JPH08143540A - 置換安息香酸誘導体およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 一般式［Ｉ］ 【化１】 で示される新規な置換安息香酸誘導体、および、一般式
［ＩＩ］ 【化２】 で示される５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ハ
ロ安息香酸を一般式［ＩＩＩ］ 【化３】 で示される低級アルキルカルボン酸、赤リンおよびヨウ
素系触媒の存在下、還元することによる一般式［Ｉ］で
示される新規な置換安息香酸誘導体の製造法。 【効果】 一般式［Ｉ］で示される置換安息香酸誘導体
は、農薬、医薬など、例えば、除草剤として有用な化合
物であるＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラ
ミン酸誘導体などの中間体として有用な化合物であり、
また、本発明の製造法により、その一般式［Ｉ］で示さ
れる置換安息香酸誘導体を容易に製造することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般式［Ｉ］

【０００２】

【化５】

【０００３】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ⁴
は低級アルキル基を表わす。］で示される新規な置換安
息香酸誘導体およびその製造法に関するものである。本
発明の一般式［Ｉ］で示される新規な置換安息香酸誘導
体は、医薬、農薬などの製造中間体、例えば、優れた除
草活性を有する一般式［ＸＩＩＩ］

【０００４】

【化６】

【０００５】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ¹
は−ＣＨＲ⁵ＣＯ₂Ｒ⁶（ただし、Ｒ⁵は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ⁶は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ²は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わし、Ｒ³は低級アルコキ
シ基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ
基、低級アルコキシアルコキシ基または低級アルコキシ
カルボニルアルコキシ基を表わす。］で示されるＮ−ア
シル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体な
どの製造中間体として有用な化合物である。

【０００６】

【従来技術】従来より、置換安息香酸誘導体は、数多く
知られている。しかしながら、一般式［Ｉ］で示される
置換安息香酸誘導体は、これまでに知られておらず、新
規な化合物である。

【０００７】

【発明の開示】本発明者らは、鋭意、研究を重ねた結
果、一般式［Ｉ］で示される置換安息香酸誘導体が優れ
た除草活性を有する一般式［ＸＩＩＩ］で示されるＮ−
アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体
の製造中間体として有用な化合物であることを見出し、
さらには、本発明者らは、工業的にも有意性のある一般
式［Ｉ］で示される置換安息香酸誘導体の新規な製造法
について、鋭意、研究を重ねた結果、一般式［ＩＩ］で
示される５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ハロ
安息香酸と一般式［ＩＩＩ］で示される低級アルキルカ
ルボン酸との反応により、容易に一般式［Ｉ］で示され
る置換安息香酸誘導体を製造することができることを見
出し、本発明を完成した。

【０００８】すなわち、本発明は、一般式［Ｉ］

【０００９】

【化７】

【００１０】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ⁴
は低級アルキル基を表わす。］で示される新規な置換安
息香酸誘導体、および、一般式［ＩＩ］

【００１１】

【化８】

【００１２】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わす。］で
示される５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ハロ
安息香酸を一般式［ＩＩＩ］

【００１３】

【化９】

【００１４】［式中、Ｒ⁴は低級アルキル基を表わ
す。］で示される低級アルキルカルボン酸類、赤リンお
よびヨウ素系触媒の存在下、還元することを特徴とする
一般式［Ｉ］

【００１５】

【化１０】

【００１６】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ⁴
は低級アルキル基を表わす。］で示される新規な置換安
息香酸誘導体の製造法である。本発明の化合物である一
般式［Ｉ］で示される新規な置換安息香酸誘導体として
は、例えば、５−アセチルチオ−２，４−ジフルオロ安
息香酸、５−アセチルチオ−２−フルオロ−４−クロロ
安息香酸、５−アセチルチオ−２−フルオロ−４−ブロ
モ安息香酸、５−プロピオニルチオ−２，４−ジフルオ
ロ安息香酸、５−プロピオニルチオ−２−フルオロ−４
−クロロ安息香酸、５−プロピオニルチオ−２−フルオ
ロ−４−ブロモ安息香酸、５−ブチリルチオ−２，４−
ジフルオロ安息香酸、５−ブチリルチオ−２−フルオロ
−４−クロロ安息香酸、５−ブチリルチオ−２−フルオ
ロ−４−ブロモ安息香酸、５−イソブチリルチオ−２，
４−ジフルオロ安息香酸、５−イソブチリルチオ−２−
フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−イソブチリルチオ
−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−バレリルチ
オ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−バレリルチオ−
２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−バレリルチオ
−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−イソバレリ
ルチオ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−イソバレリ
ルチオ−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−イソ
バレリルチオ−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５
−ピバロイルチオ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−
ピバロイルチオ−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、
５−ピバロイルチオ−２−フルオロ−４−ブロモ安息香
酸、５−（２−メチルブタノイルチオ）−２，４−ジフ
ルオロ安息香酸、５−（２−メチルブタノイルチオ）−
２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（２−メチル
ブタノイルチオ）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香
酸、５−ヘキサノイル−２，４−ジフルオロ安息香酸、
５−ヘキサノイル−２−フルオロ−４−クロロ安息香
酸、５−ヘキサノイル−２−フルオロ−４−ブロモ安息
香酸、５−（２−メチルヘプタノイル）−２，４−ジフ
ルオロ安息香酸、５−（２−メチルヘプタノイル）−２
−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（２−メチルヘ
プタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５
−（３−メチルヘプタノイル）−２，４−ジフルオロ安
息香酸、５−（３−メチルヘプタノイル）−２−フルオ
ロ−４−クロロ安息香酸、５−（３−メチルヘプタノイ
ル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−（４−
メチルヘプタノイル）−２，４−ジフルオロ安息香酸、
５−（４−メチルヘプタノイル）−２−フルオロ−４−
クロロ安息香酸、５−（４−メチルヘプタノイル）−２
−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−（２，２−ジメ
チルブタノイル）−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−
（２，２−ジメチルブタノイル）−２−フルオロ−４−
クロロ安息香酸、５−（２，２−ジメチルブタノイル）
−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−（２，３−
ジメチルブタノイル）−２，４−ジフルオロ安息香酸、
５−（２，３−ジメチルブタノイル）−２−フルオロ−
４−クロロ安息香酸、５−（２，３−ジメチルブタノイ
ル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−（３，
３−ジメチルブタノイル）−２，４−ジフルオロ安息香
酸、５−（３，３−ジメチルブタノイル）−２−フルオ
ロ−４−クロロ安息香酸、５−（３，３−ジメチルブタ
ノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸などを挙
げることができる。

【００１７】次に、本発明における一般式［Ｉ］で示さ
れる置換安息香酸誘導体の製造法を詳細に説明する。

【００１８】

【化１１】

【００１９】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ⁴
は低級アルキル基を表わす。］ 本発明の製造法においては、一般式［ＩＩ］で示される
５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ハロ安息香酸
を一般式［ＩＩＩ］で示される低級アルキルカルボン
酸、赤リンおよびヨウ素系触媒の存在下に、０．５時間
〜２４時間反応させることにより、容易に本発明の化合
物である一般式［Ｉ］で示される置換安息香酸誘導体を
製造することができる。

【００２０】一般式［ＩＩ］で示される５−塩化スルホ
ニル−２−フルオロ−４−ハロ安息香酸としては、例え
ば、５−塩化スルホニル−２，４−ジフルオロ安息香
酸、５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−クロロ安
息香酸、５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ブロ
モ安息香酸などを挙げることができる。

【００２１】また、一般式［ＩＩＩ］で示される低級ア
ルキルカルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、
２−メチルブタン酸、ヘキサン酸、２−メチルヘプタン
酸、３−メチルヘプタン酸、４−メチルヘプタン酸、
２，２−ジメチルブタン酸、２，３−ジメチルブタン
酸、３，３−ジメチルブタン酸などを挙げることができ
る。

【００２２】一般式［ＩＩＩ］で示される低級アルキル
カルボン酸は、通常、一般式［ＩＩ］で示される５−塩
化スルホニル−２−フルオロ−４−ハロ安息香酸１当量
に対して、１当量以上、好ましくは１．５当量〜１００
当量、さらに好ましくは２．０当量〜５０当量使用する
のがよい。この範囲より少ない場合には、未反応の一般
式［ＩＩ］で示される５−塩化スルホニル−２−フルオ
ロ−４−ハロ安息香酸が多量に残るため、収率低下の原
因となり、経済的に不利となり、また、未反応の一般式
［ＩＩ］で示される５−塩化スルホニル−２−フルオロ
−４−ハロ安息香酸の除去あるいは回収のために後処理
工程に負荷がかかるため、好ましくない。また、この範
囲より多く使用しても、目的とする一般式［Ｉ］で示さ
れる置換安息香酸誘導体の収量にほとんど変化はなく、
過剰に添加した一般式［ＩＩＩ］で示される低級アルキ
ルカルボン酸が、未反応のまま、多量に残るだけであ
り、経済的に不利となり、また、未反応の一般式［ＩＩ
Ｉ］で示される低級アルキルカルボン酸の除去あるいは
回収のために後処理工程に負荷がかかるため、好ましく
ない。

【００２３】本発明の製造法においては、赤リンが使用
されるが、その使用量は、通常、５−塩化スルホニル−
２−フルオロ−４−ハロ安息香酸１当量に対して、１．
５当量〜４．０当量、好ましくは１．７当量〜３．５当
量、さらに好ましくは２．０当量〜３．０当量とするの
がよい。この範囲より少ない場合には、反応が充分に進
行せず、収率低下の原因となり、経済的に不利となり、
また、未反応の一般式［ＩＩ］で示される５−塩化スル
ホニル−２−フルオロ−４−ハロ安息香酸および未反応
の一般式［ＩＩＩ］で示される低級アルキルカルボン酸
の除去あるいは回収のために後処理工程に負荷がかかる
ため、好ましくない。また、この範囲より多く使用して
も、目的とする一般式［Ｉ］で示される置換安息香酸誘
導体の収量にほとんど変化はなく、過剰に添加した赤リ
ンが、未反応のまま、多量に残るだけであり、経済的に
不利となり、また、未反応の赤リンの除去のために後処
理工程に負荷がかかるため、好ましくない。

【００２４】また、本発明の製造法において使用される
ヨウ素系触媒としては、例えば、ヨウ素、ヨウ化水素酸
水溶液、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウムなどを挙げ
ることができる。

【００２５】ヨウ素系触媒は、通常、５−塩化スルホニ
ル−２−フルオロ−４−ハロ安息香酸１当量に対して、
０．０００５当量〜０．３当量、好ましくは０．００１
当量〜０．２当量、さらに好ましくは０．００２当量〜
０．１当量使用するのがよい。この範囲より少ない場合
には、反応が充分に進行せず、収率低下の原因となり、
経済的に不利となる、あるいは、反応速度が低下して反
応終了までに長時間を要するなどの問題を生ずる場合が
あり、好ましくない。また、この範囲より多く使用して
も、反応速度、収率などにほとんど変化はなく、経済的
に不利となるだけであり、好ましくない。

【００２６】また、反応温度は、通常、５０℃〜２００
℃、好ましくは７０℃〜１８０℃、さらに好ましくは１
００℃〜１５０℃とするのがよい。この範囲より低い温
度の場合には、反応が充分に進行せず、収率低下の原因
となり、経済的に不利となる、あるいは、反応速度が低
下して反応終了までに長時間を要するなどの問題を生ず
る場合があり、好ましくない。また、この範囲より高い
温度の場合には、反応中に分解などが起こる場合があ
り、収率低下の原因となり、経済的に不利となり、ま
た、分解生成物などの除去のために後処理工程に負荷が
かかるため、好ましくない。

【００２７】本発明の製造法においては、反応終了後、
反応液を室温まで冷却し、未反応の赤リンをろ別した
後、ろ液を濃縮するかまたは濃縮せず、そのまま、水を
加えて有機溶媒で抽出し、水または飽和食塩水で洗浄
し、抽出液を乾燥、濃縮などの後処理を行うか、あるい
は、反応液を室温まで冷却し、未反応の赤リンをろ別し
た後、濃縮するかまたは濃縮せず、そのまま、水に投入
し、析出した結晶をろ集、水洗後、乾燥することにより
粗生成物を得ることができる。

【００２８】得られた粗生成物は、必要に応じて再結
晶、カラムクロマトグラフィーなどの精製操作を行い、
目的の一般式［Ｉ］で示される置換安息香酸誘導体を容
易に得ることができる。

【００２９】なお、出発原料である一般式［ＩＩ］で示
される５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ハロ安
息香酸は、例えば、ＵＳＰ−３７８００２７号に記載の
製造法によって製造することができる。

【００３０】本発明の化合物である一般式［Ｉ］

【００３１】

【化１２】

【００３２】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ⁴
は低級アルキル基を表わす。］で示される新規な置換安
息香酸誘導体は、例えば、下記ルートにより、優れた除
草活性を有するＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロ
フタラミン酸誘導体へと誘導することができる。

【００３３】すなわち、一般式［Ｉ］

【００３４】

【化１３】

【００３５】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ⁴
は低級アルキル基を表わす。］で示される置換安息香酸
誘導体と一般式［ＩＶ］

【００３６】

【化１４】

【００３７】［式中、Ｈａｌ−は塩素原子または臭素原
子を表わし、Ｒ¹は−ＣＨＲ⁵ＣＯ₂Ｒ⁶（ただし、Ｒ⁵は
水素原子または低級アルキル基を表わし、Ｒ⁶は低級ア
ルキル基を表わす。）を表わす。］で示されるハロカル
ボン酸エステル誘導体とを塩基の存在下、反応させるこ
とにより一般式［Ｖ］

【００３８】

【化１５】

【００３９】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ¹
は−ＣＨＲ⁵ＣＯ₂Ｒ⁶（ただし、Ｒ⁵は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ⁶は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される置換ベンゼンカルボン酸
誘導体を得、これを塩素化することにより一般式［Ｖ
Ｉ］

【００４０】

【化１６】

【００４１】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ¹
は−ＣＨＲ⁵ＣＯ₂Ｒ⁶（ただし、Ｒ⁵は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ⁶は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される置換ベンゼンカルボニル
クロリド誘導体を得、これと無機アジ化物とを反応させ
ることにより一般式［ＶＩＩ］

【００４２】

【化１７】

【００４３】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ¹
は−ＣＨＲ⁵ＣＯ₂Ｒ⁶（ただし、Ｒ⁵は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ⁶は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される酸アジド誘導体を得、こ
れを一般式［ＶＩＩＩ］

【００４４】

【化１８】

【００４５】［式中、Ｒ²は低級アルキル基または置換
もしくは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるカ
ルボン酸誘導体、または、一般式［ＩＸ］

【００４６】

【化１９】

【００４７】［式中、Ｒ²は低級アルキル基または置換
もしくは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるカ
ルボン酸無水物誘導体の存在下、分解することにより一
般式［Ｘ］

【００４８】

【化２０】

【００４９】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ¹
は−ＣＨＲ⁵ＣＯ₂Ｒ⁶（ただし、Ｒ⁵は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ⁶は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ²は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるアニリ
ド誘導体を得、これを本発明者らが既に提案した平成６
年特許願第４２０５号に記載の方法にしたがい、脱水塩
素化剤の存在下で反応させることにより一般式［ＸＩ］

【００５０】

【化２１】

【００５１】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ¹
は−ＣＨＲ⁵ＣＯ₂Ｒ⁶（ただし、Ｒ⁵は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ⁶は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ²は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるイミド
イルクロリド誘導体とし、これと一般式［ＸＩＩ］

【００５２】

【化２２】

【００５３】［式中、Ｒ³は低級アルコキシ基、低級ア
ルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、低級アル
コキシアルコキシ基または低級アルコキシカルボニルア
ルコキシ基を表わす。］で示されるカルボン酸誘導体と
を脱酸剤の存在下、反応させることにより、一般式［Ｘ
ＩＩＩ］

【００５４】

【化２３】

【００５５】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ¹
は−ＣＨＲ⁵ＣＯ₂Ｒ⁶（ただし、Ｒ⁵は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ⁶は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ²は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わし、Ｒ³は低級アルコキ
シ基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ
基、低級アルコキシアルコキシ基または低級アルコキシ
カルボニルアルコキシ基を表わす。］で示されるＮ−ア
シル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体へ
と誘導することができる。

【００５６】上記の一般式［ＸＩＩＩ］で示されるＮ−
アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体
は、優れた除草活性を有し、畑地、水田、果樹、牧草
地、芝生地、森林あるいは非農耕地などに広く適用でき
るものであり、かつ、作物に対して高い安全性を示す化
合物である。したがって、本発明の一般式［Ｉ］で示さ
れる新規化合物である置換安息香酸誘導体は、除草剤と
して有用な化合物である一般式［ＸＩＩＩ］で示される
Ｎ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘
導体の製造中間体として有用な化合物であり、また、本
発明の製造法は、その一般式［Ｉ］で示される置換安息
香酸誘導体を容易に製造することができる製造法として
有用である。

【００５７】

【実施例】以下、実施例および参考例により本発明を具
体的に説明する。参考例１ ５−塩化スルホニル−４−クロロ−２−フルオロ安息香
酸の製造（一般式［ＩＩ］で示される化合物） 氷冷下、４−クロロ−２−フルオロ安息香酸７．２ｇ
（４１．４ｍｍｏｌ）をクロロ硫酸２５．０ｇに加え
た。室温まで昇温し、３０分間反応させ、次いで１２０
℃まで昇温し、４時間反応させた。反応液を室温まで冷
却し、氷水に注ぎ込み、これを酢酸エチル１００ｍｌで
２回抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し、粗
生成物を得た。

【００５８】得られた粗生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エ
チルより再結晶し、目的の５−塩化スルホニル−４−ク
ロロ−２−フルオロ安息香酸７．４ｇを得た。 融点＝１４９．０℃〜１５０．０℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δｐｐｍ） ７．５４（ｄ，Ｊ＝９．７Ｈｚ，１Ｈ），８．８５
（ｄ，Ｊ＝１３．０Ｈｚ，１Ｈ），１０．７４（ｂｓ，
１Ｈ）実施例１ ５−アセチルチオ−４−クロロ−２−フルオロ安息香酸
の製造（一般式［Ｉ］で示される化合物） ５−塩化スルホニル−４−クロロ−２−フルオロ安息香
酸７．６７ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）、赤リン２．２０ｇ
（７０．２ミリグラム原子）およびヨウ素０．１５ｇ
（０．５６ｍｍｏｌ）を酢酸８０ｍｌ中に混合し、１０
０℃〜１１０℃で３時間反応させた。反応液を室温まで
冷却し、未反応の赤リンをろ別した後、ろ液を濃縮し、
残渣を氷水に注ぎ込み、これを酢酸エチル１００ｍｌで
２回抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し、粗
生成物を得た。

【００５９】得られた粗生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エ
チルより再結晶し、目的の５−アセチルチオ−４−クロ
ロ−２−フルオロ安息香酸６．８５ｇを得た。 融点＝１４０．０℃〜１４１．５℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δｐｐｍ） ２．５０（ｓ，３Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈ
ｚ，１Ｈ），８．１９（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），
１１．２９（ｂｓ，１Ｈ）参考例２ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸の製造（一般式［Ｖ］で示される化合
物） ５−アセチルチオ−４−クロロ−２−フルオロ安息香酸
７．４０ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、ブロモ酢酸メチル
６．８８ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）、メタノール３５ｍｌ
を混合し、水酸化カリウム５．８９ｇ（１０５ｍｍｏ
ｌ）を水７ｍｌに溶解した溶液を５℃〜１０℃で滴下し
た。滴下終了後、１５℃〜２０℃で１時間反応させ、氷
水に注ぎ込んだ。濃塩酸でｐＨ＝１〜２に調整後、酢酸
エチルで抽出し、抽出液を水および飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留
去し、粗生成物を得た。

【００６０】得られた粗生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エ
チルより再結晶し、目的の４−クロロ−２−フルオロ−
５−メトキシカルボニルメチルチオ安息香酸７．６９ｇ
を得た。

【００６１】融点＝１４７．０℃〜１４９．０℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δｐｐｍ） ３．７２（ｓ，２Ｈ），３．７７（ｓ，３Ｈ），７．３
１（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．１５（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），１０．１（ｂｓ，１Ｈ）参考例３ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸クロリドの製造（一般式［ＶＩ］で示
される化合物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸８．１７ｇ（２９．３ｍｍｏｌ）、塩
化チオニル６６．４ｇ（５５８ｍｍｏｌ）を混合し、還
流下に２時間反応させ、過剰の塩化チオニルおよび揮発
成分を留去し、残渣をｎ−ヘキサン／ベンゼンより再結
晶して、目的の４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキ
シカルボニルメチルチオ安息香酸クロリド６．２ｇを得
た。

【００６２】融点＝７８．０℃〜８０．０℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δｐｐｍ） ３．７２（ｓ，２Ｈ），３．７７（ｓ，３Ｈ），７．３
２（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．２１（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ）参考例４ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸アジドの製造（一般式［ＶＩＩ］で示
される化合物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸クロリド５．５０ｇ（１８．５ｍｍｏ
ｌ）をアセトン４０ｍｌに溶解し、水７ｍｌに溶解した
アジ化ナトリウム１．２ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）を０℃
〜５℃で滴下し、滴下終了後、０℃〜５℃で２０分間反
応させた。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ込み、析出
した生成物をろ集し、乾燥して、目的の４−クロロ−２
−フルオロ−５−メトキシカルボニルメチルチオ安息香
酸アジド５．２６ｇを得た。

【００６３】 融点＝６９．０〜７０．０℃（ｄｅｃｏｍｐ．）¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δｐｐｍ） ３．６９（ｓ，２Ｈ），３．７４（ｓ，３Ｈ），７．２
８（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．０４（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ）参考例５ ５−アセチルアミノ−２−クロロ−４−フルオロフェニ
ルチオ酢酸メチルの製造（一般式［Ｘ］で示される化合
物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸アジド１．０ｇ（３．２９ｍｍｏｌ）
を酢酸７ｍｌに溶解し、室温下で濃硫酸２滴を滴下した
後、７０℃まで加温し、２時間反応させた。反応終了
後、室温まで冷却し、反応液を濃縮し、残渣を氷水に注
ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水および飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
下、溶媒を留去し、結晶を得た。酢酸エチル／ｎ−ヘキ
サンより再結晶を行い、目的の５−アセチルアミノ−２
−クロロ−４−フルオロフェニルチオ酢酸メチル０．５
１ｇを得た。

【００６４】参考例６ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボ
ニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロリド
の製造（一般式［ＸＩ］で示される化合物） ５−アセチルアミノ−２−クロロ−４−フルオロフェニ
ルチオ酢酸メチル１０ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）と五塩化
リン７．１４ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）を２５０ｍｌのベ
ンゼンに懸濁させ、６０℃に加温し、１時間撹拌した。
反応後、反応液を減圧下、濃縮し、定量的に、油状物と
してＮ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカ
ルボニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロ
リドを得た。

【００６５】参考例７ Ｎ−アセチル−Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−
メトキシカルボニルメチルチオフェニル）−３，４，
５，６−テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルの製
造（一般式［ＸＩＩＩ］で示される化合物） Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボ
ニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロリド
１０．６ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）と３，４，５，６−テ
トラヒドロフタラミン酸モノメチルエステル６．９５ｇ
（３７．７ｍｍｏｌ）をベンゼン５０ｍｌに溶解し、ベ
ンゼン１０ｍｌに溶解したトリエチルアミン４．１６ｇ
（４１．２ｍｍｏｌ）を１０℃以下で滴下した。滴下
後、６０℃で３時間、撹拌した。放冷後、水、飽和食塩
水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
濃縮し、結晶を得た。メタノールより再結晶を行い、
５．０９ｇのＮ−アセチル−Ｎ−（４−クロロ−２−フ
ルオロ−５−メトキシカルボニルメチルチオフェニル）
−３，４，５，６−テトラヒドロフタラミン酸メチルエ
ステルを得た。

【００６６】

【発明の効果】本発明の一般式［Ｉ］で示される置換安
息香酸誘導体は、農薬、医薬など、例えば、除草剤とし
て有用な化合物であるＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラ
ヒドロフタラミン酸誘導体などの中間体として有用な化
合物であり、また、本発明の製造法により、その一般式
［Ｉ］で示される置換安息香酸誘導体を容易に製造する
ことができる。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式［Ｉ］ 【化１】 ［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ⁴は低級アルキ
   ル基を表わす。］で示される新規な置換安息香酸誘導
   体。
2. 【請求項２】一般式［Ｉ］で示される置換安息香酸誘導
   体が５−アセチルチオ−４−クロロ−２−フルオロ安息
   香酸である請求項１に記載の新規な置換安息香酸誘導
   体。
3. 【請求項３】一般式［ＩＩ］ 【化２】 ［式中、Ｙはハロゲン原子を表わす。］で示される５−
   塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ハロ安息香酸を一
   般式［ＩＩＩ］ 【化３】 ［式中、Ｒ⁴は低級アルキル基を表わす。］で示される
   低級アルキルカルボン酸、赤リンおよびヨウ素系触媒の
   存在下、還元することを特徴とする一般式［Ｉ］ 【化４】 ［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ⁴は低級アルキ
   ル基を表わす。］で示される新規な置換安息香酸誘導体
   の製造法。
4. 【請求項４】一般式［Ｉ］で示される置換安息香酸誘導
   体が５−アセチルチオ−４−クロロ−２−フルオロ安息
   香酸である請求項３に記載の新規な置換安息香酸誘導体
   の製造法。
5. 【請求項５】ヨウ素系触媒がヨウ素である請求項３また
   は請求項４に記載の新規な置換安息香酸誘導体の製造
   法。