KR0157676B1 - 고비저항 액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치 및 그 액질감시 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명의 목적은 고비저항액체의 사용점에서도 측정가능한 고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치 및 그 액질감시스템을 제공하는 데 있다.

본 발명의 고비저항액체의 액질감시방법은 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부에 있어서, 상기 고비저항액체가 접촉하는 상기 배관부의 일부가 적어고 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성되어 있고, 상기 도전성부재로 이루어지는 센서부의 대전량을 검출하는 것을 특징으로 한다. 또, 고비저항액체를 취출하는 사용점 근방 또는 사용점 단부에 상기 센서부를 설치하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 센서부와 접지점과의 전하이동량을 측정하므로써 대전량을 검출하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 고비저항액체의 액질감시장치는 상술한 고비저항액체의 액질감시방법을 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 고비저항액체의 액질감시시스템은 경고를 발하는 경고수단을 가지는 것을 특징으로 한다.

Description

고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치, 및 그 액질감시시스템

제1도는 본 발명의 2차순수 제조라인의 일례를 나타내는 개략도.

제2도는 제1도의 도전성부재로 이루어지는 센서부(a지점) 부근의 확대도.

제3도는 실시예 2에 관계되는 초순수의 분출회수와 전압치와의 관계를 나타낸 그래프.

제4도는 실시예3에 관계되는 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부의 구조체를 나타낸 개략도.

제5도는 실시예 6에 관계되는 각 측정기기의 배치를 나타내는 개략도.

제6도는 실시예 6에 관계되는 초순수의 분출회수와 전하량과의 관계를 나타낸 그래프.

제7도는 실시예 7에 관계되는 각 측정기기의 배치를 나타내는 개략도

제8도는 실시예 7에 관계되는 초순수의 분출회수와 전하량과의 관계를 나타내는 그래프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

101 : 1차순수 보관용기 102 : 펌프

103 : 열교환기 104 : 저압 UV산화기

105 : 아니온데미너 106 : 데미너

107 : UF 108 : 분기포인트

109 : 디벨로퍼 110 : 배관부

111,401,501,701 : 센서부 112 : 저항

402 : 초순수를 도입하는 배관부 502,702 : 도전성 전극

403 : 질소가스를 도입하는 배관부 704 : 기판

503,703 : 패러데이게이지 705 : 기판지지대

본 발명은 고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치, 및 그 액질감시시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는 배관부내에 사용점에서 및 피세정물을 개재하여 고비저항액체의 순도관리가 가능한 고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치, 및 그 액질감시시스템에 관한 것이다.

반도체나 각종 전자부품, 또는 원자력 등의 하이테크 산업에서는, 사용하는 초순수의 저항율을 관리하는 것이 높은 양품율의 실현, 또는 높은 신뢰성의 실현에 연결된다. 특히, 반도체분야에서는 세정공정에 사용하는 순수의 저항율관리는 보다 집적밀도가 높은 소자를 제조하는 경우의 키테크놀로지의 하나이다.

종래, 고비저항액체의 액질감시장치로서는 순수의 도전율을 측정하기 위한 소자와, 순수의 온도를 측정하기 위한 소자를 일체화한 복합센서가 사용되고 있다. 예를들면, 도전율측정용으로서는 Ti로 이루어지는 2극의 전극이 절연체를 개재하여 설치된 소자가, 온도측정용으로서는 서미스터를 들 수 있다. 여기서 도전율이라는 것은 순수에 포함되는 전해질의 총량을 아는 지표이고, 또 순수의 순도를 아는 지표로써 사용하는 저항율의 역수이다. 이 복합센서는 항상 순수가 흐르고 있는 배관계에 설치되어 수온의 변화를 보정하면서 도전율을 고정밀도로 측정할 수 있다고 하는 장점이 있다.

그러나 상기 종래 기술에는 다음과 같은 문제점이 있다.

(1) 검출부를 순수중에 삽입하여 사용하는 타입으로 배관내의 순수가 저장수가 되기도 하고, 또는 배관내가 외기가 접촉하는 사용점 부근에서는 사용할 수 없다.

(2) 배관계에 센서를 설치한 장소에서만 측정할 수 있어 배관계에 있어서 자유로운 측정점을 선택할 수 없다.

(3) 센서가격이 높기 때문에 배관계에 다수개의 센서를 설치하고 다점측정에서는 순수의 액질감시시스템을 구축하기에는 많은 비용을 요한다.

본 발명은 고비저항액체의 사용점 단말에 있어서도 측정가능하고, 배관계에 있어서 자유로운 측정점을 선택할 수 있고, 또 센서가 저렴하기 때문에 고비저항액체의 수질감시 시스템구축이 용이한 고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치, 및 그 액질감시시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부에 있어서, 상기 고비저항액체가 접촉하는 상기 배관부의 일부가 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된도전성부재로 구성되어 있고, 상기 도전성부재로 이루어지는 센서부의 대전량을 검출하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법에 요지가 존재한다.

청구항 1항에 관계되는 발명에서는 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부의 일부가 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성되어 있기 때문에, 이 도전성부재에는 배관부내를 흐르는 고비저항액체로부터 전하의 대전이 생긴다. 그 결과 그 대전량을 검출함으로써 고비저항액체의 저항율 변화 측정이 가능해진다.

또, 배관부의 일부가 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성하는 것만으로 상기 검출이 가능해지기 때문에 다점측정을 저렴하게 실현할 수 있다.

청구항 2항에 관계되는 발명에서는 고비저항액체를 취출하는 사용점부근에 상기 센서의 일부를 설치하고 있기 때문에 상기 사용점으로부터 배출되기 직전의 고비저항액체의 액질을 검출할 수 있다. 그 결과, 상기 고비저항액체가 흐르지 않는 경우, 배관내가 외기가 되는 사용점 부근에 있어서 정밀도가 높은 고비저항액체의 액질감시가 가능해진다.

청구항 3항에 관계되는 발명에서는 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부에 상기 센서의 일부를 설치하고 있기 때문에, 상기 사용점으로부터 분출되는 사용 직전의 고비저항액체의 액질을 검출할 수 있을 뿐아니라, 상기 센서부의 형상을 임의로 선택할 수 있게 되고, 또 상기 센서부의 탈착이 어느때라도 가능해진다. 그 결과, 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부를 멈추는 일 없이 상기 센서부의 수리·점검·교환등이 가능해진다.

청구항 4항에 관계되는 발명에서는 상기 센서부와 접지점과의 전하이동량을 측정하므로써 대전량을 검출할 수 있기 때문에, 인라인에서의 고비저항액체의 액질모니터를 액에 외란을 주는 일 없이 용이하게 실현할 수 있다. 그 결과, 고비저항액체에 영향을 주는 일이 없는 액질관리를 도모할 수 있다.

청구항 5항에 관계되는 발명에서는 상기 센서부는 상기 센서부내를 고비저항액체가 통과하는 링형상으로 하였기 때문에, 상기 고비저항액체의 유량에 의존하지 않고, 상기 센서부는 안정되게 상기 고비저항액체에 접할 수 있게 된다. 그 결과, 검출감도의 안정화가 도모된다.

청구항 6항에 관계되는 발명에서는 고비저항액체가 순수 또는 중수(重水)이기 때문에 불순물의 미량 함유가 문제가 되는 반도체분야의 세정 수용도로부터 원자력분야의 냉각수 용도까지 광범위한 이용분야에의 적용이 가능하다.

청구항 7항에 관계되는 발명에서는 상기 사용점으로부터 분출되는 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하지 않고 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 직접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하기 위하여 상기 사용점과 상기 도전성전극과의 사이에 있는 공간내의 오염이 상기 고비저항액체에 미치는 영향을 검출할 수 있다. 그 결과, 상기 사용점과 상기 도전성전극과의 사이에 있는 공간내의 청정도관리가 가능해진다.

청구항 8항에 관계되는 발명에서는 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하여 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 간접적으로부터 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정할 수 있기 때문에 상기 피세정물의 표면의 청정도, 즉 세정된 정도를 검출할 수 있다. 그 결과, 상기 피세정물의 오염도가 달라도 각 피세정물마다 최적의 세정조건 등을 순차 정할 수 있다.

청구항 9항에 관계되는 발명에서는 청구항 1항 및 청구항 8항 중 어느 한 항 기재의 고비저항액체의 액질감시방법을 가짐으로써 범용성이 높고, 또 저렴한 고비저항액체의 액질감시장치가 얻어진다.

청구항 10항에 관계되는 발명에서는 상기 대전량 또는 상기 전하량의 값이 변화한 경우 경고를 발하는 경고수단을 가지기 때문에 상기 고비 저항액체의 액질감시를 피이드백 제어할 수 있게 된다.

그 결과, 신뢰성이 높은 고비저항액체의 액질감시시스템이 얻어진다.

[실시예]

[실시예 1]

이하, 본 발명의 일 실시예를 설명한다.

본 예에서는 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부에 있어서, 상기 고비저항액체가 접촉하는 상기 배관부의 일부가 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성된 점이 종래와 다르다. 상기 고비저항액체로서는 순수를 사용하고 상기 도전성부재로 이루어지는 센서부의 대전을 검출하므로써 순수의 도전율을 검출하였다.

이하에서는 제1도 및 제2도를 참조하여 본 예에 대하여 설명한다. 제1도는 본 발명의 2차순수 제조라인의 일례를 나타내는 개략도이다. 제2도는 제1도의 도전성부재로 이루어지는 센서부(a지점) 부근의 확대도이고, 제2(a)도가 사시도, 제2(b)도가, 제2(a)도의 A-A'부분의 단면도이다.

본 발명의 2차순수 제조라인은 다음의 101~110의 각 기기로 구성하였다.

101은 1차순수 제조라인(도시하지 않음)에서 처리된 초순수(비저항이 MΩ㎝오더)를 저장하는 1차순수 보관용기, 102는 초순수를 순환시키기 위한 펌프, 103은 초순수의 온도를 일정하게 유지하기 위한 열교환기로서 24℃로 유지하였다. 104는 유기물을 분해하기 위한 저압 UV산화기, 105는 아니온(부이온)을 제거하기 위한 이온 교환기(아니온데미너)로서, 그 주목적은 전단계의 저압 UV산화기에서 발생하는 유기산이나 탄산이온의 제거에 있다. 106은 정부에 상관없이 이온을 제거하기 위한 이온교환기(데미너), 107은 미립자를 제거하기 위한 파이널필터(UF), 108은 2차순수를 사용점에 분기하는 분기포인트, 109는 2차순수 사용점(디벨로퍼)이다.

제1도에 나타내는 바와 같이 101~108은 환상(環狀)으로, 108과 109는 선상(線狀)으로 배관부(110)에 의하여 접속하였다. 배관부(110)의 재질로서는 절연성부재인 PVDF(Poly vinylidene fluoride)를 사용하였다. 배관부(110)의 a지점에서는 배관부(110)의 일부를 도전성부재로 이루어지는 센서부(111)로 치환하였다. 센서부(111)의 재질로서는 SUS304를 사용하였다.

제2도에 나타내는 바와 같이 센서부(111)는 배관부(110)속을 흐르는 초순수가 직접 접촉하는 위치에 설치하였다. 센서부(111)에는 초순수의 흐름에 의하여 대전이 발생한다. 센서부(111)와 지점간의 사이에는 100MΩ의 저항(112)을 재치하여 저항(112)의 양단에 걸리는 전압치를 측정하였다. 즉, 상기 대전에 의한 전하량의 변화는 상기 대전치의 변화로서 관측하였다.

본 예에서는 상술한 대전량과 전압치의 관계를 조사하였더니 비저항이 18MΩ㎝인 정상인 초순수를 흐르게 한 경우 전압치는 약 -0.3mV이었다. 한편, 이 초순수의 순도를 저하시킨 경우, 상기 전압치는 0mV방향으로 절대치가 감소하는 경향이 있음을 발견하였다. 따라서, 본 발명의 센서부(111)를 사용하므로써 초순수의 순도관리를 행할 수 있다고 판단하였다.

본 예에서는 배관부(110)의 a지점에 센서부(111)를 배치하였는데 제1도의 환상부가 아닌, 예를들면 b지점이나 c지점이어도 상관은 없다.

또, 본 예에서는 고비저항액체를 초순수로 하였는데 중수를 사용하여도 같은 효과가 확인되었다.

[실시예 2]

본 예에서는 도전성부재로 이루어지는 센서부를 설치하는 위치를 고비저항액체를 취출하는 사용점 부근으로 한 점이 실시예 1과 다르다. 고비저항액체를 취출하는 사용점 부근이라는 것은 제1도에 있어서의 d지점을 가리킨다.

다른 점을 실시예 1과 마찬가지로 하였다.

제3도는 사용점 부근에서 초순수를 흐르게 하지 않고 2시간 봉지한후, 초순수를 60초간 분출시켰을때의 전압치를 나타낸다. 초순수의 유량은 4300cc/분으로 하였다. 횡축은 초순수의 분출회수이다.

제3도로부터 분출회수에 의하여 전압치가 변화하는 것을 알 수 있었다. 분출회수가 증가함에 따라 전압치가 -30mV정도로 안정되었다. 이것으로부터 초순수의 봉지에 의하여 사용점 부근은 오염되어 있고, 초순수를 2~3회 분출시킨 후, 초순수의 이용을 개시하므로써 안정된 순도로 초순수를 사용할 수 있다고 판단하였다.

또, 종래 측정할 수 없었던 배관부내가 외기와 접촉하는 사용점 부근에서도 본 예의 센서부를 사용하므로써 초순수의 순도관리가 가능해졌다.

[실시예 3]

본 예에서는 도전성부재로 이루어지는 센서부를 설치하는 위치를 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부로 한 점이 실시예 2와 다르다.

고비저항액체를 취출하는 사용점 단부로서는 제4도에 나타낸 구조체를 사용하였다. 제4도의 사용점 단부에서는 SUS304로 이루어지는 노즐이 센서부(401)이고, 상기 센서부(401)에는 초순수를 도입하는 배관부(402)와 질소가스를 도입하는 배관구(403)를 접속하였다. 초순수와 질소가스를 동시에 공급하므로써 센서부(401)로부터 분무상으로 된 초순수를 분출시켰다.

다른 점은 실시예 2와 마찬가지로 하였다.

본 예에서는 실시예 2와 같은 효과가 얻어졌다. 따라서, 도전성부재로 이루어지는 센서부를 설치하는 위치가 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부이어도 되기 때문에 센서부의 형상은 임의로 선택할 수 있게 되고, 또 각 사용점마다 언제라도 탈착이 가능해졌다.

[실시예 4]

본 예에서는 실시예 1에서도 이미 나타낸 바와 같이 센서부와 접지부와의 사이에 저항을 배치하고, 상기 저항에 센서부를 흐르는 고비저항액체의 액질에 따라 발생하는 전하를 흐르게하여 상기 저항의 양단에 걸리는 전압치를 측정하였다.

본 예에서는 종래의 액질감시장치에 비하여 저렴하고 용이한 측정이 가능해졌다.

또, 본 예에서는 저항의 양단에 발생하는 전압을 전압계로 측정하는 구성으로 하였는데, 센서부와 접지점과의 사이에 미소전류계를 배치한 것에서도 같은 결과가 확인되었다.

[실시예 5]

본 예에서는 센서부의 형상을 상기 센서 내부를 고비저항액체가 통과하는 링형상으로 한 점이 실시예 1과 다르다.

다른 점은 실시예 1과 마찬가지로 하였다.

본 예에서는 실시예 1과 거의 같은 효과가 얻어졌다. 그러나 본 예의 경우, 고비저항액체와의 접촉면적이 크기 때문에 실시예 1의 형상보다 검출감도의 안정화가 도모되었다.

또, 본 예에서는 센서부의 형상을 링형상으로 하였는데, 링형상내에 도전성재료로 메슈를 설치한 것에서도 같은 효과가 확인되었다.

[실시예 6]

본 예에서는 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하지 않고 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 직접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하였다.

제5도는 본 예에 있어서의 각 측정기기의 배치를 나타내는 개략도이다.

고비저항액체를 취출하는 사용점 단부로서는 제4도와 마찬가지로 SUS304로 이루어지는 노즐을 센서부(501)로 하였다. 상기 노즐로부터 분출된 초순수가 조사되는 위치에 도전성전극(502)을 설치하였다. 상기 도전성전극(502)은 패러데이게이지(503)에 접속되어 있고, 분출되는 초순수에 걸린 전하를 상기 도전성전극(502)을 개재하여 패러데이게이지(503)로 측정하였다.

제6도는 사용점 근방에 초순수를 흐르게 하지 않고 2시간 봉지한후, 초순수를 60초간 분출시켰을 때의 분출되는 초순수에 걸린 전하량을 나타냈다. 초순수의 유량은 430cd/분으로 하였다. 횡축은 초순수의 분출회수이다.

제6도로부터 분출회수에 의하여 분출되는 초순수에 걸린 전하량이 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히, 분출회수가 4회 이상이 되면 상기 전하량은 120nC정도로 안정되었다. 또, 이 안정된 전하량과 실시예 3에서 검출되는 전하량은 극성이 다르고, 절대치는 ±3%의 흐트러짐내에서 같다는 것도 확인되었다.

한편, 사용점 근방 또는 사용점 단부에 설치한 센서부의 결과(실시예 2 또는 실시예 3)에서는 분출회수가 2회이상에서 초순수의 순도는 회복하고 있었다.

이 두가지의 결과로부터 본 예의 쪽이 보다 다수회 분출시키지 않으면 초순수의 순도가 회복하지 않는 것은 상기 사용점과 상기 도전성전극과의 사이에 있는 공간내 오염의 영향으로 판단하였다. 이 결과 본 발명에 의하여 상기 사용점과 상기 도전성전극과의 사이에 있는 공간내의 청정도관리가 가능해졌다.

[실시예 7]

본 예에서는 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하여 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 간접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하였다.

제7도는 본 예에 있어서의 각 측정기기의 배치를 나타내는 개략도이다.

고비저항액체를 취출하는 사용점 단부로서는 제4도와 마찬가지로 SUS304로 이루어지는 노즐을 센서부(701)로 하였다. 상기 노즐로부터 분출된 초순수가 조사되는 위치에 피세정물로서 유리에 Al을 성막한 기판(704)을 설치하였다. 상기 기판(704)은 진공 척기구를 가지는 기판지지대(705)의 위에 재치되었다. 상기 기판(704)을 초순수로 세정할 때는 상기 기판지지대(705)를 자전시켰다. 이 자전에 의하여 상기 기판(704)으로부터 비산된 초순수가 조사되는 위치에 도전성전극(702)을 설치하였다. 상기 도전성전극(702)은 패러데이게이지(703)에 접속되어 있고, 비산되는 초순수에 걸린 전하를 상기 도전성전극(702)을 개재하여 패러데이게이지(703)로 측정하였다.

제8도는 사용점 근방에 초순수를 흐르게 하지 않고 2시간 봉지한 후, 초순수를 60초간 분출시켰을 때 기판으로부터 비산된 초순수에 걸린 전하량을 나타냈다. 초순수의 유량은 530cc/분으로 하였다. 횡축은 초순수의 분출회수이다.

제8도로부터 분출회수에 의하여 기판으로부터 비산된 초순수에 걸린 전하량이 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 분출회수가 10회 이상이 되면 상기 전하량은 120nC정도로 안정되었다. 이 결과도 실시예 6과 마찬가지로 실시예 3에서 검출되는 전하량과 극성이 다르고, 절대치는 ±3%이내에서 흐트러짐이 같았다..

한편, 사용점으로부터 분출된 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하지 않고 패러데이게이지에 접속된 도전성극성에 직접적으로 걸리게 하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정한 결과(실시예 6)에서는, 분출회수가 4회 이상에서 초순수의 순도를 회복하고 있었다.

이 두가지의 결과로부터 본 예의 쪽이 보다 다수회 분출시키지 않으면 초순수의 순도가 회복하지 않는 것은 피세정물인 기판(704)의 청정도, 즉 세정된 정도의 영향으로 판단하였다. 이 결과, 본 발명에 의하여 피세정물의 오염도가 달라도 각 피세정물마다 최적의 세정조건 등을 순차 정할 수 있게 되었다.

상술한 바와 같이 실시예 1~7에 나타낸 고비저항액체의 액질감시방법은, 이미 설치된 2차순수 제조라인에 용이하게 조립할 수 있다. 또, 센서부의 구조가 간단하고, 또 범용품의 이용도 가능하기 때문에 종래보다 낮은 비용의 고비저항액체의 액질감시장치의 제공이 가능해졌다.

또한, 상기 대전량 또는 상기 전하량의 값이 변화한 경우에 경고를 발하는 경고수단을 설치하므로써, 상기 고비저항액체의 액질감시를 피이드백 제어할 수 있는 고비저항액체의 액질감시시스템의 제공이 가능해졌다.

이상 설명한 바와 같이 제1항에 관계되는 발명에 의하면, 다점측정을 저렴하고, 또 용이하게 실현할 수 있는 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.

제2항에 관계되는 발명에 의하면 고비저항액체를 취출하는 사용점 근방에서 검출가능한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.

제3항에 관계되는 발명에 의하면 센서부의 형상은 임의로 선택할 수 있고, 또 센서부의 탈착이 언제라도 가능한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.

제4항에 관계되는 발명에 의하면 고비저항액체에 영향을 미치는 일이 없는 고비저항액테의 액질감시방법이 얻어진다.

제5항에 관계되는 발명에 의하면 검출감도가 안정된 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.

제6항에 관계되는 발명에 의하면 광범위한 이용분야에의 적용이 가능한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.

제7항에 관계되는 발명에 의하면 사용점과 도전성전극과의 사이에 있는 공간내의 청정도관리가 가능한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.

제8항에 관계되는 발명에 의하면 피세정물마다 최적의 세정조건 등을 순차 정할 수 있는 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.

제9항에 관계되는 발명에 의하면 범용성이 높고, 또 저렴한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.

제10항에 관계되는 발명에 의하면 신뢰성이 높은 고비저항액체의 액질감시시스템이 얻어진다.

Claims (10)

1. 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부에서, 상기 고비저항액체가 접촉하게 되는 상기 배관부의 일부가, 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성되어 있고, 상기 도전성부재로 이루어지는 센서부의대전량을 검출하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 고비저항액체를 취출하는 사용점 근방에 상기 센서부를 설치하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부에 상기 센서부를 설치하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 센서부와 접지점과의 전하이동량을 측정하므로써 대전량을 검출하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.
5. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 센서부는, 상기 센서부내가 고비저항액체가 통과하는 링형상인 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고비저항액체는 순수 또는 중수인 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.
7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하지 않고 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 직접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.
8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하여 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 간접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항 기재의 고비저항액체의 액질감시방법을 가지는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시장치.
10. 상기 대전량 또는 상기 전하량의 값이 변화한 경우에, 경고를 발하는 경고수단을 가지는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항 기재의 고비저항액체의 액질감시시스템.