JPH0794417A - Plasma vapor phase reactor - Google Patents
Plasma vapor phase reactorInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ気相反応装置
に関するものである。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a plasma gas phase reactor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、反応空間内に設けられた電力を印
加する電極は、一対の平行平板型であり、かつその一方
の電極上を被膜形成面としている。このような方式の被
膜形成面における被膜生成率は、１％ないし３％程度で
ある。また、従来のプラズマ気相反応方法においては、
一対の平行平板型電極の間に、プラズマ放電かグロー放
電を発生させ、基板表面に半導体被膜等が形成される。
かかる一対の電極のみを用いる方式では、被膜の均一性
が±５％以内のばらつきの範囲に抑えられる。しかし、
上記方式では、被膜形成面を電極面積以上に大きくする
ことができない。このため、上記方式は、多量生産にま
ったく不向きであるという欠点を有する。2. Description of the Related Art Conventionally, electrodes for applying electric power, which are provided in a reaction space, are of a pair of parallel flat plates, and one of the electrodes serves as a film forming surface. The film formation rate on the film formation surface of such a system is about 1% to 3%. Further, in the conventional plasma vapor phase reaction method,
Plasma discharge or glow discharge is generated between the pair of parallel plate electrodes to form a semiconductor film or the like on the surface of the substrate.
In the system using only such a pair of electrodes, the uniformity of the coating film can be suppressed within a range of variation within ± 5%. But,
In the above method, the film formation surface cannot be made larger than the electrode area. Therefore, the above method has a drawback that it is completely unsuitable for mass production.
【０００３】他方、被膜形成用基板は、平行平板型電極
の間に設けられ、その電界が被膜形成面に概略平行にな
るように多数の基板を互いに─定の距離（２ｃｍないし
６ｃｍ）を離間して垂直に林立せしめて配設する方法が
知られている。その─例は、本出願人の出願にかかる特
許願（プラズマ気相反応装置 昭和５７年９月２５日出
願 特願昭５７ー１６７２８０号）である。すなわち、
基板を電位的にいずれの電極からも遊離せしめて、陽光
柱での気相反応を行ういわゆるフローティングプラズマ
気相反応法を用いるため、多量基板に対して被膜形成を
行うことができるという特徴を有する。上記方法は、従
来より公知の平行平板型電極の一方の電極上に基板を配
設する方法に比べて、５倍ないし２０倍の生産性をあげ
ることができた。On the other hand, the film forming substrate is provided between parallel plate type electrodes, and a large number of substrates are separated from each other by a fixed distance (2 cm to 6 cm) so that the electric field thereof is substantially parallel to the film forming surface. Then, a method of vertically arranging them in a forest is known. An example thereof is a patent application filed by the present applicant (plasma gas phase reaction apparatus, filed on September 25, 1982, Japanese Patent Application No. 57-167280). That is,
Since a so-called floating plasma vapor phase reaction method is used in which the substrate is electrically separated from any of the electrodes in a potential manner and a vapor phase reaction is performed in a positive column, it is possible to form a film on a large number of substrates. . The above method was able to increase productivity by 5 to 20 times as compared with the conventionally known method of disposing the substrate on one of parallel plate type electrodes.
【０００４】しかし、かかるフローティングプラズマ気
相反応法において、得られる膜厚の均一性は、後述する
ように、その一例として図１に示すごときものであっ
た。また、他の従来例として、第４０回応物学会予稿
集，（１９７９─９），Ｐ．３１６には、基板に対して
水平方向から高周波電界を印加し、さらに付加的に基板
の垂直方向から直流電界を印加していることが記載され
ている。However, the uniformity of the film thickness obtained in such a floating plasma vapor phase reaction method is as shown in FIG. 1 as an example thereof, as will be described later. Also, as another conventional example, the 40th Biological Society of Japan Proceedings, (1979-9), p. 316 describes that a high frequency electric field is applied to the substrate in the horizontal direction, and a direct current electric field is additionally applied in the vertical direction of the substrate.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】図１（Ａ）ないし
（Ｅ）は従来のプラズマ気相反応方法で得られた基板上
の膜厚の不均一性を説明するための図である。図１
（Ａ）には、基板（５）と電極（２３）、（２５）との
相対位置関係が示されている。基板（５）には、約５０
００Åの厚さに珪素膜が形成されている。基板（５）に
形成された珪素膜は、図１（Ｃ）に示すごとく、一対の
電極（２３）、（２５）の近傍で厚くなる。また、基板
（５）は、図１（Ｂ、Ｄ、Ｅ）に示すごとく、電極（２
３）、（２５）の中央部が厚くなったり、あるいは基板
（５）の端部が薄くなってしまう。このため基板（５）
の上下側端部（コーナ部）に形成される膜厚は、中央部
の上下端部の厚さに比べて２０％ないし３０％も薄くな
ってしまった。FIGS. 1A to 1E are views for explaining the nonuniformity of the film thickness on the substrate obtained by the conventional plasma vapor phase reaction method. Figure 1
In (A), the relative positional relationship between the substrate (5) and the electrodes (23) and (25) is shown. The substrate (5) has about 50
A silicon film is formed to a thickness of 00Å. The silicon film formed on the substrate (5) becomes thicker in the vicinity of the pair of electrodes (23) and (25) as shown in FIG. 1 (C). The substrate (5) has electrodes (2) as shown in FIG. 1 (B, D, E).
3) and (25) become thicker in the central portion, or the end portion of the substrate (5) becomes thinner. For this reason the substrate (5)
The film thickness formed at the upper and lower end portions (corner portions) of the above was thinner by 20% to 30% than the thickness of the upper and lower end portions of the central portion.
【０００６】すなわち、本出願人が提案したフローティ
ングプラズマ気相反応法において、被膜形成面は、電位
的に浮いているため、この基板（５）にチャージアップ
（荷電）した電荷と、プラズマ中のイオンとが反発しあ
う。このため、飛翔中の活性粒子は、被膜形成面をスパ
ッタすることが少なくなる。さらに、これを助長するた
め、プラズマ反応に用いられる高周波電界は、被膜形成
面に添って流れるように層流を構成して供給される。す
なわち、高周波電界は、被膜形成面に概略平行になるよ
うに配設せしめられている。That is, in the floating plasma vapor phase reaction method proposed by the present applicant, since the film-forming surface is floating at a potential, the electric charge charged (charged) on this substrate (5) and the Aeon repels each other. Therefore, flying active particles are less likely to sputter the film formation surface. Further, in order to promote this, the high frequency electric field used for the plasma reaction is supplied in a laminar flow so as to flow along the film formation surface. That is, the high frequency electric field is arranged so as to be substantially parallel to the film forming surface.
【０００７】本発明は、以上のような課題を解決するた
めのもので、プラズマ気相反応によって形成される基板
表面の膜厚を均一にするプラズマ気相反応装置およびプ
ラズマ気相反応方法を提供することを目的とする。The present invention is intended to solve the above problems, and provides a plasma vapor phase reaction apparatus and a plasma vapor phase reaction method for making a film thickness of a substrate surface formed by plasma vapor phase reaction uniform. The purpose is to do.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】（第１発明）本発明のプ
ラズマ気相反応装置は、１気圧以下の減圧状態に保持さ
れた筒状空間（１００）と、当該筒状空間（１００）に
反応性気体を供給する系（９７）と、不要反応生成物ま
たはキャリアガスを真空排気する排気系（９８）とを具
備し、前記筒状空間（１００）内に設けられ基板（５）
と、当該筒状空間（１００）に配設された前記基板
（５）の表面に対して平行になるように発生する第１の
電界（９０）と、当該第１の電界に直交でかつ基板
（５）の表面に対して平行になるように発生する第２の
電界（９１）とを供給する手段（２１、８５）とから構
成される。Means for Solving the Problems (First Invention) A plasma vapor phase reaction apparatus of the present invention comprises a cylindrical space (100) held at a reduced pressure of 1 atm or less, and a cylindrical space (100). A substrate (5) provided in the cylindrical space (100), comprising a system (97) for supplying a reactive gas and an exhaust system (98) for evacuating unnecessary reaction products or carrier gas.
A first electric field (90) generated so as to be parallel to the surface of the substrate (5) arranged in the cylindrical space (100), and a substrate perpendicular to the first electric field and And a means (21, 85) for supplying a second electric field (91) generated so as to be parallel to the surface of (5).
【０００９】（第２発明）本発明のプラズマ気相反応装
置は、筒状空間（１００）内に配設された基板（５）に
対して平行になるように第１の電界（９０）を発生する
─対の第１の電極（２３）、（２５）と、当該電界（９
０）に直交でかつ前記基板（５）に対して平行になるよ
うに第２の電界（９１）を発生する─対の第２の電極
（７２）、（８２）と、前記第１の電極（２３）、（２
５）と第２の電極（７２）、（８２）における当該電極
の裏面側を覆う絶縁物フ−ドとから構成される。(Second Invention) In the plasma vapor phase reaction apparatus of the present invention, the first electric field (90) is applied so as to be parallel to the substrate (5) arranged in the cylindrical space (100). Is generated--the pair of first electrodes (23), (25) and the electric field (9
0) to generate a second electric field (91) orthogonal to the substrate (5) -a pair of second electrodes (72), (82) and the first electrode. (23), (2
5) and an insulator hood covering the back surface side of the second electrodes (72) and (82).
【００１０】（第３発明）本発明のプラズマ気相反応装
置は、前記基板（５）の表面と平行になる電界によるリ
サ−ジュ波形を形成させる手段を具備することを特徴と
する。(Third Invention) The plasma vapor phase reaction apparatus of the present invention is characterized by comprising means for forming a Lissajous waveform by an electric field parallel to the surface of the substrate (5).
【００１１】（第４発明）本発明のプラズマ気相反応装
置は、前記筒状空間（１００）内に前記基板（５）を配
設するとともに、前記基板（５）の表面に対して平行に
なるように発生する第１の電界（９０）と、当該第１の
電界（９０）に直交し、かつ前記基板（５）の表面に対
して平行になるように発生する第２の電界（９１）とを
供給する手段（２１、８５）と、前記筒状空間（１０
０）と前記第１または第２の電極間に配設された網また
は多孔状導体のグリッド（４１）とから構成される。(Fourth Invention) In the plasma vapor phase reaction apparatus of the present invention, the substrate (5) is arranged in the cylindrical space (100) and is parallel to the surface of the substrate (5). And a second electric field (91) that is generated so as to be orthogonal to the first electric field (90) and parallel to the surface of the substrate (5). ) And a cylindrical space (10).
0) and a grid (41) of mesh or porous conductor disposed between the first and second electrodes.
【００１２】[0012]
【作 用】反応空間内に反応性気体を導入して基板上
に被膜を形成するためにプラズマを発生させる。プラズ
マは、反応空間に設けられた基板の被膜形成面に対して
平行で、かつ対をなす複数組の電極から電界が印加され
ることによって発生する。前記対をなす複数組の電極配
置は、直交あるいは概略直交するものも含む。なお、本
明細書において、「直交な電界」とは、直交または概略
直交な電界を意味するものとする。基板配置手段は、上
記のように反応空間に設けられた基板の表面に対して、
たとえば平行でかつ直交する二組の電極から電界が印加
されるように配置する。上記構成のため、基板の被膜形
成面に対する電界の密度が均一化され、基板端部におい
ても電界密度の小さくなることを防いでいる。[Operation] A reactive gas is introduced into the reaction space to generate plasma to form a film on the substrate. Plasma is generated by applying an electric field from a plurality of pairs of electrodes that are parallel to the film formation surface of the substrate provided in the reaction space. The plurality of sets of electrode arrangements forming the pair may include those that are orthogonal or substantially orthogonal. In addition, in this specification, an "orthogonal electric field" means an electric field which is orthogonal or substantially orthogonal. Substrate placement means, with respect to the surface of the substrate provided in the reaction space as described above,
For example, they are arranged so that an electric field is applied from two sets of electrodes which are parallel and orthogonal to each other. With the above structure, the density of the electric field with respect to the film forming surface of the substrate is made uniform, and the electric field density is prevented from becoming small even at the edge of the substrate.
【００１３】また、基板の被膜形成面は、二組の電極か
ら電気的に浮いた（フローティング）電位としたため、
プラズマエネルギーが基板の被膜形成面をスパッタする
程度を軽減することができた。さらに、二組の電極から
基板の被膜形成面に印加する電界密度は、均一化される
だけでなく、一対の電極による電界のみの場合より大き
いため、被膜形成速度を向上させることができる。基板
の被膜形成面に対して平行になるように、たとえば二組
の第１電極および第２電極を直交するように配置し、同
一の周波数、または異なる周波数を印加してリサ─ジュ
波形を描かせているため、基板の被膜形成面に印加され
る電界密度はさらに均一化する。Further, since the film-forming surface of the substrate is set to a potential electrically floating (floating) from the two sets of electrodes,
It was possible to reduce the extent to which plasma energy sputters the film-forming surface of the substrate. Further, the electric field density applied from the two sets of electrodes to the film forming surface of the substrate is not only uniformed but also higher than the case of only the electric field generated by the pair of electrodes, so that the film forming rate can be improved. For example, two sets of the first electrode and the second electrode are arranged so as to be parallel to the surface of the substrate on which the film is formed, and the same frequency or different frequencies are applied to draw a Lissajous waveform. Therefore, the electric field density applied to the film formation surface of the substrate is made more uniform.
【００１４】[0014]
【実 施 例】本発明の一実施例は、反応性気体が反応
室内のすべてに分散してしまうことを防ぐプラズマ気相
反応装置であり、上記反応室が基板の外形状を利用して
筒状空間になっている。そして、この筒状空間には、基
板がその裏面を互いに密接して、その表面の被膜形成面
を一定の距離、たとえば２ｃｍないし１０ｃｍ、代表的
には４ｃｍないし６ｃｍ離して平行に配設されている。
また、この基板が林立した筒状空間には、反応性気体を
選択的に導き、この筒状空間においてのみ選択的にプラ
ズマ放電を行わしめる。この結果として反応性気体の収
集効率は、従来の１％ないし３％より、その１０倍ない
し３０倍の２０％ないし５０％にまで高めることができ
た。さらに、本発明の一実施例は、多数回繰り返して被
膜形成を行うと、その時反応室上部に付着形成されたフ
レ−クが基板の被膜形成面上に落ちて、ビンホ−ルの発
生を誘発してしまうことを防ぐため、基板の被膜形成面
を重力に添って垂直配向せしめたことを特徴としてい
る。[Examples] One example of the present invention is a plasma gas phase reaction device that prevents a reactive gas from being dispersed in all of the reaction chamber. It is a space. The substrates are arranged in parallel in this cylindrical space with their back surfaces in close contact with each other and the film-forming surface on the front surface thereof at a fixed distance, for example, 2 cm to 10 cm, typically 4 cm to 6 cm. There is.
In addition, the reactive gas is selectively introduced into the tubular space where the substrate stands and the plasma discharge is selectively performed only in the tubular space. As a result, the collection efficiency of the reactive gas can be increased from the conventional 1% to 3% to 20% to 50%, which is 10 times to 30 times the conventional efficiency. Further, according to one embodiment of the present invention, when the film formation is repeated a number of times, the flakes adhering to the upper part of the reaction chamber at that time drop onto the film formation surface of the substrate and induce the generation of binholes. In order to prevent this from happening, it is characterized in that the film-forming surface of the substrate is vertically oriented along with gravity.
【００１５】本発明の一実施例は、前記した一定の間隙
を経て被膜形成面を概略平行に配置された基板の上部、
下部および中央部さらに周辺部での膜厚の均一性、また
膜質の均質性を促すため、上方向および下方向より棒状
赤外線ランプを互いに直交して配置し、筒状空間全体の
均熱加熱化を図った。すなわち、棒状赤外線ランプは、
その断面積が１０ｃｍ2 、また、長さが電極方向に１０
ｃｍないし６０ｃｍを有し、幅１５ｃｍないし１００ｃ
ｍの基板、たとえば２０ｃｍ×６０ｃｍの基板がその温
度分布において、１００℃ないし６５０℃、たとえば２
００℃±５℃以内としたことを特徴としている。According to one embodiment of the present invention, an upper portion of a substrate, on which a film-forming surface is arranged substantially parallel to the above-mentioned fixed gap,
In order to promote the uniformity of the film thickness in the lower part, the central part and the peripheral part, and the uniformity of the film quality, the rod-shaped infrared lamps are arranged orthogonally to each other from above and below, so that the entire cylindrical space is heated uniformly. Planned. That is, the rod-shaped infrared lamp is
The cross-sectional area is 10 cm 2 , and the length is 10 in the electrode direction.
cm to 60 cm, width 15 cm to 100 c
m substrate, for example 20 cm × 60 cm substrate, has a temperature distribution of 100 ° C. to 650 ° C., eg 2
The feature is that the temperature is within 00 ° C ± 5 ° C.
【００１６】本発明の一実施例は、連続製造方式を基本
条件とし、反応室内での被膜の特性の向上に加えて、反
応室の内壁に不用の反応生成物が付着することを防ぐ。
本発明の一実施例は、見掛け上の反応室の内壁を筒状空
間の側面とすることにより、被膜作製の度に、すなわち
新たにホルダを反応室内に装着する度に、あたかも新し
い内壁が作られるため、繰り返しの被膜形成によって
も、不要の反応生成物が内壁上に層状に積層されるのを
防ぐことができる。すなわち、本発明の一実施例は、反
応室内に形成されるフレ−クの発生を防止できるという
大きな特徴を有する。さらに、本発明の一実施例は、反
応性気体の導入口、排気口において、電極外側を供給フ
ード、排気フード、および絶縁フ−ド（石英等）で覆
い、反応室壁面との寄生放電を防ぎ、この電極と反応空
間との間にフロ−ティンググリットを設けることによ
り、この反応空間内に陽極暗部、陰極暗部が延びないよ
うにした。すなわち、この反応空間の電界強度がきわめ
て少ない陽光柱領域とすることができた。その結果、こ
の反応空間内に強電界の暗部で加速された強い運動エネ
ルギーを有するスピーシス（反応性物質）による被膜形
成面のスパッタを防ぎ膜質の向上を図ることができた。In one embodiment of the present invention, a continuous production system is used as a basic condition, and in addition to improving the characteristics of the coating film in the reaction chamber, unnecessary reaction products are prevented from adhering to the inner wall of the reaction chamber.
In one embodiment of the present invention, by making the inner wall of the apparent reaction chamber to be the side surface of the cylindrical space, a new inner wall is created every time when the film is produced, that is, each time when the holder is newly installed in the reaction chamber. Therefore, it is possible to prevent unnecessary reaction products from being layered on the inner wall even if the film is repeatedly formed. That is, one embodiment of the present invention has a great feature that flakes formed in the reaction chamber can be prevented from being generated. Furthermore, in one embodiment of the present invention, at the inlet and outlet of the reactive gas, the outside of the electrode is covered with a supply hood, an exhaust hood, and an insulating hood (quartz or the like) to prevent parasitic discharge from the wall surface of the reaction chamber. By providing a floating grid between the electrode and the reaction space, the dark anode and cathode portions were prevented from extending into the reaction space. That is, the positive column region where the electric field strength of this reaction space is extremely small could be obtained. As a result, it was possible to prevent the spattering of the film formation surface due to the spesis (reactive substance) having strong kinetic energy accelerated in the dark part of the strong electric field in this reaction space, and to improve the film quality.
【００１７】かかるプラズマ気相反応装置は、すでに形
成されている下側（被膜形成面）の半導体層の不純物の
その上に形成されるべき他の半導体層への混合を排除
し、さらに、複数の半導体層の積層界面での混合の厚さ
を２００Åないし３００Åと従来よりも約１／１０ない
し１／５にすると共に、基板内、同一バッチの基板間で
の膜厚のばらつきを±５％以内（たとえば、５０００Å
の厚さとすると、そのばらつきが±２５０Å以内）とし
得たことを特徴としている。Such a plasma vapor phase reaction device eliminates the mixing of impurities of the already formed lower (film-forming surface) semiconductor layer with other semiconductor layers to be formed thereon, The mixing thickness of the semiconductor layer at the interface of lamination is 200Å to 300Å, which is about 1/10 to 1/5 of the conventional one, and the film thickness variation within the same batch between substrates is ± 5%. Within (for example, 5000Å
The thickness can be within ± 250Å).
【００１８】以下、図２および図３にしたがって本発明
の一実施例であるプラズマ気相反応装置を説明する。図
２は本発明の一実施例で、連続してプラズマ気相反応が
可能な装置を説明するための図である。図３は本発明の
一実施例で、対をなす複数の電極によって発生する電界
を説明するための図である。 具体例１ 図２において、プラズマ気相反応装置は、一方の側から
基板（５）を装填するための第１の予備室（１）と、プ
ラズマ気相反応処理を行なう反応室（２）と、プラズマ
気相反応処理の終了した基板（５）を取り出すための第
２の予備室（３）とから構成される。第１の予備室
（１) と反応室（２）との連設部、反応室（２）と第２
の予備室（３）との連設部には、ゲ−ト弁（４３）、
（４４）が設けられている。ゲ−ト弁（４３）、（４
４）は、基板（４）、（５）、およびホルダ（６）、
（７）が第１の予備室（１）から反応室（２）中へ、ま
た、反応室（２）から第２の予備室（３）への移動に対
して開状態となる。A plasma gas phase reaction apparatus which is an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a diagram for explaining an apparatus capable of continuously performing a plasma gas phase reaction according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram for explaining an electric field generated by a plurality of paired electrodes according to an embodiment of the present invention. Specific Example 1 In FIG. 2, a plasma vapor phase reaction apparatus includes a first preliminary chamber (1) for loading a substrate (5) from one side, and a reaction chamber (2) for performing a plasma vapor phase reaction process. , A second preliminary chamber (3) for taking out the substrate (5) for which the plasma vapor phase reaction process has been completed. The first auxiliary chamber (1) and the reaction chamber (2) are connected to each other, the reaction chamber (2) and the second chamber
The gate valve (43), which is connected to the spare chamber (3) of
(44) is provided. Gate valve (43), (4
4) is a substrate (4), (5), and a holder (6),
(7) is open for movement from the first reserve chamber (1) into the reaction chamber (2) and from the reaction chamber (2) to the second reserve chamber (3).
【００１９】また、ゲート弁（４３）、（４４）は、プ
ラズマ気相反応中、第１の予備室（１）において、基板
（４）、ホルダ（６）を扉（１１）から装着する時、ま
たは第２の予備室（３）において、基板（５）、ホルダ
（６）を扉（１２）から取り出す時、閉状態とする。第
１の予備室（１）への基板（４）の装着、第２の予備室
（３）から基板（４）の取り出しの際には、第１の予備
室（１）および第２の予備室（３）に導入口（２０）、
（３２）より大気圧にするための窒素が供給される。第
１の予備室（１）は、外部より基板（４）、ホルダ
（６）を装着するガイド（９）と、大気と第１の予備室
（１）との間で開閉できる扉（１１）と、基板（４）上
の吸着物を加熱真空脱気させるため、赤外線ランプ（１
５）、（１５′）と、第１の予備室（１）を排気する真
空排気手段（２９）とから構成される。Further, the gate valves (43) and (44) are used when the substrate (4) and the holder (6) are mounted from the door (11) in the first preliminary chamber (1) during the plasma vapor phase reaction. Alternatively, in the second auxiliary chamber (3), the substrate (5) and the holder (6) are closed when taken out from the door (12). When mounting the substrate (4) in the first preliminary chamber (1) and removing the substrate (4) from the second preliminary chamber (3), the first preliminary chamber (1) and the second preliminary chamber (1) Inlet (20) in room (3),
(32) Nitrogen for supplying atmospheric pressure is supplied. The first preliminary chamber (1) is a door (11) that can be opened / closed between the guide (9) for mounting the substrate (4) and the holder (6) from the outside and the atmosphere and the first preliminary chamber (1). In order to heat and degas the adsorbate on the substrate (4), an infrared lamp (1
5) and (15 ') and a vacuum evacuation means (29) for evacuating the first preliminary chamber (1).
【００２０】ゲ−ト弁（４３）は、開けられた後、予め
真空引きされている反応室（２）内に、第１の予備室
（１）から基板（５）、ホルダ（６）を移動させる。こ
の移動は、第１の予備室（１）に設けられたステップモ
−タ（８）によって行なわれる。まず、ガイド（９）を
含むホルダ（６）は、約１．５ｃｍ上方に持ち上げら
れ、この後、反応室（２）内にガイド（９）を伸ばすこ
とよって移動させられる。さらに、ホルダ（６）は、反
応室（２）の中央部に至った後、ガイド（９）を止め、
約１．５ｃｍ下方向にガイド（９）を下げることにより
下ろされる。すると、その中間の高さの位置にホルダ
（７）の上部の円板状ディスクを受けるフィンシャフト
（３９）が設けられており、ここにホルダ（７）が保持
され、筒状空間（１００）が形成される。After the gate valve (43) is opened, the substrate (5) and the holder (6) from the first preliminary chamber (1) are placed in the reaction chamber (2) which is evacuated in advance. To move. This movement is performed by the step motor (8) provided in the first auxiliary chamber (1). First, the holder (6) containing the guide (9) is lifted up about 1.5 cm and then moved by extending the guide (9) into the reaction chamber (2). Further, the holder (6) stops the guide (9) after reaching the center of the reaction chamber (2),
It is lowered by lowering the guide (9) about 1.5 cm downwards. Then, a fin shaft (39) for receiving the disk-shaped disc on the upper part of the holder (7) is provided at the position of the intermediate height, and the holder (7) is held therein, and the cylindrical space (100) is held. Is formed.
【００２１】この後、ガイド（９）は、このディスクの
下側を通り、元の第１の予備室（１）に縮んで収納され
る。さらに、ゲ−ト弁（４３）が閉じられる。この後、
第１の予備室（１）は、窒素を導入口（２０）から供給
することにより大気圧となる。 この間に、基板（４）
は、ガイド（９）に取り付けられているホルダ（６）に
装着させる。この操作は、順次繰り返される。Thereafter, the guide (9) passes under the disc and is retracted and stored in the original first preliminary chamber (1). Further, the gate valve (43) is closed. After this,
The first preliminary chamber (1) is brought to atmospheric pressure by supplying nitrogen from the inlet (20). During this time, the substrate (4)
Is attached to the holder (6) attached to the guide (9). This operation is sequentially repeated.
【００２２】次に、反応室（２）内における機構につい
て説明する。反応室（２）は、反応性気体を供給する系
（９７）と、真空排気する系（９８）と、後述する電極
（２３）、（２５）に高周波電力を供給する第１の発振
器（２１）と、同じく第２の発振器（８５）とが具備さ
れている。反応性気体を供給する系（９７）は、ド−ピ
ング系としてバルブ（５１）と、流量計（５２）と、キ
ャリアガスを導入する導入口（３３）、同じく反応性気
体を導入する導入口（３４）、（３５）、（３７）とを
介しての図示されていないボンベに接続されている。導
入口（３４、３５、３７）には、珪化物気体、ゲルマニ
ュ−ム化物気体のごとき室温で気体のもの、また、これ
にＰ型またはＮ型用のド−ピング用気体（たとえば、ジ
ボラン、フォスヒン）等のボンベが接続されている。ま
た、塩化スズ、塩化アルミニュ−ム、塩化アンチモン等
の室温において液体のものは、バブラから（３６）を介
して供給される。これらの気体は、減圧下にて気体とな
るため、流量計（５２）により十分制御が可能である。
また、蒸着にはこのバブラ（３６）の電子恒温漕による
温度制御を行った。Next, the mechanism in the reaction chamber (2) will be described. The reaction chamber (2) includes a system (97) for supplying a reactive gas, a system (98) for evacuation, and a first oscillator (21) for supplying high frequency power to electrodes (23) and (25) described later. ) And also a second oscillator (85). The reactive gas supply system (97) is a valve (51) as a doping system, a flow meter (52), an inlet port (33) for introducing a carrier gas, and an inlet port for similarly introducing a reactive gas. It is connected to a cylinder (not shown) via (34), (35) and (37). At the inlet (34, 35, 37), a gas such as a silicide gas or a germanium gas at room temperature, and a doping gas for P-type or N-type (for example, diborane, A cylinder such as Foshin) is connected. Further, a liquid such as tin chloride, aluminum chloride, antimony chloride at room temperature is supplied from a bubbler through (36). Since these gases become gases under reduced pressure, they can be sufficiently controlled by the flow meter (52).
Further, in vapor deposition, temperature control was performed by an electronic thermostat of the bubbler (36).
【００２３】これらの反応性気体（３４、３５、３７）
は、供給口（２７）から供給手段（４６）のノズル（２
４）を介して下方向に噴射される。このノズル（２４）
の吹き出し口は、１ｍｍないし２ｍｍの穴（４２）が多
数あけられ、全体に均ーに吹き出すように形成されてい
る。このノズル（２４）は、背面が絶縁物よりなり、寄
生放電が反応室（２）の内壁に発生することを防いでい
る。さらに、ノズル（２４）の穴（４２）の間にはプラ
ズマ放電用の負電極（２３）が設けられている。負電極
（２３）は、リ−ド（４９）を経て電気エネルギー供給
用の第１の発振器（２１）（１０ＫＨｚないし５０ＭＨ
ｚ、たとえば１３．５６ＭＨｚまたは３０ＫＨｚ、１０
Ｗないし１ＫＷ）の一方の端子に至っている。他方の正
の端子（２２）は、排気手段（４７）のノズル（２４）
上に設けられて網目状または多孔状の正電極（２５）に
接続されている。また、第２の発振器（８５）（１０Ｋ
Ｈｚないし５０ＭＨｚ、たとえば１３．５６ＭＨｚまた
は３０ＫＨｚ １０Ｗないし１ＫＷ）は、図面において
前後方向に第２の電界が発生するように設けられてい
る。These reactive gases (34, 35, 37)
From the supply port (27) to the nozzle (2) of the supply means (46).
It is injected downward via 4). This nozzle (24)
A large number of 1 mm to 2 mm holes (42) are formed in the blow-out port of No. 2 and are formed so as to blow out uniformly over the whole. The back surface of the nozzle (24) is made of an insulating material and prevents parasitic discharge from occurring on the inner wall of the reaction chamber (2). Further, a negative electrode (23) for plasma discharge is provided between the holes (42) of the nozzle (24). The negative electrode (23) is connected to the first oscillator (21) (10 KHz to 50 MH) for supplying electric energy via the lead (49).
z, eg 13.56 MHz or 30 KHz, 10
W to 1 kW). The other positive terminal (22) is connected to the nozzle (24) of the exhaust means (47).
It is provided on the upper side and is connected to the positive electrode (25) having a mesh shape or a porous shape. The second oscillator (85) (10K
Hz to 50 MHz, such as 13.56 MHz or 30 KHz 10 W to 1 KW), are provided so that a second electric field is generated in the front-back direction in the drawing.
【００２４】また、第１の発振器（２１）と第２の発振
器（８５）から発生する周波数を同一または周波数を異
ならせると、電界は、リサ−ジュパタ−ンとなり、一方
行にのみ加えた電界パターンと比較して、基板表面の周
辺部まで均一な被膜を作ることができるようになった。
さらに、一対の電極（２３）、（２５）と、筒状空間
（１００）との間には、網状（穴の直径は１ｃｍないし
３ｃｍ）、または多孔状（穴の直径は１ｃｍないし３ｃ
ｍ）の導体をステンレスで設け、このフローティンググ
リッド（４０）、（４１）により、放電で発生した暗部
が陽光柱内に配設された筒状空間（１００）の基板
（５）の表面をスパッタしないようにしている。このフ
ロ−ティンググリッド（４０）、（４１）により、反応
室（２）の圧力が０．０１ｔｏｒｒないし５ｔｏｒｒの
範囲で変わっても、その低い圧力（たとえば、０．０５
ｔｏｒｒ）のため、暗部が筒状空間（１００）まで延長
し、基板（５）の被膜形成面をスパッタすることはな
い。 そして、良好な膜質の被膜を作ることができるよ
うになった。When the frequencies generated from the first oscillator (21) and the second oscillator (85) are made the same or different, the electric field becomes a Lissajous pattern and the electric field applied to only one row. Compared with the pattern, it became possible to form a uniform film even on the periphery of the substrate surface.
Furthermore, between the pair of electrodes (23) and (25) and the cylindrical space (100), a net-like shape (hole diameter is 1 cm to 3 cm) or a porous shape (hole diameter is 1 cm to 3 c).
m) is made of stainless steel, and the floating grids (40) and (41) sputter the surface of the substrate (5) in the cylindrical space (100) in which the dark part generated by the discharge is arranged in the positive column. I try not to. Due to the floating grids (40) and (41), even if the pressure in the reaction chamber (2) changes in the range of 0.01 torr to 5 torr, the low pressure (for example, 0.05 torr).
Due to the torque (torr), the dark portion extends to the cylindrical space (100) and the film forming surface of the substrate (5) is not sputtered. Then, it became possible to form a film having a good film quality.
【００２５】排気手段（４７）は、反応性気体を供給す
るノズル（２４）と概略同一形状を有し、ともに透明石
英（絶縁膜）により作られており、全体の穴により均一
に筒状空間（１００）からの反応生成物、キャリアガ
ス、不用ガスを層流にして排気口（２８）より真空ポン
プ（３０）に排気させている。被膜形成の際に、フィン
シァフト（３９）は、外部のステップモ−タ（１９）と
真空遮断されて回転している。そのため、このフィンシ
ャフト（３９）によって保持されている基板（５）およ
びホルダ（７）は、３回転／分ないし１０回転／分で回
転し、基板（５）上に形成される被膜を均一にさせてい
る。さらに、かくのごとき装置において、所定のプラズ
マ気相反応による被膜形成を行った後、真空排気されて
いる第２の予備室（３）に基板（５）およびホルダ
（７）を移動させた。The exhaust means (47) has substantially the same shape as the nozzle (24) for supplying the reactive gas, and both are made of transparent quartz (insulating film). A reaction product from (100), a carrier gas, and an unnecessary gas are made into a laminar flow and exhausted to a vacuum pump (30) through an exhaust port (28). During film formation, the fin shaft (39) is rotated in vacuum with the external step motor (19). Therefore, the substrate (5) and the holder (7) held by the fin shaft (39) rotate at 3 to 10 rotations / minute to evenly coat the film formed on the substrate (5). I am letting you. Further, in such an apparatus, after forming a film by a predetermined plasma vapor phase reaction, the substrate (5) and the holder (7) were moved to the second preliminary chamber (3) which was evacuated.
【００２６】すなわち、基板（５）およびホルダ（７）
は、反応室（２）、第２の予備室（３）内における気体
を真空引きした後、ゲ−ト弁（４４）を開けて移動させ
る。基板（５）およびホルダ（７）の移動は、ガイド
（１０）が右方向より延ばされ、反応室（２）に至り、
約１ｃｍ上にホルダ（７）を持ち上げた後、ガイド（１
０）を再び縮めて第２の予備室（３）に持ち出す。この
後、第２の予備室（３）は、ゲ−ト弁（４４）が閉めら
れ、窒素を導入口（３２）より供給して大気圧とした。
かくして、図２に示されたごとき反応室（２）と、第１
の予備室（１）、第２の予備室（３）との間において、
プラズマ気相反応は、連続的に処理される。もちろん、
被膜形成された基板（５）およびホルダ（７）は、プラ
ズマ気相反応の処理後、第１の予備室（１）に引出する
ような構成とすることで、第２の予備室（３）を省略し
てもよいことはいうまでもない。That is, the substrate (5) and the holder (7)
After evacuating the gas in the reaction chamber (2) and the second preliminary chamber (3), the gate valve (44) is opened and moved. For the movement of the substrate (5) and the holder (7), the guide (10) is extended from the right direction to reach the reaction chamber (2),
After lifting the holder (7) about 1 cm above the guide (1
0) is shortened again and taken out to the second preliminary chamber (3). After that, in the second auxiliary chamber (3), the gate valve (44) was closed, and nitrogen was supplied from the inlet (32) to the atmospheric pressure.
Thus, the reaction chamber (2) as shown in FIG.
Between the spare chamber (1) and the second spare chamber (3) of
Plasma gas phase reactions are processed continuously. of course,
The substrate (5) and the holder (7) on which the film is formed are configured so as to be drawn out to the first preliminary chamber (1) after the plasma gas phase reaction treatment, so that the second preliminary chamber (3) is formed. Needless to say, may be omitted.
【００２７】図３は本発明の一実施例で、図２の反応室
の第２の予備室側から見た縦断面図を示す。図３には、
基板（５）の被膜面と、第１の電界（９０）および第２
の電界（９１）の方向とが明らかに示されている。図３
において、ヒータ（１８）、（１８′）には、ハロゲン
ランプ発熱体が用いられている。筒状空間（１００）
は、ヒータ（１８）、（１８′）により１００℃ないし
６５０℃、たとえば２５０℃に加熱された。反応性気体
は、たとえばシランを分解した。さらに、基板（５）に
は、その被膜形成面に概略平行に第１の電界（９０）が
対をなす一組の電極（２３）、（２５）により供給さ
れ、同時に、第１の電界（９０）に対して直交する第２
の電界（９１）が対をなす一組の電極（７２）、（８
２）により供給され、プラズマ気相反応を行った。それ
ぞれの電極（２３）、（２５）、（７２）、（８２）
は、第１の発振器（２１）および第２の発振器（８５）
に連結されている。FIG. 3 shows an embodiment of the present invention and is a vertical cross-sectional view of the reaction chamber of FIG. 2 viewed from the side of the second preliminary chamber. In Figure 3,
The coated surface of the substrate (5) and the first electric field (90) and the second
The direction of the electric field (91) is clearly shown. Figure 3
In the above, a halogen lamp heating element is used for the heaters (18) and (18 '). Cylindrical space (100)
Was heated by heaters (18), (18 ') to 100 ° C to 650 ° C, for example 250 ° C. The reactive gas decomposed, for example, silane. Further, the first electric field (90) is supplied to the substrate (5) by a pair of electrodes (23) and (25) paired substantially parallel to the film forming surface thereof, and at the same time, the first electric field (90) is supplied. 90) second orthogonal to
Pair of electrodes (72), (8)
2) and the plasma gas phase reaction was performed. Each electrode (23), (25), (72), (82)
Is a first oscillator (21) and a second oscillator (85)
Are linked to.
【００２８】筒状空間（１００）では、反応性気体が導
入口（３３）、（３４）、（３８）から供給手段（４
６）を介して基板（５）に対して平行に供給されると共
に、排気手段（４７）により真空排気系（９８）の真空
ポンプ（３０）で排気される。基板（５）に形成する被
膜としてシランによりアモルファス珪素を作製する場
合、５０００Åの厚さにSiH ３００cc／分、被膜形成速
度２０Å／秒、基板（２０ｃｍ×６０ｃｍを２０枚、延
べ面積２４０００ｃｍ2）で圧力０．０８ｔｏｒｒとし
た。本具体例のプラズマ気相反応によると、従来方法で
は、基板（５）の中央部が５０００Åとばらつき、縦方
向の周辺部が３０００Å（ばらつき±２０％）であった
のに対して、基板（５）のどの部分においても、４５０
０Å（±５％）ときわめて均一性を向上させることがで
きた。In the cylindrical space (100), the reactive gas is supplied from the inlets (33), (34) and (38) to the supply means (4).
It is supplied in parallel to the substrate (5) via 6) and is exhausted by the vacuum pump (30) of the vacuum exhaust system (98) by the exhaust means (47). When making amorphous silicon by silane as a film to be formed on the substrate (5), the thickness of 5000 Å is 300 cc / min of SiH, the film forming speed is 20 Å / sec, the substrate (20 cm x 60 cm, 20 sheets, total area 24000 cm 2 ) The pressure was 0.08 torr. According to the plasma vapor phase reaction of this specific example, in the conventional method, the central portion of the substrate (5) was varied by 5000 Å and the peripheral portion in the vertical direction was 3000 Å (variation ± 20%), whereas the substrate ( 450 in any part of 5)
The uniformity could be improved to 0Å (± 5%).
【００２９】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、
（Ｅ）は図３で非単結晶珪素を０．５μｍの膜厚に形成
した場合の分布を説明するための図である。筒状空間
（１００）には、基板（５）、第１電極（２３）、（２
５）、第２電極（７２）、（８２）が図４に示すように
配置され、筒状空間（１００）の（Ａ）−（Ａ′）、
（Ｂ）−（Ｂ′）、（Ｃ）−（Ｃ′）、（Ｄ）−
（Ｄ′）における断面での被膜の厚さ分布を図４
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示す。このすべての
被膜断面図は、図１のそれと比べてきわめて均一性を有
し、実用上十分±１０％以内のばらつきになっているこ
とが判明した。また、珪素または炭素の不対結合手を水
素によりSiーH 、Ｃ−Ｈにて中和するのではなく、Siー
Ｆ、C ーＦとハロゲン化物、特に弗化物気体を用いて実
施してもよいことはいうまでもなく、この濃度は４０原
子％以下、たとえば２原子％ないし５原子％が好ましか
った。形成させる半導体の種類に関しては、前記したご
とく、単層ではなく４族のSi、Ge、SixC1-x （０＜ｘ＜
１）、Six Ge1-x （０＜ｘ＜１）、SixSn1-x（０＜ｘ＜
１）、またはこれらの導電型を変更して接合を設けた複
数層であっても、また、これら以外に、GaAs、GaAlAs、
BP 、等の他の半導体であってもよいことはいうまでも
ない。4 (A), (B), (C), (D),
3E is a diagram for explaining the distribution when non-single-crystal silicon is formed to a thickness of 0.5 μm in FIG. In the cylindrical space (100), the substrate (5), the first electrodes (23), (2
5), the second electrodes (72) and (82) are arranged as shown in FIG. 4, and (A)-(A ′) of the cylindrical space (100),
(B)-(B '), (C)-(C'), (D)-
FIG. 4 shows the thickness distribution of the coating in the cross section in (D ′).
Shown in (B), (C), (D), and (E). It was found that the cross-sectional views of all the coatings were extremely uniform as compared with those in FIG. 1 and had variations within ± 10% in practical use. In addition, the unbonded hands of silicon or carbon are not neutralized by hydrogen with Si-H and C-H, but by using Si-F, C-F and a halide, especially fluoride gas. Needless to say, this concentration is preferably 40 atomic% or less, for example, 2 atomic% to 5 atomic%. Regarding the type of semiconductor to be formed, as described above, it is not a single layer but a group 4 Si, Ge, SixC 1-x (0 <x <
1), Six Ge 1-x (0 <x <1), SixSn 1-x (0 <x <
1), or even a plurality of layers in which junctions are provided by changing their conductivity types, in addition to these, GaAs, GaAlAs,
It goes without saying that it may be another semiconductor such as BP.
【００３０】具体例２ この具体例は、具体例１のプラズマ気相反応装置を用
い、反応性気体として導入口（３４）よりシランを供給
して珪素半導体膜を作製したものである。珪素半導体膜
を作製する際の基板（５）の温度は、２５０℃とした。
珪素半導体の被膜は、成長速度を８Å／秒、高周波（１
３．５６ＭＨｚを使用）電界を５００Ｗ、シランを３０
０ｃｃ／分、プラズマ気相反応中の圧力を０．１ｔｏｒ
ｒとした時に得ることができた。結果として、従来のプ
ラズマ気相反応装置は、一対からなる平行平板型の電極
によって電界を印加し、被膜形成速度を１Å／秒ないし
３Å／秒として、反応容器に、たとえば６０ｃｍ×６０
ｃｍ１枚に膜を形成したのに対し、本具体例のプラズマ
気相反応装置は、同一反応容器において、２０ｃｍ×６
０ｃｍを20枚と８倍の延べ面積と、さらに被膜を１０Å
ないし２５Å／秒で形成され、６倍の成長速度とを得る
ことができた。そのため、生産性は、合計４８倍となっ
た。Concrete Example 2 In this concrete example, a silicon semiconductor film is produced by using the plasma vapor phase reaction apparatus of the concrete example 1 and supplying silane as a reactive gas from the inlet (34). The temperature of the substrate (5) when manufacturing the silicon semiconductor film was 250 ° C.
The silicon semiconductor film has a growth rate of 8Å / sec and high frequency (1
3.56MHz used) Electric field 500W, Silane 30
0 cc / min, pressure during plasma gas phase reaction 0.1 torr
It could be obtained when r. As a result, in the conventional plasma vapor phase reaction apparatus, an electric field is applied by a pair of parallel plate type electrodes, and the film formation rate is set to 1 Å / sec to 3 Å / sec.
While the film was formed on 1 cm, the plasma vapor phase reaction apparatus of the present specific example was 20 cm × 6 in the same reaction container.
20 sheets of 0 cm, 8 times the total area, and 10 Å coating
Was formed at a rate of 25 Å / sec, and a growth rate of 6 times could be obtained. Therefore, the total productivity increased 48 times.
【００３１】さらに、重要なことは、従来のプラズマ気
相反応装置を使用すると、１回ないし２回のプラズマ気
相反応作業により、反応容器の内壁に３μｍないし１０
μｍのシリコンのフレ−クが沈着した。しかし、本具体
例のプラズマ気相反応装置においては、０．５μｍの膜
厚の被膜生成を繰り返して行い、その回数が１００回に
なっても、反応容器の内壁にうっすらとフレ−クが観察
されるのみであった。かくして、形成された半導体層
は、プラズマ状態の距離が長いため、光伝導度も２×１
０-4ないし７×１０-3（オームｃｍ）-1、暗伝導度３×
１０-9ないし１×１０-11 （オームｃｍ）-1を有してい
た。Further, it is important to note that, when the conventional plasma vapor phase reaction apparatus is used, the inner wall of the reaction vessel is 3 μm to 10 μm by one or two plasma vapor phase reaction operations.
Flakes of silicon of μm were deposited. However, in the plasma vapor phase reaction apparatus of this example, a film having a film thickness of 0.5 μm was repeatedly formed, and even if the number of times reached 100, slight flakes were observed on the inner wall of the reaction vessel. It was only done. Thus, the semiconductor layer thus formed has a long distance in a plasma state, and therefore has a photoconductivity of 2 × 1.
0 -4 to 7 x 10 -3 (ohm cm) -1 , dark conductivity 3 x
It had a value of 10 −9 to 1 × 10 −11 (ohm cm) −1 .
【００３２】これは、プラズマの電界方向が被膜形成面
に対して垂直である従来の方法が、光伝導度として３×
１０-5ないし３×１０-4（オームｃｍ）-1、暗伝導度５
×１０-8ないし１×１０-9（オームｃｍ）-1であること
を考えると、半導体膜として光フォトセンシティビティ
（光伝導度／暗伝導度）が１０6 倍以上の特性の向上が
見られた。本発明の具体例は、不純物を積極的に添加し
ない場合であるが、Ｐ型またはＮ型用の不純物を添加し
ても同様の高い電気伝導度のＰ型またはＮ型の半導体膜
を作ることができる。またP 、I 、N 型半導体を積層し
てPI、NI、PIN 、PN接合を作ることも可能である。This is because the conventional method in which the electric field direction of plasma is perpendicular to the film forming surface has a photoconductivity of 3 ×.
10 -5 to 3 × 10 -4 (ohm cm) -1 , dark conductivity 5
Considering that it is × 10 -8 to 1 × 10 -9 (ohm cm) -1 , it can be seen that the characteristics of the semiconductor film having an optical photosensitivity (photoconductivity / dark conductivity) of 10 6 times or more are improved. Was given. A specific example of the present invention is a case where impurities are not positively added, but even if impurities for P-type or N-type are added, a similar P-type or N-type semiconductor film having high electrical conductivity is produced. You can It is also possible to stack PI, I, N-type semiconductors to form PI, NI, PIN, PN junctions.
【００３３】具体例３ この具体例は、具体例１のプラズマ気相反応装置を用い
て導電性金属を作製せんとするものである。以下におい
て、金属アルミニュ−ムをプラズマ気相反応方法で形成
する場合を示す。図２において、バブラ（３６）には、
塩化アルミニュ−ムが充填された。塩化アルミニュ−
は、電子恒温漕によって４０℃ないし６０℃に加熱され
た。さらに、キャリアガスは、導入口（３３）から不活
性気体のヘリュ−ムが１００cc／分の流量で反応室
（２）に導入された。すなわち、反応室（２）には、ヘ
リュ−ムと塩化アルミニュ−ムとが混入したガスが導入
された。Concrete Example 3 In this concrete example, a conductive metal is produced using the plasma vapor phase reaction apparatus of the concrete example 1. In the following, the case where the metal aluminum is formed by the plasma vapor phase reaction method is shown. In FIG. 2, the bubbler (36) includes
Filled with aluminum chloride. Aluminum chloride
Was heated to 40 ° C to 60 ° C in an electronic thermostat. Further, as the carrier gas, an inert gas helium was introduced into the reaction chamber (2) from the inlet (33) at a flow rate of 100 cc / min. That is, a gas in which helium and aluminum chloride were mixed was introduced into the reaction chamber (2).
【００３４】さらに、水素は、導入口（３３）より６０
ｃｃ／分ないし１００ｃｃ／分の流量で導入された。
基板温度は、２００℃ないし５５０℃、たとえば３００
℃に選ばれた。高周波電界は、ともに３０ＫＨｚ の周
波数を第１の電極（２３）、（２５）、および第２の電
極（７２）、（８２）に１００Ｗないし３００Ｗ、たと
えば２００Ｗで供給された。かくして、２０ｃｍ×６０
ｃｍの大きさの基板（５）は、ホルダ（６）に２０枚装
着され、５Å／秒の成長速度で０．５μｍないし１μｍ
の厚さの被膜が形成された。そして、その被膜の厚さ
は、均一性も±５％以下に形成させることができた。Further, hydrogen is introduced through the inlet (33) to 60
It was introduced at a flow rate of cc / min to 100 cc / min.
The substrate temperature is 200 ° C. to 550 ° C., eg 300
Selected as ° C. The high frequency electric field was applied to the first electrodes (23) and (25) and the second electrodes (72) and (82) at a frequency of 30 KHz at 100 W to 300 W, for example, 200 W. Thus, 20 cm x 60
20 substrates (5) each having a size of cm are attached to the holder (6) and 0.5 μm to 1 μm at a growth rate of 5 Å / sec.
A film having a thickness of 100 nm was formed. And, the thickness of the coating film could be formed to have uniformity of ± 5% or less.
【００３５】さらに、出発材料としてトリエチルアルミ
ニュ−ム（TEA ）は、図２に示すバブラ（３６）に充填
された。この場合、さらに、キャリアガスは、導入口
（３３）から導入する必要がなかった。バブラ（３６）
の温度は、６０℃とすることにより、流量計の流量を６
０ｃｃ／分とした。さらに、水素は、導入口（３３）よ
り５００ｃｃ／分の流量で導入され、プラズマ気相反応
を行った。反応圧力を０．１ｔｏｒｒないし０．３ｔｏ
ｒｒ、高周波電源の周波数を１００ＫＨｚ、出力を１Ｋ
Ｗとすることにより、５インチ・シリコンウエハを５枚
ずつ、合計１００枚装着させた。するとこれらの基板
（５）上には、７Å／分の成長速度にて金属アルミニュ
−ムが形成された。Further, triethylaluminum (TEA) as a starting material was filled in the bubbler (36) shown in FIG. In this case, furthermore, it was not necessary to introduce the carrier gas from the introduction port (33). Bubbler (36)
By setting the temperature of 60 ° C, the flow rate of the flowmeter will be 6
It was set to 0 cc / min. Further, hydrogen was introduced from the inlet (33) at a flow rate of 500 cc / min to cause plasma gas phase reaction. Reaction pressure is 0.1 torr to 0.3 to
rr, high-frequency power supply frequency is 100 KHz, output is 1 K
By setting W, five 5-inch silicon wafers were mounted at a time, five wafers each, for a total of 100 wafers. Then, metal aluminum was formed on these substrates (5) at a growth rate of 7Å / min.
【００３６】この時、導体が筒状空間（１００）の内壁
に形成されても、放電が不安定になることもなく、厚さ
１μｍないし２μｍの金属アルミニュ−ムを蒸着するこ
とができた。この時、反応室（２）には、外部の導入口
（３８）より水素が７００ｃｃ／分の流量で導入され
た。かくすることにより、反応室（２）の内壁に付着す
るフレ−クの程度は、さらに少なくすることができた。
そのため、プラズマ気相反応装置により30回の被膜形成
で、１μｍないし２μｍの厚さにしても、反応室（２）
の内壁、およびのぞき窓には、特に曇が見られなかっ
た。特に、本具体例には、プラズマ放電用の二つの電極
間をリ−ク電流により互いに連結されてしまうことがな
いため、すなわちノズル（２４）とホルダ（６）とは、
電気的に離間し、さらに、このホルダ（６）と下側ノズ
ル（２４）とは、同様に離間している。さらに、その周
囲も反応室（２）の内壁に付着が少ないため、このいず
れの電路においてもリ−ク電流の発生による放電が不安
定になることがなかった。本具体例においては、アルミ
ニュ−ムであったが、たとえばカルボニル化合物の鉄、
ニッケル、コバルトのカルボニル化合物を用いて、金属
鉄ニッケル、またコバルトを被膜状に作製することも可
能である。At this time, even if the conductor was formed on the inner wall of the cylindrical space (100), the discharge was not unstable, and the metal aluminum having a thickness of 1 μm to 2 μm could be deposited. At this time, hydrogen was introduced into the reaction chamber (2) from the external inlet (38) at a flow rate of 700 cc / min. By doing so, the degree of flakes adhering to the inner wall of the reaction chamber (2) could be further reduced.
Therefore, even if the film is formed 30 times by the plasma vapor phase reaction apparatus and the thickness is 1 μm to 2 μm, the reaction chamber (2)
No fog was observed on the inner wall and the peephole. Particularly, in this example, since the two electrodes for plasma discharge are not connected to each other by the leak current, that is, the nozzle (24) and the holder (6) are
The holder (6) and the lower nozzle (24) are electrically separated from each other, and are similarly separated from each other. Furthermore, since the surrounding area is less attached to the inner wall of the reaction chamber (2), the discharge is not unstable due to the generation of the leak current in any of these electric paths. In this specific example, although it was an aluminum, for example, a carbonyl compound iron,
It is also possible to prepare metallic iron nickel or cobalt in a film form by using a carbonyl compound of nickel or cobalt.
【００３７】具体例４ この具体例は、具体例１のプラズマ気相反応装置を用い
て窒化珪素被膜を作製した。すなわち、図１の場合にお
いて、シランを導入口（３４）より２００ｃｃ／分、ア
ンモニアを導入口（３５）より８００ｃｃ／分導入し
た。基板（５）の温度300 ℃、筒状空間（１００）の圧
力０．１ｔｏｒｒ とし、１ｃｍ×６０ｃｍの基板20枚
または５インチウエハ１００枚上には、１０００Åない
し５０００Åの厚さに被膜が形成された。被膜の均一性
において、ロット内、ロット間において±５％以内を得
ることができた。SPECIFIC EXAMPLE 4 In this specific example, a silicon nitride film was produced using the plasma vapor phase reactor of Specific Example 1. That is, in the case of FIG. 1, silane was introduced through the inlet (34) at 200 cc / min, and ammonia was introduced through the inlet (35) at 800 cc / min. The substrate (5) temperature is 300 ° C., the pressure in the cylindrical space (100) is 0.1 torr, and the film is formed in a thickness of 1000Å to 5000Å on 20 1 cm × 60 cm substrates or 100 5-inch wafers. It was The coating uniformity could be within ± 5% within and between lots.
【００３８】具体例５ この具体例は、酸化珪素を形成させたものである。すな
わち、シラン（SiH ）を２００ｃｃ／分として導入口
（３４）より、また、過酸化窒素（ＮＯ）を導入口（３
５）より２００ｃｃ／分導入し、同時に導入口（３３）
より窒素を２００ｃｃ／分導入した。高周波電力は、周
波数を３０ＫＨｚ、出力を５００Ｗとした。第１、第２
電界の周波数を同じとし、移相を９０度ずらしてリサ−
ジュ波形とした。基板温度は、１００℃ないし４００℃
において可能であるが、２５０℃で形成させたとする
と、被膜の均一性が０．５μｍ形成した場合±３％と±
５％以内に納めることができた。SPECIFIC EXAMPLE 5 In this specific example, silicon oxide is formed. That is, silane (SiH) was introduced at 200 cc / min from the inlet (34) and nitrogen peroxide (NO) was introduced at the inlet (3).
5) 200 cc / min introduction, at the same time introduction port (33)
More nitrogen was introduced at 200 cc / min. The high frequency power had a frequency of 30 KHz and an output of 500 W. First, second
The frequency of the electric field is the same, the phase shift is 90 degrees, and the
It was a waveform. Substrate temperature is 100 ° C to 400 ° C
However, if it is formed at 250 ° C., the uniformity of the film is ± 3% and ± 3% when the film is formed with a thickness of 0.5 μm.
I was able to pay within 5%.
【００３９】具体例６ この具体例においては、化合物導体、たとえば珪化タン
グステン、珪化モリブデンまたは金属タングステン、ま
たはモリブデンを作製した。すなわち具体例１におい
て、バブラ（３６）から塩化モリブデンまたは弗化タン
グステンを導入し、さらにシランを（３５）より供給
し、タングステンまたはモリブデンと珪素とを所定の
比、たとえば、１：２にしてプラズマ気相反応を行っ
た。その結果、２５０℃、３００Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
において、０．４μｍの厚さに４Å／秒ないし６Å／秒
の成長速度を得ることができた。この化合物金属と耐熱
金属とを反応性気体の量を調節することにより、層状に
多層構造で作ることができる。Example 6 In this example, compound conductors such as tungsten silicide, molybdenum silicide or metallic tungsten, or molybdenum were prepared. That is, in Example 1, molybdenum chloride or tungsten fluoride was introduced from the bubbler (36), silane was supplied from (35), and the ratio of tungsten or molybdenum to silicon was set to a predetermined ratio, for example, 1: 2. A gas phase reaction was performed. As a result, 250 ° C, 300W, 13.56MHz
In, the growth rate of 4Å / sec to 6Å / sec could be obtained in the thickness of 0.4 μm. The compound metal and the refractory metal can be formed in layers to have a multi-layer structure by adjusting the amounts of the reactive gases.
【００４０】以上の説明より明らかなごとく、本発明の
プラズマ気相反応装置は、半導体、導体または絶縁体の
いずれに対しても形成させることができる。特に、構造
敏感な半導体または導体中に不純物を添加し、Ｐ型また
はＮ型の不純物を添加した半導体層を複数積層させるこ
とができた。なお、本具体例におけるフロ−ティンググ
リッドは、第１電極側に設けたが、第２電極側または双
方に設けることにより膜質の向上を図ることができる。
また、本具体例においては、プラズマ気相反応のみを示
した。しかし、この電気エネルギーに加えて紫外光また
赤外光の光エネルギーを同時に加え、光プラズマ気相反
応法としてもよい。As is clear from the above description, the plasma vapor phase reaction device of the present invention can be formed on any of a semiconductor, a conductor and an insulator. In particular, it was possible to stack a plurality of semiconductor layers in which impurities are added to a structure-sensitive semiconductor or conductor and P-type or N-type impurities are added. Although the floating grid in this example is provided on the first electrode side, it may be provided on the second electrode side or on both sides to improve the film quality.
Further, in this example, only the plasma gas phase reaction was shown. However, in addition to this electric energy, light energy of ultraviolet light or infrared light may be added at the same time to perform a photoplasma gas phase reaction method.
【００４１】[0041]
【発明の効果】本発明によれば、反応空間内に設けられ
た基板の被膜形成面に対して平行な対をなす複数組の電
極によって電界を印加するため、被膜形成が均一化でき
ると共に、基板の被膜形成面に対するスパッタの程度を
小さくできるため、膜質が向上する。また、基板の被膜
形成面に対して平行な対をなす複数組の電極には、同一
あるいは異なる周波数が印加されることによって、電界
をリサージュ波形として描かせるため、被膜形成面にか
かる電界を均一にでき、均一な膜厚の被膜が形成され
る。According to the present invention, since an electric field is applied by a plurality of pairs of electrodes parallel to the film forming surface of the substrate provided in the reaction space, the film formation can be made uniform and Since the degree of sputtering on the surface of the substrate on which the coating film is formed can be reduced, the film quality is improved. Further, the same or different frequencies are applied to a plurality of pairs of electrodes parallel to the film forming surface of the substrate to draw the electric field as a Lissajous waveform, so that the electric field applied to the film forming surface is uniform. Therefore, a film having a uniform film thickness is formed.
【図１】（Ａ）ないし（Ｅ）は従来のプラズマ気相反応
方法で得られた基板上の膜厚の不均一性を説明するため
の図である。1A to 1E are views for explaining the nonuniformity of film thickness on a substrate obtained by a conventional plasma vapor phase reaction method.
【図２】本発明の一実施例で、連続してプラズマ気相反
応が可能な装置を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining an apparatus capable of continuously performing plasma gas phase reaction in one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例で、対をなす複数の電極によ
って発生する電界を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an electric field generated by a pair of electrodes according to an embodiment of the present invention.
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は図
３で非単結晶珪素を０．５μｍの膜厚に形成した場合の
分布を説明するための図である。4 (A), (B), (C), (D), and (E) are views for explaining the distribution when non-single-crystal silicon is formed to a film thickness of 0.5 μm in FIG. Is.
（１）・・・第１の予備室 （２）・・・反応室 （３）・・・第２の予備室 （４）、（５）・・・基板 （６）、（７）・・・ホルダ （８）、（１３）・・・ステップモ─タ （９）、 (10) ・・・ガイド (１１) 、（１２）・・・扉 （１５）、（１５′）・・・赤外線ランプ （２１）・・・第１の発振器 （２２）・・・正端子 （２３）・・・負電極 （２４）・・・ノズル （２５）・・・正電極 （２７）・・・供給口 （２８）・・・排気口 （２９）・・・真空排気手段 （３０）・・・真空ポンプ （４３）、（４４）・・・ゲ─ト弁 （８５）・・・第２の発振器 （９０）、（９１）・・・電界の方向を示す （９７）・・・反応性気体供給系 （９８）・・・真空排気系 （１００）・・・筒状空間 (1) ... First spare chamber (2) ... Reaction chamber (3) ... Second spare chamber (4), (5) ... Substrate (6), (7) ...・ Holders (8), (13) ... Step motors (9), (10) ... Guides (11), (12) ... Doors (15), (15 ') ... Infrared lamps (21) ... First oscillator (22) ... Positive terminal (23) ... Negative electrode (24) ... Nozzle (25) ... Positive electrode (27) ... Supply port ( 28) ... Exhaust port (29) ... Vacuum exhaust means (30) ... Vacuum pumps (43), (44) ... Gate valve (85) ... Second oscillator (90) ), (91) ... Indicates the direction of electric field (97) ... Reactive gas supply system (98) ... Vacuum exhaust system (100) ... Cylindrical space
Claims (4)
空間と、当該筒状空間に反応性気体を供給する系と、不
要反応生成物またはキャリアガスを真空排気する排気系
とを具備したプラズマ気相反応装置において、 前記筒状空間内に設けられた基板と、 当該筒状空間に配設された基板の表面に対して平行にな
るように発生する第１の電界と、当該第１の電界に直交
でかつ基板の表面に対して平行になるように発生する第
２の電界とを供給する手段と、 を具備して当該基板表面に被膜を形成することを特徴と
するプラズマ気相反応装置。1. A cylindrical space maintained under a reduced pressure of 1 atm or less, a system for supplying a reactive gas to the cylindrical space, and an exhaust system for evacuating unnecessary reaction products or carrier gas. In the plasma gas phase reaction device described above, the substrate provided in the cylindrical space, the first electric field generated so as to be parallel to the surface of the substrate arranged in the cylindrical space, and the first electric field Means for supplying a second electric field that is generated so as to be orthogonal to the electric field of 1 and parallel to the surface of the substrate, and to form a film on the surface of the substrate. Phase reactor.
行になるように第１の電界を発生する─対の第１の電極
と、 当該電界に直交でかつ前記基板に対して平行になるよう
に第２の電界を発生する─対の第２の電極と、 前記第１の電極と第２の電極における当該電極の裏面側
を覆う絶縁物フ−ドと、 を具備することを特徴とする請求項１記載のプラズマ気
相反応装置。2. A first electric field is generated so as to be parallel to a substrate arranged in a cylindrical space-a pair of first electrodes, which is orthogonal to the electric field and to the substrate. A second electric field is generated so as to be parallel to each other-a pair of second electrodes, and an insulator hood that covers the back surface side of the first electrode and the second electrode of the pair of electrodes. The plasma gas phase reaction apparatus according to claim 1, wherein
サ−ジュ波形を形成させた手段を具備することを特徴と
する請求項１または２記載のプラズマ気相反応装置。3. The plasma vapor phase reaction apparatus according to claim 1, further comprising means for forming a Lissajous waveform by an electric field parallel to the substrate surface.
ともに、前記基板表面に対して平行になるように発生す
る第１の電界と、当該第１の電界に直交し、かつ前記基
板の表面に対して平行になるように発生する第２の電界
とを供給する手段と、 前記筒状空間と前記第１または第２の電極間に配設され
た網または多孔状導体のグリッドを具備することを特徴
とする請求項１ないし３記載のプラズマ気相反応装置。4. The substrate is disposed in the cylindrical space, and a first electric field generated so as to be parallel to the surface of the substrate and orthogonal to the first electric field, and the substrate. Means for supplying a second electric field that is generated so as to be parallel to the surface of, and a mesh or grid of porous conductors disposed between the cylindrical space and the first or second electrode. The plasma vapor phase reaction apparatus according to claim 1, further comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019435A JP2648684B2 (en) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | Plasma gas phase reactor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794417A true JPH0794417A (en) | 1995-04-07 |
| JP2648684B2 JP2648684B2 (en) | 1997-09-03 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP5019435A Expired - Lifetime JP2648684B2 (en) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | Plasma gas phase reactor |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101288129B1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Vapor deposition apparatus, method for vapor deposition and method for manufacturing organic light emitting display apparatus |
| KR101288130B1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Vapor deposition apparatus, method for vapor deposition and method for manufacturing organic light emitting display apparatus |
| KR101328980B1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-11-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Vapor deposition apparatus, method for vapor deposition and method for manufacturing organic light emitting display apparatus |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3688203A (en) * | 1970-11-10 | 1972-08-29 | Kev Electronics Corp | Scanning system for ion implantation accelerators |
| US3816748A (en) * | 1972-04-28 | 1974-06-11 | Alpha Ind Inc | Ion accelerator employing crossed-field selector |
| JPS57111056A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Nec Home Electronics Ltd | Semiconductor device |
| JPS57111055A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5831532A (en) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | Plasma treatment apparatus |
| JPS58170934A (en) * | 1982-03-30 | 1983-10-07 | Nissan Motor Co Ltd | Vibration damper |
| JPS6244576A (en) * | 1984-09-14 | 1987-02-26 | Anelva Corp | Apparatus for treatment by electric discharge reaction with plural electrodes |
-
1993
- 1993-01-13 JP JP5019435A patent/JP2648684B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3688203A (en) * | 1970-11-10 | 1972-08-29 | Kev Electronics Corp | Scanning system for ion implantation accelerators |
| US3816748A (en) * | 1972-04-28 | 1974-06-11 | Alpha Ind Inc | Ion accelerator employing crossed-field selector |
| JPS57111056A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Nec Home Electronics Ltd | Semiconductor device |
| JPS57111055A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5831532A (en) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | Plasma treatment apparatus |
| JPS58170934A (en) * | 1982-03-30 | 1983-10-07 | Nissan Motor Co Ltd | Vibration damper |
| JPS6244576A (en) * | 1984-09-14 | 1987-02-26 | Anelva Corp | Apparatus for treatment by electric discharge reaction with plural electrodes |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101288129B1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Vapor deposition apparatus, method for vapor deposition and method for manufacturing organic light emitting display apparatus |
| KR101288130B1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Vapor deposition apparatus, method for vapor deposition and method for manufacturing organic light emitting display apparatus |
| KR101328980B1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-11-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Vapor deposition apparatus, method for vapor deposition and method for manufacturing organic light emitting display apparatus |
| US8828490B2 (en) | 2011-07-13 | 2014-09-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Vapor deposition method |
| US8883267B2 (en) | 2011-07-13 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus |
| US9012257B2 (en) | 2011-07-13 | 2015-04-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and method, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus |
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|---|---|
| JP2648684B2 (en) | 1997-09-03 |
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