JPH0770740A - Formation of conductive thin film - Google Patents
Formation of conductive thin filmInfo
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- JPH0770740A JPH0770740A JP21679293A JP21679293A JPH0770740A JP H0770740 A JPH0770740 A JP H0770740A JP 21679293 A JP21679293 A JP 21679293A JP 21679293 A JP21679293 A JP 21679293A JP H0770740 A JPH0770740 A JP H0770740A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばセラミックスな
どの基板表面に導電性薄膜を蒸着により形成するための
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a conductive thin film on the surface of a substrate such as ceramics by vapor deposition.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体や電子部品には導電性セラ
ミックスなどの基板が使用されており、この基板の表面
に導電性薄膜を形成するための方法には、導電性原料か
らなるターゲットに電子ビームあるいはプラズマを照射
し、導電性原料を蒸発あるいはスパッタさせるものがあ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, substrates such as conductive ceramics have been used for semiconductors and electronic parts, and a method for forming a conductive thin film on the surface of this substrate is to use a target made of a conductive raw material as an electron source. There is a method in which a conductive material is evaporated or sputtered by irradiating a beam or plasma.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の形成方法で
は、電子ビームあるいはプラズマにより、導電性原料の
一部分に集中的に過剰なエネルギーが投入され易く、こ
の場合、原料中に大きな温度勾配が生じ、原料の組成が
経時的に変化してしまい、従って良質の薄膜が得られな
いといった課題がある。In the above conventional forming method, excessive energy is likely to be intensively applied to a part of the conductive raw material by the electron beam or plasma, in which case a large temperature gradient is generated in the raw material. However, there is a problem that the composition of the raw material changes with time, and therefore a good quality thin film cannot be obtained.
【０００４】そこで本発明は、上記課題を解決し得る導
電性薄膜の形成方法を目的とする。Therefore, the present invention is directed to a method of forming a conductive thin film which can solve the above problems.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明における課題を解
決する手段は、導電性原料からなるターゲットの上方近
傍に基板を配置した状態でターゲットに通電し、該ター
ゲットを所定の温度まで加熱してその温度に保持すると
ともにターゲットにレーザービームを照射して走査する
ことにより、導電性原料を前記基板の表面に形成する。Means for Solving the Problem The means for solving the problem in the present invention is to energize a target made of a conductive raw material with a substrate placed in the vicinity of the upper part of the target and heat the target to a predetermined temperature. By holding the temperature and irradiating the target with a laser beam to scan the target, a conductive raw material is formed on the surface of the substrate.
【０００６】[0006]
【作用】上記方法において、導電性原料からなるターゲ
ットの上方近傍に基板を配置した状態でターゲットに通
電し、ターゲットを所定の温度まで加熱してその温度に
保持するとともにターゲットにレーザービームを照射し
て走査するので、レーザービームを照射している部分と
他の部分との温度差が小さく、従って、ターゲットの一
部分に集中的にエネルギーが投入さることがなく、ター
ゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるとと
もに導電性原料の組成が経時的に変化することがなく、
良質の導電性薄膜を基板に形成することができる。In the above method, the target is energized while the substrate is placed near the target made of a conductive raw material, the target is heated to a predetermined temperature and kept at that temperature, and the target is irradiated with a laser beam. The temperature difference between the part irradiated with the laser beam and the other part is small, so that the energy is not concentratedly applied to a part of the target and a large temperature gradient is generated in the target. And the composition of the conductive raw material does not change over time,
A good quality conductive thin film can be formed on the substrate.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明の実施例を図１の薄膜の形成状
態を示す斜視図に基づいて説明すると、導電性原料Ｍか
らなる板状のターゲット１が水平面から一定の傾斜方向
Ｄで配置され、前記ターゲット１の両端部に電極２，２
が取り付けられ、該電極２，２を介してターゲット１に
電源が接続されている。この電源電圧は、ターゲット１
や電極２，２が融点に達しない所定の温度になるように
設定されている。EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to a perspective view showing the state of formation of a thin film in FIG. 1, in which a plate-shaped target 1 made of a conductive raw material M is arranged at a certain inclination direction D from a horizontal plane. The electrodes 2 and 2 are provided on both ends of the target 1.
Is attached, and the power source is connected to the target 1 through the electrodes 2 and 2. This power supply voltage is the target 1
The electrodes 2 and 2 are set to have a predetermined temperature that does not reach the melting point.
【０００８】またこのターゲット１をその傾斜方向Ｄに
間欠的に移動させるための間欠駆動機構（図示せず）が
設けられ、この間欠駆動機構を駆動することにより、タ
ーゲット１は所定距離ｔだけ傾斜方向Ｄに移動して停止
する。An intermittent drive mechanism (not shown) for intermittently moving the target 1 in the tilt direction D is provided, and by driving the intermittent drive mechanism, the target 1 is tilted by a predetermined distance t. Move in direction D and stop.
【０００９】このターゲット１の上方近傍に、セラミッ
クス製の基板３が適宜の移動機構（図示せず）で水平方
向Ｅに移動自在に配置され、この基板３は所定の大きさ
の矩形に形成され、前記移動機構を駆動することによ
り、順次ターゲット１の上方を一定の方向に送られる。A ceramic substrate 3 is movably arranged in the horizontal direction E near an upper portion of the target 1 by an appropriate moving mechanism (not shown), and the substrate 3 is formed in a rectangular shape of a predetermined size. By driving the moving mechanism, the target 1 is sequentially fed over the target 1 in a fixed direction.
【００１０】また、前記ターゲット１の表面に照射する
レーザービーム４を往復走査するためのレーザー装置５
が設けられている。上記構成において、まずターゲット
１を所定の位置に設置し、ターゲット１に取り付けた電
極２，２に電圧を負荷してターゲット１を所定の温度ま
で上昇させるとともにこの所定の温度に保持し、ターゲ
ット１の上方に、予め加熱された基板３のその蒸着面を
下にして配置する。A laser device 5 for reciprocally scanning a laser beam 4 applied to the surface of the target 1.
Is provided. In the above configuration, first, the target 1 is installed at a predetermined position, a voltage is applied to the electrodes 2 and 2 attached to the target 1 to raise the target 1 to a predetermined temperature, and the target 1 is maintained at this predetermined temperature. Is placed above the substrate with the vapor deposition surface of the preheated substrate 3 facing down.
【００１１】次にレーザー装置５を駆動してターゲット
１の表面６にレーザービーム４の照射を開始し、例えば
右方から左方に走査させる。この右方から左方へのレー
ザービーム４の走査が終了すると、図示しない制御装置
が直ちに間欠駆動機構の駆動部に駆動信号を出力して、
ターゲット１を傾斜方向Ｄに所定距離ｔだけ元の位置か
らずらし、再度レーザービーム４を左方から右方に走査
する。Next, the laser device 5 is driven to start the irradiation of the laser beam 4 on the surface 6 of the target 1 to scan from the right side to the left side, for example. When the scanning of the laser beam 4 from the right side to the left side is completed, a control device (not shown) immediately outputs a drive signal to the drive section of the intermittent drive mechanism,
The target 1 is displaced from the original position by a predetermined distance t in the tilt direction D, and the laser beam 4 is again scanned from left to right.
【００１２】このターゲット１の移動とレーザービーム
４の往復動作を繰り返すことにより、ターゲット１から
導電性原料Ｍが順次蒸発し、基板３の蒸着面に導電性原
料Ｍが蒸着する。By repeating the movement of the target 1 and the reciprocating operation of the laser beam 4, the conductive raw material M is sequentially evaporated from the target 1, and the conductive raw material M is vapor-deposited on the vapor deposition surface of the substrate 3.
【００１３】そして先頭の基板３の蒸着面に対する導電
性原料Ｍの蒸着が終了すると、制御装置は移動機構の駆
動部に駆動信号を出力して次の基板３を送り出し、上記
と同様の工程により基板３の蒸着面に導電性原料Ｍを蒸
着する。When the vapor deposition of the conductive raw material M on the vapor deposition surface of the top substrate 3 is completed, the control device outputs a drive signal to the drive unit of the moving mechanism to send out the next substrate 3, and the same process as above. The conductive material M is deposited on the deposition surface of the substrate 3.
【００１４】このように本発明の実施例によれば、導電
性原料Ｍからなるターゲット１に電圧を加えて所定の温
度まで加熱しておき、レーザービーム４をターゲット１
の表面６に照射するので、レーザービーム４を照射して
いる部分と他の部分との温度差が小さく、従って、ター
ゲット１の一部分に集中的に過剰なエネルギーを投入す
る必要がなく、ターゲット１中に大きな温度勾配が生じ
るのを防止できるので、原料の組成が経時的に変化して
しまうことがなく、良質の導電性薄膜を基板３に蒸着す
ることができる。As described above, according to the embodiment of the present invention, the target 1 made of the conductive raw material M is heated to a predetermined temperature by applying a voltage, and the laser beam 4 is applied to the target 1.
Since the surface 6 of the target 1 is irradiated with the laser beam 4, the temperature difference between the part irradiated with the laser beam 4 and the other part is small. Therefore, it is not necessary to intensively input excessive energy to a part of the target 1. Since a large temperature gradient can be prevented from occurring in the inside, the composition of the raw material does not change with time, and a good quality conductive thin film can be deposited on the substrate 3.
【００１５】さらに、レーザービーム４をターゲット１
の表面６に往復走査させながらターゲット１を傾斜方向
Ｄに所定距離ｔだけ移動させて導電性原料Ｍを蒸発させ
るので、従来のようにターゲット１の一部分に集中的に
レーザービームを照射するものに比べて大きな面積の薄
膜を基板に形成することができる。Further, the laser beam 4 is used as a target 1
Since the target 1 is moved in the tilt direction D by a predetermined distance t to evaporate the conductive raw material M while reciprocatingly scanning the surface 6 of the target 6, a part of the target 1 is irradiated with a laser beam intensively as in the conventional case. In comparison, a thin film having a large area can be formed on the substrate.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明
は、導電性原料からなるターゲットの上方近傍に基板を
配置した状態でターゲットに通電し、ターゲットを所定
の温度まで加熱してその温度に保持するとともにターゲ
ットにレーザービームを照射し走査するので、レーザー
ビームを照射している部分と他の部分との温度差が小さ
く、従って、ターゲットの一部分に集中的にエネルギー
を投入する必要がなく、導電性原料中に大きな温度勾配
が生じるのを防止できるとともに導電性原料の組成が経
時的に変化してしまうのを防止でき、従って、良質の導
電性薄膜を基板に形成することができる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the target is energized with the substrate placed in the vicinity of the upper part of the target made of the conductive raw material, and the target is heated to a predetermined temperature to reach that temperature. Since the target is irradiated with the laser beam and scanned while being held, the temperature difference between the part irradiating the laser beam and the other part is small, and therefore it is not necessary to intensively input energy to a part of the target, It is possible to prevent a large temperature gradient from occurring in the conductive raw material and prevent the composition of the conductive raw material from changing with time. Therefore, a good quality conductive thin film can be formed on the substrate.
【図１】本発明の一実施例を示す導電性薄膜の形成方法
における薄膜の形成状態を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a thin film formation state in a conductive thin film formation method according to an embodiment of the present invention.
１ ターゲット ２ 電極 ３ 基板 ４ レーザービーム ５ レーザー装置 ６ ターゲットの表面 Ｄ 傾斜方向 1 Target 2 Electrode 3 Substrate 4 Laser Beam 5 Laser Device 6 Target Surface D Tilt Direction
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年１２月２７日[Submission date] December 27, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００１[Correction target item name] 0001
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばガラスあるいは
金属などの基板表面に導電性薄膜を蒸着により形成する
ための方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a conductive thin film by vapor deposition on the surface of a substrate such as glass or metal.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００２[Name of item to be corrected] 0002
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、基板の表面に導電性薄膜を形成す
るための方法には、導電性原料からなるターゲットに電
子ビームあるいはプラズマを照射し、導電性原料を蒸発
あるいはスパッタさせるものがある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method for forming a conductive thin film on the surface of a substrate, there is a method in which a target made of a conductive raw material is irradiated with an electron beam or plasma to vaporize or sputter the conductive raw material.
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００６[Correction target item name] 0006
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００６】[0006]
【作用】上記方法において、導電性原料からなるターゲ
ットの上方近傍に基板を配置した状態でターゲットに通
電し、ターゲットを所定の温度まで加熱してその温度に
保持するとともにターゲットにレーザービームを照射し
て走査するので、レーザービームを照射している部分と
他の部分との温度差が小さく、従って、ターゲットの一
部分に集中的にエネルギーが投入さることがなく、ター
ゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるとと
もに、ターゲットの間欠駆動機構の働きによりレーザー
照射部が逐次変化するため、導電性原料の組成が経時的
に変化することがなく、良質の導電性薄膜を基板に形成
することができる。In the above method, the target is energized while the substrate is placed near the target made of a conductive raw material, the target is heated to a predetermined temperature and kept at that temperature, and the target is irradiated with a laser beam. The temperature difference between the part irradiated with the laser beam and the other part is small, so that the energy is not concentratedly applied to a part of the target and a large temperature gradient is generated in the target. In addition, the laser irradiation portion is sequentially changed by the action of the intermittent drive mechanism of the target, so that the composition of the conductive raw material does not change over time, and a good quality conductive thin film can be formed on the substrate. .
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００９[Correction target item name] 0009
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００９】このターゲット１の上方近傍に、ガラス、
金属製の基板３が適宜の移動機構（図示せず）で水平方
向Ｅに移動自在に配置され、この基板３は所定の大きさ
の矩形に形成され、前記移動機構を駆動することによ
り、順次ターゲット１の上方を一定の方向に送られる。In the vicinity of the upper part of the target 1, glass,
A metal substrate 3 is movably arranged in a horizontal direction E by an appropriate moving mechanism (not shown), and the substrate 3 is formed in a rectangular shape of a predetermined size, and is sequentially driven by driving the moving mechanism. It is sent over the target 1 in a certain direction.
【手続補正５】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１０[Correction target item name] 0010
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１０】また、前記ターゲット１の表面に照射する
レーザービーム４を往復走査するためのレーザー装置５
が設けられている。上記構成において、まずターゲット
１を所定の位置に設置し、ターゲット１に取り付けた電
極２，２に電圧を負荷してターゲット１を所定の温度ま
で上昇させるとともにこの所定の温度に保持し、ターゲ
ット１の上方に、予め加熱された基板３をその蒸着面を
下にして配置する。A laser device 5 for reciprocally scanning a laser beam 4 applied to the surface of the target 1.
Is provided. In the above configuration, first, the target 1 is installed at a predetermined position, a voltage is applied to the electrodes 2 and 2 attached to the target 1 to raise the target 1 to a predetermined temperature, and the target 1 is maintained at this predetermined temperature. The preheated substrate 3 is placed above the substrate with the deposition surface thereof facing down.
【手続補正６】[Procedure correction 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１６[Correction target item name] 0016
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明
は、導電性原料からなるターゲットの上方近傍に基板を
配置した状態でターゲットに通電し、ターゲットを所定
の温度まで加熱してその温度に保持するとともにターゲ
ットにレーザービームを照射して走査するので、レーザ
ービームを照射している部分と他の部分との温度差が小
さく、従って、ターゲットの一部分に集中的にエネルギ
ーが投入する必要がなく、導電性原料中に大きな温度勾
配が生じるのを防止できるとともに、ターゲットの間欠
駆動機構の働きによりレーザー照射部が逐次変化するた
め、導電性原料の組成が経時的に変化するのを防止で
き、従って、良質の導電性薄膜を基板に形成することが
できる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the target is energized with the substrate placed in the vicinity of the upper part of the target made of the conductive raw material, and the target is heated to a predetermined temperature to reach that temperature. Since the target is irradiated and the target is irradiated with the laser beam for scanning, the temperature difference between the part irradiating the laser beam and the other part is small, so it is not necessary to intensively input energy to part of the target. In addition, it is possible to prevent a large temperature gradient from occurring in the conductive raw material and to prevent the composition of the conductive raw material from changing with time because the laser irradiation part is sequentially changed by the action of the intermittent drive mechanism of the target. Therefore, a good quality conductive thin film can be formed on the substrate.
Claims (1)
に基板を配置した状態でターゲットに通電し、該ターゲ
ットを所定の温度まで加熱してその温度に保持するとと
もにターゲットにレーザービームを照射して走査するこ
とにより、導電性原料を前記基板の表面に蒸着させるこ
とを特徴とする導電性薄膜の形成方法。1. A target is energized in a state in which a substrate is placed in the vicinity of an upper portion of a target made of a conductive raw material, the target is heated to a predetermined temperature and kept at that temperature, and the target is irradiated with a laser beam. A method for forming a conductive thin film, comprising depositing a conductive material on the surface of the substrate by scanning.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21679293A JPH0770740A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Formation of conductive thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21679293A JPH0770740A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Formation of conductive thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770740A true JPH0770740A (en) | 1995-03-14 |
Family
ID=16693953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21679293A Pending JPH0770740A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Formation of conductive thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770740A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5905282A (en) * | 1996-05-16 | 1999-05-18 | Sankosha Corporation | Multi-terminal surge protection device |
| JP2003105530A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Vacuum Products Kk | Laser abrasion device |
| WO2006090004A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Picodeon Ltd Oy | Pulsed laser deposition method |
| US20090136739A1 (en) * | 2006-02-23 | 2009-05-28 | Picodeon Ltd Oy | Coating on a plastic substrate and a coated plastic product |
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-
1993
- 1993-09-01 JP JP21679293A patent/JPH0770740A/en active Pending
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