JPS5821740A - 投影露光用フオトマスク - Google Patents
投影露光用フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5821740A JPS5821740A JP56121146A JP12114681A JPS5821740A JP S5821740 A JPS5821740 A JP S5821740A JP 56121146 A JP56121146 A JP 56121146A JP 12114681 A JP12114681 A JP 12114681A JP S5821740 A JPS5821740 A JP S5821740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- wafer
- exposure
- transfer
- automatic positioning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本%明は半導体装置の製造工程中、写真食刻工程中に使
用さnる露光転写用フォトマスクに係り。
用さnる露光転写用フォトマスクに係り。
籍に投影−光用フォトマスクに関するものである。
半導体装置の製造工程中、写真*刻工程では。
布し、プリベークした後、ウェハーとフォトマスク全位
置合せし%側光、現像するとフォトマスク上のパターン
に対応したフォトレジストのパターンがウェハー上に形
成さrL、フォトマスクのパターンがウェハー上に転写
さ扛る。この後、ポストベークを行ない、下地の酸化族
や窒化膜等の絶縁層t−湿式又は乾式エツチングし1次
に不要となったフォトレジスト全除去するとウェハー上
に酸化課−?輩化展等のパターンが形成さrLる。
置合せし%側光、現像するとフォトマスク上のパターン
に対応したフォトレジストのパターンがウェハー上に形
成さrL、フォトマスクのパターンがウェハー上に転写
さ扛る。この後、ポストベークを行ない、下地の酸化族
や窒化膜等の絶縁層t−湿式又は乾式エツチングし1次
に不要となったフォトレジスト全除去するとウェハー上
に酸化課−?輩化展等のパターンが形成さrLる。
従来、上記細光の工程では、ウェハーとフォトマスクt
@看して絽光する方式、いわゆる@m篇元方式が広く採
用さjしており、また、ウェハーとフォトマスクの位置
合せは自動的に処理する方式が広く採用さnている。第
1図は、左に)1右(均に自動位置合せ用ターゲツト群
l及び1′−2をもっフォトスマク2を示し、第2図は
フォトマスクに対た自励位置合せ用ターゲツト群l及び
l’ をもつウェハー3を示している。M3図は前記マ
スクとウェハーを自動位置合せし5重ね合せた伏線を不
−上の左右のターゲツト群のうちそjLぞfi1対のタ
ーゲットが使用さ牡る。第4図は従来のマスク及びウェ
ハーの左右に配置さnたターゲット%l及び1’の拡大
図を示し、各々の番号((1)〜(9))((1″)〜
(9″))’tつけた領域内にターゲットが配置さfし
ている。例えば第1回目の路光転写には(すと(1′)
の領域のターゲットが使用さjL%第2回目の4光転写
には(2)と(2゛)の領域のターゲットが使用され、
第3回目以後は(3)と(3I)・・・(i)。
@看して絽光する方式、いわゆる@m篇元方式が広く採
用さjしており、また、ウェハーとフォトマスクの位置
合せは自動的に処理する方式が広く採用さnている。第
1図は、左に)1右(均に自動位置合せ用ターゲツト群
l及び1′−2をもっフォトスマク2を示し、第2図は
フォトマスクに対た自励位置合せ用ターゲツト群l及び
l’ をもつウェハー3を示している。M3図は前記マ
スクとウェハーを自動位置合せし5重ね合せた伏線を不
−上の左右のターゲツト群のうちそjLぞfi1対のタ
ーゲットが使用さ牡る。第4図は従来のマスク及びウェ
ハーの左右に配置さnたターゲット%l及び1’の拡大
図を示し、各々の番号((1)〜(9))((1″)〜
(9″))’tつけた領域内にターゲットが配置さfし
ている。例えば第1回目の路光転写には(すと(1′)
の領域のターゲットが使用さjL%第2回目の4光転写
には(2)と(2゛)の領域のターゲットが使用され、
第3回目以後は(3)と(3I)・・・(i)。
(i・)と次々に使用さ扛る。
ここで、従来の密M%光方式では左右のターゲットは第
4図に示すように通常は左右のターゲットは左右対称に
配置さtしておらず、はぼランダムに配置さnていた。
4図に示すように通常は左右のターゲットは左右対称に
配置さtしておらず、はぼランダムに配置さnていた。
前記奮瘤繍光に対して最近では、ウェハーとマスクを離
した状態で路光する。
した状態で路光する。
反射ミラー光学系ヲf:用した投影路光が普及している
0反射ミラー光学系を便用する投影路光ではウェハーと
フォトマスクは非接触なので、ポジ型フォトレジストと
の組合せが可能で、ポジ型フォトレジストの利点でおる
篩解像力を生かすことがテキる。またフォトマスクのb
4易が少ない1等のオリ点がある。こnに対して、従来
の@N繕元方式では、フォトマスクとウエノ\−はVf
j*するので。
0反射ミラー光学系を便用する投影路光ではウェハーと
フォトマスクは非接触なので、ポジ型フォトレジストと
の組合せが可能で、ポジ型フォトレジストの利点でおる
篩解像力を生かすことがテキる。またフォトマスクのb
4易が少ない1等のオリ点がある。こnに対して、従来
の@N繕元方式では、フォトマスクとウエノ\−はVf
j*するので。
フォトマスクにフォトレジストが付着しやすく。
欠陥発生の要因となる。符にポジ型レジストで−よネガ
型レジストに比べて、付着しヤす<、4#夫−F簀層蕗
光とポジ型レジストとの組合せは小口」能でおった。
型レジストに比べて、付着しヤす<、4#夫−F簀層蕗
光とポジ型レジストとの組合せは小口」能でおった。
投影露光方式は前述したように大きな利点かあるが、ウ
ェハーとフォトマスクの自動位置合せを行なう場合、第
4図に示すようなターゲット配置のフォトマスクは使用
できないという欠点がめった。すなわち、第5図は反射
ミラー光学系を使用する投影路光方式において、ウエノ
%3と7オトマスク2の自動位置合せが終了した状態ヲ
示してしる。反射ミラー光学系を使用する投影露光方式
では、ウェハーは1〜2mm巾のスリット4を通過する
紫外縁により走査露光さnる。走査露光はウェハー3が
Y方向に移動することにより行なわILる。ウェハーと
フォトマスクの目動位tlt曾せは。
ェハーとフォトマスクの自動位置合せを行なう場合、第
4図に示すようなターゲット配置のフォトマスクは使用
できないという欠点がめった。すなわち、第5図は反射
ミラー光学系を使用する投影路光方式において、ウエノ
%3と7オトマスク2の自動位置合せが終了した状態ヲ
示してしる。反射ミラー光学系を使用する投影露光方式
では、ウェハーは1〜2mm巾のスリット4を通過する
紫外縁により走査露光さnる。走査露光はウェハー3が
Y方向に移動することにより行なわILる。ウェハーと
フォトマスクの目動位tlt曾せは。
このスリット4會通過してくるウェハーからの反射光を
利用してなさfLる為、このスリット内にウェハーとフ
ォトマスク上のターゲツトt%出させる必要がある。第
4図に示す従来のターゲットの配置ではスリット巾が1
〜2mmとせまいため。
利用してなさfLる為、このスリット内にウェハーとフ
ォトマスク上のターゲツトt%出させる必要がある。第
4図に示す従来のターゲットの配置ではスリット巾が1
〜2mmとせまいため。
ウェハー3又キフオトマスク2をλ、Y方同に移動させ
るだけでは左右いずfLかのターゲットはせまいスリッ
ト領域からはずIしてしまう。また無理に1対の左右の
ターゲットをスリット領域内4に露出させるためにはθ
方向の回転移−が必資である。一方向の回転移動が多い
と従来の投影路光装置では自動位置合せ8度が着しく低
下するとbう欠点がめった。また、個々のターゲット又
はターゲット領域が広くなるとltま丁この傾向は強く
。
るだけでは左右いずfLかのターゲットはせまいスリッ
ト領域からはずIしてしまう。また無理に1対の左右の
ターゲットをスリット領域内4に露出させるためにはθ
方向の回転移−が必資である。一方向の回転移動が多い
と従来の投影路光装置では自動位置合せ8度が着しく低
下するとbう欠点がめった。また、個々のターゲット又
はターゲット領域が広くなるとltま丁この傾向は強く
。
挙芙上自−位置合せは不=f能であった。こrLらの理
由により、ウェハーとフォトマスクの位置合せは手動に
頼らなくてはならず、能率が忌<、又。
由により、ウェハーとフォトマスクの位置合せは手動に
頼らなくてはならず、能率が忌<、又。
位置合せ精藏が思いという欠点があった。
本発明の目的は反射ミラー光学系を便用する投影路光に
おいてウェハーと7オトマスクの目動位置合せを可能に
するフォトマスクを提供することにある。
おいてウェハーと7オトマスクの目動位置合せを可能に
するフォトマスクを提供することにある。
すなわち1本発明は半導体装置製造に使用さjLる線光
転写用フォトマスクにおいて、該電光転写用フォトマス
クと半導体基板との自動位置合せのためのターゲット秤
會具備し、該ターゲツト群が左右対称に配置さrL、か
つ1回の側光転写に使用δ才しる各々1対のターゲット
が左右対称に配置さiしていることを特値とする投影線
光用フォトマスクに関するものである。
転写用フォトマスクにおいて、該電光転写用フォトマス
クと半導体基板との自動位置合せのためのターゲット秤
會具備し、該ターゲツト群が左右対称に配置さrL、か
つ1回の側光転写に使用δ才しる各々1対のターゲット
が左右対称に配置さiしていることを特値とする投影線
光用フォトマスクに関するものである。
本発明にエリ生産性は向上し、また1位置合せ軸度の向
上が期待できる。
上が期待できる。
以下に本発明の実施例を図を退って説明する。
第6図に本発明実施例による投影線光用フォトマスクの
ターゲラ)$1.>よびi’Q)拡大図會示す。左右の
各々対會なすターゲットは(1)と(1’)+(2)と
(2’)、・・・の様に左右対称に配置さ扛ている。
ターゲラ)$1.>よびi’Q)拡大図會示す。左右の
各々対會なすターゲットは(1)と(1’)+(2)と
(2’)、・・・の様に左右対称に配置さ扛ている。
第7図は本発明実施例によるフォトマスクを使用して1
反射ミラー光学系を使用する投影露光装置で自動位置合
せを終了した状態を示す。図かられかるように本実施例
によるフォトマスクでは各々対をなすターゲット(1)
と(1’ ) + (2)と(2’)、・・・(i)と
(i″)はそ扛ぞn左右対称に配置さ扛ているので、ウ
ェハー31およびフォトマスク2のターゲット全スリッ
ト領域4内に容易に露出できることがわかる。第7図の
例では(3)と(3・)のターゲットがスリット領域内
に露出していをM t=示している。他のターゲットを
露出する為には、ウニノ・−およびフォトマスクをX方
向、Y方向へ移動するだけで街み、θ方向の回転移mは
心安ない。
反射ミラー光学系を使用する投影露光装置で自動位置合
せを終了した状態を示す。図かられかるように本実施例
によるフォトマスクでは各々対をなすターゲット(1)
と(1’ ) + (2)と(2’)、・・・(i)と
(i″)はそ扛ぞn左右対称に配置さ扛ているので、ウ
ェハー31およびフォトマスク2のターゲット全スリッ
ト領域4内に容易に露出できることがわかる。第7図の
例では(3)と(3・)のターゲットがスリット領域内
に露出していをM t=示している。他のターゲットを
露出する為には、ウニノ・−およびフォトマスクをX方
向、Y方向へ移動するだけで街み、θ方向の回転移mは
心安ない。
このように各々左右のターゲットはX、Y方向の操作の
みでスリット領域内に容易に露出できるので、前述した
理由により自動位置合せが容易になり自動位置合せの8
現性は者しく頃善さr鴫こ扛により生産性の向上1位置
合せ精度の同上が実現できる。
みでスリット領域内に容易に露出できるので、前述した
理由により自動位置合せが容易になり自動位置合せの8
現性は者しく頃善さr鴫こ扛により生産性の向上1位置
合せ精度の同上が実現できる。
第1図は自動位置合せ用ターゲットをもつフォトマスク
、第2図はウニノー−1紀3図は従来の密7に路光方式
によりフォトマスクとウェハーを位置会せした状態を、
そnぞ扛示す半面図である。第4図は従来の自動位置合
せ用ターゲツト群の拡大図を示す平面図であり、第5図
は従来のフすトマスクを反射ミラー光字系を使用する投
影露光装置で、フォトマスクと、ウェハーの位置合せを
終了した状態を示す半面図である。第6図、837図は
本発明の実地例を下す平面図である。 なお1図中の記号は、lel’・・・・・・ターゲット
群、2・・・・・・フォトマスク、3・・・・・・ウニ
ノ’−C半4体基板)、4・・・・・・スリット、であ
る。 ≠ 7 図 第 3 図 z Z 4 図 Z R 舅 5 図 第 7圓
、第2図はウニノー−1紀3図は従来の密7に路光方式
によりフォトマスクとウェハーを位置会せした状態を、
そnぞ扛示す半面図である。第4図は従来の自動位置合
せ用ターゲツト群の拡大図を示す平面図であり、第5図
は従来のフすトマスクを反射ミラー光字系を使用する投
影露光装置で、フォトマスクと、ウェハーの位置合せを
終了した状態を示す半面図である。第6図、837図は
本発明の実地例を下す平面図である。 なお1図中の記号は、lel’・・・・・・ターゲット
群、2・・・・・・フォトマスク、3・・・・・・ウニ
ノ’−C半4体基板)、4・・・・・・スリット、であ
る。 ≠ 7 図 第 3 図 z Z 4 図 Z R 舅 5 図 第 7圓
Claims (1)
- 半導体装置製造に使用さrしる路光転写用フォトマスク
にお込て、販蕗光転写用フォトマスクと半導体基板との
自動位置合せのためのターゲツト群を具備し、戚ターゲ
ット群が左右対称に配置さrlかつ1(9)の勤先転写
に使用さ扛る各々1対のターゲットが左右対称に配置さ
扛ていることを@倣とする投影−光用7オドマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56121146A JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56121146A JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821740A true JPS5821740A (ja) | 1983-02-08 |
JPS627538B2 JPS627538B2 (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=14803988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56121146A Granted JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5821740A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60149130A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-06 | Hitachi Ltd | パターン検出方法およびそれに用いる反射防止膜用材料 |
JPS636659A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Hitachi Ltd | 本人確認方式 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63184929U (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | ||
JPH0535116Y2 (ja) * | 1988-11-11 | 1993-09-06 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56109350A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Hitachi Ltd | Photomask |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56121146A patent/JPS5821740A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56109350A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Hitachi Ltd | Photomask |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60149130A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-06 | Hitachi Ltd | パターン検出方法およびそれに用いる反射防止膜用材料 |
JPS636659A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Hitachi Ltd | 本人確認方式 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS627538B2 (ja) | 1987-02-18 |
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