JPH0756320A - フォトマスクおよびフォトマスク群 - Google Patents
フォトマスクおよびフォトマスク群Info
- Publication number
- JPH0756320A JPH0756320A JP16175593A JP16175593A JPH0756320A JP H0756320 A JPH0756320 A JP H0756320A JP 16175593 A JP16175593 A JP 16175593A JP 16175593 A JP16175593 A JP 16175593A JP H0756320 A JPH0756320 A JP H0756320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- scale
- patterns
- photomasks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトリソグラフィの光パターニングにおい
て、各露光工程におけるフォトマスク相互の位置関係を
極めて高精度に実現する。 【構成】互いに異なる所定のパターンを有する複数のフ
ォトマスク1A,1Bにより構成され、各フォトマスク
は、露光用パターン以外の部分に、位置合わせ用パター
ン1a,1bと高精度位置決め用パターンとを有し、高
精度位置決め用パターンは1以上の直線状パターン1
c,1gと、互いに直交する2方向のそれぞれに1以上
形成された目盛パターン1k,1m,1o,1qを有
し、直線状パターン1a,1bは、フォトマスクの所定
の組合せごとに互いに重なりあうように形成され、目盛
パターンはフォトマスクの上記所定の組合せごとに、フ
ォトマスク1Aに形成された目盛パターン1k,1mと
フォトマスク1Bに形成された目盛パターン1o,1p
が互いにバーニヤの主尺と副尺の関係をなす。
て、各露光工程におけるフォトマスク相互の位置関係を
極めて高精度に実現する。 【構成】互いに異なる所定のパターンを有する複数のフ
ォトマスク1A,1Bにより構成され、各フォトマスク
は、露光用パターン以外の部分に、位置合わせ用パター
ン1a,1bと高精度位置決め用パターンとを有し、高
精度位置決め用パターンは1以上の直線状パターン1
c,1gと、互いに直交する2方向のそれぞれに1以上
形成された目盛パターン1k,1m,1o,1qを有
し、直線状パターン1a,1bは、フォトマスクの所定
の組合せごとに互いに重なりあうように形成され、目盛
パターンはフォトマスクの上記所定の組合せごとに、フ
ォトマスク1Aに形成された目盛パターン1k,1mと
フォトマスク1Bに形成された目盛パターン1o,1p
が互いにバーニヤの主尺と副尺の関係をなす。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、フォトリソグラフィ
における光パターニングに用いられるフォトマスクおよ
びフォトマスク群に関する。この発明のフォトマスクお
よびフォトマスク群は光パターニングを用いるフォトリ
ソグラフィ技術、例えば、マイクロレンズ等のマイクロ
光学素子や各種半導体デバイスの製造に利用できる。
における光パターニングに用いられるフォトマスクおよ
びフォトマスク群に関する。この発明のフォトマスクお
よびフォトマスク群は光パターニングを用いるフォトリ
ソグラフィ技術、例えば、マイクロレンズ等のマイクロ
光学素子や各種半導体デバイスの製造に利用できる。
【0002】
【従来の技術】フォトリソグラフィに於ける光パターニ
ングでは、感光性媒体に所望のパターンを形成するの
に、上記所望のパターンを複数の要素的パターンに分解
し、各要素的パターンごとにフォトマスクを作製し、こ
れら1群のフォトマスクを用いて順次露光を行い、各フ
ォトマスクごとの要素的パターンの合成により所望のパ
ターンをパターニングすることが一般的に行われてい
る。
ングでは、感光性媒体に所望のパターンを形成するの
に、上記所望のパターンを複数の要素的パターンに分解
し、各要素的パターンごとにフォトマスクを作製し、こ
れら1群のフォトマスクを用いて順次露光を行い、各フ
ォトマスクごとの要素的パターンの合成により所望のパ
ターンをパターニングすることが一般的に行われてい
る。
【0003】このような光パターニングで「所望のパタ
ーン」適正に得るには、各フォトマスクによる露光の際
に「フォトマスク相互が良好に位置合わせされ」ていな
ければならない。
ーン」適正に得るには、各フォトマスクによる露光の際
に「フォトマスク相互が良好に位置合わせされ」ていな
ければならない。
【0004】従来、上記フォトマスク間相互の位置合わ
せは、各フォトマスクに形成された「位置合わせ用パタ
ーン」により行っていた。即ち、各フォトマスクの露光
用パターン以外の部分の共通の位置に、俗に「とんぼ」
と呼ばれる「十字形」のパターンが形成され、この位置
合わせ用パターンの合致状態を見ることにより位置合わ
せを行っている。
せは、各フォトマスクに形成された「位置合わせ用パタ
ーン」により行っていた。即ち、各フォトマスクの露光
用パターン以外の部分の共通の位置に、俗に「とんぼ」
と呼ばれる「十字形」のパターンが形成され、この位置
合わせ用パターンの合致状態を見ることにより位置合わ
せを行っている。
【0005】上記位置合わせは、基準と成る「互いに直
交する2方向(X,Y方向)」の各方向におけるずれが
所定範囲内であるように、またフォトマスク相互の「マ
スク面に直交する軸の回り(θ方向)」の回転ずれが所
定範囲内であるように行われる。
交する2方向(X,Y方向)」の各方向におけるずれが
所定範囲内であるように、またフォトマスク相互の「マ
スク面に直交する軸の回り(θ方向)」の回転ずれが所
定範囲内であるように行われる。
【0006】近来、マイクロレンズやマイクロレンズア
レイといったマイクロ光学素子の製造プロセスや半導体
製造プロセスにおいて、従来のフォトリソグラフィにお
ける光パターニングの位置合わせ精度よりも厳しい位置
決め精度が要請されるようになってきており、従来の
「とんぼ」のみによる位置合わせでは、上記要請に応え
ることが困難になりつつある。
レイといったマイクロ光学素子の製造プロセスや半導体
製造プロセスにおいて、従来のフォトリソグラフィにお
ける光パターニングの位置合わせ精度よりも厳しい位置
決め精度が要請されるようになってきており、従来の
「とんぼ」のみによる位置合わせでは、上記要請に応え
ることが困難になりつつある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上述した事
情に鑑みてなされたものであって、フォトリソグラフィ
の光パターニングにおいて、各露光工程におけるフォト
マスク相互の位置関係を極めて高精度に実現できる新規
なフォトマスクおよびフォトマスク群の提供を目的とす
る。
情に鑑みてなされたものであって、フォトリソグラフィ
の光パターニングにおいて、各露光工程におけるフォト
マスク相互の位置関係を極めて高精度に実現できる新規
なフォトマスクおよびフォトマスク群の提供を目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1記載のフォトマ
スク群は、「感光性媒体に所定のパターンを複数回露光
し、各パターンの重ね合わせにより所望パターンをパタ
ーニングする光パターニング」において用いられる1連
のフォトマスクであって、「互いに異なる所定のパター
ンを有する複数のフォトマスク」により構成される。
スク群は、「感光性媒体に所定のパターンを複数回露光
し、各パターンの重ね合わせにより所望パターンをパタ
ーニングする光パターニング」において用いられる1連
のフォトマスクであって、「互いに異なる所定のパター
ンを有する複数のフォトマスク」により構成される。
【0009】フォトマスク群を構成する各フォトマスク
は、露光用パターン(所望のパターンを要素に分解した
要素的パターン)以外の部分に、「位置合わせ用パター
ン」と「高精度位置決め用パターン」とを有する。「露
光用パターン以外の部分」とは、最終的に形成すべき
「所望のパターン」の形成される領域に重ならない部分
をいう。「位置合わせ用パターン」は、従来から知られ
ている「十字型のパターン(とんぼ)」等である。
は、露光用パターン(所望のパターンを要素に分解した
要素的パターン)以外の部分に、「位置合わせ用パター
ン」と「高精度位置決め用パターン」とを有する。「露
光用パターン以外の部分」とは、最終的に形成すべき
「所望のパターン」の形成される領域に重ならない部分
をいう。「位置合わせ用パターン」は、従来から知られ
ている「十字型のパターン(とんぼ)」等である。
【0010】「高精度位置決め用パターン」は、この発
明の特徴をなすものであって「1以上の直線状パターン
と、互いに直交する2方向のそれぞれに1以上形成され
た目盛パターンと」からなる。
明の特徴をなすものであって「1以上の直線状パターン
と、互いに直交する2方向のそれぞれに1以上形成され
た目盛パターンと」からなる。
【0011】{直線状パターン」、フォトマスクの所定
の組み合わせごとに、「互いに重なりあう」ように形成
される。
の組み合わせごとに、「互いに重なりあう」ように形成
される。
【0012】「目盛パターン」は、フォトマスクの上記
所定の組合せごとに、「一方のフォトマスクに形成され
た目盛パターンと他方のフォトマスクに形成された目盛
パターンが互いにバーニヤの主尺と副尺の関係をなす」
ように形成されている。
所定の組合せごとに、「一方のフォトマスクに形成され
た目盛パターンと他方のフォトマスクに形成された目盛
パターンが互いにバーニヤの主尺と副尺の関係をなす」
ように形成されている。
【0013】請求項2記載のフォトマスクは、請求項1
記載のフォトマスク群を構成するフォトマスクであっ
て、「目盛パターンが主尺として形成されている」こと
を特徴とする。請求項3記載のフォトマスクは、請求項
1記載のフォトマスク群を構成するフォトマスクであっ
て、「目盛パターンが副尺として形成されている」こと
を特徴とする。
記載のフォトマスク群を構成するフォトマスクであっ
て、「目盛パターンが主尺として形成されている」こと
を特徴とする。請求項3記載のフォトマスクは、請求項
1記載のフォトマスク群を構成するフォトマスクであっ
て、「目盛パターンが副尺として形成されている」こと
を特徴とする。
【0014】このほか、例えば2枚のフォトマスクを組
み合わせる場合において、第1および第2のフォトマス
クにそれぞれ2つの目盛パターンが形成され、「第1の
フォトマスクにおける一方の目盛パターンは、第2のフ
ォトマスクの対応する目盛パターンに対して主尺」であ
り、「第1のフォトマスクにおける他方の目盛パターン
は第2のフォトマスクの対応する目盛パターンに対して
副尺」であるようにしてもよい。
み合わせる場合において、第1および第2のフォトマス
クにそれぞれ2つの目盛パターンが形成され、「第1の
フォトマスクにおける一方の目盛パターンは、第2のフ
ォトマスクの対応する目盛パターンに対して主尺」であ
り、「第1のフォトマスクにおける他方の目盛パターン
は第2のフォトマスクの対応する目盛パターンに対して
副尺」であるようにしてもよい。
【0015】請求項1記載の発明においては、「所望の
パターン」を得るのに、このパターンを複数の要素的パ
ターンに分解して、各要素的パターンを1枚のフォトマ
スクとし、複数のフォトマスクを用いて所望パターンの
パターニングを行う。これに対し、請求項4記載の発明
のフォトマスクは、同一のフォトマスクを繰返して用い
て所望のパターンをパターニングする。
パターン」を得るのに、このパターンを複数の要素的パ
ターンに分解して、各要素的パターンを1枚のフォトマ
スクとし、複数のフォトマスクを用いて所望パターンの
パターニングを行う。これに対し、請求項4記載の発明
のフォトマスクは、同一のフォトマスクを繰返して用い
て所望のパターンをパターニングする。
【0016】即ち、所望のパターンが180度の回転対
称のパターンである場合には、所望パターンの半分を要
素的パターンとしてフォトマスクを作成し、このフォト
マスクを用いて、上記半分の要素的パターンを露光し、
続いてフォトマスクを180度回転させて露光を行え
ば、所望のパターンをパターニングできる。この場合に
は、最初に露光した要素的パターンと2度目の露光の要
素的パターンの位置決めを正確に行う必要がある。
称のパターンである場合には、所望パターンの半分を要
素的パターンとしてフォトマスクを作成し、このフォト
マスクを用いて、上記半分の要素的パターンを露光し、
続いてフォトマスクを180度回転させて露光を行え
ば、所望のパターンをパターニングできる。この場合に
は、最初に露光した要素的パターンと2度目の露光の要
素的パターンの位置決めを正確に行う必要がある。
【0017】請求項4記載のフォトマスクは、「所定の
パターンを有するフォトマスクを用い、感光性媒体に上
記フォトマスクによるパターンを、180度ずつ回転し
てずらせた状態で2回露光し、互いに回転的にずれた所
定のパターンの重ね合わせにより、所望パターンをパタ
ーニング」する光パターニングにおいて用いられるフォ
トマスクであって、露光用パターン以外の部分に、位置
合わせ用パターンと高精度位置決め用パターンとを有す
る。
パターンを有するフォトマスクを用い、感光性媒体に上
記フォトマスクによるパターンを、180度ずつ回転し
てずらせた状態で2回露光し、互いに回転的にずれた所
定のパターンの重ね合わせにより、所望パターンをパタ
ーニング」する光パターニングにおいて用いられるフォ
トマスクであって、露光用パターン以外の部分に、位置
合わせ用パターンと高精度位置決め用パターンとを有す
る。
【0018】「高精度位置決め用パターン」は、互いに
平行な2本の直線状パターンを含み、2以上の目盛パタ
ーンの組を2組以上有し、上記直線状パターンは「フォ
トマスクを180度回転させたとき、回転前における他
の直線状パターンと関連しあう」ように形成され、上記
目盛パターンは「フォトマスクを180度回転させたと
き、回転前における目盛パターンと、互いに直交する2
方向において、互いにバーニヤの主尺と副尺の関係をな
すように関連しあう」ように形成される。
平行な2本の直線状パターンを含み、2以上の目盛パタ
ーンの組を2組以上有し、上記直線状パターンは「フォ
トマスクを180度回転させたとき、回転前における他
の直線状パターンと関連しあう」ように形成され、上記
目盛パターンは「フォトマスクを180度回転させたと
き、回転前における目盛パターンと、互いに直交する2
方向において、互いにバーニヤの主尺と副尺の関係をな
すように関連しあう」ように形成される。
【0019】
【作用】図1は請求項1記載の発明を説明するための図
である。図1(a)に符号1Aをもって示すのは第1の
フォトマスク、図1(b)に符号1Bをもって示すのは
第2のフォトマスクである。フォトマスク1A,1Bは
フォトマスク群を構成する。
である。図1(a)に符号1Aをもって示すのは第1の
フォトマスク、図1(b)に符号1Bをもって示すのは
第2のフォトマスクである。フォトマスク1A,1Bは
フォトマスク群を構成する。
【0020】フォトマスク1A,1Bは「ガラス板等の
透明基板にCr等の金属を薄膜蒸着し、所定のパターン
を電子描画等でパターニング(光を透過させるべき部分
の蒸着薄膜を除去する)して構成した」ものである。
透明基板にCr等の金属を薄膜蒸着し、所定のパターン
を電子描画等でパターニング(光を透過させるべき部分
の蒸着薄膜を除去する)して構成した」ものである。
【0021】第1のフォトマスク1Aには、その中央部
に破線で示す如く露光パターン領域が形成され、この露
光パターン領域に所望のパターンを分解した要素的パタ
ーン(図では円形のパターン)が形成されており、第2
のフォトマスク1Bには、中央部に破線で示す如く形成
された露光パターン領域に、上記フォトマスク1Aの要
素的パターンと組み合わせられるべき他の要素的パター
ン(図では三角のパターン)が形成されている。
に破線で示す如く露光パターン領域が形成され、この露
光パターン領域に所望のパターンを分解した要素的パタ
ーン(図では円形のパターン)が形成されており、第2
のフォトマスク1Bには、中央部に破線で示す如く形成
された露光パターン領域に、上記フォトマスク1Aの要
素的パターンと組み合わせられるべき他の要素的パター
ン(図では三角のパターン)が形成されている。
【0022】なお、露光パターン領域を示す「破線の
枠」は説明の便宜上描いたものであるし、「要素的パタ
ーン」を示す円形および三角のパターンも、実際の具体
的パターンを例示するものでは必ずしもないことを付記
しておく。
枠」は説明の便宜上描いたものであるし、「要素的パタ
ーン」を示す円形および三角のパターンも、実際の具体
的パターンを例示するものでは必ずしもないことを付記
しておく。
【0023】第1のフォトマスク1Aの露光パターン領
域の外側の位置には、長方形の3つの頂点を占める位置
に、位置合わせ用パターン1aが形成され、第2のフォ
トマスク1Bの露光パターン領域の外側の位置には、位
置合わせ用パターン1aと共通する位置に、位置合わせ
用パターン1bが形成されている。
域の外側の位置には、長方形の3つの頂点を占める位置
に、位置合わせ用パターン1aが形成され、第2のフォ
トマスク1Bの露光パターン領域の外側の位置には、位
置合わせ用パターン1aと共通する位置に、位置合わせ
用パターン1bが形成されている。
【0024】また、第1のフォトマスク1Aには、上記
位置合わせ用パターン1aの各中心を3つの頂点とする
長方形の辺にあたる直線状パターン1c,1d,1e,
1fが形成され、同様に、第2のフォトマスク1Bに
は、位置合わせ用パターン1bの各中心を3つの頂点と
する長方形の辺にあたる直線状パターン1g,1h,1
i,1jが形成されている。
位置合わせ用パターン1aの各中心を3つの頂点とする
長方形の辺にあたる直線状パターン1c,1d,1e,
1fが形成され、同様に、第2のフォトマスク1Bに
は、位置合わせ用パターン1bの各中心を3つの頂点と
する長方形の辺にあたる直線状パターン1g,1h,1
i,1jが形成されている。
【0025】換言すれば、フォトマスク1Aには、互い
に直交する2本の直線状パターン1cと1f、及び、互
いに直交する2本の直線状パターン1dと1eとが形成
されており、フォトマスク1Bには、互いに直交する2
本の直線状パターン1gと1j、及び、互いに直交する
2本の直線状パターン1hと1iとが形成されているの
である。直線状パターン1c,1d,1e,1fを4辺
とする長方形形状と、直線状パターン1g,1h,1
i,1jを4辺とする長方形形状とは互いに幾何学的に
合同であり、従ってこれらは同時に重ねあわせることが
できる。
に直交する2本の直線状パターン1cと1f、及び、互
いに直交する2本の直線状パターン1dと1eとが形成
されており、フォトマスク1Bには、互いに直交する2
本の直線状パターン1gと1j、及び、互いに直交する
2本の直線状パターン1hと1iとが形成されているの
である。直線状パターン1c,1d,1e,1fを4辺
とする長方形形状と、直線状パターン1g,1h,1
i,1jを4辺とする長方形形状とは互いに幾何学的に
合同であり、従ってこれらは同時に重ねあわせることが
できる。
【0026】また、フォトマスク1Aの直線状パターン
1eおよび1dに沿って、目盛パターン1k,1lおよ
び1mが図のように上記長方形形状の外周部に形成さ
れ、フォトマスク1Bの直線状パターン1iおよび1h
に沿って、目盛パターン1o,1pおよび1qが図のよ
うに上記長方形形状の外周部に形成されている。
1eおよび1dに沿って、目盛パターン1k,1lおよ
び1mが図のように上記長方形形状の外周部に形成さ
れ、フォトマスク1Bの直線状パターン1iおよび1h
に沿って、目盛パターン1o,1pおよび1qが図のよ
うに上記長方形形状の外周部に形成されている。
【0027】図1(c)は、図1(a),(b)に示す
フォトマスクを用いた露光を順次行い、現像を行った状
態をしており、各露光の際に光を照射された部分がパタ
ーニングされている。図の中央には、フォトマスク1A
の露光パターン領域に形成された円形のパターンと、フ
ォトマスク1Bの露光パターン領域に形成された三角形
のパターンとが合成されて「所望のパターン」をなして
いる。
フォトマスクを用いた露光を順次行い、現像を行った状
態をしており、各露光の際に光を照射された部分がパタ
ーニングされている。図の中央には、フォトマスク1A
の露光パターン領域に形成された円形のパターンと、フ
ォトマスク1Bの露光パターン領域に形成された三角形
のパターンとが合成されて「所望のパターン」をなして
いる。
【0028】図1(c)は、フォトマスク1A,1Bの
位置合わせが理想的に行われた場合を示している。この
結果、位置合わせ用パターン1a,1bの中心は完全に
重なりあい、また直線状パターン1c,1d,1e,1
fはそれぞれ、直線状パターン1g,1h,1i,1j
と完全に重なりあっている。
位置合わせが理想的に行われた場合を示している。この
結果、位置合わせ用パターン1a,1bの中心は完全に
重なりあい、また直線状パターン1c,1d,1e,1
fはそれぞれ、直線状パターン1g,1h,1i,1j
と完全に重なりあっている。
【0029】図2(a)は、フォトマスク1Aにおける
位置合わせ用パターン1aの示している。位置合わせ用
パターン1aは、光透過部a1と遮光部a2とからな
り、光透過部a1は、幅:aの十字形状をなしている。
図2(b)は、フォトマスク1Bにおける位置合わせ用
パターン1bの示している。位置合わせ用パターン1b
は、光透過部b1と遮光部b2とからなり、遮光部b2
は、幅:bの十字形状をなしている。
位置合わせ用パターン1aの示している。位置合わせ用
パターン1aは、光透過部a1と遮光部a2とからな
り、光透過部a1は、幅:aの十字形状をなしている。
図2(b)は、フォトマスク1Bにおける位置合わせ用
パターン1bの示している。位置合わせ用パターン1b
は、光透過部b1と遮光部b2とからなり、遮光部b2
は、幅:bの十字形状をなしている。
【0030】図2(c)は、位置合わせ用パターン1
a,1bを用いて位置合わせした状態を示している。従
来の位置合わせでは、図のように、位置合わせ用パター
ン1aの「光透過部a1の十字形状」中に、位置合わせ
用パターン1bの「遮光部b2の十字形状」が、交差せ
ずに位置していれば、位置合わせは完了であった。この
時、位置合わせ精度は、光透過部1a,遮光部2bの
幅:a,bで決まるが、その絶対的なずれ量はそのまま
では分からない。また、この位置合わせ方法ではフォト
マスク相互のθ方向の回転誤差を検出することは極めて
困難である。なお、位置合わせに際しては、位置合わせ
用パターン1a,1bの重ね露光により共通に露光され
た部分のみが現像され、図2(c)の「白抜け」の部分
が得られる。
a,1bを用いて位置合わせした状態を示している。従
来の位置合わせでは、図のように、位置合わせ用パター
ン1aの「光透過部a1の十字形状」中に、位置合わせ
用パターン1bの「遮光部b2の十字形状」が、交差せ
ずに位置していれば、位置合わせは完了であった。この
時、位置合わせ精度は、光透過部1a,遮光部2bの
幅:a,bで決まるが、その絶対的なずれ量はそのまま
では分からない。また、この位置合わせ方法ではフォト
マスク相互のθ方向の回転誤差を検出することは極めて
困難である。なお、位置合わせに際しては、位置合わせ
用パターン1a,1bの重ね露光により共通に露光され
た部分のみが現像され、図2(c)の「白抜け」の部分
が得られる。
【0031】請求項1記載のフォトマスク群のように、
互いに関連しあう直線状パターンを有していると、上記
θ方向の「回転誤差」があると、互いに関連しあう直線
状パターン相互の像が交差するので、交差角を測定する
ことにより上記「回転誤差」を極めて精度良く検出でき
る。
互いに関連しあう直線状パターンを有していると、上記
θ方向の「回転誤差」があると、互いに関連しあう直線
状パターン相互の像が交差するので、交差角を測定する
ことにより上記「回転誤差」を極めて精度良く検出でき
る。
【0032】図1(c)に戻ると、フォトマスク1A,
1Bによる重ね露光において、目盛パターン1k,1
l,1mはそれぞれ、目盛パターン1o,1p,1qと
図のように関連しあう。これら目盛パターンの組み合わ
せ:1kと1o,1lと1p,1mと1qのそれぞれに
おいて、一方の目盛パターンは主尺、他方の目盛パター
ンは副尺として関連しあう。
1Bによる重ね露光において、目盛パターン1k,1
l,1mはそれぞれ、目盛パターン1o,1p,1qと
図のように関連しあう。これら目盛パターンの組み合わ
せ:1kと1o,1lと1p,1mと1qのそれぞれに
おいて、一方の目盛パターンは主尺、他方の目盛パター
ンは副尺として関連しあう。
【0033】目盛パターン1k,1l,1o,1pはフ
ォトマスク1A,1BのX方向のずれを検出するための
ものであり、目盛パターン1q,1m、はフォトマスク
1A,1BのY方向のずれを検出するためのものであ
る。
ォトマスク1A,1BのX方向のずれを検出するための
ものであり、目盛パターン1q,1m、はフォトマスク
1A,1BのY方向のずれを検出するためのものであ
る。
【0034】バーニヤの原理は良く知られているので、
ここでは詳述しないが、例えば図3に示す例では、主尺
として形成された目盛パターン1mの1目盛が20μm
(200μmの1/10)、副尺として形成された目盛
パターン1qの1目盛が18μm(180μmの1/1
0)であって、主尺の9目盛が副尺の10目盛に対応す
る。このような目盛パターンの汲みを用いると、20μ
mの精度で、フォトマスク1A,1BのX方向のずれを
検出できる。
ここでは詳述しないが、例えば図3に示す例では、主尺
として形成された目盛パターン1mの1目盛が20μm
(200μmの1/10)、副尺として形成された目盛
パターン1qの1目盛が18μm(180μmの1/1
0)であって、主尺の9目盛が副尺の10目盛に対応す
る。このような目盛パターンの汲みを用いると、20μ
mの精度で、フォトマスク1A,1BのX方向のずれを
検出できる。
【0035】図4は請求項4記載の発明のフォトマスク
の1例を示している。繁雑を避けるため、混同の虞れが
ないと思われるものについては図1に於けると同一の符
号を用いる。
の1例を示している。繁雑を避けるため、混同の虞れが
ないと思われるものについては図1に於けると同一の符
号を用いる。
【0036】マスク1Dの中央部の、破線で囲んだ露光
パターン領域の右半分には所望パターンの半分の要素的
パターンPTが露光用パターンとして形成されており、
この露光用パターン以外の部分に、位置合わせ用パター
ン1a,1bと高精度位置決め用パターンとを有する。
位置合わせようパターン1a,1bは、露光パターン領
域の中心を中心とする正方形の4すみに形成されてい
る。
パターン領域の右半分には所望パターンの半分の要素的
パターンPTが露光用パターンとして形成されており、
この露光用パターン以外の部分に、位置合わせ用パター
ン1a,1bと高精度位置決め用パターンとを有する。
位置合わせようパターン1a,1bは、露光パターン領
域の中心を中心とする正方形の4すみに形成されてい
る。
【0037】高精度位置決め用パターンは互いに平行な
2本の直線状パターン1r,1sを含み、2以上の目盛
パターンの組を2組以上有する。この例では、目盛パタ
ーン1t,1vが目盛パターンの1組をなし、目盛パタ
ーン1s,1wが他の1組をなす。
2本の直線状パターン1r,1sを含み、2以上の目盛
パターンの組を2組以上有する。この例では、目盛パタ
ーン1t,1vが目盛パターンの1組をなし、目盛パタ
ーン1s,1wが他の1組をなす。
【0038】直線状パターン1r,1sは、フォトマス
クを180度回転させたとき、回転前における直線状パ
ターン1s,1rとそれぞれ関連しあうように形成さ
れ、目盛パターン1t,1sは、フォトマスクを180
度回転させたとき、回転前における目盛パターン1v,
1wと、互いに直交する2方向において、互いにバーニ
ヤの主尺と副尺の関係をなすように関連しあうように形
成されている。
クを180度回転させたとき、回転前における直線状パ
ターン1s,1rとそれぞれ関連しあうように形成さ
れ、目盛パターン1t,1sは、フォトマスクを180
度回転させたとき、回転前における目盛パターン1v,
1wと、互いに直交する2方向において、互いにバーニ
ヤの主尺と副尺の関係をなすように関連しあうように形
成されている。
【0039】従って、このフォトマスク1Dを図の状態
で用いて、要素的パターンPTの露光を行い、次いでフ
ォトマスク1Dを180度回転させて要素的パターンP
Tの回転後の状態を露光すれば所望のパターンをパター
ニングでき、その際、大まかな位置合わせは位置合わせ
用パターン1a,1bにより実現し、さらに細かい高精
度位置決めに際しては、θ方向の回転誤差は直線状パタ
ーン1r,1sの重なりあいによる相互の傾きにより検
出でき、X方向のずれに就いては目盛パターン1t,1
vにより、Y方向のずれに就いては目盛パターン1s,
1wにより検出することができる。
で用いて、要素的パターンPTの露光を行い、次いでフ
ォトマスク1Dを180度回転させて要素的パターンP
Tの回転後の状態を露光すれば所望のパターンをパター
ニングでき、その際、大まかな位置合わせは位置合わせ
用パターン1a,1bにより実現し、さらに細かい高精
度位置決めに際しては、θ方向の回転誤差は直線状パタ
ーン1r,1sの重なりあいによる相互の傾きにより検
出でき、X方向のずれに就いては目盛パターン1t,1
vにより、Y方向のずれに就いては目盛パターン1s,
1wにより検出することができる。
【0040】請求項1記載のフォトマスク群として、フ
ォトマスク2枚で構成した例を図1〜3に即して説明し
たが、3枚以上のフォトマスクによりフォトマスク群を
構成することも勿論可能である。
ォトマスク2枚で構成した例を図1〜3に即して説明し
たが、3枚以上のフォトマスクによりフォトマスク群を
構成することも勿論可能である。
【0041】図5は、基板10の両面にパターニングを
行う場合のフォトマスクと基板の関係を示している。フ
ォトマスク11,12,13は基板10の表面側のパタ
ーニングを行うためのフォトマスクであり、それぞれ要
素的パターン19,20,21を形成されており、フォ
トマスク11,12,13の順序で露光が行われる。ま
た、フォトマスク14,15は基板10の裏面側のパタ
ーニングに用いられ、それぞれ要素的パターン22,2
3を形成され、フォトマスク14,15の順序で露光が
行われる。
行う場合のフォトマスクと基板の関係を示している。フ
ォトマスク11,12,13は基板10の表面側のパタ
ーニングを行うためのフォトマスクであり、それぞれ要
素的パターン19,20,21を形成されており、フォ
トマスク11,12,13の順序で露光が行われる。ま
た、フォトマスク14,15は基板10の裏面側のパタ
ーニングに用いられ、それぞれ要素的パターン22,2
3を形成され、フォトマスク14,15の順序で露光が
行われる。
【0042】マスク11〜15はフォトマスク群を構成
し、これらのフォトマスクの露光パターン領域該の共通
の位置には、位置合わせ用パターン(4隅のパターン)
が形成され、各フォトマスクごとに、直線状パターン
(破線で示す)と目盛パターンとが形成されている。
し、これらのフォトマスクの露光パターン領域該の共通
の位置には、位置合わせ用パターン(4隅のパターン)
が形成され、各フォトマスクごとに、直線状パターン
(破線で示す)と目盛パターンとが形成されている。
【0043】図6は、フォトマスク11,12,13を
理想的に重ね露光したときの、位置合わせ用パターン1
0aと、直線状パターン(破線で示す直線)と、目盛パ
ターンの関連を示している。フォトマスク11に形成さ
れた目盛パターン11a,11b,11cは、フォトマ
スク12に形成された目盛パターン12a,12b,1
2cに対して主尺、同様に、フォトマスク13に形成さ
れた目盛パターン13a,13b,11cは、フォトマ
スク12に形成された目盛パターン12a,12b,1
2cに対して主尺であり、フォトマスク12に形成され
た目盛パターン12a,12b,12cは、フォトマス
ク11,13に形成された各目盛パターンに対して副尺
である。
理想的に重ね露光したときの、位置合わせ用パターン1
0aと、直線状パターン(破線で示す直線)と、目盛パ
ターンの関連を示している。フォトマスク11に形成さ
れた目盛パターン11a,11b,11cは、フォトマ
スク12に形成された目盛パターン12a,12b,1
2cに対して主尺、同様に、フォトマスク13に形成さ
れた目盛パターン13a,13b,11cは、フォトマ
スク12に形成された目盛パターン12a,12b,1
2cに対して主尺であり、フォトマスク12に形成され
た目盛パターン12a,12b,12cは、フォトマス
ク11,13に形成された各目盛パターンに対して副尺
である。
【0044】同様に、図5の基板10の裏面側にパター
ニングする、フォトマスク14,15の内のフォトマス
ク14に形成された各目盛パターンはフォトマスク15
に形成された各目盛パターンに対して副尺であるととも
に、表面側をパターニングするフォトマスク11に形成
された各目盛パターンに対して副尺である。
ニングする、フォトマスク14,15の内のフォトマス
ク14に形成された各目盛パターンはフォトマスク15
に形成された各目盛パターンに対して副尺であるととも
に、表面側をパターニングするフォトマスク11に形成
された各目盛パターンに対して副尺である。
【0045】かくして、フォトマスク11〜15相互の
θ方向の回転誤差および、X,Y方向におけるずれを検
出することができる。
θ方向の回転誤差および、X,Y方向におけるずれを検
出することができる。
【0046】なお、X,Y方向のずれの、読み取り精度
に応じて主尺と副尺の関係を変更設定できることは言う
までもない。
に応じて主尺と副尺の関係を変更設定できることは言う
までもない。
【0047】
【実施例】以下、具体的な実施例を説明する。 実施例1:「マイクロレンズアレイ」を基板の両面に形
成する場合 光通信用にLDアレイと光ファイバ−を光結合する時、
結合効率を上げるためにLDアレイと光ファイバ−の間
にマイクロレンズアレイを配置する。また、光ファイバ
−からの出力を取り出す際の結合効率向上のためにもマ
イクロレンズレンズアレイを配置する。マイクロレンズ
アレイを構成するマイクロレンズは、光利用効率を向上
させるために基板の両面に凸形状のレンズを形成するこ
とが有効であるが、この場合、基板両面の対応するマイ
クロレンズの光軸を合わせる必要がある。また、マイク
ロレンズアレイとLDアレイ、光ファイバー等をユニッ
ト化するためには、鏡胴との固定(半田または銀蝋)の
ためにマイクロレンズアレイの片面のレンズ部位以外の
部分をメタライズする必要がある。
成する場合 光通信用にLDアレイと光ファイバ−を光結合する時、
結合効率を上げるためにLDアレイと光ファイバ−の間
にマイクロレンズアレイを配置する。また、光ファイバ
−からの出力を取り出す際の結合効率向上のためにもマ
イクロレンズレンズアレイを配置する。マイクロレンズ
アレイを構成するマイクロレンズは、光利用効率を向上
させるために基板の両面に凸形状のレンズを形成するこ
とが有効であるが、この場合、基板両面の対応するマイ
クロレンズの光軸を合わせる必要がある。また、マイク
ロレンズアレイとLDアレイ、光ファイバー等をユニッ
ト化するためには、鏡胴との固定(半田または銀蝋)の
ためにマイクロレンズアレイの片面のレンズ部位以外の
部分をメタライズする必要がある。
【0048】上記基板各面のマイクロレンズ形成や、遮
光用メタライズには、従来のフォトリソグラフィ技術以
上にフォトマスク相互の位置決めの精度向上が求められ
る。出願人は先に、マイクロレンズアレイの製造方法と
して、「透明基板に、熱軟化性のフォトレジスト膜を形
成し、これをマイクロレンズアレイのレンズ配列に応じ
たパターンでパターニングし、パターニング後のフォト
レジスト膜を加熱して、表面張力と流動性によりレンズ
形状に応じた表面形状のフォトレジストを得、しかるの
ちエッチングにより上記表面形状を透明基板に彫り写す
ことによりマイクロレンズアレイを形成する」方法を提
案した。この方法を利用して基板両面に高精度に位置合
わせしたマイクロレンズの配列を形成するのに、請求項
1記載のフォトマスク群を利用した。
光用メタライズには、従来のフォトリソグラフィ技術以
上にフォトマスク相互の位置決めの精度向上が求められ
る。出願人は先に、マイクロレンズアレイの製造方法と
して、「透明基板に、熱軟化性のフォトレジスト膜を形
成し、これをマイクロレンズアレイのレンズ配列に応じ
たパターンでパターニングし、パターニング後のフォト
レジスト膜を加熱して、表面張力と流動性によりレンズ
形状に応じた表面形状のフォトレジストを得、しかるの
ちエッチングにより上記表面形状を透明基板に彫り写す
ことによりマイクロレンズアレイを形成する」方法を提
案した。この方法を利用して基板両面に高精度に位置合
わせしたマイクロレンズの配列を形成するのに、請求項
1記載のフォトマスク群を利用した。
【0049】具体例1 上記光通信用コネクタとしてのマイクロレンズ製作のた
め、図1(a)(b)に即して説明したようなフォトマ
スクを2枚作製し、マイクロレンズ作製に用いた。
め、図1(a)(b)に即して説明したようなフォトマ
スクを2枚作製し、マイクロレンズ作製に用いた。
【0050】まず、通常のフォトリソグラフィ工程に従
い、基板表面に感光性材料(熱軟化性フォトレジスト)
を塗布し、第1のフォトマスクを使用して露光しパタ−
ンを形成する。露光パターン領域には、マイクロレンズ
アレイに応じたパターンが形成され、それ以外の領域に
は、図1(a)に示したような位置合わせ用パターン1
aと直線状パターン1c等、目盛パターン1d,1e等
が形成されている。目盛パターン1d,1e等は主尺で
ある。主尺は400μmを40等分した1目盛10μm
のものであり、副尺は390μmを20等分した1目盛
が19.5μmのもので、0.5μmの精度でX,Y方
向の「ずれ」を検出できる。
い、基板表面に感光性材料(熱軟化性フォトレジスト)
を塗布し、第1のフォトマスクを使用して露光しパタ−
ンを形成する。露光パターン領域には、マイクロレンズ
アレイに応じたパターンが形成され、それ以外の領域に
は、図1(a)に示したような位置合わせ用パターン1
aと直線状パターン1c等、目盛パターン1d,1e等
が形成されている。目盛パターン1d,1e等は主尺で
ある。主尺は400μmを40等分した1目盛10μm
のものであり、副尺は390μmを20等分した1目盛
が19.5μmのもので、0.5μmの精度でX,Y方
向の「ずれ」を検出できる。
【0051】露光・現像によるパターニング後、基板を
反転し、感光性材料を裏面側に塗布し、図1(b)即し
て説明したようなフォトマスク(目盛パターンが副尺で
ある)を用いて露光・現像を行う。かくして基板両面に
得られたパターンのうち、先ず位置合わせ用パターンを
用いて、フォトマスク相互の位置ずれを検出し、その結
果を用いてフォトマスク相互の位置関係を補正して、上
記と同様の工程を繰返し、新たな基板の表・裏面に得ら
れたパターンの高精度位置決め用パターンを用いて、θ
方向の回転誤差およびX,Y方向のずれを検出し、再度
フォトマスク相互の位置関係を補正した。
反転し、感光性材料を裏面側に塗布し、図1(b)即し
て説明したようなフォトマスク(目盛パターンが副尺で
ある)を用いて露光・現像を行う。かくして基板両面に
得られたパターンのうち、先ず位置合わせ用パターンを
用いて、フォトマスク相互の位置ずれを検出し、その結
果を用いてフォトマスク相互の位置関係を補正して、上
記と同様の工程を繰返し、新たな基板の表・裏面に得ら
れたパターンの高精度位置決め用パターンを用いて、θ
方向の回転誤差およびX,Y方向のずれを検出し、再度
フォトマスク相互の位置関係を補正した。
【0052】厚さ0.5mmの基板を用いたとき、上記
工程で最終的に位置決めされたフォトマスク間の位置関
係は、θ方向の回転誤差は実質的に0であり、X,Y方
向のずれも0.1μm以下で、合わせ精度仕様を満足し
ていたため、この位置関係で基板表・裏面のパターニン
グを行い、感光性材料の加熱、エッチングを行って、表
・裏面のマイクロレンズの光軸が±0.2μm以内に納
まった良好なマイクロレンズアレイを得ることができ
た。
工程で最終的に位置決めされたフォトマスク間の位置関
係は、θ方向の回転誤差は実質的に0であり、X,Y方
向のずれも0.1μm以下で、合わせ精度仕様を満足し
ていたため、この位置関係で基板表・裏面のパターニン
グを行い、感光性材料の加熱、エッチングを行って、表
・裏面のマイクロレンズの光軸が±0.2μm以内に納
まった良好なマイクロレンズアレイを得ることができ
た。
【0053】厚さ1mmの基板を用い、上記と同様のプ
ロセスでマイクロレンズアレイを形成した結果、表面側
の各マイクロレンズと裏面側の対応マイクロレンズとの
光軸ずれ量がプラス側に0.2μmであった。
ロセスでマイクロレンズアレイを形成した結果、表面側
の各マイクロレンズと裏面側の対応マイクロレンズとの
光軸ずれ量がプラス側に0.2μmであった。
【0054】そこで、フォトマスク相互の位置関係を、
マスク位置決め時のずれと反対方向(マイナス側に)に
0.15μm並行移動した位置で再度マスク位置合わせ
を行った。このように位置決めされたフォトマスクによ
り表裏面のパターニングを行い、光軸ずれを±0.2μ
m以内に納めることができた。
マスク位置決め時のずれと反対方向(マイナス側に)に
0.15μm並行移動した位置で再度マスク位置合わせ
を行った。このように位置決めされたフォトマスクによ
り表裏面のパターニングを行い、光軸ずれを±0.2μ
m以内に納めることができた。
【0055】具体例2 マイクロレンズアレイを形成するために、フォトマスク
を3枚作製した。その内の2枚はマイクロレンズアレイ
用のパターニングに用いられ、残りの1枚はメタライズ
用に用いられる。
を3枚作製した。その内の2枚はマイクロレンズアレイ
用のパターニングに用いられ、残りの1枚はメタライズ
用に用いられる。
【0056】3枚のフォトマスクとして、図5に符号1
1,12,14で示したようなフォトマスクを作製し
た。基板の表面側にマイクロレンズアレイ用のパターニ
ングを行うフォトマスク11は目盛パターンとして主尺
(200μmを20等分した1目盛が10μmのもの)
であり、基板裏面側にマイクロレンズアレイ用のパター
ニングを行うフォトマスク14および、メタライズよう
のパターニングを行うフォトマスクの目盛パターンは副
尺(190μmを10等分した1目盛が19μmのも
の)であり、X,Y方向の「ずれ」を1.0μmの精度
で検出できる。
1,12,14で示したようなフォトマスクを作製し
た。基板の表面側にマイクロレンズアレイ用のパターニ
ングを行うフォトマスク11は目盛パターンとして主尺
(200μmを20等分した1目盛が10μmのもの)
であり、基板裏面側にマイクロレンズアレイ用のパター
ニングを行うフォトマスク14および、メタライズよう
のパターニングを行うフォトマスクの目盛パターンは副
尺(190μmを10等分した1目盛が19μmのも
の)であり、X,Y方向の「ずれ」を1.0μmの精度
で検出できる。
【0057】具体例1と同様の工程で、厚さ1mmの基
板両面に目的の形状を形成し、位置合わせ用パターンに
よる位置合わせを行い、次に高精度位置決め用パターン
によりフォトマスクの位置関係を補正し、上記具体例1
と同様の方法でマイクロレンズアレイを作製した。作製
されたマイクロレンズアレイでは、表面側のマイクロレ
ンズアレイと裏面側の各対応マイクロレンズとの間に、
光軸ずれ量がプラス側に3μmであったため、フォトマ
スクマスク位置決め時のずれと反対方向に4μm並行移
動した位置で再度フォト増すマスク位置合わせを行っ
た。
板両面に目的の形状を形成し、位置合わせ用パターンに
よる位置合わせを行い、次に高精度位置決め用パターン
によりフォトマスクの位置関係を補正し、上記具体例1
と同様の方法でマイクロレンズアレイを作製した。作製
されたマイクロレンズアレイでは、表面側のマイクロレ
ンズアレイと裏面側の各対応マイクロレンズとの間に、
光軸ずれ量がプラス側に3μmであったため、フォトマ
スクマスク位置決め時のずれと反対方向に4μm並行移
動した位置で再度フォト増すマスク位置合わせを行っ
た。
【0058】さらに、裏面側に入射瞳と鏡胴固定用のメ
タライズを施すために、フォトリソグラフィ−技術を用
いて保護パタ−ンを形成した。この時の位置合わせ精度
はプラス側に5μmであった。メタライズの位置合わせ
精度は、±10μmであったため補正せず、位置合わせ
を完了した。
タライズを施すために、フォトリソグラフィ−技術を用
いて保護パタ−ンを形成した。この時の位置合わせ精度
はプラス側に5μmであった。メタライズの位置合わせ
精度は、±10μmであったため補正せず、位置合わせ
を完了した。
【0059】実施例2:光感光性材料を用いた半導体製
造プロセス 半導体プロセスは、多層薄膜プロセスで構成されている
ため、フォトマスクの位置合わせ精度の向上は、プロセ
ス自体の歩留まり向上と製品品質に直接影響する重要な
問題である。
造プロセス 半導体プロセスは、多層薄膜プロセスで構成されている
ため、フォトマスクの位置合わせ精度の向上は、プロセ
ス自体の歩留まり向上と製品品質に直接影響する重要な
問題である。
【0060】具体例3 半導体製造プロセスにおいて、図5の基板10の上方に
示す如きフォトリソグラフィ用のフォトマスクを4枚製
作し、通常の工程により半導体製作を行った。
示す如きフォトリソグラフィ用のフォトマスクを4枚製
作し、通常の工程により半導体製作を行った。
【0061】フォトマスク2枚づつに形成された「主
尺」および「副尺」は、図3に示す如きものである。
尺」および「副尺」は、図3に示す如きものである。
【0062】本実施例では、各フォトマスクによるパタ
ーンの相互の位置ずれ量は0.1μmと検出されたた
め、位置ずれ量の補正を必要とし、製品製作後にずれ量
を測定し、マスク位置合わせ時のずれと反対方向(マイ
ナス側に)にそれぞれ0.20μm並行移動した位置で
マスク位置合わせを行い、マスク間の位置ずれ量を±
0.1μm以内に納めることができた。
ーンの相互の位置ずれ量は0.1μmと検出されたた
め、位置ずれ量の補正を必要とし、製品製作後にずれ量
を測定し、マスク位置合わせ時のずれと反対方向(マイ
ナス側に)にそれぞれ0.20μm並行移動した位置で
マスク位置合わせを行い、マスク間の位置ずれ量を±
0.1μm以内に納めることができた。
【0063】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば新規なフォトマスク群およびフォトマスクを提供でき
る。この発明のフォトマスク群およびフォトマスク上記
の如き構成となっているので、感光性材料を利用するホ
トリソグラフィ露光技術に利用するホトマスクにおい
て、フォトマスク相互の極めて微細なずれや回転誤差を
買う実に検出でき、複数のフォトマスクマスクを高精度
に位置決めすることが可能となる。また、製品製作後に
ずれ量を計測し、そのずれ量を補正することによって基
板厚さが厚い場合や連続して生産する製造工程において
も高精度で位置決めすることができるようになった。
ば新規なフォトマスク群およびフォトマスクを提供でき
る。この発明のフォトマスク群およびフォトマスク上記
の如き構成となっているので、感光性材料を利用するホ
トリソグラフィ露光技術に利用するホトマスクにおい
て、フォトマスク相互の極めて微細なずれや回転誤差を
買う実に検出でき、複数のフォトマスクマスクを高精度
に位置決めすることが可能となる。また、製品製作後に
ずれ量を計測し、そのずれ量を補正することによって基
板厚さが厚い場合や連続して生産する製造工程において
も高精度で位置決めすることができるようになった。
【図1】請求項1記載のフォトマスク群を説明するため
の図である。
の図である。
【図2】位置合わせようパターンによる位置合わせを説
明するための図である。
明するための図である。
【図3】目盛パターンによる主尺・副尺の1例を示す図
である。
である。
【図4】請求項4記載のフォトマスクを説明するための
図である。
図である。
【図5】フォトマスク群を用いて、基板の両面にパター
ニングする状態を説明する図である。
ニングする状態を説明する図である。
【図6】図5のにおいて、基板表面側の3枚のフォトマ
スクによる露光が理想的に行われた場合の各目盛パター
ンの関連の様子を示す図である。
スクによる露光が理想的に行われた場合の各目盛パター
ンの関連の様子を示す図である。
1A,1B フォトマスク 1a,1b 位置合わせ用パターン 1c,1d,..,1j 直線状パターン 1k,1l,..,1q 目盛パターン
Claims (4)
- 【請求項1】感光性媒体に所定のパターンを複数回露光
し、上記各パターンの重ね合わせにより、所望パターン
をパターニングする光パターニングにおいて、 互いに異なる所定のパターンを有する複数のフォトマス
クにより構成され、 各フォトマスクは、露光用パターン以外の部分に、位置
合わせ用パターンと高精度位置決め用パターンとを有
し、 上記高精度位置決め用パターンは1以上の直線状パター
ンと、互いに直交する2方向のそれぞれに1以上形成さ
れた目盛パターンとからなり、 上記1以上の直線状パターンは、フォトマスクの所定の
組合せごとに互いに重なりあうように形成され、 上記目盛パターンは、フォトマスクの上記所定の組合せ
ごとに、一方のフォトマスクに形成された目盛パターン
と他方のフォトマスクに形成された目盛パターンが互い
にバーニヤの主尺と副尺の関係をなすように形成されて
いることを特徴とするフォトマスク群。 - 【請求項2】請求項1記載のフォトマスク群を構成する
フォトマスクであって、 目盛パターンが主尺として形成されていることを特徴と
するフォトマスク。 - 【請求項3】請求項1記載のフォトマスク群を構成する
フォトマスクであって、 目盛パターンが副尺として形成されていることを特徴と
するフォトマスク。 - 【請求項4】所定のパターンを有するフォトマスクを用
い、感光性媒体に上記フォトマスクによるパターンを、
180度ずつ回転してずらせた状態で2回露光し、互い
に回転的にずれた所定のパターンの重ね合わせにより、
所望パターンをパターニングする光パターニングにおい
て、 露光用パターン以外の部分に、位置合わせ用パターンと
高精度位置決め用パターンとを有し、 上記高精度位置決め用パターンは互いに平行な2本の直
線状パターンを含み、2以上の目盛パターンの組を2組
以上有し、 上記直線状パターンは、フォトマスクを180度回転さ
せたとき、回転前における他の直線状パターンと関連し
あうように形成され、 上記目盛パターンは、フォトマスクを180度回転させ
たとき、回転前における目盛パターンと、互いに直交す
る2方向において、互いにバーニヤの主尺と副尺の関係
をなすように関連しあうように形成されていることを特
徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16175593A JPH0756320A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | フォトマスクおよびフォトマスク群 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16175593A JPH0756320A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | フォトマスクおよびフォトマスク群 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0756320A true JPH0756320A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=15741277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16175593A Pending JPH0756320A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | フォトマスクおよびフォトマスク群 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0756320A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051574A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
US6881515B2 (en) | 2001-05-08 | 2005-04-19 | Celgard Inc. | Separator for polymer battery |
CN102866576A (zh) * | 2012-08-27 | 2013-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板组及应用掩膜板组确定对位精度范围的方法 |
CN103345117A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-10-09 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种掩膜版及液晶显示器制造方法 |
US8758887B2 (en) | 2004-12-22 | 2014-06-24 | Entegris, Inc. | Multilayer porous membrane and process |
JPWO2014050891A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-08-22 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにeuvリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16175593A patent/JPH0756320A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6881515B2 (en) | 2001-05-08 | 2005-04-19 | Celgard Inc. | Separator for polymer battery |
JP2003051574A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
JP4507473B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2010-07-21 | 住友金属鉱山株式会社 | リードフレームの製造方法 |
US8758887B2 (en) | 2004-12-22 | 2014-06-24 | Entegris, Inc. | Multilayer porous membrane and process |
CN102866576A (zh) * | 2012-08-27 | 2013-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板组及应用掩膜板组确定对位精度范围的方法 |
JPWO2014050891A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-08-22 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにeuvリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法 |
CN103345117A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-10-09 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种掩膜版及液晶显示器制造方法 |
CN103345117B (zh) * | 2013-06-24 | 2015-07-15 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种掩膜版及液晶显示器制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100279799B1 (ko) | 레티클 및 그것을 이용한 노광 장치 및 노광 방법 | |
JP2001066757A (ja) | 露光方法 | |
KR0168772B1 (ko) | 포토마스크 및 그를 이용한 반도체 장치 제조 방법 | |
US7183025B2 (en) | Phase difference specifying method | |
JPH0756320A (ja) | フォトマスクおよびフォトマスク群 | |
KR100310787B1 (ko) | 렌즈어레이사진석판노출장치와그방법 | |
KR20230120090A (ko) | Fpd용의 포토마스크, fpd용의 포토마스크에 있어서의 위치 계측용 마크의 형성 방법 및 fpd용의 포토마스크의 제조 방법 | |
JPH10115702A (ja) | 色ズレ量確認マーク付きカラーフィルター | |
JP2008096665A (ja) | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP2001296650A (ja) | レチクル | |
KR100468725B1 (ko) | 렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈수차 측정 방법 | |
JP5937873B2 (ja) | フォトマスク用基板セット、フォトマスクセット、及びパターン転写方法 | |
JP2788822B2 (ja) | ホトマスク | |
JP3120345B2 (ja) | 位相シフトマスク及び半導体装置 | |
JP3212643B2 (ja) | 位相差マスク | |
JPH07301909A (ja) | 露光用マスクおよび露光用マスク対 | |
CN110058484A (zh) | 拼接式光刻制作工艺的光掩模、半色调光掩模及其制法 | |
JPH08153664A (ja) | パターン転写方法 | |
JP4591919B2 (ja) | 液晶パネル用対向基板の製造方法 | |
JPH0355815B2 (ja) | ||
JPS588132B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
JPS5821740A (ja) | 投影露光用フオトマスク | |
JP2000266917A (ja) | 回折光学素子の製造方法 | |
JPH0466346B2 (ja) | ||
JPH0588349A (ja) | レチクルマスク及び投影露光方法 |