６）アンドロスタンが、低級アルキルカルボニルリト
コール酸ｔ−アルキルまたは低級フルオロアルキルカル
ボニルリトコール酸ｔ−アルキルであることを特徴とす
る上記（４）に記載の組成物。 （７）放射線感受性酸生成剤が、トリフレートであるこ
とを特徴とする上記（６）に記載の組成物。 （８）基板上にレジスト像を生成するための方法であっ
て、（ａ）放射線感受性酸生成剤と、１〜３個の保護水
酸置換基を有するアンドロスタン−１７−アルキルカル
ボキシレートと、（ｉ）アクリル酸またはメタクリル酸
から選択された単量体と（ｉｉ）メタクリレートまたは
アクリレートから選択された単量体との反応生成物を含
む共重合体とを含むフィルムで基板をコーティングする
段階と、（ｂ）フィルムを像に従って放射線に露光させ
る段階と、（ｃ）像を現像して基板を露出させる段階と
を含む方法。 （９）保護水酸置換基が、低級アルキルカルボニルオキ
シ基または低級フルオロアルキルカルボニルオキシ基で
あることを特徴とする上記（８）に記載の方法。 （１０）メタクリレートまたはアクリレートが、メチル
エステル、エチルエステル、およびｔ−ブチルエステル
からなる群から選択されるエステルであることを特徴と
する上記（８）に記載の方法。 （１１）前記共重合体が、（ａ）アクリル酸またはメタ
クリル酸から選択された単量体と、（ｂ）メタクリル酸
メチルもしくはメタクリル酸エチル、またはアクリル酸
メチルまたはアクリル酸エチルから選択された単量体
と、（ｃ）メタクリル酸ｔ−ブチルまたはアクリル酸ｔ
−ブチルから選択された単量体との反応生成物を含むこ
とを特徴とする上記（９）に記載の方法。 （１２）共重合体がさらに、脂環式メタクリレートまた
は脂環式アクリレートから選択された単量体の反応生成
物を含むことを特徴とする上記（１１）に記載の方法。 （１３）放射線が１９０ないし２５０ｎｍの波長の紫外
線であることを特徴とする上記（１１）に記載の方法。 （１４）アンドロスタンが、低級アルキルカルボニルリ
トコール酸ｔ−アルキルまたは低級フルオロアルキルカ
ルボニルリトコール酸ｔ−アルキルであることを特徴と
する上記（１３）に記載の方法。 （１５）放射線感受性酸生成剤が、トリフレートである
ことを特徴とする上記（１３）に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リチャード・アンソニー・ディピエトロ アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州 サンノゼ マウント・ホリー・ドライブ 6682 (72)発明者 グレゴリー・マイケル・ワルロフ アメリカ合衆国95037 カリフォルニア州 モーガン・ヒル デル・モンテ・アベニュ ー 16925
Claims (15)
- 【請求項１】放射線感受性酸生成剤と、１〜３個の保護
された水酸置換基を有するアンドロスタン−１７−アル
キルカルボキシレートと、並びに、（ａ）アクリル酸ま
たはメタクリル酸から選択された単量体、および、
（ｂ）メタクリレートまたはアクリレートから選択され
た単量体との反応生成物を含む共重合体とを含むレジス
ト組成物。 - 【請求項２】保護水酸置換基が、低級アルキルカルボニ
ルオキシ基または低級フルオロアルキルカルボニルオキ
シ基であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - 【請求項３】メタクリレートまたはアクリレートが、メ
チルエステル、エチルエステル、およびｔ−ブチルエス
テルからなる群から選択されるエステルであることを特
徴とする請求項１に記載の組成物。 - 【請求項４】前記共重合体がさらに、（ａ）アクリル酸
またはメタクリル酸から選択された単量体と、（ｂ）メ
タクリル酸メチルもしくはメタクリル酸エチル、または
アクリル酸メチルもしくはアクリル酸エチルから選択さ
れた単量体と、（ｃ）メタクリル酸ｔ−ブチルまたはア
クリル酸ｔ−ブチルから選択された単量体との反応生成
物を含むことを特徴とする請求項２に記載の組成物。 - 【請求項５】共重合体がさらに、脂環式メタクリレート
または脂環式アクリレートから選択された単量体の反応
生成物を含むことを特徴とする請求項４に記載の組成
物。 - 【請求項６】アンドロスタンが、低級アルキルカルボニ
ルリトコール酸ｔ−アルキルまたは低級フルオロアルキ
ルカルボニルリトコール酸ｔ−アルキルであることを特
徴とする請求項４に記載の組成物。 - 【請求項７】放射線感受性酸生成剤が、トリフレートで
あることを特徴とする請求項６に記載の組成物。 - 【請求項８】基板上にレジスト像を生成するための方法
であって、（ａ）放射線感受性酸生成剤と、１〜３個の
保護水酸置換基を有するアンドロスタン−１７−アルキ
ルカルボキシレートと、（ｉ）アクリル酸またはメタク
リル酸から選択された単量体と（ｉｉ）メタクリレート
またはアクリレートから選択された単量体との反応生成
物を含む共重合体とを含むフィルムで基板をコーティン
グする段階と、（ｂ）フィルムを像に従って放射線に露
光させる段階と、（ｃ）像を現像して基板を露出させる
段階とを含む方法。 - 【請求項９】保護水酸置換基が、低級アルキルカルボニ
ルオキシ基または低級フルオロアルキルカルボニルオキ
シ基であることを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】メタクリレートまたはアクリレートが、
メチルエステル、エチルエステル、およびｔ−ブチルエ
ステルからなる群から選択されるエステルであることを
特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１１】前記共重合体が、（ａ）アクリル酸また
はメタクリル酸から選択された単量体と、（ｂ）メタク
リル酸メチルもしくはメタクリル酸エチル、またはアク
リル酸メチルまたはアクリル酸エチルから選択された単
量体と、（ｃ）メタクリル酸ｔ−ブチルまたはアクリル
酸ｔ−ブチルから選択された単量体との反応生成物を含
むことを特徴とする請求項９に記載の方法。 - 【請求項１２】共重合体がさらに、脂環式メタクリレー
トまたは脂環式アクリレートから選択された単量体の反
応生成物を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方
法。 - 【請求項１３】放射線が１９０ないし２５０ｎｍの波長
の紫外線であることを特徴とする請求項１１に記載の方
法。 - 【請求項１４】アンドロスタンが、低級アルキルカルボ
ニルリトコール酸ｔ−アルキルまたは低級フルオロアル
キルカルボニルリトコール酸ｔ−アルキルであることを
特徴とする請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】放射線感受性酸生成剤が、トリフレート
であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
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