JP2006324403A - 異物除去方法および異物除去装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体基板に粘着材を貼り付けて、半導体基板から粘着材を剥離することで、粘着材の粘着力によって半導体基板に付着した異物を除去する場合、粘着材と半導体基板との接触面にわずかな隙間が生じてしまい、微小な粒径の異物の除去効率が低かった。
【解決手段】 本発明では、粘着材と半導体基板とを貼り合せた上で、粘着材と半導体基板との接触面に振動を与えることで、粘着材を変形させ、接触面に生じたわずかな隙間を埋めるようにしている。従って、半導体基板に付着した異物の除去効率を向上させることが出来る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基材に付着した異物を除去する方法および装置に関する。特に、粘着材を基材に接触させ、粘着材の粘着力によって基材に付着した異物を除去する異物除去方法および異物除去装置に関する。

半導体製造プロセス中の半導体基板に付着する異物は、一般的に、クリーンルームなどの環境、フォトリソグラフィー材料や薬液、化学機械研磨（ＣＭＰ）の研磨用組成物（スラリー）に含まれるダイヤモンドやシリカなどの砥粒、ガスの汚れ、装置内の発塵などがその原因となっている。このような異物は、製品の歩留り、製品の信頼性に大きく影響を与えるため、従来、半導体基板に付着した異物を除去するさまざまな清浄化技術が提案されてきた。

特許文献１には、ウェット洗浄における異物の再付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回避しつつ、従来のＵＶオゾン、Ｏ₂プラズマといったドライ洗浄に比して高い異物除去能力を有する異物の除去方法が開示されている。すなわち、支持フィルム上に粘着材層を設けてなる粘着テープを半導体ウェハに貼り付け、貼り付けた粘着テープを剥離することで、半導体ウェハに付着した異物を粘着材層に吸着させて除去することが開示されている。また、粘着材層を紫外線硬化型の粘着材で構成して、半導体ウェハから粘着テープを剥離する前に、粘着材層に紫外線を照射して、その粘着力を弱め、剥離操作を容易にすることが開示されている。
特開平８−１０７０９８号公報

ところで、粘着材の粘着力を利用して基材に付着した異物を除去する場合、異物と粘着材とが接触しなければ、異物を除去することは出来ない。つまり、異物の除去効率を高めるためには、基材と粘着材とを出来るだけ隙間なく密着させる必要がある。

しかしながら、粘着材を基材の表面に押し付けることで、粘着剤と基材の表面とを接触させるようにしたとしても、粘着材と基材の表面とを完全に密着させることは困難であり、部分的にわずかな隙間が出来てしまうことがある。従って、このような粘着材と基材の表面との隙間に存在し、かつ、このような隙間より小さい粒径の異物を除去することは出来ない。例えば、粒径が０．１乃至０．３μｍである微小な異物の除去効率は低い。一方、近年、半導体製造プロセスの洗浄工程においては、半導体素子などの超精密電子部品の微細化にともなって、このような微小な異物の除去効率を高めることが求められている。

本発明は、このような課題に鑑みなされたものであって、基材に付着した異物の除去効率をより高める異物除去方法および異物除去装置を提供する事を目的とする。

上記目的は、基材に粘着材を接触させる手段と、前記基材と前記粘着材との接触面に振動を与える手段と、前記基材から前記粘着材を剥離する手段と、を備えることを特徴とする異物除去装置により達成される。これにより、粘着材は、その柔軟性によって、粘着材と基材との接触面に生じた隙間に入り込み、その隙間を埋めることができる。従って、粘着材と基材との接触面に生じた隙間に付着した異物が粘着材に接触することができるようになり、異物の除去効率を高めることが可能となる。

本発明によれば、粘着材と基材とを接触させた状態で、その接触面を振動させる。これによって、粘着材は、その柔軟性によって、粘着材と基材との接触面に生じた隙間に入り込み、その隙間を埋めることが出来る。このように、粘着材と基材との接触面に生じる隙間をなくすことができるため、基材に付着した異物が粘着材に接触することが可能となり、異物の除去効率を向上させることが可能となる。

本願発明者らは、粘着材層を設けてなる粘着フィルムを半導体基板に貼り付け、粘着フィルムを剥離することで、半導体基板に付着する異物を粘着材層に吸着させて除去する方法において、微小な粒径の異物の除去効率が低い理由について検討したところ、粘着フィルムを半導体基板に貼り付けた際、粘着フィルムの粘着材層と半導体基板の表面との接触にばらつきがあり、粘着材層と半導体基板の表面とが充分に密着しておらず、これにより、粘着材層と接触できない異物が半導体基板上に残留してしまうためであることを見いだした。

図５は、異物が半導体基板上に残留してしまう仕組みを概念的に示した図である。

図５（ａ）に示すように、粘着材層５０１を半導体ウェハ５０２に対向させ、図５（ｂ）に示すように、粘着材層５０１と半導体ウェハ５０２とが接触するように押し付けて貼り合わせる。すると、図５（ｂ）に示すように、異物５０３及び５０４は、粘着材層５０１と接触するが、異物５０５は、粘着材層５０１と半導体ウェハ５０２との隙間より粒径が小さく、粘着材層５０１と接触することが出来ない。次に、図５（ｃ）に示すように、粘着材層５０１を半導体ウェハ５０２から剥離すると、粘着材層５０１と接触した異物５０３及び５０４は、粘着材層５０１に吸着されることになるが、粘着材層５０１と半導体ウェハ５０２との隙間に存在した異物５０５は、半導体ウェハ５０２上に残留してしまう。つまり、粘着材層と半導体ウェハとが充分に密着していない場合、その隙間に存在し、かつ粘着材層面に接触できないような微小な粒径の異物は、半導体ウェハ上に残留してしまう。

従って、半導体ウェハと粘着材層とをより密着させることができれば、微小な粒径の異物の除去効率を、より高めることができると考えられる。

本発明は上記のような検討に基づいてなされたものであって、粘着材層と半導体基板表面とを押し付けて貼り合せるだけでなく、粘着材層を振動によって柔軟に変形させることで、粘着材層と半導体基板との接触面に生じた隙間を埋めることに主な特徴があるものである。

本発明の第１実施例による異物除去方法および異物除去装置について図１及び図２を用いて説明する。

図１は、本実施例による異物除去装置を示す概略図である。

図１に示す本実施例における異物除去装置は、主として、半導体基板１０１を配置するためのステージ１０２と、半導体基板１０１に付着した異物を吸着するための粘着フィルム１１０を半導体基板１０１に接触させるための筐体１０７とによって構成されている。

ステージ１０２には、半導体基板１０１が配置される定盤１０３と、定盤１０３を振動させる超音波振動子１０４とが設けられており、定盤１０３には、貫通孔が設けられ、定盤１０３の貫通孔に、吸気管１０５を介して吸着用真空ポンプ１０６が接続されている。そして、吸着用真空ポンプ１０６の動作によって、定盤１０３に配置された半導体基板１０１の自由度を制御する。つまり、半導体基板１０１を定盤１０３上に固定する場合、貫通孔を覆うように半導体基板１０１を配置し、吸着用真空ポンプ１０６の動作によって吸気管１０５内を減圧する。そうすると、半導体基板１０１は、貫通孔を通して吸気管１０５に吸着され、定盤１０３上に固定される。また、吸気管１０５内を大気圧に戻せば、半導体基板１０１は解放される。ここで、定盤１０３は、超音波振動子１０４の動作によって、効果的に振動するものであることが望ましい。例えば、厚さが約０．２ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３１６）で定盤１０３を構成する。このように定盤１０３を構成すると、超音波振動子１０４の振動を、効果的に半導体基板１０１と粘着フィルム１１０との接触面に伝達することが可能となる。

筐体１０７には、半導体基板１０１に付着した異物を粘着力によって吸着すると共に、紫外線によって粘着力の変化する粘着フィルム１１０と、粘着フィルム１１０を定盤１０３上に配置された半導体基板１０１に押し付ける際、粘着フィルム１１０を支持するガラス板１０８と、粘着フィルム１１０を半導体基板１０１に押し付けた際、ガラス板１０８と半導体基板１０１にかかる応力を吸収するための弾性体１０９と、粘着フィルム１１０に紫外線を照射するための紫外線ランプ１１１とが設けられている。また、粘着フィルム１１０は、粘着フィルム１１０の構造的な土台となる樹脂製フィルムの基材と、粘着力を有し、紫外線照射によって硬化する性質の粘着材層と、粘着フィルム１１０をロール状に巻き取った際、重なった基材と粘着材層とが接着してしまうことを防止するためのセパレータと、を貼り合わせた３層構造となっている。更に、筐体１０７には、常に未使用の粘着材層を供給するための粘着フィルム１１０を搬送する仕組み、すなわち、ロール状の粘着フィルム１１０を搬送する搬送ローラ１１２と、異物除去後の粘着フィルム１１０を巻き取る巻き取りローラ１１３と、粘着フィルム１１０からセパレータを引き剥がすセパレータ剥離ローラ１１４と、セパレータを巻き取るセパレータ巻き取りローラ１１５と、ガラス板１０８の半導体基板１０１対向面に接するように粘着フィルム１１０を配置する補助ローラ１１６とが設けられている。また、筐体１０７は、ガラス板１０８と定盤１０３の表面とが平行になるように向きを保ちながら、自由に動作することが可能である。すなわち、粘着フィルム１１０の粘着材層を半導体基板１０１に押し付けるように、動作させたり、粘着フィルム１１０の粘着材層が半導体基板１０１から剥離するように、動作させたりすることができる。また、このような筐体１０７の動作に連動して、常に未使用の粘着材層を供給するための粘着フィルム１１０を供給する動作がなされる。尚、本実施例では、紫外線照射によって粘着力の変化する粘着フィルム１１０を用いて説明しているが、活性エネルギーの供給によりその粘着力が変化する特性のものであれば何でも良く、例えば、熱硬化型、Ｘ線硬化型の粘着材層で構成された粘着フィルム１１０を用いても良い。このようにした場合、紫外線ランプ１１１は、それぞれ、粘着材層に熱を伝達する装置や粘着材層にＸ線を照射する装置で構成されることになる。また、本実施例では、ガラス板１０８をガラスとして説明しているが、紫外線を透過させるものであれば材質は何でもよく、紫外線吸収力の少ない材質である方が好ましい。更に、本実施例では、超音波振動子１０４は、ステージ１０２に備え、定盤１０３を振動させるように説明しているが、その本質は粘着材層と半導体素子１０１との接触面を振動させることであり、これに限定するものでもなく、例えば、ガラス板１０８を振動させるように超音波振動子１０４を構成しても良い。このようにした場合、紫外線ランプ１１１による紫外線照射を妨げない位置に超音波振動子１０４を設置する。

本実施例による異物除去装置は、粘着材層と半導体基板表面とを接触させた上で、粘着材層と半導体基板との接触面を振動させている。このような振動によって、粘着材層を柔軟に変形させ、粘着材層と半導体基板との接触面に生じた隙間を埋めるようにし、これによって、半導体基板に付着した異物の除去効率を向上させることに主な特徴があるものである。すなわち、粘着フィルム１１０の粘着材層を半導体基板１０１に押し付けるように筐体１０７を動作させ、粘着材層と半導体基板１０１とが接触した状態で、超音波振動子１０４を振動させる。これによって、粘着材層は、その柔軟性によって、粘着材層と半導体基板１０１との接触面に生じた隙間に入り込み、その隙間を埋めることが出来る。このように、粘着材層と半導体基板１０１の表面との隙間をなくすことができ、それにより、半導体基板１０１の表面に付着した異物が粘着材層に接触することになり、異物の除去効率を向上させることが可能となる。

次に、本実施例による異物除去方法について図１を用いて説明する。

まず、定盤１０３上に半導体基板１０１を配置した後、吸着用真空ポンプ１０６を動作させて、半導体基板１０１を定盤１０３上に固定する。

次に、ガラス板１０８の半導体基板１０１対向面に、未使用の粘着材層が位置するように、巻き取りローラ１１３で粘着フィルム１１０を巻き取る。ここで、この動作に連動して、セパレータ剥離ローラ１１４、及びセパレータ巻き取りローラ１１５は、粘着フィルム１１０からセパレータを剥離させる。このようにして、常に未使用の粘着剤層が、ガラス板１０８の半導体基板１０１対向面に位置されることになる。ここで、本実施例の粘着フィルム１１０は、例えば次のように構成される。粘着フィルム１１０の基材は、ポリオレフィンのフィルムであり、厚さは１００μｍである。また、粘着材層は、紫外線硬化型のアクリル樹脂であり、その厚さは１５０μｍである。更に、セパレータは、ＰＥＴであり、厚さは３０μｍである。また、粘着材層は、２５ｍｍ幅で、シリコンウェハ表面に接着し、これを毎分５０ｍｍの速度で表面に対して垂直に引き上げて剥がす場合、紫外線照射前で１．８Ｎの力が必要であり、高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射した後（１０００ｍＪ／ｃｍ²）で０．０１Ｎの力が必要である。

次に、粘着フィルム１１０の粘着材層を半導体基板１０１に押し付けるように筐体１０７を動作させ、粘着材層と半導体基板１０１とがある程度密着する位置で静止させる。例えば、９．５５ｇｆ／ｃｍ²で粘着フィルム１１０の粘着材層を半導体基板１０１に押し付ける。

次に、超音波振動子１０４を動作させ、半導体基板１０１と粘着材層との接触面に振動を与える。ここで、超音波振動子１０４の動作条件は、例えば、周波数４０ｋＨｚ、出力１００Ｗ、時間１０秒である。

半導体基板１０１と粘着材層との接触面に所定の条件で振動を与えた後、紫外線ランプ１１１を点灯させ、粘着材層に紫外線を照射する。例えば、紫外線ランプ１１１に高圧水銀ランプを用い、１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を１秒間照射する。

粘着材層に紫外線を照射した後、筐体１０７を動作させ、粘着フィルム１１０の粘着材層を半導体基板１０１から剥離させる。

このような手順により、半導体基板１０１に付着していた異物を粘着フィルム１１０の粘着材層に吸着させる。

次に、本実施例で説明した異物除去装置を用いて半導体基板に付着した異物を除去した場合と、本実施例で説明した超音波振動子１０４を動作させずに半導体基板に付着した異物を除去した場合と、における異物の除去数の測定を行った。測定に用いた異物除去装置は既に説明した通りのものであり、超音波振動子１０４を動作させた場合は、上記のように、周波数４０ｋＨｚ、出力１００Ｗ、時間１０秒で動作させるが、超音波振動子１０４を動作させない場合は、この手順をスキップさせた。

まず、幅広い粒度分布を持つシリカ微粒子を超純水中に分散させ、これを８インチシリコンウェハの表面にスピンコートにより塗布し、シリコンウェハ表面にシリカ微粒子を一様に付着させた。そして、シリコンウェハの表面にレーザー光を当てながらスキャンし、表面に付着している異物によって散乱された光を検出することで、異物の位置と大きさを測定する散乱光検出方式のウェハ表面検査装置［（株）トプコン製のＷＭ−２５００］を用いて、シリコンウェハの表面に付着した異物の大きさ、及び数を測定した。

このように異物を付着させたシリコンウェハを２つ準備し、一方を上記の異物除去装置を用いて異物を除去し、他方を上記の異物除去装置の超音波振動子１０４を動作させずに異物を除去した。その後、シリコンウェハの表面に付着した異物の大きさ、及び数を上記のウェハ表面検査装置を用いて夫々測定した。

結果は、図２に示すとおりであった。

図２は、本実施例による異物の粒径毎の除去率を示すものである。

図２（ａ）は、上記の異物除去装置を用いてシリコンウェハに付着した異物を除去した結果を示すものであり、図２（ｂ）は、上記の異物除去装置の超音波振動子１０４を動作させなかった場合における異物の除去結果を示すものであり、図２（ｃ）は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す夫々の除去率を粒径毎に比較するグラフである。

ここで、図２（ａ）、（ｂ）では、異物の粒径毎に、洗浄前の異物の個数、洗浄後の異物の個数に基づいて、除去率を算出している。ここで、洗浄前の異物の個数は、シリコンウェハにシリカ微粒子を塗布した後にウェハ表面検査装置で測定した異物の個数を表わし、洗浄後の異物の個数は、異物除去装置で異物を除去した後にウェハ表面検査装置で測定した異物の個数を表わし、除去率は、洗浄前の異物の個数と洗浄後の異物の個数の比率を表わすものである。

図２に示すように、シリコンウェハと粘着剤層との接触面に振動を加えると、振動を付加しない場合に比して、微小な粒径における異物の除去効率が向上する。

このように、粘着材層と半導体基板とを貼り付けた状態で粘着材層を振動させることによって、異物の除去効率を向上させることが可能となる。これは、振動によって、粘着材層が柔軟に変形し、それによって、粘着材層と半導体基板との接触面に生じた隙間を埋めることができ、半導体基板の表面に付着した異物が粘着材層に接触することが可能となるからであると考えられる。

本発明の第２実施例による異物除去方法および異物除去装置を図３及び図４を用いて説明する。

図３は、本実施例による異物除去装置を示す概略図である。図１に示す第１実施例による異物除去装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施例による異物除去装置は、半導体基板１０１と粘着フィルム１１０の粘着材層とを気圧差を利用して接触させた上で、その接触面に振動を与えることに主な特徴がある。すなわち、図３に示すように、ステージ１０２や筐体１０７は、減圧チャンバー３０１内に設置され、減圧チャンバー３０１には、減圧用真空ポンプ３０２やガスボンベ３０３が接続され、減圧チャンバー３０１の内部を減圧したり加圧したりすることが可能となっている。

本実施例では、まず、減圧チャンバー３０１の内部を減圧用真空ポンプ３０２の動作によって減圧した上で、第１実施例で説明したように、筐体１０７の動作により、半導体基板１０１と粘着フィルム１１０の粘着材層とを接触させる。次に、ガスボンベ３０３から空気あるいは不活性のガスを減圧チャンバー３０１の内部に導入することで、減圧チャンバー３０１内を大気圧に戻す。そうすると、気圧の作用により、粘着フィルム１１０の粘着材層と半導体基板１０１とは、より密着の度合が高まることになる。

このように、半導体基板１０１と粘着材層とを密着させた上で、第１実施例で説明したように、超音波振動子１０４を動作させ、半導体基板１０１と粘着材層との接触面に振動を与える。そして、半導体基板１０１と粘着材層との接触面に振動を与えた後、紫外線ランプ１１１を点灯させ、粘着材層に紫外線を照射し、粘着材層を硬化させた上で、筐体１０７を動作させ、粘着フィルム１１０の粘着材層を半導体基板１０１から剥離させる。

このような手順により、半導体基板１０１に付着していた異物を粘着フィルム１１０の粘着材層に吸着させる。

次に、第１実施例と同様に、本実施例で説明した異物除去装置を用いて半導体基板１０１に付着した異物を除去した場合と、本実施例で説明した超音波振動子１０４を動作させずに半導体基板１０１に付着した異物を除去した場合と、における異物の除去効率の測定実験を行った。実験に用いた異物除去装置は既に説明した通りのものであり、超音波振動子１０４を動作させた場合は、第１実施例と同様に、周波数４０ｋＨｚ、出力１００Ｗ、時間１０秒で動作させるが、超音波振動子１０４を動作させない場合は、この手順をスキップさせた。尚、本実施例では、減圧用真空ポンプ３０２の動作によって、減圧チャンバー３０１の内部を約１ｋＰａまで減圧した後、大気圧（約１０１ｋＰａ）に戻した。

まず、第１実施例と同様に、幅広い粒度分布を持つシリカ微粒子を超純水中に分散させ、これを８インチシリコンウェハの表面にスピンコートにより塗布し、シリコンウェハ表面にシリカ微粒子を一様に付着させた。そして、第１実施例と同様の散乱光検出方式のウェハ表面検査装置を用いて、シリコンウェハの表面に付着した異物の大きさ、及び数を測定した。

このように異物を付着させたシリコンウェハを２つ準備し、一方を本実施例の異物除去装置を用いて異物を除去し、他方を本実施例の異物除去装置の超音波振動子１０４を動作させずに異物を除去した。その後、シリコンウェハの表面に付着した異物の大きさ、及び数を上記のウェハ表面検査装置を用いて夫々測定した。

結果は、図４に示すとおりであった。

図４は、本実施例による異物の粒径毎の除去率を示すものである。

図４（ａ）は、上記の異物除去装置を用いてシリコンウェハに付着した異物を除去した結果を示すものであり、図４（ｂ）は、上記の異物除去装置の超音波振動子１０４を動作させなかった場合における異物の除去結果を示すものであり、図４（ｃ）は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す夫々の除去率を粒径毎に比較するグラフである。

ここで、図４（ａ）、（ｂ）では、異物の粒径毎に、洗浄前の異物の個数、洗浄後の異物の個数に基づいて、除去率を算出している。ここで、洗浄前の異物の個数は、シリコンウェハにシリカ微粒子を塗布した後にウェハ表面検査装置で測定した異物の個数を表わし、洗浄後の異物の個数は、異物除去装置で異物を除去した後にウェハ表面検査装置で測定した異物の個数を表わし、除去率は、洗浄前の異物の個数と洗浄後の異物の個数の比率を表わすものである。

図４に示すように、シリコンウェハと粘着剤層との界面に振動を加えると、振動を付加しない場合に比して、微小な粒径における異物の除去効率が向上する。また、第１実施例の結果と比べても、微小な粒径における異物の除去効率が向上する。

このように、粘着材層と半導体基板とを気圧の作用を用いて接触させた状態で、粘着材層と半導体基板との接触面を振動させることによって、異物の除去効率を向上させることが可能となる。また、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程などの研磨などによって、一定の圧力で半導体基板の表面に異物が押し付けられた場合、スラリーの砥粒が半導体基板の表面に非常に強固に付着してしまう。このような異物は、除去効率の低下の原因となるが、本実施例の異物除去装置では、半導体基板の表面に強固に付着した異物でも、振動によって半導体基板の表面から剥離させることができる。従って、半導体基板の表面に強固に付着した異物の除去効率も向上させることができる。

以上の実施例１及び実施例２を含む実施例に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 基材に粘着材を接触させる手段と、
前記基材と前記粘着材との接触面に振動を与える手段と、
前記基材から前記粘着材を剥離する手段と、
を備えることを特徴とする異物除去装置。（１）
（付記２） 前記粘着材に活性エネルギーを供給する手段を備えたことを特徴とする付記１記載の異物除去装置。（２）
（付記３） 前記活性エネルギーは、紫外線であることを特徴とする付記２記載の異物除去装置。
（付記４） 前記基材の周囲の気圧を減圧する手段を備えたことを特徴とする付記１乃至付記３記載の異物除去装置。（３）
（付記５） 前記粘着材を搬送する手段を備えたことを特徴とする付記１乃至付記４記載の異物除去装置。
（付記６） 基材に粘着材を接触させる工程と、前記基材と前記粘着材との接触面に振動を与える工程と、前記基材から前記粘着材を剥離する工程と、を順次行うことを特徴とする異物除去方法。（４）
（付記７） 前記粘着材を剥離する前に、前記粘着材に活性エネルギーを供給することを特徴とする付記６記載の異物除去方法。
（付記８） 前記基材に粘着材を接触させる工程は、気圧差を利用する工程を含むことを特徴とする付記６または７記載の異物除去方法。（５）
（付記９） 前記気圧差を利用する工程は、前記基材の周囲の気圧を減圧した後に、前記基材と前記粘着材とを接触させ、更に、前記基材の周囲の気圧を大気圧まで加圧する工程を含むことを特徴とする付記８記載の異物除去方法。
（付記１０） 前記基材に粘着材を接触させる前に、前記粘着材を搬送することを特徴とする付記６乃至付記９記載の異物除去方法。

本発明の第１実施例による異物除去装置を示す概略図である。 本発明の第１実施例による異物の粒径毎の除去率を示す図である。 本発明の第２実施例による異物除去装置を示す概略図である。 本発明の第２実施例による異物の粒径毎の除去率を示す図である。 異物が半導体基板上に残留してしまう仕組みを概念的に示した図である。

符号の説明

１０１ 半導体基板
１０２ ステージ
１０３ 定盤
１０４ 超音波振動子
１０５ 吸気管
１０６ 吸着用真空ポンプ
１０７ 筐体
１０８ ガラス板
１０９ 弾性体
１１０ 粘着フィルム
１１１ 紫外線ランプ
１１２ 搬送ローラ
１１３ 巻き取りローラ
１１４ セパレータ剥離ローラ
１１５ セパレータ巻き取りローラ
１１６ 補助ローラ
３０１ 減圧チャンバー
３０２ 減圧用真空ポンプ
３０３ ガスボンベ
５０１ 粘着材層
５０２ 半導体基板
５０３ 異物
５０４ 異物
５０５ 異物

Claims (5)

1. 基材に粘着材を接触させる手段と、
   前記基材と前記粘着材との接触面に振動を与える手段と、
   前記基材から前記粘着材を剥離する手段と、
   を備えることを特徴とする異物除去装置。
2. 前記粘着材に活性エネルギーを供給する手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の異物除去装置。
3. 前記基材の周囲の気圧を減圧する手段を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の異物除去装置。
4. 基材に粘着材を接触させる工程と、前記基材と前記粘着材との接触面に振動を与える工程と、前記基材から前記粘着材を剥離する工程と、を順次行うことを特徴とする異物除去方法。
5. 前記基材に粘着材を接触させる工程は、気圧差を利用して行うことを特徴とする請求項４記載の異物除去方法。
   

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