JPH0812897A - ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 工程が簡単であり、複雑な設備を必要とせ
ず、低コストで、良好な電子写真特性を有する結晶を安
定して得ることができるハロゲン化ガリウムフタロシア
ニン結晶の製造方法を提供する。 【構成】 不活性ガスの存在下において、ハロゲン化ガ
リウムフタロシアニンを攪拌或いは機械的歪力によって
乾式粉砕することにより、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペク
トルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５
°、１６．７°、２５．６°および２８．４°に回折ピ
ークを有し、ブラッグ角度７．５°のピークにおける半
値幅が０．５以上であり、ブラッグ角度７．５°のピー
クに対するブラッグ角度２８．４°のピークの強度比が
０．４ないし０．６の範囲にあるハロゲン化ガリウムフ
タロシアニン結晶を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体に使用
するのに適したハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機光導電物質の感光波長領域
を、近赤外線の半導体レーザーの波長にまで伸ばし、レ
ーザープリンター等のデジタル記録用の感光体として使
用することに対する要求が高まっており、この観点か
ら、スクエアリリウム化合物、トリフェニルアミン系ト
リスアゾ化合物、フタロシアニン化合物（特開昭４８−
３４１８９号公報および同５７−１４８７４号公報）等
が、半導体レーザー用の有機光導電物質として提案され
ている。半導体レーザー用の感光材料として、有機光導
電物質を使用する場合は、まず、感光波長域が長波長ま
で伸びていること、次に、形成される感光体の感度、耐
久性がよいことなどが要求される。これらの要求を満た
すために、上記の如き有機光導電物質について、精力的
に研究、開発が試みられており、特にフタロシアニン化
合物については、その結晶型と電子写真特性について、
多くの報告がなされている。一般に、フタロシアニン化
合物は、製造方法、処理方法の違いにより、幾つかの結
晶型を示し、この結晶型の違いは、フタロシアニン化合
物の光電変換特性に大きな影響をおよぼすことが知られ
ている。フタロシアニン化合物の結晶型については、例
えば、銅フタロシアニンについてみると、安定型のβ型
以外に、α、ε、π、ｘ、ρ、γ、δ等の結晶型が知ら
れており、これらの結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、
有機溶剤処理および熱処理等により、相互に転移が可能
であることが知られている（例えば、米国特許第２，７
７０，６２９号、同第３，１６０，６３５号、同第３，
７０８，２９２号、同第３，３５７，９８９号明細
書）。また、無金属フタロシアニンは、α、β、γおよ
びｘなどの結晶型が知られている。さらにまた、クロロ
ガリウムフタロシアニンに関しては、電子写真学会誌、
２６（３），２４０（１９８７）に、特定のブラッグ角
度に回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン
の結晶型について記載されているが、本発明のものとは
結晶型が異なるものであり、電子写真への応用について
の記載もない。一方、特開昭５９−４４０５３号公報、
信教技報ＣＰＭ８１−６９、３９（１９８１）等には、
電子写真への応用についての報告があり、また、特開平
１−２２１４５９号公報には、特定のブラッグ角度に回
折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニンおよび
それを用いた電子写真感光体が記載されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来提
案されているフタロシアニン化合物や、前述のクロロガ
リウムフタロシアニンは、光感度が必ずしも十分とはい
えず、また、結着樹脂中での分散性や分散液の安定性に
も問題があり、カブリや黒点等の画質欠陥を生じ易いた
め、さらなる改善が望まれていた。本発明は、従来技術
の上記のような実情に鑑みてなされたものである。すな
わち、本発明の目的は、複雑な設備を必要とせず、簡単
な工程で、低コストで、かつ、良好な特性を有するハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニン結晶を安定して製造する
方法を提供することにある。本発明の他の目的は、高感
度で良好な電子写真特性を示し、結着樹脂中での分散性
や、分散液の安定性に優れたハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン結晶を製造する方法を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意研究
を重ねた結果、合成によって得られたハロゲン化ガリウ
ムフタロシアニンを、不活性ガスの存在下において、撹
拌或いは機械的歪力によって乾式粉砕することにより、
光導電材料として高い感度と耐久性を有するハロゲン化
ガリウムフタロシアニン結晶が簡単に得られることを見
出し、さらに、このハロゲン化ガリウムフタロシアニン
結晶を感光体の電荷発生材料として使用すると、優れた
特性の電子写真感光体が得られることを見出し、本発明
を完成するに至った。すなわち、本発明は、ハロゲン化
ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法に関するもので
あって、不活性ガスの存在下において、ハロゲン化ガリ
ウムフタロシアニンを攪拌或いは機械的歪力によって乾
式粉砕することにより、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクト
ルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５
°、１６．７°、２５．６°および２８．４°に回折ピ
ークを有し、ブラッグ角度７．５°のピークにおける半
値幅が０．５以上であり、ブラッグ角度７．５°のピー
クに対するブラッグ角度２８．４°のピーク強度比が
０．４ないし０．６の範囲にあるハロゲン化ガリウムフ
タロシアニン結晶を得ることを特徴とする。

【０００５】以下、本発明について詳細に説明する。原
料のハロゲン化ガリウムフタロシアニンは、公知の方法
によって合成される。例えば、フタロニトリルまたはジ
イミノイソインドリンと金属塩化物とを加熱融解または
有機溶媒の存在下で加熱するフタロニトリル法、無水フ
タル酸を尿素および金属塩化物と加熱融解または有機溶
媒の存在下で加熱するワイラー法、シアノベンズアミド
と金属塩とを高温で反応させる方法、ジリチウムフタロ
シアニンと金属塩とを反応させる方法等によって合成す
る。原料のハロゲン化ガリウムフタロシアニンとして
は、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも１１．０°、１３．５°および
２７．１°に強い回折ピークを有するものが好ましく使
用される。上記の合成方法において使用する有機溶媒と
しては、α−クロロナフタレン、β−クロロナフタレ
ン、メトキシナフタレン、ジフェニルエタン、エチレン
グリコール、ジアルキルエーテル、キノリン、スルホラ
ン、ジメチルスルホキシド、ジクロロベンゼン、ジクロ
ロトルエン等の反応不活性な高沸点の溶媒が望ましい。

【０００６】上記のいずれかの合成方法により得られた
ハロゲン化ガリウムフタロシアニンは、不活性ガスの存
在下で、撹拌或いは機械的歪力によって乾式粉砕され
る。撹拌或いは機械的歪力のための粉砕装置としては、
振動ミル、自動乳鉢、遊星ボールミル、サンドミル、ア
トライター、ボールミル等を用いることができる。これ
らの粉砕装置の中でも、振動ミルが高い粉砕効率が得ら
れるので望ましい。乾式粉砕を不活性ガスの存在下で行
うためには、不活性ガスをポット内に充填させればよ
い。それにより、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結
晶の凝集や、ポット内壁への付着或いはコーティングが
防止でき、効率よく粉砕することができると共に、より
小さい粒径になるまで粉砕が可能となるため、粉砕時間
が短縮でき、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の
感度をさらに高めることができる。また、空気中の酸素
や水分の影響を受けないため、酸化や分解等の顔料の変
質の防止にも効果を発揮する。

【０００７】不活性ガスを使用しない場合、ハロゲン化
ガリウムフタロシアニン結晶がポット内壁に付着したり
コーティングを引き起こすため、ハロゲン化ガリウムフ
タロシアニン結晶が凝集し、長時間の粉砕時間が必要と
なる。また、不活性ガスを用いた場合に比して、生成す
るハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の粒径を小さ
くすることができず、その結果、それを電子写真感光材
料として使用した場合の感度が低くなる。さらに、ハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の凝集体が残留しや
すいため、感光体を作製した時に、黒点、白点等が発生
して、画質への悪影響が生じる。本発明において使用さ
れる不活性ガスとしては、周期律表第０族のヘリウム、
ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンの
他、窒素等があげられ、これらは単独または混合して使
用することができる。本発明において上記のように乾式
粉砕する場合、得られるハロゲン化ガリウムフタロシア
ニン結晶は、その平均粒子径が、０．０１〜０．２０μ
ｍになるように粉砕時間を調整するのが好ましい。平均
粒子径が０．２０μｍよりも大きいと感度が不十分にな
り、また、０．０１μｍよりも小さくしようとすると、
非常に長時間の粉砕を必要とするため効率的ではなく、
ポットや粉砕メディアの磨耗による汚染が増加し、画質
欠陥を生じるため好ましくない。

【０００８】上記のようにして得られるハロゲン化ガリ
ウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線に対する
ブラッグ角度（２θ±０．２°）の少なくとも７．５
°、１６．７°、２５．６°および２８．４°に主要な
回折ピークを有するものであり、上記ブラッグ角度７．
５°のピークにおける半値幅が０．５以上を示し、上記
ブラッグ角度７．５°のピークに対するブラッグ角度２
８．４°のピーク強度比が０．４〜０．６である。本発
明の上記の処理方法により得られるハロゲン化ガリウム
フタロシアニン結晶は、電子写真感光体における電荷発
生材料として有用である。

【０００９】次に、本発明によって製造されるハロゲン
化ガリウムフタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体
について説明する。電子写真感光体は、感光層が単層構
造のものでも、或いは電荷発生層と電荷輸送層とに機能
分離された積層構造のものでもよい。積層構造の電子写
真感光体の場合には、導電性支持体上には少なくとも電
荷発生層と電荷輸送層とが積層された感光層が設けられ
るが、その積層の順序はいずれが支持体側にあってもよ
い。導電性支持体としては、電子写真感光体において使
用されるものであれば、如何なるものでも使用できる。
また、必要に応じて、導電性支持体の表面は、画質に影
響のない範囲で各種の処理を行うことができる。例え
ば、表面の陽極酸化処理、液体ホーニング等による粗面
化処理、薬品処理、着色処理等を行うことができる。

【００１０】電荷発生層は、上記のようにして製造され
たハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶と適当な結着
樹脂とより構成される。なお、結着樹脂は使用しなくて
もよい。電荷発生材料として、ハロゲン化ガリウムフタ
ロシアニン結晶に他の公知の電荷発生材料を併用しても
よい。一方、結着樹脂としては、公知のものならば如何
なるものでも使用できる。例えばポリカーボネート、ポ
リスチレン、ポリエステル、メタクリル酸エステル重合
体、ポリビニルブチラール、ポリアセタール、酢酸ビニ
ル重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、セルロー
スエステル、セルロースエーテル、ポリブタジエン、ポ
リウレタン、エポキシ樹脂等があげられる。電荷発生材
料と結着樹脂の配合比は、４０：１〜１：４、好ましく
は２０：１〜１：２である。電荷発生材料の比率が高す
ぎる場合には、塗布溶液の安定性が低下し、低すぎる場
合には、感度が低下するので、上記の範囲にするのが好
ましい。電荷発生層は、上記ハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン結晶を結着樹脂の有機溶剤溶液に分散させ、塗
布することによって形成することができる。有機溶剤と
しては、メタノール、エタノール、ｎ−ブタノール、ベ
ンジルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、クロロホル
ム、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の有機
溶剤或いはこれらの混合溶剤をあげることができる。分
散手段としてはサンドミル、コロイドミル、アトライタ
ー、ボールミル、ダイノーミル、コボールミル、ロール
ミル等の方法が利用できる。塗布方法としては、ブレー
ドコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプ
レーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコー
ティング法、カーテンコーティング法等の方法を用いる
ことができる。電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μ
ｍ、好ましくは０．０３〜２μｍ程度である。

【００１１】電荷輸送層は、電荷輸送材料と成膜性樹脂
より構成されるもので、電荷輸送材料としては、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｍ−トリル）ベ
ンジジン、Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ′
−ビス−（ｐ−エチルフェニル）−３，３′−ジメチル
ベンジジン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
２，２−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−（２，２−ジフェ
ニルビニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルアニリン等、公知
のものであればいずれのものでも使用できる。成膜性樹
脂としては、例えばポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリスチレン、ポリエステル、スチレン−アクリロ
ニトリル共重合体、ポリスルホン、ポリメタクリル酸エ
ステル、スチレン−メタクリル酸エステル共重合体、ポ
リオレフィン等が挙げられる。これらの中では、耐久性
の点でポリカーボネートが好適である。電荷輸送材料と
成膜性樹脂の配合比（重量）は、５：１〜１：５、好ま
しくは３：１〜１：３である。電荷輸送材料の比率が高
すぎる場合には、電荷輸送層の機械的強度が低下し、低
すぎる場合には、感度が低下するので、上記の範囲にす
るのが好ましい。また、電荷輸送材料が成膜性を有する
場合には、上記成膜性樹脂を省くこともできる。電荷輸
送層は、上記電荷輸送材料と成膜性樹脂とを適当な溶剤
に溶解し、塗布することによって形成するが、膜厚は、
５〜５０μｍ、好ましくは１０〜４０μｍの範囲になる
ように形成するのが好ましい。これらの感光層の塗布方
法としては、前述のいずれかの方法を用いることができ
る。

【００１２】感光層が単層構造を有する場合、感光層は
上記ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶および電荷
輸送材料を成膜性樹脂に含有させた光導電層よりなる。
ここで、電荷輸送材料としては、公知のものであればい
ずれのものでも使用でき、成膜性樹脂としては、上記と
同様なものが使用され、前述のいずれかの塗布方法によ
って感光層が形成される。その場合の電荷輸送材料と成
膜性樹脂との配合比（重量）は、１：２０〜５：１、ハ
ロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶と電荷輸送材料と
の配合比（重量）は、１：１０〜１０：１程度に設定す
るのが好ましい。また、電子写真感光体は、必要に応じ
て、感光層と導電性支持体の間に下引層を設けてもよ
い。下引層は、支持体からの不必要な電荷の注入を阻止
するために有効であり、感光体の帯電性を改善する作用
を有する。さらに、感光層と支持体との接着性を向上さ
せる作用も有している。更に、電子写真感光体は、耐刷
性を改善するために、感光層の上に保護層を設けてもよ
い。本発明によって製造されるハロゲン化ガリウムフタ
ロシアニン結晶が使用された電子写真感光体は、電子写
真複写機に効果的に使用されるが、更にレーザービーム
プリンター、ＬＥＤプリンター、ＣＲＴプリンターや、
マイクロフィルムリーダー、普通紙ＦＡＸ、電子写真製
版システム等に適用可能である。

【００１３】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。なお、実施例において、「部」は「重量部」を
意味する。 合成例（クロロガリウムフタロシアニンの合成） １，３−ジイミノイソインドリン３０部（重量部、以下
同じ）、三塩化ガリウム９．１部をキノリン２３０部中
に入れ、２００℃において４時間反応させた後、生成物
を濾別し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドおよびメタノ
ールで洗浄し、ついで湿ケーキを乾燥した後、クロロガ
リウムフタロシアニンの結晶２８部を得た。得られたク
ロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図
４に示す。また、元素分析値は次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実績値％ ６２．１８ ２．６７ １８．０２ ５．７５ この時のクロロガリウムフタロシアニン結晶の平均粒径
をレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ７００、堀
場製作所（株）製）により測定したところ、２０．０μ
ｍであった。

【００１４】実施例１ 上記合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結
晶５部を、アルミナ製ビーズ２５部と共に、アルミナ製
ポットに入れ、窒素ガスを充填して密封した。これを振
動ミル（ＭＢ−１型、中央化工機（株）製）に装着し、
１００時間粉砕した。得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図１に、分光スペクトル
図を図２に、赤外吸収スペクトル図を図３に示す。粉末
Ｘ線回折の測定結果から、ブラッグ角度７．５°のピー
クにおける半値幅は０．５９、ブラッグ角度７．５°の
ピークに対するブラッグ角度２８．４°のピーク強度比
は０．５８であることが確認された。また、得られたク
ロロガリウムフタロシアニン結晶の平均粒径を測定した
ところ、０．１５μｍであった。

【００１５】実施例２ 上記合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結
晶５部を、ガラス製ビーズ３０部と共に、ガラス製ボー
ルミルに入れ、アルゴンガスを充填して密封した。これ
をボールミル架台にセットし、１２０時間粉砕した。得
られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回
折図は、図１と同様のスペクトルを示した。このときの
ブラッグ角度７．５°のピークにおける半値幅は０．５
４、ブラッグ角度７．５°のピークに対するブラッグ角
度２８．４°のピーク強度比は０．４３であった。ま
た、得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の平均
粒径を測定したところ、０．１８μｍであった。

【００１６】比較例１ 上記合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結
晶５部を、アルミナ製ビーズ２５部と共に、アルミナ製
ポットに入れ、不活性ガスは充填せずにそのまま密封し
た。これを振動ミルに装着し、１００時間粉砕した。そ
の際、ポット内にはクロロガリウムフタロシアニン結晶
の凝集が多く観察された。得られたクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示す。この時
のブラッグ角度７．５°のピークにおける半値幅は０．
２６、ブラッグ角度７．５°のピークに対するブラッグ
角度２８．４°のピーク強度比は０．２０であった。ま
た、クロロガリウムフタロシアニン結晶の平均粒径を測
定したところ、０．２７μｍであった。

【００１７】比較例２ 上記合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結
晶５部を、ガラス製ビーズ３０部と共に、ガラス製ボー
ルミルに入れ、不活性ガスは充填せずにそのまま密封し
た。これをボールミル架台にセットし、１２０時間粉砕
した。その際、ポット内にはクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の凝集が多く観察された。得られたクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図５と同
様のスペクトルを示した。この時のブラッグ角度７．５
°のピークにおける半値幅は０．３１、ブラッグ角度
７．５°のピークに対するブラッグ角度２８．４°のピ
ーク強度比は０．２５であった。また、得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の平均粒径を測定したとこ
ろ、０．３５μｍであった。

【００１８】応用例１ まず、アルミニウムパイプの湿式ホーニング処理を次の
ようにして行った。４０ｍｍφ×３１９ｍｍの鏡面アル
ミニウムパイプを用意し、液体ホーニング装置を用い
て、研磨剤（グリーンデシックＧＣ＃４００、昭和電工
（株）製）１０ｋｇを水４０リットルに懸濁させ、それ
をポンプで６リットル／分の流量でガンに送液し、吹き
つけ速度６０ｍｍ／分、空気圧０．８５ｋｇｆ／ｃｍ²
で、アルミニウムパイプを１２０ｒｐｍで回転させなが
ら軸方向に移動させ、湿式ホーニング処理を行った。こ
のときの中心線平均粗さＲａは０．１６μｍであった。
次に、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−
Ｓ，積水化学工業（株）製）８部をｎ−ブチルアルコー
ル１５２部に加え、撹拌溶解し、５重量％のポリビニル
ブチラール溶液を作製した。次に、トリブトキシジルコ
ニウム・アセチルアセトネートの５０％トルエン溶液
（ＺＣ５４０，松本交商（株）製）１００部、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン（Ａ１１００、日本ユニ
カー（株）製）１０部およびｎ−ブチルアルコール１３
０部を混合した溶液を、前述のポリビニルブチラール溶
液中に加え、攪拌機で攪拌し、下引層形成用の塗布液を
作製した。この塗布液をアルミニウムパイプ上に浸漬塗
布し、１６５℃において１０分間加熱乾燥し、膜厚１．
０μｍの下引層を形成した。一方、ポリビニルブチラー
ル樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ，積水化学工業（株）製）
３部を予め、キシレン／酢酸ｎ−ブチル＝１／５の混合
溶液１００部に溶解した溶液に、実施例１で得たクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶３部を加え、２４時間サン
ドミルで分散し、上記キシレン／酢酸ｎ−ブチル混合溶
液で希釈し、固形分濃度３．０重量％の電荷発生層形成
用塗布液を調製した。得られた塗布液を前記下引層の上
にリング塗布機により塗布し、１００℃において１０分
間加熱乾燥し、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成し
た。形成された電荷発生層の上に電荷輸送層を形成し
た。即ち、Ｎ．Ｎ′−ビス−（ｐ−トリル）−Ｎ．Ｎ′
−ビス−（ｐ−エチルフェニル）−３，３′−ジメチル
ベンジジン４部を電荷輸送材料とし、ポリカーボネート
Ｚ樹脂６部と共に、モノクロロベンゼン４０部に溶解さ
せ、得られた溶液を浸漬塗布装置によって、前記電荷発
生層上に塗布し、１２０℃、６０分加熱乾燥し、膜厚２
０μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作製し
た。

【００１９】応用例２ 電荷発生材料として、実施例２で得たクロロガリウムフ
タロシアニン結晶を使用した以外は、上記応用例１とす
べて同様にして電子写真感光体を作製した。

【００２０】参考例１ 電荷発生材料として、比較例１で得たクロロガリウムフ
タロシアニン結晶を使用した以外は、上記応用例１とす
べて同様にして電子写真感光体を作製した。 参考例２ 電荷発生材料として、比較例２で得たクロロガリウムフ
タロシアニン結晶を使用した以外は、上記応用例１とす
べて同様にして電子写真感光体を作製した。 参考例３ 電荷発生材料として、合成例で得たクロロガリウムフタ
ロシアニンを使用した以外は、上記応用例１とすべて同
様にして電子写真感光体を作製した。

【００２１】これらの電子写真感光体に対して、レーザ
ープリンター改造スキャナー（ＸＰ−１１改造機、富士
ゼロックス（株）製）を用いて、２０℃、５０％ＲＨの
環境下で、グリッド印加電圧−６００Ｖのスコロトロン
帯電器で帯電し（Ａ）、７８０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、１秒後に１０．０ｅｒｇ／ｃｍ² の光を照射し
て放電を行い（Ｂ）、更に、３秒後に５０ｅｒｇ／ｃｍ
² の赤色ＬＥＤ光を照射して除電を行う（Ｃ）というプ
ロセスによって、各部の電位を測定した。（Ａ）の電位
ＶH が高い程、感光体の受容電位が高いので、コントラ
ストを高くとることができ、（Ｂ）の電位ＶL は低い程
高感度であり、（Ｃ）ＶRPの電位は低い程残留電位が少
なく、画像メモリーやカブリが少ない感光体といえる。
また、５０００回繰り返し帯電・露光後の各部の電位の
測定も行った。更に、これらの電子写真感光体に対し、
レーザープリンター（ＸＰ−１１、富士ゼロックス
（株）製）を用いて、３０℃、８５％ＲＨの環境下で画
質の評価を行った。使用した電荷発生材料に関して表１
にまとめて示し、また、上記測定および評価の結果を表
２に示す。

【００２２】

【表１】

【００２３】

【表２】

【００２４】

【発明の効果】本発明は上記の構成を有するから、工程
が簡単であり、複雑な設備を必要とせず、コストの低減
がはかられ、良好な特性を有するハロゲン化ガリウムフ
タロシアニン結晶を安定して得ることができるという効
果を奏する。そして本発明によって製造されたハロゲン
化ガリウムフタロシアニン結晶は、電子写真特性が優れ
ており、電荷発生材料として有用であり、それを用いた
電子写真感光体は、高感度で良好な電子写真特性を示
し、カブリや黒点のない優れた画質特性を有するものと
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図２】 実施例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の分光スペクトル図を示す。

【図３】 実施例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の赤外吸収スペクトル図を示す。

【図４】 合成例で得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図５】 比較例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 不活性ガスの存在下において、ハロゲン
   化ガリウムフタロシアニンを攪拌或いは機械的歪力によ
   って乾式粉砕することにより、ＣｕＫα特性Ｘ線回折ス
   ペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の
   ７．５°、１６．７°、２５．６°および２８．４°に
   回折ピークを有し、ブラッグ角度７．５°のピークにお
   ける半値幅が０．５以上であり、ブラッグ角度７．５°
   のピークに対するブラッグ角度２８．４°のピーク強度
   比が０．４ないし０．６の範囲にあるハロゲン化ガリウ
   ムフタロシアニン結晶を得ることを特徴とするハロゲン
   化ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法。