JPH0750402A - オーバフロードレイン構造を有する電荷結合素子型固体撮像装置 - Google Patents
オーバフロードレイン構造を有する電荷結合素子型固体撮像装置Info
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- JPH0750402A JPH0750402A JP6103907A JP10390794A JPH0750402A JP H0750402 A JPH0750402 A JP H0750402A JP 6103907 A JP6103907 A JP 6103907A JP 10390794 A JP10390794 A JP 10390794A JP H0750402 A JPH0750402 A JP H0750402A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】各光ダイオードの上部に高濃度の不純物のドー
プされたオーバフロードレインをそれぞれ形成させる電
荷結合素子型固体撮像装置を提供する。 【構成】ＰＮＰＮ構造の最上層（９）に高濃度の不純物
層を形成させ、オーバフローのドレイン（４）として使
用する。 【効果】これにより、低電圧下でオーバフロー動作や電
子シャッター動作が可能であり、固体撮像装置のオン・
チップ回路が実現される。
プされたオーバフロードレインをそれぞれ形成させる電
荷結合素子型固体撮像装置を提供する。 【構成】ＰＮＰＮ構造の最上層（９）に高濃度の不純物
層を形成させ、オーバフローのドレイン（４）として使
用する。 【効果】これにより、低電圧下でオーバフロー動作や電
子シャッター動作が可能であり、固体撮像装置のオン・
チップ回路が実現される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電荷結合素子（Charge C
oupled Device:以下ＣＣＤと称する）型固体撮像装置に
係り、特にオーバフロードレインが半導体基板の表面近
傍に形成されたことを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子
に関する。
oupled Device:以下ＣＣＤと称する）型固体撮像装置に
係り、特にオーバフロードレインが半導体基板の表面近
傍に形成されたことを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置は光電変換機能及び信号蓄
積機能を有する固体要素を１画素とする多画素撮像面を
形成し、各画素に蓄積された信号電荷を電気信号に変換
することにより、外部映像情報を電気信号に変換させる
装置である。
積機能を有する固体要素を１画素とする多画素撮像面を
形成し、各画素に蓄積された信号電荷を電気信号に変換
することにより、外部映像情報を電気信号に変換させる
装置である。
【０００３】これは各画素の信号を読み出す方式（走査
方式）によりＸ−Ｙアドレス方式の固体撮像装置と信号
伝送方式の固体撮像装置とに大別される。Ｘ−Ｙアドレ
ス方式の固体撮像装置は、各画素の信号電荷を選択的に
読み出して出力を得る方式でありＭＯＳ型固体撮像装置
が製品化されており、信号伝送方式の固体撮像装置は各
画素の信号電荷を画素以外の素子に一時的に伝送累積し
ておき、後にその信号を順に読み出す方式であって主と
してＣＣＤ型固体撮像装置である。
方式）によりＸ−Ｙアドレス方式の固体撮像装置と信号
伝送方式の固体撮像装置とに大別される。Ｘ−Ｙアドレ
ス方式の固体撮像装置は、各画素の信号電荷を選択的に
読み出して出力を得る方式でありＭＯＳ型固体撮像装置
が製品化されており、信号伝送方式の固体撮像装置は各
画素の信号電荷を画素以外の素子に一時的に伝送累積し
ておき、後にその信号を順に読み出す方式であって主と
してＣＣＤ型固体撮像装置である。
【０００４】このＣＣＤ型固体撮像装置は伝送方式によ
り再びフレーム伝送（Frame Transfer；ＦＴ）方式のＣ
ＣＤ型固体撮像装置とインターライン伝送（Interline
Transfer；ＩＴ）方式のＣＣＤ型固体撮像装置とに分類
される。前者は入射光を信号電荷に変換する撮影部、信
号電荷を蓄積する蓄積部及び信号電荷を垂直伝送する垂
直伝送用ＣＣＤより構成されており、後者は入射される
光の強さに応じた信号電荷を発生する光ダイオード、信
号電荷を垂直方向へ伝送する垂直伝送ＣＣＤ、垂直伝送
ＣＣＤから伝送された信号電荷を水平方向へ伝送する水
平伝送ＣＣＤ及び水平伝送ＣＣＤから伝送された信号電
荷を検出する出力回路部より構成される。
り再びフレーム伝送（Frame Transfer；ＦＴ）方式のＣ
ＣＤ型固体撮像装置とインターライン伝送（Interline
Transfer；ＩＴ）方式のＣＣＤ型固体撮像装置とに分類
される。前者は入射光を信号電荷に変換する撮影部、信
号電荷を蓄積する蓄積部及び信号電荷を垂直伝送する垂
直伝送用ＣＣＤより構成されており、後者は入射される
光の強さに応じた信号電荷を発生する光ダイオード、信
号電荷を垂直方向へ伝送する垂直伝送ＣＣＤ、垂直伝送
ＣＣＤから伝送された信号電荷を水平方向へ伝送する水
平伝送ＣＣＤ及び水平伝送ＣＣＤから伝送された信号電
荷を検出する出力回路部より構成される。
【０００５】図１は通常のＣＣＤ型固体撮像装置のレイ
アウト図であり、より具体的にはインターライン伝送方
式のＣＣＤ型固体撮像装置の画素セルアレーの一部を示
したものである。
アウト図であり、より具体的にはインターライン伝送方
式のＣＣＤ型固体撮像装置の画素セルアレーの一部を示
したものである。
【０００６】マスクパターン１０は光電変換領域、即ち
光ダイオードを形成するためのものであり、マスクパタ
ーン１１は前記マスクパターン１０の間に配置され垂直
伝送ＣＣＤを構成するチャネル領域を形成するためのも
のであり、前記マスクパターン１３は垂直伝送ＣＣＤを
構成する第１伝送電極を形成するためのものであり、マ
スクパターン１４は前記垂直伝送ＣＣＤを構成する第２
伝送電極を形成するためのものであり、マスクパターン
１２はマスクパターン１０と前記マスクパターン１１の
間に存し前記マスクパターン１３と重なり光電変換領域
の信号電荷を垂直伝送ＣＣＤに伝送する伝送チャネルを
形成するためのものである。
光ダイオードを形成するためのものであり、マスクパタ
ーン１１は前記マスクパターン１０の間に配置され垂直
伝送ＣＣＤを構成するチャネル領域を形成するためのも
のであり、前記マスクパターン１３は垂直伝送ＣＣＤを
構成する第１伝送電極を形成するためのものであり、マ
スクパターン１４は前記垂直伝送ＣＣＤを構成する第２
伝送電極を形成するためのものであり、マスクパターン
１２はマスクパターン１０と前記マスクパターン１１の
間に存し前記マスクパターン１３と重なり光電変換領域
の信号電荷を垂直伝送ＣＣＤに伝送する伝送チャネルを
形成するためのものである。
【０００７】この時、水平伝送ＣＣＤ及び出力回路部
は、前記画素セルアレーの周辺に形成されているので示
されていない。
は、前記画素セルアレーの周辺に形成されているので示
されていない。
【０００８】図２は前記図１のII−II線を切った断面図
である。
である。
【０００９】前記図１及び図２を参照し、通常のインタ
ーライン伝送方式のＣＣＤ型固体撮像装置を説明する。
ーライン伝送方式のＣＣＤ型固体撮像装置を説明する。
【００１０】まず、前記インターライン伝送方式のＣＣ
Ｄ型固体撮像装置の構成を説明すると、これは前記図１
及び図２に示したように、Ｎ型半導体基板３７に形成さ
れたＰ型ウェル３８、このＰ型ウェルに形成され入射光
により励起された信号電荷が蓄積されるＮ型領域４０と
ウェル３８から構成される光ダイオード、この光ダイオ
ードと他の光ダイオードの間で縦方向（図１のマスクパ
ターン１１参照）へ形成され、光ダイオードから伝送さ
れた信号電荷を水平伝送ＣＣＤに伝送する垂直伝送ＣＣ
ＤのＮ型チャネル領域４１、光ダイオードに蓄積されて
いる信号電荷を垂直伝送ＣＣＤのＮ型チャネル領域に伝
送する伝送チャネル４２、光ダイオードに蓄積されてい
る信号電荷を垂直伝送ＣＣＤに伝送するためのパルス及
び光ダイオードから伝送された信号電荷を水平伝送ＣＣ
Ｄに順次に伝送するためのパルスが印加される前記垂直
伝送ＣＣＤの第１伝送電極４３、光ダイオードから伝送
された信号電荷を水平伝送ＣＣＤに順次に伝送するため
のパルスが印加される前記垂直伝送ＣＣＤの第２伝送電
極（図１のマスクパターン１４参照）、画素セルアレー
の周辺で横方向へ形成され多数の垂直伝送ＣＣＤから伝
送された信号電荷を出力部に伝送する水平伝送ＣＣＤ
（図示せず）、及び水平伝送ＣＣＤから伝送された信号
電荷を出力する出力回路部（図示せず）より構成されて
いる。
Ｄ型固体撮像装置の構成を説明すると、これは前記図１
及び図２に示したように、Ｎ型半導体基板３７に形成さ
れたＰ型ウェル３８、このＰ型ウェルに形成され入射光
により励起された信号電荷が蓄積されるＮ型領域４０と
ウェル３８から構成される光ダイオード、この光ダイオ
ードと他の光ダイオードの間で縦方向（図１のマスクパ
ターン１１参照）へ形成され、光ダイオードから伝送さ
れた信号電荷を水平伝送ＣＣＤに伝送する垂直伝送ＣＣ
ＤのＮ型チャネル領域４１、光ダイオードに蓄積されて
いる信号電荷を垂直伝送ＣＣＤのＮ型チャネル領域に伝
送する伝送チャネル４２、光ダイオードに蓄積されてい
る信号電荷を垂直伝送ＣＣＤに伝送するためのパルス及
び光ダイオードから伝送された信号電荷を水平伝送ＣＣ
Ｄに順次に伝送するためのパルスが印加される前記垂直
伝送ＣＣＤの第１伝送電極４３、光ダイオードから伝送
された信号電荷を水平伝送ＣＣＤに順次に伝送するため
のパルスが印加される前記垂直伝送ＣＣＤの第２伝送電
極（図１のマスクパターン１４参照）、画素セルアレー
の周辺で横方向へ形成され多数の垂直伝送ＣＣＤから伝
送された信号電荷を出力部に伝送する水平伝送ＣＣＤ
（図示せず）、及び水平伝送ＣＣＤから伝送された信号
電荷を出力する出力回路部（図示せず）より構成されて
いる。
【００１１】図２において、図面符号‘３６’はセルと
セルとを分離するためのチャネルストッパー層を、‘４
５’は絶縁膜を、そして‘４６’は遮光膜を示す。
セルとを分離するためのチャネルストッパー層を、‘４
５’は絶縁膜を、そして‘４６’は遮光膜を示す。
【００１２】次に、前記インターライン伝送方式のＣＣ
Ｄ型固体撮像装置の動作原理を述べると次の通りであ
る。
Ｄ型固体撮像装置の動作原理を述べると次の通りであ
る。
【００１３】可視光線が前記光ダイオードに入射されれ
ばこの光ダイオードには光子効果により発生した信号電
荷が蓄積される。この時、蓄積される信号電荷は光ダイ
オードに入射される光の強さに比例するので、入射され
る光の強さにより蓄積される信号電荷の量は異なる。こ
れは任意の強さの光信号を任意の大きさの電気的信号電
荷に転換する過程を意味する。
ばこの光ダイオードには光子効果により発生した信号電
荷が蓄積される。この時、蓄積される信号電荷は光ダイ
オードに入射される光の強さに比例するので、入射され
る光の強さにより蓄積される信号電荷の量は異なる。こ
れは任意の強さの光信号を任意の大きさの電気的信号電
荷に転換する過程を意味する。
【００１４】光ダイオードに入射された光信号は、前述
したような原理により電気的信号電荷に変換／蓄積され
ており、フィールドシフト期間の間に、前記光ダイオー
ドと垂直伝送ＣＣＤのチャネル領域４１の間に形成され
た伝送チャネル４２を通じて前記チャネル領域４１に伝
送される。
したような原理により電気的信号電荷に変換／蓄積され
ており、フィールドシフト期間の間に、前記光ダイオー
ドと垂直伝送ＣＣＤのチャネル領域４１の間に形成され
た伝送チャネル４２を通じて前記チャネル領域４１に伝
送される。
【００１５】次いで、垂直伝送ＣＣＤのチャネル領域４
１上に形成された複数の伝送電極、即ち第１伝送電極４
３と第２伝送電極（図１のマスクパターン１４）に印加
されるクロックパルスにより、前記チャネル領域４１に
伝送された信号電荷は水平伝送ＣＣＤの形成されている
方向へ伝送され、その端に形成されている水平伝送ＣＣ
Ｄ（図示せず）に伝送される。
１上に形成された複数の伝送電極、即ち第１伝送電極４
３と第２伝送電極（図１のマスクパターン１４）に印加
されるクロックパルスにより、前記チャネル領域４１に
伝送された信号電荷は水平伝送ＣＣＤの形成されている
方向へ伝送され、その端に形成されている水平伝送ＣＣ
Ｄ（図示せず）に伝送される。
【００１６】水平伝送ＣＣＤに伝送された信号電荷は、
前記垂直伝送ＣＣＤのような原理により水平に順に伝送
され出力回路部に送られてから、電圧レベルに検出され
信号出力として外部に取り出される。
前記垂直伝送ＣＣＤのような原理により水平に順に伝送
され出力回路部に送られてから、電圧レベルに検出され
信号出力として外部に取り出される。
【００１７】しかしながら、前記のような固体撮像装置
は、各光ダイオードに対応する電位ウェルに蓄積され得
る信号電荷量に限界があるため、固体撮像装置の一部受
光面に強い照度の光線が入射されれば、この光線の強さ
に比例して発生した信号電荷は前記電位ウェルの蓄積容
量を超えて周囲に流出される。
は、各光ダイオードに対応する電位ウェルに蓄積され得
る信号電荷量に限界があるため、固体撮像装置の一部受
光面に強い照度の光線が入射されれば、この光線の強さ
に比例して発生した信号電荷は前記電位ウェルの蓄積容
量を超えて周囲に流出される。
【００１８】流出された前記信号電荷が周辺の各光ダイ
オードに入るとハイライト部の像が何倍かに拡張されて
現れるブルーミング現象を誘発し、流出された信号電荷
が隣接の垂直及び水平伝送ＣＣＤへ流れ込めば、スミヤ
現象を招く。
オードに入るとハイライト部の像が何倍かに拡張されて
現れるブルーミング現象を誘発し、流出された信号電荷
が隣接の垂直及び水平伝送ＣＣＤへ流れ込めば、スミヤ
現象を招く。
【００１９】それで余分の信号電荷が周辺の光ダイオー
ド伝送ＣＣＤに流出される前に、周期的にこれらを外部
回路に取り出させる必要がある。
ド伝送ＣＣＤに流出される前に、周期的にこれらを外部
回路に取り出させる必要がある。
【００２０】余分の信号電荷を外部回路に取り出させる
ための一方法として、光ダイオードの下部に縦形オーバ
フロードレインを形成させた（参照、エイジ・オダら(E
ijiOda et al.) の、縦型オーバフロードレインをもつ
インター・ラインＣＣＤイメージセンサのためのブルー
ミング圧縮メカニズム(Blooming Suppression Mechanis
m for an Interline CCD Image Sensor with a Vertica
l Overflow Drain),ＩＥＤＭ 83, pp501-504）ＣＣＤ型
固体撮像装置が紹介されて以来、様々な改良が成されて
いる。
ための一方法として、光ダイオードの下部に縦形オーバ
フロードレインを形成させた（参照、エイジ・オダら(E
ijiOda et al.) の、縦型オーバフロードレインをもつ
インター・ラインＣＣＤイメージセンサのためのブルー
ミング圧縮メカニズム(Blooming Suppression Mechanis
m for an Interline CCD Image Sensor with a Vertica
l Overflow Drain),ＩＥＤＭ 83, pp501-504）ＣＣＤ型
固体撮像装置が紹介されて以来、様々な改良が成されて
いる。
【００２１】図３は前記図２と同様の部分を切った従来
のＯＦＤ構造を有するＣＣＤ型固体撮像構造を示した断
面図であり、ＰＮＰＮ構造のオーバフロードレイン構造
を示す（参照、ジュンイチ・ホウジョウら(Junichi Hoj
o et al.) のミラー・イメージ機能をもつ１／３インチ
・５１０（Ｈ）×４９２（Ｖ）・ＣＣＤイメージセンサ
(A 1/3-inch 510(H) ×492(V) CCD Image Sensor with
Mirror Image Function),ＩＥＥＥ転送電子装置(IEEE
Trans-electron Device),Vol.38, No.5, May 1991, pp9
54-959）。
のＯＦＤ構造を有するＣＣＤ型固体撮像構造を示した断
面図であり、ＰＮＰＮ構造のオーバフロードレイン構造
を示す（参照、ジュンイチ・ホウジョウら(Junichi Hoj
o et al.) のミラー・イメージ機能をもつ１／３インチ
・５１０（Ｈ）×４９２（Ｖ）・ＣＣＤイメージセンサ
(A 1/3-inch 510(H) ×492(V) CCD Image Sensor with
Mirror Image Function),ＩＥＥＥ転送電子装置(IEEE
Trans-electron Device),Vol.38, No.5, May 1991, pp9
54-959）。
【００２２】前記オーバフロードレイン構造を有するＣ
ＣＤ型固体撮像装置は図３に示したように、Ｎ- 型半導
体基板５７の表面方向へ形成され、ブルーミングを抑制
するためにオーバフローに対する障壁として作用するＰ
- 型第１ウェル５８、この第１ウェルの表面方向へ形成
され入射光により励起された信号電荷が蓄積されるＮ型
領域６０とウェル５８から構成される光ダイオード、暗
電流減少、ブルーミング抑制及び可変速電子シャッター
に有利な構造として光ダイオードにボロンイオンを高濃
度で注入して形成したＰ+ 型暗電流抑制層５９、光ダイ
オードから伝送された信号電荷を水平伝送ＣＣＤに伝送
する垂直伝送ＣＣＤのＮ型チャネル領域６１、このチャ
ネル領域の下部に形成されたＰ型第２ウェル５５、光ダ
イオードに蓄積されている信号電荷を垂直伝送ＣＣＤの
Ｎ型チャネル領域に伝送する伝送チャネル６２、セルと
セルとを分離するためのチャネルストッパー層５６、光
ダイオードが形成されていない領域の半導体基板上に形
成された遮光層６６、光ダイオードに蓄積されている信
号電荷を垂直伝送ＣＣＤに伝送するためのパルス及び光
ダイオードから伝送された信号電荷を水平伝送ＣＣＤに
順次に伝送するためのパルスの印加される第１伝送電極
６３、光ダイオードから伝送された信号電荷を水平伝送
ＣＣＤに順次に伝送するためのパルスの印加される第２
伝送電極（図示せず）、画素セルアレーの周辺に形成さ
れ多数の垂直伝送ＣＣＤから伝送された信号電荷を出力
部に伝送する水平伝送ＣＣＤ（図示せず）及び水平伝送
ＣＣＤから伝送された信号電荷を出力する出力回路部
（図示せず）より構成されている。
ＣＤ型固体撮像装置は図３に示したように、Ｎ- 型半導
体基板５７の表面方向へ形成され、ブルーミングを抑制
するためにオーバフローに対する障壁として作用するＰ
- 型第１ウェル５８、この第１ウェルの表面方向へ形成
され入射光により励起された信号電荷が蓄積されるＮ型
領域６０とウェル５８から構成される光ダイオード、暗
電流減少、ブルーミング抑制及び可変速電子シャッター
に有利な構造として光ダイオードにボロンイオンを高濃
度で注入して形成したＰ+ 型暗電流抑制層５９、光ダイ
オードから伝送された信号電荷を水平伝送ＣＣＤに伝送
する垂直伝送ＣＣＤのＮ型チャネル領域６１、このチャ
ネル領域の下部に形成されたＰ型第２ウェル５５、光ダ
イオードに蓄積されている信号電荷を垂直伝送ＣＣＤの
Ｎ型チャネル領域に伝送する伝送チャネル６２、セルと
セルとを分離するためのチャネルストッパー層５６、光
ダイオードが形成されていない領域の半導体基板上に形
成された遮光層６６、光ダイオードに蓄積されている信
号電荷を垂直伝送ＣＣＤに伝送するためのパルス及び光
ダイオードから伝送された信号電荷を水平伝送ＣＣＤに
順次に伝送するためのパルスの印加される第１伝送電極
６３、光ダイオードから伝送された信号電荷を水平伝送
ＣＣＤに順次に伝送するためのパルスの印加される第２
伝送電極（図示せず）、画素セルアレーの周辺に形成さ
れ多数の垂直伝送ＣＣＤから伝送された信号電荷を出力
部に伝送する水平伝送ＣＣＤ（図示せず）及び水平伝送
ＣＣＤから伝送された信号電荷を出力する出力回路部
（図示せず）より構成されている。
【００２３】図４は前記図３のIV−IV線を切った電位分
布図である。
布図である。
【００２４】前記図３と図４を参照し、従来のＯＦＤ構
造を有するＣＣＤ型固体撮像装置のオーバフロードレイ
ン動作及びシャッター動作を調べると次の通りである。
造を有するＣＣＤ型固体撮像装置のオーバフロードレイ
ン動作及びシャッター動作を調べると次の通りである。
【００２５】光電変換部である光ダイオードに可視光線
が入射されれば、入射光のエネルギーに比例し、励起さ
れた電子などの信号電荷が前記光ダイオードに蓄積され
る。光ダイオードの電位ウェルに蓄積された信号電荷が
その蓄積容量を超えれば、前記Ｐ- 型第１ウェル５８の
電位障壁を越えて半導体基板５７側へのみ流れ込むが、
これは信号電荷が周辺の光ダイオード及び伝送ＣＣＤに
流れ込むことを防止する役割をする。
が入射されれば、入射光のエネルギーに比例し、励起さ
れた電子などの信号電荷が前記光ダイオードに蓄積され
る。光ダイオードの電位ウェルに蓄積された信号電荷が
その蓄積容量を超えれば、前記Ｐ- 型第１ウェル５８の
電位障壁を越えて半導体基板５７側へのみ流れ込むが、
これは信号電荷が周辺の光ダイオード及び伝送ＣＣＤに
流れ込むことを防止する役割をする。
【００２６】Ｎ- 型半導体基板５７がオーバフローに対
してドレインとして作用する場合、前記Ｎ- 型半導体基
板５７に加えられるオーバフロー動作電圧ＶOFD による
前記図３のIV−IV線を切った断面図の電位分布は前記図
４で実線で表示された通りである。
してドレインとして作用する場合、前記Ｎ- 型半導体基
板５７に加えられるオーバフロー動作電圧ＶOFD による
前記図３のIV−IV線を切った断面図の電位分布は前記図
４で実線で表示された通りである。
【００２７】この際、図５を参照すれば、オーバフロー
動作が始まる前までは光励起され前記光ダイオードに蓄
積される信号電荷の量が光の入射照度に比例するが、オ
ーバフロー動作が始まってからは前記光ダイオードに蓄
積される信号電荷の量は一定になることが分かる。
動作が始まる前までは光励起され前記光ダイオードに蓄
積される信号電荷の量が光の入射照度に比例するが、オ
ーバフロー動作が始まってからは前記光ダイオードに蓄
積される信号電荷の量は一定になることが分かる。
【００２８】従って、過剰の信号電荷は隣接した光ダイ
オードや伝送ＣＣＤ等に流出されず半導体基板５７に取
り出されるので、ブルーミング現象及びスミヤ発生が防
止できる。
オードや伝送ＣＣＤ等に流出されず半導体基板５７に取
り出されるので、ブルーミング現象及びスミヤ発生が防
止できる。
【００２９】一方、従来の固体撮像装置は光ダイオード
における信号電荷蓄積時間が１フィールド時間（１６．
７ｍｓ）に等しかったが、被写体に対する解像度を向上
させるためには信号電荷蓄積時間が１フィールド時間よ
り小さく維持されるべきである。したがって可変速シャ
ッター動作をすることにより、信号電荷蓄積時間を調節
する電子シャッター機能が固体撮像装置に適用されるよ
うになった（米国特許第５，０１４，１３２号（発明の
名称；ＣＣＤ撮像装置(CCD imager)、発明者；クメサマ
・テツロウ(Kumesama ，Tetsuro)、出願番号；３８３，
１７９、出願日；１９８９年７月２１日）、第５，０４
５，９０６号（発明の名称；ショットキー障壁を通る光
−電変換領域と接する光シールドプレートをもつ固体画
像ピックアップ装置 (SOLID STATE IMAGE PICKUP DEVIC
E HAVING PHOTO-SHIELD PLATE INCONTACT WITH PHOTO-E
LECTRIC CONVERTING REGION VIA SCHOTTKY BARRIER)、
発明者；カズヒサ・ナガヤ(Kazuhisa Nagaya) 、出願番
号；５５９，０３５、出願日；１９９０年７月３０
日）、及び第４，８７５，１００号（発明の名称；ＣＣ
Ｄイメージ・センサ用電子シャッター (ELECTRONIC SHU
TTER FOR A CCD IMAGE SENSOR)、発明者；カズヤ・ヨネ
モト(Kazuya Yonemoto) ら、出願番号；１１０，８４
４、出願日；１９８７年１０月２１日））。
における信号電荷蓄積時間が１フィールド時間（１６．
７ｍｓ）に等しかったが、被写体に対する解像度を向上
させるためには信号電荷蓄積時間が１フィールド時間よ
り小さく維持されるべきである。したがって可変速シャ
ッター動作をすることにより、信号電荷蓄積時間を調節
する電子シャッター機能が固体撮像装置に適用されるよ
うになった（米国特許第５，０１４，１３２号（発明の
名称；ＣＣＤ撮像装置(CCD imager)、発明者；クメサマ
・テツロウ(Kumesama ，Tetsuro)、出願番号；３８３，
１７９、出願日；１９８９年７月２１日）、第５，０４
５，９０６号（発明の名称；ショットキー障壁を通る光
−電変換領域と接する光シールドプレートをもつ固体画
像ピックアップ装置 (SOLID STATE IMAGE PICKUP DEVIC
E HAVING PHOTO-SHIELD PLATE INCONTACT WITH PHOTO-E
LECTRIC CONVERTING REGION VIA SCHOTTKY BARRIER)、
発明者；カズヒサ・ナガヤ(Kazuhisa Nagaya) 、出願番
号；５５９，０３５、出願日；１９９０年７月３０
日）、及び第４，８７５，１００号（発明の名称；ＣＣ
Ｄイメージ・センサ用電子シャッター (ELECTRONIC SHU
TTER FOR A CCD IMAGE SENSOR)、発明者；カズヤ・ヨネ
モト(Kazuya Yonemoto) ら、出願番号；１１０，８４
４、出願日；１９８７年１０月２１日））。
【００３０】前記米国特許第４，８７５，１００号で詳
細に説明された通り、前記Ｎ- 型半導体基板５７に電子
シャッター電圧が加えられると、加えられるシャッター
電圧ΔＶSHT により前記図４に示したように電位分布が
点線模様に変わる。したがって、電位ウェルに蓄積され
た信号電荷は全部消去される。
細に説明された通り、前記Ｎ- 型半導体基板５７に電子
シャッター電圧が加えられると、加えられるシャッター
電圧ΔＶSHT により前記図４に示したように電位分布が
点線模様に変わる。したがって、電位ウェルに蓄積され
た信号電荷は全部消去される。
【００３１】図６は電子シャッター動作の簡単なタイム
チャートである。即ち、通常光ダイオードに信号電荷を
蓄積する時間が１フィールド時間である１／６０秒であ
るが、電子シャッター動作をする場合（即ち、時間Ｔ0
の間にＯＦＤ動作電圧ＶOFDにシャッター電圧ΔＶSHT
ほどパルスが続けて印加されれば）、結局〔１／６０−
Ｔ0 〕秒間のみ信号電荷が蓄積され蓄積電荷量が調節で
きる。
チャートである。即ち、通常光ダイオードに信号電荷を
蓄積する時間が１フィールド時間である１／６０秒であ
るが、電子シャッター動作をする場合（即ち、時間Ｔ0
の間にＯＦＤ動作電圧ＶOFDにシャッター電圧ΔＶSHT
ほどパルスが続けて印加されれば）、結局〔１／６０−
Ｔ0 〕秒間のみ信号電荷が蓄積され蓄積電荷量が調節で
きる。
【００３２】しかしながら、前記従来のＯＦＤ構造を持
つＣＣＤ型固体撮像装置は下記のような問題点を有す
る。
つＣＣＤ型固体撮像装置は下記のような問題点を有す
る。
【００３３】第１、縦形ＯＦＤ動作をするＮ- 型半導体
基板５７は低濃度の不純物をドープして形成されるの
で、ＯＦＤ動作を遂行する場合、前記半導体基板に高電
圧が印加されるべきである。
基板５７は低濃度の不純物をドープして形成されるの
で、ＯＦＤ動作を遂行する場合、前記半導体基板に高電
圧が印加されるべきである。
【００３４】第２、縦形ＯＦＤ構造でシャッター動作を
遂行する場合にも、同様にＰ- 型第１ウェル５８の電位
障壁を調節するためには、高電圧のシャッターパルスを
要する。
遂行する場合にも、同様にＰ- 型第１ウェル５８の電位
障壁を調節するためには、高電圧のシャッターパルスを
要する。
【００３５】第３、ＯＦＤ動作をするＮ- 型半導体基板
が全チップにかけて形成されているため、固体撮像装置
の映像面の外部に別のＰＭＯＳ，ＣＭＯＳ回路等を具現
したオン・チップ回路が実現し難い。
が全チップにかけて形成されているため、固体撮像装置
の映像面の外部に別のＰＭＯＳ，ＣＭＯＳ回路等を具現
したオン・チップ回路が実現し難い。
【００３６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はオーバ
フロードレイン（ＯＦＤ）動作及び電子シャッター動作
を低電圧下でも可能にしたＯＦＤ構造を有するＣＣＤ型
固体撮像装置を提供することである。
フロードレイン（ＯＦＤ）動作及び電子シャッター動作
を低電圧下でも可能にしたＯＦＤ構造を有するＣＣＤ型
固体撮像装置を提供することである。
【００３７】本発明の他の目的はオン・チップ回路具現
を可能にしたＯＦＤ構造を有するＣＣＤ形固体撮像装置
を提供することである。
を可能にしたＯＦＤ構造を有するＣＣＤ形固体撮像装置
を提供することである。
【００３８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は半導体基板の表面近傍にオーバフロードレ
インが存在し、その下部及び受光領域に受光部が形成さ
れていることを特徴とするオーバフロードレインを有す
る電荷結合素子型固体撮像装置により達成される。
に、本発明は半導体基板の表面近傍にオーバフロードレ
インが存在し、その下部及び受光領域に受光部が形成さ
れていることを特徴とするオーバフロードレインを有す
る電荷結合素子型固体撮像装置により達成される。
【００３９】望ましくは、前記オーバフロードレインは
第１導電型の第１不純物拡散領域で構成され、前記受光
部は暗電流抑制のための第２導電型の第２不純物拡散領
域、光により励起された信号電荷が蓄積される第１導電
型の第３不純物拡散領域、第２導電型の第４不純物拡散
領域及び第１導電型の第５不純物拡散領域より構成され
る。この時、前記第１導電型はＮ型不純物がドープされ
たものである。
第１導電型の第１不純物拡散領域で構成され、前記受光
部は暗電流抑制のための第２導電型の第２不純物拡散領
域、光により励起された信号電荷が蓄積される第１導電
型の第３不純物拡散領域、第２導電型の第４不純物拡散
領域及び第１導電型の第５不純物拡散領域より構成され
る。この時、前記第１導電型はＮ型不純物がドープされ
たものである。
【００４０】更に望ましくは、前記第１不純物拡散領域
の不純物濃度は前記第２不純物拡散領域の不純物濃度よ
り高く、前記第２不純物拡散領域の不純物濃度は前記第
３不純物拡散領域の不純物濃度より高く、前記第３不純
物拡散領域の不純物濃度は前記第４不純物拡散領域の不
純物濃度よりは高く、前記第４不純物拡散領域の不純物
濃度は前記第５不純物拡散領域の不純物濃度より高い。
の不純物濃度は前記第２不純物拡散領域の不純物濃度よ
り高く、前記第２不純物拡散領域の不純物濃度は前記第
３不純物拡散領域の不純物濃度より高く、前記第３不純
物拡散領域の不純物濃度は前記第４不純物拡散領域の不
純物濃度よりは高く、前記第４不純物拡散領域の不純物
濃度は前記第５不純物拡散領域の不純物濃度より高い。
【００４１】望ましい第１実施例として、前記オーバフ
ロードレインは受光領域を除いた前記半導体基板上に形
成されている導電性遮光膜の一部と接続し、前記遮光膜
はアルミニウム又は多結晶シリコンで形成されている。
ロードレインは受光領域を除いた前記半導体基板上に形
成されている導電性遮光膜の一部と接続し、前記遮光膜
はアルミニウム又は多結晶シリコンで形成されている。
【００４２】望ましい第２実施例として、前記受光部は
光により励起された信号電荷が蓄積される第１導電型の
第３不純物拡散領域、第２導電型の第４不純物拡散領域
及び第１導電型の第５不純物拡散領域で構成される。こ
の時、前記受光部の上部にはオーバフロードレインと暗
電流抑制のための第２導電型の第２不純物拡散領域が形
成されており、前記オーバフロードレインと受光部の間
に第２導電型の第６不純物拡散領域よりなる障壁層が更
に形成されている。
光により励起された信号電荷が蓄積される第１導電型の
第３不純物拡散領域、第２導電型の第４不純物拡散領域
及び第１導電型の第５不純物拡散領域で構成される。こ
の時、前記受光部の上部にはオーバフロードレインと暗
電流抑制のための第２導電型の第２不純物拡散領域が形
成されており、前記オーバフロードレインと受光部の間
に第２導電型の第６不純物拡散領域よりなる障壁層が更
に形成されている。
【００４３】望ましい第３実施例として、前記オーバフ
ロードレイン上には前記オーバフロードレインとオーミ
ックコンタクトを成し得る物質、例えば透明なＩＴＯ
（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）または
多結晶シリコンより構成されたバイアス印加手段層が形
成されている。
ロードレイン上には前記オーバフロードレインとオーミ
ックコンタクトを成し得る物質、例えば透明なＩＴＯ
（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）または
多結晶シリコンより構成されたバイアス印加手段層が形
成されている。
【００４４】望ましい第４実施例として、前記受光部は
暗電流抑制のための第２導電型の第２不純物拡散領域、
光により励起された信号電荷が蓄積される第１導電型の
第３不純物拡散領域及び第２導電型の第４不純物拡散領
域より構成される。このとき、前記第２不純物拡散領域
の不純物濃度は前記第３不純物拡散領域の不純物濃度よ
り高く、前記第１不純物拡散領域の不純物濃度は前記第
２不純物拡散領域の不純物濃度より高い。
暗電流抑制のための第２導電型の第２不純物拡散領域、
光により励起された信号電荷が蓄積される第１導電型の
第３不純物拡散領域及び第２導電型の第４不純物拡散領
域より構成される。このとき、前記第２不純物拡散領域
の不純物濃度は前記第３不純物拡散領域の不純物濃度よ
り高く、前記第１不純物拡散領域の不純物濃度は前記第
２不純物拡散領域の不純物濃度より高い。
【００４５】
【作用】オーバフロードレインを半導体基板の各光ダイ
オードの上部にそれぞれ形成させるため、半導体基板を
一定電圧に保つことが可能になり、固体撮像装置の映像
面の周囲にＰＭＯＳ等各種トランジスタ、ダイオードを
形成して周辺回路を具現することができる。
オードの上部にそれぞれ形成させるため、半導体基板を
一定電圧に保つことが可能になり、固体撮像装置の映像
面の周囲にＰＭＯＳ等各種トランジスタ、ダイオードを
形成して周辺回路を具現することができる。
【００４６】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００４７】（第１実施例）図７は本発明の第１実施例
により製造されたＣＣＤ型固体撮像装置のオーバフロー
ドレイン構造を示す断面図である。
により製造されたＣＣＤ型固体撮像装置のオーバフロー
ドレイン構造を示す断面図である。
【００４８】本発明の第１実施例により製造された前記
オーバフロードレイン構造を有するＣＣＤ型固体撮像装
置は、一定電圧ＤＣの印加される第１導電型の第５不純
物拡散領域であるＮ- 型半導体基板７、前記半導体基板
の表面方向へ形成され、オーバフローに対する電位障壁
として作用しブルーミングを抑制するために形成された
第２導電型の第４不純物拡散領域であるＰ- 型第１ウェ
ル８、前記第１ウェルの表面に形成され入射光により励
起された信号電荷が蓄積される第１導電型の第３不純物
拡散領域であるＮ型領域１０とウェル８から構成される
光ダイオード、暗電流減少、ブルーミング抑制及び可変
速電子シャッターに有利な構造として前記光ダイオード
にボロンイオンを高濃度で薄く注入して形成した第２導
電型の第２不純物拡散領域であるＰ+ 型暗電流抑制層９
より構成された受光部、前記Ｐ+型暗電流抑制層にＮ型
不純物を高濃度で注入して形成し、オーバフローに対す
るドレインとして作用する第１導電型の第１不純物拡散
領域であるＮ++型オーバフロードレイン（以下‘ＯＦ
Ｄ’と称する）４、光ダイオードから伝送された信号電
荷を水平伝送ＣＣＤに伝送する垂直伝送ＣＣＤのＮ型チ
ャネル領域１１、このチャネル領域の下部に形成された
Ｐ型第２ウェル５、光ダイオードに蓄積されている信号
電荷を垂直伝送ＣＣＤのＮ型チャネル領域に伝送する伝
送チャネル１２、セルとセルとを分離するためのチャネ
ルストッパー層６、受光部を除いた領域で入射光を遮断
する目的として形成され前記ＯＦＤ４と部分的に連結さ
れＯＦＤ電圧を印加する手段となる遮光膜１６、光ダイ
オードに蓄積されている信号電荷を垂直伝送ＣＣＤに伝
送するためのパルス及び光ダイオードから伝送された信
号電荷を水平伝送ＣＣＤに順次に伝送するためのパルス
の印加される第１伝送電極１３、光ダイオードから伝送
された信号電荷を水平伝送ＣＣＤに順次に伝送するため
のパルスの印加される第２伝送電極（図示せず）、画素
セルアレーの周辺に形成され多数の垂直伝送ＣＣＤから
伝送された信号電荷を出力部に伝送する水平伝送ＣＣＤ
（図示せず）及び水平伝送ＣＣＤから伝送された信号電
荷を出力する出力部（図示せず）より構成されている。
オーバフロードレイン構造を有するＣＣＤ型固体撮像装
置は、一定電圧ＤＣの印加される第１導電型の第５不純
物拡散領域であるＮ- 型半導体基板７、前記半導体基板
の表面方向へ形成され、オーバフローに対する電位障壁
として作用しブルーミングを抑制するために形成された
第２導電型の第４不純物拡散領域であるＰ- 型第１ウェ
ル８、前記第１ウェルの表面に形成され入射光により励
起された信号電荷が蓄積される第１導電型の第３不純物
拡散領域であるＮ型領域１０とウェル８から構成される
光ダイオード、暗電流減少、ブルーミング抑制及び可変
速電子シャッターに有利な構造として前記光ダイオード
にボロンイオンを高濃度で薄く注入して形成した第２導
電型の第２不純物拡散領域であるＰ+ 型暗電流抑制層９
より構成された受光部、前記Ｐ+型暗電流抑制層にＮ型
不純物を高濃度で注入して形成し、オーバフローに対す
るドレインとして作用する第１導電型の第１不純物拡散
領域であるＮ++型オーバフロードレイン（以下‘ＯＦ
Ｄ’と称する）４、光ダイオードから伝送された信号電
荷を水平伝送ＣＣＤに伝送する垂直伝送ＣＣＤのＮ型チ
ャネル領域１１、このチャネル領域の下部に形成された
Ｐ型第２ウェル５、光ダイオードに蓄積されている信号
電荷を垂直伝送ＣＣＤのＮ型チャネル領域に伝送する伝
送チャネル１２、セルとセルとを分離するためのチャネ
ルストッパー層６、受光部を除いた領域で入射光を遮断
する目的として形成され前記ＯＦＤ４と部分的に連結さ
れＯＦＤ電圧を印加する手段となる遮光膜１６、光ダイ
オードに蓄積されている信号電荷を垂直伝送ＣＣＤに伝
送するためのパルス及び光ダイオードから伝送された信
号電荷を水平伝送ＣＣＤに順次に伝送するためのパルス
の印加される第１伝送電極１３、光ダイオードから伝送
された信号電荷を水平伝送ＣＣＤに順次に伝送するため
のパルスの印加される第２伝送電極（図示せず）、画素
セルアレーの周辺に形成され多数の垂直伝送ＣＣＤから
伝送された信号電荷を出力部に伝送する水平伝送ＣＣＤ
（図示せず）及び水平伝送ＣＣＤから伝送された信号電
荷を出力する出力部（図示せず）より構成されている。
【００４９】このとき、望ましくは前記遮光膜１６はア
ルミニウムや多結晶シリコン等で形成され、前記ＯＦＤ
４にドープされている不純物の濃度は前記暗電流抑制層
９にドープされている不純物の濃度より更に高い。更に
望ましくは、前記暗電流抑制層９にドープされている不
純物の濃度は前記光ダイオードのＮ型領域１０にドープ
されている不純物の濃度より更に高く、前記Ｎ型領域１
０にドープされている不純物の濃度は前記第１ウェル８
にドープされている不純物の濃度より更に高く、前記第
１ウェル８にドープされている不純物の濃度は前記半導
体基板７にドープされている不純物の濃度より更に高
い。
ルミニウムや多結晶シリコン等で形成され、前記ＯＦＤ
４にドープされている不純物の濃度は前記暗電流抑制層
９にドープされている不純物の濃度より更に高い。更に
望ましくは、前記暗電流抑制層９にドープされている不
純物の濃度は前記光ダイオードのＮ型領域１０にドープ
されている不純物の濃度より更に高く、前記Ｎ型領域１
０にドープされている不純物の濃度は前記第１ウェル８
にドープされている不純物の濃度より更に高く、前記第
１ウェル８にドープされている不純物の濃度は前記半導
体基板７にドープされている不純物の濃度より更に高
い。
【００５０】図８は前記図７のVIII−VIII線による電位
分布図である。
分布図である。
【００５１】一定容量の信号電荷（図８の“Ｃ”）が蓄
積できる電位ウェルが光ダイオード領域１０に形成され
ているＮ型基板領域７に一定なＤＣ電圧を印加し、ＯＦ
Ｄ動作の障壁として作用するＰ+ 型第１ウェル９が空乏
となるようにＮ++型ＯＦＤ領域４にＯＦＤ電圧ＶOFD が
印加されれば、前記第１ウェル領域及び暗電流抑制層領
域が形成する電位分布は実線のようになり、光ダイオー
ド領域に蓄積されている前記信号電荷は電位障壁の低い
Ｎ++型ＯＦＤ領域４側へ放電される。
積できる電位ウェルが光ダイオード領域１０に形成され
ているＮ型基板領域７に一定なＤＣ電圧を印加し、ＯＦ
Ｄ動作の障壁として作用するＰ+ 型第１ウェル９が空乏
となるようにＮ++型ＯＦＤ領域４にＯＦＤ電圧ＶOFD が
印加されれば、前記第１ウェル領域及び暗電流抑制層領
域が形成する電位分布は実線のようになり、光ダイオー
ド領域に蓄積されている前記信号電荷は電位障壁の低い
Ｎ++型ＯＦＤ領域４側へ放電される。
【００５２】これはオーバフロードレイン領域４が高濃
度の不純物でドープされているため、低いオーバフロー
ドレイン電圧ＶOFD が加えられても容易に前記暗電流抑
制層領域９の電位障壁が低くなり、光ダイオード領域１
０に蓄積された信号電荷のオーバフローを可能にするか
らである。
度の不純物でドープされているため、低いオーバフロー
ドレイン電圧ＶOFD が加えられても容易に前記暗電流抑
制層領域９の電位障壁が低くなり、光ダイオード領域１
０に蓄積された信号電荷のオーバフローを可能にするか
らである。
【００５３】前記図８において、点線で表示されたもの
は電子シャッター電圧ΔＶSHT が加えられる時の電位を
表す。電子シャッター動作も、前記オーバフロードレイ
ン動作と同様の理由から低い電圧下で可能である。
は電子シャッター電圧ΔＶSHT が加えられる時の電位を
表す。電子シャッター動作も、前記オーバフロードレイ
ン動作と同様の理由から低い電圧下で可能である。
【００５４】従って、本発明の第１実施例によると、固
体撮像装置の各光ダイオード１０上にそれぞれ高濃度の
ＯＦＤ４を形成するので、従来とは異なり、Ｎ型半導体
基板７には常に一定のバイアスが印加できるので、セル
アレー領域（即ち、映像面）以外の周辺回路部にＰＭＯ
Ｓ，ＣＭＯＳ回路等を信頼性よく具現でき、固体撮像装
置のオン・チップ回路化が実現できる。また、ＯＦＤ４
をＰ+ 型暗電流抑制層９の不純物濃度より高濃度の不純
物をドープして形成するので、低電圧のＯＦＤ電圧及び
電子シャッター電圧でも十分にＰ+ 型暗電流抑制層９の
電位障壁が調節できる。
体撮像装置の各光ダイオード１０上にそれぞれ高濃度の
ＯＦＤ４を形成するので、従来とは異なり、Ｎ型半導体
基板７には常に一定のバイアスが印加できるので、セル
アレー領域（即ち、映像面）以外の周辺回路部にＰＭＯ
Ｓ，ＣＭＯＳ回路等を信頼性よく具現でき、固体撮像装
置のオン・チップ回路化が実現できる。また、ＯＦＤ４
をＰ+ 型暗電流抑制層９の不純物濃度より高濃度の不純
物をドープして形成するので、低電圧のＯＦＤ電圧及び
電子シャッター電圧でも十分にＰ+ 型暗電流抑制層９の
電位障壁が調節できる。
【００５５】（第２実施例）図９は本発明の第２実施例
により製造されたＣＣＤ型固体撮像装置のＯＦＤ構造を
示した断面図である。
により製造されたＣＣＤ型固体撮像装置のＯＦＤ構造を
示した断面図である。
【００５６】本発明の第２実施例は、ＯＦＤを各光ダイ
オードの上部にそれぞれ形成し前記第１実施例の効果を
そのまま保ちながら、前記第１実施例ではＯＦＤ下部に
形成していた暗電流抑制層を半導体基板の最上部に形成
することにより暗電流発生を容易に抑制しようとした。
オードの上部にそれぞれ形成し前記第１実施例の効果を
そのまま保ちながら、前記第１実施例ではＯＦＤ下部に
形成していた暗電流抑制層を半導体基板の最上部に形成
することにより暗電流発生を容易に抑制しようとした。
【００５７】半導体基板の表面から発生する暗電流を抑
制するために、前記光ダイオード１０の上部の大部分に
Ｐ+ 型の暗電流抑制層９を形成し、Ｎ++型ＯＦＤ４は前
記光ダイオード１０の上部の縁部、例えばチャネルスト
ッパー６の側部に形成する。この際、Ｎ型光ダイオード
１０とＮ++型ＯＦＤ４の間の電位障壁を容易に調節する
ために、Ｐ型の障壁層３を前記光ダイオード１０とＯＦ
Ｄ４の間に形成させる。受光部を除いた領域に形成され
た前記遮光膜１６は前記Ｎ++型ＯＦＤ４と電気的に連結
されＯＦＤ電圧及び電子シャッター電圧を印加する手段
となる。
制するために、前記光ダイオード１０の上部の大部分に
Ｐ+ 型の暗電流抑制層９を形成し、Ｎ++型ＯＦＤ４は前
記光ダイオード１０の上部の縁部、例えばチャネルスト
ッパー６の側部に形成する。この際、Ｎ型光ダイオード
１０とＮ++型ＯＦＤ４の間の電位障壁を容易に調節する
ために、Ｐ型の障壁層３を前記光ダイオード１０とＯＦ
Ｄ４の間に形成させる。受光部を除いた領域に形成され
た前記遮光膜１６は前記Ｎ++型ＯＦＤ４と電気的に連結
されＯＦＤ電圧及び電子シャッター電圧を印加する手段
となる。
【００５８】図９において、前記Ｎ++型ＯＦＤ４、Ｐ型
障壁層３、光ダイオード１０、第１ウェル領域８及び半
導体基板７による電位分布図を前記図８のような模様と
なるようにＯＦＤに電圧を印加すれば、Ｎ++型ＯＦＤ４
はオーバフローに対するドレインとして作用する。
障壁層３、光ダイオード１０、第１ウェル領域８及び半
導体基板７による電位分布図を前記図８のような模様と
なるようにＯＦＤに電圧を印加すれば、Ｎ++型ＯＦＤ４
はオーバフローに対するドレインとして作用する。
【００５９】（第３実施例）図１０は本発明による第３
実施例により製造されたＣＣＤ型固体撮像装置のＯＦＤ
構造を示した断面図であり、ＯＦＤ電圧を印加する手段
であり、前記ＯＦＤ４とオーミックコンタクトが形成で
きる物質をＮ++型ＯＦＤ４の光線入射面に形成しオーミ
ック層２を形成させた点のみを除いて前記第１実施例と
ほぼ同一である。
実施例により製造されたＣＣＤ型固体撮像装置のＯＦＤ
構造を示した断面図であり、ＯＦＤ電圧を印加する手段
であり、前記ＯＦＤ４とオーミックコンタクトが形成で
きる物質をＮ++型ＯＦＤ４の光線入射面に形成しオーミ
ック層２を形成させた点のみを除いて前記第１実施例と
ほぼ同一である。
【００６０】前記オーミック層２を構成する物質として
は光透過率の優れたＩＴＯや薄いポリシリコンが使用で
き、遮光膜１６を形成する前に基板全面に形成させる。
は光透過率の優れたＩＴＯや薄いポリシリコンが使用で
き、遮光膜１６を形成する前に基板全面に形成させる。
【００６１】この際、前記図１０のVIII−VIII線による
電位分布図を前記図８と同じ模様となるようにＯＦＤに
電圧を印加すれば、Ｎ++型ＯＦＤ４はオーバフローに対
するドレインとして作用することは無論である。
電位分布図を前記図８と同じ模様となるようにＯＦＤに
電圧を印加すれば、Ｎ++型ＯＦＤ４はオーバフローに対
するドレインとして作用することは無論である。
【００６２】（第４実施例）図１１は本発明の第４実施
例により製造されたＣＣＤ型固体撮像装置のＯＦＤ構造
を示した断面図であり、前記第１実施例ではＮ- 型半導
体基板７を使用したが、本実施例では第１実施例の前記
Ｐ- 型第１ウェル８を半導体基板として使用したことを
除いては前記第１実施例と同一である。
例により製造されたＣＣＤ型固体撮像装置のＯＦＤ構造
を示した断面図であり、前記第１実施例ではＮ- 型半導
体基板７を使用したが、本実施例では第１実施例の前記
Ｐ- 型第１ウェル８を半導体基板として使用したことを
除いては前記第１実施例と同一である。
【００６３】
【発明の効果】以上、本発明によるＯＦＤ構造による
と、オーバフロードレインを半導体基板の各光ダイオー
ドの上部にそれぞれ形成させるため、半導体基板を一定
電圧に保つことが可能になり、固体撮像装置の映像面の
周囲にＰＭＯＳ等で周辺回路を具現することができる。
これは固体撮像装置をオン・チップ回路で製造できると
いうことを意味する。また、前記オーバフロードレイン
領域を高濃度で不純物をドープして形成させるので、Ｏ
ＦＤ動作及び電子シャッター動作を低電圧下で実現でき
る。
と、オーバフロードレインを半導体基板の各光ダイオー
ドの上部にそれぞれ形成させるため、半導体基板を一定
電圧に保つことが可能になり、固体撮像装置の映像面の
周囲にＰＭＯＳ等で周辺回路を具現することができる。
これは固体撮像装置をオン・チップ回路で製造できると
いうことを意味する。また、前記オーバフロードレイン
領域を高濃度で不純物をドープして形成させるので、Ｏ
ＦＤ動作及び電子シャッター動作を低電圧下で実現でき
る。
【００６４】本発明は前記実施例に限定されず、本発明
の技術的な思想範囲内で多くの変形が可能であることは
無論である。
の技術的な思想範囲内で多くの変形が可能であることは
無論である。
【図１】 一般的な電荷結合素子型固体撮像素子の画素
レイアウト図である。
レイアウト図である。
【図２】 前記図１のII−II線を切った通常のインター
ライン方式のＣＣＤ型固体撮像装置の断面図である。
ライン方式のＣＣＤ型固体撮像装置の断面図である。
【図３】 従来のＯＦＤ構造を有するＣＣＤ型固体撮像
装置の断面図であり、前記図２に対応する。
装置の断面図であり、前記図２に対応する。
【図４】 前記図３のIV−IVによる電位分布図である。
【図５】 光ダイオードに入射される入射光の照度と信
号電荷との関係を示した図面である。
号電荷との関係を示した図面である。
【図６】 オーバフロードレイン構造で電子シャッター
動作を説明するために示したタイミングチャートであ
る。
動作を説明するために示したタイミングチャートであ
る。
【図７】 本発明の第１実施例により製造されたＣＣＤ
型固体撮像装置のオーバフロードレイン構造を示した断
面図である。
型固体撮像装置のオーバフロードレイン構造を示した断
面図である。
【図８】 前記図７及び図１０のVIII−VIIIによる電位
分布図である。
分布図である。
【図９】 本発明の第２実施例により製造されたＣＣＤ
型固体撮像装置のオーバフロードレイン構造を示した断
面図である。
型固体撮像装置のオーバフロードレイン構造を示した断
面図である。
【図１０】 本発明の第３実施例により製造されたＣＣ
Ｄ型固体撮像装置のオーバフロードレイン構造を示した
断面図である。
Ｄ型固体撮像装置のオーバフロードレイン構造を示した
断面図である。
【図１１】 本発明の第４実施例により製造されたＣＣ
Ｄ型固体撮像装置のオーバフロードレイン構造を示した
断面図である。
Ｄ型固体撮像装置のオーバフロードレイン構造を示した
断面図である。
４ Ｎ++型オーバフロードレイン、５ Ｐ型第２ウェ
ル、６ チャネルストッパー層、７ Ｎ- 型半導体基
板、８ Ｐ- 型第１ウェル、９ Ｐ+ 型暗電流抑制層、
１０ Ｎ型領域、１１ Ｎ型チャネル領域、１２ 伝送
チャネル、１３ 第１伝送電極、１６ 遮光膜、３６
チャネルストッパー層、３７ Ｎ型半導体基板、３８
Ｐ型ウェル、４０ Ｎ型領域、４１ Ｎ型チャネル領
域、４２ 電送シャネル、４３ 第１伝送電極、４５
絶縁膜、４６ 遮光膜、５５ Ｐ型第２ウェル、５６
チャネルストッパー層、５７ Ｎ- 型半導体基板、５８
Ｐ- 型第１ウェル、５９ Ｐ+ 型暗電流抑制層、６０
Ｎ型領域、６１ Ｎ型チャネル領域、６２ 伝送チャ
ネル、６３ 第１伝送電極、６６ 遮光層
ル、６ チャネルストッパー層、７ Ｎ- 型半導体基
板、８ Ｐ- 型第１ウェル、９ Ｐ+ 型暗電流抑制層、
１０ Ｎ型領域、１１ Ｎ型チャネル領域、１２ 伝送
チャネル、１３ 第１伝送電極、１６ 遮光膜、３６
チャネルストッパー層、３７ Ｎ型半導体基板、３８
Ｐ型ウェル、４０ Ｎ型領域、４１ Ｎ型チャネル領
域、４２ 電送シャネル、４３ 第１伝送電極、４５
絶縁膜、４６ 遮光膜、５５ Ｐ型第２ウェル、５６
チャネルストッパー層、５７ Ｎ- 型半導体基板、５８
Ｐ- 型第１ウェル、５９ Ｐ+ 型暗電流抑制層、６０
Ｎ型領域、６１ Ｎ型チャネル領域、６２ 伝送チャ
ネル、６３ 第１伝送電極、６６ 遮光層
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体基板の表面近傍にオーバフロード
レインが存在し、その下部及び受光領域に受光部が形成
されていることを特徴とするオーバフロードレインを有
する電荷結合素子型固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記オーバフロードレインは第１導電型
の第１不純物拡散領域であることを特徴とする請求項１
記載のオーバフロードレインを有する電荷結合素子型固
体撮像装置。 - 【請求項３】 前記受光部は暗電流抑制のための第２導
電型の第２不純物拡散領域、光により励起された信号電
荷が蓄積される第１導電型の第３不純物拡散領域、第２
導電型の第４不純物拡散領域及び第１導電型の第５不純
物拡散領域より構成されることを特徴とする請求項２記
載のオーバフロードレインを有する電荷結合素子型固体
撮像装置。 - 【請求項４】 前記第１不純物拡散領域の不純物濃度は
前記第２不純物拡散領域の不純物濃度より高いことを特
徴とする請求項３記載のオーバフロードレインを有する
電荷結合素子型固体撮像装置。 - 【請求項５】 前記第２不純物拡散領域の不純物濃度は
前記第３不純物拡散領域の不純物濃度より高く、前記第
３不純物拡散領域の不純物濃度は前記第４不純物拡散領
域の不純物濃度よりは高く、前記第４不純物拡散領域の
不純物濃度は前記第５不純物拡散領域の不純物濃度より
高いことを特徴とする請求項４記載のオーバフロードレ
インを有する電荷結合素子型固体撮像装置。 - 【請求項６】 前記第３不純物拡散領域はＮ型不純物が
ドープされ形成されたことを特徴とする請求項３記載の
オーバフロードレインを有する電荷結合素子型固体撮像
装置。 - 【請求項７】 前記オーバフロードレインは受光領域を
除いた前記半導体基板上に形成されている遮光膜の一部
と接続することを特徴とする請求項１記載のオーバフロ
ードレインを有する電荷結合素子型固体撮像装置。 - 【請求項８】 前記遮光膜はアルミニウムあるいは多結
晶シリコンで形成されたことを特徴とする請求項７記載
のオーバフロードレインを有する電荷結合素子型固体撮
像装置。 - 【請求項９】 前記オーバフロードレイン上には前記オ
ーバフロードレインとオーミックコンタクトを形成でき
る物質より構成されたバイアス印加手段層が形成されて
いることを特徴とする請求項７記載のオーバフロードレ
インを有する電荷結合素子型固体撮像装置。 - 【請求項１０】 前記バイアス印加手段層は透明なＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）または多結晶シリコンで形成さ
れたことを特徴とする請求項９記載のオーバフロードレ
インを有する電荷結合素子型固体撮像装置。 - 【請求項１１】 前記受光部は暗電流抑制のための第２
導電型の第２不純物拡散領域、光により励起された信号
電荷が蓄積される第１導電型の第３不純物拡散領域及び
第２導電型の第４不純物拡散領域より構成されることを
特徴とする請求項２記載のオーバフロードレインを有す
る電荷結合素子型固体撮像装置。 - 【請求項１２】 前記第２不純物拡散領域の不純物濃度
は前記第３不純物拡散領域の不純物濃度より高く、前記
第１不純物拡散領域の不純物濃度は前記第２不純物拡散
領域の不純物濃度より高いことを特徴とする請求項１１
記載のオーバフロードレインを有する電荷結合素子型固
体撮像装置。 - 【請求項１３】 前記受光部は光により励起された信号
電荷が蓄積される第１導電型の第３不純物拡散領域、第
２導電型の第４不純物拡散領域及び第１導電型の第５不
純物拡散領域より構成されることを特徴とする請求項２
記載のオーバフロードレインを有する電荷結合素子型固
体撮像装置。 - 【請求項１４】 前記受光部の上部にはオーバフロード
レインと暗電流抑制のための第２導電型の第２不純物拡
散領域が形成されていることを特徴とする請求項１３記
載のオーバフロードレインを有する電荷結合素子型固体
撮像装置。 - 【請求項１５】 前記オーバフロードレインと受光部の
間に第２導電型の第６不純物拡散領域よりなる障壁層を
更に具備することを特徴とする請求項１４記載のオーバ
フロードレインを有する電荷結合素子型固体撮像装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930008468A KR970007711B1 (ko) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치 |
| KR1993-P-008468 | 1993-05-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750402A true JPH0750402A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3645585B2 JP3645585B2 (ja) | 2005-05-11 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| KR (1) | KR970007711B1 (ja) |
| DE (1) | DE4417159C2 (ja) |
| FR (1) | FR2705495B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7557390B2 (en) | 2002-10-18 | 2009-07-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid image capturing element for power saving at output section and manufacturing method for the same |
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Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2897689B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1999-05-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR0162691B1 (ko) * | 1995-06-03 | 1998-12-01 | 문정환 | 고체 촬상소자의 수광부 구조 및 그 제조방법 |
| KR100198622B1 (ko) * | 1995-12-11 | 1999-06-15 | 구본준 | 고체촬상소자 및 이의 제조방법 |
| KR100192954B1 (ko) * | 1996-07-18 | 1999-06-15 | 김광호 | 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| JP3003590B2 (ja) * | 1996-10-02 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2897825B2 (ja) * | 1996-12-20 | 1999-05-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP3033524B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2000-04-17 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR100223805B1 (ko) * | 1997-06-13 | 1999-10-15 | 구본준 | 고체 촬상소자의 제조방법 |
| JP3024595B2 (ja) * | 1997-07-04 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US6333526B1 (en) * | 1997-11-27 | 2001-12-25 | Nec Corporation | Charge transfer device and a manufacturing process therefor |
| US6064053A (en) * | 1998-04-02 | 2000-05-16 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Operation methods for active BiCMOS pixel for electronic shutter and image-lag elimination |
| US6346722B1 (en) | 1998-06-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
| US6331873B1 (en) | 1998-12-03 | 2001-12-18 | Massachusetts Institute Of Technology | High-precision blooming control structure formation for an image sensor |
| US6337495B1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-01-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pickup device |
| JP2001291858A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR100332949B1 (ko) | 2000-05-23 | 2002-04-20 | 윤종용 | 전자 줌 기능에 적합한 고체 촬상 소자 |
| JP2002077544A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Nikon Corp | 画像読取装置、その制御手順を記憶した記憶媒体、及びその制御手順を含んだコンピュータプログラム信号を符号化して伝送するためのデータ構造 |
| JP3724374B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2005-12-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JP4489319B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2010-06-23 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4109858B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| WO2004079825A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Sony Corporation | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像素子の駆動方法 |
| US7443437B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate |
| US11282891B2 (en) | 2003-11-26 | 2022-03-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate |
| JP2005175104A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP4572130B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2010-10-27 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
| US7830412B2 (en) * | 2005-08-22 | 2010-11-09 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for shielding correction pixels from spurious charges in an imager |
| WO2008030851A2 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Sarnoff Corporation | Anti-blooming structures for back-illuminated imagers |
| KR100881200B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US9029972B2 (en) * | 2012-09-25 | 2015-05-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with in-pixel anti-blooming drains |
| JP2015220339A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812480A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Toshiba Corp | 複合形固体撮像素子 |
| JPS6089967A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Sony Corp | 光電変換素子 |
| US4875100A (en) * | 1986-10-23 | 1989-10-17 | Sony Corporation | Electronic shutter for a CCD image sensor |
| JP2506697B2 (ja) * | 1986-12-05 | 1996-06-12 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置 |
| US4984047A (en) * | 1988-03-21 | 1991-01-08 | Eastman Kodak Company | Solid-state image sensor |
| JP2822393B2 (ja) * | 1988-07-30 | 1998-11-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JPH0360159A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| EP0544260A1 (en) * | 1991-11-25 | 1993-06-02 | Eastman Kodak Company | Antiblooming structure for CCD image sensor |
| JPH05275673A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| KR100259063B1 (ko) * | 1992-06-12 | 2000-06-15 | 김영환 | Ccd 영상소자 |
-
1993
- 1993-05-18 KR KR1019930008468A patent/KR970007711B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-05-17 DE DE4417159A patent/DE4417159C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-18 FR FR9406059A patent/FR2705495B1/fr not_active Expired - Fee Related
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- 1994-05-18 US US08/246,232 patent/US5619049A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7557390B2 (en) | 2002-10-18 | 2009-07-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid image capturing element for power saving at output section and manufacturing method for the same |
| JP2009182047A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Sharp Corp | 固体撮像素子および電子情報機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5619049A (en) | 1997-04-08 |
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| DE4417159A1 (de) | 1994-11-24 |
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