JP2003131056A

JP2003131056A - 光回路及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003131056A
Application number: JP2001331190A
Authority: JP
Inventors: Hidehiko Nakada; 英彦中田; Mitsunori Abe; 光紀安陪; Tadao Inoue; 忠夫井上
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2001-10-29
Filing date: 2001-10-29
Publication date: 2003-05-08
Also published as: US20030081877A1

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程を簡略化し，且つ製造された光回路
デバイスの性能を高度に確保し得る光回路構造を提供す
ることを目的とする。【解決手段】導波路コアパターン４形成用層構造２，
３を基板１上に形成する際に同時に斜面ミラー膜７形成
用斜面６ａ形成用段差部５用層構造を形成し、導波路コ
アパターンをエッチングで切出す工程で同時に段差部５
を切出し、その後石英系薄膜を堆積してリフローするこ
とにより斜面６ａを形成し、その上にミラー膜７を形成
後、石英系薄膜埋め込む構成よりなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光回路とその製造方
法に係り、特に光ネットワークシステムの構築等に適用
可能な光送信装置、光受信装置等の各種回路光デバイス
において、Si基板等の上に形成された光導波路と光アク
ティブ素子（受光素子、発光素子等）との間の光軸変換
（光路折曲）を伴う光結合を実現するための光回路の構
造とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信規模の増大に伴い、各通信装
置に必要とされる通信容量が急激に増大しており、この
ような要求に応えるため、例えば波長分割多重方式（Wa
velength Division Multiplexing（WDM））を適用した
大容量のフォトニックネットワークの構築が進められている。このWD
M伝送システムの小型化、低コスト化を果たす手法とし
て、一括プロセスを用い大量生産が可能な平面光導波路
（Planner Lightwave Circuit（PLC)）型機能集積素子
の適用が望まれており、このPLC型テ゛ハ゛イスにおいて様々
な光回路機能を簡易に且つ低コストで実現することが望
まれている。

【０００３】この種の技術による光導波路と光アクティ
ブ素子との光結合用の構造として様々な構造が提案され
ている。例えば特許第2970519号では、光導波路端面か
ら出射した光を、これに向かい合う45゜前後の斜面で上
方に全反射させる構造について開示されている（図１参
照）。この場合、上記45゜前後の斜面を形成するため
に、まず、Si基板を異方性エッチングすることにより5
4.7゜の斜面を形成しておき、その後石英系膜層を斜面
上に堆積・リフローすることによって45゜に近い斜面を
形成し、更にその上にミラーを形成する。この方法によ
れば、それ迄に使用されていたレンス゛等を配置して導波路
と光アクティブ素子との結合を空間的に行うマイクロオ
プティクスと比較すると飛躍的に小型集積化が可能とな
り、低コスト化にも大きな効果があった。

【０００４】また、特開平７−１９１２３６号公報で
は、光導波路を形成した後に反射ミラー形成部と光が出
射する垂直端面とを形成、加工し、その後反射ミラー形
成部をリフローすることにより反射斜面を形成する手法
が開示されている。すなわち、この方法では、垂直に近
い段差を有する反射ミラー形成部自体をリフローするこ
とによって所望の斜面を形成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記従来技術は、光導
波路を形成する前にSi基板を異方性エッチングして斜面
を形成する必要があった。このため、光導波路を形成す
るための基板には数十μｍ程度の段差が存在している必
要があり、そのために光導波路形成のための石英系膜層
の均一な形成が困難となる。更に高特性の光導波路を形
成するためにはコア層を高精度（±0.3〜0.1μｍ以下）に
加工する必要があるが、このように上記段差の存在によ
って基板に凹凸があった場合、加工精度の低下を招く恐
れがあった。

【０００６】さらには、上記目的達成のためには基板と
して異方性エッチングが可能なSi基板を用いる必要があ
り、その結果、光導波路での応力低減（応力により導波
特性に偏波依存性が生じるのを防ぐことを目的とした処
理）のために石英系導波路と熱膨張係数の近い石英基板
を用いる等の技術の適用が出来なくなってしまうという
問題点があった。

【０００７】また、上記構成の実現のためには基板を異
方性エッチングする工程、導波路形成後にSi斜面を露出
させるための工程等が必要である等、上記斜面ミラーを
製作するために工数が増加してしまうという問題もあっ
た。

【０００８】また、上記特開平７−１９１２３６号公報
に記載された方法では、導波路を形成した石英層（アン
ダークラッド層＋コア層＋オーバークラッド層）全体を
リフローすることになるが、そのためウエハ全体を加熱
すると光の出射端面の高精度の垂直性が損なわれてしま
うため、そのような状況を避けるために反射ミラー形成
部の部分のみを局所加熱する必要があった。ところが半
導体装置製造工程においてこのような局所加熱を実施し
ようとすると工程が煩雑化し、作業効率延いては生産性
の低下を生ずる恐れがあった。

【０００９】また、この方法では、光を導波路に対する
垂直方向に取出す構造を実現するために導波路形成工程
後反射ミラー形成部及び光が出射する垂直端面の形成工
程、リフロー工程及び斜面上に対する金属による反射面
の形成工程といった計３種の工程が余分に必要となり、
工程が複雑化してしまう。

【００１０】更にこの方法では、結果的にコア層からの
光の出射端面が空気層に面することになり、その結果こ
の端面で不要な反射等が生じ、その結果光信号が雑音を
含む恐れがある。そのような問題を防止するため、出射
端面からその先の光デバイス迄の光路の屈折率がコア層
に近い物質（樹脂等）で充填する等の工程が余分に必要
となり、工程が複雑化してしまう。更に、そのように樹
脂充填を行なった場合、ガラス界面との剥離や樹脂その
ものの劣化等、新たに信頼性の問題が発生する恐れもあ
る。

【００１１】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、製造工程の簡素化、生産性の向上、出来あがっ
た光回路デバイスの信頼性の確保等を図ることが可能な
光回路及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的の達成のために
本発明によれば、光導波路に沿う光軸に対して所定の角
度を有する斜面ミラー部を設ける構成を有する光回路で
あって、基板上に形成された略垂直な段差を構成する部
分（「略垂直な段差部」と称する）の上に薄膜層を堆積
し、それリフローすることによって斜面を形成し、その
斜面そのもの又はその斜面を転写して新たに形成した斜
面上に前記斜面ミラー部を設けることを特徴とする。

【００１３】このように構成することにより、前記従来
技術のように基板そのものに段差を設けそのような基板
上に導波路を形成した後にこの段差上に薄膜を堆積して
リフローすることによって反射ミラー層を形成する構成
に比して、前記の如くの段差を有する基板構造によって
導波路形成が悪影響（精度劣化等）を蒙る恐れも無く、
更に、Ｓｉ基板に異方性エッチングによって段差を形成
するというような余分な工程も不要となるために工程を
簡略可能であり、更に、基板自体の異方性エッチング等
は不要なためその材質を自由に選べるため、上記の如く
石英基板等を使用してデバイス特性改善を行おうことが
可能となる。

【００１４】又、前記他の従来技術の如く段差形成部そ
のものをリフローする構成に比して、リフローする薄膜
としてリフロー温度が比較的低いものを使用することに
よって導波路の垂直な出射端面の面精度がリフロー時の
加熱によって損なわれる恐れが無く性能劣化が防止で
き、且つ、局所加熱等の処理も不要となるため工程の簡
略化が可能となる。

【００１５】又、上記薄膜層が石英系膜層よりなるよう
にすることにより、それをリフローしてその上に斜面ミ
ラー部形成後に同様の石英系薄膜で埋め込むことによっ
て、導波路端面から出射した光が膜界面における屈折等
により歪むことが防止される。

【００１６】更に、前記略垂直な段差部が、前記光導波
路を形成している物質と同様の材質よりなるようにする
ことにより、この段差部用層構造形成を導波路用層構造
形成工程で同時に実施可能であり、工程の簡略化が可能
である。

【００１７】又、前記略垂直な段差部を光導波路用コア
パターンを形成（画成）するエッチンク゛工程によって同時に
形成（画成）することにより、更なる工程の簡略化が可
能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明の実施
例の説明を行なう。

【００１９】図２は本発明の第１実施例の製造工程を示
す。

【００２０】本実施例では、まず、の工程（同図
（ａ））でSi基板1（基板上に製作される光導波路との
間で熱膨張係数を揃える目的で石英基板等を用いてもよ
い）上に石英系層膜によってアンタ゛ークラット゛層2を成膜し、
その上にアンタ゛ークラット゛層2より屈折率の高いコア層3を成膜す
る。これらの成膜の方法として、CVD（Chemical Vapor
Deposition）、FHD（Flame Hydrolysis Deposition）、
スハ゜ッタリンク゛などが適用可能である。

【００２１】次に、の工程（同図（ｂ））では、従来
導波路を製作する場合と同様にコア層３をエッチンク゛し導波路
コアとなるコアハ゜ターン４と略垂直な段差５を同時に形成
（画成）する。このエッチンク゛は、メタルマスク等を用いてRIEで
高精度に行われるものとする。又この場合、エッチンク゛の深
さはコア層３の厚さの1.5倍程度が望ましい。

【００２２】次に、の工程（同図（ｃ））では、コア層
３より屈折率の低い石英系膜層を、上記エッチンク゛した深さ
の半分程度の厚さで堆積した後、それを８８０℃で２時
間リフローすることによってこの石英系層膜６で略45゜
の斜面6aを形成する。ここで堆積する石英系膜層6とし
てアンタ゛ークラット゛層２やコア層３よりも融点の低い石英系膜層
を使用することによって、リフロー時にその際に熱によ
ってコアハ゜ターン4が変形することによる導波路特性の劣化を
避けることが出来る。

【００２３】上記構成に使用される各材料は例えば以下
の通りとする。石英系膜層6としては比較的融点の低いB
をト゛ーフ゜したBPSG（B,Pト゛ーフ゜シリカカ゛ラス）を使用し、アンタ゛ーク
ラット゛層２及びコア層３としては比較的融点の高いGPSG（G,
Pト゛ーフ゜シリカカ゛ラス）を使用する。

【００２４】次に、の工程（同図（ｄ））では、コアハ゜
ターンの端面４ａに向かい合う斜面6a上に反射率の高い反
射ミラー膜7を製作する。このミラー膜の形成方法とし
ては、例えば蒸着やスハ゜ッタリンク゛によって金属膜を形成す
る方法が適用可能である。ミラー膜の材質としては、上
記BPSGのリフロー温度より高い900℃以上の融点を持つ
物質、例えばTi,Au,Si等を使用すればよい。この結果、
後述のオーハ゛ークラット゛層８の成膜時に熱によってミラー面が
荒れるなどのミラー特性の劣化を防ぐことが出来る。

【００２５】次に、の工程（同図（ｅ））では、オーハ゛
ークラット゛層８を成膜すると同時に反射ミラー７をオーハ゛ークラッ
ト゛層８中に埋め込む。

【００２６】最後にの工程（同図（ｆ））で、光導波
路（コアパターン４）との間で光結合を行う光アクティ
ブ素子９をミラー膜７の上方に実装する。この際、光ア
クティブ素子９の実装に、透明で且つオーハ゛ークラット゛層８と
略屈折率の等しい接着剤を使用することにより、オーハ゛ーク
ラット゛層８から出射した光を効率よく光アクティブ素子に
結合させることが出来る。あるいは、上記光アクティブ
素子９の接着にはハンタ゛などを用い、光の通過する部分に
のみ透明な樹脂などを充填することによっても同様の効
果が得られる。

【００２７】このように、本実施例によれば、導波路形
成用コアパターン4の形成と同時に反射ミラー膜7形成用
の略４５°の斜面6a形成用の略垂直な段差5を形成する
ため、斜面6a形成用段差５形成のための余分な工程の追
加が無い。このように本実施例によれば、斜面6a形成用
段差５形成のための特別な工程を必要とせず、従来の半
導体製造工程の中で自然と作り込めるため、工程全体を
簡素化出来る。又、オーハ゛ークラット゛層8とその下の斜面6a形
成用石英系膜層6として、略屈折率の等しい材料を使用
することにより、光Lがその間の界面を通過しても、屈
折等による光の乱れは発生しない。

【００２８】次に図３に基づいて本発明の第２実施例の
製造工程について説明を行なう。

【００２９】まず、の工程（同図（ａ））では、Si基
板101（基板上に製作される光導波路と熱膨張係数を揃
えるに石英基板等を用いてもよい）上に石英系層膜でアン
タ゛ークラット゛層102を成膜し、その上にアンタ゛ークラット゛層102より
屈折率の高いコア層103を成膜する。成膜の方法としてはC
VD、FHD、スハ゜ッタリンク゛などが用いられる。

【００３０】次に、の工程（同図（ｂ））では、従来
導波路を製作する場合と同様にコア層101をエッチンク゛して導
波路コアとなるコアハ゜ターン104を形成する。

【００３１】次に、の工程（同図（ｃ））では、コア層
103より屈折率の低い材料によって、オーハ゛ークラット゛第１層1
05を、最終的に必要なオーハ゛ークラット゛全体の厚さの半分程度
の厚みで成膜する。

【００３２】次に、の工程（同図（ｄ））では、上記
オーハ゛ークラット゛第１層105、コア層103、アンタ゛ークラット゛層102の夫
々の所定の部分について、Si基板101が露出するレベル
までエッチンク゛を実施する。

【００３３】次に、の工程（同図（ｅ））では、オーハ゛
ークラット゛第２層107を堆積し、更にそれをリフローするこ
とにより、オーハ゛ークラット゛第２層107によって略45゜の斜面1
07aを形成する。

【００３４】次に、の工程（同図（ｆ））では、コアハ゜
ターン104の端面104aに向かい合う斜面107a上に反射率の高
い反射ミラー膜108を製作する。

【００３５】次に、の工程（同図（ｇ））では、前記
反射ミラー膜108に向かい合う導波路の端面104aを露出
するためにRIEによってエッチンク゛を行い、導波路の垂直端
面を形成する。

【００３６】最後にの工程（同図（ｈ））で、光導波
路（104）と光結合を行う光アクティブ素子110をミラー
膜108上方に実装することにより、導波路からの光Lが光
アクティブ素子110に結合される。なお、特に説明しな
いが、上記説明以外の構成は上記第1実施例のものと同
様とする。

【００３７】次に、図４に基づいて本発明の第３実施例
について説明する。

【００３８】図４は第３実施例の製造工程を示す。

【００３９】但し、本実施例の製造工程では、反射ミラ
ー膜208を形成するまでの工程は、上述した第２実施例
の〜の工程（図３の（ａ）〜（ｆ））と同一である
（図３（ｆ）が図４（ａ）に対応する）ため、それらの
工程の図示及びその説明を省略する。

【００４０】本実施例では、ミラー膜208を形成した
後、の工程（図４（ｂ））で、光導波路と光結合を行
う光アクティブ素子210をミラー膜208上方に実装する
際、光アクティブ素子210と斜面ミラー膜208との間の空
間に、オーハ゛ークラット゛層207と略屈折率の等しい材料の接着
剤209を充填することにより、オーハ゛ークラット゛層207から出射
された光Lを効率よく光アクティブ素子210に結合させる
ことが出来る。図３（ｂ）に示す如く矩形状に掘り込む
ようにエッチンク゛するのは、以降の工程で接着剤等を充填す
る際に充填する材料をその中に溜め込むための堀として
の機能を持たせるためである。

【００４１】以下に図５に基づいて本発明の第４実施例
について説明する。

【００４２】図５は本発明の第４実施例の製造工程を示
す。

【００４３】まず、の工程（同図（ａ））では、Si基
板301（基板上に製作される光導波路と熱膨張係数を揃
えるために石英基板等を用いてもよい）上に石英系層膜
によるアンタ゛ークラット゛層302を成膜し、その上にアンタ゛ークラット゛
層302より屈折率の高い材料によるコア層303を成膜する。
成膜の方法としてはCVD、FHD、スハ゜ッタリンク゛などが用いら
れる。

【００４４】次に、の工程（同図（ｂ））では、従来
導波路を製作する場合と同様にコア層301をエッチンク゛して導
波路コアとなるコアハ゜ターン304を形成（画成）する。

【００４５】次に、の工程（同図（ｃ））では、コア層
303、アンタ゛ークラット゛層302の夫々の所定の部分についてSi基
板が露出するレベルまでエッチンク゛を実施する。

【００４６】次に、の工程（同図（ｄ））では、オーハ゛
ークラット゛層306を堆積して形成し、それをリフローするこ
とにより、オーハ゛ークラット゛層306によって略45゜の斜面306a
を形成する。

【００４７】次に、の工程（同図（ｅ））では、オーハ゛
ークラット゛層306による略45゜の斜面306bを、導波路コア304
から出射した光がその斜面306bに照射されるレベルま
で、その部分を均等にエッチンク゛して掘り下げることによっ
て形成する（転写工程）。

【００４８】次に、の工程（同図（ｆ））では、コアハ゜
ターンの端面304aに向かい合う斜面306b上に反射率の高い
反射ミラー膜307を製作する。

【００４９】最後に、の工程（同図（ｇ））で、光導
波路304と光結合を行う光アクティブ素子309をミラー膜
307の上方に実装する。この際、光アクティブ素子309と
斜面ミラー膜307の間の空間にオーハ゛ークラット゛層306と略屈折
率の等しい材料の接着剤308を充填することにより、オーハ
゛ークラット゛層306から出射した光を効率よく光アクティブ素
子に結合させることが出来る。

【００５０】なお、上記第１乃至４実施例では光導波路
と斜面とを形成するための膜層を石英系の材料で製作す
る例をあげたが、適度の透明性とリフロー性とを有して
いれば、特に石英系の材料に限られず、他の材料も使用
可能である。

【００５１】上述の本発明は、以下に示す付記の構成を
含む。

【００５２】（付記１）光導波路に沿う光軸に対して所
定の角度を有する斜面ミラーを設けた構成であって、基
板上に形成された略垂直な段差部の上に堆積した薄膜層
をリフローすることによって斜面を形成し、その斜面そ
のもの又はその斜面を転写して形成した斜面上に前記斜
面ミラー部を設けることを特徴とする光回路。

【００５３】（付記２）上記薄膜層が石英系膜層よりな
ることを特徴とする付記１に記載の光回路。

【００５４】（付記３）前記略垂直な段差部が、前記光
導波路を形成している物質と同様の材質よりなることを
特徴とする付記１又は２に記載の光回路。

【００５５】（付記４）付記１乃至３のうちのいずれか
一項に記載の略垂直な段差部は光導波路用コアパターン
を形成するエッチンク゛工程によって同時に形成されることを
特徴とする光回路の製造方法。

【００５６】（付記５）前記斜面ミラー部上に更に膜層
を堆積して前記斜面ミラー部を埋め込むことを特徴とす
る付記１乃至３のうちのいずれかに記載の光回路。

【００５７】（付記６）前記斜面ミラー部は、これを埋
め込む前記膜層のリフロー温度より高い融点を有する物
質よりなることを特徴とする付記５に記載の光回路。

【００５８】（付記７）前記略垂直な段差部の融点がそ
の上に堆積される薄膜層のリフロー温度より高いことを
特徴とする付記１乃至３、５乃至６のうちのいずれかに
記載の光回路。

【００５９】（付記８）基板上に形成される光導波路の
少なくともアンタ゛ークラット゛層とコア層のリフロー温度が、その
上に堆積される薄膜層のリフロー温度より高いことを特
徴とする付記１乃至３、５乃至７のいずれかに記載の光
回路。

【００６０】（付記９）前記略垂直な段差部の幅が対面
する導波路の幅のより広いことを特徴とする付記１乃至
３、５乃至８のいずれかに記載の光回路。

【００６１】（付記１０）前記斜面ミラー部に対面する
前記導波路の端面をRIE（Reactive Ion Etching）によ
って垂直に形成することを特徴とする付記１乃至３、５
乃至９のいずれかに記載の光回路の製造方法。

【００６２】（付記１１）前記略垂直な段差部が前記導
波路の端面を取り囲む形状（図５（ｃ）の平面図参照
ｊ）に形成されることを特徴とする付記１乃至３、５乃
至９のいずれかに記載の光回路。

【００６３】（付記１２）前記導波路を構成する層及び
前記リフローされる薄膜のうちのいずれか一方または両
方が石英系の膜よりなることを特徴とする付記１乃至
３、５乃至９及び１１のいずれかに記載の光回路。

【００６４】（付記１３）前記斜面ミラー部上に実装さ
れる光アクティブ素子と斜面ミラー部との間に透明性を
有する物質を充填することを特徴とする付記１乃至３、
５乃至９、１１乃至１２のいずれかに記載の光回路。

【００６５】このように、略垂直な段差部（略垂直な段
差を構成する部分、突起部等）を形成し、その上に堆積
した膜層をリフローすることによって斜面を形成し、ま
たはその斜面の形状を転写して更に新たな斜面を形成
し、その上に前記斜面ミラー部を形成するようにするた
め、基板を加工（異方性エッチング等）して斜面を形成
する従来技術の構成と異なり、基板上に別途に略垂直な
段差部を形成するので、基板の材質の選択の自由度を広
げ、それによって（石英系基板の採用等により）デバイ
スの特性改善を図ることが可能である。

【００６６】又、この略垂直な段差部を、元々光導波路
を形成するために形成した膜層を加工することによって
製作することが可能なため、フォトリソク゛ラフィーとRIEによる略
垂直な段差形状の加工が可能となり、製作精度の向上と
工程の簡易化の両立が可能となる。

【００６７】更に、前記略垂直な段差部の加工を光導波
路コアパターンを形成するエッチンク゛工程によって同時に行
うようにしたため、工程の簡易化等が可能となる。

【００６８】更に、リフローされた薄膜上に形成された
前記ミラー部上に更に屈折率の略等しい膜層を堆積する
よう構成することにより、光導波路側の出射垂直端面の
加工を特に高精度で行なわなくとも導波路コア端面から
光が直線的に出射するようになり、そのように出射され
た光を前記斜面ミラー部に入射させることが出来るた
め、光デバイスとしての性能の劣化を生ずることなく工
程の簡易化が可能となる。

【００６９】又、前記導波路形成用層及び略垂直な段差
部の融点がその上に堆積してリフローする薄膜層のリフ
ロー温度より高いため、前記リフローのためにウエハ全
体を加熱しても前記導波路形成用層に影響は及ぶ恐れが
無い。したがって局所加熱の必要が無く、工程の簡素化
が可能となる。

【００７０】又，本発明では、導波路形成に必須なコア
加工工程（コア層を導波路コアとなる部分を除いてエッ
チングすることで導波路パターンを形成（画成）する工
程）において同時に前記斜面ミラー部形成用斜面を形成
するための略垂直な段差を形成し且つ導波路の光出射端
面の垂直加工を行なう（例えば図２（ｂ））。更に、通
常の導波路形成工程に含まれるアニール工程（ＣＶＤ等
で成膜した石英膜を加熱して水分等を飛ばし膜質を向上
させる工程）と薄膜層をリフローして略４５°の斜面を
形成する工程（例えば図２（ｄ））とを共通化すること
も可能となる。その結果、本発明では（金属製等の）斜
面ミラー部の形成工程（例えば図２（ｄ））のみを新た
に加えるのみで導波路端面（図２の例では４ａ）から水
平方向に出射した光の光軸を折曲して垂直方向に取り出
す構成を実現可能であり、簡易な工程での製造が実現で
きる。

【００７１】又、本発明では光導波路形成工程の途中で
斜面ミラー部を形成可能なため、オーバークラッド層で
同ミラー部を埋め込むことが可能であり、別途樹脂の充
填工程の追加等が不要であり、工程を簡略化可能であ
り，且つ、導波路の光出射端面から光結合する光アクテ
ィブ素子までの光路を含む空間を石英ガラス等で充填し
ているため、デバイスの信頼性の向上が可能である。

【００７２】

【発明の効果】このように、本発明によれば、光導波路
形成工程の間に自然に斜面ミラー部設置用斜面形成用段
差部を形成可能であり、更には導波路用コアパターン形
成（画成）工程に同時にこの段差の画成を実施可能であ
るため、製造工程の効果的な簡略化が可能であり、且
つ、製造された光回路デバイスの信頼性を高レベルに確
保可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の一例の光回路の部分断面図である。

【図２】本発明の第１実施例による光回路の製造工程を
示す部分断面図および部分平面図である。

【図３】本発明の第２実施例による光回路の製造工程を
示す部分断面図および部分平面図である。

【図４】本発明の第３実施例による光回路の製造工程を
示す部分断面図および部分平面図である。

【図５】本発明の第４実施例による光回路の製造工程を
示す部分断面図および部分平面図である。

【符号の説明】

１、１０１、２０１、３０１基板２、１０２、２０２、３０２アンダークラッド層３、１０３，２０３，３０３コア層４、１０４，２０４，３０４コアパターン４ａ、１０４ａ、２０４ａ，３０４ａ導波路垂直端
面（出射面）１０５、２０５オーバークラッド第１層５，１０６、２０６、３０５略垂直な段差６リフローされた石英系薄膜８、３０６リフローされたオーバークラッド層１０７、２０７リフローされたオーバークラッド第
２層６ａ，１０７ａ，２０７ａ、３０６ａ、３０６ｂ略
４５°の斜面７、１０８、２０８、３０７反射ミラー膜９、１１０、２１０、３０９導波路と光結合される
光アクティブ素子１０、２０９、３０８透明な接着剤

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者井上忠夫神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA15 LA09 MA07 PA04 PA05 PA24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光導波路に沿う光軸に対して所定の角度を
有する斜面ミラー部を設けた構成を有する光回路であっ
て、基板上に形成された略垂直な段差部上に薄膜層を堆積
し、それリフローすることによって斜面を形成し、その
斜面そのもの又はその斜面を転写して新たに形成した斜
面上に前記斜面ミラー部を設けることを特徴とする光回
路。
【請求項２】上記薄膜層が石英系膜層よりなることを特
徴とする請求項１に記載の光回路。
【請求項３】前記略垂直な段差部が、前記光導波路と同
様の材質よりなることを特徴とする請求項１又は２に記
載の光回路。
【請求項４】請求項１乃至３のうちのいずれか一項に記
載の光回路における前記略垂直な段差部は光導波路用コ
アパターンを形成するエッチンク゛工程によって同時に形成さ
れることを特徴とする光回路の製造方法。
【請求項５】前記斜面ミラー部上に更に膜層を堆積して
埋め込むことを特徴とする請求項１乃至３のうちのいず
れか一項に記載の光回路。