JPH0774115A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 平行平板電極構造ではプラズマを発生させる
ことができない高真空下でも高密度なプラズマを発生さ
せることができ、しかも半導体ウエハ等の被処理体を汚
染することなく、被処理体に対して均一な超微細加工を
行なうことができるプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 本プラズマ処理装置は、処理容器１１内に設
けられたガス供給部１１Ｃから処理容器１１内へ供給さ
れた処理用ガスで処理するための半導体ウエハＷを支持
する、処理容器１１内に配設されたサセプタ１２を備
え、高周波電圧の印加によりこの高周波電圧に同期して
半導体ウエハＷに沿って平行に高周波電磁界を形成する
と共に処理用ガスをプラズマ化する電磁波を生起する４
個のコイル１３Ａを処理容器１１の外周に設けたもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマ処理装置は、処理用ガスの存在
する処理容器内で真空放電させてプラズマを発生させ、
このプラズマを利用して被処理体に所定の処理を施すよ
うに構成されている。このプラズマ処理装置は、従来か
ら半導体製造工程における、スパッタリング工程、アッ
シング工程、ＣＶＤ工程、あるいはエッチング工程など
で広く用いられている。

【０００３】このようなプラズマ処理装置としては例え
ば平行平板電極を備えたプラズマ処理装置が従来から知
られている。このプラズマ処理装置は、真空排気により
減圧空間を形成する処理容器と、この処理容器内の下方
に配設され且つ被処理体としての半導体ウエハを保持す
る下部電極と、この下部電極に対向して配設された上部
電極と、これら両電極間に高周波電圧を印加してプラズ
マを発生させる高周波電源を備えて構成されている。ま
た、上記上部電極上面には処理用のガスを受給する受給
口が形成され、またその下面には受給したガスを処理容
器内へ供給するガス供給孔が分散形成され、このガス供
給孔からプラズマ処理用のガスを処理容器内に供給し、
処理後のガスを処理容器に形成された排気口から排出す
るように構成されている。

【０００４】従って、上記プラズマ処理装置を用いて半
導体ウエハをプラズマ処理するには、低真空に減圧され
た処理容器内にガス供給孔からプラズマ処理用のガスを
供給すると共に、高周波電源により下部電極と上部電極
との間に高周波電圧を印加してこれらの間での放電によ
りプラズマを発生させ、このプラズマの活性種により下
部電極２上の半導体ウエハに対して所定のプラズマ処理
を行なうようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような平行平板電極構造を有する従来のプラズマ処理装
置の場合には、処理容器内で上下の電極に高周波電圧を
印加し、これら両電極間で放電させることによりプラズ
マを発生させるようにしているため、放電開始電圧、電
極間距離及びガス圧力との関係により放電ガス圧力が制
約され、上下の電極間でプラズマを安定的に発生させる
ガス圧力としては０.５Torr程度の圧力が真空度の限界
で、それ以上の高真空下ではプラズマを発生させること
ができないという課題があった。また、最近では半導体
ウエハが益々超微細加工化して益々微細で深い形状の溝
加工などが必要になって来ているが、従来のプラズマ処
理装置では比較的処理圧力が高いため、活性種が相互に
衝突して直進できなくなり、半導体ウエハの微細加工に
支障をきたし、このような最近の微細加工の要求に応え
ることができないという課題があった。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、平行平板電極構造ではプラズマを発生させ
ることができない高真空下でも高密度なプラズマを発生
させることができ、しかも半導体ウエハ等の被処理体を
汚染することなく、被処理体に対して均一な超微細加工
を行なうことができるプラズマ処理装置を提供すること
を目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のプラズマ処理装置は、処理容器内に設けられたガス供
給部から供給された処理用ガスにより処理するための被
処理体を支持する、上記処理容器内に配設された支持体
を備え、高周波電圧の印加によりこの高周波電圧に同期
して上記被処理体に沿って平行に高周波電磁界を形成す
ると共に上記処理用ガスをプラズマ化する電磁波を生起
する複数の誘導手段を上記処理容器の外周に設けたもの
である。

【０００８】また、本発明の請求項２に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１に記載の発明において、上記処理
容器は上記複数の誘導手段に対向配置された上記処理容
器の壁面の少なくとも一部を誘電性材料によって形成し
たものである。

【０００９】また、本発明の請求項３に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１または請求項２に記載の発明にお
いて、上記複数の誘導手段は、互いに位相差を付けた高
周波電圧が印加されて高周波回転電磁界を上記処理容器
内で形成するものである。

【００１０】また、本発明の請求項４に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載
の発明において、上記複数の誘導手段を静電結合防止部
材を介して上記処理容器に設けたものである。

【００１１】また、本発明の請求項５に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載
の発明において、上記ガス供給部は、上記被処理体と対
向する誘電性材料からなる面に均等に分散配置されたガ
ス供給孔を有するものである。

【００１２】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、ガス
供給部から処理容器内へ処理用ガスを供給し、複数の誘
導手段に高周波電圧を印加すると電磁波を生起し、この
電磁波により処理用ガスをプラズマ化すると共に、複数
の誘導手段により被処理体の被処理面に沿って平行に高
周波電磁界を形成して処理用ガスのプラズマを均質化す
ることができる。

【００１３】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明において、上記処理容器は
上記複数の誘導手段に対向配置された上記処理容器の壁
面の少なくとも一部を誘電性材料によって形成したた
め、処理容器の壁面で高周波電磁界を遮蔽することなく
その内部で高周波電磁界を形成することができる。

【００１４】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記複数の誘導手段は、互いに位相差を付けた高周波電
圧が印加されて高周波回転電磁界を上記処理容器内で形
成するようにしたため、高周波電磁界が被処理体の被処
理面に対して平行に高速回転して処理用ガスのプラズマ
を均質化することができる。

【００１５】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の発明
において、上記複数の誘導手段を静電結合防止部材を介
して上記処理容器に設けたため、上記複数の誘導手段か
らの電磁波のうち静電結合成分が処理容器内に入るのを
静電結合防止部材により防止して処理容器内面での帯電
を防止することができる。

【００１６】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の発明
において、上記ガス供給部は、上記被処理体と対向する
誘電性材料からなる面に均等に分散配置されたガス供給
孔を有するため、プラズマ発生領に接する内面が誘電性
材料からなり、複数の誘導手段により生起する電磁波が
プラズマ発生領域で乱れることなくガス供給孔から補充
される処理用ガスに対して均一に作用し、これにより均
質なプラズマを発生することができる。

【００１７】

【実施例】以下、図１及び図２に示す実施例の基づいて
本発明を説明する。本実施例のプラズマ処理装置は、図
１、図２に示すように、内部を外部から密封し高真空を
保持し得る処理容器１１と、この処理容器１１内に配設
され且つ被処理体としての半導体ウエハＷを、被処理面
を上にして水平に保持する導電性のサセプタ１２とを備
えている。上記処理容器１１の外周には後述の高周波回
転電磁界Ｂを発生すると共にこの磁界に電磁波を生起し
てその内部でプラズマを発生させる複数の誘導手段、例
えば４個のコイル１３Ａが設けられている。この処理容
器１１の中心軸と、高周波回転電磁界Ｂの回転中心軸
と、半導体ウエハＷの中心は、後述の各部材が互いに一
致するように配設されていることが好ましい。

【００１８】また、上記処理容器１１は、図１に示すよ
うに、上記高周波回転磁界Ｂを印加する印加部１１Ａ
と、この印加部１１Ａの下方に接続され且つ上記サセプ
タ１２上の半導体ウエハＷを高周波回転電磁界によるプ
ラズマにより半導体ウエハＷの処理が行なわれる処理部
１１Ｂとを備えている。上記印加部１１Ａは例えば石
英、セラミックス等の絶縁性材料または誘電性材料によ
って円筒状に形成され、その上端及び下端がそれぞれ開
口した円筒体からなり、また上記処理部１１Ｂは、例え
ばアルミニウム等の導電性材料によって形成され、下端
が閉塞された円筒体からなっている。この処理部１１Ｂ
は、上記印加部１１Ａの内径に合わせて形成された開口
部を上面に有し、この開口部に上記印加部１１ＡがＯリ
ング等のシール部材１４を介して内部の気密を保持する
ように取り付けられている。そして、この処理部１１Ｂ
の内面にはアルマイト加工が施され、グランド電位を保
持するようにアースされている。また、上記印加部１１
Ａの上端開口には処理用ガスを供給するガス供給部１１
ＣがＯリング等のシール部材１４を介して取り付けら
れ、このシール部材１４によって内部の気密を保持する
ように構成されている。このガス供給部１１Ｃは、上記
処理部１１Ｂを構成する面が例えば石英、セラミックス
等の誘電性材料によって形成され、また、それ以外の部
分が例えばアルミニウム等の導電性材料によって扁平な
中空円盤として形成されている。そして、このガス供給
部１１Ｃの上面中央にはガス受給口１１Ｄが形成され、
また、誘電性材料からなる下壁にはガス受給口１１Ｄか
ら供給された処理用ガスをこの処理容器１１内に均等に
供給するガス供給孔１１Ｅが多数分散して形成されてい
る。これらのガス供給孔１１Ｅは、内径、配置を必要に
応じて種々の態様で形成することができる。また、処理
部１１Ｂには真空ポンプ等の排気手段５０に連通する排
気口１１Ｆが設けられ、この排気口１１Ｆから処理後の
ガス等を排気するように構成されている。そして、排気
口１１Ｆは回転対称になるように処理部１１Ｆに複数設
けることにより、処理部１１Ｆ内でのプラズマの偏りを
抑制することができる。このガス供給部１１Ｃも上記処
理部１１Ｂと同様にアースされている

【００１９】また、上記サセプタ１２は上記印加部１１
Ｂ及び上記ガス供給部１１Ｃと同様にアルマイト加工さ
れたアルミニウムによって形成されている。また、この
サセプタ１２にはコンデンサ１５、マッチング回路１６
及び例えば１３.５６ＭＨzの高周波電圧を印加するため
の高周波電源１７が接続され、プラスマ処理時にこの高
周波電圧により上記サセプタ１２が負に自己バイアスさ
れるように構成されている。このバイアス電圧は、半導
体ウエハＷの処理内容に応じて高周波電源１７からの印
加電圧を適宜制御することにより調整することができ、
この調整電圧により半導体ウエハＷに対して所望のプラ
ズマ処理を施すことができるように構成されている。

【００２０】また、上記誘導手段である４つのコイル１
３Ａは上記印加部１１Ａを四方から囲み、各コイル１３
Ａに対して高周波電源１３Ｂがそれぞれ接続され、各高
周波電源１３Ｂにより数１００ＫＨz〜１００ＭＨz、例
えば１３.５６ＭＨzの高周波電圧がそれぞれ印加されて
いる。そして、各上記高周波電源１３Ｂによって例えば
図２の右側のコイル１３Ａから反時計周りにそれぞれπ
／２の位相差をつけた高周波電圧（右側のコイル１３Ａ
を基準にして反時計周りにそれぞれの電圧がＶsinωt、
Ｖsin(ωt+π/2)、Ｖsin(ωt+π)、Ｖsin(ωt+3π/2)と
なる）が４つのコイル１３Ａにそれぞれ印加され、上記
印加部１１Ａ内で高周波回転電磁界Ｂを形成するように
構成されている。また、上記各コイル１３Ａはそれぞれ
の高周波電源１３Ｂからの供給電力によりプラズマ発生
用の電磁波または電磁エネルギーを生起するアンテナと
しての役割を有し、その供給電力としては例えば５００
〜３ＫＷが好ましい。そのため、以下の説明ではコイル
１３Ａを必要に応じてアンテナ１３Ａともいう。そし
て、本実施例では、コイル１３Ａは、図３に示すように
１本の金属線を印加部１１Ａの外面に沿って折曲形成さ
れた１ターンコイルからなっている。これらのコイル１
３Ａは、図１〜図３に示すように、例えばフェライト系
の材料によって形成された筒体５１（図３参照）を介し
て印加部１１Ａの外周面に取り付けられている。この筒
体５１は、処理中に帯電する印加部１１Ａとの静電結合
を防止し、アンテナ１３Ａから生起される電磁波のうち
の静電結合成分が印加部１１Ａ内に入るのを阻止する機
能を有している。尚、図３では高周波電源１３Ｂが１個
のコイル１３Ａにのみ接続されているが、実際は他のコ
イル１３Ａにも図１、図２で示すように高周波電源１３
Ｂが接続されている。そのため、筒体５１により印加部
１１Ａ内周面で負電位が生じる虞がなくなり、その結
果、この負電位に基づいた印加部１１Ａ内壁でのスパッ
タリング現象がなく、印加部１１Ａ内壁の材料などがプ
ラズマ中に弾き出されることがなく、処理容器１１内面
の材料に起因した不純物の混入を防止することができ
る。この筒体５１は省略することもできるが、その場合
には各コイル１３Ａは印加部１１Ａ外周面に直接取り付
けても良いし、また、印加部１１Ａ外周面との間に所定
間隔を空けて取り付けても良い。また、各コイル１３Ａ
はそのインピーダンスを増大させないように上述のよう
に１ターンコイル、または２ターンコイルとして形成さ
れていることが好ましいが、必ずしもこのような形状に
制限されるものではない。尚、図１〜図３において、１
３Ｃはマッチング回路である。

【００２１】そして、上記コイル１３Ａにより印加部１
１Ａ内のプラズマ発生領域に発生する高周波回転電磁界
Ｂは、水平に延び、上記サセプタ１２と上記ガス供給部
１１Ｃ間に形成される電界Ｅと直交する。この高周波回
転磁界Ｂと、上記コイル１３Ａからの電磁波及び／また
は電界の作用により処理用ガスは電離してプラズマを発
生し、しかもそのプラズマを高密度化する。そのため、
０.００５Torr以下の高真空中であっても、処理用ガス
から均質で高密度のプラズマを得ることができる。この
プラズマの発生には水平な高周波回転磁界Ｂを使用して
いるため、磁力線が半導体ウエハＷを横切ることがな
く、半導体ウエハＷ内で渦電流を生じない。従って、半
導体ウエハＷでの電流がサセプタ１２を介して流出する
虞がなく、その結果、例えば配線の断線などの障害を起
こす虞がない。

【００２２】次に、上記プラズマ処理装置を用いたプラ
ズマ処理の動作について説明する。まず、処理容器１１
内のサセプタ１２上に半導体ウエハＷを、被処理面を上
にして水平に載置した後、処理容器１１内を排気口１１
Ｆを介して例えば０.００５Torr以下の高真空にした
後、この排気を続けながらガス供給部１１Ｃのガス供給
孔１１Ｅから処理容器１１内へエッチングガス、膜形成
用ガスなどの処理用ガスを供給し、更に４個のコイル１
３Ａから高周波電圧を印加する。その結果、印加部１１
Ａ内では水平な高周波回転磁界Ｂが発生すると共に各コ
イル１３Ａから電磁波が供給され、処理用ガスのプラズ
マを発生する。この際、各コイル１３Ａの高周波電圧に
はそれぞれ反時計方向へπ／２の位相差があるため、高
周波電磁界Ｂの印加方向も反時計方向へ順次回転して印
加部１１Ａ内で回転する高周波電磁界Ｂ、即ち高周波回
転電磁界Ｂを形成する。そして、この高周波回転電磁界
Ｂの作用によりプラズマを均質化する。この時、印加部
１１Ａでは各アンテナ１３Ａにより形成される電磁界に
より生成された電子はＥ×Ｂドリフトを生じるため、更
に高密度なプラズマが生成する。このようにして形成さ
れた高密度で均質なプラズマがサセプタ１２上の半導体
ウエハＷを覆い、プラズマ電位とサセプタ１２の自己バ
イアス電位との電位差によりプラズマ中のイオンが半導
体ウエハＷ側に引き出されて半導体ウエハＷに対して所
定のプラズマ処理を行なう。この際、印加部１１Ａ内で
は排気が続けられながらガス供給部１１Ｃから連続的に
ガスが供給されているため、プラズマに処理用ガスが順
次補充され、均質なプラズマを維持すると共に、既に発
生したプラズマを下方へ供給してプラズマ処理を促進す
る。

【００２３】以上説明したように本実施例によれば、処
理容器１１外部の４個のコイル１３Ａにより処理容器１
１の印加部１１Ａ内に高周波回転電磁界Ｂを形成すると
共に電磁波を供給してプラズマを発生させるようにした
ため、従来のように平行平板電極間のギャップ長に制約
されることがなくプラズマを発生させることができ、処
理容器１１内を従来より１桁ないし２桁程度、例えば
０.００５Torr以下の高真空にしてもプラズマを発生さ
せることができ、それだけ超微細加工の要求に即したプ
ラズマ処理を行なうことができる。また、処理容器１１
内にプラズマ発生用の電極が存在しないため、処理容器
１１内で不純物を発生する虞がなく、半導体ウエハＷを
汚染することがない。しかも本実施例によれば、半導体
ウエハＷの処理中プラズマが回転しているため、常に均
質なプラズマを維持することができ、もって半導体ウエ
ハＷ全面に対して均一なプラズマ処理を行なうことがで
きる。更に、本実施例によれば、高周波回転電磁界Ｂを
印加する印加部１１Ａ及びガス供給部１１Ｃの半導体ウ
エハＷに対向する面それぞれを石英等の絶縁性材料（誘
電性材料）によって形成したため、４箇所のコイル１３
Ａからの電磁界が印加部１１Ａによって遮蔽されること
がなく、印加部１１Ａ内で良好な高周波回転電磁界Ｂを
形成することができ、しかも、各コイル１３Ａからの電
磁波がプラズマ発生領域で乱れることがなく均質なプラ
ズマを発生し維持することができる。また、本実施例に
よれば、各コイル１３Ａを静電結合防止部材である筒体
５１を介して処理容器１１に設けたため、上記４個のコ
イル１３Ａからの電磁波のうち静電結合成分が処理容器
１１内に入るのを筒体５１により阻止し、これにより処
理容器１１内面での帯電を防止し、延いては処理容器１
１内面でのスパッタリング現象を防止して処理容器１１
内面の材料に起因した不純物の混入を防止することがで
きる。更に、処理容器１１の印加部１１Ａ以外をアルミ
ニウム等の導電性材料によって形成したため、これらの
部分での帯電を防止して安全性を確保することができ、
また加工性にも優れている。更に、上記高周波回転電磁
界Ｂでは磁力線が半導体ウエハＷの被処理面に対して平
行に延び、半導体ウエハＷとは交叉しないため、半導体
ウエハＷ内で渦電流を発生する虞がなく、半導体ウエハ
Ｗでの電流がサセプタ１２を介して流出する虞がなく、
その結果、例えば配線の断線などの障害を起こす虞がな
い。

【００２４】尚、上記実施例では４個のコイル１３Ａそ
れぞれに高周波電源１７を個別に接続して構成された誘
導手段について説明したが、相対向する位置、即ち、周
方向で互いに１８０°離間する位置に一対のコイル１３
Ａ、１３Ａで配置し、これらの各コイル１３Ａ、１３Ａ
に１８０°位相のずれた高周波電圧を印加するようにし
ても良い。この場合には、印加部１１Ａ内では回転磁界
を形成しないが、水平方向で振動する磁界を形成して回
転磁界と同様のプラズマを発生させることができる。こ
の場合、各コイル１３Ａを逆方向に巻けば、共通の高周
波電源を使用することができる。

【００２５】また、図４に示すように、４つのコイル１
３Ａのうち、相対向して配設された２つコイル１３Ａ、
１３Ａで対をなし、これら相互を１個の高周波電源１３
Ｂに結線し、他の一対のコイル１３Ａ、１３Ａについて
も同様に１個の高周波電源１３Ｂに接続して２つの高周
波電源を同一周波数でπ／２の位相差で駆動して高周波
回転電磁界を発生させるようにしてもよい。また、本発
明に用いられる誘導手段は、被処理面に略平行した面内
で、回転や振動により高速で移動する電磁界を形成でき
るものであればその構造は特に制限されるものではな
く、例えば周方向で１２０°離間して配設された３個の
コイルにそれぞれ２π／３の位相差をつけた高周波電圧
を印加してこれらのコイルによって高周波回転電磁界を
発生させるようにしても良く、また、コイルの数は４個
以上設けたものであっても良い。

【００２６】また、上記実施例では、垂直型の処理容器
について説明したが、半導体ウエハ等の被処理体は必ず
しも水平に支持する必要はなく、例えば垂直に支持して
処理する水平型の処理容器を採用していも良い。また、
これらの処理容器では複数の被処理体を収容してこれら
を同時に処理するようにしても良い。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載された発明によれば、処理容器内に複数の誘導手段
を設け、高周波電圧の印加によりこの高周波電圧に同期
して被処理体に沿って平行に電磁界を形成すると共に処
理用ガスをプラズマ化する電磁波を生起するようにした
ため、平行平板電極構造ではプラズマを発生させること
ができない高真空下でも高密度なプラズマを発生させる
ことができ、しかも半導体ウエハ等の被処理体の被処理
面に面内で均一な高周波電磁界を被処理面に平行に形成
でき、被処理体に対してプラズマ処理に偏りのない均一
な処理を行なうことができるプラズマ処理装置を提供す
ることができる。

【００２８】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明において、上記処理容器は
上記複数の誘導手段に対向配置された上記処理容器の壁
面の少なくとも一部を誘電性材料によって形成したた
め、処理容器内で安定した高周波電磁界を形成してプラ
スマを更に均質化できると共に、安全性及び加工性に優
れたプラズマ処理装置を提供することができる。

【００２９】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記複数の誘導手段は、互いに位相差を付けた高周波電
圧が印加されて高周波回転電磁界を上記処理容器内で形
成するようにしたため、高周波電磁界が被処理体の被処
理面に対して平行に高速回転して処理用ガスのプラズマ
を均質化できるプラズマ処理装置を提供することができ
る。

【００３０】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の発明
において、上記複数の誘導手段を静電結合防止部材を介
して上記処理容器外周に設けたため、上記複数の誘導手
段からの電磁波のうち静電結合成分が処理容器内に入る
のを静電結合防止部材により阻止し、これにより処理容
器内面での帯電を防止し、延いては処理容器内面でのス
パッタリング現象を防止して処理容器内面の材料に起因
した不純物の混入を防止できるプラズマ処理装置を提供
することができる。

【００３１】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の発明
において、上記ガス供給部は、上記被処理体と対向する
誘電性材料からなる面に均等に分散配置されたガス供給
孔を有するため、プラズマ発生領に接する内面が誘電性
材料からなり、複数の誘導手段により生起する電磁波が
プラズマ発生領域で乱れることなくガス供給孔から補充
される処理用ガスに対して均一に作用し、これにより均
質なプラズマを発生するプラズマ処理装置を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示す断
面図である。

【図２】図１に示すプラズマ処理装置の水平方向の断面
図である。

【図３】図１に示すプラズマ処理装置の複数の誘導手段
取り出して示す斜視図である。

【図４】本発明のプラズマ処理装置の他の実施例を示す
図２相当図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｂ 高周波電磁界 １１ 処理容器 １１Ａ 印加部 １１Ｂ 処理部（印加部以外の部分） １１Ｃ ガス供給部（被処理体に対向する面） １１Ｅ ガス供給孔 １２ サセプタ（支持体） １３Ａ 誘導手段 ５１ 筒体（静電結合防止部材）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内に設けられたガス供給部から
   供給された処理用ガスにより処理するための被処理体を
   支持する、上記処理容器内に配設された支持体を備え、
   高周波電圧の印加によりこの高周波電圧に同期して上記
   被処理体に沿って平行に高周波電磁界を形成すると共に
   上記処理用ガスをプラズマ化する電磁波を生起する複数
   の誘導手段を上記処理容器の外周に設けたことを特徴と
   するプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 上記処理容器は上記複数の誘導手段に対
   向配置された上記処理容器の壁面の少なくとも一部を誘
   電性材料によって形成したことを特徴とする請求項１に
   記載のプラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 上記複数の誘導手段は、互いに位相差を
   付けた高周波電圧が印加されて高周波回転電磁界を上記
   処理容器内で形成することを特徴とする請求項１または
   請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 上記複数の誘導手段を静電結合防止部材
   を介して上記処理容器に設けたことを特徴とする請求項
   １〜請求項３のいずれか一つに記載のプラズマ処理装
   置。
5. 【請求項５】 上記ガス供給部は、上記被処理体と対向
   する誘電性材料からなる面に均等に分散配置されたガス
   供給孔を有することを特徴とする請求項１〜請求項４の
   いずれか一つに記載のプラズマ処理装置。