JPH02123780A - 半導体面発光レーザの製造方法 - Google Patents
半導体面発光レーザの製造方法Info
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- JPH02123780A JPH02123780A JP27798388A JP27798388A JPH02123780A JP H02123780 A JPH02123780 A JP H02123780A JP 27798388 A JP27798388 A JP 27798388A JP 27798388 A JP27798388 A JP 27798388A JP H02123780 A JPH02123780 A JP H02123780A
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- etching
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体面発光レーザの製造方法に関するもの
である。
である。
第2図は従来のRI B 1!! (Reactive
工onBeam KtchinP : リアクティブ
イオンビームを示す断面図である。図において、11
1はΩ型GaAθコンタクト層、(21はn型Ga 1
−x AtX Allクラッド層、13)はn Q G
J−yA/yAa活性層、141 d p型oa1−x
AlxAaクラッド層、J+ u p I!1JOa
Aa基板、16)はレジスト、(7)iRよりEによる
イオンビーム。
工onBeam KtchinP : リアクティブ
イオンビームを示す断面図である。図において、11
1はΩ型GaAθコンタクト層、(21はn型Ga 1
−x AtX Allクラッド層、13)はn Q G
J−yA/yAa活性層、141 d p型oa1−x
AlxAaクラッド層、J+ u p I!1JOa
Aa基板、16)はレジスト、(7)iRよりEによる
イオンビーム。
8)は′1極、1)11は電極、(bl)はn型Q4A
51 コンタクト層tl+の露出部分、(lO)はレー
ザ光、(di)はフェブリーベロー型半導体レーザを示
す。
51 コンタクト層tl+の露出部分、(lO)はレー
ザ光、(di)はフェブリーベロー型半導体レーザを示
す。
次に1面発光レーザの製造方法及び前作について説明す
る。
る。
p型GaAs基Fi1fil上にp型Ga1−xAtz
ABクラッド層(41、n型Ga1−yA1yA!i活
性層111 、 n Q Gal −xAlxA日クラ
ッド層:21、n型GaAsコンタクト層11を順次収
長させたウェハーに対しR:CBKにより図に示すよう
な異方性エツチングを行う(第2図+a+ ) 次に全面にレジスト(61を塗布し、(bl)の部分の
GaAs コンタクトPr4+11表面が露出するよう
にバターニングする(第2図(b;)。
ABクラッド層(41、n型Ga1−yA1yA!i活
性層111 、 n Q Gal −xAlxA日クラ
ッド層:21、n型GaAsコンタクト層11を順次収
長させたウェハーに対しR:CBKにより図に示すよう
な異方性エツチングを行う(第2図+a+ ) 次に全面にレジスト(61を塗布し、(bl)の部分の
GaAs コンタクトPr4+11表面が露出するよう
にバターニングする(第2図(b;)。
さらに、RIBKのイオンビームt@めに(9)の様な
形で入射させて、GaA3コンタクト層Ill、Ga1
−xAどXAl9クラッド層;2)、Ga1−yA/y
As活性層(31で構成されるダブルヘテロ構造部分を
図示の如く・斜めにエツチングする(第2図(0))。
形で入射させて、GaA3コンタクト層Ill、Ga1
−xAどXAl9クラッド層;2)、Ga1−yA/y
As活性層(31で構成されるダブルヘテロ構造部分を
図示の如く・斜めにエツチングする(第2図(0))。
また、レジスト16)を除去し、n型GaA31コンタ
クト層+lIの表面とp型GaA3基板観引の裏面に電
極(10]全蒸着する(第8図(d))。
クト層+lIの表面とp型GaA3基板観引の裏面に電
極(10]全蒸着する(第8図(d))。
面発光レーザの勅作としてt4 cal) a分が通常
〔発明が解決しようとする課題〕 以上のように従来の面発光レーザは構成されでいたので
、第8図1C示すようにnよりFiのエツチングにより
レジストの後退が起り、エツチングした斜端面が平坦に
ならず、尤の反射の際に敗乱が起きてしまうという問題
点があった。
〔発明が解決しようとする課題〕 以上のように従来の面発光レーザは構成されでいたので
、第8図1C示すようにnよりFiのエツチングにより
レジストの後退が起り、エツチングした斜端面が平坦に
ならず、尤の反射の際に敗乱が起きてしまうという問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消でるためになされ
たもので、レジストの後退を防ぎ平坦な斜端面を形成す
ることVCより、光の反射の際に散乱が少ない面発光レ
ーザの製造方法を侍ることを目的とする。
たもので、レジストの後退を防ぎ平坦な斜端面を形成す
ることVCより、光の反射の際に散乱が少ない面発光レ
ーザの製造方法を侍ることを目的とする。
この発明に係る面発光レーザの製造方法はBよりI!′
・で斜端面をエツチングする際りンレジストパターンV
Cおいて、パターンの切れのふち部分がエツチングしよ
うとする傾斜端面と同じ形状となるように形成し、エツ
チングによるレジストの後退がなくなるようにしたもの
である。
・で斜端面をエツチングする際りンレジストパターンV
Cおいて、パターンの切れのふち部分がエツチングしよ
うとする傾斜端面と同じ形状となるように形成し、エツ
チングによるレジストの後退がなくなるようにしたもの
である。
この発明VCおけるRIBICによる面発光レーザの製
造方法はRIBKにより斜端面をエツチングする際、レ
ジストの後退が起こらないため平坦な@端面が形成でき
半導体レープからの反射?良好に行うことが可能となる
。
造方法はRIBKにより斜端面をエツチングする際、レ
ジストの後退が起こらないため平坦な@端面が形成でき
半導体レープからの反射?良好に行うことが可能となる
。
以下、この発明の一実i例を図について説明する6 m
1図において、Ill triGaAs層、;2)は
GaAeAs層、1111’j n型GaAElコンタ
クト層、14)はn型Ga1−xAtxA8クラッド層
、:5)はn f!l!GaL−yA/yAs活性層、
(61はp型Ga1−xA1xAaクラッド層、71は
p型G4A3基板、18)はレジスト、 +91tlO
1は電極である。また(bl)は露出したGaA61層
、(dl)はGAAe層の傾斜面、(el)は露出した
G4A31層、(fl)はレジストの傾斜面、 (fi
)はRよりEのイオンビームを示す。
1図において、Ill triGaAs層、;2)は
GaAeAs層、1111’j n型GaAElコンタ
クト層、14)はn型Ga1−xAtxA8クラッド層
、:5)はn f!l!GaL−yA/yAs活性層、
(61はp型Ga1−xA1xAaクラッド層、71は
p型G4A3基板、18)はレジスト、 +91tlO
1は電極である。また(bl)は露出したGaA61層
、(dl)はGAAe層の傾斜面、(el)は露出した
G4A31層、(fl)はレジストの傾斜面、 (fi
)はRよりEのイオンビームを示す。
次に製造方法について第1図の手順に従って4兄明する
。
。
p 梨GaA3基板17)上にp型GaL−ytAlx
AIsクラッドfile+、n型Gax−yA/yAs
活性層51、n型Gat−xA/xAsクラッド層14
)、n型GaAs コンタクト層fil 。
AIsクラッドfile+、n型Gax−yA/yAs
活性層51、n型Gat−xA/xAsクラッド層14
)、n型GaAs コンタクト層fil 。
GaA/As層12)、oaAs層111の層t−順次
成長させたウェハーに対しRXBlcにより、fJL1
図に示すよつな異方性エツチングを行う。
成長させたウェハーに対しRXBlcにより、fJL1
図に示すよつな異方性エツチングを行う。
次に、全面にレジスト(8)を塗布し、rbl)の部分
のGaAs層DIの表面が露出するようにバターニング
する(第1図(bl)。
のGaAs層DIの表面が露出するようにバターニング
する(第1図(bl)。
このIbr図の状態より露出したGaAs層(bl)と
GaAeAs II (b2)を選択エツチングにより
除去した後、レジスト(8)を取り除く(第1図(0)
)。
GaAeAs II (b2)を選択エツチングにより
除去した後、レジスト(8)を取り除く(第1図(0)
)。
そうして(0)図の全面にレジスト+81 i塗布しバ
ターニングを行った後、βγ糸のエツチングを行ってr
dl)のような傾斜端面を形成し、さらにGaAeAs
telを選択エツチングによって除去する(第1図鴎
;)。
ターニングを行った後、βγ糸のエツチングを行ってr
dl)のような傾斜端面を形成し、さらにGaAeAs
telを選択エツチングによって除去する(第1図鴎
;)。
このrdl図の全面上にレジスト+81 ’? <k布
した後、GaAs Am表面のCa1)部分が露出する
ように、表面をRI Iti (Reactive f
an Etching )等でレジストケエッチングす
る(第1図(e))。
した後、GaAs Am表面のCa1)部分が露出する
ように、表面をRI Iti (Reactive f
an Etching )等でレジストケエッチングす
る(第1図(e))。
そして%let図のGaA31層(el)部分を選択エ
ツチングVCよって除去でる(1図(f))。
ツチングVCよって除去でる(1図(f))。
この(fl図のレジスト18)のf+端端部部分fl)
の頌斜万回と同一方向にRI B HKよってイオンビ
ーム(Px)e照射しGap−xAlxAa層とGat
−yA/yAs層で構成されるダブルヘテロ構造部分を
科めI/(エッ4゜ チジグする(第1図(2I)。
の頌斜万回と同一方向にRI B HKよってイオンビ
ーム(Px)e照射しGap−xAlxAa層とGat
−yA/yAs層で構成されるダブルヘテロ構造部分を
科めI/(エッ4゜ チジグする(第1図(2I)。
ζらに(め図の状態よりレジスト(8)を除去し電極(
9)をp’M GaAs層(11と、p型GaAs基板
(7)の表向に(91と(10)の電極をそれぞれ蒸着
させる(第1図+n(1。
9)をp’M GaAs層(11と、p型GaAs基板
(7)の表向に(91と(10)の電極をそれぞれ蒸着
させる(第1図+n(1。
なお、面発光レーザとしての前作は前記従来のものと全
く同じである。
く同じである。
なお、上記ヂ施例では半導体材料セしてGaA3 。
AlGaAs ft用い友場合倉示したが、他の材料。
K/II (ばInGaAsp、 (A/Ga)工np
等に用いた面発光レーザにも適用できることはいうまで
もない。
等に用いた面発光レーザにも適用できることはいうまで
もない。
以上のようにこの発明によれば、RIBKでGaAsと
GaAj’Aθのダブルヘテロ構造M5分を斜端向にエ
ツチングする際、マスクパターンのレジストの切れ部が
エツチングしようとする斜端面部分と同じ形状をしてい
るので、レジストの後退が起こらず、平坦な斜端面が得
られ、光の反射が良好に行なえるという効果がある。
GaAj’Aθのダブルヘテロ構造M5分を斜端向にエ
ツチングする際、マスクパターンのレジストの切れ部が
エツチングしようとする斜端面部分と同じ形状をしてい
るので、レジストの後退が起こらず、平坦な斜端面が得
られ、光の反射が良好に行なえるという効果がある。
・耶五図(a1〜thIはこの発明の一実施例による面
発光レーザの作製手11[を示す断面図%第2図1al
〜ldlは従来の面発光レーザの作製手順を示す断面図
%第8図1RIB1!!によりGat−xAlxAa
fGal−yAeyA8のダブルヘテロ構造部分をエ
ツチングする際、レジストの後退が起りエツチング端面
ががたつく様子を示した説明図である。 図においで、+11はGaAs層、(2)はGaAlA
s層。 31はn型GaAl1!コンタクト層、(4)はn q
Gax−x−・/xAsクラッド層1.6)ばn型G
ax−yAJyAs層%(6)はp 1% Gax−x
A/x Asクラッド層、(7)はp型GaAs基板、
(8)はレジスト、 +91t101は電極を示す。
発光レーザの作製手11[を示す断面図%第2図1al
〜ldlは従来の面発光レーザの作製手順を示す断面図
%第8図1RIB1!!によりGat−xAlxAa
fGal−yAeyA8のダブルヘテロ構造部分をエ
ツチングする際、レジストの後退が起りエツチング端面
ががたつく様子を示した説明図である。 図においで、+11はGaAs層、(2)はGaAlA
s層。 31はn型GaAl1!コンタクト層、(4)はn q
Gax−x−・/xAsクラッド層1.6)ばn型G
ax−yAJyAs層%(6)はp 1% Gax−x
A/x Asクラッド層、(7)はp型GaAs基板、
(8)はレジスト、 +91t101は電極を示す。
Claims (1)
- RIBEによつて反射面鏡付き半導体面発光レーザを
製造する工程において、GaAs層とAlGaAs層で
多層に構成されたダブルヘテロ構造を有する層を斜端面
にRIBEを用いてエッチングする際にマスクとなるレ
ジストのパターンの切れ部分が、エッチングしようとす
る斜端面と同じ傾斜を持つように作製し、RIBEでエ
ッチングする際にマスクの後退が起こらないようにして
面発光レーザの斜端面部分をエッチングして形成するこ
とを特徴とする半導体面発光レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27798388A JPH02123780A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体面発光レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27798388A JPH02123780A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体面発光レーザの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02123780A true JPH02123780A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17590995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27798388A Pending JPH02123780A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体面発光レーザの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02123780A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH077222A (ja) * | 1993-02-17 | 1995-01-10 | Hughes Aircraft Co | 大面積偏向ミラーを備えた表面放射レーザおよびその製造方法 |
WO2009081762A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 窒化物系半導体発光ダイオード、窒化物系半導体レーザ素子およびそれらの製造方法ならびに窒化物系半導体層の形成方法 |
JP2009170496A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2009170609A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体層の形成方法 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP27798388A patent/JPH02123780A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH077222A (ja) * | 1993-02-17 | 1995-01-10 | Hughes Aircraft Co | 大面積偏向ミラーを備えた表面放射レーザおよびその製造方法 |
US5671243A (en) * | 1993-02-17 | 1997-09-23 | Hughes Aircraft Company | Surface emitting laser with large area deflecting mirror |
WO2009081762A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 窒化物系半導体発光ダイオード、窒化物系半導体レーザ素子およびそれらの製造方法ならびに窒化物系半導体層の形成方法 |
JP2009170496A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2009170609A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体層の形成方法 |
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