JPH07252645A - Thin film forming device - Google Patents
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- JPH07252645A JPH07252645A JP4103694A JP4103694A JPH07252645A JP H07252645 A JPH07252645 A JP H07252645A JP 4103694 A JP4103694 A JP 4103694A JP 4103694 A JP4103694 A JP 4103694A JP H07252645 A JPH07252645 A JP H07252645A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体や光学膜等の
薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film forming apparatus for forming thin films such as semiconductors and optical films.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１は、例えば、「薄膜ハンドブッ
ク」、日本学術振興会薄膜第１３１委員会編、オーム社
（昭和５８年１２月１０日）発行、第１２４頁に記載さ
れた従来の薄膜形成装置の構成図である。2. Description of the Related Art FIG. 11 shows a conventional thin film described on page 124, "Thin Film Handbook", edited by Japan Society for the Promotion of Science, Thin Film 131st Committee, published by Ohmsha (Dec. 10, 1983). It is a block diagram of a forming apparatus.
【０００３】図１１において、１は蒸着材料、２は蒸着
材料１が充填されたるつぼ、３は通電加熱されることに
よって電子ビームを放出する加熱フィラメントで、るつ
ぼ２を加熱して蒸着材料１を溶解蒸発させる。４は蒸発
した蒸着材料１の蒸気、５は後述のグリッド６との間に
直流電圧を印加することによって電子ビームを放出する
イオン化フィラメントで、蒸気４の一部をイオン化す
る。６はグリッドで、イオン化フィラメント５から放出
された電子を引き出す。In FIG. 11, 1 is a vapor deposition material, 2 is a crucible filled with the vapor deposition material 1, 3 is a heating filament that emits an electron beam by being electrically heated, and the crucible 2 is heated to deposit the vapor deposition material 1. Dissolve and evaporate. Reference numeral 4 is the vapor of the evaporated vapor deposition material 1, and 5 is an ionizing filament that emits an electron beam by applying a DC voltage between it and a grid 6, which will be described later, and it partially ionizes the vapor 4. Reference numeral 6 is a grid that draws out the electrons emitted from the ionized filament 5.
【０００４】７は加熱フィラメント３及びイオン化フィ
ラメント５からの輻射熱を抑制する熱シールド板、８は
るつぼ２の上方に対向して配置される基板で、蒸着材料
の薄膜が形成される。９は基板８を保持して回転させる
回転機構、１０は真空槽、１１は真空槽１０内の排気を
する真空ポンプである。Reference numeral 7 is a heat shield plate which suppresses radiant heat from the heating filament 3 and ionization filament 5, and 8 is a substrate which is arranged above the crucible 2 so as to face it, and a thin film of a vapor deposition material is formed on the substrate. Reference numeral 9 is a rotating mechanism for holding and rotating the substrate 8, 10 is a vacuum chamber, and 11 is a vacuum pump for evacuating the vacuum chamber 10.
【０００５】次に動作について説明する。図１１におい
て、真空槽１０内を真空ポンプ１１で排気する。そし
て、加熱フィラメント３を通電加熱するとともに、加熱
フィラメント３とるつぼ２との間に直流電圧を印加する
と、加熱フィラメント３から電子ビームが放出されるこ
とによって、蒸着材料１が加熱され蒸発して蒸気４が発
生する。Next, the operation will be described. In FIG. 11, the vacuum chamber 10 is evacuated by the vacuum pump 11. When the heating filament 3 is electrically heated and a DC voltage is applied between the heating filament 3 and the crucible 2, the heating filament 3 emits an electron beam to heat and vaporize the vapor deposition material 1. 4 occurs.
【０００６】さらに、イオン化フィラメント５を通電加
熱するとともに、イオン化フィラメント５とグリッド６
との間に直流電圧を印加すると、イオン化フィラメント
５から電子ビームが放出される。この電子ビームが蒸気
４に衝突して蒸気４の一部がイオン化される。イオン化
された蒸気４は接地電位の基板８と正電位のるつぼ２と
の間で加速される。Further, the ionizing filament 5 and the grid 6 are heated while the ionizing filament 5 is electrically heated.
When a direct current voltage is applied between and, an electron beam is emitted from the ionized filament 5. This electron beam collides with the steam 4 and a part of the steam 4 is ionized. The ionized vapor 4 is accelerated between the ground potential substrate 8 and the positive potential crucible 2.
【０００７】そして、イオン化された蒸気４はイオン化
されていない他の蒸気４とともに基板８へ到達して基板
８上に薄膜が形成される。また、薄膜の形成中に基板８
を回転機構９により１０〜１００ｒｐｍ程度で回転させ
て、膜厚を回転方向に対して均一にする。さらに、熱シ
ールド板７によりるつぼ２及び両フィラメント３，５か
らの輻射熱が抑制される。Then, the ionized vapor 4 reaches the substrate 8 together with the other non-ionized vapor 4 to form a thin film on the substrate 8. Also, during the formation of the thin film, the substrate 8
Is rotated at about 10 to 100 rpm by the rotating mechanism 9 to make the film thickness uniform in the rotating direction. Further, the heat shield plate 7 suppresses radiant heat from the crucible 2 and both filaments 3, 5.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜形成装置は
以上のように構成されているので、加熱フィラメント、
イオン化フィラメント及びグリッドが高温になるため、
各構成材料の一部が蒸発して蒸着材料の蒸気に不純物と
して混入する。また、蒸着材料の溶融中にるつぼの構成
材料から不純物が蒸着材料に混入して、この不純物が蒸
発して蒸着材料の蒸気に混入する。したがって、高純度
の成膜を得るのが困難であるという問題点があった。Since the conventional thin film forming apparatus is constructed as described above, the heating filament,
Because the ionizing filament and grid become hot,
Part of each constituent material evaporates and mixes into the vapor of the vapor deposition material as an impurity. Further, during melting of the vapor deposition material, impurities are mixed into the vapor deposition material from the constituent material of the crucible, and the impurities are evaporated and mixed into the vapor of the vapor deposition material. Therefore, there is a problem that it is difficult to obtain a high-purity film.
【０００９】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたもので、蒸着材料の蒸気中への不純物
の混入を防止する薄膜形成装置を提供することを目的と
する。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus which prevents impurities from being mixed into the vapor of a vapor deposition material.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１は、真空槽内で
蒸着材料を加熱して蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気
の一部をイオン化して加速し、イオン化した蒸気を他の
蒸気とともに基板に蒸着させるようにした薄膜形成装置
において、レーザ発振装置から出力されるレーザ光を照
射手段から照射して蒸着材料を加熱するものである。According to a first aspect of the present invention, a vapor deposition material is heated and vaporized in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is converted into another vapor. At the same time, in a thin film forming apparatus for vapor deposition on a substrate, laser light output from a laser oscillation device is irradiated from an irradiation means to heat a vapor deposition material.
【００１１】請求項２は、請求項１において、蒸着材料
へのレーザ光の照射位置を照射手段を制御して変動させ
るものである。According to a second aspect, in the first aspect, the irradiation position of the laser beam onto the vapor deposition material is changed by controlling the irradiation means.
【００１２】請求項３は、請求項２において、蒸着材料
の周辺部に照射するレーザ光の密度を中心部に照射する
レーザ光の密度より大きくしたものである。According to a third aspect of the present invention, the density of the laser light applied to the peripheral portion of the vapor deposition material is made higher than the density of the laser light applied to the central portion.
【００１３】請求項４は、真空槽内で蒸着材料を加熱し
て蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気の一部をイオン化
して加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板
に蒸着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ
発振装置により蒸着材料にレーザ光を照射手段から照射
して蒸着材料を加熱し、レーザ光が照射される蒸着材料
と真空槽内に設けられたレーザ光の照射手段との間に、
レーザ光が通過できる穴を有し蒸気が照射手段側へ移動
するのを阻止するシールド板を配置したものである。According to a fourth aspect of the present invention, the vapor deposition material is heated and vaporized in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor deposited on the substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus described above, the laser oscillator irradiates the vapor deposition material with laser light from the irradiation means to heat the vapor deposition material, and the vapor deposition material irradiated with the laser light and the laser light irradiation means provided in the vacuum chamber. Between
A shield plate is provided which has a hole through which laser light can pass and which prevents vapor from moving toward the irradiation means.
【００１４】請求項５は、真空槽内で蒸着材料を加熱し
て蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気の一部をイオン化
して加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板
に蒸着させるようにした薄膜形成装置において、蒸着材
料に基板の方向に向かって開口した穴を設け、レーザ発
振装置から出力されたレーザ光を照射手段から穴内の蒸
着材料に照射して加熱するものである。According to a fifth aspect of the present invention, the vapor deposition material is heated and vaporized in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor deposited on the substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus described above, the vapor deposition material is provided with a hole opened toward the substrate, and the vapor deposition material in the hole is irradiated with the laser light output from the laser oscillation device to heat the vapor deposition material.
【００１５】請求項６は、真空槽内で蒸着材料を加熱し
て蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気の一部をイオン化
して加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板
に蒸着させるようにした薄膜形成装置において、第１の
レーザ発振装置から出力される第１のレーザ光を第１の
照射手段から蒸着材料に照射して加熱し、第２のレーザ
発振装置から出力される第２のレーザ光を第２の照射手
段から蒸着材料の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化
するものである。According to a sixth aspect of the present invention, the vapor deposition material is heated and vaporized in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor-deposited on the substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus, the first laser light emitted from the first laser oscillator is irradiated onto the vapor deposition material from the first irradiation means to heat the vapor deposition material, and the second laser oscillator outputs the second laser light. The second irradiation means irradiates the vapor of the vapor deposition material with the second laser beam to ionize a part of the vapor.
【００１６】請求項７は、真空槽内で蒸着材料を加熱し
て蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気の一部をイオン化
して加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板
に蒸着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ
発振装置から第１のレーザ光と第２のレーザ光とを出力
し、第１のレーザ光を第１の照射手段から蒸着材料に照
射して加熱し、第２のレーザ光を第２の照射手段から蒸
着材料の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化するもの
である。According to a seventh aspect of the present invention, the vapor deposition material is heated and vaporized in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor-deposited on the substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus described above, the laser oscillating device outputs the first laser light and the second laser light, and the first irradiating means irradiates the vapor deposition material to heat the second material. The second irradiation means irradiates the vapor of the vapor deposition material with the second laser beam to ionize a part of the vapor.
【００１７】請求項８は、請求項６又は請求項７におい
て、蒸着材料の蒸気に照射した第２のレーザ光をミラー
で反射させ、反射した第２のレーザ光を再度蒸着材料の
蒸気に照射するものである。According to an eighth aspect of the present invention, in the sixth or seventh aspect, the second laser light emitted to the vapor of the vapor deposition material is reflected by a mirror, and the reflected second laser light is emitted to the vapor of the vapor deposition material again. To do.
【００１８】[0018]
【作用】請求項１では、レーザ発振装置から出力される
レーザ光を蒸着材料に照射して加熱するので、蒸着材料
のみが蒸気になる。また、レーザ光は発生した蒸気に対
しても照射されるので、蒸気の一部がイオン化される。In the first aspect, since the vapor deposition material is irradiated with the laser light output from the laser oscillator to heat the vapor deposition material, only the vapor deposition material becomes vapor. Further, since the laser light is also applied to the generated vapor, a part of the vapor is ionized.
【００１９】請求項２では、蒸着材料へのレーザ光の照
射位置を変動させるので、蒸着材料の広い範囲にわたっ
て溶融させる。In the second aspect, since the irradiation position of the laser beam on the vapor deposition material is changed, the vapor deposition material is melted over a wide range.
【００２０】請求項３では、蒸着材料の周辺部に照射す
るレーザ光の密度を中心部に照射するレーザ光の密度よ
り大きくしたので、周辺部からの熱放散を補償して蒸発
面内の温度分布を均等化する。According to the third aspect of the present invention, the density of the laser light applied to the peripheral portion of the vapor deposition material is made higher than the density of the laser light applied to the central portion. Equalize the distribution.
【００２１】請求項４では、レーザ発振装置から出力さ
れるレーザ光を蒸着材料に照射して加熱するので、蒸着
材料のみが蒸気になる。また、発生した蒸気にもレーザ
光が照射されるので、一部がイオン化する。さらに、蒸
着材料とレーザ光の照射手段との間に配置したシールド
板により、蒸気が照射手段の方へ移動するのを阻止す
る。In the fourth aspect, since the vapor deposition material is irradiated with the laser light output from the laser oscillator to heat the vapor deposition material, only the vapor deposition material becomes vapor. Further, since the generated vapor is also irradiated with the laser light, a part thereof is ionized. Further, the shield plate disposed between the vapor deposition material and the laser light irradiation means prevents vapor from moving toward the irradiation means.
【００２２】請求項５では、蒸着材料に基板の方向に向
かって開口した穴を設け、レーザ光を穴内の蒸着材料に
照射して加熱するので、蒸気を指向性よく基板へ向かっ
て飛ばすことができる。In the present invention, the vapor deposition material is provided with a hole opened toward the substrate, and the vapor deposition material in the hole is heated by irradiating it with laser light. it can.
【００２３】請求項６では、第１のレーザ発振装置から
出力される第１のレーザ光を蒸着材料に照射して加熱
し、第２のレーザ発振装置から出力される第２のレーザ
光を蒸着材料の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化す
る。In the sixth aspect, the vapor deposition material is irradiated with the first laser beam output from the first laser oscillator to heat the vapor deposition material, and the second laser beam output from the second laser oscillator is vapor deposited. The vapor of the material is irradiated to ionize a part of the vapor.
【００２４】請求項７では、レーザ発振装置から第１の
レーザ光と第２のレーザ光とを出力し、第１のレーザ光
で蒸着材料を加熱して蒸気を発生させ、第２のレーザ光
を蒸着材料の蒸気に照射して一部をイオン化する。In the present invention, the laser oscillator outputs the first laser light and the second laser light, the first laser light heats the vapor deposition material to generate vapor, and the second laser light is emitted. Is irradiated to the vapor of the vapor deposition material to partially ionize it.
【００２５】請求項８では、請求項６又は請求項７にお
いて、蒸着材料の蒸気に照射した第２のレーザ光をミラ
ーで反射させ、反射した第２のレーザ光を再度蒸着材料
の蒸気に照射するので、蒸気の一部をイオン化させる。In the eighth aspect, the second laser beam applied to the vapor of the vapor deposition material according to the sixth aspect or the seventh aspect is reflected by a mirror, and the reflected second laser beam is applied to the vapor of the vapor deposition material again. Therefore, a part of the steam is ionized.
【００２６】[0026]
実施例１．図１は、この発明の実施例を示す構成図であ
る。図１において、１、２、８〜１１は従来と同様であ
る。１２はレーザ光１３を出力するＹＡＧレーザ装置か
らなるレーザ発振装置で、蒸着材料１にレーザ光１３を
照射して加熱する。１４はレーザ発振装置１２から出力
されたレーザ光１３を伝送する光ファイバー、１５は真
空槽１０内の光ファイバー１４の先端に接続された照射
手段で、蒸着材料１に向かってコリメート化されたレー
ザ光１３を出射する。Example 1. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1, 2, 8 to 11 are the same as the conventional one. Reference numeral 12 denotes a laser oscillation device including a YAG laser device that outputs a laser beam 13, and irradiates the vapor deposition material 1 with the laser beam 13 to heat it. Reference numeral 14 is an optical fiber for transmitting the laser light 13 output from the laser oscillator 12, and 15 is an irradiation means connected to the tip of the optical fiber 14 in the vacuum chamber 10. The laser light 13 is collimated toward the vapor deposition material 1. Is emitted.
【００２７】１６は蒸着材料１が蒸発して発生した蒸
気、１７は直流電源からなる加速手段で、るつぼ２と基
板８との間に直流電圧を印加する。１８は穴１８ａを設
けたシールド板で、蒸着材料１が充填されるるつぼ２と
照射手段１５との間に配置されて蒸気１６が照射手段１
５の方へ移動するのを防止する。１９はシールド板１８
の穴１８ａに固着した筒体で、レーザ光１３が通過でき
るように形成してある。これによって、レーザ光１３は
筒体１９内を通過して蒸着材料１へ照射されるととも
に、蒸気１６が照射手段１５へ付着するのを防止する。Reference numeral 16 is a vapor generated by evaporation of the vapor deposition material 1, and 17 is an accelerating means comprising a DC power source, which applies a DC voltage between the crucible 2 and the substrate 8. Reference numeral 18 denotes a shield plate provided with holes 18 a, which is arranged between the crucible 2 filled with the vapor deposition material 1 and the irradiation means 15 so that the vapor 16 is irradiated with the vapor 16.
Prevent moving to 5. 19 is a shield plate 18
It is a cylindrical body that is fixed to the hole 18a and is formed so that the laser light 13 can pass therethrough. As a result, the laser light 13 passes through the inside of the cylindrical body 19 and is irradiated onto the vapor deposition material 1, and at the same time, the vapor 16 is prevented from adhering to the irradiation means 15.
【００２８】次に動作について説明する。図１におい
て、真空槽１０内を真空ポンプ１１で排気した後、レー
ザ発振装置１２から出力されたレーザ光１３を照射手段
１５からるつぼ２内の蒸着材料１の上面に照射する。こ
れによって、蒸着材料１はレーザ光１３で加熱溶融され
て蒸発し、蒸気１６が発生する。このとき蒸着材料１の
上方にある蒸気１６にも照射手段１５から出射されたレ
ーザ光１３が照射されるので、蒸気の一部が励起又はイ
オン化される。Next, the operation will be described. In FIG. 1, the inside of the vacuum chamber 10 is evacuated by a vacuum pump 11, and then the laser beam 13 output from the laser oscillator 12 is irradiated from the irradiation means 15 onto the upper surface of the vapor deposition material 1 in the crucible 2. As a result, the vapor deposition material 1 is heated and melted by the laser light 13 and evaporated, and the vapor 16 is generated. At this time, the vapor 16 above the vapor deposition material 1 is also irradiated with the laser light 13 emitted from the irradiation means 15, so that a part of the vapor is excited or ionized.
【００２９】蒸着材料１がＴｉ等の高融点金属の場合、
レーザ光１３の出力は２ＫＷ程度が必要であり、光ファ
イバ１４で伝送可能である。イオン化された蒸気１６は
加速手段１７により加速されて、他のイオン化されなか
った蒸気１６とともに基板８に到達して薄膜が形成され
る。レーザ光１３は蒸着材料１へ直接照射されるので、
蒸着材料１のみを局所的に加熱するため、高純度の薄膜
を形成することができる。When the vapor deposition material 1 is a refractory metal such as Ti,
The output of the laser light 13 needs to be about 2 KW and can be transmitted through the optical fiber 14. The ionized vapor 16 is accelerated by the acceleration means 17 and reaches the substrate 8 together with other non-ionized vapor 16 to form a thin film. Since the laser light 13 is directly applied to the vapor deposition material 1,
Since only the vapor deposition material 1 is locally heated, a high-purity thin film can be formed.
【００３０】また、蒸気１６はシールド板１８で照射手
段１５の方向へ移動するのを阻止される。したがって、
蒸気１６が照射手段１５へ付着するのを防止できるの
で、レーザ光１３の照射光度が低下するのを軽減でき
る。Further, the vapor 16 is blocked by the shield plate 18 from moving toward the irradiation means 15. Therefore,
Since it is possible to prevent the vapor 16 from adhering to the irradiation means 15, it is possible to reduce a decrease in the irradiation intensity of the laser light 13.
【００３１】上記実施例１では蒸気１３を発生させイオ
ン化するのにＹＡＧレーザ装置を使用したものについて
説明したが、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、アルゴ
ンレーザ、ヨーソレーザ、銅蒸気レーザ等の高出力レー
ザを単独あるいは複数台使用してもよい。In the first embodiment described above, the YAG laser device is used to generate and ionize the vapor 13, but a high power laser such as an excimer laser, a carbon dioxide gas laser, an argon laser, a yoso laser or a copper vapor laser is used alone. Alternatively, a plurality of units may be used.
【００３２】実施例２．図２は、他の実施例を示す構成
図である。図２において、２０は真空槽１０に設けた窓
で、レーザ光１３が通過できるように構成されている。
このように照射手段１５を真空槽１０の外側に配置し
て、窓２０を通してレーザ光１３を蒸着材料１に照射す
ることによって、蒸着材料１の蒸気１６を発生させると
ともに、蒸気１６の一部がイオン化され、加速手段１７
で加速されて基板８に到達する。さらに照射手段１５に
蒸気１６が付着するのを防止できる。この場合、窓２０
の内側に蒸気１６が付着するので、定期的に清掃すると
か、窓２０を交換することでレーザ光１３の照射光度の
低下を防止できる。Example 2. FIG. 2 is a configuration diagram showing another embodiment. In FIG. 2, reference numeral 20 denotes a window provided in the vacuum chamber 10 so that the laser beam 13 can pass therethrough.
In this way, the irradiation means 15 is arranged outside the vacuum chamber 10, and the vapor deposition material 1 is irradiated with the laser light 13 through the window 20 to generate vapor 16 of the vapor deposition material 1 and a part of the vapor 16 is generated. Ionized and accelerated means 17
Is accelerated to reach the substrate 8. Further, it is possible to prevent the vapor 16 from adhering to the irradiation means 15. In this case, the window 20
Since the vapor 16 adheres to the inside of the, it is possible to prevent the irradiation intensity of the laser light 13 from being lowered by regularly cleaning or replacing the window 20.
【００３３】実施例３．図３は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図３において、２１は照射手段１５の
レーザ光１３の方向を制御する位置制御機構で、蒸着材
料１に対してレーザ光１３をスキャンする。２２はるつ
ぼ２を回転させたり上下方向に移動させる移動機構であ
る。２３は照射手段１５のレーザ光１３が通過できるよ
うに照射手段１５の出射端に設けた筒体で、蒸気１６が
照射手段１５に付着するのを防止する。図３において、
位置制御機構２１により照射手段１５を制御して蒸着材
料１へのレーザ光１３の照射をスキャンする。これによ
って、蒸着材料１の蒸発が効率よくできるとともに、蒸
気１６の一部がイオン化され、加速手段１７で加速され
て基板８に到達する。また、移動機構２２で蒸着材料１
を回転させたり、上下方向へ移動させても同様の効果が
期待できる。Example 3. FIG. 3 is a configuration diagram showing still another embodiment. In FIG. 3, reference numeral 21 denotes a position control mechanism for controlling the direction of the laser light 13 of the irradiation means 15, which scans the vapor deposition material 1 with the laser light 13. Reference numeral 22 is a moving mechanism that rotates the crucible 2 or moves the crucible 2 in the vertical direction. Reference numeral 23 denotes a cylindrical body provided at the emission end of the irradiation means 15 so that the laser light 13 of the irradiation means 15 can pass therethrough, and prevents vapor 16 from adhering to the irradiation means 15. In FIG.
The position control mechanism 21 controls the irradiation means 15 to scan the irradiation of the vapor deposition material 1 with the laser light 13. As a result, the vapor deposition material 1 can be efficiently evaporated, and part of the vapor 16 is ionized and accelerated by the acceleration means 17 to reach the substrate 8. In addition, the vapor deposition material 1 is moved by the moving mechanism 22.
The same effect can be expected by rotating or moving the.
【００３４】実施例４．図４は、さらに他の実施例の要
部を示す平面図である。図４において、２４はレーザ光
１３の密度を大きくしてスキャンする大密度部で、蒸着
材料１の周辺部、即ちるつぼ２に近い側である。２５は
レーザ光１３の密度を大密度部２４より小さくしてスキ
ャンする小密度部で、蒸着材料１の上面の中心側であ
る。Example 4. FIG. 4 is a plan view showing a main part of still another embodiment. In FIG. 4, reference numeral 24 denotes a high density portion for scanning by increasing the density of the laser light 13, which is a peripheral portion of the vapor deposition material 1, that is, a side close to the crucible 2. Reference numeral 25 denotes a low density portion for scanning by making the density of the laser light 13 smaller than that of the high density portion 24, and is on the center side of the upper surface of the vapor deposition material 1.
【００３５】上記のように、蒸着材料１の周辺部へ照射
するレーザ光１３の密度を中心部へ照射するレーザ光１
３の密度より大きくすることによって、冷め易いるつぼ
２側の熱放散を補償するので、蒸着材料１をほぼ均一に
加熱するため、発生する蒸気１６の密度をほぼ均一化で
きる。さらに、蒸気１６にレーザ光１３が照射されるの
で、蒸気１６の一部がイオン化され、加速手段１７で加
速されて基板８に到達する。したがって、基板８へ蒸着
する膜厚の均一化が図り易くなる。As described above, the laser light 1 for irradiating the central portion with the density of the laser light 13 for irradiating the peripheral portion of the vapor deposition material 1 is used.
By making the density higher than 3, the heat dissipation on the side of the crucible 2 which is easy to cool is compensated, so that the vapor deposition material 1 is heated almost uniformly, so that the density of the generated vapor 16 can be made substantially uniform. Further, since the vapor 16 is irradiated with the laser beam 13, a part of the vapor 16 is ionized and accelerated by the acceleration means 17 to reach the substrate 8. Therefore, it becomes easy to make the film thickness deposited on the substrate 8 uniform.
【００３６】レーザ光１３の密度の調整は、レーザ発振
装置１２の出力を調整して行うことができる。また、出
力を固定して蒸着材料１へのレーザ光１３の照射時間を
調整してもよい。さらに、スキャンの間隔ｄを蒸着材料
１の周辺部より中心部を大きくしてもよい。The density of the laser beam 13 can be adjusted by adjusting the output of the laser oscillator 12. Further, the output may be fixed and the irradiation time of the laser beam 13 to the vapor deposition material 1 may be adjusted. Furthermore, the scanning interval d may be set larger in the central portion than in the peripheral portion of the vapor deposition material 1.
【００３７】実施例５．図５は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図５において、２６及び２７はレーザ
光１３が通過できる穴２６ａ及び２７ａを設けたシール
ド板で、蒸着材料１が充填されるるつぼ２と照射手段１
５との間に配置されて、蒸気１６が照射手段１５の方へ
移動するのを防止する。レーザ光１３を各筒体２６、２
７の穴２６ａ、２７ａを通過させて蒸着材料１に照射す
ることによって、蒸着材料１の蒸気が発生するとともに
レーザ光１３が蒸気１６に照射されるので、蒸気の一部
がイオン化され、加速手段１７で加速されて基板８に到
達する。Example 5. FIG. 5 is a configuration diagram showing still another embodiment. In FIG. 5, reference numerals 26 and 27 denote shield plates provided with holes 26a and 27a through which the laser beam 13 can pass, and the crucible 2 filled with the vapor deposition material 1 and the irradiation means 1.
5 to prevent the vapor 16 from moving toward the irradiation means 15. The laser beam 13 is applied to each of the cylinders 26, 2
By irradiating the vapor deposition material 1 through the holes 26a and 27a of No. 7, the vapor of the vapor deposition material 1 is generated and the laser light 13 is radiated to the vapor 16, so that a part of the vapor is ionized and the accelerating means. It is accelerated at 17 and reaches the substrate 8.
【００３８】実施例６．図６は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図６において、２８はるつぼ２に充填
された蒸着材料で、基板８に向かって開口した穴２８ａ
と、穴２８ａに連通した横方向の穴２８ｂとが設けられ
ている。照射手段１５のレーザ光１３が穴２８ｂから照
射されて、穴２８ａ内の蒸着材料２８を加熱溶融する。
これによって、発生した蒸着材料２８の蒸気１６は穴２
８ａに案内されて基板８の方へ指向性をもたせて飛ばす
ことができる。そして、穴２８ａに発生した蒸気１６に
もレーザ光１３が照射されるので、蒸気の一部がイオン
化され、加速手段１７によって加速されて基板８に到達
する。蒸気１６に指向性をもたせることができるので、
基板８が高アスペクト比の微細コンタクトホールを有す
る半導体配線用バリア膜への蒸着などには、効率よくで
きる。Example 6. FIG. 6 is a configuration diagram showing still another embodiment. In FIG. 6, reference numeral 28 denotes a vapor deposition material filled in the crucible 2 and has a hole 28 a opened toward the substrate 8.
And a lateral hole 28b communicating with the hole 28a. The laser beam 13 of the irradiation means 15 is irradiated from the hole 28b to heat and melt the vapor deposition material 28 in the hole 28a.
As a result, the vapor 16 of the vapor deposition material 28 generated is generated by the holes 2
The board 8 can be guided to the board 8a and can be flown. Then, since the laser light 13 is also applied to the vapor 16 generated in the hole 28a, a part of the vapor is ionized and accelerated by the acceleration means 17 to reach the substrate 8. Since the steam 16 can have directivity,
Efficient deposition can be performed on the barrier film for semiconductor wiring in which the substrate 8 has fine contact holes with a high aspect ratio.
【００３９】実施例７．図７は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図７において、２９はるつぼ２に充填
された蒸着材料で、基板８に向かって開口した穴２９ａ
が設けられている。照射手段１５はるつぼ２の斜め上方
に配置されて、レーザ光１３が蒸着材料２９の穴２９ａ
内に照射できるようにしてある。このような構成におい
て、レーザ光１３を蒸着材料２９の穴２９ａに照射する
ことによって、蒸着材料２９が溶融して蒸発する。発生
した蒸気１６にもレーザ光１３が照射されるので、蒸気
の一部がイオン化されて、加速手段１７で加速されて基
板８に到達する。Example 7. FIG. 7 is a configuration diagram showing still another embodiment. In FIG. 7, reference numeral 29 is a vapor deposition material filled in the crucible 2 and has a hole 29 a opened toward the substrate 8.
Is provided. The irradiation means 15 is arranged obliquely above the crucible 2 so that the laser light 13 can emit holes 29 a in the vapor deposition material 29.
The inside can be irradiated. In such a structure, by irradiating the hole 29a of the vapor deposition material 29 with the laser light 13, the vapor deposition material 29 is melted and evaporated. Since the generated vapor 16 is also irradiated with the laser light 13, a part of the vapor is ionized and accelerated by the acceleration means 17 to reach the substrate 8.
【００４０】この場合、発生した蒸気１６は穴２９ａに
案内されて、指向性をもって基板の方向へ飛ばせる。さ
らに、移動機構２２で蒸着材料２９を回転させたり、あ
るいは上下方向に移動させることによって、蒸着材料２
９を広範囲にわたって使用することができる。また、開
口した穴２９ａは、蒸着材料２９を上下方向に貫通した
穴にしても同様の効果が期待できる。In this case, the generated vapor 16 is guided to the hole 29a and can be directed to the substrate. Further, the vapor deposition material 29 is rotated by the moving mechanism 22 or is moved in the vertical direction, so that the vapor deposition material 2
9 can be used extensively. The same effect can be expected even if the opened hole 29a is a hole that penetrates the vapor deposition material 29 in the vertical direction.
【００４１】実施例８．図８は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図８において、３０はレーザ光３１を
出力するレーザ発振装置、３２はレーザ光３１を伝送す
る光ファイバー、３３は真空槽１０内の光ファイバー３
２の先端に接続された照射手段で、蒸着材料１の蒸気１
６に向かってコリメート化されたレーザ光３１を照射す
る。３４は照射手段３３の出射端に設けた筒体で、蒸気
１６が照射手段３３に付着するのを防止する。上記構成
において、照射手段１５から出射されたレーザ光１３を
蒸着材料１に照射して蒸気１６を発生させる。そして、
照射手段３３から出射されたレーザ光３１を蒸気１６に
照射して、蒸気１６の一部をイオン化し、加速手段１７
で加速して基板８へ蒸着させる。Example 8. FIG. 8 is a block diagram showing still another embodiment. In FIG. 8, 30 is a laser oscillation device that outputs a laser beam 31, 32 is an optical fiber that transmits the laser beam 31, and 33 is an optical fiber 3 in the vacuum chamber 10.
The vapor 1 of the vapor deposition material 1 is irradiated by the irradiation means connected to the tip of the vapor 2.
The collimated laser light 31 is emitted toward the laser beam 6. Reference numeral 34 denotes a cylindrical body provided at the emission end of the irradiation means 33, which prevents the vapor 16 from adhering to the irradiation means 33. In the above structure, the vapor deposition material 1 is irradiated with the laser light 13 emitted from the irradiation means 15 to generate the vapor 16. And
The vapor 16 is irradiated with the laser light 31 emitted from the irradiation unit 33 to ionize a part of the vapor 16, and the acceleration unit 17
Is accelerated to vapor deposit on the substrate 8.
【００４２】蒸着材料１を加熱溶融するレーザ発振装置
１２とは別に蒸気１６の一部をイオン化するレーザ発振
装置３０を設けたので、イオン化がより効果的にでき
る。なお、レーザ発振装置３０として、ＹＡＧレーザ、
エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、アルゴンガスレー
ザ、ヨーソレーザ、銅蒸気レーザ等のレーザ光源が使用
できる。Since the laser oscillator 30 for ionizing a part of the vapor 16 is provided separately from the laser oscillator 12 for heating and melting the vapor deposition material 1, the ionization can be more effectively performed. As the laser oscillator 30, a YAG laser,
A laser light source such as an excimer laser, a carbon dioxide gas laser, an argon gas laser, a yoso laser, or a copper vapor laser can be used.
【００４３】実施例９．図９は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図９において、レーザ光３１は蒸着材
料１を加熱するレーザ光１３を出力するレーザ発振器１
２から分光して出力したものである。その他の構成は実
施例８と同様である。このような構成においても、実施
例８と同様の効果が期待できる。Example 9. FIG. 9 is a configuration diagram showing still another embodiment. In FIG. 9, a laser beam 31 is a laser oscillator 1 that outputs a laser beam 13 for heating the vapor deposition material 1.
It is a spectrum output from No. 2. Other configurations are similar to those of the eighth embodiment. Even with such a configuration, the same effect as that of the eighth embodiment can be expected.
【００４４】実施例１０．図１０は、さらに他の実施例
を示す構成図である。図１０において、３５は蒸気１６
の通路を挟んで照射手段３３と対向して配置されたミラ
ーで、蒸気１６に照射されたレーザ光３１を反射して、
再度レーザ光３１を蒸気１６に照射する。３６は蒸気１
６の通路を挟んでミラー３５と対向して配置されたミラ
ーで、レーザ光３１を再度反射して蒸気１６に照射す
る。その他の構成は実施例８と同様である。このような
構成によれば、イオン化を多重化するので、イオン化が
さらに効果的にできる。Example 10. FIG. 10 is a configuration diagram showing still another embodiment. In FIG. 10, 35 is steam 16
The laser beam 31 radiated to the vapor 16 is reflected by a mirror arranged to face the irradiation means 33 with the passage of
The steam 16 is irradiated with the laser light 31 again. 36 is steam 1
The laser light 31 is reflected again by the mirror arranged so as to face the mirror 35 with the passage 6 interposed therebetween, and the steam 16 is irradiated with the laser light 31. Other configurations are similar to those of the eighth embodiment. According to such a configuration, since the ionization is multiplexed, the ionization can be made more effective.
【００４５】実施例１１．上記実施例３及び実施例６〜
実施例１０では、照射手段１５、３３を真空槽１０内に
配置したものについて説明したが、いずれも実施例２に
示すように真空槽１０の外部に各照射手段１５、３３を
配置しても同様の効果が期待できる。Example 11. Example 3 and Example 6-
In the tenth embodiment, the irradiation means 15, 33 are arranged inside the vacuum chamber 10. However, both of them are arranged outside the vacuum chamber 10 as shown in the second embodiment. The same effect can be expected.
【００４６】[0046]
【発明の効果】請求項１は、レーザ光を蒸着材料に直接
照射して加熱するので、蒸着材料のみが蒸気になるた
め、蒸気中への不純物の混入を防止できる。また、発生
した蒸気にもレーザ光が照射されるので、蒸気の一部を
イオン化させることができる。According to the first aspect of the present invention, since the vapor deposition material is directly irradiated with laser light to heat the vapor deposition material, only the vapor deposition material becomes vapor, so that it is possible to prevent impurities from being mixed into the vapor. Further, since the generated vapor is also irradiated with the laser light, a part of the vapor can be ionized.
【００４７】請求項２は、請求項１において、蒸着材料
へのレーザ光の照射位置を変動させるので、蒸着材料の
広い範囲にわたって溶融させることができる。According to a second aspect of the present invention, since the irradiation position of the laser beam on the vapor deposition material is changed in the first aspect, the vapor deposition material can be melted over a wide range.
【００４８】請求項３は、請求項２において、蒸着材料
の周辺部に照射するレーザ光の密度を中心部に照射する
レーザ光の密度より大きくしたので、蒸着材料の周辺部
からの熱放散を補償して蒸発面内の温度分布を均等化す
るため、蒸発面から発生する蒸気の密度を均等化でき
る。According to a third aspect of the present invention, the density of the laser light applied to the peripheral portion of the vapor deposition material is made higher than the density of the laser light applied to the central portion, so that heat dissipation from the peripheral portion of the vapor deposition material is achieved. Since the temperature distribution in the evaporation surface is equalized by compensation, the density of vapor generated from the evaporation surface can be equalized.
【００４９】請求項４は、レーザ光を蒸着材料に直接照
射して加熱するので、蒸着材料のみが蒸気になるため、
蒸気中への不純物の混入を防止できる。また、発生した
蒸気にもレーザ光が照射されるので、蒸気の一部をイオ
ン化させることができる。さらに、蒸着材料の蒸気の発
生部とレーザ光の照射手段との間にシールド板を配置し
たので、蒸気が照射手段の方向へ移動するのを防止する
ため、蒸気が照射手段へ付着して照射強度を低下させる
のを軽減できる。According to the present invention, since the vapor deposition material is directly irradiated with laser light for heating, only the vapor deposition material becomes vapor.
It is possible to prevent impurities from being mixed into the steam. Further, since the generated vapor is also irradiated with the laser light, a part of the vapor can be ionized. Further, since the shield plate is arranged between the vapor generation portion of the vapor deposition material and the laser light irradiation means, the vapor adheres to the irradiation means and is irradiated in order to prevent the vapor from moving toward the irradiation means. It is possible to reduce the decrease in strength.
【００５０】請求項５は、蒸着材料に基板の方向に向か
って開口した穴を設け、レーザ光を穴内の蒸着材料に照
射して加熱するので、発生した蒸気に指向性をもたせて
基板に向かって飛ばすことができる。また、穴内で発生
した蒸気にレーザ光が照射されるので、蒸気の一部をイ
オン化させることができる。According to a fifth aspect of the present invention, the vapor deposition material is provided with a hole opened toward the substrate, and the vapor deposition material in the hole is irradiated with laser light to heat the vapor deposition material. Therefore, the generated vapor is directed toward the substrate. You can fly it. Moreover, since the vapor generated in the hole is irradiated with the laser beam, a part of the vapor can be ionized.
【００５１】請求項６は、第１のレーザ発振装置から出
力される第１のレーザ光を蒸着材料に照射して加熱し、
第２のレーザ発振装置から出力される第２のレーザ光を
蒸着材料の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化するの
で、蒸気中に不純物が混入するのを防止するとともに、
蒸気の一部のイオン化もできる。According to a sixth aspect of the present invention, the vapor deposition material is irradiated with the first laser beam output from the first laser oscillator to heat the vapor deposition material,
Since the vapor of the vapor deposition material is irradiated with the second laser light output from the second laser oscillator to partially ionize the vapor, it is possible to prevent impurities from being mixed into the vapor.
It is also possible to ionize part of the steam.
【００５２】請求項７は、レーザ発振装置から第１のレ
ーザ光と第２のレーザ光とを出力し、第１のレーザ光を
蒸着材料に照射して加熱し、第２のレーザ光を蒸着材料
の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化するので、蒸気
中に不純物が混入するのを防止するとともに、蒸気の一
部のイオン化もできる。According to a seventh aspect of the present invention, the laser oscillator outputs the first laser beam and the second laser beam, the vapor deposition material is irradiated with the first laser beam and heated to vaporize the second laser beam. Since the vapor of the material is irradiated to partially ionize the vapor, it is possible to prevent impurities from being mixed in the vapor and also to ionize the vapor partially.
【００５３】請求項８は、請求項６又は請求項７におい
て、蒸着材料の蒸気に照射した第２のレーザ光をミラー
で反射させ、反射した第２のレーザ光を再度蒸気に照射
するので、蒸気の一部のイオン化が効率よくできる。According to an eighth aspect, in the sixth or seventh aspect, the second laser light radiated to the vapor of the vapor deposition material is reflected by the mirror, and the reflected second laser light is radiated to the vapor again. Part of the steam can be efficiently ionized.
【図１】この発明の実施例１を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の実施例２を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の実施例３を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図４】この発明の実施例４を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing Embodiment 4 of the present invention.
【図５】この発明の実施例５を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of the present invention.
【図６】この発明の実施例６を示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
【図７】この発明の実施例７を示す構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram showing a seventh embodiment of the present invention.
【図８】この発明の実施例８を示す構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram showing an eighth embodiment of the present invention.
【図９】この発明の実施例９を示す構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram showing a ninth embodiment of the present invention.
【図１０】この発明の実施例１０を示す構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram showing an embodiment 10 of the present invention.
【図１１】従来の薄膜形成装置を示す構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram showing a conventional thin film forming apparatus.
１、２８、２９ 蒸着材料 ２ るつぼ ８ 基板 １０ 真空槽 １２、３０ レーザ発振装置 １３、３１ レーザ光 １５、３３ 照射手段 １６ 蒸気 １７ 加速手段 １８、２６、２７ シールド板 ２８、２９ 蒸着材料 ２８ａ、２９ａ 穴 ３５、３６ ミラー 1, 28, 29 Vapor deposition material 2 Crucible 8 Substrate 10 Vacuum tank 12, 30 Laser oscillator 13, 31 Laser light 15, 33 Irradiation means 16 Vapor 17 Accelerating means 18, 26, 27 Shield plate 28, 29 Vapor deposition material 28a, 29a Hole 35, 36 mirror
Claims (8)
せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ発振
装置から出力されるレーザ光を照射手段から照射して上
記蒸着材料を加熱することを特徴とする薄膜形成装置。1. A vapor deposition material is heated and evaporated in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor-deposited on a substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus, the thin film forming apparatus is characterized in that a laser beam output from a laser oscillator is irradiated from an irradiation unit to heat the vapor deposition material.
光の照射位置を照射手段を制御して変動させることを特
徴とする薄膜形成装置。2. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the irradiation position of the laser beam onto the vapor deposition material is changed by controlling the irradiation means.
照射するレーザ光の密度を中心部に照射する上記レーザ
光の密度より大きくしたことを特徴とする薄膜形成装
置。3. The thin film forming apparatus according to claim 2, wherein the density of the laser light applied to the peripheral portion of the vapor deposition material is made higher than the density of the laser light applied to the central portion.
せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ発振
装置により上記蒸着材料にレーザ光を照射手段から照射
して上記蒸着材料を加熱し、上記レーザ光が照射される
上記蒸着材料と上記真空槽内に設けられた上記レーザ光
の照射手段との間に、上記レーザ光が通過できる穴を有
し上記蒸気が上記照射手段側へ移動するのを阻止するシ
ールド板を配置したことを特徴とする薄膜形成装置。4. A vapor deposition material is heated and evaporated in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor-deposited on a substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus, a laser oscillator irradiates the vapor deposition material with laser light from an irradiation means to heat the vapor deposition material, and the vapor deposition material irradiated with the laser light and the laser provided in the vacuum chamber. A thin film forming apparatus, characterized in that a shield plate having a hole through which the laser light can pass is provided between the light irradiation means and the vapor to prevent the vapor from moving toward the irradiation means.
せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
着させるようにした薄膜形成装置において、上記蒸着材
料に上記基板の方向に向かって開口した穴を設け、レー
ザ発振装置から出力されたレーザ光を照射手段から上記
穴内の上記蒸着材料に照射して加熱することを特徴とす
る薄膜形成装置。5. A vapor deposition material is heated and evaporated in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor-deposited on a substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus, a hole opened in the direction of the substrate is provided in the vapor deposition material, and laser light output from a laser oscillation device is irradiated from the irradiation means to the vapor deposition material in the hole to heat the vapor deposition material. Thin film forming apparatus.
せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
着させるようにした薄膜形成装置において、第１のレー
ザ発振装置から出力される第１のレーザ光を第１の照射
手段から上記蒸着材料に照射して加熱し、第２のレーザ
発振装置から出力される第２のレーザ光を第２の照射手
段から上記蒸着材料の上記蒸気に照射して上記蒸気の一
部をイオン化することを特徴とする薄膜形成装置。6. A vapor deposition material is heated and evaporated in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor-deposited on a substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus, the first laser light emitted from the first laser oscillator is irradiated onto the vapor deposition material from the first irradiation means to heat the vapor deposition material, and the second laser oscillator outputs the second laser light. A thin film forming apparatus characterized by irradiating the vapor of the vapor deposition material with laser light from a second irradiation means to ionize a part of the vapor.
せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ発振
装置から第１のレーザ光と第２のレーザ光とを出力し、
上記第１のレーザ光を第１の照射手段から上記蒸着材料
に照射して加熱し、上記第２のレーザ光を第２の照射手
段から上記蒸着材料の上記蒸気に照射して上記蒸気の一
部をイオン化することを特徴とする薄膜形成装置。7. A vapor deposition material is heated and vaporized in a vacuum chamber, a part of the vapor of the vapor deposition material generated is ionized and accelerated, and the ionized vapor is vapor-deposited on a substrate together with other vapors. In the thin film forming apparatus, the laser oscillator outputs a first laser beam and a second laser beam,
The vapor deposition material is irradiated with the first laser light from the first irradiation means to heat the vapor deposition material and the second laser light is irradiated to the vapor of the vapor deposition material from the second irradiation means. Thin film forming apparatus characterized by ionizing a portion.
料の蒸気に照射した第２のレーザ光をミラーで反射さ
せ、反射した上記第２のレーザ光を再度上記蒸着材料の
上記蒸気に照射することを特徴とする薄膜形成装置。8. The vapor of the vapor deposition material according to claim 6 or 7, wherein the second laser light irradiated onto the vapor of the vapor deposition material is reflected by a mirror, and the reflected second laser light is irradiated onto the vapor of the vapor deposition material again. A thin film forming apparatus characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103694A JPH07252645A (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Thin film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103694A JPH07252645A (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Thin film forming device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07252645A true JPH07252645A (en) | 1995-10-03 |
Family
ID=12597181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4103694A Pending JPH07252645A (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Thin film forming device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07252645A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003105530A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Vacuum Products Kk | Laser abrasion device |
| WO2012151789A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | 江苏大学 | Method and apparatus for implanting laser-induced plasma into substrate |
| JP5908623B1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-04-26 | 京華堂實業股▲ふん▼有限公司 | Nanoparticle production system |
| WO2019026274A1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | 日本電気株式会社 | Method for manufacturing carbon nanohorn aggregate |
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1994
- 1994-03-11 JP JP4103694A patent/JPH07252645A/en active Pending
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