JPH08146404A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH08146404A JPH08146404A JP28528294A JP28528294A JPH08146404A JP H08146404 A JPH08146404 A JP H08146404A JP 28528294 A JP28528294 A JP 28528294A JP 28528294 A JP28528294 A JP 28528294A JP H08146404 A JPH08146404 A JP H08146404A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 カラーフィルタ基板にブラックマトリクスが
形成された場合の開口率の低下と、ＴＦＴ基板にブラッ
クマトリクスが形成された場合の製造プロセスの複雑化
の影響等を回避した液晶表示装置およびその製造方法を
提供する。 【構成】 ＴＦＴ基板３の裏面に感光性樹脂２７をスピ
ンナーで塗布する。続いてＴＦＴ基板３上部より紫外線
光を照射し、トランジスタ５や蓄積容量６をマスクとし
て用いることにより、セルフアライン方式で画素部分２
５の感光性樹脂２７の透過率を向上（感光）させる。 【効果】 本発明の液晶表示装置およびその製造方法に
よれば、液晶表示装置の製造プロセスが簡略化され、ま
たセルフアライン方式のためフォトリソグラフィの合わ
せ猶予部分が不要となり、開口率の向上を図ることがで
きる。
形成された場合の開口率の低下と、ＴＦＴ基板にブラッ
クマトリクスが形成された場合の製造プロセスの複雑化
の影響等を回避した液晶表示装置およびその製造方法を
提供する。 【構成】 ＴＦＴ基板３の裏面に感光性樹脂２７をスピ
ンナーで塗布する。続いてＴＦＴ基板３上部より紫外線
光を照射し、トランジスタ５や蓄積容量６をマスクとし
て用いることにより、セルフアライン方式で画素部分２
５の感光性樹脂２７の透過率を向上（感光）させる。 【効果】 本発明の液晶表示装置およびその製造方法に
よれば、液晶表示装置の製造プロセスが簡略化され、ま
たセルフアライン方式のためフォトリソグラフィの合わ
せ猶予部分が不要となり、開口率の向上を図ることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばカメラ一体型Ｖ
ＴＲや液晶プロジエクター等に用いられる液晶表示装置
およびその製造方法に関し、更に詳しくは、ブラックマ
トリクスの形成方法を改良した液晶表示装置およびその
製造方法に関するものである。
ＴＲや液晶プロジエクター等に用いられる液晶表示装置
およびその製造方法に関し、更に詳しくは、ブラックマ
トリクスの形成方法を改良した液晶表示装置およびその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、カメラ一体型ＶＴＲや液晶プロジ
ェクターに代表される液晶表示装置付機器の普及ととも
に、液晶表示装置への高性能化の要求が高まり、液晶表
示装置の高精細化や高輝度化への取組みが進行してい
る。本発明はこの高精細化や高輝度化に関連のある開口
率を向上するブラックマトリクスの形成方法に係わるも
のであり、その構成例を示して説明する。
ェクターに代表される液晶表示装置付機器の普及ととも
に、液晶表示装置への高性能化の要求が高まり、液晶表
示装置の高精細化や高輝度化への取組みが進行してい
る。本発明はこの高精細化や高輝度化に関連のある開口
率を向上するブラックマトリクスの形成方法に係わるも
のであり、その構成例を示して説明する。
【０００３】従来技術の液晶表示装置およびその製造方
法を図３を参照して説明する。
法を図３を参照して説明する。
【０００４】初めに、従来技術の液晶表示装置の第１例
としてＴＦＴ基板上にブラックマトリクスが形成された
例を図３（ａ）を参照して説明する。図３（ａ）におい
て、符号１は従来技術の液晶表示装置を指す。前記従来
技術の液晶表示装置１はカラーフィルタが形成されたカ
ラーフィルタ基板２、各画素制御用の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ:Thin Film Transistor 以下、単に「トランジ
スタ」と記す）５が形成されたＴＦＴ基板３で大略構成
される。
としてＴＦＴ基板上にブラックマトリクスが形成された
例を図３（ａ）を参照して説明する。図３（ａ）におい
て、符号１は従来技術の液晶表示装置を指す。前記従来
技術の液晶表示装置１はカラーフィルタが形成されたカ
ラーフィルタ基板２、各画素制御用の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ:Thin Film Transistor 以下、単に「トランジ
スタ」と記す）５が形成されたＴＦＴ基板３で大略構成
される。
【０００５】前記ＴＦＴ基板３は、詳細は後述するが一
枚のガラス基板４上にフォトリソグラフィ技術によりト
ランジスタ５や、補助容量として印加された電荷蓄積の
用途に供する蓄積容量６を形成した後に、絶縁膜である
１ＰＳＧ膜１１や２ＰＳＧ膜１２を形成する。その上に
プラズマＣＶＤ等により保護膜であるＰ−ＳｉＮ１３を
成膜し、引き続いてマスクを用いてエッチング処理され
る。更に、遮光層となるブラックマトリクス１４をチタ
ンＴｉやタングステンＷ等をデポジションした後、フォ
トリソグラフィ技術によりパターンニングして形成す
る。その後、平坦化膜１５や、対向電極とともに電荷を
印加するためのＩＴＯ膜(Indium-Tin Oxide)７を形成し
てＴＦＴ基板３は構成される。また、前記カラーフィル
タ基板２には、後述するブラックマトリクスは厳密には
設けられず、ガラス基板の画素仕切り部分に赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ９を、染色法、染
料分散法、顔料分散法、印刷法または電着法等を用いて
形成する。更に、対向電極にはＩＴＯ膜７が、配向膜
（図示省略）にはポリイミド膜が一般的に用いられてい
る。
枚のガラス基板４上にフォトリソグラフィ技術によりト
ランジスタ５や、補助容量として印加された電荷蓄積の
用途に供する蓄積容量６を形成した後に、絶縁膜である
１ＰＳＧ膜１１や２ＰＳＧ膜１２を形成する。その上に
プラズマＣＶＤ等により保護膜であるＰ−ＳｉＮ１３を
成膜し、引き続いてマスクを用いてエッチング処理され
る。更に、遮光層となるブラックマトリクス１４をチタ
ンＴｉやタングステンＷ等をデポジションした後、フォ
トリソグラフィ技術によりパターンニングして形成す
る。その後、平坦化膜１５や、対向電極とともに電荷を
印加するためのＩＴＯ膜(Indium-Tin Oxide)７を形成し
てＴＦＴ基板３は構成される。また、前記カラーフィル
タ基板２には、後述するブラックマトリクスは厳密には
設けられず、ガラス基板の画素仕切り部分に赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ９を、染色法、染
料分散法、顔料分散法、印刷法または電着法等を用いて
形成する。更に、対向電極にはＩＴＯ膜７が、配向膜
（図示省略）にはポリイミド膜が一般的に用いられてい
る。
【０００６】前記カラーフィルタ基板２とＴＦＴ基板３
は所定の間隔（数μｍ）を保持して対向配置され、これ
らの間隙に液晶組成物１０を挟持させるとともに、その
周囲をシール材（図示省略）で封止固定する。更に、こ
れら基板の両面に偏光板を一体に積層することにより従
来技術の液晶表示装置１は構成されている。そして、従
来技術の液晶表示装置１のトランジスタ５は外部ＩＣ
（図示省略）から各画素の映像レベルに応じて入力され
る映像信号を液晶組成物１０である液晶分子に供給す
る。この液晶分子に供給された映像信号電圧で液晶分子
を電圧方向に捩じれて倒立させ、この液晶分子による旋
光性を利用して従来技術の液晶表示装置１の映像表示が
成される。
は所定の間隔（数μｍ）を保持して対向配置され、これ
らの間隙に液晶組成物１０を挟持させるとともに、その
周囲をシール材（図示省略）で封止固定する。更に、こ
れら基板の両面に偏光板を一体に積層することにより従
来技術の液晶表示装置１は構成されている。そして、従
来技術の液晶表示装置１のトランジスタ５は外部ＩＣ
（図示省略）から各画素の映像レベルに応じて入力され
る映像信号を液晶組成物１０である液晶分子に供給す
る。この液晶分子に供給された映像信号電圧で液晶分子
を電圧方向に捩じれて倒立させ、この液晶分子による旋
光性を利用して従来技術の液晶表示装置１の映像表示が
成される。
【０００７】次に、従来技術の液晶表示装置の第２例と
してカラーフィルタ基板上にブラックマトリクスが形成
された例を図３（ｂ）を参照して説明する。図３（ｂ）
において、カラーフィルタ基板２には、ガラス基板の画
素仕切り部分に遮光等を目的としたブラックマトリクス
８が設けられる。このブラックマトリクス８はスパッタ
リング法により形成したＣｒ膜をパターンエッチングす
る方法や、黒色染料を塗布して形成した薄膜を露光して
パターニングする方法等により形成される。前記ブラッ
クマトリクス８によって区分けされた画素部分にはカラ
ーフィルタ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）９が、従来技術の液晶表示装
置の第１例と同様の方法で形成される。更に、対向電極
にはＩＴＯ膜７が、配向膜（図示省略）にはポリイミド
膜が用いられて構成される。
してカラーフィルタ基板上にブラックマトリクスが形成
された例を図３（ｂ）を参照して説明する。図３（ｂ）
において、カラーフィルタ基板２には、ガラス基板の画
素仕切り部分に遮光等を目的としたブラックマトリクス
８が設けられる。このブラックマトリクス８はスパッタ
リング法により形成したＣｒ膜をパターンエッチングす
る方法や、黒色染料を塗布して形成した薄膜を露光して
パターニングする方法等により形成される。前記ブラッ
クマトリクス８によって区分けされた画素部分にはカラ
ーフィルタ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）９が、従来技術の液晶表示装
置の第１例と同様の方法で形成される。更に、対向電極
にはＩＴＯ膜７が、配向膜（図示省略）にはポリイミド
膜が用いられて構成される。
【０００８】同図（ｂ）におけるＴＦＴ基板３′は、従
来技術の液晶表示装置の第１例と同様の構成及び動作で
あるため、同一参照符号を付してその説明を省略する。
来技術の液晶表示装置の第１例と同様の構成及び動作で
あるため、同一参照符号を付してその説明を省略する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
従来技術の液晶表示装置の第１例においては、ＴＦＴ基
板と対向するカラーフィルタ基板にブラックマトリクス
を設けるためＴＦＴ基板との貼り合わせ精度が問題とな
る。つまり、予め貼り合わせずれを考慮して大きめのブ
ラックマトリクスを形成する必要があるため画素開口率
が低下するという問題点がある。また、従来技術の液晶
表示装置の第２例においては、ブラックマトリクスをＴ
ＦＴ基板上に例えばチタン等で成膜し、更にフォトリソ
グラフィ技術を用いて形成するため、製造プロセスやＴ
ＦＴ基板の構造が複雑になり製造コストが上昇するとい
う問題点がある。更に、マスクを用いたパターンニング
形成工程が必要なため、その貼り合わせ精度に限界があ
るという問題点がある。
従来技術の液晶表示装置の第１例においては、ＴＦＴ基
板と対向するカラーフィルタ基板にブラックマトリクス
を設けるためＴＦＴ基板との貼り合わせ精度が問題とな
る。つまり、予め貼り合わせずれを考慮して大きめのブ
ラックマトリクスを形成する必要があるため画素開口率
が低下するという問題点がある。また、従来技術の液晶
表示装置の第２例においては、ブラックマトリクスをＴ
ＦＴ基板上に例えばチタン等で成膜し、更にフォトリソ
グラフィ技術を用いて形成するため、製造プロセスやＴ
ＦＴ基板の構造が複雑になり製造コストが上昇するとい
う問題点がある。更に、マスクを用いたパターンニング
形成工程が必要なため、その貼り合わせ精度に限界があ
るという問題点がある。
【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、カラーフィルタ基板にブラックマトリクスが形成さ
れた場合の画素開口率の低下と、ＴＦＴ基板にブラック
マトリクスが形成された場合の製造プロセスの複雑化の
影響を回避した液晶表示装置およびその製造方法を提供
しようとするものである。
で、カラーフィルタ基板にブラックマトリクスが形成さ
れた場合の画素開口率の低下と、ＴＦＴ基板にブラック
マトリクスが形成された場合の製造プロセスの複雑化の
影響を回避した液晶表示装置およびその製造方法を提供
しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明の液晶表示装置およびその製造方法では、複
数のＴＦＴをマトリクス状に配列してなるＴＦＴ基板
と、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタが形成されたカラーフ
ィルタ基板と、これらの基板にブラックマトリクスを設
けた液晶表示装置の製造方法であり、ブラックマトリク
ス形成工程と熱処理工程とを備えた。そして、このＴＦ
Ｔ基板の特に裏面に感光性樹脂を使用して熱硬化、ＵＶ
硬化、ＥＢ硬化の少なくとも一つで硬化してブラックマ
トリクスを形成することとした。また、このブラックマ
トリクスの形成方法をＴＦＴ基板のＴＦＴを用いたセル
フアラインで行うことで前記課題を解決した。
めに本発明の液晶表示装置およびその製造方法では、複
数のＴＦＴをマトリクス状に配列してなるＴＦＴ基板
と、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタが形成されたカラーフ
ィルタ基板と、これらの基板にブラックマトリクスを設
けた液晶表示装置の製造方法であり、ブラックマトリク
ス形成工程と熱処理工程とを備えた。そして、このＴＦ
Ｔ基板の特に裏面に感光性樹脂を使用して熱硬化、ＵＶ
硬化、ＥＢ硬化の少なくとも一つで硬化してブラックマ
トリクスを形成することとした。また、このブラックマ
トリクスの形成方法をＴＦＴ基板のＴＦＴを用いたセル
フアラインで行うことで前記課題を解決した。
【００１２】また、液晶表示装置を前述のような液晶表
示装置の製造方法において製造することで前記課題を解
決した。
示装置の製造方法において製造することで前記課題を解
決した。
【００１３】
【作用】本発明の液晶表示装置およびその製造方法であ
って、ＴＦＴ基板の特に裏面にブラックマトリクスを形
成し、このブラックマトリクスに感光性樹脂を使用し、
熱硬化、ＵＶ硬化、ＥＢ硬化の少なくとも一つで硬化す
ることとした。また、このブラックマトリクスの形成方
法をトランジスタ部や蓄積容量部を用いたセルフアライ
ン方式で行うようにしたため、製造プロセスの簡略化や
製造コストの低減を図ることができる。
って、ＴＦＴ基板の特に裏面にブラックマトリクスを形
成し、このブラックマトリクスに感光性樹脂を使用し、
熱硬化、ＵＶ硬化、ＥＢ硬化の少なくとも一つで硬化す
ることとした。また、このブラックマトリクスの形成方
法をトランジスタ部や蓄積容量部を用いたセルフアライ
ン方式で行うようにしたため、製造プロセスの簡略化や
製造コストの低減を図ることができる。
【００１４】特に、液晶表示装置は前述のような液晶表
示装置の製造方法において製造することで開口率を向上
することができる。
示装置の製造方法において製造することで開口率を向上
することができる。
【００１５】
【実施例】以下、図１及び図２を参照して本発明の液晶
表示装置およびその製造方法の実施例を説明する。な
お、従来技術の液晶表示装置と同一の部分には同一の参
照符号を付し、それらの構成や動作の説明を省略する。
表示装置およびその製造方法の実施例を説明する。な
お、従来技術の液晶表示装置と同一の部分には同一の参
照符号を付し、それらの構成や動作の説明を省略する。
【００１６】初めに、図１を参照して本発明の液晶表示
装置の製造方法を説明する。図１は本発明の液晶表示装
置およびその製造方法の前半プロセスを説明するための
工程断面図である。
装置の製造方法を説明する。図１は本発明の液晶表示装
置およびその製造方法の前半プロセスを説明するための
工程断面図である。
【００１７】先ず、洗浄した石英ガラス(Quartz)等より
成るガラス基板４上にＬＰ−ＣＶＤ（減圧化学的気相成
長法）等により、半導体層となる第１の多結晶Ｓｉであ
る１ＰＯＬＹ２０を成膜し、熱処理等により結晶粒を成
長させる（図１（ａ））。
成るガラス基板４上にＬＰ−ＣＶＤ（減圧化学的気相成
長法）等により、半導体層となる第１の多結晶Ｓｉであ
る１ＰＯＬＹ２０を成膜し、熱処理等により結晶粒を成
長させる（図１（ａ））。
【００１８】これを写真処理技術によりトランジスタ
（ソース電極、ドレイン電極）や蓄積容量となる部分を
残してパターニングした後、全面にｐ型不純物Ｂ等を低
濃度イオン注入する。更に１ＰＯＬＹ２０の表面を酸化
したことにより絶縁膜となるＳｉＯ2 膜２１を形成す
る。次に、トランジスタ（ゲート電極）及び蓄積容量の
上部電極となる多結晶Ｓｉ膜をデポジションし、更にフ
ォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。パタ
ーニング後イオンインプラ技術によりトランジスタのソ
ース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ領域を確保する（同図
（ｂ））。
（ソース電極、ドレイン電極）や蓄積容量となる部分を
残してパターニングした後、全面にｐ型不純物Ｂ等を低
濃度イオン注入する。更に１ＰＯＬＹ２０の表面を酸化
したことにより絶縁膜となるＳｉＯ2 膜２１を形成す
る。次に、トランジスタ（ゲート電極）及び蓄積容量の
上部電極となる多結晶Ｓｉ膜をデポジションし、更にフ
ォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。パタ
ーニング後イオンインプラ技術によりトランジスタのソ
ース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ領域を確保する（同図
（ｂ））。
【００１９】次いで、ＡＰ−ＣＶＤ（常圧化学的気相成
長法）等により、燐シリケートガラス等の１ＰＳＧ膜１
１を形成する。そして、トランジスタ部分と次に形成す
るＡＬ配線との接続を得るためのコンタクトホール２２
をフォトリソグラフィ技術を用いて開口する。更に、配
線材料として一般的に使用される例えばＡｌ−１％Ｓｉ
をスパッタリング等により成膜してパターニングするこ
とによりＡｌ配線２８を形成する（同図（ｃ））。
長法）等により、燐シリケートガラス等の１ＰＳＧ膜１
１を形成する。そして、トランジスタ部分と次に形成す
るＡＬ配線との接続を得るためのコンタクトホール２２
をフォトリソグラフィ技術を用いて開口する。更に、配
線材料として一般的に使用される例えばＡｌ−１％Ｓｉ
をスパッタリング等により成膜してパターニングするこ
とによりＡｌ配線２８を形成する（同図（ｃ））。
【００２０】更に、その上部に層間絶縁膜となる２ＰＳ
Ｇ膜１２を成膜して、その上にプラズマＣＶＤにより保
護膜であるＰ−ＳｉＮ１３を成膜する。前記Ｐ−ＳｉＮ
１３は、引き続きマスクを用いてエッチング処理する。
そのエッチング部分は後述するＩＴＯ膜との電気的接続
を得るための第２コンタクトホール２３である（同図
（ｄ））。
Ｇ膜１２を成膜して、その上にプラズマＣＶＤにより保
護膜であるＰ−ＳｉＮ１３を成膜する。前記Ｐ−ＳｉＮ
１３は、引き続きマスクを用いてエッチング処理する。
そのエッチング部分は後述するＩＴＯ膜との電気的接続
を得るための第２コンタクトホール２３である（同図
（ｄ））。
【００２１】続いて、液晶のイレギュラーな配向（配向
不良）の招来を抑制する目的で平坦化膜１５をスピンコ
ータ等で塗布し、後述するＩＴＯ膜との電気的接続を得
るための第３コンタクトホール２４をフォトリソグラフ
ィ技術で形成する（同図（ｅ））。
不良）の招来を抑制する目的で平坦化膜１５をスピンコ
ータ等で塗布し、後述するＩＴＯ膜との電気的接続を得
るための第３コンタクトホール２４をフォトリソグラフ
ィ技術で形成する（同図（ｅ））。
【００２２】更に、画素部分２５の下部電極となる透明
なＩＴＯ膜２６をスパッタリング処理により成膜し、図
示のような電極部を残して他の部分をエッチング処理し
て除去する。最後に、熱処理を施すことにより前記ＩＴ
Ｏ膜２６の比抵抗を低下させるとともに画素部分２５の
電極の可視光透過率を向上させ、更にトランジスタ特性
を向上させて液晶表示装置の前半プロセスを終了する
（同図（ｆ））。
なＩＴＯ膜２６をスパッタリング処理により成膜し、図
示のような電極部を残して他の部分をエッチング処理し
て除去する。最後に、熱処理を施すことにより前記ＩＴ
Ｏ膜２６の比抵抗を低下させるとともに画素部分２５の
電極の可視光透過率を向上させ、更にトランジスタ特性
を向上させて液晶表示装置の前半プロセスを終了する
（同図（ｆ））。
【００２３】次に、図２を参照して本発明の液晶表示装
置の後半プロセスの実施例を説明する。
置の後半プロセスの実施例を説明する。
【００２４】上述の前半プロセスを終了後、ＴＦＴ基板
３の裏面に感光性樹脂２７をスピンナーで塗布する。前
記感光性樹脂の要件としては、通常状態では透過率が殆
ど無く、紫外線に感光することで透過率が向上するとと
もに非感光の部分は透過率が向上しない材料であり、更
に熱重合により強度が強化される感光材料であることが
要求される（図２（ａ））。
３の裏面に感光性樹脂２７をスピンナーで塗布する。前
記感光性樹脂の要件としては、通常状態では透過率が殆
ど無く、紫外線に感光することで透過率が向上するとと
もに非感光の部分は透過率が向上しない材料であり、更
に熱重合により強度が強化される感光材料であることが
要求される（図２（ａ））。
【００２５】続いて、ＴＦＴ基板３上部より紫外線ＵＶ
光を照射し、トランジスタ部及び蓄積容量部をマスクと
して用いることにより、セルフアライン方式により画素
部分２５の感光性樹脂２７の透過率を向上（感光）させ
る。最後に、熱処理工程において例えば１００乃至４０
０°Ｃの温度で熱処理を施すことにより、前記感光性樹
脂２７の強度を向上させて液晶表示装置の後半プロセス
を終了する（同図（ｂ））。このように、ブラックマト
リクスをＴＦＴ基板３の裏面に形成する場合においては
保護膜の作用により、通常の液晶表示装置の製造プロセ
スを増やす場合よりも汚染等に曝される危険性は低減さ
れる。
光を照射し、トランジスタ部及び蓄積容量部をマスクと
して用いることにより、セルフアライン方式により画素
部分２５の感光性樹脂２７の透過率を向上（感光）させ
る。最後に、熱処理工程において例えば１００乃至４０
０°Ｃの温度で熱処理を施すことにより、前記感光性樹
脂２７の強度を向上させて液晶表示装置の後半プロセス
を終了する（同図（ｂ））。このように、ブラックマト
リクスをＴＦＴ基板３の裏面に形成する場合においては
保護膜の作用により、通常の液晶表示装置の製造プロセ
スを増やす場合よりも汚染等に曝される危険性は低減さ
れる。
【００２６】また、前記ＴＦＴ基板３に塗布する感光性
樹脂材料の他の実施例として、ポジ型感光性樹脂を用い
ることも可能である。つまり、ＴＦＴ基板３の裏面にス
ピンナー等で遮光層となる染料等を含有したポジ型感光
性樹脂を塗布した後、例えば紫外線光を照射することに
よりトランジスタ部及び蓄積容量部の樹脂材料は残余さ
せ、画素部分２５の電極は溶解して無くなるような感光
材料を用いることも可能であることは論を待たない。
樹脂材料の他の実施例として、ポジ型感光性樹脂を用い
ることも可能である。つまり、ＴＦＴ基板３の裏面にス
ピンナー等で遮光層となる染料等を含有したポジ型感光
性樹脂を塗布した後、例えば紫外線光を照射することに
よりトランジスタ部及び蓄積容量部の樹脂材料は残余さ
せ、画素部分２５の電極は溶解して無くなるような感光
材料を用いることも可能であることは論を待たない。
【００２７】本発明は前記実施例に限定されず、種々の
実施形態を採ることができる。例えばブラックマトリク
ス形成工程としては、ＴＦＴ基板の裏面に感光性樹脂を
塗布する方法について説明したが、ＴＦＴ基板工程終了
後にその表面にセルフアライン方式でブラックマトリク
スを形成しても良いし、またＴＦＴ基板の裏面に通常の
ブラックマトリクス材料によりブラックマトリクスを形
成しても良く、更に様々な形態に発展できることは言う
までもない。
実施形態を採ることができる。例えばブラックマトリク
ス形成工程としては、ＴＦＴ基板の裏面に感光性樹脂を
塗布する方法について説明したが、ＴＦＴ基板工程終了
後にその表面にセルフアライン方式でブラックマトリク
スを形成しても良いし、またＴＦＴ基板の裏面に通常の
ブラックマトリクス材料によりブラックマトリクスを形
成しても良く、更に様々な形態に発展できることは言う
までもない。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置およびその製造方法によれば、従来技術の液晶表示
装置のカラーフィルタ基板にブラックマトリクスを形成
する方式に比して、カラーフィルタ基板の製造プロセス
が簡略化されることにより製造コストの削減が可能とな
り、ＴＦＴ基板との貼り合わせずれを考慮した見込み領
域が不要となることから画素の開口率を向上することが
できる。また、ＴＦＴ基板上にブラックマトリクスを形
成する方式に比べて製造プロセスの簡略化が可能とな
る。つまり、従来技術のブラックマトリクス形成工程
は、ブラックマトリクス材料の成膜→レジストパターン
のパターンニング→ブラックマトリクス材料のエッチン
グ→レジスト除去のような製造プロセスが必要となる
が、本発明のブラックマトリクス形成工程では、レジス
ト（感光性樹脂）のパターンニングのみとなり、製造プ
ロセスを簡略化することができる。
装置およびその製造方法によれば、従来技術の液晶表示
装置のカラーフィルタ基板にブラックマトリクスを形成
する方式に比して、カラーフィルタ基板の製造プロセス
が簡略化されることにより製造コストの削減が可能とな
り、ＴＦＴ基板との貼り合わせずれを考慮した見込み領
域が不要となることから画素の開口率を向上することが
できる。また、ＴＦＴ基板上にブラックマトリクスを形
成する方式に比べて製造プロセスの簡略化が可能とな
る。つまり、従来技術のブラックマトリクス形成工程
は、ブラックマトリクス材料の成膜→レジストパターン
のパターンニング→ブラックマトリクス材料のエッチン
グ→レジスト除去のような製造プロセスが必要となる
が、本発明のブラックマトリクス形成工程では、レジス
ト（感光性樹脂）のパターンニングのみとなり、製造プ
ロセスを簡略化することができる。
【００２９】また、本発明におけるブラックマトリクス
形成工程は、ＴＦＴ基板の主要プロセス終了後、即ち保
護膜となるＰ−ＳｉＮ膜の形成後に行われる点、及びＴ
ＦＴ基板に影響の及ばない裏面に形成することにより、
ブラックマトリクス形成工程の不良率を低減することが
できる。更に、本発明におけるブラックマトリクス形成
工程はセルフアライン方式を用いるためにフォトリソグ
ラフィのための合わせ猶予部分が不要となり、開口率の
向上を図ることができる。
形成工程は、ＴＦＴ基板の主要プロセス終了後、即ち保
護膜となるＰ−ＳｉＮ膜の形成後に行われる点、及びＴ
ＦＴ基板に影響の及ばない裏面に形成することにより、
ブラックマトリクス形成工程の不良率を低減することが
できる。更に、本発明におけるブラックマトリクス形成
工程はセルフアライン方式を用いるためにフォトリソグ
ラフィのための合わせ猶予部分が不要となり、開口率の
向上を図ることができる。
【図１】 本発明の液晶表示装置およびその製造方法の
前半プロセスを説明するための工程断面図である。
前半プロセスを説明するための工程断面図である。
【図２】 本発明の液晶表示装置およびその製造方法の
後半プロセスを説明するための工程断面図である。
後半プロセスを説明するための工程断面図である。
【図３】 従来技術の液晶表示装置の液晶セル構造の１
画素分を示す断面図であり、（ａ）はカラーフィルタ基
板側にブラックマトリクスが形成された図であり、
（ｂ）はＴＦＴ基板側にブラックマトリクスが形成され
た図である。
画素分を示す断面図であり、（ａ）はカラーフィルタ基
板側にブラックマトリクスが形成された図であり、
（ｂ）はＴＦＴ基板側にブラックマトリクスが形成され
た図である。
１ 従来技術の液晶表示装置 ２ カラーフィルタ基板 3、3 ′ ＴＦＴ基板 ４ ガラス基板 ５ トランジスタ ６ 蓄積容量 7、26 ＩＴＯ膜 8、14 ブラックマトリクス ９ カラーフィルタ（Ｒ、Ｇ、Ｂ） １０ 液晶組成物（液晶分子） １１ １ＰＳＧ膜 １２ ２ＰＳＧ膜 １３ Ｐ−ＳｉＮ １５ 平坦化膜 ２０ １ＰＯＬＹ ２１ ＳｉＯ2 膜 ２２ コンタクトホール ２３ 第２コンタクトホール ２４ 第３コンタクトホール ２５ 画素部分 ２７ 感光性樹脂 ２８ Ａｌ配線 Ｄ ドレイン電極 Ｓ ソース電極
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも複数のＴＦＴをマトリクス状
に配列して成るＴＦＴ基板と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）のカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基
板と、前記ＴＦＴ基板にブラックマトリクスを設けた液
晶表示装置の製造方法であって、前記ＴＦＴ基板の裏面
にブラックマトリクスを形成することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のブラックマトリクス
に、感光性樹脂を使用することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のブラックマトリクス
に、ポジ型感光性樹脂を使用することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記感光性樹脂の硬化手段は熱硬化、Ｕ
Ｖ硬化、ＥＢ硬化の内の少なくとも一つであることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載のブラックマトリクスの
形成方法を、前記ＴＦＴ基板のＴＦＴを用いたセルフア
ライン方式にて行うことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４または請求項５に
記載の液晶表示装置の製造方法において製造されたこと
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28528294A JPH08146404A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28528294A JPH08146404A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08146404A true JPH08146404A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17689498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28528294A Pending JPH08146404A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08146404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549259B2 (en) | 2000-02-14 | 2003-04-15 | Nec Corporation | Liquid crystal display panel and fabrication method of the same |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP28528294A patent/JPH08146404A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549259B2 (en) | 2000-02-14 | 2003-04-15 | Nec Corporation | Liquid crystal display panel and fabrication method of the same |
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