JPH08110351A - 半導体力学センサ装置 - Google Patents
半導体力学センサ装置Info
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- JPH08110351A JPH08110351A JP24635794A JP24635794A JPH08110351A JP H08110351 A JPH08110351 A JP H08110351A JP 24635794 A JP24635794 A JP 24635794A JP 24635794 A JP24635794 A JP 24635794A JP H08110351 A JPH08110351 A JP H08110351A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 制御用ＩＣと加速度センサ間のガラスステー
ジを廃止し、スペース的に小型化を図る。 【構成】 セラミック基板１上に制御用ＩＣ２および駆
動用ＩＣ３を接着剤５ａにてダイマウントし、制御用Ｉ
Ｃ２上の中央領域に加速度センサ４を接着剤５ｂにより
ダイマウントする。そして、ワイヤ６にて加速度センサ
４と制御用ＩＣ２間を電気的に接続する。
ジを廃止し、スペース的に小型化を図る。 【構成】 セラミック基板１上に制御用ＩＣ２および駆
動用ＩＣ３を接着剤５ａにてダイマウントし、制御用Ｉ
Ｃ２上の中央領域に加速度センサ４を接着剤５ｂにより
ダイマウントする。そして、ワイヤ６にて加速度センサ
４と制御用ＩＣ２間を電気的に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加速度又は圧力等を検
出する半導体力学センサ装置に関する。
出する半導体力学センサ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に従来の構成を示す。（ａ）は平面
図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。半導体加速度センサ
４は、加速度に応じて変位するカンチレバー構造を有し
ている。このカンチレバー構造は、シリコン基板をエッ
チング加工することにより構成されており、加速度セン
サ４の台座として用いられるステージ１１の上に搭載さ
れる。従来、このステージ１１としては、平坦度、エッ
チング加工性の面からガラスが用いられている。
図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。半導体加速度センサ
４は、加速度に応じて変位するカンチレバー構造を有し
ている。このカンチレバー構造は、シリコン基板をエッ
チング加工することにより構成されており、加速度セン
サ４の台座として用いられるステージ１１の上に搭載さ
れる。従来、このステージ１１としては、平坦度、エッ
チング加工性の面からガラスが用いられている。
【０００３】また、加速度センサ４はそれ単品では機能
しないため、制御用のモノリシックＩＣと駆動用パワー
ＩＣ、すなわち回路チップが必要となる。そこで、図７
に示すように、セラミック基板１の同一平面上に、加速
度センサ４、制御用ＩＣ２、駆動用パワーＩＣ３の３チ
ップが実装されている。
しないため、制御用のモノリシックＩＣと駆動用パワー
ＩＣ、すなわち回路チップが必要となる。そこで、図７
に示すように、セラミック基板１の同一平面上に、加速
度センサ４、制御用ＩＣ２、駆動用パワーＩＣ３の３チ
ップが実装されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記加速度センサ４は
シリコン基板をエッチングして形成したものであり、そ
の重り部分４ａにかかる応力を電気抵抗変化に変換して
センシングを行っている。このため、本来の加速度によ
って発生する応力以外の応力、例えば熱膨張のアンマッ
チによって生じるものを極力低減する必要がある。従っ
て、ガラスステージ１１として、セラミック基板１と加
速度センサ４の熱膨張差を吸収するためにできるだけシ
リコンと熱膨張係数が近いものを選択しなければならな
いという制約がある。さらに、このガラスステージ１１
は、加速度センサ４がカンチレバー構造となっているた
め、重り部４ａの真下の部分は図７（ｂ）に示すように
貫通穴１１ａを設けるか、エッチング加工により凹部を
設ける必要がある。
シリコン基板をエッチングして形成したものであり、そ
の重り部分４ａにかかる応力を電気抵抗変化に変換して
センシングを行っている。このため、本来の加速度によ
って発生する応力以外の応力、例えば熱膨張のアンマッ
チによって生じるものを極力低減する必要がある。従っ
て、ガラスステージ１１として、セラミック基板１と加
速度センサ４の熱膨張差を吸収するためにできるだけシ
リコンと熱膨張係数が近いものを選択しなければならな
いという制約がある。さらに、このガラスステージ１１
は、加速度センサ４がカンチレバー構造となっているた
め、重り部４ａの真下の部分は図７（ｂ）に示すように
貫通穴１１ａを設けるか、エッチング加工により凹部を
設ける必要がある。
【０００５】従って、ガラスステージ１１を設けること
自体、上述した制約、構造上の問題を有する。本発明
は、上記ガラスステージを廃止した構成とすることによ
り上記問題を解決することを目的とする。
自体、上述した制約、構造上の問題を有する。本発明
は、上記ガラスステージを廃止した構成とすることによ
り上記問題を解決することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、力の作用により
変位する変位部（４ａ）を有し、この変位部（４ａ）の
変位を検出する半導体力学センサ（４）と、この半導体
力学センサ（４）と電気的に接続され、前記半導体力学
センサ（４）からの検出信号を電気的に処理する回路チ
ップ（２）とを備えた半導体力学センサにおいて、前記
半導体力学センサ（４）は、前記回路チップ（２）上
に、接着剤（５ｂ）を介して搭載されていることを特徴
としている。
め、請求項１に記載の発明においては、力の作用により
変位する変位部（４ａ）を有し、この変位部（４ａ）の
変位を検出する半導体力学センサ（４）と、この半導体
力学センサ（４）と電気的に接続され、前記半導体力学
センサ（４）からの検出信号を電気的に処理する回路チ
ップ（２）とを備えた半導体力学センサにおいて、前記
半導体力学センサ（４）は、前記回路チップ（２）上
に、接着剤（５ｂ）を介して搭載されていることを特徴
としている。
【０００７】請求項２に記載の発明においては、力の作
用により変位する変位部（４ａ）を有し、この変位部
（４ａ）の変位を検出する半導体力学センサ（４）と、
電気配線（９）が形成された基板（１）と、この基板
（１）上に設置され、上部にパッドを有してこのパッド
と前記基板（１）上の電気配線（９）とが第１のワイヤ
（７）にて電気的に接続されるとともに、前記半導体力
学センサ（４）と電気的に接続されて前記半導体力学セ
ンサ（４）からの検出信号を電気的に処理し、前記第１
のワイヤ（７）より前記基板（１）上の電気配線（９）
を介し外部（３）に処理信号を出力する回路チップ
（２）とを備えた半導体力学センサ装置において、前記
半導体力学センサ（４）は、前記回路チップ（２）の上
部における前記パッドが形成されていない領域に、接着
剤（５ｂ）を介して搭載され、前記半導体力学センサ
（４）と前記回路チップ（２）とが第２のワイヤ（６）
により電気的に接続されていることを特徴としている。
用により変位する変位部（４ａ）を有し、この変位部
（４ａ）の変位を検出する半導体力学センサ（４）と、
電気配線（９）が形成された基板（１）と、この基板
（１）上に設置され、上部にパッドを有してこのパッド
と前記基板（１）上の電気配線（９）とが第１のワイヤ
（７）にて電気的に接続されるとともに、前記半導体力
学センサ（４）と電気的に接続されて前記半導体力学セ
ンサ（４）からの検出信号を電気的に処理し、前記第１
のワイヤ（７）より前記基板（１）上の電気配線（９）
を介し外部（３）に処理信号を出力する回路チップ
（２）とを備えた半導体力学センサ装置において、前記
半導体力学センサ（４）は、前記回路チップ（２）の上
部における前記パッドが形成されていない領域に、接着
剤（５ｂ）を介して搭載され、前記半導体力学センサ
（４）と前記回路チップ（２）とが第２のワイヤ（６）
により電気的に接続されていることを特徴としている。
【０００８】請求項３に記載の発明では、請求項１又は
２に記載の発明において、前記変位部は加速度を受けて
変位する重り部であって、前記接着剤は、前記半導体力
学センサと前記回路チップ間のギャップを一定にするビ
ーズ入りの接着剤であることを特徴としている。請求項
４に記載の発明では、請求項１乃至３のいずれか１つに
記載の発明において、前記半導体力学センサはシリコン
にて構成されたものであり、前記回路チップはシリコン
で構成されたＩＣチップであることを特徴としている。
２に記載の発明において、前記変位部は加速度を受けて
変位する重り部であって、前記接着剤は、前記半導体力
学センサと前記回路チップ間のギャップを一定にするビ
ーズ入りの接着剤であることを特徴としている。請求項
４に記載の発明では、請求項１乃至３のいずれか１つに
記載の発明において、前記半導体力学センサはシリコン
にて構成されたものであり、前記回路チップはシリコン
で構成されたＩＣチップであることを特徴としている。
【０００９】なお、上記各手段のカッコ内の符号は、後
述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。
述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。
【００１０】
【発明の作用効果】請求項１乃至４に記載の発明によれ
ば、半導体力学センサを回路チップ上に接着剤を介して
搭載するようにしているから、回路チップが従来のガラ
スステージを兼任することになるため、従来のガラスス
テージを廃止した構成とすることができる。
ば、半導体力学センサを回路チップ上に接着剤を介して
搭載するようにしているから、回路チップが従来のガラ
スステージを兼任することになるため、従来のガラスス
テージを廃止した構成とすることができる。
【００１１】また、回路チップ上に加速度センサを搭載
することにより、回路チップと加速度センサとが立体的
に構成されるため、平面上のスペースを小さくすること
ができる。また、請求項３に記載の発明によれば、ビー
ズ入りの接着剤にて半導体力学センサと回路チップ間の
ギャップを一定にするようにしているから、加速度を受
けて変位する重り部の動きを、その一定のギャップにて
規制することができ、加速度センサとして適切に機能さ
せることができる。
することにより、回路チップと加速度センサとが立体的
に構成されるため、平面上のスペースを小さくすること
ができる。また、請求項３に記載の発明によれば、ビー
ズ入りの接着剤にて半導体力学センサと回路チップ間の
ギャップを一定にするようにしているから、加速度を受
けて変位する重り部の動きを、その一定のギャップにて
規制することができ、加速度センサとして適切に機能さ
せることができる。
【００１２】さらに、請求項４に記載の発明によれば、
半導体力学センサと回路チップをシリコンで構成してい
るから、両者間の熱膨張差による応力を低減することが
できる。
半導体力学センサと回路チップをシリコンで構成してい
るから、両者間の熱膨張差による応力を低減することが
できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図に示す実施例について説明
する。図１（ａ）は、加速度センサモジュール（加速度
検出装置）の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。こ
の図１において、セラミック基板１の上に、制御用ＩＣ
２と駆動用ＩＣ３が接着剤５ａによってダイマウントさ
れており、さらにこの制御用ＩＣ２のＡｌパッド部分を
除いたチップ中央付近（加速度センサ４を搭載できる空
き領域）に、加速度センサ４が接着剤５ｂによってダイ
マウントされている。
する。図１（ａ）は、加速度センサモジュール（加速度
検出装置）の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。こ
の図１において、セラミック基板１の上に、制御用ＩＣ
２と駆動用ＩＣ３が接着剤５ａによってダイマウントさ
れており、さらにこの制御用ＩＣ２のＡｌパッド部分を
除いたチップ中央付近（加速度センサ４を搭載できる空
き領域）に、加速度センサ４が接着剤５ｂによってダイ
マウントされている。
【００１４】ここで、接着剤５ｂとしては、加速度セン
サ４に働く熱的、機械的な応力を吸収するため、低ヤン
グ率の樹脂に、エアギャップ（例えば、２０μｍ）を形
成するためのガラスビーズを混入した接着剤を用いてい
る。粒径がそろっているガラスビーズを樹脂に混入する
ことにより、制御用ＩＣ２と加速度センサ４の間に、所
定のギャップを形成することが可能になり、重り部４ａ
が加速度に応じて変位した時の動きを規制することがで
きる。すなわち、カンチレバー構造の加速度センサに対
応できる構成とすることができる。
サ４に働く熱的、機械的な応力を吸収するため、低ヤン
グ率の樹脂に、エアギャップ（例えば、２０μｍ）を形
成するためのガラスビーズを混入した接着剤を用いてい
る。粒径がそろっているガラスビーズを樹脂に混入する
ことにより、制御用ＩＣ２と加速度センサ４の間に、所
定のギャップを形成することが可能になり、重り部４ａ
が加速度に応じて変位した時の動きを規制することがで
きる。すなわち、カンチレバー構造の加速度センサに対
応できる構成とすることができる。
【００１５】また、Ａｌ又はＡｕのワイヤ６により加速
度センサ４上のパッドと制御用ＩＣ２上のパッドとが結
線されている。また、Ａｌ又はＡｕのワイヤ７、８によ
り、制御用ＩＣ２と駆動用ＩＣ３のパッドとセラミック
基板１上の配線９とが結線されている。そして、上記構
成によるモジュールとしての入出力は、セラミック基板
１上の配線９を通って外部取り出しピン１０によって行
われる。
度センサ４上のパッドと制御用ＩＣ２上のパッドとが結
線されている。また、Ａｌ又はＡｕのワイヤ７、８によ
り、制御用ＩＣ２と駆動用ＩＣ３のパッドとセラミック
基板１上の配線９とが結線されている。そして、上記構
成によるモジュールとしての入出力は、セラミック基板
１上の配線９を通って外部取り出しピン１０によって行
われる。
【００１６】なお、制御用ＩＣ２は加速度センサ４から
の検出信号を電気的に処理し、加速度信号（処理信号）
をワイヤ７および配線９を介して駆動用ＩＣ３に出力
し、駆動用ＩＣはアクチュエータ（例えば、車両におけ
るエアバッグ、ブレーキ用のアクチュエータ）を駆動す
る。上記加速度センサモジュールは以下のようにして製
造される。
の検出信号を電気的に処理し、加速度信号（処理信号）
をワイヤ７および配線９を介して駆動用ＩＣ３に出力
し、駆動用ＩＣはアクチュエータ（例えば、車両におけ
るエアバッグ、ブレーキ用のアクチュエータ）を駆動す
る。上記加速度センサモジュールは以下のようにして製
造される。
【００１７】まず、配線９および外部取り出しピン１０
が形成されたセラミック基板１上に、制御用ＩＣ２と駆
動用ＩＣ３を接着剤５ａによってダイマウントし、続い
て制御用ＩＣ２のＡｌパッド部分を除いたチップ中央付
近に、加速度センサ４を接着剤５ｂによってダイマウン
トする。この場合、制御用ＩＣ２がウェハー状態（＝ダ
イシング前）にある時に接着剤５ｂを印刷で塗布し、そ
の上に加速度センサ４をマウントし、キュアしてから制
御用ＩＣ２をダイシングして構成するようにしてもよ
い。
が形成されたセラミック基板１上に、制御用ＩＣ２と駆
動用ＩＣ３を接着剤５ａによってダイマウントし、続い
て制御用ＩＣ２のＡｌパッド部分を除いたチップ中央付
近に、加速度センサ４を接着剤５ｂによってダイマウン
トする。この場合、制御用ＩＣ２がウェハー状態（＝ダ
イシング前）にある時に接着剤５ｂを印刷で塗布し、そ
の上に加速度センサ４をマウントし、キュアしてから制
御用ＩＣ２をダイシングして構成するようにしてもよ
い。
【００１８】そして、全体を一括でキュアした後、ワイ
ヤ６により加速度センサ４上のパッドと制御用ＩＣ２上
のパッドとを結線する。その後、ワイヤ７、８で、制御
用ＩＣ２と駆動用ＩＣ３のパッドとセラミック基板１上
の配線９とを結線する。上記構成において、加速度セン
サ４から制御用ＩＣ２への接続は、図７に示す従来のも
ののように、ワイヤ１２、セラミック基板１上の配線９
およびワイヤ７を介して行われるのではなく、ワイヤ６
によって直になされるので、その信号線路が短くなり、
信号遅延およびノイズ防止上大きな効果がある。
ヤ６により加速度センサ４上のパッドと制御用ＩＣ２上
のパッドとを結線する。その後、ワイヤ７、８で、制御
用ＩＣ２と駆動用ＩＣ３のパッドとセラミック基板１上
の配線９とを結線する。上記構成において、加速度セン
サ４から制御用ＩＣ２への接続は、図７に示す従来のも
ののように、ワイヤ１２、セラミック基板１上の配線９
およびワイヤ７を介して行われるのではなく、ワイヤ６
によって直になされるので、その信号線路が短くなり、
信号遅延およびノイズ防止上大きな効果がある。
【００１９】また、制御用ＩＣ２と加速度センサ４を２
段重ねで構成することにより、制御用ＩＣ２が、従来の
ガラスステージ１１の役目を兼任し、従来問題となって
いる別体部品のガラスステージ１１を廃止することが可
能になる。さらに、制御用ＩＣ２がシリコンチップであ
り、それをステージとして用いているため、加速度セン
サ４との間の熱膨張差は０であり、熱応力上の問題を解
決することができる。
段重ねで構成することにより、制御用ＩＣ２が、従来の
ガラスステージ１１の役目を兼任し、従来問題となって
いる別体部品のガラスステージ１１を廃止することが可
能になる。さらに、制御用ＩＣ２がシリコンチップであ
り、それをステージとして用いているため、加速度セン
サ４との間の熱膨張差は０であり、熱応力上の問題を解
決することができる。
【００２０】さらに、図７に示す従来のものでは、加速
度センサ４、制御用ＩＣ２及び駆動用ＩＣ３の３つのチ
ップをセラミック基板１の同一平面上に実装しているの
に対し、上記実施例では、加速度センサ４を、制御用Ｉ
Ｃ２の周辺のパッド部分以外のチップ中央の空きエリア
に実装しているので、従来加速度センサの実装に要して
いたエリアが不要となり、基板サイズの縮小、すなわち
製品の小型化を図ることができる。
度センサ４、制御用ＩＣ２及び駆動用ＩＣ３の３つのチ
ップをセラミック基板１の同一平面上に実装しているの
に対し、上記実施例では、加速度センサ４を、制御用Ｉ
Ｃ２の周辺のパッド部分以外のチップ中央の空きエリア
に実装しているので、従来加速度センサの実装に要して
いたエリアが不要となり、基板サイズの縮小、すなわち
製品の小型化を図ることができる。
【００２１】図１に示される加速度センサモジュール
は、最終的にキャップ封止もしくはカンパッケージによ
って中空気密構造のパッケージとされる。図２は、セラ
ミック基板１上にキャップ２０をはんだ又は樹脂で接着
して中空気密構造としたもの、図３は、加速度センサモ
ジュールを従来と同様カンパッケージ２１に収納し、抵
抗溶接によって封止したもの、図４は凹型の多層セラミ
ック基板２２を用い、セラミック基板２３をはんだ又は
樹脂で接着してふたをした構造のものである。
は、最終的にキャップ封止もしくはカンパッケージによ
って中空気密構造のパッケージとされる。図２は、セラ
ミック基板１上にキャップ２０をはんだ又は樹脂で接着
して中空気密構造としたもの、図３は、加速度センサモ
ジュールを従来と同様カンパッケージ２１に収納し、抵
抗溶接によって封止したもの、図４は凹型の多層セラミ
ック基板２２を用い、セラミック基板２３をはんだ又は
樹脂で接着してふたをした構造のものである。
【００２２】上記実施例における加速度センサモジュー
ルとして、制御用ＩＣ２上に加速度センサ４を２段に積
み重ねる構造のものを示したが、駆動用ＩＣ３が低パワ
ーである場合、もしくは制御用ＩＣ２が複数個ある場合
には、図５に示すように、３段重ね以上の構造とするこ
ともできる。このようにすることによって、さらに基板
サイズが小さくなり製品の小型化を図ることができる。
なお、図５において、３０は駆動用ＩＣ３又は他の制御
用ＩＣである。
ルとして、制御用ＩＣ２上に加速度センサ４を２段に積
み重ねる構造のものを示したが、駆動用ＩＣ３が低パワ
ーである場合、もしくは制御用ＩＣ２が複数個ある場合
には、図５に示すように、３段重ね以上の構造とするこ
ともできる。このようにすることによって、さらに基板
サイズが小さくなり製品の小型化を図ることができる。
なお、図５において、３０は駆動用ＩＣ３又は他の制御
用ＩＣである。
【００２３】また、図５に示すフェースアップのみの構
成でなく、図６に示すように、フェースダウンのフリッ
プチップを用いてバンプ同志で接続するようにすること
もできる。なお、上記実施例では、本発明を、半導体加
速度センサ装置に適用するものを示したが、被測定媒体
の圧力を検出する半導体圧力センサ装置に適用するよう
にしてもよい。
成でなく、図６に示すように、フェースダウンのフリッ
プチップを用いてバンプ同志で接続するようにすること
もできる。なお、上記実施例では、本発明を、半導体加
速度センサ装置に適用するものを示したが、被測定媒体
の圧力を検出する半導体圧力センサ装置に適用するよう
にしてもよい。
【図１】本発明の一実施例を示す加速度センサモジュー
ルを示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面
図である。
ルを示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面
図である。
【図２】加速度センサモジュールをキャップ封止した例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】加速度センサモジュールをカンパッケージに収
納した例を示す断面図である。
納した例を示す断面図である。
【図４】加速度センサモジュールを多層セラミック基板
およびふたとしてのセラミック基板にて収納した例を示
す断面図である。
およびふたとしてのセラミック基板にて収納した例を示
す断面図である。
【図５】加速度センサ４、制御用ＩＣ２等を３段重ねに
した構造を示す断面図である。
した構造を示す断面図である。
【図６】図５に示すものに対し、フェースダウンのフリ
ップチップを用いて構成したものを示す断面図である。
ップチップを用いて構成したものを示す断面図である。
【図７】従来の加速度センサモジュールを示すもので、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
１……セラミック基板、２……制御用ＩＣ、３……駆動
用ＩＣ、４……加速度センサ、５ａ、５ｂ……接着剤、
６〜８……ワイヤ、９……配線。
用ＩＣ、４……加速度センサ、５ａ、５ｂ……接着剤、
６〜８……ワイヤ、９……配線。
Claims (4)
- 【請求項１】 力の作用により変位する変位部を有し、
この変位部の変位を検出する半導体力学センサと、この
半導体力学センサと電気的に接続され、前記半導体力学
センサからの検出信号を電気的に処理する回路チップと
を備えた半導体力学センサにおいて、 前記半導体力学センサは、前記回路チップ上に、接着剤
を介して搭載されていることを特徴とする半導体力学セ
ンサ装置。 - 【請求項２】 力の作用により変位する変位部を有し、
この変位部の変位を検出する半導体力学センサと、 電気配線が形成された基板と、 この基板上に設置され、上部にパッドを有してこのパッ
ドと前記基板上の電気配線とが第１のワイヤにて電気的
に接続されるとともに、前記半導体力学センサと電気的
に接続されて前記半導体力学センサからの検出信号を電
気的に処理し、前記第１のワイヤより前記基板上の電気
配線を介し外部に処理信号を出力する回路チップとを備
えた半導体力学センサ装置において、 前記半導体力学センサは、前記回路チップの上部におけ
る前記パッドが形成されていない領域に、接着剤を介し
て搭載され、前記半導体力学センサと前記回路チップと
が第２のワイヤにより電気的に接続されていることを特
徴とする半導体力学センサ装置。 - 【請求項３】 前記変位部は加速度を受けて変位する重
り部であって、前記接着剤は、前記半導体力学センサと
前記回路チップ間のギャップを一定にするビーズ入りの
接着剤であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
半導体力学センサ装置。 - 【請求項４】 前記半導体力学センサはシリコンにて構
成されたものであり、前記回路チップはシリコンで構成
されたＩＣチップであることを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１つに記載の半導体力学センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24635794A JPH08110351A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体力学センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24635794A JPH08110351A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体力学センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08110351A true JPH08110351A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17147360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24635794A Pending JPH08110351A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体力学センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08110351A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6810736B2 (en) | 2002-03-20 | 2004-11-02 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic sensor having circuit chip mounted on package case with adhesive film interposed |
| US6848306B2 (en) | 2000-06-26 | 2005-02-01 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic sensor |
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- 1994-10-12 JP JP24635794A patent/JPH08110351A/ja active Pending
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