JPH0766327A - 放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法 - Google Patents
放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、信
頼性の高い半導体装置を提供することにある。 【構成】半導体素子4と、この半導体素子4を封止した
パッケ−ジ3と、このパッケ−ジ3に組込まれるととも
にその板面18をパッケ−ジ3から露出させ、半導体素
子4と熱伝達可能に接続されて半導体素子4の熱をパッ
ケ−ジ3の外へ放出する金属製の放熱板12とを備えた
半導体装置において、放熱板12が複数の層(第1及び
第2のスキン層13、14、コア層15)を有するとと
もに、複数の層13〜15のうちの少なくとも一つの層
(コア層15)の側面31を他の層13,14に対しず
らして放熱板12の側面16に凹陥部17を形成した。
頼性の高い半導体装置を提供することにある。 【構成】半導体素子4と、この半導体素子4を封止した
パッケ−ジ3と、このパッケ−ジ3に組込まれるととも
にその板面18をパッケ−ジ3から露出させ、半導体素
子4と熱伝達可能に接続されて半導体素子4の熱をパッ
ケ−ジ3の外へ放出する金属製の放熱板12とを備えた
半導体装置において、放熱板12が複数の層(第1及び
第2のスキン層13、14、コア層15)を有するとと
もに、複数の層13〜15のうちの少なくとも一つの層
(コア層15)の側面31を他の層13,14に対しず
らして放熱板12の側面16に凹陥部17を形成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の熱抵抗を
低減させる放熱板を備えた半導体装置及び放熱板の製造
方法に関する。
低減させる放熱板を備えた半導体装置及び放熱板の製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、図14に示すようなタイプの半
導体装置1が知られている。すなわち、このタイプの半
導体装置1には金属製の放熱板2が備えられており、こ
の放熱板2はプラスチックパッケ−ジ(以下、パッケ−
ジと称する)3に組込まれている。放熱板2は、半導体
素子4が装着されたアイランド5に接合されており、半
導体素子3との間にアイランド5を挟んでいる。放熱板
2の板面6はパッケ−ジ3から露出している。また、パ
ッケ−ジ3の主要材質としてエポキシ樹脂が採用されて
いる。
導体装置1が知られている。すなわち、このタイプの半
導体装置1には金属製の放熱板2が備えられており、こ
の放熱板2はプラスチックパッケ−ジ(以下、パッケ−
ジと称する)3に組込まれている。放熱板2は、半導体
素子4が装着されたアイランド5に接合されており、半
導体素子3との間にアイランド5を挟んでいる。放熱板
2の板面6はパッケ−ジ3から露出している。また、パ
ッケ−ジ3の主要材質としてエポキシ樹脂が採用されて
いる。
【0003】ここで、図中の半導体装置1においては、
半導体素子4が多数のリ−ド(二つのみ図示)7にボン
ディングワイヤ8を介して結線されており、リ−ド7は
パッケ−ジ3から突出してガルウイング型に成形されて
いる。
半導体素子4が多数のリ−ド(二つのみ図示)7にボン
ディングワイヤ8を介して結線されており、リ−ド7は
パッケ−ジ3から突出してガルウイング型に成形されて
いる。
【0004】放熱板2のパッケ−ジ3への組込みは、半
導体素子4の封止工程中、或いは、封止工程後に行われ
る。封止工程中の場合は、放熱板2が半導体素子4など
とともにインサ−ト成形される。また、封止工程後の場
合は、パッケ−ジ3に放熱板2を嵌込むための凹陥部が
予め形成される。
導体素子4の封止工程中、或いは、封止工程後に行われ
る。封止工程中の場合は、放熱板2が半導体素子4など
とともにインサ−ト成形される。また、封止工程後の場
合は、パッケ−ジ3に放熱板2を嵌込むための凹陥部が
予め形成される。
【0005】半導体素子3の動作に伴って発生した熱
は、半導体素子3からアイランド5を経て放熱板2に伝
わり、放熱板2からパッケ−ジ3の外へ放出する。ま
た、半導体素子3の熱の一部はパッケ−ジ3へも伝わ
る。
は、半導体素子3からアイランド5を経て放熱板2に伝
わり、放熱板2からパッケ−ジ3の外へ放出する。ま
た、半導体素子3の熱の一部はパッケ−ジ3へも伝わ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な半導体装置1においては、放熱板2の材質(金属)と
パッケ−ジ3の材質(樹脂)とが異なるため、両者の間
に充分な密着性を得ることが難しい。そして、密着性が
過度に不充分な場合には、パッケ−ジ3と放熱板2との
界面から湿気が侵入したり、放熱板2がパッケ−ジから
脱落したりして、半導体装置1の信頼性が低下する。こ
のため、半導体装置1の信頼性を確保するために、放熱
板2とパッケ−ジ3の密着性を高めることは重要であ
る。本発明の目的とするところは、放熱板とパッケ−ジ
との密着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を提供
することにある。
な半導体装置1においては、放熱板2の材質(金属)と
パッケ−ジ3の材質(樹脂)とが異なるため、両者の間
に充分な密着性を得ることが難しい。そして、密着性が
過度に不充分な場合には、パッケ−ジ3と放熱板2との
界面から湿気が侵入したり、放熱板2がパッケ−ジから
脱落したりして、半導体装置1の信頼性が低下する。こ
のため、半導体装置1の信頼性を確保するために、放熱
板2とパッケ−ジ3の密着性を高めることは重要であ
る。本発明の目的とするところは、放熱板とパッケ−ジ
との密着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を提供
することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために請求項1の発明は、半導体素子と、この半
導体素子を封止したパッケ−ジと、このパッケ−ジに組
込まれるとともにその板面をパッケ−ジから露出させ、
半導体素子と熱伝達可能に接続されて半導体素子の熱を
パッケ−ジの外へ放出する金属製の放熱板とを備えた半
導体装置において、放熱板が複数の層を有するととも
に、複数の層のうちの少なくとも一つの層の側面を他の
層に対しずらして放熱板の側面に段差を形成した半導体
装置にある。こうすることによって請求項1の本発明
は、放熱板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、半導体
装置の信頼性を高められるようにした。
成するために請求項1の発明は、半導体素子と、この半
導体素子を封止したパッケ−ジと、このパッケ−ジに組
込まれるとともにその板面をパッケ−ジから露出させ、
半導体素子と熱伝達可能に接続されて半導体素子の熱を
パッケ−ジの外へ放出する金属製の放熱板とを備えた半
導体装置において、放熱板が複数の層を有するととも
に、複数の層のうちの少なくとも一つの層の側面を他の
層に対しずらして放熱板の側面に段差を形成した半導体
装置にある。こうすることによって請求項1の本発明
は、放熱板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、半導体
装置の信頼性を高められるようにした。
【0008】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図1〜図12に基
づいて説明する。なお、従来の技術の項で説明したもの
と重複するものについては同一番号を付し、その説明は
省略する。
づいて説明する。なお、従来の技術の項で説明したもの
と重複するものについては同一番号を付し、その説明は
省略する。
【0009】図1は本発明の第1実施例を示すもので、
図中の符号11はQFP(Quad FlatPackage) タイプの
半導体装置である。この半導体装置11は、半導体素子
4をプラスチックパッケ−ジ(以下、パッケ−ジと称す
る)3の中に封止してなるものである。パッケ−ジ3の
側面には導電性の多数のリ−ド7(二つのみ図示)が突
設されており、これらのリ−ド7はガルウイング型に成
型されている。半導体素子4は平板状のアイランド5に
接合されており、半導体素子4の多数の電極(図示しな
い)はボンディングワイヤ8を介して対応するリ−ド7
に結線されている。
図中の符号11はQFP(Quad FlatPackage) タイプの
半導体装置である。この半導体装置11は、半導体素子
4をプラスチックパッケ−ジ(以下、パッケ−ジと称す
る)3の中に封止してなるものである。パッケ−ジ3の
側面には導電性の多数のリ−ド7(二つのみ図示)が突
設されており、これらのリ−ド7はガルウイング型に成
型されている。半導体素子4は平板状のアイランド5に
接合されており、半導体素子4の多数の電極(図示しな
い)はボンディングワイヤ8を介して対応するリ−ド7
に結線されている。
【0010】図1中に符号12で示すのは放熱板であ
る。この放熱板12は矩形に加工されている。さらに、
放熱板12は、三層構造を有しており、同心的に重ねら
れた第1及び第2のスキン層13、14及びコア層15
により構成されている。各層の材質は金属であり、コア
層15の材質はスキン層13、14の材質と異なってい
る。また、両スキン層13、14の外径寸法はともに略
等しく、コア層15の外径寸法はスキン層13、14よ
りも小さい。
る。この放熱板12は矩形に加工されている。さらに、
放熱板12は、三層構造を有しており、同心的に重ねら
れた第1及び第2のスキン層13、14及びコア層15
により構成されている。各層の材質は金属であり、コア
層15の材質はスキン層13、14の材質と異なってい
る。また、両スキン層13、14の外径寸法はともに略
等しく、コア層15の外径寸法はスキン層13、14よ
りも小さい。
【0011】つまり、スキン層13、14とコア層15
との輪郭の大きさ(及び長さ)は互いに異なっており、
これに伴って各スキン層13、14とコア層15との間
には向い合った二つの段差が生じている。そして、放熱
板12の側面16には段差を利用して凹陥部17が形成
されており、この凹陥部17の深さは放熱板12の全周
に亘って略均一に設定されている。
との輪郭の大きさ(及び長さ)は互いに異なっており、
これに伴って各スキン層13、14とコア層15との間
には向い合った二つの段差が生じている。そして、放熱
板12の側面16には段差を利用して凹陥部17が形成
されており、この凹陥部17の深さは放熱板12の全周
に亘って略均一に設定されている。
【0012】放熱板12はパッケ−ジ3の中に組込まれ
ており、第1のスキン層13はアイランド5に接合され
ている。また、第2のスキン層14の板面18はパッケ
−ジ3の裏面19から面一で露出している。放熱板12
は半導体素子4とともにモ−ルドされており、パッケ−
ジ3の樹脂材料20が、両スキン層13、14の突出し
た縁部に回り込んで、凹陥部17に隙間なく入込んでい
る。そして、パッケ−ジ13は放熱板12を係止させて
いる。
ており、第1のスキン層13はアイランド5に接合され
ている。また、第2のスキン層14の板面18はパッケ
−ジ3の裏面19から面一で露出している。放熱板12
は半導体素子4とともにモ−ルドされており、パッケ−
ジ3の樹脂材料20が、両スキン層13、14の突出し
た縁部に回り込んで、凹陥部17に隙間なく入込んでい
る。そして、パッケ−ジ13は放熱板12を係止させて
いる。
【0013】半導体素子4の動作に伴って発生した熱
は、アイランド5を経て放熱板12に伝わり、放熱板1
2の板面18からパッケ−ジ3の外へ放出される。ま
た、半導体素子4の熱の一部、及び、半導体素子4から
放熱板12に伝わった熱の一部はパッケ−ジ3に伝達さ
れる。
は、アイランド5を経て放熱板12に伝わり、放熱板1
2の板面18からパッケ−ジ3の外へ放出される。ま
た、半導体素子4の熱の一部、及び、半導体素子4から
放熱板12に伝わった熱の一部はパッケ−ジ3に伝達さ
れる。
【0014】つぎに、上述の放熱板12の製造方法を図
3〜図7に基づいて説明する。まず、図3に示すよう
に、三枚の金属製シ−ト21〜23が重ねられて圧延さ
れる(図6中ステップα1 )。そして、これらのシ−ト
21〜23が圧延に伴って圧着接合され、三層構造の積
層板母材24が作製される。つぎに、図4及び図5に示
すように、積層板母材24が所定の大きさで打抜かれ
(α2 )、略正方形な積層板25が作製される。ここ
で、この積層板25を、一枚或いは複数枚の積層母材2
4から複数同時に打抜いてもよい。
3〜図7に基づいて説明する。まず、図3に示すよう
に、三枚の金属製シ−ト21〜23が重ねられて圧延さ
れる(図6中ステップα1 )。そして、これらのシ−ト
21〜23が圧延に伴って圧着接合され、三層構造の積
層板母材24が作製される。つぎに、図4及び図5に示
すように、積層板母材24が所定の大きさで打抜かれ
(α2 )、略正方形な積層板25が作製される。ここ
で、この積層板25を、一枚或いは複数枚の積層母材2
4から複数同時に打抜いてもよい。
【0015】つぎに、積層板25が所定のエッチング液
に所定時間浸され、放熱板12が作製される(α3 )。
積層板25は、各層21〜23の側面26〜28からエ
ッチングされる。各層21〜23の材質として、所定の
エッチング液に対するエッチング速度の異なる材質が採
用されている。つまり、中間の層23の材質は他の二つ
の層21、22の材質よりもエッチングされ易く、両側
の二つの層21、22は中間の層23に比べて同じ程度
にエッチングされにくい。このため、積層板25をエッ
チングすることにより、図5に示すように凹陥部17を
有する放熱板12が作製される。
に所定時間浸され、放熱板12が作製される(α3 )。
積層板25は、各層21〜23の側面26〜28からエ
ッチングされる。各層21〜23の材質として、所定の
エッチング液に対するエッチング速度の異なる材質が採
用されている。つまり、中間の層23の材質は他の二つ
の層21、22の材質よりもエッチングされ易く、両側
の二つの層21、22は中間の層23に比べて同じ程度
にエッチングされにくい。このため、積層板25をエッ
チングすることにより、図5に示すように凹陥部17を
有する放熱板12が作製される。
【0016】ここで、例えば、スキン層13、14の材
質としてアルミニウム又はその合金を採用し、コア層1
5の材質として銅又はその合金を採用することが可能で
ある。また、この場合に利用できるエッチング液として
CrO3 溶液等が在る。
質としてアルミニウム又はその合金を採用し、コア層1
5の材質として銅又はその合金を採用することが可能で
ある。また、この場合に利用できるエッチング液として
CrO3 溶液等が在る。
【0017】つぎに、上述の放熱板を備えた半導体装置
11の製造方法を図6に基づいて説明する。まず、半導
体素子4がリ−ドフレ−ムのアイランド5に接合(ステ
ップβ1 )されたのち、半導体素子4がリ−ドフレ−ム
のリ−ド7にワイヤボンディングされる(β2 )。さら
に、アイランド5に放熱板12が接合され(β3 )、半
導体素子4及び放熱板12が樹脂封止される(β4 )。
この後、リ−ドフレ−ムが打抜かれ、リ−ド7が成形さ
れる(β5 )。
11の製造方法を図6に基づいて説明する。まず、半導
体素子4がリ−ドフレ−ムのアイランド5に接合(ステ
ップβ1 )されたのち、半導体素子4がリ−ドフレ−ム
のリ−ド7にワイヤボンディングされる(β2 )。さら
に、アイランド5に放熱板12が接合され(β3 )、半
導体素子4及び放熱板12が樹脂封止される(β4 )。
この後、リ−ドフレ−ムが打抜かれ、リ−ド7が成形さ
れる(β5 )。
【0018】すなわち、上述のような半導体装置11に
よれば、放熱板12の側面16に凹陥部17が形成され
ており、樹脂材料20が凹陥部17に入込んでいるの
で、側面16が平坦な場合に比べて、放熱板12と樹脂
材料20との密着性を向上させることができる。そし
て、放熱板12がパッケ−ジ3に従来よりも強固に保持
される。さらに、図2中に矢印IVで示すように、放熱板
12とパッケ−ジ13との接触長さが曲折されるので、
湿気の侵入経路も長なり、湿気がパッケ−ジ13の中央
へ到達しにくくなる。この結果、密着性及び気密性が向
上する。
よれば、放熱板12の側面16に凹陥部17が形成され
ており、樹脂材料20が凹陥部17に入込んでいるの
で、側面16が平坦な場合に比べて、放熱板12と樹脂
材料20との密着性を向上させることができる。そし
て、放熱板12がパッケ−ジ3に従来よりも強固に保持
される。さらに、図2中に矢印IVで示すように、放熱板
12とパッケ−ジ13との接触長さが曲折されるので、
湿気の侵入経路も長なり、湿気がパッケ−ジ13の中央
へ到達しにくくなる。この結果、密着性及び気密性が向
上する。
【0019】そして、これらのことから、放熱板12の
脱落や湿気の侵入を防止することが可能になり、半導体
装置11の信頼性が高まる。また、本実施例では、放熱
板12の形状が矩形であるので、放熱板12の歩留りは
略 100%である。
脱落や湿気の侵入を防止することが可能になり、半導体
装置11の信頼性が高まる。また、本実施例では、放熱
板12の形状が矩形であるので、放熱板12の歩留りは
略 100%である。
【0020】さらに、凹陥部17はエッチングにより作
製されるので、凹陥部17の作製のために機械加工が不
要であり、生産性に優れている。また、スキン層13、
14及びコア層15は圧着されているので、接着剤を用
いた場合に比べて、各層間での熱伝達が容易であり、放
熱効果が高い。
製されるので、凹陥部17の作製のために機械加工が不
要であり、生産性に優れている。また、スキン層13、
14及びコア層15は圧着されているので、接着剤を用
いた場合に比べて、各層間での熱伝達が容易であり、放
熱効果が高い。
【0021】なお、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種
々に変形することが可能である。例えば、本実施例にお
いては放熱板12が三層構造であるが、本発明はこれに
限定されるものではなく、図8の放熱板41のように二
層構造としてもよい。図8においては、輪郭の大きさの
異なる二つの層42、43が重ねられている。この放熱
板41は、輪郭の小さい層43の板面44が露出するよ
うパッケ−ジ(図示しない)にインサ−トされる。
々に変形することが可能である。例えば、本実施例にお
いては放熱板12が三層構造であるが、本発明はこれに
限定されるものではなく、図8の放熱板41のように二
層構造としてもよい。図8においては、輪郭の大きさの
異なる二つの層42、43が重ねられている。この放熱
板41は、輪郭の小さい層43の板面44が露出するよ
うパッケ−ジ(図示しない)にインサ−トされる。
【0022】また、図9の放熱板46のように三層以上
の構造としてもよい。図9においては、放熱板46は五
層構造を有しており、輪郭の大きさの異なる層47〜5
1が交互に重ねられている。
の構造としてもよい。図9においては、放熱板46は五
層構造を有しており、輪郭の大きさの異なる層47〜5
1が交互に重ねられている。
【0023】さらに、図10の放熱板56のように形状
を円形としてもよい。この放熱板56においては二層構
造が採用されている。また、本実施例においては、複数
の層13〜15を接合するために圧延・圧着が採用され
ているが、例えば、図11に示すように複数の層13〜
15を接着してもよい(ステップα4 )。この場合、接
着剤として、例えば銀ペ−スト入りのエポキシ樹脂のよ
うに、充分に熱伝導性の高いものを用いることが望まし
い。
を円形としてもよい。この放熱板56においては二層構
造が採用されている。また、本実施例においては、複数
の層13〜15を接合するために圧延・圧着が採用され
ているが、例えば、図11に示すように複数の層13〜
15を接着してもよい(ステップα4 )。この場合、接
着剤として、例えば銀ペ−スト入りのエポキシ樹脂のよ
うに、充分に熱伝導性の高いものを用いることが望まし
い。
【0024】さらに、本実施例においては、輪郭の大き
さの異なる複数の層13〜15が重ねられているが、例
えば図12の放熱板61のように示すように、輪郭の形
状及び大きさの等しい二つの層62、63の向きを水平
な回転方向にずらして両層62、63を接合しても、前
述の実施例と同様に側面64、65がずれ、段差66を
形成される。この放熱板61においては、二層構造が採
用されており、各層62、63の形状は正方形である。
さらに、図13に示すように、各層62、63は母材か
ら打抜かれた後(γ1 )に接合されている(γ2 )。
さの異なる複数の層13〜15が重ねられているが、例
えば図12の放熱板61のように示すように、輪郭の形
状及び大きさの等しい二つの層62、63の向きを水平
な回転方向にずらして両層62、63を接合しても、前
述の実施例と同様に側面64、65がずれ、段差66を
形成される。この放熱板61においては、二層構造が採
用されており、各層62、63の形状は正方形である。
さらに、図13に示すように、各層62、63は母材か
ら打抜かれた後(γ1 )に接合されている(γ2 )。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように請求項1の発明は、
半導体素子と、この半導体素子を封止したパッケ−ジ
と、このパッケ−ジに組込まれるとともにその板面をパ
ッケ−ジから露出させ、半導体素子と熱伝達可能に接続
されて半導体素子の熱をパッケ−ジの外へ放出する金属
製の放熱板とを備えた半導体装置において、放熱板が複
数の層を有するとともに、複数の層のうちの少なくとも
一つの層の側面を他の層に対しずらして放熱板の側面に
段差を形成した。したがって請求項1の本発明は、放熱
板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、半導体装置の信
頼性を高められるという効果がある。
半導体素子と、この半導体素子を封止したパッケ−ジ
と、このパッケ−ジに組込まれるとともにその板面をパ
ッケ−ジから露出させ、半導体素子と熱伝達可能に接続
されて半導体素子の熱をパッケ−ジの外へ放出する金属
製の放熱板とを備えた半導体装置において、放熱板が複
数の層を有するとともに、複数の層のうちの少なくとも
一つの層の側面を他の層に対しずらして放熱板の側面に
段差を形成した。したがって請求項1の本発明は、放熱
板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、半導体装置の信
頼性を高められるという効果がある。
【図1】本発明の一実施例の半導体装置の断面図。
【図2】湿気の侵入経路を示す説明図。
【図3】放熱板の製造のための圧延・圧着の工程を示す
説明図。
説明図。
【図4】積層板の打抜きを説明する図。
【図5】積層板を示すもので、(a)は平面図、(b)
は側面図。
は側面図。
【図6】放熱板を示すもので、(a)は平面図、(b)
は側面図。
は側面図。
【図7】半導体装置及び放熱板の製造方法を示す工程
図。
図。
【図8】放熱板の変形例を示すもので、(a)は平面
図、(b)は側面図。
図、(b)は側面図。
【図9】放熱板の他の変形例を示すもので、(a)は平
面図、(b)は側面図。
面図、(b)は側面図。
【図10】放熱板の他の変形例を示すもので、(a)は
平面図、(b)は側面図。
平面図、(b)は側面図。
【図11】放熱板の製造方法の変形例を示す工程図。
【図12】放熱板の他の変形例を示すもので、(a)は
平面図、(b)は側面図。
平面図、(b)は側面図。
【図13】放熱板の製造方法の他の変形例を示す工程
図。
図。
【図14】従来の半導体装置を示す断面図。
3…パッケ−ジ、4…半導体素子、11…半導体装置、
12…放熱板、13…第1のスキン層、14…第2のス
キン層、15…コア層、16…放熱板の側面、17…凹
陥部、18…放熱板の板面、24…積層板母材、25…
積層板、41…放熱板、42、43…層、44…放熱板
の板面、45…段差、46…放熱板、47〜51…層、
56…放熱板、57…段差、58、59…層、61…放
熱板、62、63…層、64、65…層の側面、66…
段差。
12…放熱板、13…第1のスキン層、14…第2のス
キン層、15…コア層、16…放熱板の側面、17…凹
陥部、18…放熱板の板面、24…積層板母材、25…
積層板、41…放熱板、42、43…層、44…放熱板
の板面、45…段差、46…放熱板、47〜51…層、
56…放熱板、57…段差、58、59…層、61…放
熱板、62、63…層、64、65…層の側面、66…
段差。
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体素子と、この半導体素子を封止し
たパッケ−ジと、このパッケ−ジに組込まれるとともに
その板面を上記パッケ−ジから露出させ、上記半導体素
子と熱伝達可能に接続されて上記半導体素子の熱を上記
パッケ−ジの外へ放出する金属製の放熱板とを備えた半
導体装置において、上記放熱板が複数の層を有するとと
もに、上記複数の層のうちの少なくとも一つの層の側面
を他の層に対しずらして上記放熱板の側面に段差を形成
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 上記放熱板の複数の層のうち少なくとも
一つの層の輪郭の大きさが他の層と異なっていることを
特徴とする前記請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 上記複数の層のうち少なくとも一つの層
の材質のエッチング速度が他の層と異なることを特徴と
する前記請求項2記載の半導体装置。 - 【請求項4】 上記放熱板の複数の層のうちの少なくと
も一つの層の側面が、他の層の表面に平行な回転方向に
ずらされていることを特徴とする前記請求項1記載の半
導体装置。 - 【請求項5】 半導体素子と、この半導体素子を封止す
るパッケ−ジとを有する半導体素子に備えられる放熱板
の製造方法において、複数の層を重ねて接合し積層板母
材を作製する第1の工程と、上記積層板母材から積層板
を打抜く第2の工程と、上記積層板の少なくとも一つの
層の側面を他の側面に対しずらして上記積層板の側面に
段差を形成する第3の工程とを具備した放熱板の製造方
法。 - 【請求項6】 上記第1の工程において、少なくとも一
つがエッチング速度の異なる材質からなる複数の層が重
ねられるとともに、上記第3の工程において、上記積層
板の側面がエッチングされることを特徴とする前記請求
項5記載の放熱板の製造方法。 - 【請求項7】 上記第1の工程において、上記複数の層
が圧着されることを特徴とする前記請求項5記載の放熱
板の製造方法。 - 【請求項8】 上記第1の工程において、上記複数の層
が接着されることを特徴とする前記請求項5記載の放熱
板の製造方法。 - 【請求項9】 半導体素子と、この半導体素子を封止す
るパッケ−ジとを有する半導体素子に備えられた放熱板
の製造方法において、所定の形状を有する金属製の層を
複数作製する第1の工程と、上記複数の層を重ねるとと
もに互いの側面をずらし段差を形成して上記複数の層を
接合する第2の工程とを具備した放熱板の製造方法 - 【請求項10】 上記第1の工程において、互いに輪郭
の大きさが異なる複数の層が作製されることを特徴とす
る前記請求項9記載の放熱板の製造方法。 - 【請求項11】 上記第2の工程において、上記複数の
層のうちの少なくとも一つの層の側面が、他の層の表面
に平行な回転方向にずらされることを特徴とする前記請
求項9記載の放熱板の製造方法。 - 【請求項12】 上記第2の工程において、上記複数の
層が接着されることを特徴とする前記請求項9記載の放
熱板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21070993A JPH0766327A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21070993A JPH0766327A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0766327A true JPH0766327A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16593808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21070993A Pending JPH0766327A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0766327A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006502568A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス及びそれを製造する方法 |
JP2012059927A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014199960A (ja) * | 2005-03-11 | 2014-10-23 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 複数の発光セルを有する発光素子 |
JP2014220537A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP21070993A patent/JPH0766327A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006502568A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス及びそれを製造する方法 |
JP2014199960A (ja) * | 2005-03-11 | 2014-10-23 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 複数の発光セルを有する発光素子 |
JP2012059927A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014220537A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置 |
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