JPH0792513A - 波長変換素子及びその使用方法 - Google Patents

波長変換素子及びその使用方法

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JPH0792513A
JPH0792513A JP5236274A JP23627493A JPH0792513A JP H0792513 A JPH0792513 A JP H0792513A JP 5236274 A JP5236274 A JP 5236274A JP 23627493 A JP23627493 A JP 23627493A JP H0792513 A JPH0792513 A JP H0792513A
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light
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wavelength conversion
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Keisuke Shinozaki
啓助 篠崎
Takeshi Kamijo
健 上條
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 入射光を1種類とできかつ該入射光を波長が
異なる複数の光に変換出来しかも入射光及び変換光の出
力方向を同じと出来る波長変換素子を提供する。 【構成】 位相整合を得るための構造51x,51yを
有しかつレーザ活性物質が添加された非線形光学結晶5
1から成ることを特徴とする波長変換素子。 【効果】 入射光をポンピング光として用い入射光と異
なる波長のレーザ光が得られる。このレーザ光は新たな
入射光とみなせる。入射光及びまたはレーザ光の高調波
及びまたは光混合による光を変換光として得られる。位
相整合構造を有しているので入射光及び変換光を同一方
向に出力できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ(以
下、「LD」と略記することもある。)等のコヒーレン
ト光を該光の波長とは異なる波長を有した1あるいは複
数の光に変換する素子及びその使用方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】この種の素子の一例が、例えば文献I
(Appl.Phys.Lett.(アプライドフィジ
ックスレターズ),vol.58,(1991),p
p.1227−1229)に開示されている。この素子
は、それに備わる光導波路に波長0.86μm(λ1
と波長1.3μm(λ2 )の2種類の光を導入すると、
これら光を、第2高調波発生(以下、「SHG」と略記
することもある。)により波長0.43μm及び0.6
5μmの光(それぞれλ1 、λ2 のSHG)に変換し、
並びに和周波発生(以下、「SFG」と略記することも
ある。)により波長0.52μmの光に変換するという
ように、波長の異なる3種類の光に変換するというもの
であった。この文献Iの素子についてさらに詳細に説明
する。図5はその説明に供する図であり、文献Iより引
用した図である。
【0003】文献Iの素子10は、MgOドープのLi
NbO3 基板11(以後、「MgO:LiNbO3 基板
11」と略記することもある。)に光導波路13を具え
たものとされている。MgOがドーピングされているの
は、ホトリフラクティブ効果(光損傷)を回避し入射光
による光導波路の損傷を防ぐためであり、波長変換素子
の機能には直接関係しない。光導波路13はピロリン酸
(H4 2 7 )を用いたプロトン交換法で形成され
る。また、光導波路13に入射される波長0.86μ
m、1.3μmの各光はそれぞれ個別の半導体レーザ1
5a,15bにより得ている。これら2つの光はダイク
ロイックミラー17によって混合され光導波路13に入
射される。なお、図5において、19は半導体レーザ1
5a,15bのうちの一方の光をダイクロイックミラー
17に導くためのミラー、21a,21bは各半導体レ
ーザの光を集光するためのレンズ、21cはダイクロイ
ックミラー17により混合された光を集光し光導波路2
3aに導くためのレンズである。図5に示した構成であ
ると、上記2種類の入射光は光導波路13を伝播中にS
HG、SFGにより波長変換されるので、この素子19
は波長0.43μm(λ3 )、波長0.65μm
(λ4 )および波長0.52μm(λ5 )の3種類の光
を出力する。
【0004】ここで、入射光(λ1 、λ2 )と出力光
(λ3 、λ4 、λ5 )との関係は、 λ3 =λ1 /2 ・・・(1) λ4 =λ2 /2 ・・・(2) λ5 -1=λ1 -1+λ2 -1 ・・・(3) であり、また、位相整合条件は、λ1 、λ2 、λ3 、λ
4 ,λ5 の各光の波数ベクトルをそれぞれk1 、k2
3 、k4 、k5 とすれば、 k3 =2k1 ・・・(4) k4 =2k2 ・・・(5) k5 =k1 +k2 ・・・(6) である。
【0005】上記波長変換を実現するには上記(1)か
ら(6)までの関係を全て満たす必要がある。勿論、
(4)から(6)までの関係式はベクトル関係式である
ので、全てのベクトルが同一方向を向いているとは限ら
ない。すなわち、k1 、k2 の光が導波路モードで
3 、k4 ,k5 の光が非導波路モードであっても許さ
れる(チェレンコフモードの位相整合)。文献Iにおい
てはこのような方法で波長変換を実現していた。
【0006】ただし、文献Iの方法では、発生する3種
類の光はそれぞれ別々の方向に伝播する。しかも、発生
する光は、その光束の形状が三日月型をした独特のもの
であるので(文献Iの1229頁参照)、通常の凸レン
ズでは集光できない。これらの性質は多くの応用におい
て障害となるものである。そこで、発生する光が全て同
一方向に伝播し、しかも通常の凸レンズにより集光可能
であるようにするため例えば文献II(Appl.Phy
s.Lett.(アプライドフィジックスレターズ),
vol.62,(1993),pp.1872−187
4)では、光導波路に周期的構造を付加する方法がとら
れている。以下、文献IIにおいて開示されている方法に
ついて説明する。
【0007】波長変換素子で発生する光が全て同一方向
に伝播ししかも上記(4)から(6)までの位相整合条
件を満足させるためには、一般的には、(4)から
(6)に新たな項を付加する必要がある。(4)〜
(6)式に付加する各項(位相不整合項)を順にΔ
1 、Δk2 、Δk3 とすると、それらは Δk1 =k3 −2k1 ・・・(7) Δk2 =k4 −2k2 ・・・(8) Δk3 =k5 −k1 −k2 ・・・(9) であれば良い。ただし、(7)から(9)までの各項は
それぞれベクトルの絶対値である。文献IIでは、周期的
構造を形成することで、これら位相不整合項Δk1 〜Δ
3 を生み出しているのである。
【0008】このような周期的構造を構成する具体的な
方法には二種類の方法がある。クアシ−フェイズマッチ
ング(Quasi−phasematching)と呼
ばれる方法(以下、「QPM」という。)と、バランス
ト−フェイズマッチング(Balanced−phas
ematching)と呼ばれる方法(以下、「BP
M」という。)である。
【0009】先ず、QPMについて説明する。これは、
図6に示したように、セグメンテドウエーブガイド(S
egmented Waveguide)31を形成し
ている各領域31a,31bの自然分極方向が交互に反
転して形成されるものである。すなわち、周期的分極反
転構造を形成するのである。ここで、この周期的構造に
おける、各領域31a,31bの各寸法をl1 ,l2
したときにΛ=l1 +l2 で示される周期Λは、(1
0)式を満たすように形成する。
【0010】ΔkX =m(2π/Λ) ・・・(10) ただし、(10)式中、X=1,2,3であり、mは自
然数である。
【0011】(10)式中のmが奇数次数の場合には、
セグメンテドウエーブガイド31を形成している各領域
の長さが等しくなるように、すなわち l1 =l2 ・・・(11) になるように形成し、mが偶数次数の場合には同各領域
の長さが等しくない所定比になるように形成する。例え
ば、m=2の場合には、 l1 =3l2 または3l1 =l2 ・・・(12) となるように形成する。
【0012】以上のように分極反転の周期構造を決定す
れば、QPMによるSHGまたはSFGが実現する。
【0013】次に、BPMについて説明する。このBP
Mの場合は、図6に示したセグメンテドウエーブガイド
31を決めているそれぞれの領域は分極方向が異なるの
ではなく、屈折率分散特性の異なる領域とされる。各領
域の寸法をl1 、l2 として各領域の位相不整合をΔk
1 ’、Δk2 ’としたとき Δk1 ’・l1 +Δk2 ’・l2 =M・2π ・・・(13) を満足するようにl1 、l2 を形成する。ここで、この
式をもう少し詳しく説明する。基本波の波長をλとする
と Δk1 ’=(4π/λ)・[n1 (λ/2)−n1 (λ)] ・(14) Δk2 ’=(4π/λ)・[n2 (λ/2)−n2 (λ)] ・(15) である。ここに、n1 (λ)、n2 (λ)は、波長λの
光の常光線および異常光線に対する屈折率である。KT
P(KTiOPO4 )に形成されるセグメンテドウエー
ブガイドは常光線も異常光線も導波するのでBPMを実
現することが可能である。また、n1 及びn2 の波長分
散特性が異なるのでΔk1 ’とΔk2 ’とを異符号とす
ることが可能で、特にM=0に対応する Δk1 ’・l1 +Δk2 ’・l2 =0 ・・・(16) すなわち Δk1 ’・l1 =−Δk2 ’・l2 ・・・(17) の実現が可能である。すなわちSHGに関してタイプII
(基本波光の偏光方向が直交するタイプ)の位相整合を
実現できることになる。BPMにおいては、(16)、
(17)式を満たすことがQPMにおける(10)式を
満たすことに相当する。
【0014】文献IIの技術では以上の方法で2種類の波
長の異なる光をセグメンテドウエーブガイドに導入して
2種類ないし3種類の波長の異なる光に変換することに
成功している。具体例で説明すれば以下のとおりであ
る。
【0015】:波長1023.0nm及び716.7
nmの2種類の光を、BPMによるSHGにより波長5
11.5nmの光(波長1023.0nmの光のSH
G)に変換し、また、m=1のQPMによるSFGによ
り波長421.5nmの光(波長1023.0nm及び
716.7nmの光のSFG)に変換することに成功し
ている。
【0016】また、波長1017.0nm及び717.
9nmの2種類の光を、BPMによるSHGにより波長
508.5nmの光(波長1017.0nmの光のSH
G)に変換し、また、m=1のQPMによるSFGによ
り波長420.8nmの光(波長1017.0nm及び
717.9nmの光のSFG)及びm=2のQPMによ
るSHGにより波長358.9nmの光(波長717.
9nmの光のSHG)に変換することに成功している。
【0017】また、例えば文献III (オープラスイー
(O plus E),1993年1月号、第113
頁)には、図7に示したように、ポンピング光として半
導体レーザ41を用いこのポンピング光をコリメートレ
ンズ43及び集光レンズ45を介しNd:YAGロッド
47に入力し該Nd:YAGロッド47を励起してレー
ザ光(基本波)を生成し、該生成された基本光をKTP
結晶49に入力してその第2高調波を得る素子が開示さ
れている。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、文献
I、IIに開示された方式による従来の波長変換素子で
は、以下の〜の問題点があった。
【0019】:入力光として波長の異なる2種類の光
であって位相整合条件を満たす2種類の光が必要である
点。
【0020】:上記2種類の入力光を1本の光導波路
に入力する必要があるという点。
【0021】:文献IIに開示された方法によれば入力
光の波長に関する条件が厳しいので入力光用光源として
波長可変のレーザ(具体的にはTi:サファイヤレー
ザ)が使用されている点。これは、一般的な半導体レー
ザを入力光用光源として使用できないことを意味するの
で、波長変換素子は実用化するうえでは問題になる。
【0022】また、文献III に開示の技術では、:N
d:YAGロッド及びKTP結晶の2種類の構成部品が
必要であるので、例えば装置が大型化する、変換効率の
点において不利であるなどの問題点がある。
【0023】この出願はこのような点に鑑みなされたも
のであり、したがってこの出願の第一発明の第一の目的
は、上記、及びの問題点を解決出来る波長変換素
子を提供することにある。また、この出願の第一発明の
第二の目的は上記〜の問題点を解決出来る波長変換
素子を提供することにある。またこの出願の第二発明の
目的は、第一発明の波長変換素子の入力光用光源として
半導体レーザを使用する際に好適な、第一発明の波長変
換素子の使用方法を提供することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】この出願の各目的の達成
を図るためこの出願に係る発明者は種々の検討を重ね
た。そして、例えば文献IV(エレクトロニクスレターズ
(Electronics Letters,Vol.
25,(1989),pp.1491−1492に開示
されている技術に着目した。文献IVに開示の技術とは、
Nd及びMgOがドーピングされたLiNbO3 基板に
イオン交換法によって作り込んだ所定の光導波路では該
光導波路に色素レーザ光を入力すると該入力光の波長と
は異なる波長のレーザ光が得られるというものである。
より詳細には、この文献IVには、XカットのNd:Mg
O:LiNbO3 基板に安息香酸を用いたイオン交換法
によりストライプ方向がY方向でその幅が2〜8.5μ
mのストライプ状の光導波路を形成し、さらに、その光
導波路の長さが12mmとなるように基板をカットしか
つ該カット面を鏡面研磨して素子を作製した点が開示さ
れている。さらに、この素子の光導波路に波長が1.0
64μmの入射光を入力した場合、光導波路の幅が7μ
m以上である素子の場合はシングルモード導波が実現さ
れ、光導波路の幅が8μmである素子の場合はレーザ発
振が生じたという点、及び、この素子の光導波路に色素
レーザの発振光(波長0.814μm)を入射させると
波長1.084のレーザ光が得られた点が開示されてい
る。
【0025】この文献IVに開示の技術は、本願が従来技
術の問題点として指摘している上記、及びの問題
点を解決する手段として有用であるとこの出願に係る出
願人は考えた。
【0026】したがって、この出願の第一発明の波長変
換素子は、位相整合を得るための構造を有しかつレーザ
活性物質が添加された非線形光学結晶から成ることを特
徴とする。
【0027】ここで、用いるレーザ活性物質及び非線形
光学結晶は、設計に応じた種々のものとできる。用い得
るレーザ活性物質として例えば希土元素例えばNd(ネ
オジム)若しくはEr(エルビウム)を挙げることが出
来る。用い得る非線形光学結晶として例えばLiNbO
3 、LiTaO3 及びKTPを挙げることが出来る。
【0028】また、この第一発明の実施に当たり、前述
の位相整合を得るための構造として以下の(I)〜(V
I)のような種々の構造が挙げられる。
【0029】(I):分極方向の異なる第1及び第2の
領域を周期的に有した周期的分極反転構造であって、前
記第1及び第2の領域の寸法をそれぞれl1 及びl2
したときl1 +l2 で示される周期ΛがΛ=m・(2π
/Δk1 )及びΛ=m・(2π/Δk2 )の少なくとも
一方を満たすようにされている周期的分極反転構造であ
る。ただし、式中、mは自然数、Δk1 はΔk1 =k12
−2k1 で与えられる位相不整合、Δk2 はΔk2 =k
22−2k2 で与えられる位相不整合である。ここで、k
1 は当該波長変換素子へ入力する波長λ1 の入力光の波
数ベクトル、k12は前記入力光の第2高調波の波数ベク
トル、k2 は当該波長変換素子において前記入力光λ1
により励起される波長λ2 のレーザ光の波数ベクトル、
22は前記レーザ光の第2高調波の波数ベクトルであ
る。
【0030】(II):分極方向の異なる第1及び第2の
領域を周期的に有する周期的分極反転構造であって、前
記第1及び第2の領域の寸法をそれぞれl1 及びl2
したときl1 +l2 で示される周期ΛがΛ=m・(2π
/Δk)を満たすようにされている周期的分極反転構造
である。ただし、式中、mは自然数、ΔkはΔk=k3
−k1 ±k2 で与えられる位相不整合である。ここで、
1 は当該波長変換素子へ入力する波長λ1 の入力光の
波数ベクトル、k2 は当該波長変換素子において前記入
力光λ1 により励起される波長λ2 のレーザ光の波数ベ
クトル、k3 は当該波長変換素子において前記入力光及
びレーザ光の和周波混合または差周波混合により発生さ
れる波長λ3 の光の波数ベクトルである。
【0031】(III ):屈折率分散特性の異なる第1及
び第2の領域を周期的に有する構造であって、前記第1
及び第2の領域の寸法をそれぞれl1 及びl2 としたと
きl1 +l2 で示される周期ΛがΔk1 ’・l1 +Δk
2 ’・l2 =M・2πを満たすようにされている構造で
ある。ただし、式中、Mは0以上の整数、Δk1 ’はΔ
1 ’=(4π/λX )・[n1 (λX /2)−n
1 (λX )]で与えられる位相不整合、Δk2 ’はΔk
2 ’=(4π/λX )・[n2 (λX /2)−n2(λ
X )]で与えられる位相不整合である。ここで、λ
X は、当該波長変換素子へ入力する波長λ1 の入力光及
び当該波長変換素子において前記入力光により励起され
る波長λ2 のレーザ光のうちのいずれか一方の波長、n
1 (λX /2)及びn1 (λX )は前記第1の領域にお
ける波長λX 若しくはλX /2の光に対する屈折率波長
分散特性を与える関数、n2 (λX /2)及びn2 (λ
X )は前記第2の領域における波長λX 若しくはλX
2の光に対する屈折率波長分散特性を与える関数であ
る。
【0032】(IV):上記(III)の構造において、前記
λX を前記入力光の波長λ1 とし、前記ΛがΛ=m・
(2π/Δk2 )をも満たし、かつ、mが奇数の場合は
前記第1の領域及び第2の領域の寸法l1 及びl2 はl
1 =l2 を満たし、mが偶数の場合はl1 ≠l2 を満た
すようにしてある構造である。ただし、mは自然数、Δ
2 はΔk2 =k22−2k2 で与えられる位相不整合で
ある。ここで、k2 は当該波長変換素子において前記入
力光λ1 により励起される波長λ2 のレーザ光の波数ベ
クトル、k22は前記レーザ光の第2高調波の波数ベクト
ルである。なお、mが偶数の場合は上記のごとくl1
2 を主張するが波長変換効率をより向上させるには、
1 及びl2 は、l1 ≠l2 であってかつ波長変換効率
が向上する特定の関係となるようにするのがよい。これ
は変換効率を考慮して適性値を求めればよい。例えば、
m=2の場合であれば、3l1 =l2 またはl1 =3l
2 である。
【0033】(V):上記(III )の構造において、前
記λX を前記レーザ光の波長λ2 とし、前記ΛがΛ=m
・(2π/Δk1 )をも満たし、かつ、mが奇数の場合
は前記第1の領域及び第2の領域の寸法lA 及びlB
1 =l2 を満たし、mが偶数の場合はl1 ≠l2 を満
たすようにしてある構造である。ただし、mは自然数、
Δk1 はΔk1 =k12−2k1 で与えられる位相不整合
である。ここで、k1は当該波長変換素子へ入力する波
長λ1 の入力光の波数ベクトル、k12は前記入力光の第
2高調波の波数ベクトルである。なお、mが偶数の場合
はl1 ≠l2 を主張するが波長変換効率をより向上させ
るには、l1 及びl2 は、l1 ≠l2 であってかつ波長
変換効率が向上する特定の関係となるようにするのがよ
い。これは変換効率を考慮して適性値を求めればよい。
例えば、m=2の場合であれば、3l1 =l2 またはl
1 =3l2 である。
【0034】(VI):前記位相整合を得るための構造
を、前記非線形光学結晶を角度位相整合が得られる角度
で切り出すことで構成する。
【0035】さらに、この第一発明の実施に当たり、波
長変換素子は、当該波長変換素子に入力される波長λ1
の入力光に対するブラッグ条件を満たす構造(以下、
「ブラッグ反射構造」ともいう。)をさらに具える構成
とするのが良い。なお、ここで、ブラッグ反射構造をさ
らに具えるとは、位相整合を得るための構造がブラッグ
反射構造を兼ねる構成の場合と、位相整合を得るための
構造とブラッグ反射構造とをそれぞれ別々に具える構成
の場合いずれでも良い意味である。前者の場合の具体例
として、上記(I)〜(V)の周期構造を有する素子の
場合には、その周期ΛをΛ=「(p/q)・λ1 ]/
[2N(λ1 )]をも満たすよう構成するのが良い。た
だし、式中、p及びqは自然数、N(λ1 )は当該波長
変換素子における入射光λ1 に対する実効屈折率であ
る。
【0036】また、この出願の第二発明によれば、第一
発明の波長変換素子であって入力光に対するブラッグ条
件を満たす構造をさらに具える構成の波長変換素子に波
長λ1 の入射光を半導体レーザより供給して該波長変換
素子を使用するに当たり、該波長変換素子からの波長λ
1 の反射光を前記半導体レーザに帰還させることを特徴
とする。
【0037】
【作用】第一発明の構成によれば、非線形光学結晶とし
てレーザ活性物質が添加されたものを用いているので、
該波長変換素子に入力光(波長λ1 の光)が入力される
と該波長変換素子ではこの波長λ1 の入力光によりポン
ピングが生じてレーザ光(例えば波長λ2 の光)が生じ
る。このように生じたレーザ光は波長変換素子の新たな
入力光とみなせる。したがって、この波長変換素子では
1種類の入力光のみで少なくとも2種類の基本波が得ら
れる。さらに、この第一発明では非線形光学結晶を用い
ているので、前記入力光やレーザ光は、非線形光学効果
により、その高調波(λ1 /2やλ2 /2の高調波)や
混合波(和周波の光(例えばλ3 -1=λ1 -1+λ2 -1
や差周波の光(例えばλ3 -1=λ1 -1−λ2 -1)などに
変換される。さらに、この第一発明の波長変換素子で
は、位相整合を得るための構造を有しているので、入力
光及び非線形光学効果で生じた変換光の出力方向をそろ
えることができる。
【0038】ここで、位相整合を得るための構造を上記
(I)または(II)の構造とした場合はQPMによる位相
整合が実現される。また、位相整合を得るための構造を
上記(III) ) の構造とした場合はBPMによる位相整合
が実現される。また、位相整合を得るための構造を上記
(IV)または(V)の構造とした場合はQPM及びBPM
の双方による位相整合が実現される。また、位相整合を
得るための構造を上記(VI)の構造とした場合は、バルク
の非線形光学結晶を用いた素子が構成出来る。
【0039】また、位相整合を得るための構造を上記
(I)、(III) の構造とした場合、入射光の第2高調波
及びレーザ光の第2高調波の双方または一方の光と、レ
ーザ光とが変換光として得られる。また、位相整合を得
るための構造を上記(II)の構造とした場合、入射光及び
レーザ光の和周波の光並びに差周波の光の双方または一
方とレーザ光とが変換光として得られる。また、位相整
合を得るための構造を上記(IV)または(V)の構造とし
た場合、入射光の第2高調波とレーザ光の第2高調波と
レーザ光とが変換光として得られる。
【0040】また、この出願の第二発明では、波長λ1
の入力光を発する光源として半導体レーザを用いる際に
波長変換素子からの波長λ1 の反射光を前記半導体レー
ザに帰還させる。このため、半導体レーザはそうしない
場合より波長λ1 で安定に発振する。
【0041】
【実施例】以下、図面を参照して第一発明及び第二発明
の実施例についてそれぞれ説明する。なお、説明に用い
る各図は、この発明を理解出来る程度に各構成成分の寸
法、形状及び配置関係を概略的に示してあるにすぎな
い。また、以下の説明で述べる使用材料、処理方法、さ
らに、温度、処理時間、各部の寸法などの数値的条件は
この発明の範囲内の一例にすぎない。
【0042】1.第一発明(波長変換素子)の説明 1−1.第一発明の第1実施例 <素子構造の説明>図1は第一発明の波長変換素子の一
構成例を示した斜視図である。この実施例では、レーザ
活性物質が添加された非線形光学結晶としてNd及びM
gOがドープされたZカットのLiNbO3 基板51
(以下、「ZカットのNd:MgO:LiNbO3 基板
51」若しくは「基板51」という。)を用いる。な
お、MgOは、ホトリフラクティブ効果(光損傷)を回
避し入射光による光導波路の損傷を防ぐために添加して
いるのであり、波長変換素子の機能には直接関係しな
い。
【0043】さらにこの第1実施例では、このZカット
のNd:MgO:LiNbO3 基板51にストライプ状
の光導波路53であって、ストライプ方向がXまたはY
方向でストライプ幅が所定幅の光導波路53を具える。
さらに、このように構成した導波路構造の入射端面51
aと出射端面51bとに入射光(波長λ1 (各振動数ω
1 )の光とする。)に対して高反射特性を示すコーティ
ング(以後、「HRコーティング」。)をそれぞれ施し
て(図示せず)いわゆるファブリペロー共振器を構成し
ている。
【0044】このように構成した導波路構造に波長λ1
(角振動数ω1 )の入射光を入力するとこの入射光がポ
ンプ光となるので、この構造体からは入射光に加え該入
射光とは別の波長(例えば波長λ2 (角振動数ω2 ))
のレーザ光が得られる。ただし、ここまで説明した構造
体は上記文献IVに開示の技術と変わらない。ところが、
この第一発明の波長変換素子では、レーザ活性物質が添
加された非線形光学結晶(ここでは基板51)は、位相
整合を得るための構造をさらに有するものとしてある。
そこで、位相整合を得るための構造についていくつかの
例を挙げて以下に説明する。
【0045】<位相整合を得るための構造の説明>入射
光λ1 のSHG(第二高調波発生)が得られるような周
期構造を基板51が有するとしたら、この実施例の波長
変換素子は変換光としてλ2 及びλ1 /2の光が得られ
るものになる。また、レーザ光λ2 のSHG(第二高調
波発生)が得られるような周期構造を基板51が有する
としたら、この実施例の波長変換素子は変換光としてλ
2 及びλ2 /2の光が得られるものになる。波長λ1
光をλ1 /2に変換する場合及び波長λ2 の光をλ2
2に変換する場合いずれも、波長変換の原理は同じなの
で、波長変換される光の波長をλ、波長変換された光の
波長をλ’と一般化して第2高調波を得るための周期構
造について説明する。
【0046】先ず、波長変換を受ける波長λの光とその
第2高調波である波長λ’の光とは波長に関して λ’=λ/2 ・・・(a) なる関係(エネルギ保存則に当たる関係)を満たす必要
があると共に、λ、λ’それぞれの光の波数ベクトルを
k、k’とすると両者は k’=2k ・・・(b) なる関係(運動量保存則に当たる関係)を満たす必要が
ある。ここに、k=(2π/λ)n(λ)、k’=(4
π/λ)n(λ/2)である。ただし、n(λ)やn
(λ/2)は屈折率の波長分散特性をあらわす関数であ
る。
【0047】しかし、結晶の屈折率には波長依存性があ
るため、上記各式(a)、(b)はそのままでは満たさ
れない。そこで、新たな付加項(位相整合項)を付け加
えなければならない。この項をΔkとすると、 Δk=k’−2k ・・・(c) と表せる。
【0048】そして、この位相不整合を補完する方法と
してQPM、BPM及び角度位相整合などを挙げること
が出来る。以下、具体的構造例を挙げて説明する。
【0049】(1) 構造例(I) QPMを用いる場合光導波路53に以下に説明するよう
に周期的分極反転構造を形成する。
【0050】LiNbO3 基板においては+c面にこの
ような分極反転構造を例えばTi熱拡散法やLi2 O外
拡散法などで形成出来る。図1に示すように、分極方向
が反転されて局部的に−c面になっている領域(例えば
第1の領域という。)51xの、光導波路53のストラ
イプ方向に沿う寸法を、l1 とし、+c面のままの領域
(第2の領域)51yの同寸法をl2 とし、この周期的
分極反転構造の周期ΛをΛ=l1 +l2 としたとき、位
相不整合ΔkはΛを以下の(d)式を満足するようにし
ておくと補完されることが知られている。ただし、
(d)式中のmは自然数である。
【0051】Λ=m・(2π/Δk) ・・・(d) そこで、λ1 やλ2 をλとして一般化してここまで説明
してきたことを元に戻して考える。すると、入射光λ1
のSHG(第二高調波発生)が得られるような周期構造
を得るためには、 Λ=m・(2π/Δk1 ) ・・・(d−1) を満たすようにΛを決めればよい。ただし、Δk1 は、
上記(c)式に基づくΔk1 =k12−2k1 で与えられ
る位相不整合である。ここで、k1 は当該波長変換素子
へ入力する波長λ1 の入力光の波数ベクトル、k12は前
記入力光の第2高調波の波数ベクトルである。具体的に
は、k1 =(2π/λ1 )n(λ1 )、k12=(4π/
λ1 )n(λ1 /2)である。
【0052】また、レーザ光λ2 のSHG(第二高調波
発生)が得られるような周期構造を得るためには、 Λ=m・(2π/Δk2 ) ・・・(d−2) を満たすようにΛを決めればよい。ただし、Δk2 は、
上記(c)式に基づくΔk2 =k22−2k2 で与えられ
る位相不整合である。ここで、k2 は当該波長変換素子
において前記入力光λ1 により励起される波長λ2 のレ
ーザ光の波数ベクトル、k22は前記レーザ光の第2高調
波の波数ベクトルである。具体的には、k2 =(2π/
λ2 )n(λ2 )、k22=(4π/λ2 )n(λ2
2)である。
【0053】(2) 構造例(II) また、入力光λ1 及びレーザ光λ2 をこれらの和周波
(SFG)若しくは差周波(DFG)の光λ3 に変換す
るための周期的分極反転構造の周期Λも上記(d)式を
満たすように決定すればよい。ただし、この場合の位相
不整合Δkは Δk=k3 −k1 ±k2 ・・・(e) で与えられるものとなる。
【0054】なお、上記構造例(I)若しくは(II)の説
明においては、屈折率の波長分散特性をあらわす関数n
(λ)を導入していたが、第一発明を光導波路型の波長
変換素子に適用する場合は、n(λ)の代わりに実効屈
折率N(λ)を使用することになる。その場合の扱いは
以下のようにすれば良い。
【0055】先ず、上記構造例(I)を有した光導波路
型の本発明の波長変換素子であって、入射光λ1 ないし
はこれにより励起されたレーザ光λ2 のいずれかのSH
Gを発する素子を実現するには、上記(c)式を下記の
(f)式に書き換える。ここで、N(λX )、N(λX
/2)は波長λX 若しくは波長λX /2の実効屈折得率
であり、X=1または2である。
【0056】 Δk=(4π/λX )[N(λX /2)−N(λX )] ・・・(f) そして、この(e)式で示されるΔkに対し上記(d)
式が満たされるようΛを設定した周期構造を形成する。
ここで、mが奇数次数の場合には分極反転部分(図1の
第1の領域51X)の寸法l1 と非分極反転部分(図1
の第2の領域51y)の寸法l2 とが等しくなるように
形成し、mが偶数次数の場合にはl1 ≠l2 となるよう
に形成する。さらに、mが偶数次数の場合にはl1 ≠l
2 であって、両者を変換効率向上に好適な所定値とする
のが良い。m=2の場合であれば、l1 =3l2 または
3l1 =l2 となるようにするのが良い。
【0057】また、上記構造例(II)を有した光導波路型
の本発明の波長変換素子であって、入射光λ1 及びこれ
により励起されたレーザ光λ2 のいずれかのSFGまた
はDFGを発する素子を実現するには、上記(e)式を
下記の(g)式に書き換えて、この(g)で示されるΔ
kに対し上記(d)式が満たされるようΛを設定した周
期構造を形成する。
【0058】 Δk=(4π/λ3 )N(λ3 )- (4π/λ1 )N(λ1 )±(4π/λ2 )N(λ2 ) ・・・(g) (3) 構造例(III) 次に、BPMによりSHGを得る場合について説明す
る。なお、上記構造例(I)及び構造例(II)の説明で
は、屈折率の波長分散特性をあらわす関数n(λ)と光
導波路の場合の実効屈折率N(λ)とを夫々書き分けて
説明したが、以後の説明ではn(λ)は光導波路の場合
には実効屈折率N(λ)を意味するものとして説明する
ことにし、特に両者を書き分けることをしないことにす
る。
【0059】BPMによる場合も入射光λ1 及びレーザ
光λ2 のいずれかのSHGを実現することになる。どち
らでも変換の原理は同一なのでλX (X=1または2)
の光として説明する。
【0060】この場合はレーザ活性物質が添加された非
線形光学結晶(この場合基板51)に屈折率分散特性の
異なる第1及び第2の領域(図1の領域51x及び51
yが分極状態の違いでなく屈折率分散特性が異なると考
えれば良い。)を周期的に有する構造であって、前記第
1及び第2の領域の寸法をそれぞれl1 及びl2 とした
ときl1 +l2 で示される周期ΛがΔk1 ’・l1 +Δ
2 ’・l2 =M・2πを満たすようにされている構造
を設ける。
【0061】ここで、Mは0以上の整数である。また、
Δk1 ’及びΔk2 ’は、下記の(h)式及び(i)式
であたえられる位相不整合である。ただし、(h)及び
(i)式において、X=1,2である。また、n1 (λ
X /2)及びn1 (λX )は前記第1の領域における波
長λX 若しくはλX /2の光に対する屈折率波長分散特
性を与える関数、n2 (λX /2)及びn2 (λX )は
前記第2の領域における波長λX 若しくはλX /2の光
に対する屈折率波長分散特性を与える関数である。
【0062】 Δk1 ’=(4π/λX )・[n1 (λX /2)−n1 (λX )] (h) Δk2 ’=(4π/λX )・[n2 (λX /2)−n2 (λX )] (i) (4) 構造例(IV) また、波長λ1 の入射光に対して上記(h)式及び
(i)式を考えた場合、両式は下記の(j)及び(k)
となる。
【0063】 Δk1 ’=(4π/λ1 )・[n1 (λ1 /2)−n1 (λ1 )] (j) Δk2 ’=(4π/λ1 )・[n2 (λ1 /2)−n2 (λ1 )] (k) そして、(j)式であたえられるΔk1 ’及び(k)式
であたえられるΔk2 ’に対して Δk1 ’・l1 +Δk2 ’・l2 =M・2π ・・・(l) を満たすように、かつ、波長λ2 なるレーザ光に対して Λ=m・(2π/Δk2 ) ・・・(m) を満たすように周期構造を形成すると、QPM及びBP
Mの両条件を満たすことになる。そして、この場合の波
長変換素子は、波長λ1 の入射光に対してレーザ発振光
λ2 のほかλ1 /2、λ2 /2の各第2高調波をも変換
光として出力するものになる。なお、(m)式中のmが
奇数のときl1 =l2 とするものとし、mが偶数のとき
1 ≠l2 とする。mが偶数のときl1 及びl2 は、よ
り好ましくは、l1 ≠l2 であって変換効率向上に良好
な値に夫々する。例えばm=2であるなら、3l1 =l
2 またはl1 =3l2 とする。
【0064】(5) 構造例(V) 上記構造例(IV)の構成において、波長λ2 のレーザ発振
光に対して(j),(k)及び(l)の式を適用し、波
長λ1 のレーザ光に対して(m)式を適用して周期構造
を形成しても良い。その場合も構造例(IV)の場合と同様
に変換光が得られる。
【0065】(6) 構造例(VI) 上述の構造例(I)〜(V)では光導波路に周期構造を
作りつける例を考えたがこの発明はレーザ活性物質が添
加されたバルクの非線形光学結晶自体を波長変換媒体と
して適用することも出来ると考える。その場合は、レー
ザ活性物質が添加された非線形光学結晶を角度位相整合
が得られる角度で切り出すことにより位相整合を得るた
めの構造は構成出来ると考える。
【0066】(7) 構造例(VII) また、例えば文献V(応用物理、第62巻、第9号(1
993)の第928頁には、LiNbO3 やLiTaO
3 基板の+Z面を接地し、−Z面上に収束電子ビームを
走査照射すると、結晶裏面に達する層状の反転構造が得
られることが開示されている。この文献Vに開示の方法
は、レーザ活性物質が添加されたバルクの非線形光学結
晶に位相整合の構造を形成する方法として利用出来ると
考えられるので、この方法でもバルク状の波長変換素子
が実現出来ると考える。
【0067】以上の説明から、この第一発明の波長変換
素子は、1種類の入力光に対して複数の波長変換された
光を出力できるものであることが理解出来る。また、こ
の第一発明の波長変換素子は、図7を用いて説明した装
置のNd:YAGロッド47及びKTP結晶49で構成
される部分の代替品として使用出来ると考えられる。そ
して、そのようにすると従来は2種類の構成成分47、
49(図7参照)が必要であったところを1つの部品で
構成出来るようになるという効果が得られる。特に構造
例(VI)及び(VII) の素子はバルク状態の素子による代替
ができる。
【0068】1−2.第一発明の第2実施例 半導体レーザから出力された光の波長を上述の第一発明
の波長変換素子を用いて他の波長の光に変換するために
は、半導体レーザを位相整合条件を満たす波長で安定に
発振させることが必要になる。しかし、一般の半導体レ
ーザは注入電流の変動や周囲温度の変動などで発振波長
がゆらぐことが多い。第一発明の波長変換素子を一般の
半導体レーザと共に用いて実用できるようにするには、
入力光の光源である半導体レーザを安定に発振させる工
夫が望まれる。この第2実施例はその例である。
【0069】このため、第一発明の第2実施例では、第
1実施例においてレーザ活性物質が添加された非線形光
学結晶に変換光を制御するため形成していた周期構造に
加え、波長λ1 の入射光に対するブラッグ条件を満たす
構造(ブラッグ反射構造)をさらに具える波長変換素子
を開示する。こうすると、第2実施例の波長変換素子は
入射光の入射端面から外部に波長λ1 の光を一部反射す
るようになる。この反射光はこれを半導体レーザに帰還
させることで半導体レーザを安定発振させるための制御
光として利用出来る。そのための周期構造は例えば第1
実施例において説明した各種周期構造をその周期Λが下
記の(n)式をも満たすように形成すれば良い。
【0070】 Λ=「(p/q)・λ1 ]/[2N(λ1 )] ・・・(n) ただし、(n)式中、p及びqは自然数、N(λ1 )は
当該波長変換素子における入射光λ1 に対する実効屈折
率である。このN(λ1 )は、周期構造における第1の
領域及び第2の領域における屈折率をそれぞれn1 (λ
1 )、n2 (λ1 )とし、第1の領域及び第2の領域の
寸法をl1 及びl2 としたとき、例えば近似的に下記
(o)式によりあたえられる。
【0071】 N(λ1 )=[l1 ・n(λ1 )+l2 ・n(λ1 )]/Λ (o) 上述の第2実施例の態様は図1に示した波長変換素子の
第1の領域51x及び第2の領域51yで構成される位
相整合を得るための周期構造そのものがブラッグ反射構
造にもなっている素子である。なお、この第2実施例の
波長変換素子の場合は、その入射端面及び出射端面の少
なくとも入射端面に低反射膜(ARコーティング)を施
すのが良い。波長変換素子から光源である半導体レーザ
側にレーザ反射光を出力するためである。ここで、波長
変換素子の入射端面及び出射端面の少なくとも一方をA
Rコーティングすると、両端面をHRコーティングする
ことでファブリペロー共振器を構成した機構がくずれレ
ーザ光λ2 を得ることが出来ないことが懸念されるが、
ARコーティングの程度を調整することでこれは回避出
来る。また、HRコーティングを施すことなく、光導波
路53にブラッグ共振器を設けるようにしてもレーザ光
を得ることが出来る。ブラッグ共振器を設ける構成につ
いては、この出願の出願人に係る特願平4−84291
号に詳しい。
【0072】この第2実施例の波長変換素子において
は、上記(n)式中のpを変えるとブラッグ反射構造で
の1周期に違いがでる。図2は、p=1の場合とp=4
の場合とでブラッグ反射構造の1周期がどのように違う
かを模式的に示した図である。図2中、P1 がp=1の
場合のブラッグ反射構造の1周期であり、P4 がp=4
の場合のブラッグ反射構造の1周期である。pが大きく
なる程ブラッグ反射構造の実質的な周期は長くなる。な
お、図2において図1に示した構成成分と同様な構成成
分は図1と同様な番号を付して示し、また、その説明を
省略する(医科の、各図において同じ。)。
【0073】また、この第2実施例では別の態様とし
て、位相整合を得るための構造とブラッグ反射構造と
を、基板51上に別々に設けた構成としても良い。位相
整合を得る為の構造とブラッグ反射構造とを別々に設け
る方がそうしない場合に比べ素子の設計自由度を大きく
できる。図3は両者を別々に設ける一態様の波長変換素
子を概略的に示した斜視図である。具体的には、レーザ
活性物質が添加された基板51の一端側に位相整合を得
るための構造を具え、他端側にブラッグ反射構造63を
具えたものの例である。なお、この場合、基板51の入
射端面及び出射端面それぞれには反射防止膜(ARコー
テイング)65を設けてある。勿論、ARコーティング
は少なくとも入射端面側に設ければ良い。また、図3で
はブラッグ反射構造63を基板51の一端に設ける例を
示したが、基板51の両端にブラッグ反射構造63をそ
れぞれ設け、これら反射構造に挟まれる基板部分に位相
整合を得るための構造61を設けても良い。こうする方
が変換効率の向上が図れる。
【0074】2.第二発明の実施例 次に、図4を参照して第二発明の実施例について説明す
る。ここで、図4は光源としての半導体レーザ71と第
一発明の第2実施例の波長変換素子(ブラッグ反射構造
をも作り込んだ素子)73との配置関係を示した斜視図
である。半導体レーザ71と第一発明の第2実施例の波
長変換素子73とを両者の光軸が一致するように直列に
配置してある。半導体レーザ71及び第一発明の第2実
施例の波長変換素子73それぞれの少なくとも他方の素
子と対向する端面にはARコーティング75を施すのが
良い。第二発明の構成では波長変換素子73から半導体
レーザ71に波長λ1 の帰還光が戻されるので半導体レ
ーザ71はそうしない場合に比べ波長λ1 で安定に発振
する。
【0075】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
出願の第一発明によれば、波長変換素子を構成する母材
をレーザ活性物質が添加された非線形光学結晶としたた
め、1種類の入力光のみで入力光とは別の波長のレーザ
光が得られ、さらに、これら入力光及びまたはレーザ光
の高調波及びまたは混合波が得られる。また、この波長
変換素子は、位相整合を得るための構造を有しているの
で、入力光及び非線形光学効果で生じた変換光の出力方
向をそろえることができる。このため、1種類の入力光
を波長が異なる複数の光に変換できかつ入力光及び変換
光の出力方向が同じとなる波長変換素子を提供出来る。
【0076】また、第一発明の波長変換素子であって入
射光に対するブラッグ条件を満たす構造をも有する構成
においては、半導体レーザの安定発振に利用出来る帰還
光を生成出来るので、入力光の波長に対する厳しい条件
も実質的に回避することができる。
【0077】また、第二発明によれば、第一発明の波長
変換素子及び半導体レーザを用いての波長変換を実用的
に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第一発明の第1及び第2実施例の説明図であ
る。
【図2】第一発明の第2実施例の説明図である。
【図3】第一発明の第2実施例の他の態様の説明図であ
る。
【図4】第二発明の実施例の説明図である。
【図5】従来技術の説明図である。
【図6】従来技術の説明図である。
【図7】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
51:レーザ活性物質が添加された非線形光学結晶 51a:入射端面 51b:出射端面 51x,51y,61:位相整合を得るための構造 53:光導波路 63:ブラッグ反射構造 65,75:ARコーティング 71:半導体レーザ 73:第一発明の第2実施例の波長変換素子

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 位相整合を得るための構造を有しかつレ
    ーザ活性物質が添加された非線形光学結晶から成ること
    を特徴とする波長変換素子。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の波長変換素子におい
    て、 前記位相整合を得るための構造を、分極方向の異なる第
    1及び第2の領域を周期的に有した周期的分極反転構造
    であって、前記第1及び第2の領域の寸法をそれぞれl
    1 及びl2 としたときl1 +l2 で示される周期ΛがΛ
    =m・(2π/Δk1 )及びΛ=m・(2π/Δk2
    の少なくとも一方を満たすようにされている周期的分極
    反転構造をもって構成してあることを特徴とする波長変
    換素子(ただし、式中、mは自然数、Δk1 はΔk1
    12−2k1 で与えられる位相不整合、Δk2 はΔk2
    =k22−2k2 で与えられる位相不整合である。ここ
    で、k1 は当該波長変換素子へ入力する波長λ1 の入力
    光の波数ベクトル、k12は前記入力光の第2高調波の波
    数ベクトル、k2 は当該波長変換素子において前記入力
    光λ1 により励起される波長λ2 のレーザ光の波数ベク
    トル、k22は前記レーザ光の第2高調波の波数ベクトル
    である。)。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の波長変換素子におい
    て、 前記位相整合を得るための構造を、分極方向の異なる第
    1及び第2の領域を周期的に有する周期的分極反転構造
    であって、前記第1及び第2の領域の寸法をそれぞれl
    1 及びl2 としたときl1 +l2 で示される周期ΛがΛ
    =m・(2π/Δk)を満たすようにされている周期的
    分極反転構造をもって構成してあることを特徴とする波
    長変換素子(ただし、式中、mは自然数、ΔkはΔk=
    3 −k1 ±k2 で与えられる位相不整合である。ここ
    で、k1 は当該波長変換素子へ入力する波長λ1 の入力
    光の波数ベクトル、k2 は当該波長変換素子において前
    記入力光λ1 により励起される波長λ2 のレーザ光の波
    数ベクトル、k3 は当該波長変換素子において前記入力
    光及びレーザ光の和周波混合または差周波混合により発
    生される波長λ3 の光の波数ベクトルである。)。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の波長変換素子におい
    て、 前記位相整合を得るための構造を、屈折率分散特性の異
    なる第1及び第2の領域を周期的に有する構造であっ
    て、前記第1及び第2の領域の寸法をそれぞれl1 及び
    2 としたときl1 +l2 で示される周期ΛがΔk1
    ・l1 +Δk2 ’・l2 =M・2πを満たすようにされ
    ている構造をもって構成してあることを特徴とする波長
    変換素子(ただし、式中、Mは0以上の整数、Δk1
    はΔk1 ’=(4π/λX )・[n1 (λX /2)−n
    1 (λX )]で与えられる位相不整合、Δk2 ’はΔk
    2 ’=(4π/λX )・[n2 (λX /2)−n2 (λ
    X )]で与えられる位相不整合である。ここで、λ
    X は、当該波長変換素子へ入力する波長λ1 の入力光及
    び当該波長変換素子において前記入力光により励起され
    る波長λ2 のレーザ光のうちのいずれか一方の波長、n
    1 (λX /2)及びn1 (λX )は前記第1の領域にお
    ける波長λX 若しくはλX /2の光に対する屈折率波長
    分散特性を与える関数、n2 (λX /2)及びn2 (λ
    X )は前記第2の領域における波長λX 若しくはλX
    2の光に対する屈折率波長分散特性を与える関数であ
    る。)。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の波長変換素子におい
    て、 前記λX を前記入力光の波長λ1 とし、 前記ΛがΛ=m・(2π/Δk2 )をも満たし、かつ、
    mが奇数の場合は前記第1の領域及び第2の領域の寸法
    1 及びl2 はl1 =l2 を満たし、mが偶数の場合は
    1 ≠l2 を満たすように前記周期的構造を構成してあ
    ることを特徴とする波長変換素子(ただし、mは自然
    数、Δk2 はΔk2 =k22−2k2 で与えられる位相不
    整合である。ここで、k2 は当該波長変換素子において
    前記入力光λ1 により励起される波長λ2 のレーザ光の
    波数ベクトル、k22は前記レーザ光の第2高調波の波数
    ベクトルである。)。
  6. 【請求項6】 請求項4に記載の波長変換素子におい
    て、 前記λX を前記レーザ光の波長λ2 とし、 前記ΛがΛ=m・(2π/Δk1 )をも満たし、かつ、
    mが奇数の場合は前記第1の領域及び第2の領域の寸法
    A 及びlB はl1 =l2 を満たし、mが偶数の場合は
    1 ≠l2 を満たすように前記周期的構造を構成してあ
    ることを特徴とする波長変換素子(ただし、mは自然
    数、Δk1 はΔk1 =k12−2k1 で与えられる位相不
    整合である。ここで、k1 は当該波長変換素子へ入力す
    る波長λ1の入力光の波数ベクトル、k12は前記入力光
    の第2高調波の波数ベクトルである。)。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の波長変換素子におい
    て、 前記位相整合を得るための構造を、前記非線形光学結晶
    を角度位相整合が得られる角度で切り出すことで構成し
    たことを特徴とする波長変換素子。
  8. 【請求項8】 請求項1〜7のいずれか1項に記載の波
    長変換素子において、 当該波長変換素子に入力される波長λ1 の入力光に対す
    るブラッグ条件を満たす構造をさらに具えたことを特徴
    とする波長変換素子。
  9. 【請求項9】 請求項2〜6のいずれか1項に記載の波
    長変換素子において、 前記周期ΛをΛ=「(p/q)・λ1 ]/[2N
    (λ1 )]をも満たすようにしてあることを特徴とする
    波長変換素子(ただし、式中、p及びqは自然数、N
    (λ1 )は当該波長変換素子における入射光λ1 に対す
    る実効屈折率である。)。
  10. 【請求項10】 請求項8または9に記載の波長変換素
    子に波長λ1 の入射光を半導体レーザより供給して該波
    長変換素子を使用するに当たり、 該波長変換素子からの波長λ1 の反射光を前記半導体レ
    ーザに帰還させることを特徴とする波長変換素子の使用
    方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997015863A1 (fr) * 1995-10-26 1997-05-01 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Appareil optique
KR100518951B1 (ko) * 2003-07-12 2005-10-06 한국전자통신연구원 광도파로 주기 분극 구조에서 의사 위상 정합 효율을결정하는 방법, 광도파로의 주기 분극 구조 및 이를이용한 광도파로
KR100823901B1 (ko) * 2003-08-26 2008-04-21 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 파장 변환 소자 및 이를 사용하는 방법
US7362783B2 (en) 2001-06-15 2008-04-22 Cobolt Ab Optical frequency mixing

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3187290B2 (ja) * 1995-07-25 2001-07-11 沖電気工業株式会社 波長変換装置および波長変換方法
EP1315027A3 (en) * 1995-09-20 2004-01-02 Mitsubishi Materials Corporation Optical converting method using a single-crystal lithium tetraborate
US5665493A (en) * 1995-10-03 1997-09-09 Sri International Gated recording of holograms using rare-earth doped ferroelectric materials
US5805329A (en) * 1996-04-10 1998-09-08 The Regents Of The University Of California Minimizing radiation damage in nonlinear optical crystals
US5940206A (en) * 1996-06-24 1999-08-17 Teratec Corporation Optical parametric diffuser
US6711183B1 (en) * 1998-05-18 2004-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical wavelength conversion device, coherent light generator, and optical information processing apparatus
US6631231B2 (en) * 2000-03-21 2003-10-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide elements, optical wavelength conversion elements, and process for producing optical waveguide elements
SE526938C2 (sv) * 2003-12-19 2005-11-22 Cobolt Ab Laserarrangemang med flera våglängder
WO2005098528A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-20 Hamamatsu Foundation For Science And Technology Promotion 像波長変換装置、前記装置の製造方法、および前記装置を用いた画像変換システム
TWI233506B (en) * 2004-05-20 2005-06-01 Univ Nat Sun Yat Sen Method and apparatus for fabricating a crystal fiber
TWI249509B (en) * 2004-11-22 2006-02-21 Univ Nat Sun Yat Sen Method and apparatus for fabricating a crystal fiber
US7724421B2 (en) * 2005-06-16 2010-05-25 Alcatel-Lucent Usa Inc. Phase sensitive optical amplification
US7339722B2 (en) * 2006-06-23 2008-03-04 Northrop Grumman Corporation Hybrid nonlinear optical conversion and optical parametric oscillation
FR2973594B1 (fr) * 2011-03-31 2013-03-29 Thales Sa Systeme d'emission de signal optique

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2655461B1 (fr) * 1989-12-01 1992-11-27 Thomson Csf Source optique miniature et procede de realisation.
JPH03251826A (ja) * 1990-01-25 1991-11-11 Oki Electric Ind Co Ltd 第2高調波発生素子
FR2660493A1 (fr) * 1990-03-30 1991-10-04 Thomson Csf Dispositif laser a changeur de frequence integre de facon monolithique.
US5142542A (en) * 1991-01-07 1992-08-25 Amoco Corporation Signal-resonant intracavity optical frequency mixing
US5195104A (en) * 1991-10-15 1993-03-16 Lasen, Inc. Internally stimulated optical parametric oscillator/laser
US5253258A (en) * 1991-10-17 1993-10-12 Intellectual Property Development Associates Of Connecticut, Inc. Optically encoded phase matched second harmonic generation device and self frequency doubling laser material using semiconductor microcrystallite doped glasses
US5185752A (en) * 1992-02-18 1993-02-09 Spectra Diode Laboratories, Inc. Coupling arrangements for frequency-doubled diode lasers
JPH05291655A (ja) * 1992-04-07 1993-11-05 Oki Electric Ind Co Ltd プレーナ光導波路形レーザ素子及びレーザ装置
US5311352A (en) * 1992-12-23 1994-05-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Increasing the birefringence of KTP and its isomorphs for type II phase matching
JP3211448B2 (ja) * 1993-01-27 2001-09-25 ソニー株式会社 レーザー光源装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997015863A1 (fr) * 1995-10-26 1997-05-01 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Appareil optique
US7362783B2 (en) 2001-06-15 2008-04-22 Cobolt Ab Optical frequency mixing
KR100518951B1 (ko) * 2003-07-12 2005-10-06 한국전자통신연구원 광도파로 주기 분극 구조에서 의사 위상 정합 효율을결정하는 방법, 광도파로의 주기 분극 구조 및 이를이용한 광도파로
KR100823901B1 (ko) * 2003-08-26 2008-04-21 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 파장 변환 소자 및 이를 사용하는 방법

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