JPH0786458A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH0786458A
JPH0786458A JP5224802A JP22480293A JPH0786458A JP H0786458 A JPH0786458 A JP H0786458A JP 5224802 A JP5224802 A JP 5224802A JP 22480293 A JP22480293 A JP 22480293A JP H0786458 A JPH0786458 A JP H0786458A
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JP
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resin
semiconductor element
semiconductor device
package
lead
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JP5224802A
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English (en)
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Hiroyuki Saegusa
裕之 三枝
Masaji Takenaka
正司 竹中
Masao Sakuma
正夫 佐久間
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Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Miyachi Systems Co Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Miyachi Systems Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明はパッケージの上下サイズを異ならせる
ことにより露出したリード部で試験することを可能とし
た半導体装置及びその製造方法に関し、リード上への樹
脂の付着を防止することを目的とする。 【構成】半導体素子22と、この半導体素子22と接続され
るリード部材24と、リード部材24の配設位置に対し上部
に配設される上部パッケージ半体26a とリード部材24の
下部に配設される下部パッケージ半体26b とにより構成
されかつ上部パッケージ半体26a と下部パッケージ半体
26b との大きさを異ならした構成とされた樹脂パッケー
ジ26とを具備する半導体装置において、下部パッケージ
半体26b に上記リード部材24を支持する支持部材30を配
設する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に係り、特にパッケージの上下サイズを異ならせる
ことによりリードが露出した部分で試験することを可能
とした半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の高集積化により多ピン
化が進むと共に、小型化が要求されている。これに伴
い、微小ピッチで配列される外部リードの幅，厚みが小
さくなりリードの強度は低下する傾向にある。
【０００３】また、半導体装置を出荷する前にはバーイ
ンが行われ、この際各リードにプローブが当接される。
よって、リードの強度が低いとプローブ当接時にリード
が損傷するおそれがあるあるため、パッケージの上下サ
イズを異ならせ、これによりパッケージに形成された段
差部分の上部にリードを露出状態で配設し、この部分に
プローブを当接させてバーインを行い得るよう構成され
た半導体装置が知られている。
【０００４】このパッケージの上下サイズを異ならせた
半導体装置では、バーインを精度よく行う面よりリード
を上記段差部分において確実に露出するようにする必要
がある。
【０００５】
【従来の技術】図８は従来におけるパッケージの上下サ
イズを異ならせた半導体装置１の断面図である。同図に
示されるように、半導体素子２はＴＡＢ（Tape Automat
ic Bonding）テープ３に形成されたリード４に金バンプ
５により接続されており、またこの半導体素子２は樹脂
パッケージ６により封止されている。
【０００６】樹脂パッケージ６は、リード４を挟んで上
下でそのサイズを異ならせた構成とされており、具体的
には上部パッケージ半体６ａは下部パッケージ半体６ｂ
に対して小さなサイズとされている。従って、上部パッ
ケージ半体６ａと下部パッケージ半体６ｂとの接合部分
には段差部７が形成される。
【０００７】前記した半導体素子２と金バンプ５により
接続されたリード４は、上部パッケージ半体６ａと下部
パッケージ半体６ｂとの接合部分よりパッケージ外部に
延出する構成とされている。よって、リード４は上記段
差部７において下部パッケージ半体６ｂの上面に沿って
外部に向け延出されており、かつリード４の下部パッケ
ージ半体６ｂの上面に沿った部分（参照符号４ａで示
し、以下テストパッド部と称する）は露出された構成と
されている。
【０００８】上記構成とされた半導体装置１にバーイン
を行う場合には、テストパッド部４ａにプローブを当接
して行う。このバーインの際、テストパッド部４ａは下
部パッケージ半体６ｂの上面に支持されて補強されてい
るため、リード４を狭ピッチ化してもリード４（テスト
パッド部４ａ）を損傷することはない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図９は上記の半導体装
置１の樹脂モールド工程を示す図である。同図に示すよ
うに、樹脂パッケージ６は金型８を用いて形成される。
【００１０】金型８は上部パッケージ半体６ａに対応し
たキャビティ９ａが形成された上型８ａと、下部パッケ
ージ半体６ｂに対応したキャビティ９ｂが形成された下
型８ｂとにより構成されている。
【００１１】樹脂モールド処理を行う手順としては、先
ず半導体素子２が搭載されたＴＡＢテープ３を上型８ａ
と下型８ｂとの間に挟持させる。この状態においてＴＡ
Ｂテープ３及び半導体素子２はキャビティ９ａ，９ｂが
形成する空間の略中央位置に浮いた状態で係止されてい
る。
【００１２】続いて金型８に形成されているゲート１０
よりモールド樹脂をキャビティ９ａ，９ｂ内に注入す
る。この際、上記のようにＴＡＢテープ３及び半導体素
子２はキャビティ９ａ，９ｂが形成する空間の略中央位
置に浮いた状態で係止されており、またＴＡＢテープ３
は可撓変形し易いため、注入される樹脂の樹脂圧により
ＴＡＢテープ３及びリード４に変形が生じてしまう（図
９にＴＡＢテープ３に変形が生じた状態を破線で示
す）。
【００１３】樹脂モールド処理時にＴＡＢテープ３，リ
ード４に変形が生じると、テストパッド部４ａと上型８
ａとの間に若干の間隙が形成され、この間隙にモールド
樹脂が入り込んでしまう。このようにテストパッド部４
ａと上型８ａとの間に形成される間隙にモールド樹脂が
入り込むと、樹脂モールド工程終了後にテストパッド部
４ａ上にモールド樹脂が残存した状態となり（テストパ
ッド部４ａ上に残存した樹脂を図８に参照符号６ｃで示
す）、プローブを当接してもテストパッド部４ａと導通
を図ることができずバーインを行うことができなくなる
という問題点があった。
【００１４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、リード上への樹脂の付着を防止しうる半導体装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、半導体装
置を以下の構成とすることにより解決することができ
る。
【００１６】請求項１の発明では、半導体素子と、この
半導体素子と接続されるリード部材と、少なくとも前記
半導体素子を封止するよう樹脂モールドにより形成され
ると共に、前記リード部材の配設位置に対し上部に配設
される上部パッケージ半体と、前記リード部材の配設位
置に対し下部に配設される下部パッケージ半体とにより
構成され、かつ上部パッケージ半体と下部パッケージ半
体との大きさを異ならした構成とされた樹脂パッケージ
とを具備する半導体装置において、前記上部パッケージ
半体または下部パッケージ半体の少なくとも一方に、リ
ード部材を支持する支持部材を配設したことを特徴とす
るものである。
【００１７】また、請求項２の発明では、前記支持部材
をキャップ状形状とすると共に、樹脂モールド時に樹脂
が通る通過孔を形成したことを特徴とするものである。
【００１８】また、請求項３の発明では、前記支持部材
を熱伝導性の高い絶縁性材料により形成したことを特徴
とするものである。
【００１９】また、請求項４の発明では、前記支持部材
に半導体素子と接触する接触部を形成したことを特徴と
するものである。
【００２０】また、請求項５の発明では、前記半導体素
子と接触部との間に熱可塑性の絶縁性熱伝導ペーストを
介装したことを特徴とするものである。
【００２１】更に、請求項６の発明では、前記リード部
材をＴＡＢ（Tape Automatic Bonding）テープに形成
し、かつ前記リード部材に半導体素子はバンプ接続され
ていることを特徴とするものである。また、請求項７の
発明では、上部パッケージ半体を形成する上型と、この
上部パッケージ半体と大きさの異なる下部パッケージ半
体を形成する下型とにより構成される金型を用い、上記
上型と下型との間に半導体素子と接続されたリード部材
を介装させて上型及び下型内に樹脂を充填し樹脂パッケ
ージを形成する工程を有する半導体装置の製造方法にお
いて、上記リード部材を上型と下型との間に介装する前
に、上型または下型の少なくとも一方にリード部材を支
持する支持部材を装着し、この支持部材がリード部材を
支持した状態で上型及び下型内に樹脂を充填し樹脂パッ
ケージを形成することを特徴とするものである。
【００２２】また、請求項８の発明では、上記支持部材
をキャップ状形状とすると共に、樹脂モールド時に樹脂
が通る通過孔を形成したことを特徴とするものである。
【００２３】また、請求項９の発明では、上記支持部材
に半導体素子と接触する接触部を形成したことを特徴と
するものである。
【００２４】
【作用】上記した半導体装置の各構成は、下記の各種作
用を奏する。
【００２５】請求項１及び７の発明によれば、上部パッ
ケージ半体または下部パッケージ半体の少なくとも一方
にリード部材を支持する支持部材を配設したことによ
り、樹脂モールド時におけるリード部材の変形を防止す
ることができる。よって、上部パッケージ半体と下部パ
ッケージ半体との段差部分に露出されたリード部材（テ
ストパッド部）にモールド樹脂が付着することを防止す
ることができる。また、樹脂パッケージ内に支持部材が
配設された構成となるため、半導体素子が発熱した場合
に、この支持部材が放熱機能を奏し、半導体素子の放熱
を効率良く行うことが可能となる。
【００２６】また、請求項２及び８の発明によれば、支
持部材をキャップ状形状とすることにより、リード部材
は広い面積に渡りリード部材を支持するため、リード部
材の変形をより確実に行うことができる。また、支持部
材に樹脂モールド時に樹脂が通る通過孔を形成したこと
により、上記のように支持部材をキャップ状形状とし、
広い面積でリード部材を支持する構成としても、樹脂モ
ールド時における樹脂の流れを確保することができ、こ
れによってもリード部材の変形を防止することができ
る。
【００２７】また、請求項３の発明によれば、支持部材
を熱伝導性の高い絶縁性材料により形成したことによ
り、支持部材の放熱機能を高めることができ、半導体素
子の放熱をより効率良く行うことができる。また、半導
体素子と支持部材の短絡を防止することができる。
【００２８】また、請求項４及び９の発明によれば、支
持部材に半導体素子と接触する接触部を形成したことに
より、半導体素子で発生した熱は接触部を介して直接的
に支持部材に熱伝導していくため、この構成とすること
によっても半導体素子の放熱をより効率的に行うことが
できる。
【００２９】また、請求項５の発明によれば、半導体素
子と接触部との間に熱可塑性の絶縁性熱伝導ペーストを
介装したことにより、半導体素子と支持部材の絶縁性を
確保しつつ半導体素子から支持部材への熱伝導を確保す
ることができる。
【００３０】更に、請求項６の発明によれば、リード部
材をＴＡＢテープにより構成し、かつ前記リード部材と
半導体素子をバンプ接続することにより、高集積化され
た半導体素子を用いた場合においても支持部材の変形防
止及び半導体素子の放熱を確実に行うことができる。
【００３１】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。
【００３２】図１は本発明の第１実施例である半導体装
置２１を示す断面図である。同図に示されるように、半
導体素子２２はＴＡＢテープ２３に形成されたリード２
４に金バンプ２５により接続されている。
【００３３】半導体素子２２は高集積化されたものであ
り、その上面外周部分には多数の電極が形成されてい
る。またＴＡＢテープ２３は、例えばポリイミド等の樹
脂により形成されたベースフィルム上に高導電性金属よ
りなるリード２４が形成された構成とされている。この
リード２４は、半導体素子２２の上面に形成されている
電極と対応して形成されている。
【００３４】従って、隣接するリード２４のピッチは狭
ピッチとなっており、これに伴い各リード４の強度は低
くなっている。また、ＴＡＢテープ２３のベースフィル
ムも、後述する樹脂パッケージ２６の形成性及び半導体
装置２１の薄型化の面より比較的薄い厚さ寸法とされて
おり、よってＴＡＢテープ２３は可撓変形し易い構成と
なっている。
【００３５】上記半導体素子２２とリード２４とを接続
するには、半導体素子２２の上面に形成された電極に予
め金バンプ２５を配設しておき、続いてこの電極とＴＡ
Ｂテープ２３に形成されているリード２４を位置決めし
た上で金バンプ２５とリード２４を熱溶着する。これに
より、半導体素子２２はＴＡＢテープ２３に搭載された
構成となる。このＴＡＢテープ２３に搭載された半導体
素子２２は、樹脂パッケージ２６により封止される。
【００３６】樹脂パッケージ２６は、上記したリード２
４を挟んで上下でそのサイズを異ならせた構成とされて
いる。具体的には、上部パッケージ半体２６ａは下部パ
ッケージ半体２６ｂに対して小さなサイズとされてい
る。従って、上部パッケージ半体２６ａと下部パッケー
ジ半体２６ｂとの接合部分には段差部２７が形成されて
いる。
【００３７】前記のように金バンプ２５により半導体素
子２２と接続されたリード２４は、上部パッケージ半体
２６ａと下部パッケージ半体２６ｂとの接合部分よりパ
ッケージ２６の外部に延出するよう構成とされている。
よって、リード２４は上記段差部２７において下部パッ
ケージ半体２６ｂの上面に沿って外部に向け延出されて
おり、かつリード２４の下部パッケージ半体２６ｂの上
面に沿った部分（参照符号２４ａで示し、以下テストパ
ッド部と称する）は露出された構成とされている。
【００３８】また、下部パッケージ半体２６ｂには本発
明の要部となる支持部材３０が内設されている。この支
持部材３０は、絶縁性，高熱伝導性を有した金属（例え
はアルミニウム合金等）により構成されている。
【００３９】図２は支持部材３０を拡大して示す図であ
る。図１及び図２に示されるように、支持部材３０は全
体として有底矩形状を有したキャップ形状とされてお
り、底部３１，支持部３２，柱部３３等により構成され
ている。また、底部３１，支持部３２，柱部３３の所定
位置には複数の通過孔３４が形成されている。上記構成
を有する支持部材３０は、アルミニウム合金板をプレス
加工により形成されるためその作成に関し困難を伴うも
のではなく、また安価に作成することができる。
【００４０】支持部材３０は、樹脂パッケージ２６にイ
ンサートされた状態において底部３１が下部パッケージ
半体２６ｂの底面に露出或いは近接した状態となってお
り、また支持部３２はＴＡＢテープ２３の下面と当接す
ることによりＴＡＢテープ２３及びリード２４を支持し
ている。
【００４１】尚、前記のように支持部材３０はキャップ
形状を有しているため、支持部材３０を樹脂パッケージ
２６内にインサートしても半導体素子２２の配設に影響
を与えるものではない。また、支持部材３０は樹脂パッ
ケージ２６の色と同一の色に着色（例えば絶縁性の黒色
アルマイト処理等により）されているため、支持部材３
０が下部パッケージ半体２６ｂの底面に露出した構成と
しても製品外観を損なうものではない。
【００４２】上記構成とされた支持部材３０を樹脂パッ
ケージ２６の内部に配設することにより、半導体素子２
２から発生する熱を効率よく放熱することができる。即
ち、支持部材３０はモールド樹脂よりも熱伝導性が良好
な金属により構成されており、また支持部材３０は発熱
体となる半導体素子２２を囲繞するよう構成されてお
り、更に底部３１は図１及び図２に示されるようにその
面積が大で下部パッケージ半体２６ｂの底面に露出或い
は近接した構成である。このため、支持部材３０は半導
体素子２２から発生する熱を効率よく外部に放熱するこ
とができる。
【００４３】図３は上記の半導体装置１の樹脂モールド
工程を示す図である。同図に示すように、樹脂パッケー
ジ２６は金型２８を用いて形成される。
【００４４】金型２８は上部パッケージ半体２６ａに対
応したキャビティ２９ａが形成された上型２８ａと、下
部パッケージ半体２６ｂに対応したキャビティ２９ｂが
形成された下型２８ｂとにより構成されている。この金
型２８自体は、前記した従来の半導体装置１の樹脂モー
ルド工程で用いた金型８（図Ｂ参照）と同一であり、よ
って本発明に係る半導体装置２１を製造するに際し、金
型変更を行う必要はないため製品コストの上昇を押さえ
ることができる。
【００４５】樹脂モールド処理を行う手順としては、先
ず下型２８ｂのキャビティ２９ｂ内の所定位置に支持部
材３０を配置する。この際、支持部材３０の位置決め用
凹部（底部３１と対応した形状としておく）をキャビテ
ィ２９ｂの底面に形成しておくことにより、支持部材３
０の位置決めを容易に行うことができる。また、この構
成とした場合には支持部材３０の底部３１は下部パッケ
ージ半体２６ｂの底面に確実に露出した状態となり放熱
性を向上させる構成とすることができる。
【００４６】上記の如く支持部材３０が下型２８ｂに設
置されると、続いて半導体素子２２が搭載されたＴＡＢ
テープ２３を上型２８ａと下型２８ｂとの間に挟持させ
る。この状態において、支持部材３０に形成されている
支持部３２はＴＡＢテープ２３（具体的には、テストパ
ッド部２４ａとなる下部位置）と当接することによりＴ
ＡＢテープ２３を支持する。
【００４７】続いて金型２８に形成されているゲート３
８よりモールド樹脂をキャビティ２９ａ，２９ｂ内に注
入する。この際、上記のようにテストパッド部２４ａの
下部位置は、支持部材３０に形成されている支持部３２
により支持されているため、ＴＡＢテープ２３が可撓変
形し易い構成であっても、注入される樹脂の樹脂圧によ
りＴＡＢテープ２３及びリード２４が変形することを確
実に防止することができる。
【００４８】従って、金型２８とＴＡＢテープ２３及び
リード２４との間に間隙が形成されることはなくなり、
これに伴い樹脂モールド後にテストパッド部２４ａ上に
モールド樹脂が残存することを防止することができる。
【００４９】また、上記の樹脂注入に際し、支持部材３
０には複数の通過孔３４が形成されているため、モール
ド樹脂はこの通過孔３４を通過してキャビティ２９ａ，
２９ｂ内に進行していく。従って、支持部材３０を設け
てもモールド樹脂の流出抵抗が大きくなることはなく樹
脂圧も低く保たれる。よって、支持部材３０に通過孔３
４を設けることによってもＴＡＢテープ２３及びリード
２４の変形発生を抑制することができる。
【００５０】上記の如く形成された半導体装置２１にバ
ーインを行う場合には、テストパッド部２４ａにプロー
ブを当接して行う。しかるに、このバーインの際、テス
トパッド部２４ａ上にはモールド樹脂が残存しているこ
とはなく、かつテストパッド部２４ａは下部パッケージ
半体２６ｂの上面に支持されて補強されているため、バ
ーインを確実に、かつテストパッド部２４ａを損傷する
ことはなく実施することができる。
【００５１】図４は、本発明の第２実施例である半導体
装置５１を示す断面図である。尚、同図に示す半導体装
置５１において図１に示した第１実施例に係る半導体装
置２１と同一構成部分については同一符号を付してその
説明を省略する。
【００５２】第２実施例に係る半導体装置５１は、支持
部材３０の底部３１において、半導体素子２２と対向す
る部位を半導体素子２２に向け突出させて接触部３５を
形成したことを特徴とするものである。
【００５３】この接触部３５の突出量は、その上面に半
導体素子２２が載置される程度の突出量に設定されてお
り、半導体素子２２と接触部３５との間に熱可塑性の絶
縁性熱伝導ペースト剤３８が介装されている。このペー
スト剤３８により半導体素子２２と接触部３５は接合さ
れた構成とされている。
【００５４】上記のように、半導体素子２２と接触部３
５とを直接接合することにより、半導体素子２２で発生
した熱を直接熱伝導率の良好な支持部材３０に放熱する
ことができるため、放熱効率をより高めることができ
る。
【００５５】尚、接触部３５は、支持部材３０の形成時
に、前記した底部３１，支持部３２，柱部３３及び通過
孔３４等と共に一括的に形成することが可能であり、接
触部３５を形成するに際し特に困難を要するものではな
い。
【００５６】図５は、本発明の第３実施例である半導体
装置６１を示す断面図である。尚、同図に示す半導体装
置６１においても、図１に示した第１実施例に係る半導
体装置２１と同一構成部分については同一符号を付して
その説明を省略する。
【００５７】第３実施例に係る半導体装置６１は、支持
部材４０の支持部４２を内側に折曲形成し、特に樹脂モ
ールド時に間隙が発生し易いパーティングライン部４６
の支持を確実に行いうるよう構成したことを特徴とする
ものである。尚、図６は本実施例に係る支持部材４０を
拡大して示す図である。
【００５８】このように、支持部４２を内側に折曲形成
してパーティングライン部４６におけるＴＡＢテープ２
３の支持を確実とすることにより、樹脂漏れをより確実
に防止することができる。また、支持部４２が内側に折
曲形成されることにより支持部材４０（支持部４２）は
発熱体である半導体素子２２により近接した構成となる
ため、半導体素子２２で発生する熱をより有効に放熱す
ることができる。
【００５９】図７は、本発明の第４実施例である半導体
装置７１を示す断面図である。尚、同図に示す半導体装
置７１においても、図１に示した第１実施例に係る半導
体装置２１と同一構成部分については同一符号を付して
その説明を省略する。
【００６０】第４実施例に係る半導体装置７１は、前記
第３実施例に係る半導体装置６１に設けられた支持部材
４０の底部４１に接触部４５を形成したことを特徴とす
るものである。この接触部４５は、底部４１の半導体素
子２２と対向する部位を半導体素子２２に向け突出させ
た構成とされている。また、接触部４５の具体的構成は
第２実施例で説明した接触部３５と同一構成とされてい
るため、その説明は省略する。
【００６１】尚、上記した各実施例においては、上部パ
ッケージ半体２６ａが下部パッケージ半体２６ｂよりも
小さなサイズとされた構成を示したが、上部パッケージ
半体が下部パッケージ半体よりも大きなサイズとされた
半導体装置に対しても本願発明を適用できることは勿論
である。また、この構成の場合には支持部材は上部パッ
ケージ半体に配設された構成となる。
【００６２】
【発明の効果】上述の如く本発明にれば、下記のような
効果を奏する。
【００６３】請求項１の発明によれば、樹脂モールド時
におけるリード部材の変形を防止することができため、
上部パッケージ半体と下部パッケージ半体との段差部分
に露出されたリード部材（テストパッド部）にモールド
樹脂が付着することを防止することができると共に、半
導体素子が発熱した場合に支持部材が放熱機能を奏する
ため半導体素子の放熱を効率良く行うことが可能とな
る。
【００６４】また、請求項２の発明によれば、リード部
材は広い面積に渡りリード部材を支持するためリード部
材の変形をよりを確実に行うことができ、また支持部材
に樹脂モールド時に樹脂が通る通過孔を形成したことに
より、樹脂モールド時における樹脂の流れを確保するこ
とができ、これによってもリード部材の変形を防止する
ことができる。
【００６５】また、請求項３の発明によれば、支持部材
の放熱機能を高めることができ、半導体素子の放熱をよ
り効率良く行うことができる。
【００６６】また、請求項４の発明によれば、半導体素
子で発生した熱は接触部を介して直接的に支持部材に熱
伝導していくため半導体素子の放熱をより効率的に行う
ことができる。
【００６７】また、請求項５の発明によれば、半導体素
子と支持部材の絶縁性を確保しつつ半導体素子から支持
部材への熱伝導を確保することができる。
【００６８】更に、請求項６の発明によれば、高集積化
された半導体素子を用いた場合においても支持部材の変
形防止及び半導体素子の放熱を確実に行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である半導体装置の断面図
である。
【図２】第１実施例である半導体装置に設けられる支持
部材を拡大して示す図である。
【図３】本発明の第１実施例である半導体装置の樹脂モ
ールド工程を説明するための図である。
【図４】本発明の第２実施例である半導体装置の断面図
である。
【図５】本発明の第３実施例である半導体装置の断面図
である。
【図６】第３実施例である半導体装置に設けられる支持
部材を拡大して示す図である。
【図７】本発明の第４実施例である半導体装置の断面図
である。
【図８】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図９】従来の半導体装置の樹脂モールド工程を説明す
るための図である。
【符号の説明】
２１，５１，６１，７１ 半導体装置 ２２ 半導体素子 ２３ ＴＡＢテープ ２４ リード ２４ａ テストパッド部 ２５ 金バンプ ２６ 樹脂パッケージ ２６ａ 上部パッケージ半体 ２６ｂ 下部パッケージ半体 ２７ 段差部 ２８ 金型 ２８ａ 上型 ２８ｂ 下型 ２９ａ，２９ｂ キャビティ ３０，４０ 支持部材 ３１，４１ 底部 ３２，４２ 支持部 ３３，４３ 柱部 ３４，４４ 通過孔 ３５，４５ 接触部 ３６ ペースト剤 ３８ ゲート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ (72)発明者 竹中 正司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 佐久間 正夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通オートメーション株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子（２２）と、 該半導体素子（２２）と接続されるリード部材（２４）
    と、 少なくとも該半導体素子（２２）を封止するよう樹脂モ
    ールドにより形成されると共に、該リード部材（２４）
    の配設位置に対し上部に配設される上部パッケージ半体
    （２６ａ）と、該リード部材（２４）の配設位置に対し
    下部に配設される下部パッケージ半体（２６ｂ）とによ
    り構成され、かつ該上部パッケージ半体（２６ａ）と下
    部パッケージ半体（２６ｂ）との大きさを異ならした構
    成とされた樹脂パッケージ（２６）とを具備する半導体
    装置において、 上記上部パッケージ半体（２６ａ）または下部パッケー
    ジ半体（２６ｂ）の少なくとも一方に、該リード部材
    （２４）を支持する支持部材（３０，４０）を配設した
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 該支持部材（３０，４０）をキャップ状
    形状とすると共に、樹脂モールド時に樹脂が通る通過孔
    （３４，４４）を形成してなることを特徴とする請求項
    １記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 該支持部材（３０，４０）を熱伝導性の
    高い絶縁性材料により形成してなることを特徴とする請
    求項１又は２の半導体装置。
  4. 【請求項４】 該支持部材（３０，４０）に該半導体素
    子（２２）と接触する接触部（３５，４５）を形成して
    なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載
    の半導体装置。
  5. 【請求項５】 該半導体素子（２２）と該接触部（３
    ５，４５）との間に熱可塑性の絶縁性熱伝導ペースト
    （３６）を介装してなることを特徴とする請求項４記載
    の半導体装置。
  6. 【請求項６】 該リード部材（２４）はＴＡＢ（Tape A
    utomatic Bonding）テープ（２３）に形成されており、
    該リード部材（２４）と該半導体素子（２２）はバンプ
    接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいず
    れかに記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 上部パッケージ半体（２６ａ）を形成す
    る上型（２８ａ）と、該上部パッケージ半体（２６ａ）
    と大きさの異なる下部パッケージ半体（２６ｂ）を形成
    する下型（２８ｂ）とにより構成される金型（２８）を
    用い、該上型（２８ａ）と該下型（２８ｂ）との間に半
    導体素子（２２）と接続されたリード部材（２４）を介
    装させて該上型（２８ａ）及び該下型（２８ｂ）内に樹
    脂を充填し樹脂パッケージ（２６）を形成する工程を有
    する半導体装置の製造方法において、 該リード部材（２４）を該上型（２８ａ）と該下型（２
    ８ｂ）との間に介装する前に、該上型（２８ａ）または
    該下型（２８ｂ）の少なくとも一方に該リード部材（２
    ４）を支持する支持部材（３０，４０）を装着し、該支
    持部材（３０，４０）が該リード部材（２４）を支持し
    た状態で該上型（２８ａ）及び該下型（２８ｂ）内に樹
    脂を充填し樹脂パッケージ（２６）を形成することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 該支持部材（３０，４０）をキャップ状
    形状とすると共に、樹脂モールド時に樹脂が通る通過孔
    （３４，４４）を形成してなることを特徴とする請求項
    ７記載の半導体装置。
  9. 【請求項９】 該支持部材（３０，４０）に該半導体素
    子（２２）と接触する接触部（３５，４５）を形成して
    なることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体
    装置。
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US08/602,269 US5656864A (en) 1993-09-09 1996-02-16 Semiconductor device having upper and lower package bodies and manufacturing method thereof

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5767527A (en) * 1994-07-07 1998-06-16 Fujitsu Limited Semiconductor device suitable for testing
KR20030024553A (ko) * 2001-09-18 2003-03-26 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체장치
KR100478679B1 (ko) * 1997-12-29 2005-07-11 삼성전자주식회사 고밀도실장용반도체패키지및이를성형하는반도체패키지제조금형
CN104979673A (zh) * 2014-04-04 2015-10-14 阿尔卑斯电气株式会社 电子部件

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69620564T2 (de) * 1996-01-25 2003-01-30 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Kunststoffkörper eines Leitungshalbleiters zur Oberflächenmontage mit optimierten charakteristischen Abmessungen zur Benutzung von Standard-Transport- und Testhaltern
US5872395A (en) * 1996-09-16 1999-02-16 International Packaging And Assembly Corporation Bent tip method for preventing vertical motion of heat spreaders during injection molding of IC packages
US6111315A (en) * 1997-01-21 2000-08-29 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with offset die pad
JP2907186B2 (ja) * 1997-05-19 1999-06-21 日本電気株式会社 半導体装置、その製造方法
JP3147071B2 (ja) * 1998-01-19 2001-03-19 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
TW418511B (en) * 1998-10-12 2001-01-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Packaged device of exposed heat sink
TW388976B (en) * 1998-10-21 2000-05-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with fully exposed heat sink
JP3724979B2 (ja) * 1999-04-27 2005-12-07 富士通株式会社 半導体装置
US6188130B1 (en) 1999-06-14 2001-02-13 Advanced Technology Interconnect Incorporated Exposed heat spreader with seal ring
US6614102B1 (en) 2001-05-04 2003-09-02 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor leadframe package
US6707168B1 (en) * 2001-05-04 2004-03-16 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor package with single-sided substrate and method for making the same
US6455929B1 (en) * 2001-06-05 2002-09-24 Actron Technology Corporation Embedded type package of power semiconductor device
US7126218B1 (en) 2001-08-07 2006-10-24 Amkor Technology, Inc. Embedded heat spreader ball grid array
US6737750B1 (en) 2001-12-07 2004-05-18 Amkor Technology, Inc. Structures for improving heat dissipation in stacked semiconductor packages
TWI249232B (en) * 2004-10-20 2006-02-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Heat dissipating package structure and method for fabricating the same
US7629674B1 (en) 2004-11-17 2009-12-08 Amkor Technology, Inc. Shielded package having shield fence
KR100652405B1 (ko) * 2005-03-28 2006-12-01 삼성전자주식회사 수지누설을 억제할 수 있는 반도체 패키지 몰드 금형 및이를 이용한 반도체 패키지 제조방법
JP2007184351A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
US7342303B1 (en) 2006-02-28 2008-03-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having RF shielding and method therefor
US20070290303A1 (en) * 2006-06-07 2007-12-20 Texas Instruments Deutschland Gmbh Dual leadframe semiconductor device package
US7898066B1 (en) 2007-05-25 2011-03-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having EMI shielding and method therefor
US7745910B1 (en) 2007-07-10 2010-06-29 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having RF shielding and method therefor
US7989931B2 (en) 2007-09-26 2011-08-02 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with under paddle leadfingers
US7902644B2 (en) * 2007-12-07 2011-03-08 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system for electromagnetic isolation
US8507319B2 (en) * 2007-12-07 2013-08-13 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with shield
US8013440B2 (en) * 2008-03-28 2011-09-06 Conexant Systems, Inc. Enhanced thermal dissipation ball grid array package
US8008753B1 (en) 2008-04-22 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. System and method to reduce shorting of radio frequency (RF) shielding
US7915715B2 (en) * 2008-11-25 2011-03-29 Amkor Technology, Inc. System and method to provide RF shielding for a MEMS microphone package
US8129824B1 (en) 2008-12-03 2012-03-06 Amkor Technology, Inc. Shielding for a semiconductor package
US8102032B1 (en) 2008-12-09 2012-01-24 Amkor Technology, Inc. System and method for compartmental shielding of stacked packages
US8012868B1 (en) 2008-12-15 2011-09-06 Amkor Technology Inc Semiconductor device having EMI shielding and method therefor
US7851894B1 (en) 2008-12-23 2010-12-14 Amkor Technology, Inc. System and method for shielding of package on package (PoP) assemblies
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8093691B1 (en) 2009-07-14 2012-01-10 Amkor Technology, Inc. System and method for RF shielding of a semiconductor package
US20110012240A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Chenglin Liu Multi-Connect Lead
US8362598B2 (en) * 2009-08-26 2013-01-29 Amkor Technology Inc Semiconductor device with electromagnetic interference shielding
US8199518B1 (en) 2010-02-18 2012-06-12 Amkor Technology, Inc. Top feature package and method
US8946886B1 (en) 2010-05-13 2015-02-03 Amkor Technology, Inc. Shielded electronic component package and method
US8508023B1 (en) 2010-06-17 2013-08-13 Amkor Technology, Inc. System and method for lowering contact resistance of the radio frequency (RF) shield to ground
US8552540B2 (en) 2011-05-10 2013-10-08 Conexant Systems, Inc. Wafer level package with thermal pad for higher power dissipation
JP6171402B2 (ja) * 2013-03-01 2017-08-02 セイコーエプソン株式会社 モジュール、電子機器、および移動体
US9165855B1 (en) * 2014-07-02 2015-10-20 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device with die attached heat spreader
US10504806B2 (en) 2016-05-06 2019-12-10 Stmicroelectronics S.R.L. Semiconductor package with electrical test pads
US10177095B2 (en) 2017-03-24 2019-01-08 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and method of manufacturing thereof
US10497650B2 (en) 2017-04-13 2019-12-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3585272A (en) * 1969-10-01 1971-06-15 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor package of alumina and aluminum
JPS564255A (en) * 1979-06-25 1981-01-17 Hitachi Ltd Semiconductor device sealed up with resin
JPH0249455A (ja) * 1988-08-10 1990-02-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2530056B2 (ja) * 1989-09-14 1996-09-04 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH03101256A (ja) * 1989-09-14 1991-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH04129253A (ja) * 1990-09-20 1992-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JP3051570B2 (ja) * 1991-06-07 2000-06-12 新光電気工業株式会社 リードフレーム及び半導体装置
US5378924A (en) * 1992-09-10 1995-01-03 Vlsi Technology, Inc. Apparatus for thermally coupling a heat sink to a lead frame

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5767527A (en) * 1994-07-07 1998-06-16 Fujitsu Limited Semiconductor device suitable for testing
US5904506A (en) * 1994-07-07 1999-05-18 Fujitsu Limited Semiconductor device suitable for testing
KR100478679B1 (ko) * 1997-12-29 2005-07-11 삼성전자주식회사 고밀도실장용반도체패키지및이를성형하는반도체패키지제조금형
KR20030024553A (ko) * 2001-09-18 2003-03-26 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체장치
CN104979673A (zh) * 2014-04-04 2015-10-14 阿尔卑斯电气株式会社 电子部件
CN104979673B (zh) * 2014-04-04 2017-08-25 阿尔卑斯电气株式会社 电子部件

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