JPH077222A - 大面積偏向ミラーを備えた表面放射レーザおよびその製造方法 - Google Patents
大面積偏向ミラーを備えた表面放射レーザおよびその製造方法Info
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- JPH077222A JPH077222A JP6020621A JP2062194A JPH077222A JP H077222 A JPH077222 A JP H077222A JP 6020621 A JP6020621 A JP 6020621A JP 2062194 A JP2062194 A JP 2062194A JP H077222 A JPH077222 A JP H077222A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、レーザから放射される光ビームの
損失を減少させてレーザの効率を増加させ歪みのないビ
ームパターンを生成する外部空洞面放射レーザを提供す
ることを目的とする。 【構成】 基体上で発散したレーザビームを放射するよ
うに基体上に形成されたクラッド層10,8とその間に挟ま
れた活性レーザ層6 とより構成されたレーザ2 と、レー
ザビームの通路において基体上に形成された光路屈折ミ
ラー18' とを含み、このミラー18' はレーザ2 とほぼ直
線的に整列する一部分およびレーザの上面を越えて延在
する延在部24を含んでいることを特徴とする。
損失を減少させてレーザの効率を増加させ歪みのないビ
ームパターンを生成する外部空洞面放射レーザを提供す
ることを目的とする。 【構成】 基体上で発散したレーザビームを放射するよ
うに基体上に形成されたクラッド層10,8とその間に挟ま
れた活性レーザ層6 とより構成されたレーザ2 と、レー
ザビームの通路において基体上に形成された光路屈折ミ
ラー18' とを含み、このミラー18' はレーザ2 とほぼ直
線的に整列する一部分およびレーザの上面を越えて延在
する延在部24を含んでいることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基体からレーザビーム
を導くレーザシステムおよび関連した製造方法、特に基
体からモノリシック的に製造されたレーザからの一列の
ビームを再度導く外部光路屈折ミラーの使用に関する。
を導くレーザシステムおよび関連した製造方法、特に基
体からモノリシック的に製造されたレーザからの一列の
ビームを再度導く外部光路屈折ミラーの使用に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路（ＩＣ）チップとデータバスと
の間の超高速相互接続リンクは、３次元光・電気システ
ムに必要とされる。現在有効な電子システムは、大きい
サブシステム間の光分離および光データ路を含んでいる
が、光学素子は個別の素子である。光学素子が電気回路
と同じチップ基体上に表面放射（基体面から導かれた光
出力を）素子としてモノリシック的に集積された場合、
さらにコンバクトで安価であり、信頼できるシステムが
得られる。このような３−Ｄ相互接続に対する適用はコ
ンピュータおよびプロセッサ、光学ディスプレイ、光信
号処理および計算、相互衛星通信、固体結晶のポンピン
グ、並びに視覚ディスプレイを含んでいる。
の間の超高速相互接続リンクは、３次元光・電気システ
ムに必要とされる。現在有効な電子システムは、大きい
サブシステム間の光分離および光データ路を含んでいる
が、光学素子は個別の素子である。光学素子が電気回路
と同じチップ基体上に表面放射（基体面から導かれた光
出力を）素子としてモノリシック的に集積された場合、
さらにコンバクトで安価であり、信頼できるシステムが
得られる。このような３−Ｄ相互接続に対する適用はコ
ンピュータおよびプロセッサ、光学ディスプレイ、光信
号処理および計算、相互衛星通信、固体結晶のポンピン
グ、並びに視覚ディスプレイを含んでいる。
【０００３】平面からレーザ放射を実現するために３つ
の方法が開発されている： （１）レーザビームがレーザが形成された基体から最初
に垂直に上方に放射される垂直空洞レーザ。このタイプ
のレーザは、文献（Tell氏他による“High-Power cw ve
rtical cavity top surface-emitting GaAs Quantum We
ll Lasers ”，Applied Physics Letters ，Vol.57，N
o.18 ，1990年10月29日，1855乃至1857頁）に説明され
ている。それらは光波長程度の非常に短い光空洞を有
し、高い反射率のミラーを必要とし、典型的にエピタキ
シャル成長されたブラッグ（Bragg ）反射器をミラーと
して使用する。しかしながら、このようなレーザは低い
効率性および高い電気抵抗を示す。また、このようなミ
ラーにおける低い屈折率変調のために高い反射率の半導
体の１／４波長ブラッグミラーを生成することが困難で
ある。
の方法が開発されている： （１）レーザビームがレーザが形成された基体から最初
に垂直に上方に放射される垂直空洞レーザ。このタイプ
のレーザは、文献（Tell氏他による“High-Power cw ve
rtical cavity top surface-emitting GaAs Quantum We
ll Lasers ”，Applied Physics Letters ，Vol.57，N
o.18 ，1990年10月29日，1855乃至1857頁）に説明され
ている。それらは光波長程度の非常に短い光空洞を有
し、高い反射率のミラーを必要とし、典型的にエピタキ
シャル成長されたブラッグ（Bragg ）反射器をミラーと
して使用する。しかしながら、このようなレーザは低い
効率性および高い電気抵抗を示す。また、このようなミ
ラーにおける低い屈折率変調のために高い反射率の半導
体の１／４波長ブラッグミラーを生成することが困難で
ある。
【０００４】（２）レーザ平面からの光を垂直に結合す
るためのレーザの上部クラッド層上の周期格子。例えば
文献（板谷氏他による“New 1.5 Micron Wavelength Ga
InAsP/InP Distributed Feedback Laser”，Electronic
s Letters ，Vol.18，No.23，1982年，1006乃至1007頁
およびNg氏他による“Highly collimated broadsideemi
ssion from room temperature GaAs distributed Bragg
reflector lasers”，Applied Physics Letters ，Vo
l.31，No.9，1977年11月 1日， 613乃至615 頁）を参照
されたい。残念ながら、このタイプのレーザは過度の楕
円出力ビームを有し、格子の長い部分を必要とし、装置
の大きさを増加させる。
るためのレーザの上部クラッド層上の周期格子。例えば
文献（板谷氏他による“New 1.5 Micron Wavelength Ga
InAsP/InP Distributed Feedback Laser”，Electronic
s Letters ，Vol.18，No.23，1982年，1006乃至1007頁
およびNg氏他による“Highly collimated broadsideemi
ssion from room temperature GaAs distributed Bragg
reflector lasers”，Applied Physics Letters ，Vo
l.31，No.9，1977年11月 1日， 613乃至615 頁）を参照
されたい。残念ながら、このタイプのレーザは過度の楕
円出力ビームを有し、格子の長い部分を必要とし、装置
の大きさを増加させる。
【０００５】（３）レーザビームが最初に基体にほぼ平
行に生成され、その後ビームが基体から進行するように
光路屈折ミラーによって偏向される平面内表面放射レー
ザ。光路屈折ミラーはレーザ空洞の一部分（“折り畳み
空洞”レーザ）であるか、またはレーザの外側にあるこ
とができる。
行に生成され、その後ビームが基体から進行するように
光路屈折ミラーによって偏向される平面内表面放射レー
ザ。光路屈折ミラーはレーザ空洞の一部分（“折り畳み
空洞”レーザ）であるか、またはレーザの外側にあるこ
とができる。
【０００６】初期の折り畳み空洞レーザは、文献（Spri
ngThotpe，“A novel double-heterostructure p-n-jun
ction laser ”，Applied Physics Letters ，Vol.31，
No.8，1977年10月15日， 524乃至525 頁）に示されてい
るように基体中に光を偏向するようにウェハの上側にエ
ッチングされた45°の表面を含んでいた。このタイプの
レーザの欠点は、透明な基体材料上に形成されるか、或
は基体中にエッチングされた深い溝を有していなければ
ならないことである。さらに、装置は上側を下にして取
付けられなければならず、したがって接続が典型的に上
面へのワイヤ結合によって形成される電気回路との集積
は容易ではない。上面からの放射を伴う折り畳み空洞レ
ーザもまた示されている。このようなレーザの45°のミ
ラーは上面にスロットを乾式エッチングすることによっ
て形成され、さらに複雑な工程を含む。文献（Goodhue
氏他による“Monolithic Two-Dimensional GaAs/AlGaAs
Laser Arrays Fabricated by Chlorine Ion-Beam-Assi
sted Micromachine ”，Journal of Electronic Materi
als ，Vol.19，No.5，1990年， 463乃至469 頁）を参照
されたい。
ngThotpe，“A novel double-heterostructure p-n-jun
ction laser ”，Applied Physics Letters ，Vol.31，
No.8，1977年10月15日， 524乃至525 頁）に示されてい
るように基体中に光を偏向するようにウェハの上側にエ
ッチングされた45°の表面を含んでいた。このタイプの
レーザの欠点は、透明な基体材料上に形成されるか、或
は基体中にエッチングされた深い溝を有していなければ
ならないことである。さらに、装置は上側を下にして取
付けられなければならず、したがって接続が典型的に上
面へのワイヤ結合によって形成される電気回路との集積
は容易ではない。上面からの放射を伴う折り畳み空洞レ
ーザもまた示されている。このようなレーザの45°のミ
ラーは上面にスロットを乾式エッチングすることによっ
て形成され、さらに複雑な工程を含む。文献（Goodhue
氏他による“Monolithic Two-Dimensional GaAs/AlGaAs
Laser Arrays Fabricated by Chlorine Ion-Beam-Assi
sted Micromachine ”，Journal of Electronic Materi
als ，Vol.19，No.5，1990年， 463乃至469 頁）を参照
されたい。
【０００７】良好な遠フィールドパターンを持つ表面放
射されたビームは、出力ビームをコリメートするか、或
は集束するように装置の放射面上に集積されたレンズを
形成することができるため、折り畳まれた空洞レーザに
よって生成される。しかしながら、このレンズの設計お
よび製造は、それが空洞反射およびビーム成形の二重機
能を実行しなければならないため非常に複雑である；文
献（Liau氏他による“GaInAsP/InP buried heterostruc
ture surface-emitting diode laser with monolithic
integrating bifocal microlens ”,Applied Physics L
etters,Vol.56,No.13,1990年 3月26日, 1219乃至1221
頁）を参照。
射されたビームは、出力ビームをコリメートするか、或
は集束するように装置の放射面上に集積されたレンズを
形成することができるため、折り畳まれた空洞レーザに
よって生成される。しかしながら、このレンズの設計お
よび製造は、それが空洞反射およびビーム成形の二重機
能を実行しなければならないため非常に複雑である；文
献（Liau氏他による“GaInAsP/InP buried heterostruc
ture surface-emitting diode laser with monolithic
integrating bifocal microlens ”,Applied Physics L
etters,Vol.56,No.13,1990年 3月26日, 1219乃至1221
頁）を参照。
【０００８】大部分の表面放射レーザは、レーザ空洞の
一端または両端から間隔を隔てられた外部空洞光路屈折
ミラーを含んでいる。このような装置は、文献（Liau氏
他による“Surface Emitting GaInAsP/InP Laser with
Low Threshold Current andHigh Efficiency ”，Appli
ed Physics Letters ，Vol.46，No.2，1985年 6月15
日）に示されている。これらのレーザは、通常の（基体
に平行な）整列レーザ構造を成長させ、垂直な空洞ミラ
ーおよび空洞ミラーの対向したものである45°傾斜され
た偏向ミラーを形成することによって製造される。通常
の方法は、イオンビーム加工によって空洞の一端に空洞
ミラーおよび光路屈折ミラーの両者を形成することであ
り、ウェハ面は垂直方向から入射ビーム方向に傾斜され
る（上記のGoodhue 氏らの文献を参照）。光路屈折ミラ
ーは、それが偏向するビームをコリメートまたは集束す
るために湾曲した表面を設けられることができる。第２
の加工ステップは、所望ならば空洞の対向した端部でミ
ラーを形成するために使用される。レーザ空洞はエッジ
放射レーザに類似しているため、装置の特性はほとんど
の点においてエッジ放射レーザのものと同程度に良好で
ある。しかしながら、これらのレーザでは遠フィールド
パターンが歪み、出力効率が低下する。
一端または両端から間隔を隔てられた外部空洞光路屈折
ミラーを含んでいる。このような装置は、文献（Liau氏
他による“Surface Emitting GaInAsP/InP Laser with
Low Threshold Current andHigh Efficiency ”，Appli
ed Physics Letters ，Vol.46，No.2，1985年 6月15
日）に示されている。これらのレーザは、通常の（基体
に平行な）整列レーザ構造を成長させ、垂直な空洞ミラ
ーおよび空洞ミラーの対向したものである45°傾斜され
た偏向ミラーを形成することによって製造される。通常
の方法は、イオンビーム加工によって空洞の一端に空洞
ミラーおよび光路屈折ミラーの両者を形成することであ
り、ウェハ面は垂直方向から入射ビーム方向に傾斜され
る（上記のGoodhue 氏らの文献を参照）。光路屈折ミラ
ーは、それが偏向するビームをコリメートまたは集束す
るために湾曲した表面を設けられることができる。第２
の加工ステップは、所望ならば空洞の対向した端部でミ
ラーを形成するために使用される。レーザ空洞はエッジ
放射レーザに類似しているため、装置の特性はほとんど
の点においてエッジ放射レーザのものと同程度に良好で
ある。しかしながら、これらのレーザでは遠フィールド
パターンが歪み、出力効率が低下する。
【０００９】図１は通常の水平空洞表面放射レーザシス
テムを示す。レーザ２は、半導体基体４から上方に延在
し、活性レーザ層６は上部および下部半導体クラッド層
８および10の間に挟まれている。基体の本体自身が下部
クラッド層として機能することができる。レーザの背面
12は、全反射ミラー（示されていない）により被覆さ
れ、一方角度を付けられた溝14は、レーザの前端部16上
への部分反射ミラー（示されていない）の付着を可能に
するようにレーザの直前に形成される。レーザに対向し
た溝壁18は、典型的に45°の角度を付けられて形成さ
れ、それは放射されたレーザビーム20の少なくとも一部
分を基体に対してほぼ垂直に偏向させる。
テムを示す。レーザ２は、半導体基体４から上方に延在
し、活性レーザ層６は上部および下部半導体クラッド層
８および10の間に挟まれている。基体の本体自身が下部
クラッド層として機能することができる。レーザの背面
12は、全反射ミラー（示されていない）により被覆さ
れ、一方角度を付けられた溝14は、レーザの前端部16上
への部分反射ミラー（示されていない）の付着を可能に
するようにレーザの直前に形成される。レーザに対向し
た溝壁18は、典型的に45°の角度を付けられて形成さ
れ、それは放射されたレーザビーム20の少なくとも一部
分を基体に対してほぼ垂直に偏向させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】レーザの活性（光放
射）層６は典型的に装置の上面の下の１乃至２ミクロン
の位置に配置される。活性層６の垂直高は非常に小さ
く、 0.1ミクロン程度であり、出力ビーム20（破線によ
って示された）は適切な垂直発散または“ファン作用”
を行う。ビームは一般にミラー面18を越えて垂直に発散
し、ビームのほぼ20％乃至40％（斜線領域22によって示
された）がミラーの上方を通過し、残りのビームと一緒
に偏向されない。この光損失はレーザの効率を減少し、
結果的なビームパターンを歪める。光路屈折ミラーのエ
ッジに当たった光からの干渉効果はまた遠フィールドパ
ターンにおいて望ましくないリップルまたはサイドロー
ブを生成する。
射）層６は典型的に装置の上面の下の１乃至２ミクロン
の位置に配置される。活性層６の垂直高は非常に小さ
く、 0.1ミクロン程度であり、出力ビーム20（破線によ
って示された）は適切な垂直発散または“ファン作用”
を行う。ビームは一般にミラー面18を越えて垂直に発散
し、ビームのほぼ20％乃至40％（斜線領域22によって示
された）がミラーの上方を通過し、残りのビームと一緒
に偏向されない。この光損失はレーザの効率を減少し、
結果的なビームパターンを歪める。光路屈折ミラーのエ
ッジに当たった光からの干渉効果はまた遠フィールドパ
ターンにおいて望ましくないリップルまたはサイドロー
ブを生成する。
【００１１】本発明の目的は、新しいレーザ構造を得る
ための特別な製造技術と共に、装置の最高の出力の中に
レーザビームの実質的にほとんどの部分を偏向させるこ
とによって従来の装置の効率および光学的な品質の両者
に関して改良された外部空洞面放射レーザを提供するこ
とである。
ための特別な製造技術と共に、装置の最高の出力の中に
レーザビームの実質的にほとんどの部分を偏向させるこ
とによって従来の装置の効率および光学的な品質の両者
に関して改良された外部空洞面放射レーザを提供するこ
とである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、直線に
整列したレーザと同じ基体上に外部光路屈折ミラーを製
造することによって達成され、ミラーはレーザとほぼ直
線に整列した部分および従来であればシステムに対して
失われるレーザビームの部分を偏向するために上部レー
ザ面を越えて延在する延在部を含んでいる。したがっ
て、レーザの上方のミラー延在部の高さは、レーザ自身
の垂直高に匹敵している。
整列したレーザと同じ基体上に外部光路屈折ミラーを製
造することによって達成され、ミラーはレーザとほぼ直
線に整列した部分および従来であればシステムに対して
失われるレーザビームの部分を偏向するために上部レー
ザ面を越えて延在する延在部を含んでいる。したがっ
て、レーザの上方のミラー延在部の高さは、レーザ自身
の垂直高に匹敵している。
【００１３】新しい構造に対する１つの製造技術は、ミ
ラー延在部を形成するために再付着材料の堆積を使用す
る新しいマスキングおよびイオン研削技術を含む。後に
除去される厚いマスク層はミラーのベース部分をパター
ン化し、ミラー延在部中への再付着材料の累積物を戻す
ために使用される。約３乃至６ミクロンのレーザ高に対
して、エッチングマスクはイオンビーム研削の前に基体
の上方に約５乃至10ミクロン延在するフォトレジストと
して形成され、研削プロセスによって約３乃至６ミクロ
ンの高さに減少されることが好ましい。開口はミラー領
域にわたって基体を露出するためにフォトレジストにお
いてパターン化され、ミラー延在部を形成する再付着さ
れたエッチング材料の堆積を行うためのセットバックを
含む。
ラー延在部を形成するために再付着材料の堆積を使用す
る新しいマスキングおよびイオン研削技術を含む。後に
除去される厚いマスク層はミラーのベース部分をパター
ン化し、ミラー延在部中への再付着材料の累積物を戻す
ために使用される。約３乃至６ミクロンのレーザ高に対
して、エッチングマスクはイオンビーム研削の前に基体
の上方に約５乃至10ミクロン延在するフォトレジストと
して形成され、研削プロセスによって約３乃至６ミクロ
ンの高さに減少されることが好ましい。開口はミラー領
域にわたって基体を露出するためにフォトレジストにお
いてパターン化され、ミラー延在部を形成する再付着さ
れたエッチング材料の堆積を行うためのセットバックを
含む。
【００１４】別の製造方法において、ミラー延在層が最
初に基体上に形成され、その後傾斜した側面を有する開
口が延在層およびその下に位置した活性およびクラッド
層の両方にエッチングされる。この開口は、レーザの放
射エッジおよび上部レーザ面上に延在する対向した光路
屈折ミラーの両者を限定する。その後、延在層はレーザ
上から除去される。エピタキシャル成長方法は延在層を
形成するために使用されることが可能であり、エッチン
グ停止層はレーザの上から延在層を除去するのを助ける
ために延在層の直ぐ下に設けられる。その後、エッチン
グ停止層自身がレーザ上から除去されるが、しかしミラ
ー内に残っている。残留したエッチング停止層からの光
学的な歪みを阻止するように類似した屈折率を持つミラ
ーおよびエッチング停止材料が選択される。レーザ上か
ら延在層を除去する時、ミラーマスクを上部レーザ面上
に数ミクロン重ねることによってレーザ放射エッジの保
護が保証される。
初に基体上に形成され、その後傾斜した側面を有する開
口が延在層およびその下に位置した活性およびクラッド
層の両方にエッチングされる。この開口は、レーザの放
射エッジおよび上部レーザ面上に延在する対向した光路
屈折ミラーの両者を限定する。その後、延在層はレーザ
上から除去される。エピタキシャル成長方法は延在層を
形成するために使用されることが可能であり、エッチン
グ停止層はレーザの上から延在層を除去するのを助ける
ために延在層の直ぐ下に設けられる。その後、エッチン
グ停止層自身がレーザ上から除去されるが、しかしミラ
ー内に残っている。残留したエッチング停止層からの光
学的な歪みを阻止するように類似した屈折率を持つミラ
ーおよびエッチング停止材料が選択される。レーザ上か
ら延在層を除去する時、ミラーマスクを上部レーザ面上
に数ミクロン重ねることによってレーザ放射エッジの保
護が保証される。
【００１５】これらの製造方法は通常の処理装置を必要
とするだけであり、種々の材料から形成されたレーザと
適合する。本発明のこれらおよびその他の特徴および利
点は以下の詳細な説明および添付図面から当業者に明ら
かになるであろう。
とするだけであり、種々の材料から形成されたレーザと
適合する。本発明のこれらおよびその他の特徴および利
点は以下の詳細な説明および添付図面から当業者に明ら
かになるであろう。
【００１６】
【実施例】本発明の１実施例の表面放射層システムが図
２で示されている。本発明の１つの利点はＩｎＰクラッ
ド層、ＩｎＧａＡｓ活性領域を有する基体またはＧａＡ
ｓベ−スの材料のようなレーザ２に対して種々の材料シ
ステムと両立することである。これはモノリシックに電
子回路と同一の基体上でも集積されることができる。し
かしながら、レ−ザと光路屈折ミラーの上方エッジが同
一平面である代りに上方延在部24がミラー構造に付加さ
れる。ミラーは従って従来の装置のようにレ−ザと整列
される下方部18´と、レ−ザの上方表面のレベルの上に
***する延在した表面26を具備する。延在部が名目的な
軸からのレ−ザビ−ムの垂直発散に適合するように十分
な高さで製造されており、この名目的な軸は通常基体と
平行であるならば、実質上全体的なビ−ムは偏向され、
平面から外れた出力ビ−ム28に含まれることができる。
延在したミラーは所望によりビ−ムを照準し集束するた
めに湾曲されることができる。新しい構造は通常の装置
と類似した標準的なレ−ザエピタキシャル層ウェハから
製造されるのが好ましい。
２で示されている。本発明の１つの利点はＩｎＰクラッ
ド層、ＩｎＧａＡｓ活性領域を有する基体またはＧａＡ
ｓベ−スの材料のようなレーザ２に対して種々の材料シ
ステムと両立することである。これはモノリシックに電
子回路と同一の基体上でも集積されることができる。し
かしながら、レ−ザと光路屈折ミラーの上方エッジが同
一平面である代りに上方延在部24がミラー構造に付加さ
れる。ミラーは従って従来の装置のようにレ−ザと整列
される下方部18´と、レ−ザの上方表面のレベルの上に
***する延在した表面26を具備する。延在部が名目的な
軸からのレ−ザビ−ムの垂直発散に適合するように十分
な高さで製造されており、この名目的な軸は通常基体と
平行であるならば、実質上全体的なビ−ムは偏向され、
平面から外れた出力ビ−ム28に含まれることができる。
延在したミラーは所望によりビ−ムを照準し集束するた
めに湾曲されることができる。新しい構造は通常の装置
と類似した標準的なレ−ザエピタキシャル層ウェハから
製造されるのが好ましい。
【００１７】新しいレ−ザ光路屈折ミラー構造の２つの
製造方法を以下説明する。両者の方法のための好ましい
構成は垂直またはほぼ垂直のレ−ザ放射面16と傾斜した
光路屈折ミラーとの両者を形成するように方向性イオン
ビ−ム加工を使用する。単一の固定した角度で方向付け
られたイオンビ−ムが２つの異なった角度で１対の対向
するエッチングされた表面を生成することができる方法
が図３のａおよびｂで示されている。図３のａではイオ
ンビ−ム30が基体32の水平な上方表面に対して垂直に下
方向に方向付けられて示されている。エッチングは垂直
下方向と共に横方向に進行し、ビ−ムに対して平行では
なく垂直に対して傾斜した角度の側壁34ａ、34ｂを生じ
る。ビ−ムおよび基体材料の特性に応じて、ビ−ムは一
方の側壁が垂直で他方がビ−ムより鈍角で垂直面からオ
フセットされるように特に垂直な角度から外れて傾斜さ
れることができる。このことは図３のｂで示されてお
り、ここではビ−ム34´は垂直面に対して傾斜してお
り、その結果、側壁30´が垂直であり反対側の側壁34´
が図３ａよりも垂直面に対して大きな角を有する。Ｉｎ
ＧａＡｓ活性層を有するＩｎＰ基体が使用された後述の
レ−ザ光路屈折ミラー製造方法では、垂直レ−ザ放射表
面と45°の傾斜したミラー表面が垂直面（用語“垂直”
は便宜上のものであり、説明を容易にするために使用し
たものであり、基体の方向にかかわらず基体表面に垂直
な方向を意味している）に対して30°の角度で500 ｅＶ
のアルゴンイオンビ−ムで同時に得られる。他のエネル
ギまたは塩素のような他のイオン構成要素を有するビ−
ムには他の傾斜角度が必要であろう。
製造方法を以下説明する。両者の方法のための好ましい
構成は垂直またはほぼ垂直のレ−ザ放射面16と傾斜した
光路屈折ミラーとの両者を形成するように方向性イオン
ビ−ム加工を使用する。単一の固定した角度で方向付け
られたイオンビ−ムが２つの異なった角度で１対の対向
するエッチングされた表面を生成することができる方法
が図３のａおよびｂで示されている。図３のａではイオ
ンビ−ム30が基体32の水平な上方表面に対して垂直に下
方向に方向付けられて示されている。エッチングは垂直
下方向と共に横方向に進行し、ビ−ムに対して平行では
なく垂直に対して傾斜した角度の側壁34ａ、34ｂを生じ
る。ビ−ムおよび基体材料の特性に応じて、ビ−ムは一
方の側壁が垂直で他方がビ−ムより鈍角で垂直面からオ
フセットされるように特に垂直な角度から外れて傾斜さ
れることができる。このことは図３のｂで示されてお
り、ここではビ−ム34´は垂直面に対して傾斜してお
り、その結果、側壁30´が垂直であり反対側の側壁34´
が図３ａよりも垂直面に対して大きな角を有する。Ｉｎ
ＧａＡｓ活性層を有するＩｎＰ基体が使用された後述の
レ−ザ光路屈折ミラー製造方法では、垂直レ−ザ放射表
面と45°の傾斜したミラー表面が垂直面（用語“垂直”
は便宜上のものであり、説明を容易にするために使用し
たものであり、基体の方向にかかわらず基体表面に垂直
な方向を意味している）に対して30°の角度で500 ｅＶ
のアルゴンイオンビ−ムで同時に得られる。他のエネル
ギまたは塩素のような他のイオン構成要素を有するビ−
ムには他の傾斜角度が必要であろう。
【００１８】第１の製造方法が図４のａ乃至ｄに示され
ている、レ−ザクラッド層８、10と活性領域６のための
全体的な厚さが約３〜６ミクロンと仮定すると、好まし
くはフォトレジスト等の第１のエッチングマスク36は好
ましくは厚さ約５〜10ミクロンで上方クラッド層８上に
形成される。チタニウムのような材料の内部層38は第１
のフォトレジスト層36上に形成され、同じくフォトレジ
ストであることが好ましい上方マスク層40が後続して付
着される。上方フォトレジスト層40はミラーの整列され
た部分および延在された部分の両部分の意図した領域に
わたって開口42を設けるために通常のフォトリソグラフ
的技術により成形される。下方マスク36にポリイミド、
内部層38に二酸化シリコンのような他のマスク材料も使
用される。上方フォトレジスト層40はフルオロカ−ボン
ガスによるエッチングで除去されることが好ましい下に
位置する露出されたチタンの反応イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）のマスクとして作用する。このことはパターン化
された開口42の両側の上方フォトレジストポスト44,46
との間の領域からチタン層を除去する。ポスト44,46 の
下に残留したチタンは酸素により行われることが好まし
い下方フォトレジスト層36のＲＩＥ用のマスクの役目を
する。フォトレジストエッチングは開口42下の第１のフ
ォトレジスト層36の部分と上方フォトレジスト層のポス
ト44，46を除去する。最終的に残留チタン層はフッ化水
素酸でのエッチングにより除去される。結果が図４ｂで
示されており、この図では開口48が下方フォトレジスト
層36に形成され、フォトレジストポスト50,52 は開口の
両側の境界を形成する。ＲＩＥ状態の調節により下方フ
ォトレジスト層に形成される開口48の幅と側壁形状は所
望するように変化されることができる。
ている、レ−ザクラッド層８、10と活性領域６のための
全体的な厚さが約３〜６ミクロンと仮定すると、好まし
くはフォトレジスト等の第１のエッチングマスク36は好
ましくは厚さ約５〜10ミクロンで上方クラッド層８上に
形成される。チタニウムのような材料の内部層38は第１
のフォトレジスト層36上に形成され、同じくフォトレジ
ストであることが好ましい上方マスク層40が後続して付
着される。上方フォトレジスト層40はミラーの整列され
た部分および延在された部分の両部分の意図した領域に
わたって開口42を設けるために通常のフォトリソグラフ
的技術により成形される。下方マスク36にポリイミド、
内部層38に二酸化シリコンのような他のマスク材料も使
用される。上方フォトレジスト層40はフルオロカ−ボン
ガスによるエッチングで除去されることが好ましい下に
位置する露出されたチタンの反応イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）のマスクとして作用する。このことはパターン化
された開口42の両側の上方フォトレジストポスト44,46
との間の領域からチタン層を除去する。ポスト44,46 の
下に残留したチタンは酸素により行われることが好まし
い下方フォトレジスト層36のＲＩＥ用のマスクの役目を
する。フォトレジストエッチングは開口42下の第１のフ
ォトレジスト層36の部分と上方フォトレジスト層のポス
ト44，46を除去する。最終的に残留チタン層はフッ化水
素酸でのエッチングにより除去される。結果が図４ｂで
示されており、この図では開口48が下方フォトレジスト
層36に形成され、フォトレジストポスト50,52 は開口の
両側の境界を形成する。ＲＩＥ状態の調節により下方フ
ォトレジスト層に形成される開口48の幅と側壁形状は所
望するように変化されることができる。
【００１９】フォトレジストポスト50,52 は上方および
下方クラッド層８，10と介在する活性層６を通る深い傾
斜した溝54のイオンビ−ム研削用のマスクの役目をす
る。イオンビ−ム56の好ましいパラメ−タは前述され垂
直（またはほぼ垂直な）のレ−ザ放射表面58が溝54の一
方の側面上に、ミラー表面60が垂直面に対して約45°の
角度で傾斜した溝の他方の側面上に形成される。
下方クラッド層８，10と介在する活性層６を通る深い傾
斜した溝54のイオンビ−ム研削用のマスクの役目をす
る。イオンビ−ム56の好ましいパラメ−タは前述され垂
直（またはほぼ垂直な）のレ−ザ放射表面58が溝54の一
方の側面上に、ミラー表面60が垂直面に対して約45°の
角度で傾斜した溝の他方の側面上に形成される。
【００２０】イオンビ−ム研削処理中、（活性層材料の
一部と共に）供給されたイオンによりスパッタされるク
ラッド材料は図４のｃで示されているようにレ−ザエピ
タキシャル層の上方表面とフォトレジストポスト52のエ
ッジにより形成される角部にミラー延在部62として再付
着し累積する。このポスト52はイオンビ−ム研削処理
中、再付着領域を遮蔽し再付着した材料がここで累積さ
れることを可能にする。前述のビ−ム状態と厚さ約３〜
６ミクロンの全体的なレ−ザの厚さでは約５〜10ミクロ
ンの高さを有する最初のフォトレジストポスト50,52
（図４のｂ）の形成は、好ましくはレ−ザ材料を浸食す
るエッチング液がいくぶんかフォトレジストも浸食して
しまうのでエッチング完了後、ポストを約３〜６ミクロ
ンの高さだけ残す。所望の湾曲はフォトレジスト開口48
の最初の幅および形態とフォトレジストポスト50,52 の
厚さを調節することにより公称45°の傾斜ミラー表面に
対して設定されることができる。
一部と共に）供給されたイオンによりスパッタされるク
ラッド材料は図４のｃで示されているようにレ−ザエピ
タキシャル層の上方表面とフォトレジストポスト52のエ
ッジにより形成される角部にミラー延在部62として再付
着し累積する。このポスト52はイオンビ−ム研削処理
中、再付着領域を遮蔽し再付着した材料がここで累積さ
れることを可能にする。前述のビ−ム状態と厚さ約３〜
６ミクロンの全体的なレ−ザの厚さでは約５〜10ミクロ
ンの高さを有する最初のフォトレジストポスト50,52
（図４のｂ）の形成は、好ましくはレ−ザ材料を浸食す
るエッチング液がいくぶんかフォトレジストも浸食して
しまうのでエッチング完了後、ポストを約３〜６ミクロ
ンの高さだけ残す。所望の湾曲はフォトレジスト開口48
の最初の幅および形態とフォトレジストポスト50,52 の
厚さを調節することにより公称45°の傾斜ミラー表面に
対して設定されることができる。
【００２１】ミラー延在部62の適切な再付着は主として
フォトレジストポスト50,52 の高さ、これらの間の距
離、使用するフォトレジストのタイプ、エッチングの深
さ、イオンビ−ムの角度によって決定される。イオンビ
−ムの角度は適切な再付着を得ることが必要ならば調節
されることができる。このような調節はレ−ザ放射表面
58の角度に影響するが、この表面では完全な垂直面から
公称上約２°の許容度が存在する。エッチング幅が実質
上エッチングの深さよりも大きいならば湾曲したミラー
ではなく平面のミラーが結果として生じる。これは集束
されたイオンビ−ム（ＦＩＢ）によるミラー表面の処理
が正確なミラー湾曲を得るために行われるときのような
場合には望ましいが、公称上ビ−ム発散を限定するため
レ−ザに関して凹面であるミラー湾曲を設けるために望
ましい。
フォトレジストポスト50,52 の高さ、これらの間の距
離、使用するフォトレジストのタイプ、エッチングの深
さ、イオンビ−ムの角度によって決定される。イオンビ
−ムの角度は適切な再付着を得ることが必要ならば調節
されることができる。このような調節はレ−ザ放射表面
58の角度に影響するが、この表面では完全な垂直面から
公称上約２°の許容度が存在する。エッチング幅が実質
上エッチングの深さよりも大きいならば湾曲したミラー
ではなく平面のミラーが結果として生じる。これは集束
されたイオンビ−ム（ＦＩＢ）によるミラー表面の処理
が正確なミラー湾曲を得るために行われるときのような
場合には望ましいが、公称上ビ−ム発散を限定するため
レ−ザに関して凹面であるミラー湾曲を設けるために望
ましい。
【００２２】イオン研削の完了後、残留したフォトレジ
ストポスト50,52 は適切な溶解剤で除去され、図４のｄ
で示されているようにレ−ザ２と水平に整列する部分60
と上方レ−ザ表面上に突出する再付着したミラー延在部
62の両者を含むミラーを残す。ミラー延在部62は通常三
角形の断面形態であり基体上の最高点における先端64に
到達し、通常レ−ザレベルに接近するとき幅が広がる。
ストポスト50,52 は適切な溶解剤で除去され、図４のｄ
で示されているようにレ−ザ２と水平に整列する部分60
と上方レ−ザ表面上に突出する再付着したミラー延在部
62の両者を含むミラーを残す。ミラー延在部62は通常三
角形の断面形態であり基体上の最高点における先端64に
到達し、通常レ−ザレベルに接近するとき幅が広がる。
【００２３】表面放射光出力を増加するためミラー表面
60,62 は金属層の基体の上方側面への蒸着により高反射
表面で被覆されることができる。基体はこの処理中、蒸
着のために約30°の傾斜角度に設置され、従ってレ−ザ
放射表面58は隠蔽され、金属により被覆されない。金属
は通常のリフトオフリソグラフ技術を使用して付加的に
成形される。またレ−ザ放射表面58は窒化シリコンのプ
ラズマ強化化学気相付着（ＣＶＤ）により反射防止被覆
で被覆される。十分にまたは部分的に反射性の被覆は共
振空洞を完成するために反対側のレ−ザ面にも設けられ
ることができる。
60,62 は金属層の基体の上方側面への蒸着により高反射
表面で被覆されることができる。基体はこの処理中、蒸
着のために約30°の傾斜角度に設置され、従ってレ−ザ
放射表面58は隠蔽され、金属により被覆されない。金属
は通常のリフトオフリソグラフ技術を使用して付加的に
成形される。またレ−ザ放射表面58は窒化シリコンのプ
ラズマ強化化学気相付着（ＣＶＤ）により反射防止被覆
で被覆される。十分にまたは部分的に反射性の被覆は共
振空洞を完成するために反対側のレ−ザ面にも設けられ
ることができる。
【００２４】別のレーザ処理ステップは、特定のタイプ
のレーザ（リッジ導波体または埋設されたヘテロ構造の
ような）の製造に依存している。このようなステップ
は、光路屈折ミラー製造の前または後に実行されること
ができ、レーザ製造では普通の技術である。ミラー製造
技術自身は、反応イオンエッチング装置、イオンビーム
加工器および蒸着装置等の一般に認められた処理装置を
使用する必要がある。
のレーザ（リッジ導波体または埋設されたヘテロ構造の
ような）の製造に依存している。このようなステップ
は、光路屈折ミラー製造の前または後に実行されること
ができ、レーザ製造では普通の技術である。ミラー製造
技術自身は、反応イオンエッチング装置、イオンビーム
加工器および蒸着装置等の一般に認められた処理装置を
使用する必要がある。
【００２５】第２の製造技術は図５のａ乃至ｄに示され
ている。また、前に説明されたものと同じ素子は同じ参
照符号で示されている。この実施例において、標準的な
レーザエピタキシャル層は成長させられ、それに続いて
上部クラッド層８を覆ってエッチング停止層66が成長さ
れ、その後上部エピタキシャル延在層68が成長される。
特定の材料系に応じて、エピタキシャル層68は上部クラ
ッド層８と同じ材料または異なる材料であることができ
る。例えば、ＧａＡｓレーザでは上部クラッド層はＡｌ
ＧａＡｓであり、エピタキシャル層68はＧａＡｓである
ことが好ましく、一方ＩｎＰレーザでは上部クラッドお
よびエピタキシャル層はＩｎＰである。
ている。また、前に説明されたものと同じ素子は同じ参
照符号で示されている。この実施例において、標準的な
レーザエピタキシャル層は成長させられ、それに続いて
上部クラッド層８を覆ってエッチング停止層66が成長さ
れ、その後上部エピタキシャル延在層68が成長される。
特定の材料系に応じて、エピタキシャル層68は上部クラ
ッド層８と同じ材料または異なる材料であることができ
る。例えば、ＧａＡｓレーザでは上部クラッド層はＡｌ
ＧａＡｓであり、エピタキシャル層68はＧａＡｓである
ことが好ましく、一方ＩｎＰレーザでは上部クラッドお
よびエピタキシャル層はＩｎＰである。
【００２６】エッチング停止層66および上部エピタキシ
ャル層68は、そのミラーが高反射率層でさらに被覆され
ない場合には最後の光路屈折ミラーにおいて光学的な歪
みを最小にするようにレーザクラッド層と同じ屈折率を
有していなければならない。例えばＧａＡｓベースレー
ザに対して、エッチング停止層66はＧａＡｌＡｓから構
成されてもよく、上部エピタキシャル層68はＧａＡｓか
ら形成される。金属有機気相エピタキシャルまたは分子
ビームエピタキシ等の種々のエピタキシャル成長技術が
使用されることができる。これらの層の成長に続いて、
図５のａに示されているようにマスク層70がウェハ上に
付着され、ミラー開口72を有するようにパターン化され
る。
ャル層68は、そのミラーが高反射率層でさらに被覆され
ない場合には最後の光路屈折ミラーにおいて光学的な歪
みを最小にするようにレーザクラッド層と同じ屈折率を
有していなければならない。例えばＧａＡｓベースレー
ザに対して、エッチング停止層66はＧａＡｌＡｓから構
成されてもよく、上部エピタキシャル層68はＧａＡｓか
ら形成される。金属有機気相エピタキシャルまたは分子
ビームエピタキシ等の種々のエピタキシャル成長技術が
使用されることができる。これらの層の成長に続いて、
図５のａに示されているようにマスク層70がウェハ上に
付着され、ミラー開口72を有するようにパターン化され
る。
【００２７】次のステップにおいて、図５のｂに示され
ているように斜角を持つ溝74はイオンビーム研削等の技
術によってウェハ中にエッチングされる。１つの溝壁76
は、レーザ放射面を形成するために垂直であり、一方対
向した溝壁78はミラー面を形成するように垂線に対して
約45°に傾斜される。イオンビーム研削技術は、通常の
外部空洞45°ミラーレーザのミラー溝をエッチングする
ために使用されるものと同じである。ミラーがレーザの
底部まで延在する場合、深い溝が要求されるため、マス
ク層70は延長したエッチングに耐えることができなけれ
ばならない。適切なマスク材料の例はアルゴンイオンビ
ーム研削用のフォトレジストの厚い層または塩素ＲＩＥ
用のニッケルの厚い層である。再付着材料80の部分は一
般に図４のａ乃至ｄの製造方法のようにイオンビームマ
スク70の影の中に形成される。１次ミラー延在部は上部
エピタキシャル層68によって与えられるため、この付加
的な部分80はそのまま残されるか或は除去されることが
できる。これは以降の図中の破線で示されている。
ているように斜角を持つ溝74はイオンビーム研削等の技
術によってウェハ中にエッチングされる。１つの溝壁76
は、レーザ放射面を形成するために垂直であり、一方対
向した溝壁78はミラー面を形成するように垂線に対して
約45°に傾斜される。イオンビーム研削技術は、通常の
外部空洞45°ミラーレーザのミラー溝をエッチングする
ために使用されるものと同じである。ミラーがレーザの
底部まで延在する場合、深い溝が要求されるため、マス
ク層70は延長したエッチングに耐えることができなけれ
ばならない。適切なマスク材料の例はアルゴンイオンビ
ーム研削用のフォトレジストの厚い層または塩素ＲＩＥ
用のニッケルの厚い層である。再付着材料80の部分は一
般に図４のａ乃至ｄの製造方法のようにイオンビームマ
スク70の影の中に形成される。１次ミラー延在部は上部
エピタキシャル層68によって与えられるため、この付加
的な部分80はそのまま残されるか或は除去されることが
できる。これは以降の図中の破線で示されている。
【００２８】ミラー領域がエッチングされた後、マスク
材料70は溶媒または化学エッチング剤によって除去され
る。その後、ウェハは図５のｃに示されているようにミ
ラー溝の付近だけを被覆するようにパターン化されたフ
ォトレジスト82の層で被覆される。後続するエッチング
工程中にレーザの放射面を保護するために、フォトレジ
ストは溝全体を充填しなければならない。これが行われ
ることを保証するために、フォトレジストは、それが数
ミクロンだけレーザ領域の上方の上部エピタキシャル層
68上に延在するようにパターン化される。次にウェハは
レーザ上に位置する露出領域から上部エピタキシャル層
68を除去する選択的なＲＩＥ、プラズマエッチングまた
は湿式化学エッチングにさらされる。エッチングは垂直
下方だけでなく横方向にも進行し、それによって重なっ
たフォトレジストをアンダーカットし、レーザの上方か
ら上部エピタキシャル層を全て除去する。ＧａＡｓに対
してＣＣｌ2 Ｆ2 プラズマであってよい選択的エッチン
グ剤は下にあるエッチング停止層66を浸食せず、これは
レーザ自身を保護する。その後、エッチング停止層は下
にあるレーザエピタキシャル層を浸食しないＧａＡｌＡ
ｓに対する弗化水素酸等の別の選択的エッチング剤によ
って除去される。これに続いて、図５のｄに示されたよ
うにフォトレジストマスク82が除去され、空洞ミラーの
製造を完了する。
材料70は溶媒または化学エッチング剤によって除去され
る。その後、ウェハは図５のｃに示されているようにミ
ラー溝の付近だけを被覆するようにパターン化されたフ
ォトレジスト82の層で被覆される。後続するエッチング
工程中にレーザの放射面を保護するために、フォトレジ
ストは溝全体を充填しなければならない。これが行われ
ることを保証するために、フォトレジストは、それが数
ミクロンだけレーザ領域の上方の上部エピタキシャル層
68上に延在するようにパターン化される。次にウェハは
レーザ上に位置する露出領域から上部エピタキシャル層
68を除去する選択的なＲＩＥ、プラズマエッチングまた
は湿式化学エッチングにさらされる。エッチングは垂直
下方だけでなく横方向にも進行し、それによって重なっ
たフォトレジストをアンダーカットし、レーザの上方か
ら上部エピタキシャル層を全て除去する。ＧａＡｓに対
してＣＣｌ2 Ｆ2 プラズマであってよい選択的エッチン
グ剤は下にあるエッチング停止層66を浸食せず、これは
レーザ自身を保護する。その後、エッチング停止層は下
にあるレーザエピタキシャル層を浸食しないＧａＡｌＡ
ｓに対する弗化水素酸等の別の選択的エッチング剤によ
って除去される。これに続いて、図５のｄに示されたよ
うにフォトレジストマスク82が除去され、空洞ミラーの
製造を完了する。
【００２９】レーザストリップおよび電気コンタクト等
のレーザを製造する残りのステップは、標準的な技術を
使用して行なわれることができる。図４のａ乃至ｄの実
施例のように、システムの光出力強度を増加するために
ミラー面は高い屈折率の被覆を設けられ、垂直なレーザ
放射面は反射防止被覆を形成される。
のレーザを製造する残りのステップは、標準的な技術を
使用して行なわれることができる。図４のａ乃至ｄの実
施例のように、システムの光出力強度を増加するために
ミラー面は高い屈折率の被覆を設けられ、垂直なレーザ
放射面は反射防止被覆を形成される。
【００３０】最終的な装置構造は、完成したレーザ84、
レーザと整列した下方ミラー部分86および基体およびレ
ーザにほぼ平行に延在し、レーザにほぼ面したミラー面
を含む上部ミラー延在部88を含む。ミラー面上の反射被
覆の供給はまたエッチング停止層66が反射されたビーム
を歪ませることを阻止する。
レーザと整列した下方ミラー部分86および基体およびレ
ーザにほぼ平行に延在し、レーザにほぼ面したミラー面
を含む上部ミラー延在部88を含む。ミラー面上の反射被
覆の供給はまたエッチング停止層66が反射されたビーム
を歪ませることを阻止する。
【００３１】いずれの製造方法でも、光路屈折ミラーは
レーザから放射される実質的に全ての光が最終出力ビー
ム中に反射されることを保証するのに十分な距離で上部
レーザ面の上方までに延在する。図５のｄに示された光
路屈折ミラーは平面で示されているが、実際にはそれは
図４のｄのミラーのようにレーザに関して通常凹形湾曲
部を有している。この湾曲部はレーザから最初に放射さ
れたときにその垂直な発散に関してビームを集束する傾
向がある。単一の横断モード装置のような狭いストリッ
プレーザに対して、水平面においてビーームを集束また
はコリメートすることもまた望ましい。
レーザから放射される実質的に全ての光が最終出力ビー
ム中に反射されることを保証するのに十分な距離で上部
レーザ面の上方までに延在する。図５のｄに示された光
路屈折ミラーは平面で示されているが、実際にはそれは
図４のｄのミラーのようにレーザに関して通常凹形湾曲
部を有している。この湾曲部はレーザから最初に放射さ
れたときにその垂直な発散に関してビームを集束する傾
向がある。単一の横断モード装置のような狭いストリッ
プレーザに対して、水平面においてビーームを集束また
はコリメートすることもまた望ましい。
【００３２】水平面においてビームを成形するいくつか
の技術は、エッジ放射レーザに対して以前から開発され
ており、このためにこの表面放射レーザ中に含まれるこ
とが可能である。リッジ導波体レーザ90用の結果的な構
造は図６に示されている。このレーザは基体92上に製造
され、上部延在部を備えた光路屈折ミラー94が上記のよ
うに設けられる。領域96は横の水平方向に光を導かない
ような広いまたは扇状のストリップと共にレーザ空洞の
端部に設けられる。光は依然としてレーザクラッド層に
より垂直方向に導かれるが、水平面において光は発散
し、ビームは拡張する。部分的反射に過ぎないレーザの
出力ミラーは、その後湾曲形状を有するようにリソグラ
フによってパターン化され、ビームを集束またはコリメ
ートするように円筒形ミラーを形成する。この湾曲した
垂直レーザ空洞ミラーは平面空洞ミラーと同じ方法でエ
ッチングされ、研削されることができる。
の技術は、エッジ放射レーザに対して以前から開発され
ており、このためにこの表面放射レーザ中に含まれるこ
とが可能である。リッジ導波体レーザ90用の結果的な構
造は図６に示されている。このレーザは基体92上に製造
され、上部延在部を備えた光路屈折ミラー94が上記のよ
うに設けられる。領域96は横の水平方向に光を導かない
ような広いまたは扇状のストリップと共にレーザ空洞の
端部に設けられる。光は依然としてレーザクラッド層に
より垂直方向に導かれるが、水平面において光は発散
し、ビームは拡張する。部分的反射に過ぎないレーザの
出力ミラーは、その後湾曲形状を有するようにリソグラ
フによってパターン化され、ビームを集束またはコリメ
ートするように円筒形ミラーを形成する。この湾曲した
垂直レーザ空洞ミラーは平面空洞ミラーと同じ方法でエ
ッチングされ、研削されることができる。
【００３３】レーザ空洞に平行および垂直の両方向に成
形されるビームを有する表面放射レレーザを得るための
別の方法は図７に示されている。拡大された45°光路屈
折ミラー98は基体102 上に通常のレーザ100 と対向して
形成される。しかしながら、この場合湾曲したミラーで
はなく平坦なミラーがイオンビーム研削ステップ中にエ
ッチングされる。ボール状の凹部104 は、本出願人の別
出願07/971,383号明細書（Kubena氏他による“3-D Opto
-Electronics System With Laser Inter-Substrate Com
munications,and Fabrication Method”，1992年11月 4
日）に示されたようにミラー面に機械加工される。
形されるビームを有する表面放射レレーザを得るための
別の方法は図７に示されている。拡大された45°光路屈
折ミラー98は基体102 上に通常のレーザ100 と対向して
形成される。しかしながら、この場合湾曲したミラーで
はなく平坦なミラーがイオンビーム研削ステップ中にエ
ッチングされる。ボール状の凹部104 は、本出願人の別
出願07/971,383号明細書（Kubena氏他による“3-D Opto
-Electronics System With Laser Inter-Substrate Com
munications,and Fabrication Method”，1992年11月 4
日）に示されたようにミラー面に機械加工される。
【００３４】上記の各実施例において、拡張されたミラ
ー領域は結果的に大きいｆ数を生じさせ、出力効率を高
め、滑らかなビームパターンを生成する。本発明のいく
つかの実施例が示され説明されているが、種々の変形お
よび別の実施例が当業者に認識されるであろう。このよ
うな変形および別の実施例は添付された特許請求の範囲
において限定された本発明の技術的範囲を逸脱すること
なく考えられ、実行されることが可能である。
ー領域は結果的に大きいｆ数を生じさせ、出力効率を高
め、滑らかなビームパターンを生成する。本発明のいく
つかの実施例が示され説明されているが、種々の変形お
よび別の実施例が当業者に認識されるであろう。このよ
うな変形および別の実施例は添付された特許請求の範囲
において限定された本発明の技術的範囲を逸脱すること
なく考えられ、実行されることが可能である。
【図１】外部偏向ミラーを備えた従来の表面放射レーザ
の斜視図。
の斜視図。
【図２】本発明によるレーザおよび光路屈折ミラー構造
の斜視図。
の斜視図。
【図３】本発明の好ましい実施例において使用される角
度を付けられたイオン加工技術を示した概略図。
度を付けられたイオン加工技術を示した概略図。
【図４】本発明による１つの製造技術にしたがってレー
ザミラー構造を形成する連続したステップにおける断面
図。
ザミラー構造を形成する連続したステップにおける断面
図。
【図５】本発明による別の製造技術によりレーザミラー
構造を形成する連続したステップにおける断面図。
構造を形成する連続したステップにおける断面図。
【図６】湾曲したレーザ放射面を備えた本発明のレーザ
ミラー構造の斜視図。
ミラー構造の斜視図。
【図７】集束されたイオンビームで処理されたミラー面
を持つ別のレーザミラー態様の斜視図。
を持つ別のレーザミラー態様の斜視図。
Claims (10)
- 【請求項１】 基体と、基体上で発散したレーザビーム
を放射するように前記基体上に形成されたレーザと、前
記レーザビームの通路において前記基体上に形成された
光路屈折ミラーとを含む表面放射レーザシステムにおい
て、 前記ミラーはレーザとほぼ直線的に整列する一部分およ
び前記レーザの上面を越えて延在する延在部を含んでい
ることを特徴とするレーザシステム。 - 【請求項２】 前記レーザは基体から上方に延在し、前
記ミラーはレーザから横方向に間隔を隔てられてレーザ
とほぼ同じ基体レベルから延在している請求項１記載の
レーザシステム。 - 【請求項３】 前記ミラー延在部はその延在部の最高点
からレーザ上面のレベルまで幅が拡大している請求項１
記載のレーザシステム。 - 【請求項４】 前記ミラーは前記延在部に対するエッチ
ングに耐える材料から形成されるエッチング停止層を含
み、前記エッチング停止層はほぼレーザの上面のレベル
で前記ミラー延在部の下に位置されている請求項１記載
のレーザシステム。 - 【請求項５】 １対のクラッド層の間に活性レーザ層を
含む基体から一直線に整列したレーザおよび光路屈折ミ
ラーシステムを製造する方法において、 ミラー延在部を含む意図されたミラー位置にわたって開
口を露出するように前記基体上にエッチングマスクを形
成し、 前記活性層およびクラッド層においてレーザ放射面およ
び前記レーザ放射面に面した光路屈折ミラーを形成する
ように垂直でない角度で前記基体を方向性エッチング
し、 前記レーザの上面を越えて基体から突出して延在する前
記ミラーの延在部を形成するように前記エッチングマス
クによる遮蔽部分にエッチングされた基体材料を再付着
するように前記エッチングを制御することを特徴とする
製造方法。 - 【請求項６】 前記再付着された材料は前記エッチング
マスクのエッジに対して累積される請求項５記載の方
法。 - 【請求項７】 前記エッチングはイオンビーム研削によ
って実行される請求項５記載の方法。 - 【請求項８】 さらに前記基体をエッチングした後に前
記エッチングマスクを除去するステップを含んでいる請
求項５記載の方法。 - 【請求項９】 上部および下部クラッド層の間に活性レ
ーザ層を含む基体から一直線に整列したレーザおよび光
路屈折ミラーシステムを製造する方法において、 前記基体上にミラー延在層を形成し、 前記レーザから放射されたビームが基体および前記ミラ
ーベース表面の延在した部分の両者に達するように発散
するようにレーザの放射エッジおよび対向した光路屈折
ミラーベース表面を限定するように前記延在層および前
記活性およびクラッド層中に傾斜した即目を有する開口
を形成する方法。 - 【請求項１０】 さらに前記傾斜した側面を有する開口
の形成後に前記レーザ上から前記延在層を除去するステ
ップを含んでいる請求項９記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/018,845 US5492607A (en) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | Method of fabricating a surface emitting laser with large area deflecting mirror |
| US018845 | 1993-02-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077222A true JPH077222A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=21790059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6020621A Pending JPH077222A (ja) | 1993-02-17 | 1994-02-17 | 大面積偏向ミラーを備えた表面放射レーザおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5492607A (ja) |
| EP (1) | EP0612127B1 (ja) |
| JP (1) | JPH077222A (ja) |
| DE (1) | DE69404050T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021532397A (ja) * | 2018-07-13 | 2021-11-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 回折光学素子の格子を最適に形成するためのシステム及び方法 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0178492B1 (ko) * | 1995-12-21 | 1999-04-15 | 양승택 | 기울어진 공진기로 편광특성이 제어된 표면방출 레이저 다이오드 제조방법 |
| US5940422A (en) * | 1996-06-28 | 1999-08-17 | Honeywell Inc. | Laser with an improved mode control |
| US6486068B2 (en) * | 1998-01-08 | 2002-11-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes |
| WO1999052647A1 (en) | 1998-04-16 | 1999-10-21 | The University Of New Mexico | Non-planar micro-optical structures |
| US6347103B1 (en) * | 1998-09-26 | 2002-02-12 | Lg Electronics Inc. | Light source module with two wavelength |
| US6214178B1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-04-10 | Lucent Technologies, Inc. | Focused ion beam formation of angled optoelectronic devices |
| US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
| US6453081B1 (en) | 1999-10-22 | 2002-09-17 | Teraconnect, Inc. | Optoelectronic device with integrated passive optical elements and method |
| EP1256819A4 (en) * | 1999-10-28 | 2006-08-23 | Sharp Kk | OPTICAL COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THICK POLYIMIDE FILM |
| AU2470301A (en) * | 1999-10-29 | 2001-05-08 | E20 Communications, Inc. | Modulated integrated optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
| US6424669B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-07-23 | E20 Communications, Inc. | Integrated optically pumped vertical cavity surface emitting laser |
| US6232229B1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-15 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic device fabricating method, integrated circuit, and intermediate construction |
| US6670208B2 (en) * | 2000-06-23 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Optical circuit in which fabrication is easy |
| US6517734B1 (en) * | 2000-07-13 | 2003-02-11 | Network Photonics, Inc. | Grating fabrication process using combined crystalline-dependent and crystalline-independent etching |
| US6556610B1 (en) | 2001-04-12 | 2003-04-29 | E20 Communications, Inc. | Semiconductor lasers |
| US6713395B2 (en) * | 2001-05-15 | 2004-03-30 | Infineon Technologies Ag | Single RIE process for MIMcap top and bottom plates |
| US6717964B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-04-06 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
| JP2003131056A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Fujitsu Ltd | 光回路及びその製造方法 |
| US6973110B2 (en) * | 2002-02-22 | 2005-12-06 | Infineon Technologies Ag | Monolithic laser configuration |
| US6979526B2 (en) * | 2002-06-03 | 2005-12-27 | Infineon Technologies Ag | Lithography alignment and overlay measurement marks formed by resist mask blocking for MRAMs |
| US8442084B2 (en) * | 2002-10-03 | 2013-05-14 | Laser Operations Llc | High performance vertically emitting lasers |
| KR100916656B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2009-09-08 | 삼성전자주식회사 | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 다결정 규소 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| US20050180482A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-18 | Osowski Mark L. | Very low cost surface emitting laser diode arrays |
| US7223612B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-05-29 | Infineon Technologies Ag | Alignment of MTJ stack to conductive lines in the absence of topography |
| US7442624B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-10-28 | Infineon Technologies Ag | Deep alignment marks on edge chips for subsequent alignment of opaque layers |
| DE502006000583D1 (de) * | 2005-04-18 | 2008-05-21 | Varioprint Ag | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils zur optischen Kopplung |
| US20080198890A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Ungar Jeffrey E | Vertically emitting laser and method of making the same |
| US8582618B2 (en) | 2011-01-18 | 2013-11-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface-emitting semiconductor laser device in which an edge-emitting laser is integrated with a diffractive or refractive lens on the semiconductor laser device |
| US8315287B1 (en) | 2011-05-03 | 2012-11-20 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd | Surface-emitting semiconductor laser device in which an edge-emitting laser is integrated with a diffractive lens, and a method for making the device |
| WO2013101965A1 (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Neophotonics Corporation | Integrated circuit coupling system with waveguide circuitry and method of manufacture thereof |
| GB201207878D0 (en) * | 2012-05-04 | 2012-06-20 | Isis Innovation | Miniature tunable dye laser |
| US9008139B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-04-14 | Jds Uniphase Corporation | Structure and method for edge-emitting diode package having deflectors and diffusers |
| CN104426053A (zh) * | 2013-09-06 | 2015-03-18 | 福州高意通讯有限公司 | 一种半导体激光器封装结构 |
| CN106170898A (zh) * | 2013-11-07 | 2016-11-30 | 镁可微波技术有限公司 | 具有光束形状和光束方向修改的激光器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182781A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体装置 |
| JPS6370472A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 表面出射型半導体レ−ザ |
| JPH02123780A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体面発光レーザの製造方法 |
| JPH02130983A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-05-18 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 選択的エピタクシー法に依る表面放出型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半導体レーザーダイオードの製造方法 |
| JPH04155983A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3138704A1 (de) * | 1981-09-29 | 1983-04-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von laserdioden-resonatorspiegeln |
| US4718070A (en) * | 1985-01-22 | 1988-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Surface emitting diode laser |
| US4784722A (en) * | 1985-01-22 | 1988-11-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Method forming surface emitting diode laser |
| JPS61290788A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| US4906839A (en) * | 1986-05-01 | 1990-03-06 | Pencom International Corp. | Hybrid surface emitting laser and detector |
| US4869780A (en) * | 1987-04-10 | 1989-09-26 | Trw Inc. | Ion milling method |
| JPH01108788A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Omron Tateisi Electron Co | 面発光型アレイ・レーザ |
| US4881237A (en) * | 1988-08-26 | 1989-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays |
| US4901329A (en) * | 1988-10-31 | 1990-02-13 | International Business Machines Corporation | Integrated laser arrays and support circuits |
| US4956844A (en) * | 1989-03-17 | 1990-09-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Two-dimensional surface-emitting laser array |
| DE69009448T2 (de) * | 1990-03-08 | 1994-12-01 | Ibm | Halbleiterlaseranordnung. |
| JPH04199589A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光面発光レーザ装置 |
| US5159603A (en) * | 1991-06-05 | 1992-10-27 | United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration | Quantum well, beam deflecting surface emitting lasers |
| JPH05259584A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積光デフレクタおよびその製造方法 |
| US5253263A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-12 | Trw Inc. | High-power surface-emitting semiconductor injection laser with etched internal 45 degree and 90 degree micromirrors |
-
1993
- 1993-02-17 US US08/018,845 patent/US5492607A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-02-17 EP EP94102419A patent/EP0612127B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-17 JP JP6020621A patent/JPH077222A/ja active Pending
- 1994-02-17 DE DE69404050T patent/DE69404050T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-19 US US08/715,710 patent/US5671243A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182781A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体装置 |
| JPS6370472A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 表面出射型半導体レ−ザ |
| JPH02130983A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-05-18 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 選択的エピタクシー法に依る表面放出型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半導体レーザーダイオードの製造方法 |
| JPH02123780A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体面発光レーザの製造方法 |
| JPH04155983A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021532397A (ja) * | 2018-07-13 | 2021-11-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 回折光学素子の格子を最適に形成するためのシステム及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69404050T2 (de) | 1998-02-19 |
| DE69404050D1 (de) | 1997-08-14 |
| US5492607A (en) | 1996-02-20 |
| EP0612127B1 (en) | 1997-07-09 |
| EP0612127A1 (en) | 1994-08-24 |
| US5671243A (en) | 1997-09-23 |
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