JPH02123780A - 半導体面発光レーザの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体面発光レーザの製造方法に関するもの
である。

〔従来の技術〕

第２図は従来のＲＩ　Ｂ　１！！　（Ｒｅａｃｔｉｖｅ
　工ｏｎＢｅａｍ　ＫｔｃｈｉｎＰ　：　リアクティブ
　イオンビームを示す断面図である。図において、１１
１はΩ型ＧａＡθコンタクト層、（２１はｎ型Ｇａ　１
−ｘ　ＡｔＸ　Ａｌｌクラッド層、１３）はｎ　Ｑ　Ｇ
Ｊ−ｙＡ／ｙＡａ活性層、１４１　ｄ　ｐ型ｏａ１−ｘ
　ＡｌｘＡａクラッド層、Ｊ＋　ｕ　ｐ　Ｉ！１ＪＯａ
Ａａ基板、１６）はレジスト、（７）ｉＲよりＥによる
イオンビーム。

８）は′１極、１）１１は電極、（ｂｌ）はｎ型Ｑ４Ａ
５１　コンタクト層ｔｌ＋の露出部分、（ｌＯ）はレー
ザ光、（ｄｉ）はフェブリーベロー型半導体レーザを示
す。

次に１面発光レーザの製造方法及び前作について説明す
る。

ｐ型ＧａＡｓ基Ｆｉ１ｆｉｌ上にｐ型Ｇａ１−ｘＡｔｚ
ＡＢクラッド層（４１、ｎ型Ｇａ１−ｙＡ１ｙＡ！ｉ活
性層１１１　、　ｎ　Ｑ　Ｇａｌ　−ｘＡｌｘＡ日クラ
ッド層：２１、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１を順次収
長させたウェハーに対しＲ：ＣＢＫにより図に示すよう
な異方性エツチングを行う（第２図＋ａ＋　） 次に全面にレジスト（６１を塗布し、（ｂｌ）の部分の
ＧａＡｓ　コンタクトＰｒ４＋１１表面が露出するよう
にバターニングする（第２図（ｂ；）。

さらに、ＲＩＢＫのイオンビームｔ＠めに（９）の様な
形で入射させて、ＧａＡ３コンタクト層Ｉｌｌ、Ｇａ１
−ｘＡどＸＡｌ９クラッド層；２）、Ｇａ１−ｙＡ／ｙ
Ａｓ活性層（３１で構成されるダブルヘテロ構造部分を
図示の如く・斜めにエツチングする（第２図（０））。

また、レジスト１６）を除去し、ｎ型ＧａＡ３１コンタ
クト層＋ｌＩの表面とｐ型ＧａＡ３基板観引の裏面に電
極（１０］全蒸着する（第８図（ｄ））。

面発光レーザの勅作としてｔ４　ｃａｌ）　ａ分が通常
〔発明が解決しようとする課題〕 以上のように従来の面発光レーザは構成されでいたので
、第８図１Ｃ示すようにｎよりＦｉのエツチングにより
レジストの後退が起り、エツチングした斜端面が平坦に
ならず、尤の反射の際に敗乱が起きてしまうという問題
点があった。

この発明は上記のような問題点を解消でるためになされ
たもので、レジストの後退を防ぎ平坦な斜端面を形成す
ることＶＣより、光の反射の際に散乱が少ない面発光レ
ーザの製造方法を侍ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る面発光レーザの製造方法はＢよりＩ！′
・で斜端面をエツチングする際りンレジストパターンＶ
Ｃおいて、パターンの切れのふち部分がエツチングしよ
うとする傾斜端面と同じ形状となるように形成し、エツ
チングによるレジストの後退がなくなるようにしたもの
である。

〔作用〕

この発明ＶＣおけるＲＩＢＩＣによる面発光レーザの製
造方法はＲＩＢＫにより斜端面をエツチングする際、レ
ジストの後退が起こらないため平坦な＠端面が形成でき
半導体レープからの反射？良好に行うことが可能となる
。

〔実施列〕

以下、この発明の一実ｉ例を図について説明する６　ｍ
　１図において、Ｉｌｌ　ｔｒｉＧａＡｓ層、；２）は
ＧａＡｅＡｓ層、１１１１’ｊ　ｎ型ＧａＡＥｌコンタ
クト層、１４）はｎ型Ｇａ１−ｘＡｔｘＡ８クラッド層
、：５）はｎ　ｆ！ｌ！ＧａＬ−ｙＡ／ｙＡｓ活性層、
（６１はｐ型Ｇａ１−ｘＡ１ｘＡａクラッド層、７１は
ｐ型Ｇ４Ａ３基板、１８）はレジスト、　＋９１ｔｌＯ
１は電極である。また（ｂｌ）は露出したＧａＡ６１層
、（ｄｌ）はＧＡＡｅ層の傾斜面、（ｅｌ）は露出した
Ｇ４Ａ３１層、（ｆｌ）はレジストの傾斜面、　（ｆｉ
）はＲよりＥのイオンビームを示す。

次に製造方法について第１図の手順に従って４兄明する
。

ｐ　梨ＧａＡ３基板１７）上にｐ型ＧａＬ−ｙｔＡｌｘ
ＡＩｓクラッドｆｉｌｅ＋、ｎ型Ｇａｘ−ｙＡ／ｙＡｓ
活性層５１、ｎ型Ｇａｔ−ｘＡ／ｘＡｓクラッド層１４
）、ｎ型ＧａＡｓ　コンタクト層ｆｉｌ　。

ＧａＡ／Ａｓ層１２）、ｏａＡｓ層１１１の層ｔ−順次
成長させたウェハーに対しＲＸＢｌｃにより、ｆＪＬ１
図に示すよつな異方性エツチングを行う。

次に、全面にレジスト（８）を塗布し、ｒｂｌ）の部分
のＧａＡｓ層ＤＩの表面が露出するようにバターニング
する（第１図（ｂｌ）。

このＩｂｒ図の状態より露出したＧａＡｓ層（ｂｌ）と
ＧａＡｅＡｓ　ＩＩ　（ｂ２）を選択エツチングにより
除去した後、レジスト（８）を取り除く（第１図（０）
）。

そうして（０）図の全面にレジスト＋８１　ｉ塗布しバ
ターニングを行った後、βγ糸のエツチングを行ってｒ
ｄｌ）のような傾斜端面を形成し、さらにＧａＡｅＡｓ
　ｔｅｌを選択エツチングによって除去する（第１図鴎
；）。

このｒｄｌ図の全面上にレジスト＋８１　’？　＜ｋ布
した後、ＧａＡｓ　Ａｍ表面のＣａ１）部分が露出する
ように、表面をＲＩ　Ｉｔｉ　（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｆ
ａｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ　）等でレジストケエッチングす
る（第１図（ｅ））。

そして％ｌｅｔ図のＧａＡ３１層（ｅｌ）部分を選択エ
ツチングＶＣよって除去でる（１図（ｆ））。

この（ｆｌ図のレジスト１８）のｆ＋端端部部分ｆｌ）
の頌斜万回と同一方向にＲＩ　Ｂ　ＨＫよってイオンビ
ーム（Ｐｘ）ｅ照射しＧａｐ−ｘＡｌｘＡａ層とＧａｔ
−ｙＡ／ｙＡｓ層で構成されるダブルヘテロ構造部分を
科めＩ／（エッ４゜ チジグする（第１図（２Ｉ）。

ζらに（め図の状態よりレジスト（８）を除去し電極（
９）をｐ’Ｍ　ＧａＡｓ層（１１と、ｐ型ＧａＡｓ基板
（７）の表向に（９１と（１０）の電極をそれぞれ蒸着
させる（第１図＋ｎ（１。

なお、面発光レーザとしての前作は前記従来のものと全
く同じである。

なお、上記ヂ施例では半導体材料セしてＧａＡ３　。

ＡｌＧａＡｓ　ｆｔ用い友場合倉示したが、他の材料。

Ｋ／ＩＩ　（ばＩｎＧａＡｓｐ、　（Ａ／Ｇａ）工ｎｐ
等に用いた面発光レーザにも適用できることはいうまで
もない。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、ＲＩＢＫでＧａＡｓと
ＧａＡｊ’Ａθのダブルヘテロ構造Ｍ５分を斜端向にエ
ツチングする際、マスクパターンのレジストの切れ部が
エツチングしようとする斜端面部分と同じ形状をしてい
るので、レジストの後退が起こらず、平坦な斜端面が得
られ、光の反射が良好に行なえるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

・耶五図（ａ１〜ｔｈＩはこの発明の一実施例による面
発光レーザの作製手１１［を示す断面図％第２図１ａｌ
〜ｌｄｌは従来の面発光レーザの作製手順を示す断面図
％第８図１ＲＩＢ１！！によりＧａｔ−ｘＡｌｘＡａ　
　ｆＧａｌ−ｙＡｅｙＡ８のダブルヘテロ構造部分をエ
ツチングする際、レジストの後退が起りエツチング端面
ががたつく様子を示した説明図である。 図においで、＋１１はＧａＡｓ層、（２）はＧａＡｌＡ
ｓ層。 ３１はｎ型ＧａＡｌ１！コンタクト層、（４）はｎ　ｑ
　Ｇａｘ−ｘ−・／ｘＡｓクラッド層１．６）ばｎ型Ｇ
ａｘ−ｙＡＪｙＡｓ層％（６）はｐ　１％　Ｇａｘ−ｘ
Ａ／ｘ　Ａｓクラッド層、（７）はｐ型ＧａＡｓ基板、
（８）はレジスト、　＋９１ｔ１０１は電極を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ＲＩＢＥによつて反射面鏡付き半導体面発光レーザを
   製造する工程において、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層で
   多層に構成されたダブルヘテロ構造を有する層を斜端面
   にＲＩＢＥを用いてエッチングする際にマスクとなるレ
   ジストのパターンの切れ部分が、エッチングしようとす
   る斜端面と同じ傾斜を持つように作製し、ＲＩＢＥでエ
   ッチングする際にマスクの後退が起こらないようにして
   面発光レーザの斜端面部分をエッチングして形成するこ
   とを特徴とする半導体面発光レーザの製造方法。