JPH0770740A - 導電性薄膜の形成方法 - Google Patents
導電性薄膜の形成方法Info
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- JPH0770740A JPH0770740A JP21679293A JP21679293A JPH0770740A JP H0770740 A JPH0770740 A JP H0770740A JP 21679293 A JP21679293 A JP 21679293A JP 21679293 A JP21679293 A JP 21679293A JP H0770740 A JPH0770740 A JP H0770740A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ターゲット１に電圧を負荷して所定の温度ま
で上昇させ、ターゲット１の表面６の一方から他方にレ
ーザービーム４を走査し、ターゲット１を傾斜方向Ｄに
所定距離ｔだけ元の位置からずらし、次にレーザービー
ム４を他方から一方に走査するといった方法で、ターゲ
ット１から導電性原料Ｍを順次蒸発させ、基板３の蒸着
面に導電性原料Ｍを蒸着させる。 【効果】 導電性原料からなるターゲットに電圧を加え
て所定の温度まで加熱しておき、レーザービームをター
ゲットの表面に照射するので、レーザービームを照射し
ている部分と他の部分との温度差が小さく、従って、タ
ーゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるの
で、原料の組成が経時的に変化してしまうことがなく、
良質の導電性薄膜を基板に蒸着することができる。
で上昇させ、ターゲット１の表面６の一方から他方にレ
ーザービーム４を走査し、ターゲット１を傾斜方向Ｄに
所定距離ｔだけ元の位置からずらし、次にレーザービー
ム４を他方から一方に走査するといった方法で、ターゲ
ット１から導電性原料Ｍを順次蒸発させ、基板３の蒸着
面に導電性原料Ｍを蒸着させる。 【効果】 導電性原料からなるターゲットに電圧を加え
て所定の温度まで加熱しておき、レーザービームをター
ゲットの表面に照射するので、レーザービームを照射し
ている部分と他の部分との温度差が小さく、従って、タ
ーゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるの
で、原料の組成が経時的に変化してしまうことがなく、
良質の導電性薄膜を基板に蒸着することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばセラミックスな
どの基板表面に導電性薄膜を蒸着により形成するための
方法に関する。
どの基板表面に導電性薄膜を蒸着により形成するための
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体や電子部品には導電性セラ
ミックスなどの基板が使用されており、この基板の表面
に導電性薄膜を形成するための方法には、導電性原料か
らなるターゲットに電子ビームあるいはプラズマを照射
し、導電性原料を蒸発あるいはスパッタさせるものがあ
る。
ミックスなどの基板が使用されており、この基板の表面
に導電性薄膜を形成するための方法には、導電性原料か
らなるターゲットに電子ビームあるいはプラズマを照射
し、導電性原料を蒸発あるいはスパッタさせるものがあ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の形成方法で
は、電子ビームあるいはプラズマにより、導電性原料の
一部分に集中的に過剰なエネルギーが投入され易く、こ
の場合、原料中に大きな温度勾配が生じ、原料の組成が
経時的に変化してしまい、従って良質の薄膜が得られな
いといった課題がある。
は、電子ビームあるいはプラズマにより、導電性原料の
一部分に集中的に過剰なエネルギーが投入され易く、こ
の場合、原料中に大きな温度勾配が生じ、原料の組成が
経時的に変化してしまい、従って良質の薄膜が得られな
いといった課題がある。
【０００４】そこで本発明は、上記課題を解決し得る導
電性薄膜の形成方法を目的とする。
電性薄膜の形成方法を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における課題を解
決する手段は、導電性原料からなるターゲットの上方近
傍に基板を配置した状態でターゲットに通電し、該ター
ゲットを所定の温度まで加熱してその温度に保持すると
ともにターゲットにレーザービームを照射して走査する
ことにより、導電性原料を前記基板の表面に形成する。
決する手段は、導電性原料からなるターゲットの上方近
傍に基板を配置した状態でターゲットに通電し、該ター
ゲットを所定の温度まで加熱してその温度に保持すると
ともにターゲットにレーザービームを照射して走査する
ことにより、導電性原料を前記基板の表面に形成する。
【０００６】
【作用】上記方法において、導電性原料からなるターゲ
ットの上方近傍に基板を配置した状態でターゲットに通
電し、ターゲットを所定の温度まで加熱してその温度に
保持するとともにターゲットにレーザービームを照射し
て走査するので、レーザービームを照射している部分と
他の部分との温度差が小さく、従って、ターゲットの一
部分に集中的にエネルギーが投入さることがなく、ター
ゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるとと
もに導電性原料の組成が経時的に変化することがなく、
良質の導電性薄膜を基板に形成することができる。
ットの上方近傍に基板を配置した状態でターゲットに通
電し、ターゲットを所定の温度まで加熱してその温度に
保持するとともにターゲットにレーザービームを照射し
て走査するので、レーザービームを照射している部分と
他の部分との温度差が小さく、従って、ターゲットの一
部分に集中的にエネルギーが投入さることがなく、ター
ゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるとと
もに導電性原料の組成が経時的に変化することがなく、
良質の導電性薄膜を基板に形成することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１の薄膜の形成状
態を示す斜視図に基づいて説明すると、導電性原料Ｍか
らなる板状のターゲット１が水平面から一定の傾斜方向
Ｄで配置され、前記ターゲット１の両端部に電極２，２
が取り付けられ、該電極２，２を介してターゲット１に
電源が接続されている。この電源電圧は、ターゲット１
や電極２，２が融点に達しない所定の温度になるように
設定されている。
態を示す斜視図に基づいて説明すると、導電性原料Ｍか
らなる板状のターゲット１が水平面から一定の傾斜方向
Ｄで配置され、前記ターゲット１の両端部に電極２，２
が取り付けられ、該電極２，２を介してターゲット１に
電源が接続されている。この電源電圧は、ターゲット１
や電極２，２が融点に達しない所定の温度になるように
設定されている。
【０００８】またこのターゲット１をその傾斜方向Ｄに
間欠的に移動させるための間欠駆動機構（図示せず）が
設けられ、この間欠駆動機構を駆動することにより、タ
ーゲット１は所定距離ｔだけ傾斜方向Ｄに移動して停止
する。
間欠的に移動させるための間欠駆動機構（図示せず）が
設けられ、この間欠駆動機構を駆動することにより、タ
ーゲット１は所定距離ｔだけ傾斜方向Ｄに移動して停止
する。
【０００９】このターゲット１の上方近傍に、セラミッ
クス製の基板３が適宜の移動機構（図示せず）で水平方
向Ｅに移動自在に配置され、この基板３は所定の大きさ
の矩形に形成され、前記移動機構を駆動することによ
り、順次ターゲット１の上方を一定の方向に送られる。
クス製の基板３が適宜の移動機構（図示せず）で水平方
向Ｅに移動自在に配置され、この基板３は所定の大きさ
の矩形に形成され、前記移動機構を駆動することによ
り、順次ターゲット１の上方を一定の方向に送られる。
【００１０】また、前記ターゲット１の表面に照射する
レーザービーム４を往復走査するためのレーザー装置５
が設けられている。上記構成において、まずターゲット
１を所定の位置に設置し、ターゲット１に取り付けた電
極２，２に電圧を負荷してターゲット１を所定の温度ま
で上昇させるとともにこの所定の温度に保持し、ターゲ
ット１の上方に、予め加熱された基板３のその蒸着面を
下にして配置する。
レーザービーム４を往復走査するためのレーザー装置５
が設けられている。上記構成において、まずターゲット
１を所定の位置に設置し、ターゲット１に取り付けた電
極２，２に電圧を負荷してターゲット１を所定の温度ま
で上昇させるとともにこの所定の温度に保持し、ターゲ
ット１の上方に、予め加熱された基板３のその蒸着面を
下にして配置する。
【００１１】次にレーザー装置５を駆動してターゲット
１の表面６にレーザービーム４の照射を開始し、例えば
右方から左方に走査させる。この右方から左方へのレー
ザービーム４の走査が終了すると、図示しない制御装置
が直ちに間欠駆動機構の駆動部に駆動信号を出力して、
ターゲット１を傾斜方向Ｄに所定距離ｔだけ元の位置か
らずらし、再度レーザービーム４を左方から右方に走査
する。
１の表面６にレーザービーム４の照射を開始し、例えば
右方から左方に走査させる。この右方から左方へのレー
ザービーム４の走査が終了すると、図示しない制御装置
が直ちに間欠駆動機構の駆動部に駆動信号を出力して、
ターゲット１を傾斜方向Ｄに所定距離ｔだけ元の位置か
らずらし、再度レーザービーム４を左方から右方に走査
する。
【００１２】このターゲット１の移動とレーザービーム
４の往復動作を繰り返すことにより、ターゲット１から
導電性原料Ｍが順次蒸発し、基板３の蒸着面に導電性原
料Ｍが蒸着する。
４の往復動作を繰り返すことにより、ターゲット１から
導電性原料Ｍが順次蒸発し、基板３の蒸着面に導電性原
料Ｍが蒸着する。
【００１３】そして先頭の基板３の蒸着面に対する導電
性原料Ｍの蒸着が終了すると、制御装置は移動機構の駆
動部に駆動信号を出力して次の基板３を送り出し、上記
と同様の工程により基板３の蒸着面に導電性原料Ｍを蒸
着する。
性原料Ｍの蒸着が終了すると、制御装置は移動機構の駆
動部に駆動信号を出力して次の基板３を送り出し、上記
と同様の工程により基板３の蒸着面に導電性原料Ｍを蒸
着する。
【００１４】このように本発明の実施例によれば、導電
性原料Ｍからなるターゲット１に電圧を加えて所定の温
度まで加熱しておき、レーザービーム４をターゲット１
の表面６に照射するので、レーザービーム４を照射して
いる部分と他の部分との温度差が小さく、従って、ター
ゲット１の一部分に集中的に過剰なエネルギーを投入す
る必要がなく、ターゲット１中に大きな温度勾配が生じ
るのを防止できるので、原料の組成が経時的に変化して
しまうことがなく、良質の導電性薄膜を基板３に蒸着す
ることができる。
性原料Ｍからなるターゲット１に電圧を加えて所定の温
度まで加熱しておき、レーザービーム４をターゲット１
の表面６に照射するので、レーザービーム４を照射して
いる部分と他の部分との温度差が小さく、従って、ター
ゲット１の一部分に集中的に過剰なエネルギーを投入す
る必要がなく、ターゲット１中に大きな温度勾配が生じ
るのを防止できるので、原料の組成が経時的に変化して
しまうことがなく、良質の導電性薄膜を基板３に蒸着す
ることができる。
【００１５】さらに、レーザービーム４をターゲット１
の表面６に往復走査させながらターゲット１を傾斜方向
Ｄに所定距離ｔだけ移動させて導電性原料Ｍを蒸発させ
るので、従来のようにターゲット１の一部分に集中的に
レーザービームを照射するものに比べて大きな面積の薄
膜を基板に形成することができる。
の表面６に往復走査させながらターゲット１を傾斜方向
Ｄに所定距離ｔだけ移動させて導電性原料Ｍを蒸発させ
るので、従来のようにターゲット１の一部分に集中的に
レーザービームを照射するものに比べて大きな面積の薄
膜を基板に形成することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明
は、導電性原料からなるターゲットの上方近傍に基板を
配置した状態でターゲットに通電し、ターゲットを所定
の温度まで加熱してその温度に保持するとともにターゲ
ットにレーザービームを照射し走査するので、レーザー
ビームを照射している部分と他の部分との温度差が小さ
く、従って、ターゲットの一部分に集中的にエネルギー
を投入する必要がなく、導電性原料中に大きな温度勾配
が生じるのを防止できるとともに導電性原料の組成が経
時的に変化してしまうのを防止でき、従って、良質の導
電性薄膜を基板に形成することができる。
は、導電性原料からなるターゲットの上方近傍に基板を
配置した状態でターゲットに通電し、ターゲットを所定
の温度まで加熱してその温度に保持するとともにターゲ
ットにレーザービームを照射し走査するので、レーザー
ビームを照射している部分と他の部分との温度差が小さ
く、従って、ターゲットの一部分に集中的にエネルギー
を投入する必要がなく、導電性原料中に大きな温度勾配
が生じるのを防止できるとともに導電性原料の組成が経
時的に変化してしまうのを防止でき、従って、良質の導
電性薄膜を基板に形成することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す導電性薄膜の形成方法
における薄膜の形成状態を示す斜視図である。
における薄膜の形成状態を示す斜視図である。
１ ターゲット ２ 電極 ３ 基板 ４ レーザービーム ５ レーザー装置 ６ ターゲットの表面 Ｄ 傾斜方向
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばガラスあるいは
金属などの基板表面に導電性薄膜を蒸着により形成する
ための方法に関する。
金属などの基板表面に導電性薄膜を蒸着により形成する
ための方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】従来、基板の表面に導電性薄膜を形成す
るための方法には、導電性原料からなるターゲットに電
子ビームあるいはプラズマを照射し、導電性原料を蒸発
あるいはスパッタさせるものがある。
るための方法には、導電性原料からなるターゲットに電
子ビームあるいはプラズマを照射し、導電性原料を蒸発
あるいはスパッタさせるものがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【作用】上記方法において、導電性原料からなるターゲ
ットの上方近傍に基板を配置した状態でターゲットに通
電し、ターゲットを所定の温度まで加熱してその温度に
保持するとともにターゲットにレーザービームを照射し
て走査するので、レーザービームを照射している部分と
他の部分との温度差が小さく、従って、ターゲットの一
部分に集中的にエネルギーが投入さることがなく、ター
ゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるとと
もに、ターゲットの間欠駆動機構の働きによりレーザー
照射部が逐次変化するため、導電性原料の組成が経時的
に変化することがなく、良質の導電性薄膜を基板に形成
することができる。
ットの上方近傍に基板を配置した状態でターゲットに通
電し、ターゲットを所定の温度まで加熱してその温度に
保持するとともにターゲットにレーザービームを照射し
て走査するので、レーザービームを照射している部分と
他の部分との温度差が小さく、従って、ターゲットの一
部分に集中的にエネルギーが投入さることがなく、ター
ゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるとと
もに、ターゲットの間欠駆動機構の働きによりレーザー
照射部が逐次変化するため、導電性原料の組成が経時的
に変化することがなく、良質の導電性薄膜を基板に形成
することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】このターゲット１の上方近傍に、ガラス、
金属製の基板３が適宜の移動機構（図示せず）で水平方
向Ｅに移動自在に配置され、この基板３は所定の大きさ
の矩形に形成され、前記移動機構を駆動することによ
り、順次ターゲット１の上方を一定の方向に送られる。
金属製の基板３が適宜の移動機構（図示せず）で水平方
向Ｅに移動自在に配置され、この基板３は所定の大きさ
の矩形に形成され、前記移動機構を駆動することによ
り、順次ターゲット１の上方を一定の方向に送られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】また、前記ターゲット１の表面に照射する
レーザービーム４を往復走査するためのレーザー装置５
が設けられている。上記構成において、まずターゲット
１を所定の位置に設置し、ターゲット１に取り付けた電
極２，２に電圧を負荷してターゲット１を所定の温度ま
で上昇させるとともにこの所定の温度に保持し、ターゲ
ット１の上方に、予め加熱された基板３をその蒸着面を
下にして配置する。
レーザービーム４を往復走査するためのレーザー装置５
が設けられている。上記構成において、まずターゲット
１を所定の位置に設置し、ターゲット１に取り付けた電
極２，２に電圧を負荷してターゲット１を所定の温度ま
で上昇させるとともにこの所定の温度に保持し、ターゲ
ット１の上方に、予め加熱された基板３をその蒸着面を
下にして配置する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明
は、導電性原料からなるターゲットの上方近傍に基板を
配置した状態でターゲットに通電し、ターゲットを所定
の温度まで加熱してその温度に保持するとともにターゲ
ットにレーザービームを照射して走査するので、レーザ
ービームを照射している部分と他の部分との温度差が小
さく、従って、ターゲットの一部分に集中的にエネルギ
ーが投入する必要がなく、導電性原料中に大きな温度勾
配が生じるのを防止できるとともに、ターゲットの間欠
駆動機構の働きによりレーザー照射部が逐次変化するた
め、導電性原料の組成が経時的に変化するのを防止で
き、従って、良質の導電性薄膜を基板に形成することが
できる。
は、導電性原料からなるターゲットの上方近傍に基板を
配置した状態でターゲットに通電し、ターゲットを所定
の温度まで加熱してその温度に保持するとともにターゲ
ットにレーザービームを照射して走査するので、レーザ
ービームを照射している部分と他の部分との温度差が小
さく、従って、ターゲットの一部分に集中的にエネルギ
ーが投入する必要がなく、導電性原料中に大きな温度勾
配が生じるのを防止できるとともに、ターゲットの間欠
駆動機構の働きによりレーザー照射部が逐次変化するた
め、導電性原料の組成が経時的に変化するのを防止で
き、従って、良質の導電性薄膜を基板に形成することが
できる。
Claims (1)
- 【請求項１】導電性原料からなるターゲットの上方近傍
に基板を配置した状態でターゲットに通電し、該ターゲ
ットを所定の温度まで加熱してその温度に保持するとと
もにターゲットにレーザービームを照射して走査するこ
とにより、導電性原料を前記基板の表面に蒸着させるこ
とを特徴とする導電性薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21679293A JPH0770740A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 導電性薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21679293A JPH0770740A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 導電性薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770740A true JPH0770740A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=16693953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21679293A Pending JPH0770740A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 導電性薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770740A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5905282A (en) * | 1996-05-16 | 1999-05-18 | Sankosha Corporation | Multi-terminal surge protection device |
| JP2003105530A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Vacuum Products Kk | レーザアブレーション装置 |
| WO2006090005A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Pintavision Oy | Pulsed laser deposition method |
| US20090136739A1 (en) * | 2006-02-23 | 2009-05-28 | Picodeon Ltd Oy | Coating on a plastic substrate and a coated plastic product |
| US20100285241A1 (en) * | 2007-10-22 | 2010-11-11 | ApplliFlex LLC | Laser deposition of nanocomposite films |
| US9074282B2 (en) * | 2008-08-25 | 2015-07-07 | Solmates B.V. | Method for depositing a material |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP21679293A patent/JPH0770740A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5905282A (en) * | 1996-05-16 | 1999-05-18 | Sankosha Corporation | Multi-terminal surge protection device |
| JP2003105530A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Vacuum Products Kk | レーザアブレーション装置 |
| WO2006090005A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Pintavision Oy | Pulsed laser deposition method |
| WO2006090004A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Picodeon Ltd Oy | Pulsed laser deposition method |
| US20090136739A1 (en) * | 2006-02-23 | 2009-05-28 | Picodeon Ltd Oy | Coating on a plastic substrate and a coated plastic product |
| US20100285241A1 (en) * | 2007-10-22 | 2010-11-11 | ApplliFlex LLC | Laser deposition of nanocomposite films |
| US9074282B2 (en) * | 2008-08-25 | 2015-07-07 | Solmates B.V. | Method for depositing a material |
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