JP3197739B2

JP3197739B2 - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP3197739B2
Application number: JP05987694A
Authority: JP
Inventors: 一成今橋
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-03-06
Filing date: 1994-03-04
Publication date: 2001-08-13
Anticipated expiration: 2016-08-13
Also published as: JPH0774115A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマ処理装置は、処理用ガスの存在
する処理容器内で真空放電させてプラズマを発生させ、
このプラズマを利用して被処理体に所定の処理を施すよ
うに構成されている。このプラズマ処理装置は、従来か
ら半導体製造工程における、スパッタリング工程、アッ
シング工程、ＣＶＤ工程、あるいはエッチング工程など
で広く用いられている。

【０００３】このようなプラズマ処理装置としては例え
ば平行平板電極を備えたプラズマ処理装置が従来から知
られている。このプラズマ処理装置は、真空排気により
減圧空間を形成する処理容器と、この処理容器内の下方
に配設され且つ被処理体としての半導体ウエハを保持す
る下部電極と、この下部電極に対向して配設された上部
電極と、これら両電極間に高周波電圧を印加してプラズ
マを発生させる高周波電源を備えて構成されている。ま
た、上記上部電極上面には処理用のガスを受給する受給
口が形成され、またその下面には受給したガスを処理容
器内へ供給するガス供給孔が分散形成され、このガス供
給孔からプラズマ処理用のガスを処理容器内に供給し、
処理後のガスを処理容器に形成された排気口から排出す
るように構成されている。

【０００４】従って、上記プラズマ処理装置を用いて半
導体ウエハをプラズマ処理するには、低真空に減圧され
た処理容器内にガス供給孔からプラズマ処理用のガスを
供給すると共に、高周波電源により下部電極と上部電極
との間に高周波電圧を印加してこれらの間での放電によ
りプラズマを発生させ、このプラズマの活性種により下
部電極２上の半導体ウエハに対して所定のプラズマ処理
を行なうようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような平行平板電極構造を有する従来のプラズマ処理装
置の場合には、処理容器内で上下の電極に高周波電圧を
印加し、これら両電極間で放電させることによりプラズ
マを発生させるようにしているため、放電開始電圧、電
極間距離及びガス圧力との関係により放電ガス圧力が制
約され、上下の電極間でプラズマを安定的に発生させる
ガス圧力としては０.５Torr程度の圧力が真空度の限界
で、それ以上の高真空下ではプラズマを発生させること
ができないという課題があった。また、最近では半導体
ウエハが益々超微細加工化して益々微細で深い形状の溝
加工などが必要になって来ているが、従来のプラズマ処
理装置では比較的処理圧力が高いため、活性種が相互に
衝突して直進できなくなり、半導体ウエハの微細加工に
支障をきたし、このような最近の微細加工の要求に応え
ることができないという課題があった。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、平行平板電極構造ではプラズマを発生させ
ることができない高真空下でも高密度なプラズマを発生
させることができ、しかも半導体ウエハ等の被処理体を
汚染することなく、被処理体に対して均一な超微細加工
を行なうことができるプラズマ処理装置を提供すること
を目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のプラズマ処理装置は、処理容器内に供給された処理用
ガスにより処理するための被処理体を支持し且つ上記処
理容器内に配設された支持体と、この支持体と対向する
面に設けられたガス供給部とを備え、高周波電圧の印加
によりこの高周波電圧に同期して上記被処理体に沿った
方向に高周波磁界を形成すると共に上記処理用ガスをプ
ラズマ化する個々に独立した複数の誘導手段を上記処理
容器の外周に沿って配列し、且つ上記複数の誘導手段に
順次位相差を付けて高周波電力を印加する高周波電源を
それぞれの誘導手段に接続したことを特徴とするもので
ある。

【０００８】また、本発明の請求項２に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１に記載の発明において、上記誘導
手段として誘導アンテナを設けたことを特徴とするもの
である。

【０００９】また、本発明の請求項３に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１または請求項２に記載の発明にお
いて、上記複数の誘導手段はそれぞれ電磁波を生起する
ことを特徴とするものである。

【００１０】また、発明の請求項４に記載のプラズマ処
理装置は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の
発明において、上記処理容器は上記複数の誘導手段に対
向配置された上記処理容器の壁面の少なくとも一部を誘
電性材料によって形成したことを特徴とするものであ
る。

【００１１】また、本発明の請求項５に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載
の発明において、上記複数の誘導手段を静電結合防止部
材を介して上記処理容器に設けたことを特徴とするもの
である。

【００１２】また、本発明の請求項６に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１〜請求項５のいずれか一つに記載
の発明において、上記ガス供給部は、上記被処理体と対
向する誘電材料からなる面に均等に分散配置された複数
のガス供給孔を有することを特徴とするものである。

【００１３】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、ガス
供給部から処理容器内へ処理用ガスを供給し、個々に独
立した複数の誘導手段にそれぞれの高周波電源から順次
位相差を付けて高周波電圧を印加すると個々の誘導手段
により処理用ガスをプラズマ化すると共に、個々の誘導
手段により被処理体の被処理面に沿った方向に位相差の
ある高周波磁界が回転磁界を形成して処理用ガスのプラ
ズマを高密度化すると共に均質化することができる。

【００１４】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明において、上記複数の誘導
手段として誘導アンテナをそれぞれ設けたため、誘導ア
ンテナから処理容器内へ電磁波を放射することができ
る。

【００１５】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記複数の誘導手段はそれぞれ電磁波を生起するため、
電磁波により処理容器内の処理用ガスをプラズマ化する
ことができる。

【００１６】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明
において、上記処理容器は上記複数の誘導手段に対向配
置された上記処理容器の壁面の少なくとも一部を誘電性
材料によって形成したため、処理容器の壁面で高周波磁
界を遮蔽することなくその内部で高周波回転磁界を形成
することができる。

【００１７】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明
において、上記複数の誘導手段を静電結合防止部材を介
して上記処理容器に設けたため、上記複数の誘導手段か
らの例えば電磁波のうち静電結合成分が処理容器内に入
るのを静電結合防止部材により防止して処理容器内面で
の帯電を防止することができる。

【００１８】また、本発明の請求項６に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項５のいずれか一つに記載の発明
において、上記ガス供給部は、上記被処理体と対向する
誘電材料からなる面に均等に分散配置された複数のガス
供給孔を有するため、プラズマ発生領域に接する内面が
誘電性材料からなり、複数の誘導手段から発生する電磁
波がプラズマ発生領域で乱れることなくガス供給孔から
補充される処理用ガスに対して均一に作用し、これによ
り均質なプラズマを発生することができる。

【００１９】

【実施例】以下、図１〜図４に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。本実施例のプラズマ処理装置は、図
１、図２に示すように、内部を外部から密封し高真空を
保持し得る処理容器１１と、この処理容器１１内に配設
され且つ被処理体としての半導体ウエハＷを、被処理面
を上にして水平に保持する導電性のサセプタ１２とを備
えている。上記処理容器１１の外周には後述の高周波回
転磁界Ｂを発生する複数の誘導手段、例えば４個のコイ
ル１３Ａが設けられている。この処理容器１１の中心軸
と、高周波回転磁界Ｂの回転中心軸と、半導体ウエハＷ
の中心は、後述の各部材が互いに一致するように配設さ
れていることが好ましい。

【００２０】また、上記処理容器１１は、図１に示すよ
うに、上記高周波回転磁界Ｂを印加する印加部１１Ａ
と、この印加部１１Ａの下方に接続され且つ上記サセプ
タ１２上の半導体ウエハＷを高周波回転磁界によるプラ
ズマにより半導体ウエハＷの処理が行なわれる処理部１
１Ｂとを備えている。上記印加部１１Ａは例えば石英、
セラミックス等の絶縁性材料または誘電性材料によって
円筒状に形成され、その上端及び下端がそれぞれ開口し
た円筒体からなり、また上記処理部１１Ｂは、例えばア
ルミニウム等の導電性材料によって形成され、下端が閉
塞された円筒体からなっている。この処理部１１Ｂは、
上記印加部１１Ａの内径に合わせて形成された開口部を
上面に有し、この開口部に上記印加部１１ＡがＯリング
等のシール部材１４を介して内部の気密を保持するよう
に取り付けられている。そして、この処理部１１Ｂの内
面にはアルマイト加工が施され、グランド電位を保持す
るようにアースされている。また、上記印加部１１Ａの
上端開口には処理用ガスを供給するガス供給部１１Ｃが
Ｏリング等のシール部材１４を介して取り付けられ、こ
のシール部材１４によって内部の気密を保持するように
構成されている。このガス供給部１１ＣはウエハＷと対
向する面が例えば石英、セラミックス等の誘電性材料に
よって形成され、またそれ以外の部分が例えばアルミニ
ウム等の導電性材料によって扁平な中空円盤として形成
されている。そして、このガス供給部１１Ｃの上面中央
にはガス受給口１１Ｄが形成され、また誘電性材料から
なる下壁にはガス受給口１１Ｄから供給された処理用ガ
スをこの処理容器１１内に均等に供給するガス供給孔１
１Ｅが多数分散して形成されている。これらのガス供給
孔１１Ｅは、内径、配置を必要に応じて種々の態様で形
成することができる。また、処理部１１Ｂには真空ポン
プ等の排気手段５０に連通する排気口１１Ｆが設けら
れ、この排気口１１Ｆから処理後のガス等を排気するよ
うに構成されている。そして、排気口１１Ｆは回転対称
になるように処理部１１Ｂに複数設けることにより、処
理部１１Ｂ内でのプラズマの偏りを抑制することができ
る。このガス供給部１１Ｃも上記処理部１１Ｂと同様に
アースされている

【００２１】また、上記サセプタ１２は上記処理部１１
Ｂ及び上記ガス供給部１１Ｃと同様にアルマイト加工さ
れたアルミニウムによって形成されている。また、この
サセプタ１２にはコンデンサ１５、マッチング回路１６
及び例えば１３.５６ＭＨzの高周波電圧を印加するため
の高周波電源１７が接続され、プラスマ処理時にこの高
周波電圧により上記サセプタ１２が負に自己バイアスさ
れるように構成されている。このバイアス電圧は、半導
体ウエハＷの処理内容に応じて高周波電源１７からの印
加電圧を適宜制御することにより調整することができ、
この調整電圧により半導体ウエハＷに対して所望のプラ
ズマ処理を施すことができるように構成されている。

【００２２】また、上記誘導手段である４つのコイル１
３Ａは上記印加部１１Ａを四方から囲み、各コイル１３
Ａに対して高周波電源１３Ｂがそれぞれ接続され、各高
周波電源１３Ｂにより数１００ＫＨz〜１００ＭＨz、例
えば１３.５６ＭＨzの高周波電圧がそれぞれ印加されて
いる。そして、各上記高周波電源１３Ｂによって例えば
図２の右側のコイル１３Ａから反時計周りにそれぞれπ
／２の位相差をつけた高周波電圧（右側のコイル１３Ａ
を基準にして反時計周りにそれぞれの電圧がＶsinωt、
Ｖsin(ωt+π/2)、Ｖsin(ωt+π)、Ｖsin(ωt+3π/2)と
なる）が４つのコイル１３Ａにそれぞれ印加され、上記
印加部１１Ａ内で高周波回転磁界Ｂを形成するように構
成されている。また、上記各コイル１３Ａはそれぞれの
高周波電源１３Ｂからの供給電力によりプラズマ発生用
の電磁波または電磁エネルギーを生起するアンテナとし
ての役割を有し、その供給電力としては例えば５００〜
３ＫＷが好ましい。そのため、以下の説明ではコイルを
必要に応じてアンテナともいう。そして、本実施例で
は、コイル１３Ａは、図３に示すように１本の金属線を
印加部１１Ａの外面に沿って折曲形成された１ターンコ
イルからなっている。これらのコイル１３Ａは、図１〜
図３に示すように、例えばフェライト系の材料によって
形成された筒体５１（図３参照）を介して印加部１１Ａ
の外周面に取り付けられている。この筒体５１は、処理
中に帯電する印加部１１Ａとの静電結合を防止し、アン
テナ１３Ａから生起される電磁波のうちの静電結合成分
が印加部１１Ａ内に入るのを阻止する機能を有してい
る。尚、図３では高周波電源１３Ｂが１個のコイル１３
Ａにのみ接続されているが、実際は他のコイル１３Ａに
も図１、図２で示すように高周波電源１３Ｂが接続され
ている。そのため、筒体５１により印加部１１Ａ内周面
で負電位が生じる虞がなくなり、その結果、この負電位
に基づいた印加部１１Ａ内壁でのスパッタリング現象が
なく、印加部１１Ａ内壁の材料などがプラズマ中に弾き
出されることがなく、処理容器１１内面の材料に起因し
た不純物の混入を防止することができる。この筒体５１
は省略することもできるが、その場合には各コイル１３
Ａは印加部１１Ａ外周面に直接取り付けても良いし、ま
た、印加部１１Ａ外周面との間に所定間隔を空けて取り
付けても良い。また、各コイル１３Ａはそのインピーダ
ンスを増大させないように上述のように１ターンコイ
ル、または２ターンコイルとして形成されていることが
好ましいが、必ずしもこのような形状に制限されるもの
ではない。尚、図１〜図３において、１３Ｃはマッチン
グ回路である。

【００２３】そして、上記コイル１３Ａにより印加部１
１Ａ内のプラズマ発生領域に発生する高周波回転磁界Ｂ
は、水平に延び、上記サセプタ１２と上記ガス供給部１
１Ｃ間に形成される電界Ｅと直交する。この高周波回転
磁界Ｂから形成される電界Ｅにより処理用ガスは電離し
てプラズマを発生し、しかもそのプラズマを高周波回転
磁界Ｂにより高密度化する。そのため、０.００５Torr
以下の高真空中であっても、処理用ガスから均質で高密
度のプラズマを得ることができる。このプラズマの発生
には水平な高周波回転磁界Ｂを使用しているため、磁力
線が半導体ウエハＷを横切ることがなく、半導体ウエハ
Ｗ内で渦電流を生じない。従って、半導体ウエハＷでの
電流がサセプタ１２を介して流出する虞がなく、その結
果、例えば配線の断線などの障害を起こす虞がない。

【００２４】次に、上記プラズマ処理装置を用いたプラ
ズマ処理の動作について説明する。まず、処理容器１１
内のサセプタ１２上に半導体ウエハＷを、被処理面を上
にして水平に載置した後、処理容器１１内を排気口１１
Ｆを介して例えば０.００５Torr以下の高真空にした
後、この排気を続けながらガス供給部１１Ｃのガス供給
孔１１Ｅから処理容器１１内へエッチングガス、膜形成
用ガスなどの処理用ガスを供給し、更に４個のコイル１
３Ａから高周波電圧を印加する。その結果、印加部１１
Ａ内では水平な高周波回転磁界Ｂが発生し、処理用ガス
のプラズマを発生する。この際、各コイル１３Ａの高周
波電圧にはそれぞれ反時計方向へπ／２の位相差がある
ため、高周波回転磁界Ｂの印加方向も反時計方向へ順次
回転して印加部１１Ａ内で回転する高周波回転磁界Ｂを
形成する。そして、この高周波回転磁界Ｂの作用により
プラズマを均質化する。このようにして形成された高密
度で均質なプラズマがサセプタ１２上の半導体ウエハＷ
を覆い、プラズマ電位とサセプタ１２の自己バイアス電
位との電位差によりプラズマ中のイオンが半導体ウエハ
Ｗ側に引き出されて半導体ウエハＷに対して所定のプラ
ズマ処理を行なう。この際、印加部１１Ａ内では排気が
続けられながらガス供給部１１Ｃから連続的にガスが供
給されているため、プラズマに処理用ガスが順次補充さ
れ、均質なプラズマを維持すると共に、既に発生したプ
ラズマを下方へ供給してプラズマ処理を促進する。

【００２５】以上説明したように本実施例によれば、処
理容器１１外部の４個のコイル１３Ａにより処理容器１
１の印加部１１Ａ内に高周波回転磁界Ｂを形成すると共
に電磁波を供給してプラズマを発生させるようにしたた
め、従来のように平行平板電極間のギャップ長に制約さ
れることがなくプラズマを発生させることができ、処理
容器１１内を従来より１桁ないし２桁程度、例えば０.
００５Torr以下の高真空にしてもプラズマを発生させる
ことができ、それだけ超微細加工の要求に即したプラズ
マ処理を行なうことができる。また、処理容器１１内に
プラズマ発生用の電極が存在しないため、処理容器１１
内で不純物を発生する虞がなく、半導体ウエハＷを汚染
することがない。しかも本実施例によれば、半導体ウエ
ハＷの処理中、プラズマが回転しているため、常に均質
なプラズマを維持することができ、もって半導体ウエハ
Ｗ全面に対して均一なプラズマ処理を行なうことができ
る。また、本実施例によれば、高周波回転磁界Ｂを印加
する印加部１１Ａ及びガス供給部１３Ｃの半導体ウエハ
Ｗに対向する面それぞれを石英等の絶縁性材料（誘電性
材料）によって形成したため、４箇所のコイル１３Ａか
らの電磁界が印加部１１Ａによって遮蔽されることがな
く、印加部１１Ａ内で良好な高周波回転磁界Ｂを形成す
ることができ、しかも、各コイル１３Ａからの電磁波が
プラズマ発生領域で乱れることなく均質なプラズマを維
持することができる。また、本実施例によれば、各コイ
ル１３Ａを静電結合防止部材である筒体５１を介して処
理容器１１に設けたため、上記４個のコイル１３Ａから
の電磁波のうち静電結合成分が処理容器１１内に入るの
を筒体５１により阻止し、これにより処理容器１１内面
での帯電を防止し、延いては処理容器１１内面でのスパ
ッタリング現象を防止して処理容器１１内面の材料に起
因した不純物の混入を防止することができる。更に、処
理容器１１の印加部１１Ａ以外をアルミニウム等の導電
性材料によって形成したため、これらの部分での帯電を
防止して安全性を確保することができ、また加工性にも
優れている。更に、上記高周波回転磁界Ｂでは磁力線が
半導体ウエハＷの被処理面に対して平行に延び、半導体
ウエハＷとは交叉しないため、半導体ウエハＷ内で渦電
流を発生する虞がなく、半導体ウエハＷでの電流がサセ
プタ１２を介して流出する虞がなく、その結果、例えば
配線の断線などの障害を起こす虞がない。

【００２６】尚、上記実施例では４個のコイル１３Ａそ
れぞれに高周波電源１７を個別に接続して構成された誘
導手段について説明したが、相対向する位置、即ち、周
方向で互いに１８０°離間する位置に一対のコイル１３
Ａ、１３Ａで配置し、これらの各コイル１３Ａ、１３Ａ
に１８０°位相のずれた高周波電圧を印加するようにし
ても良い。この場合には、印加部１１Ａ内では回転磁界
を形成しないが、水平方向で振動する磁界を形成して回
転磁界と同様のプラズマを発生させることができる。こ
の場合、各コイル１３Ａを逆方向に巻けば、共通の高周
波電源を使用することができる。

【００２７】また、図４に示すように、４つのコイル１
３Ａのうち、２つのコイル１３Ａ、１３Ａを互いに対向
して配設し、これらのコイル１３Ａ、１３Ａに１個の高
周波電源１３Ｂをそれぞれ接続し、他の互いに対向する
コイル１３Ａ、１３Ａについても同様に１個の高周波電
源１３Ｂに接続して２つの高周波電源を同一周波数でπ
／２の位相差で駆動し、４つのコイル１３Ａそれぞれに
位相差のある高周波電力を順次印加して高周波磁界がπ
／２ずつ回転する高周波回転磁界を発生させるようにし
てもよい。また、本発明に用いられる誘導手段は、被処
理面に略平行した面内で、回転や振動により高速で移動
する電磁界を形成できるものであればその構造は特に制
限されるものではなく、例えば周方向で１２０°離間し
て配設された３個のコイルにそれぞれ２π／３の位相差
をつけた高周波電圧を印加してこれらのコイルによって
高周波回転磁界を発生させるようにしても良く、また、
コイルの数は４個以上設けたものであっても良い。

【００２８】また、上記実施例では、垂直型の処理容器
について説明したが、半導体ウエハ等の被処理体は必ず
しも水平に支持する必要はなく、例えば垂直に支持して
処理する水平型の処理容器を採用していも良い。また、
これらの処理容器では複数の被処理体を収容してこれら
を同時に処理するようにしても良い。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載された発明によれば、処理容器内に供給された処理
用ガスにより処理するための被処理体を支持し且つ上記
処理容器内に配設された支持体と、この支持体と対向す
る面に設けられたガス供給部とを備え、高周波電圧の印
加によりこの高周波電圧に同期して上記被処理体に沿っ
た方向に高周波磁界を形成すると共に上記処理用ガスを
プラズマ化する個々に独立した複数の誘導手段を上記処
理容器の外周に沿って配列し、且つ上記複数の誘導手段
に順次位相差を付けて高周波電力を印加する高周波電源
をそれぞれの誘導手段に接続したため、個々に独立した
複数の誘導手段に高周波電電力をそれぞれ印加すると、
複数の誘導手段それぞれにより処理用ガスをプラズマ化
すると共に、複数の誘導手段それぞれにより被処理体の
被処理面に沿った方向に位相差のある高周波磁界が生成
して回転磁界を形成して処理用ガスのプラズマを高密度
化すると共に均質化することができ、平行平板電極構造
ではプラズマを発生させることができない高真空下でも
高密度なプラズマを発生させることができるプラズマ処
理装置を提供することができる。

【００３０】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明において、上記複数の誘導
手段として誘導アンテナをそれぞれ設けたため、複数の
誘導アンテナから処理容器内へ電磁波を放射することが
できるプラズマ処理装置を提供することができる。

【００３１】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記複数の誘導手段はそれぞれ電磁波を生起するため、
複数の誘導手段からの電磁波により処理容器内の処理用
ガスをプラズマ化することができるプラズマ処理装置を
提供することができる。

【００３２】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記処理容器は上記複数の誘導手段に対向配置された上
記処理容器の壁面の少なくとも一部を誘電性材料によっ
て形成したため、処理容器内で安定した高周波磁界を形
成してプラスマを更に均質化できると共に、安全性及び
加工性に優れたプラズマ処理装置を提供することができ
る。

【００３３】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の発明
において、上記複数の誘導手段を静電結合防止部材を介
して上記処理容器外周に設けたため、上記複数の誘導手
段からの電磁波のうち静電結合成分が処理容器内に入る
のを静電結合防止部材により阻止し、これにより処理容
器内面での帯電を防止し、延いては処理容器内面でのス
パッタリング現象を防止して処理容器内面の材料に起因
した不純物の混入を防止できるプラズマ処理装置を提供
することができる。

【００３４】また、本発明の請求項６に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項５のいずれか一つに記載の発明
において、上記ガス供給部は、上記被処理体と対向する
誘電材料からなる面に均等に分散配置された複数のガス
供給孔を有するため、複数の誘導手段により生起する電
磁波がプラズマ発生領域で乱れることなくガス供給孔か
ら補充される処理用ガスに対して均一に作用し、これに
より均質なプラズマを発生するプラズマ処理装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示す断
面図である。

【図２】図１に示すプラズマ処理装置の水平方向の断面
図である。

【図３】図１に示すプラズマ処理装置の複数の誘導手段
取り出して示す斜視図である。

【図４】本発明のプラズマ処理装置の他の実施例を示す
図２相当図である。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウエハ（被処理体）Ｂ高周波電磁界１１処理容器１１Ａ印加部１１Ｂ処理部（印加部以外の部分）１１Ｃガス供給部（被処理体に対向する面）１１Ｅガス供給孔１２サセプタ（支持体）１３Ａ誘導手段５１筒体（静電結合防止部材）

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】処理容器内に供給された処理用ガスによ
り処理するための被処理体を支持し且つ上記処理容器内
に配設された支持体と、この支持体と対向する面に設け
られたガス供給部とを備え、高周波電圧の印加によりこ
の高周波電圧に同期して上記被処理体に沿った方向に高
周波磁界を形成すると共に上記処理用ガスをプラズマ化
する個々に独立した複数の誘導手段を上記処理容器の外
周に沿って配列し、且つ上記複数の誘導手段に順次位相
差を付けて高周波電力を印加する高周波電源をそれぞれ
の誘導手段に接続したことを特徴とするプラズマ処理装
置。
【請求項２】上記複数の誘導手段として誘導アンテナ
をそれぞれ設けたことを特徴とする請求項１に記載のプ
ラズマ処理装置。
【請求項３】上記複数の誘導手段はそれぞれ電磁波を
生起することを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のプラズマ処理装置。
【請求項４】上記処理容器は上記複数の誘導手段に対
向配置された上記処理容器の壁面の少なくとも一部を誘
電性材料によって形成したことを特徴とする請求項１〜
請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】上記複数の誘導手段を静電結合防止部材
を介して上記処理容器に設けたことを特徴とする請求項
１〜請求項４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装
置。
【請求項６】上記ガス供給部は、上記被処理体と対向
する誘電材料からなる面に均等に分散配置された複数の
ガス供給孔を有することを特徴とする請求項１〜請求項
５のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。