JPH079961B2 - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPH079961B2 JPH079961B2 JP63127308A JP12730888A JPH079961B2 JP H079961 B2 JPH079961 B2 JP H079961B2 JP 63127308 A JP63127308 A JP 63127308A JP 12730888 A JP12730888 A JP 12730888A JP H079961 B2 JPH079961 B2 JP H079961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin material
- semiconductor device
- resin
- island portion
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止形半導体装置に関し、特に半導体素子
搭載用のアイランド部および該素子にワイヤ接続される
内部リード部を有する複数のリードフレームからなりか
つこれらアイランド部と内部リード部が封止樹脂材で一
体的に樹脂封止されるリードフレーム枠体の改良に関す
る。
搭載用のアイランド部および該素子にワイヤ接続される
内部リード部を有する複数のリードフレームからなりか
つこれらアイランド部と内部リード部が封止樹脂材で一
体的に樹脂封止されるリードフレーム枠体の改良に関す
る。
従来この種の樹脂封止形半導体装置は、概略第３図に示
すような構成とされていた。これを簡単に説明すると、
図中符号１は半導体素子で、この半導体素子１は、素子
搭載用アイランド部２の素子搭載面2a上にろう材等の接
合材で固着して設けられている。３は半導体素子１の周
囲に配列される複数本のリードフレームで、その内部リ
ード部3aの内方端に対し前記半導体素子１の各電極端子
（図示せず）から引出されたワイヤ４がボンディング用
金属メッキ等を介して接続されている。５はこれら半導
体素子１、ワイヤ４、リードフレーム３の内部リード部
3aなどを封止樹脂材により一体的に樹脂封止してなるパ
ッケージ本体で、このパッケージ本体５の側方から前記
リードフレーム３の外部リード部3bが外部に露呈するよ
うに引出され、これら外部リード部3bによって半導体素
子１が図示しない外部端子側に外部接続される。
すような構成とされていた。これを簡単に説明すると、
図中符号１は半導体素子で、この半導体素子１は、素子
搭載用アイランド部２の素子搭載面2a上にろう材等の接
合材で固着して設けられている。３は半導体素子１の周
囲に配列される複数本のリードフレームで、その内部リ
ード部3aの内方端に対し前記半導体素子１の各電極端子
（図示せず）から引出されたワイヤ４がボンディング用
金属メッキ等を介して接続されている。５はこれら半導
体素子１、ワイヤ４、リードフレーム３の内部リード部
3aなどを封止樹脂材により一体的に樹脂封止してなるパ
ッケージ本体で、このパッケージ本体５の側方から前記
リードフレーム３の外部リード部3bが外部に露呈するよ
うに引出され、これら外部リード部3bによって半導体素
子１が図示しない外部端子側に外部接続される。
そして、このような樹脂封止形半導体装置において、半
導体素子１、ワイヤ４等は封止樹脂材によって外部環境
から保護されており、また使用時はパッケージ本体５か
ら外部に延設されているリードフレーム３の外部リード
部3bから電気信号が入力され、ワイヤ４を通って半導体
素子１に導かれ、この素子１で所定の処理が行なわれて
再びワイヤ４を通ってリードフレーム３から外部に出力
されるように動作する。
導体素子１、ワイヤ４等は封止樹脂材によって外部環境
から保護されており、また使用時はパッケージ本体５か
ら外部に延設されているリードフレーム３の外部リード
部3bから電気信号が入力され、ワイヤ４を通って半導体
素子１に導かれ、この素子１で所定の処理が行なわれて
再びワイヤ４を通ってリードフレーム３から外部に出力
されるように動作する。
ところで、このような樹脂封止形半導体装置において素
子搭載用のアイランド部２および内、外リード部3a,3b
からなる複数のリードフレーム３は、第４図から明らか
なように、外枠6aや接続用リブ（アイランド部２を支持
する支持リブを図中6bで示す）等によって一体的に構成
されたリードフレーム枠体６として構成される。そし
て、このような枠体６に対し、半導体素子１を搭載しか
つ該素子１と内部リード部3aとのワイヤ４による電気的
な接続を行なうとともにこれらを封止樹脂材で樹脂封止
することでパッケージ本体５が成形され、しかる後外部
リード部4bの折曲げ加工などと共に、外枠6a等の切断、
切離し加工などが行なわれ、これにより樹脂封止形半導
体装置が形成されるようになっている。なお、上述した
パッケージ本体５を成形するトランスファ成形は、通常
180℃前後の温度条件によって行なわれる。
子搭載用のアイランド部２および内、外リード部3a,3b
からなる複数のリードフレーム３は、第４図から明らか
なように、外枠6aや接続用リブ（アイランド部２を支持
する支持リブを図中6bで示す）等によって一体的に構成
されたリードフレーム枠体６として構成される。そし
て、このような枠体６に対し、半導体素子１を搭載しか
つ該素子１と内部リード部3aとのワイヤ４による電気的
な接続を行なうとともにこれらを封止樹脂材で樹脂封止
することでパッケージ本体５が成形され、しかる後外部
リード部4bの折曲げ加工などと共に、外枠6a等の切断、
切離し加工などが行なわれ、これにより樹脂封止形半導
体装置が形成されるようになっている。なお、上述した
パッケージ本体５を成形するトランスファ成形は、通常
180℃前後の温度条件によって行なわれる。
ところで、このような従来の樹脂封止形半導体装置によ
れば、その構成部品や使用材料間でそれぞれの線膨張係
数に差があり、特に封止樹脂材によるパッケージ本体５
における線膨張係数は、他の構成部品や形成材料などの
線膨張係数に比べて大きいことから、この装置をプリン
ト配線基板などに実装する場合などにおいて、その温度
変化により装置各部分に引張り、圧縮、曲げなどの複雑
な応力が発生するという問題を生じている。このような
応力は装置各部分での角部や端部等に集中し、封止樹脂
材と他の構成部品や形成材料との界面での剥離現象を招
いたり、その応力の集中度合がより一層増大することで
封止樹脂材によるパッケージ本体５にクラック等が発生
するといった問題があった。たとえばパッケージ本体５
を形成する封止樹脂材は20×10-6／℃前後であるが、シ
リコンを用いた半導体素子１は2.3×10-6／℃、さらに4
2アロイによるアイランド部２や内部リード部3aを有す
るリードフレーム３は、3.5×10-6／℃程度であり、特
にこの封止樹脂材と他の各部との間での差が大きい。
れば、その構成部品や使用材料間でそれぞれの線膨張係
数に差があり、特に封止樹脂材によるパッケージ本体５
における線膨張係数は、他の構成部品や形成材料などの
線膨張係数に比べて大きいことから、この装置をプリン
ト配線基板などに実装する場合などにおいて、その温度
変化により装置各部分に引張り、圧縮、曲げなどの複雑
な応力が発生するという問題を生じている。このような
応力は装置各部分での角部や端部等に集中し、封止樹脂
材と他の構成部品や形成材料との界面での剥離現象を招
いたり、その応力の集中度合がより一層増大することで
封止樹脂材によるパッケージ本体５にクラック等が発生
するといった問題があった。たとえばパッケージ本体５
を形成する封止樹脂材は20×10-6／℃前後であるが、シ
リコンを用いた半導体素子１は2.3×10-6／℃、さらに4
2アロイによるアイランド部２や内部リード部3aを有す
るリードフレーム３は、3.5×10-6／℃程度であり、特
にこの封止樹脂材と他の各部との間での差が大きい。
そして、このような従来装置において、特にリード形状
がガルウィング型やＪリード型である表面実装型の半導
体装置では、実装時に装置全体が昇温されるものであ
り、しかも封止樹脂材の線膨張係数は半導体素子１やア
イランド部２を形成する材料に比べて充分に大きいの
で、温度上昇により膨張現象が生じると、実装前の保管
中に水分を吸収し吸湿状態となって接合力が弱くなって
いるアイランド部裏面2bと封止樹脂材との間などに剥離
現象（図中７で剥離部を示す）が生じ、第３図中想像線
で示すようにクラック８が発生するという問題があり、
これらの問題点を一掃し得る何らかの対策を講じること
が望まれている。
がガルウィング型やＪリード型である表面実装型の半導
体装置では、実装時に装置全体が昇温されるものであ
り、しかも封止樹脂材の線膨張係数は半導体素子１やア
イランド部２を形成する材料に比べて充分に大きいの
で、温度上昇により膨張現象が生じると、実装前の保管
中に水分を吸収し吸湿状態となって接合力が弱くなって
いるアイランド部裏面2bと封止樹脂材との間などに剥離
現象（図中７で剥離部を示す）が生じ、第３図中想像線
で示すようにクラック８が発生するという問題があり、
これらの問題点を一掃し得る何らかの対策を講じること
が望まれている。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、装置
実装時などにおける温度変化や吸湿後の熱ストレスの印
加時においても、パッケージ本体を構成する封止樹脂材
でのクラックの発生を防止し得るようにした樹脂封止形
半導体装置を得ることを目的としている。
実装時などにおける温度変化や吸湿後の熱ストレスの印
加時においても、パッケージ本体を構成する封止樹脂材
でのクラックの発生を防止し得るようにした樹脂封止形
半導体装置を得ることを目的としている。
このような要請に応えるために本発明に係る樹脂封止形
半導体装置は、半導体素子搭載用のアイランド部の樹脂
封止材と接する裏面部を、加工可能な限りの最密千鳥格
子状を呈する凹凸面形状で形成し、該封止樹脂材と接す
る比表面積を、従来のような単純な平坦面形状である場
合よりも少なくとも60％以上に増大させ、封止樹脂材と
の間での密着力を増大させ得るように構成したものであ
る。
半導体装置は、半導体素子搭載用のアイランド部の樹脂
封止材と接する裏面部を、加工可能な限りの最密千鳥格
子状を呈する凹凸面形状で形成し、該封止樹脂材と接す
る比表面積を、従来のような単純な平坦面形状である場
合よりも少なくとも60％以上に増大させ、封止樹脂材と
の間での密着力を増大させ得るように構成したものであ
る。
本発明によれば、リードフレーム枠体を構成するアイラ
ンド部の封止樹脂材と接する裏面部の比表面積を、加工
可能な限り増大させるように構成しているため、アイラ
ンド部裏面部と封止樹脂材との間の密着力を増大させる
ことが可能で、これにより実装時の温度上昇や吸湿後の
熱ストレス印加時において、特にアイランド部裏面部と
封止樹脂材との間の剥離現象を抑制し、パッケージ本体
でのクラックの発生を防止し得るものである。
ンド部の封止樹脂材と接する裏面部の比表面積を、加工
可能な限り増大させるように構成しているため、アイラ
ンド部裏面部と封止樹脂材との間の密着力を増大させる
ことが可能で、これにより実装時の温度上昇や吸湿後の
熱ストレス印加時において、特にアイランド部裏面部と
封止樹脂材との間の剥離現象を抑制し、パッケージ本体
でのクラックの発生を防止し得るものである。
第１図および第２図は本発明に係る樹脂封止形半導体装
置の一実施例を示すものであり、これらの図において前
述した第３図および第４図と同一または相当する部分に
は同一番号を付してその説明は省略する。
置の一実施例を示すものであり、これらの図において前
述した第３図および第４図と同一または相当する部分に
は同一番号を付してその説明は省略する。
さて、本発明によれば、前述したような樹脂封止形半導
体装置において、半導体素子１搭載用のアイランド部２
における裏面2bやリードフレーム３の内部リード部3a
（本実施例ではアイランド部裏面2bのみを例示してい
る）を、第１図および第２図から明らかなように、加工
可能な限りの最密千鳥格子状を呈する凹凸面形状（図中
符号10で示す）に形成し、該封止樹脂材と接する比表面
積を、加工可能な限り（従来のような単純な平坦面形状
である場合よりも少なくとも60％以上に）増大させ、封
止樹脂材との間での密着力を増大させ得るように構成し
たところに特徴を有している。
体装置において、半導体素子１搭載用のアイランド部２
における裏面2bやリードフレーム３の内部リード部3a
（本実施例ではアイランド部裏面2bのみを例示してい
る）を、第１図および第２図から明らかなように、加工
可能な限りの最密千鳥格子状を呈する凹凸面形状（図中
符号10で示す）に形成し、該封止樹脂材と接する比表面
積を、加工可能な限り（従来のような単純な平坦面形状
である場合よりも少なくとも60％以上に）増大させ、封
止樹脂材との間での密着力を増大させ得るように構成し
たところに特徴を有している。
ここで、本実施例では、上述した凹凸面形状10を、第１
図から明らかなように、千鳥格子形状を呈するエッチン
グパターンで構成した場合を例示し、その凸部を図中10
aで示している。そして、このような千鳥格子形状のエ
ッチングパターンにおいて、格子間隔a,bおよび格子辺
長さｃを、加工可能な限り最小とすることにより、また
エッチング深さｄをアイランド部２の厚みに近づけてい
くことにより、エッチング部分での凹部内側の側面積が
大きくなるもので、この側面積の総和分だけ接合面積が
増大することは容易に理解されよう。たとえば10mm×6m
mのアイランド部２において、その裏面2bをエッチング
により最密千鳥格子状を呈する凹凸面形状10とした場合
の面積増加率は、以下の通りである。すなわち、最小正
方形である格子辺長さｃ（mm）である場合に、格子の総
数ｎは、 となる。また、このような凹凸面による溝側面積Ｓは、 Ｓ＝４×ｎ×ｄ×ｃ であり、また凹凸面のない溝無し面積は、６×10＝60mm
2となるため、面積増加率Ｚは、 となる。
図から明らかなように、千鳥格子形状を呈するエッチン
グパターンで構成した場合を例示し、その凸部を図中10
aで示している。そして、このような千鳥格子形状のエ
ッチングパターンにおいて、格子間隔a,bおよび格子辺
長さｃを、加工可能な限り最小とすることにより、また
エッチング深さｄをアイランド部２の厚みに近づけてい
くことにより、エッチング部分での凹部内側の側面積が
大きくなるもので、この側面積の総和分だけ接合面積が
増大することは容易に理解されよう。たとえば10mm×6m
mのアイランド部２において、その裏面2bをエッチング
により最密千鳥格子状を呈する凹凸面形状10とした場合
の面積増加率は、以下の通りである。すなわち、最小正
方形である格子辺長さｃ（mm）である場合に、格子の総
数ｎは、 となる。また、このような凹凸面による溝側面積Ｓは、 Ｓ＝４×ｎ×ｄ×ｃ であり、また凹凸面のない溝無し面積は、６×10＝60mm
2となるため、面積増加率Ｚは、 となる。
最密千鳥格子の一辺の長さｃが0.2mm、エッチング深さ
ｄが0.075mmとすると、 一辺の長さｃが0.1mm、エッチング深さｄが0.075mmとす
ると、 の面積増加率となる。
ｄが0.075mmとすると、 一辺の長さｃが0.1mm、エッチング深さｄが0.075mmとす
ると、 の面積増加率となる。
そして、このような構成によれば、アイランド部裏面2b
と封止樹脂材（パッケージ本体５）との接着面積が、従
来に比べて充分に大きくなるため、界面接合力が強化さ
れ、また第２図に示すようなアイランド部裏面2bでのデ
ィンプル形状によって、実装時の温度上昇の際の発生応
力が分散されることにより、実装時に厳しい熱ストレス
が装置全体に印加されたとしても、アイランド部裏面2b
と封止樹脂材側との剥離現象を抑制することができ、こ
れによりパッケージ本体５でのクラックの発生を適切か
つ確実に防止し得る。すなわち、アイランド部裏面2bの
ディンプル形状による接着面積増加率とパッケージ本体
５のクラック発生率との関係を、第５図に示しており、
面積増加率が約60％以上であれば、クラックの発生率
が、従来のような凹凸のない単純な平坦面である場合に
比べて十分に小さくなることが理解されよう。
と封止樹脂材（パッケージ本体５）との接着面積が、従
来に比べて充分に大きくなるため、界面接合力が強化さ
れ、また第２図に示すようなアイランド部裏面2bでのデ
ィンプル形状によって、実装時の温度上昇の際の発生応
力が分散されることにより、実装時に厳しい熱ストレス
が装置全体に印加されたとしても、アイランド部裏面2b
と封止樹脂材側との剥離現象を抑制することができ、こ
れによりパッケージ本体５でのクラックの発生を適切か
つ確実に防止し得る。すなわち、アイランド部裏面2bの
ディンプル形状による接着面積増加率とパッケージ本体
５のクラック発生率との関係を、第５図に示しており、
面積増加率が約60％以上であれば、クラックの発生率
が、従来のような凹凸のない単純な平坦面である場合に
比べて十分に小さくなることが理解されよう。
さらに、このようにクラックの発生を適切かつ確実に防
止できることにより、本発明による樹脂封止形半導体装
置では、その耐湿性を必要かつ充分な状態で維持するこ
とが可能で、これにより装置信頼性を向上させ得るもの
である。
止できることにより、本発明による樹脂封止形半導体装
置では、その耐湿性を必要かつ充分な状態で維持するこ
とが可能で、これにより装置信頼性を向上させ得るもの
である。
なお、本発明は上述した実施例構造に限定されず、樹脂
封止形半導体装置としての各部の形状、構造等を、適宜
変形、変更することは自由で、種々の変形例が考えられ
よう。たとえば上述した実施例では、リードフレーム枠
体６においてアイランド部裏面2bにのみ千鳥格子形状の
パターン加工を施して凹凸面形状10を形成したが、内部
リード部4a側にも同様あるいはこれに類似する加工を施
すようにしてもよく、これによりこの内部リード部4aと
封止樹脂材との接着面積を増大させ、装置全体の耐熱ス
トレス性や耐湿性を向上させ得る等の利点を奏すること
が可能となる。
封止形半導体装置としての各部の形状、構造等を、適宜
変形、変更することは自由で、種々の変形例が考えられ
よう。たとえば上述した実施例では、リードフレーム枠
体６においてアイランド部裏面2bにのみ千鳥格子形状の
パターン加工を施して凹凸面形状10を形成したが、内部
リード部4a側にも同様あるいはこれに類似する加工を施
すようにしてもよく、これによりこの内部リード部4aと
封止樹脂材との接着面積を増大させ、装置全体の耐熱ス
トレス性や耐湿性を向上させ得る等の利点を奏すること
が可能となる。
以上説明したように本発明に係る樹脂封止形半導体装置
によれば、半導体素子搭載用のアイランド部の樹脂封止
材と接する裏面部を、加工可能な限りの最密千鳥格子状
を呈する凹凸面形状で形成し、該封止樹脂材と接する比
表面積を、従来のような単純な平坦面形状である場合よ
りも少なくとも60％以上に増大させるように構成したの
で、簡単かつ安価な構成にもかかわらず、リードフレー
ム枠体を構成するアイランド部の封止樹脂材と接する裏
面部の比表面積を、従来に比べて加工可能な限り増大さ
せ、これによりアイランド部裏面部と封止樹脂材との間
での接合強度を確保し高い密着性を確保することが可能
で、その結果従来のような装置実装時の温度変化や吸湿
後の熱ストレス印加時などにおける封止樹脂材によるパ
ッケージ本体でのクラック発生等といった問題を適切か
つ確実に防止し、装置信頼性を向上させることができる
という種々優れた効果がある。
によれば、半導体素子搭載用のアイランド部の樹脂封止
材と接する裏面部を、加工可能な限りの最密千鳥格子状
を呈する凹凸面形状で形成し、該封止樹脂材と接する比
表面積を、従来のような単純な平坦面形状である場合よ
りも少なくとも60％以上に増大させるように構成したの
で、簡単かつ安価な構成にもかかわらず、リードフレー
ム枠体を構成するアイランド部の封止樹脂材と接する裏
面部の比表面積を、従来に比べて加工可能な限り増大さ
せ、これによりアイランド部裏面部と封止樹脂材との間
での接合強度を確保し高い密着性を確保することが可能
で、その結果従来のような装置実装時の温度変化や吸湿
後の熱ストレス印加時などにおける封止樹脂材によるパ
ッケージ本体でのクラック発生等といった問題を適切か
つ確実に防止し、装置信頼性を向上させることができる
という種々優れた効果がある。
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置の一実施例
を示すリードフレーム枠体を構成するアイランド部裏面
の要部平面図、第２図はその装置全体の概略断面図、第
３図および第４図は従来例を示す装置全体の概略断面図
およびこれに用いるリードフレーム枠体を示す概略平面
図、第５図は本発明によるクラック防止効果を説明する
ための面積増加率とクラック発生率との関係を示す特性
図である。 １……半導体素子、２……アイランド部、2a……素子搭
載面、2b……裏面、３……リードフレーム、3a……内部
リード部、４……ワイヤ、５……封止樹脂材によるパッ
ケージ本体、６……リードフレーム枠体、10……凹凸面
形状。
を示すリードフレーム枠体を構成するアイランド部裏面
の要部平面図、第２図はその装置全体の概略断面図、第
３図および第４図は従来例を示す装置全体の概略断面図
およびこれに用いるリードフレーム枠体を示す概略平面
図、第５図は本発明によるクラック防止効果を説明する
ための面積増加率とクラック発生率との関係を示す特性
図である。 １……半導体素子、２……アイランド部、2a……素子搭
載面、2b……裏面、３……リードフレーム、3a……内部
リード部、４……ワイヤ、５……封止樹脂材によるパッ
ケージ本体、６……リードフレーム枠体、10……凹凸面
形状。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−123162（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−185955（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−210658（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子が搭載されるアイランド部と該
半導体素子側にワイヤ接続されるリードフレームを構成
する内部リード部とを封止樹脂材により樹脂封止してな
る樹脂封止形半導体装置において、 前記封止樹脂材と接するアイランド部の裏面部を、最密
千鳥格子状を呈する凹凸面形状で形成し、該封止樹脂材
と接する比表面積を、平坦面形状である場合よりも少な
くとも60％以上に増大させたことを特徴とする樹脂封止
形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127308A JPH079961B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127308A JPH079961B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296653A JPH01296653A (ja) | 1989-11-30 |
| JPH079961B2 true JPH079961B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=14956734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127308A Expired - Fee Related JPH079961B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079961B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106876359A (zh) * | 2015-11-05 | 2017-06-20 | 新光电气工业株式会社 | 引线架及其制造方法、半导体装置 |
| CN106981470A (zh) * | 2015-10-23 | 2017-07-25 | 新光电气工业株式会社 | 引线架及其制造方法 |
| CN107068643A (zh) * | 2015-10-16 | 2017-08-18 | 新光电气工业株式会社 | 引线架及其制造方法、半导体装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4931835B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2012-05-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| WO2022202242A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | ローム株式会社 | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63127308A patent/JPH079961B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107068643A (zh) * | 2015-10-16 | 2017-08-18 | 新光电气工业株式会社 | 引线架及其制造方法、半导体装置 |
| CN107068643B (zh) * | 2015-10-16 | 2021-12-14 | 新光电气工业株式会社 | 引线架及其制造方法、半导体装置 |
| CN106981470A (zh) * | 2015-10-23 | 2017-07-25 | 新光电气工业株式会社 | 引线架及其制造方法 |
| CN106876359A (zh) * | 2015-11-05 | 2017-06-20 | 新光电气工业株式会社 | 引线架及其制造方法、半导体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01296653A (ja) | 1989-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6175149B1 (en) | Mounting multiple semiconductor dies in a package | |
| US5793108A (en) | Semiconductor integrated circuit having a plurality of semiconductor chips | |
| JP2915892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06105721B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH079961B2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| KR960005039B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
| JP2569008B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0546098B2 (ja) | ||
| JPS61237458A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH03235360A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3134445B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2567870B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2589520B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3555790B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR0176113B1 (ko) | 내부리이드의 말단부가 수직 절곡된 리드프레임과 이를 이용한 반도체 패키지 | |
| JPH0870087A (ja) | リードフレーム | |
| JPH07122685A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63250847A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3248854B2 (ja) | 複数のｉｃチップを備えた半導体装置の構造 | |
| JP3013611B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3145892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR940011379B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JPH02205056A (ja) | 集積回路パッケージ | |
| JPS60119765A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| JP3358697B2 (ja) | 半導体パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |